物理气相沉积装置及方法

技术领域

本申请涉及半导体工艺技术领域，特别是涉及物理气相沉积装置及方法。

背景技术

物理气相沉积是在真空条件下，利用蒸发或溅射等物理形式，把固体的材料转化为原子、分子或者离子态的气相物质然后使这些携带能量的蒸发粒子沉积到基体或零件的表面，以形成膜层的膜制备方法。物理气相沉积法主要有真空蒸镀、溅射和离子镀。真空蒸镀：在真空中加热使金属、合金或化合物蒸发，然后凝结在基体表面上方法叫真空蒸镀。溅射：溅射是利用高速正离子轰击某一靶材(阴极)，使靶材表面原子以一定能量逸出，后在工件表面沉积的过程。离子镀：离子镀借助于一种惰性气体的辉光放电使欲镀金属或合金蒸发离子化，并在这些荷能离子轰击基体(又称半导体工件)表面并同时沉积在其上形成镀膜。

传统地，对于溅射的物理气相沉积方式，为了避免减少点火(power ignition)初期阶段的点火失败现象发生，通常的做法是增加点火初期阶段的功率大小，和/或，增加点火初期阶段与基体表面沉积阶段(wafer dep)制程气体的通入流量大小，虽然能减少点火初期阶段的失败现象发生，但是基体上的成膜质量仍然不能同步得到较好地改善。

发明内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种物理气相沉积装置及方法，它能够有效减少点火初期阶段的失败现象发生，同时能保证基体的成膜质量。

其技术方案如下：一种物理气相沉积装置，所述物理气相沉积装置包括：

机体，所述机体设有反应腔室；

电极板、靶材、静电卡盘以及真空泵，所述电极板与所述靶材设置于所述机体的顶部，所述靶材与所述电极板相连并位于所述电极板的下方；所述静电卡盘设置于所述反应腔室内并与所述靶材相对设置，所述静电卡盘用于装设半导体工件；所述真空泵设置于所述机体上，所述真空泵与所述反应腔室相连通，用于将所述反应腔室内部的气体向外抽出；

电子生成装置，所述电子生成装置设置于所述机体上且与所述反应腔室连通，所述电子生成装置用于生成电子，并在点火初期阶段将所述电子发射到所述反应腔室的内部以提升反应腔室中自由电子的浓度。

在其中一个实施例中，所述电子生成装置包括外壳、阴极与加热件；所述外壳装设于所述机体上，所述外壳设有第一对接口，所述机体设有第二对接口，所述外壳通过所述第一对接口、所述第二对接口与所述反应腔室连通；所述阴极与所述加热件设置于所述外壳的内部；所述阴极包括第一金属筒体，所述第一金属筒体的一端设有第一开口，所述第一金属筒体的另一端设为第一封闭端，所述加热件通过所述第一开口穿设于所述第一金属筒体内，所述第一封闭端对着所述第一对接口；所述加热件用于与配置电源电性连接。

在其中一个实施例中，所述第一封闭端的外壁上设置有活性发射材料。

在其中一个实施例中，所述电子生成装置还包括栅极；所述栅极包括第二金属筒体，所述第二金属筒体的一端设有第二开口，所述第二金属筒体的另一端设为第二封闭端，所述第一封闭端通过所述第二开口穿设于所述第二金属筒体内，所述第二封闭端对着所述第一对接口，所述第二封闭端上设有通孔。

在其中一个实施例中，所述电子生成装置还包括设置于所述外壳内部的加速极；所述加速极设置于所述栅极与所述第一对接口之间，所述加速极设有电子运行的通道，所述通道分别与所述通孔、所述第一对接口相对设置。

在其中一个实施例中，所述加热件为灯丝和/或加热棒。

在其中一个实施例中，所述外壳上设有用于装设所述配置电源的安装座；和/或，所述外壳上设有电源接口、电源孔、电源连接线。

在其中一个实施例中，所述物理气相沉积装置还包括设置于所述第一对接口与所述第二对接口处的密封件，所述外壳通过所述密封件与所述机体相连。

在其中一个实施例中，所述物理气相沉积装置还包括控制器；所述控制器与所述电子生成装置电性连接，所述控制器用于在点火初期阶段控制所述电子生成装置工作，以及在基体表面沉积阶段控制所述电子生成装置停止工作。

