一种掩模版组件和蒸镀装置

技术领域

本申请属于显示装置制备技术领域，尤其涉及一种掩模版组件和蒸镀装置。

背景技术

在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板中，通常采用蒸镀工艺形成有机发光层。掩模版组件在蒸镀工艺中充当重要角色，掩膜版组件包括支撑掩膜板(F-Mask)和金属掩膜板(FMM)，在蒸镀过程中用来定义红绿蓝(RGB)子像素层，确保将材料蒸镀在规定位置。

在相关技术中，掩膜版组件在蒸镀前的张网过程中，金属掩膜板仅在第一方向被拉伸，在与第一方向相交叉的第二方向上容易产生局部翘曲和/或褶皱，蒸镀时掩膜版组件被吸附后，翘曲和褶皱的存在容易引起蒸镀位置的偏移，蒸镀后容易出现混色问题，影响衬底基板上蒸镀形成的膜层良率，进而影响显示面板的显示良率。尤其是针对尺寸较大的掩膜版组件，褶皱情况更加严重，严重的褶皱容易导致金属掩膜板出现折痕，导致掩膜版组件整体报废，产生一定的经济损失。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请旨在至少能够在一定程度上解决掩膜版组件在张网过程中容易产生褶皱，影响衬底基板上蒸镀形成的膜层良率和显示面板的显示良率的技术问题。为此，本申请提供了一种掩模版组件和蒸镀装置。

本申请实施例提供的一种掩模版组件，所述掩模版组件包括：

支撑掩膜板，所述支撑掩膜板包括中部为中空区的外框架、沿第一方向跨设于所述中空区且沿第二方向间隔地设置在所述外框架上的多个第一支撑板以及沿所述第二方向跨设于所述中空区且沿所述第一方向间隔设置在所述外框架上的多个第二支撑板，所述第一方向与所述第二方向交叉；和，

多个金属掩膜板，多个所述金属掩膜板沿所述第一方向跨设于所述中空区且沿所述第二方向并列设置在所述外框架上，所述金属掩膜板上开设有多个镂空的蒸镀区和环绕所述蒸镀区的非蒸镀区，所述金属掩膜板沿所述第一方向的两侧与所述外框架和/或所述第一支撑板相对应，所述非蒸镀区与所述外框架、所述第一支撑板以及所述第二支撑板中的至少一处相对应；

其中，至少所述第一支撑板上与所述金属掩膜板沿所述第一方向的两侧相对应的区域设有第一磁力吸附区，以将所述金属掩膜板吸附在所述第一支撑板上。

在一些实施方式中，所述外框架上与所述金属掩膜板沿所述第一方向的两侧相对应的区域设有所述第一磁力吸附区，以将所述金属掩膜板吸附在所述外框架上。

在一些实施方式中，至少所述第二支撑板上与所述非蒸镀区沿第二方向相对应的区域设有第二磁力吸附区，以将所述金属掩膜板吸附在所述第二支撑板上，所述第二磁力吸附区的磁力强度小于所述第一磁力吸附区的磁力强度。

在一些实施方式中，所述外框架上与所述非蒸镀区沿第二方向相对应的区域设有所述第二磁力吸附区，以将所述金属掩膜板吸附在所述外框架上。

在一些实施方式中，所述第二磁力吸附区的磁力强度由邻近所述蒸镀区向远离所述蒸镀区的方向扩大。

在一些实施方式中，所述外框架、所述第一支撑板以及所述第二支撑板中的至少一处与所述蒸镀区的边角相邻近的区域设有第三磁力吸附区，所述第三磁力吸附区的形状与所述蒸镀区的所述边角结构相匹配。

在一些实施方式中，所述第一磁力吸附区设有多个第一磁力吸附块，多个所述第一磁力吸附块阵列地排布或交错地排布在所述第一磁力吸附区；所述第二磁力吸附区设有多个第二磁力吸附块，多个所述第二磁力吸附块阵列地排布或交错地排布在所述第二磁力吸附区；所述第三磁力吸附区设有多个第三磁力吸附块，多个所述第三磁力吸附块呈扇形地排布在所述第三磁力吸附区。