在其中一个实施例中，所述电子生成装置为一个或多个。

在其中一个实施例中，多个所述电子生成装置间隔地设置于所述机体上。

一种物理气相沉积方法，包括如下步骤：

当物理气相沉积装置处于点火初期阶段时，将电子生成装置生成的电子发射到所述物理气相沉积装置的反应腔室内部以提升反应腔室中自由电子的浓度，控制所述物理气相沉积装置处于低功率和/或低气体流量的条件下进行点火，其中，所述低功率范围为60kW～120kW，所述低气体流量范围为50sccm～150sccm。

在其中一个实施例中，，所述物理气相沉积方法还包括如下步骤：当物理气相沉积装置的点火初期阶段结束时，控制所述电子生成装置停止工作。

在其中一个实施例中，所述电子生成装置工作时的电流强度为2mA-10mA。

上述的物理气相沉积装置，通过设计增加一个电子生成装置，电子生成装置产生的电子能增加反应腔室中的自由电子浓度，为等离子体的生成起到预点火效果，即使点火初期阶段处于低功率以及低气体流量的条件下，仍然不会造成点火失败现象发生，保证点火效率的同时，还能通过控制功率大小与气体气压的方式来减小不稳定功率阶段的薄膜沉积厚度，能提升薄膜沉积质量。

上述物理气相沉积方法，能解决物理气相沉积装置在点火初期阶段的等离子体无法产生所导致点火失败的不良现象，通过补偿点火初期的带电粒子浓度，从而能相应增加等离子体的生成效率，能有效减少点火初期阶段的失败现象发生。此外，保证点火效率的同时，还能通过控制功率大小与气体气压的方式来减小不稳定功率阶段的薄膜沉积厚度，能提升薄膜沉积质量。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为传统技术中一实施例的基于溅射工艺的物理气相沉积装置中功率随时间变化的曲线图；

图2为传统技术中一实施例的基于溅射工艺的物理气相沉积装置中不同功率随时间变化的对比曲线图；

图3为传统技术中一实施例的基于溅射工艺的物理气相沉积装置中制程气体的气体流量随时间变化的曲线图；

图4为传统技术中一实施例的基于溅射工艺的物理气相沉积装置中制程气体的不同气体流量随时间变化的对比曲线图；

图5为本申请一实施例的物理气相沉积装置的结构示意图。

10、机体；11、反应腔室；12、第二对接口；20、电子生成装置；21、外壳；211、第一对接口；22、阴极；221、第一开口；222、第一封闭端；23、加热件；24、栅极；241、第二开口；242、第二封闭端；2421、通孔；25、加速极；251、通道；30、电极板；40、靶材；50、静电卡盘；60、真空泵；70、半导体工件。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

请参阅图1，图1示出了传统技术中一实施例的基于溅射工艺的物理气相沉积装置中功率随时间变化的曲线图。图1中的横坐标表示时间，纵坐标表示功率大小，从图1中可以看出，0至t1的时间段所对应的功率是从0逐渐增大、保持不变、再逐渐增大的方式提高到例如2000W，该0至t1的时间段对应于点火初期阶段，功率大小呈现出不稳定状态，该0至t1的时间段所对应的曲线与横坐标围合形成的区域表征在初期点火阶段基体表面上所沉积的薄膜厚度大小。此外，t1至t2的时间段所对应的功率是恒定保持不变的阶段，例如为2000W，并对应于基体表面薄膜沉积阶段，功率较为稳定。同样地，该t1至t2的时间段所对应的曲线与横坐标围合形成的区域表征在基体表面薄膜沉积阶段基体表面上所沉积的薄膜厚度大小。因此，0至t2的时间段所对应的曲线与横坐标围合形成的区域表征在初期点火阶段与基体表面薄膜沉积阶段的基体表面上所沉积的薄膜厚度大小。

经过发明人研究发现，当0至t1的时间段的功率提高时，虽然能减少点火初期阶段的失败现象发生，但是会增加初期点火阶段基体表面上所沉积的薄膜厚度大小，即在功率不稳定状态阶段所产生的薄膜厚度较大，从而导致基体表面最终的成膜质量较差。

请参阅图1与图2，图2示出了传统技术中一实施例的基于溅射工艺的物理气相沉积装置中不同功率随时间变化的对比曲线图。图2相对于图1而言，在图1的基础上增加了一根对比功率曲线，该对比功率曲线在初期点火阶段的功率小于原功率曲线在初期点火阶段的功率(如图2所示，对比功率曲线位于原功率曲线的下方)，从而从图2中可以看出对比功率曲线在初期点火阶段与横坐标围合形成的区域面积小于原功率曲线在初期点火阶段与横坐标围合形成的区域面积，即能一定程度地减小在功率不稳定状态阶段所产生的薄膜厚度，但是申请人研究发现，将会增加点火初期阶段的失败现象发生。

请参阅图3，图3示出了传统技术中一实施例的基于溅射工艺的物理气相沉积装置中制程气体的气体流量随时间变化的曲线图。图3中的横坐标表示时间，纵坐标表示制程气体通入到制程腔室内的气体流量大小，从图3中可以看出，制程气体的气体流量大小先逐渐增大，随后以保持不变的流量大小(具体例如为200)提供给制程腔室。同样地，气体流量曲线与横坐标围合形成的区域面积表征在初期点火阶段与基体表面薄膜沉积阶段基体表面上所沉积的薄膜厚度大小。

请参阅图3与图4，图4示出了传统技术中一实施例的基于溅射工艺的物理气相沉积装置中制程气体的不同气体流量随时间变化的对比曲线图。图4相对于图3而言，在图3的基础上增加了两根对比流量曲线，其中一根对比流量曲线在整个成膜阶段(即初期点火阶段与基体表面薄膜沉积阶段)的气体流量小于原流量曲线在整个成膜阶段的气体流量(如图4所示，其中一个对比流量曲线所得到稳定的气体流量例如为100，位于原流量曲线的下方)，从而从图4中可以看出其中一个对比流量曲线在整个成膜阶段与横坐标围合形成的区域面积小于原流量曲线在整个成膜阶段与横坐标围合形成的区域面积，即能一定程度地减小在功率不稳定状态阶段所产生的薄膜厚度，但是申请人研究发现，将会增加点火初期阶段的失败现象发生。此外，另一根对比流量曲线在整个成膜阶段的气体流量大于原流量曲线在整个成膜阶段的气体流量(如图4所示，另一个对比流量曲线所得到稳定的气体流量例如为400，位于原流量曲线的上方)，申请人研究发现，将会减小点火初期阶段的失败现象发生，但是从图4中可以看出另一个对比流量曲线在整个成膜阶段与横坐标围合形成的区域面积大于原流量曲线在整个成膜阶段与横坐标围合形成的区域面积，即能一定程度地增加了在功率不稳定状态阶段所产生的薄膜厚度，这样将会导致基体上的成膜质量仍然不能同步得到较好地改善。

参阅图5，图5示出了一实施例的物理气相沉积装置的结构示意图，本申请一实施例提供的一种物理气相沉积装置，物理气相沉积装置包括：机体10与电子生成装置20。机体10设有反应腔室11。电子生成装置20设置于机体10上且与反应腔室11连通，电子生成装置20用于生成电子，并在点火初期阶段将电子发射到反应腔室11的内部以提升反应腔室11中自由电子的浓度。

上述的物理气相沉积装置，通过设计增加一个电子生成装置20，电子生成装置20产生的电子能增加反应腔室11中的自由电子浓度，为等离子体的生成起到预点火效果，即使点火初期阶段处于低功率以及低气体流量的条件下，仍然不会造成点火失败现象发生，保证点火效率的同时，还能通过控制功率大小与气体气压的方式来减小不稳定功率阶段的薄膜沉积厚度，能提升薄膜沉积质量。

请参阅图5，在一个实施例中，电子生成装置20包括外壳21、阴极22与加热件23。外壳21装设于机体10上，外壳21设有第一对接口211，机体10设有第二对接口12。外壳21通过第一对接口211、第二对接口12与反应腔室11连通。阴极22与加热件23设置于外壳21的内部。阴极22包括第一金属筒体。第一金属筒体的一端设有第一开口221，第一金属筒体的另一端设为第一封闭端222。加热件23通过第一开口221穿设于第一金属筒体内。第一封闭端222对着第一对接口211。加热件23用于与配置电源电性连接。如此，当配置电源给加热件23通电时，加热件23温度升高，温度升高后，将热量传递给阴极22，加热阴极22，阴极22的第一封闭端222便能产生大量电子，产生的电子通过第一对接口211与第二对接口12进入到反应腔室11的内部。

需要说明的是，该配置电源既可以是设置于外壳21上的可充电电源、不可充电电源，又可以是通过电源线、电源接口等等方式电性相连的直流电源或交流电源等等。其具体形式在此不进行限定，只要能够根据需求来给加热件23提供电源即可。

请参阅图5，在一个实施例中，第一封闭端222的外壁上设置有活性发射材料(图中未示意出)。如此，活性发射材料能有利于阴极22向外发射出电子。具体而言，活性发射材料包括但不限于为涂覆设置于第一封闭端222的整个外壁面。