在一些实施方式中，所述第一磁力吸附块、所述第二磁力吸附块以及所述第三磁力吸附块分别包括导磁结构材料。

在一些实施方式中，所述第一磁力吸附区、所述第二磁力吸附区以及所述第三磁力吸附区的面积与所述掩膜版组件的总面积正相关。

在一些实施方式中，所述外框架和/或所述第一支撑板上与所述第一磁力吸附区沿所述第一方向的两侧相对应的区域设有半刻区。

在一些实施方式中，所述支撑掩膜板的厚度为90μm～110μm，所述半刻区的厚度为50μm～60μm。

在一些实施方式中，所述半刻区为多格结构或为一格结构。

本申请实施例还提出了一种蒸镀装置，所述蒸镀装置包括蒸镀源、磁板以及上述的掩膜版组件，所述蒸镀源设置在所述掩膜版组件远离待蒸镀衬底基板的一侧，所述磁板设置在所述待蒸镀衬底基板远离所述掩膜版组件的一侧。

本申请实施例至少具有如下有益效果：

上述掩膜版组件，金属掩膜板沿第一方向跨设于外框架的中空区，故而在第一方向上，金属掩膜板的两端能够被外框架拉伸，金属掩膜板在第一方向能够被外框架拉伸张紧；外框架和/或第一支撑板上与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域设有第一磁力吸附区，也就是说，在第二方向上，金属掩膜板的两侧设有第一磁力吸附区，第一磁力吸附区能够在第二方向上对金属掩膜板产生吸附作用，从而在第二方向上将金属掩膜板拉伸张紧，以避免金属掩膜板在第二方向上产生褶皱；由于金属掩膜板在第二方向上已经被第一磁力吸附区拉伸张紧，在蒸镀时掩膜版组件被吸附后，金属掩膜板不会产生偏移，故而可以在一定程度上避免蒸镀位置的偏移，可以提高衬底基板上蒸镀形成的膜层良率，进而可以提高显示面板的显示良率。尤其是针对尺寸相对较大的掩膜版组件，通过第一磁力吸附区对金属掩膜板的吸附拉伸，可以避免金属掩膜板出现严重的褶皱或折痕，可以避免掩膜版组件整体的报废，避免产生相应的经济损失。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了相关技术中蒸镀装置的结构示意图；

图2示出了相关技术中掩膜版组件的结构示意图；

图3示出了本申请实施例中掩膜版组件的结构示意图；

图4示出了图3中A处的放大视图；

图5示出了本申请另一实施例中掩膜版组件的结构示意图；

图6示出了图5中B处的放大视图；

图7示出了图5中C处的放大视图。

相关技术中掩膜版组件的附图标记：

10、支撑掩膜板；11、外框架；12、第一支撑板；13、第二支撑板；20、金属掩膜板；1000、掩膜版组件；2000、蒸镀源；3000、磁板；4000、衬底基板；5000、冷却板；6000、不锈钢板；X、第一方向；Y、第二方向。

本申请实施例中掩膜版组件的附图标记：

100、支撑掩膜板；110、外框架；120、第一支撑板；130、第二支撑板；200、金属掩膜板；210、蒸镀区；220、非蒸镀区；300、第一磁力吸附区；400、第二磁力吸附区；500、第三磁力吸附区；600、半刻区；X、第一方向；Y、第二方向。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

下面结合附图并参考具体实施例描述本申请：

在蒸镀过程中，如图1所示，蒸镀装置被放置在具有真空环境的腔室内部，同时将蒸镀源置于掩膜版组件的下方，将衬底基板置于掩膜版组件的上方，使衬底基板与掩膜版组件中的金属掩膜板紧密贴合。通常，掩膜版组件和衬底基板会由于自身重力作用而发生下垂，两者间存在一定间隙(Gap)，因此在蒸镀时会在衬底基板的上方放置一块具有强磁性的磁板(高斯板)，通过磁力控制将掩膜版组件吸附起来，使掩膜版组件和衬底基板紧密贴合在一起，降低掩膜版组件与衬底基板之间的间隙，确保蒸镀位置准确性，提升蒸镀良率。此外，在衬底基板与高斯板之间还可以设有冷却板，在高斯板的上方还可以设有不锈钢板。

但是在相关技术中，如图2所示，掩膜版组件通常包括支撑掩膜板和金属掩膜板，其中支撑掩膜板包括外框架、多个第一支撑板以及多个第二支撑板，外框架的中部为中空区，多个第一支撑板和多个第二支撑板分别沿第一方向和第二方向交叉地跨设在外框架上，以在中空区形成支撑网；金属掩膜板沿第一方向跨设在外框架上，并通过支撑网进行支撑。掩膜版组件在蒸镀前的张网过程中，如图2所示，金属掩膜板仅在第一方向被拉伸，在与第一方向相交叉的第二方向上容易产生褶皱，蒸镀时掩膜版组件被吸附后，褶皱的存在容易引起蒸镀位置的偏移，导致蒸镀偏差出现混色问题，影响衬底基板蒸镀膜层的良率和显示面板的显示良率。尤其是在尺寸相对较大的掩膜版组件中，掩膜版组件被吸附后，金属掩膜板的褶皱问题更加严重，容易导致金属掩膜板出现折痕，严重影响衬底基板蒸镀膜层的良率和显示面板的显示良率，甚至导致掩膜版组件整体报废。