可选地，活性发射材料包括但不限于为例如通过涂敷的方式形成于第一封闭端222外壁面上并由以钡为主要成分，及锶、钙等碱土金属的固熔形态钛酸(钡-锶-钙)形成的电子发射物质层，还可以是钡锶钙铝钪酸盐(Ba-Sr-Ca-Al-Sc-O)，又可以是钡钙铝酸盐(Ba-Ca-Al-O)活性发射材料。

请参阅图5，在一个实施例中，电子生成装置20还包括栅极24。栅极24包括第二金属筒体，第二金属筒体的一端设有第二开口241，第二金属筒体的另一端设为第二封闭端242。第一封闭端222通过第二开口241穿设于第二金属筒体内，第二封闭端242对着第一对接口211，第二封闭端242上设有通孔2421。如此，栅极24位于阴极22的前方，栅极24上所施加的电压高低，能影响阴极22发射电子的多少，若栅极24电压越高，则有利于将阴极22表面的电子拉出，阴极22发射的电子就越多，反之就越少。此外，阴极22的第一封闭端222产生的电子形成电子束，通过通孔2421向外射出。

具体而言，通过改变栅极24与阴极22的相对电位大小可以控制电子束的强弱。当栅极24与阴极22的相对点位较大时，阴极22产生电子束的能力将越强；反之，当栅极24与阴极22的相对点位较小时，阴极22产生电子束的能力将越弱。

需要说明的是，上述的第一金属筒体的轴向截面包括但不限于为圆形、方形、三角形、五边形、六边形等等。同样地，上述的第二金属筒体的轴向截面包括但不限于为圆形、方形、三角形、五边形、六边形等等。

请参阅图5，在一个实施例中，电子生成装置20还包括设置于外壳21内部的加速极25。加速极25设置于栅极24与第一对接口211之间，加速极25设有电子运行的通道251，通道251分别与通孔2421、第一对接口211相对设置。如此，当电子束通过通孔2421向外射出后，将进入到通道251内，加速极25对电子束进行加速处理，使电子束以更高的速度通过第一对接口211与第二对接口12进入到反应腔室11的内部。

需要说明的是，在一个实施例中，在加速极25上施加的电压例如为正电压，电压的大小包括但不限于为100伏至1000伏，电压大小控制较为合适，能较好地控制阴极22向外发射的电子束的运行速度。

在一个实施例中，加热件23包括但不限于为灯丝和/或加热棒，还可以是根据实际需求灵活地设置成其它结构形状。

在一个实施例中，外壳21上设有用于装设配置电源的安装座(图中未示出)，配置电源例如可拆卸地设置于安装座上。

在一个实施例中，外壳21上设有电源接口、电源孔或电源连接线(图中未示出)。

在一个实施例中，外壳21上既设有用于装设配置电源的安装座，又设置有电源接口、电源孔、电源连接线中的至少一种。

请参阅图5，在一个实施例中，物理气相沉积装置还包括设置于第一对接口211与第二对接口12处的密封件(图中未示出)。外壳21通过密封件与机体10相连。如此，由于在第一对接口211与第二对接口12处设置有密封件，密封件能保证第一对接口211与第二对接口12对接部位处的密封性，这样能保证反应腔室11的真空度。

具体而言，密封件包括但不限于为环绕地设置于第一对接口211上和/或第二对接口12上的至少一个密封圈。当然，作为一个可选的方案，也可以在将第一对接口211与第二对接口12两者对接相连后，通过在外壳21与机体10的对接部位处设置密封胶水来完成第一对接口211与第二对接口12处的密封。

在一个实施例中，物理气相沉积装置还包括控制器(图中未示出)。控制器与电子生成装置20电性连接，控制器用于在点火初期阶段控制电子生成装置20工作，以及在基体表面沉积阶段控制电子生成装置20停止工作。

请参阅图5，在一个实施例中，物理气相沉积装置还包括电极板30、靶材40、静电卡盘50以及真空泵60。电极板30与靶材40设置于机体10的顶部，靶材40与电极板30相连并位于电极板30的下方。静电卡盘50设置于反应腔室11内并与靶材40相对设置，静电卡盘50用于装设半导体工件70。真空泵60设置于机体10上，真空泵60与反应腔室11相连通，用于将反应腔室11内部的气体向外抽出。

需要说明的是，半导体工件70包括但不限于为晶圆。

需要说明的是，反应腔室11内部的气体包括但不限于为Ar、Kr、Xe，本实施例中将具体以气体为Ar进行金属溅镀沉积。

还需要说明的是，靶材40，材质包括但不限于为Al/Si，此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此靶材40的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在半导体工件70的表面上，一般使用之组成为Al/Si(1％)，将此当作组件与外界导线连接。