为了解决掩膜版组件在张网过程中容易产生褶皱，影响衬底基板上蒸镀形成的膜层良率和显示面板的显示良率的技术问题，本申请实施例提出了一种掩膜版组件，如图3至图7所示，本申请实施例提出的掩模版组件包括支撑掩膜板和多个金属掩膜板，支撑掩膜板包括中部为中空区的外框架、沿第一方向跨设于中空区且沿第二方向间隔地设置在外框架上的多个第一支撑板以及沿第二方向跨设于中空区且沿第一方向间隔设置在外框架上的多个第二支撑板，第一方向与第二方向交叉；多个金属掩膜板沿第一方向跨设于中空区且沿第二方向并列设置在外框架上，金属掩膜板上开设有多个镂空的蒸镀区和环绕蒸镀区的非蒸镀区，金属掩膜板沿第一方向的两侧与外框架和/或第一支撑板相对应非蒸镀区，非蒸镀区与外框架、第一支撑板以及第二支撑板中的至少一处相对应；其中，至少第一支撑板上与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域设有第一磁力吸附区，以将金属掩膜板吸附在第一支撑板上。

在一些实施例中，外框架的中空区边沿分别设有第一支撑板和第二支撑板，位于中空区边沿的第一支撑板可以设有第一磁力吸附区，以将金属掩膜板吸附在第一支撑板上。

作为一种可选实施方式，外框架的中空区边沿可以不设置第一支撑板和第二支撑板，外框架的中空区边沿通过外框架支撑金属掩膜板，故而在外框架上与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域设有第一磁力吸附区，以将金属掩膜板吸附在外框架上。

在本申请实施例提出的掩膜版组件中，如图3至图7所示，金属掩膜板沿第一方向跨设于外框架的中空区，故而在第一方向上，金属掩膜板的两端能够被外框架拉伸，金属掩膜板在第一方向能够被外框架拉伸张紧；外框架和/或第一支撑板上与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域设有第一磁力吸附区，也就是说，在第二方向上，金属掩膜板的两侧设有第一磁力吸附区，第一磁力吸附区能够在第二方向上对金属掩膜板产生吸附作用，从而在第二方向上将金属掩膜板拉伸张紧，以避免金属掩膜板在第二方向上产生褶皱；由于金属掩膜板在第二方向上已经被第一磁力吸附区拉伸张紧，最终使金属掩膜板在各个方向均能够得到拉伸张紧，在蒸镀时掩膜版组件被吸附后，金属掩膜板不会产生偏移，故而可以在一定程度上避免蒸镀位置的偏移，可以提高衬底基板上蒸镀形成的膜层良率，进而可以提高显示面板的显示良率。尤其是针对尺寸相对较大的掩膜版组件，通过第一磁力吸附区对金属掩膜板的吸附拉伸，可以避免金属掩膜板出现严重的褶皱或折痕，可以避免掩膜版组件整体的报废，避免产生相应的经济损失。

在一些实施例中，第一方向与第二方向交叉，也就是说第一方向与第二方向可以呈任意一种角度交叉。在本申请的以下实施例中，如图3至图7所示，以第一方向与第二方向相互垂直为例对本申请的掩膜版组件进行示例性说明。

在一些实施例中，如图3至图7所示，第一磁力吸附区在第一方向上邻近蒸镀区，以在第二方向对蒸镀区周围的非蒸镀区进行吸附固定。

在一些实施例中，如图3至图7所示，第一支撑板和第二支撑板还设置在外框架中控区的边沿部分，故而在中空区的中间部分，第一支撑板和第二支撑板交叉地支撑金属掩膜板，在中空区的边沿部分，第一支撑板和第二支撑板还支撑在金属掩膜板的边沿和端部。此时，第一磁力吸附区设置在第一支撑板上与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域。

在另外一些实施例中，第一支撑板和第二支撑板可以仅设置在外框架中空区的中间部分，在外框架的边沿部分，可以通过外框架自身对金属掩膜板进行支撑。此外，第一磁力吸附区除了设置在第一支撑板上与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域，还设置在外框架上与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域。

在一些实施例中，如图3至图7所示，金属掩膜板开设有多个镂空的蒸镀区，非蒸镀区环绕在蒸镀区的四周。在蒸镀时，蒸镀材料能够穿过蒸镀区，并在待蒸镀的衬底基板上形成与镂空的蒸镀区形状相同的膜层结构。非蒸镀区可以与第一支撑板、第二支撑板以及外边框上相对应的位置正投影重合，利用这些位置进行支撑以防止金属掩膜板变形褶皱；同时，在第一支撑板和/或外边框上设有沿第一方向延伸的第一磁力吸附区的部分，在第二方向上非蒸镀区可以被第一磁力吸附区吸附展平，故而在蒸镀时被磁板吸力吸附时，可以保持展平状态以避免产生褶皱。

在一些实施例中，金属掩膜板沿第一方向跨设于外框架的中空区，并且沿第二方向并列设置，故而在第一方向上，相邻的两个金属掩膜板之间具有沿第一方向延伸的拼接缝隙，第一支撑板沿第一方向支撑在相邻的两个金属掩膜板之间的拼接缝隙下，同时，设置在第一支撑板上的第一磁力吸附区沿金属掩膜板在第一方向上的两侧排布，并可以对金属掩膜板产生第二方向上的作用力。

在一些实施例中，如图4和图6所示，第一磁力吸附区的外轮廓形状不受限制，第一磁力吸附区的规格可以根据第一支撑板与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域的大小和所需要吸附作用力的大小进行调整。当与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域的相对较大时，或者，当金属掩膜板在第二方向上的宽度较大需要较大的磁力吸附作用力时，可以适当增加第一磁力吸附区在第二方向上的宽度，以增加第一磁力吸附区在第二方向上产生的作用力。与此相反，当与金属掩膜板沿第一方向的两侧相对应的区域的相对较小时，或者，当金属掩膜板在第二方向上的宽度较大需要较小的磁力吸附作用力时，可以适当减小第一磁力吸附区在第二方向上的宽度，以减小第一磁力吸附区在第二方向上产生的作用力。

作为一种可选实施方式，第一磁力吸附区设有多个第一磁力吸附块，多个第一磁力吸附块阵列地排布或交错地排布在第一磁力吸附区。

在一些实施例中，如图4所示，第一磁力吸附区包括多个第一磁力吸附块，多个第一磁力吸附块沿第一方向按照一列的方式排布在第一支撑板上的第一磁力吸附区上。

在另外一些实施例中，第一磁力吸附区包括多个第一磁力吸附块，多个第一磁力吸附块沿第一方向按照两列以上的方式整齐排布或交错地排布在第一支撑板上的第一磁力吸附区上。

在一些实施例中，第一磁力吸附块的形状不受限制。如图4所示，第一磁力吸附块可以呈矩形，多个第一磁力吸附块按照一定规律地排布在第一支撑板上的第一磁力吸附区，以形成具有一定外部轮廓的第一磁力吸附区。可选地，第一磁力吸附块在第一方向上的长度可以为5.0mm～10.0mm，在第二方向上的宽度可以为1.5mm～3.0mm。

在其他实施例中，第一磁力吸附块也可以是圆形等其他形状。

在一些实施例中，当第一磁力吸附区位于支撑掩膜板中空区的边沿位置时，仅需要对金属掩膜板在第一方向的一侧提供吸附作用，故而第一磁力吸附区在支撑掩膜板中空区的边沿位置时，第一磁力吸附区在第二方向上的宽度可以略小，即在支撑掩膜板中空区的边沿位置，第一磁力吸附区的磁力强度可以略小，在第二方向上的作用力可以略小；当第一磁力吸附区位于支撑掩膜板中空区的内部位置时，需要对金属掩膜板在第一方向的两侧提供吸附作用，故而第一磁力吸附区在支撑掩膜板中空区的内部位置时，第一磁力吸附区在第二方向上的宽度可以增大，即在支撑掩膜板中空区的内部位置，第一磁力吸附区的磁力强度可以略大，在第二方向上的作用力可以略大。在另外一些实施例中，也可以通过调整第一磁力吸附区的磁力材料的磁性强度来调整第一磁力吸附区在第二方向上的作用力大小。

作为一种可选实施方式，如图3至图7所示，至少第二支撑板上与非蒸镀区沿第二方向相对应的区域设有第二磁力吸附区，以将金属掩膜板吸附在第二支撑板上，第二磁力吸附区的磁力强度小于第一磁力吸附区的磁力强度。