此外，溅镀是带能量的离子撞击靶材40，致使靶材40表面的原子飞散出来，附着于半导体工件70的表面上形成薄膜之现象。电极板30上既可以施加直流电，又可以是射频电流。当所加电流为直流时，称为直流溅镀(DC SPUTTERING)：所加电流为射频时，称为射频贱镀(RADIO FREQUENCY SPUTTERING)。基于经济及效率观点，氩气为最常使用之气体。当氩气被快速电子碰撞时产生氩离子，此时电子数目增加并且同时受电场再加速，以便再次进行游离反应，如此不去如同雪崩(AVALANCHE)一样产生辉光放电(GLOW DISCHARGE)，氩气离子受靶材40(负极)吸引，加速碰撞靶材40，将表面原子打出而吸附在半导体工件70的表面上。

在一个实施例中，电子生成装置20为一个或多个。

在一个实施例中，多个电子生成装置20间隔地设置于机体10上。如此，当机体10上设置的电子生成装置20不止是一个，而是多个，且相互间隔设置于机体10上时，在点火初期阶段，可以控制多个电子生成装置20同步进行工作，从不同位置发射电子到反应腔室11内部，从而能提升装置在初期点火阶段的点火效率，能避免造成点火失败现象发生。

可选地，作为一个示例，多个电子生成装置20等间隔地设置于机体10上。当然，多个电子生成装置20也可以是非等间隔地设置于机体10上，而是根据机体10上的第二对接口12的实际位置来进行安装，例如可以利用机体10上原本预留的第二对接口12的位置来进行安装电子生成装置20，这样便无需在机体10上开设第二对接口12而影响到反应腔室11的真空度。

请参阅图1，在一个实施例中，一种物理气相沉积方法，包括如下步骤：

当物理气相沉积装置处于点火初期阶段时，将电子生成装置20生成的电子发射到物理气相沉积装置的反应腔室11内部以提升反应腔室11中自由电子的浓度，控制物理气相沉积装置处于低功率和/或低气体流量的条件下进行点火，其中，低功率范围为60kW～120kW，低气体流量范围为50sccm～150sccm。

需要说明的是，物理气相沉积装置处于低功率条件运行指的是，物理气相沉积装置的电极板30所施加的电压和/或电流相对小于第一预设值，也即在靶材40上施加的电压和/或电流相对小于第一预设值。该第一预设值根据实际需求灵活调整与设置，在此不进行限定。

需要说明的是，物理气相沉积装置处于低气体流量的条件下运行指的是，物理气相沉积装置的反应腔室11内通入的气体流量小于第二预设值。该第二预设值根据实际需求灵活调整与设置，在此不进行限定。

上述物理气相沉积方法，能解决物理气相沉积装置在点火初期阶段的等离子体无法产生所导致点火失败的不良现象，通过补偿点火初期的带电粒子浓度，从而能相应增加等离子体的生成效率，能有效减少点火初期阶段的失败现象发生。此外，保证点火效率的同时，还能通过控制功率大小与气体气压的方式来减小不稳定功率阶段的薄膜沉积厚度，能提升薄膜沉积质量。

在一个实施例中，物理气相沉积方法还包括如下步骤：当物理气相沉积装置的点火初期阶段结束时，控制电子生成装置20停止工作。

在一个实施例中，电子生成装置20工作时的电流强度为2mA-10mA。具体而言，电子生成装置20的电流强度包括但不限于为2mA、3mA、4mA、5mA、5.5mA、5.8mA、6mA、6.2mA、6.4mA、6.8mA、7mA、7.5mA、8mA、9mA、10mA。

其中，经发明人研究发现，当将电子生成装置20的电流强度控制在6mA-6.8mA时，能实现将反应腔室11中自由电子的浓度提升到一个较为合适的数值，能大大提升薄膜沉积质量。

在一个具体实施例中，电子生成装置20发射电子的电流强度为6.4mA。如此，根据Q＝It＝6.4*10^-3C，N＝Q/E＝4*10^16个，大约每秒钟向反应腔室11内部释放4*10^16个电子。

需要说明的是，该“外壳21”可以为“机壳的一部分”，即“外壳21”与“机壳的其他部分”一体成型制造；也可以与“机壳的其他部分”可分离的一个独立的构件，即“外壳21”可以独立制造，再与“机壳的其他部分”组合成一个整体。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。