作为一种可选实施方式，外框架上与非蒸镀区沿第二方向相对应的区域设有第二磁力吸附区，以将金属掩膜板吸附在外框架上。

在一些实施例中，如图3至图7所示，外框架和/或第二支撑板上与非蒸镀区沿第二方向相对应的区域设有第二磁力吸附区，第二磁力吸附区可以为金属掩膜板提供在第一方向的作用力，在第一方向上拉伸张紧金属掩膜板。同时，为了使金属掩膜板在各个方向受力均匀，鉴于金属掩膜板在第一方向已经受到一定的作用力，故而需要使第二磁力吸附区的磁力强度小于第一磁力吸附区的磁力强度。也就是说，第一磁力吸附区提供在第二方向上的作用力，第二磁力吸附区提供在第一方向上的作用力，通过使第一磁力吸附区的磁力强度大于第二磁力吸附区的磁力强度，可以使第一磁力吸附区提供的在第二方向上的作用力大于第二磁力吸附区提供的在第一方向上的作用力，使金属掩膜板在第二方向上的整体受到的磁力吸附作用力高于金属掩膜板在第一方向上的整体受到的磁力吸附作用力，从而使金属掩膜板在第一方向和第二方向上的均匀受力，使金属掩膜板受力均衡，避免金属掩膜板出现褶皱，以提高蒸镀良率和显示良率。

在一些实施例中，第二磁力吸附区的规格可以根据其设置位置的大小和所需要吸附作用力的大小进行调整。如图3至图7所示，第二磁力吸附区设置在第二支撑板与非蒸镀区在第二方向上相对应的区域，提供在第二方向上的吸附作用力。第二磁力吸附区的外轮廓形状不受限制，可以根据需要进行适应性地调整。

作为一种可选实施方式，第二磁力吸附区设有多个第二磁力吸附块，多个第二磁力吸附块阵列地排布或交错地排布在第二磁力吸附区。

在一些实施例中，如图4和图6所示，第二磁力吸附区包括多个第二磁力吸附块，多个第二磁力吸附块沿第二方向按照一列或多列的方式排布在第二支撑板上的第二磁力吸附区上。第二磁力吸附块即可以整齐地排布在第二支撑板上的第二磁力吸附区上，也可以交错地排布在第二支撑板上的第二磁力吸附区上，还可以呈一定规律地排布在第二支撑板上的第二磁力吸附区上。

在一些实施例中，第二磁力吸附块的形状不受限制。如图4和图6所示，第二磁力吸附块可以呈矩形，多个第二磁力吸附块按照一定规律地排布在第二支撑板上的第二磁力吸附区，以形成具有一定外部轮廓的第二磁力吸附区。可选地，第二磁力吸附块在第一方向上的宽度可以为1.5mm～3.0mm，在第二方向上的长度可以为5.0mm～10.0mm。

在其他实施例中，第二磁力吸附块也可以是圆形等其他形状。

作为一种可选实施方式，第二磁力吸附区的磁力强度由邻近蒸镀区向远离蒸镀区的方向扩大。

在一些实施例中，如图4和图6所示，第二磁力吸附区的磁力强度由邻近蒸镀区向远离蒸镀区的方向扩大，也就是说，第二磁力吸附区的磁力强度在第一方向上是梯度变化的，在邻近蒸镀区的第二磁力吸附区部分磁力强度可以大于远离蒸镀区的第二磁力吸附区部分的磁力强度，即非蒸镀区受到的第二磁力吸附区的在第一方向上的作用力，由邻近蒸镀区向远离蒸镀区的方向扩大，以使金属掩膜板受到的第一方向上的作用力，具有一定的梯度变化，以使金属掩膜板在第一方向上被拉伸展平的情况下，不会影响金属掩膜板在的人方向上受到的作用力，使金属掩膜板在的人方向上也可以顺利地被拉伸展平。

在一些实施例中，如图3和图4所示，可以使第二磁力吸附区由邻近蒸镀区向远离蒸镀区的方向分布面积逐渐扩大，使第二磁力吸附区的轮廓呈梯形结构，从而使第二磁力吸附区提供的作用力在第一方向上可以梯度变化。

作为一种可选实施方式，如图3至图7所示，外框架、第一支撑板以及第二支撑板中的至少一处与蒸镀区的边角相邻近的区域设有第三磁力吸附区，第三磁力吸附区的形状与蒸镀区的边角结构相匹配。

在一些实施例中，如图3至图7所示，外框架、第一支撑板以及第二支撑板中的至少一处与蒸镀区的边角相邻近的区域设有第三磁力吸附区，同时使第三磁力吸附区的形状与蒸镀区的边角结构相匹配，以通过第三磁力吸附区对蒸镀区的边角进行吸附固定，为蒸镀区的边角区域提供第一方向和第二方向上的作用力，避免蒸镀区的边角区与产生褶皱。在一些实施例中，如图3至图7所示，蒸镀区具有异形边角，针对这些区域，可以对应设有与其结构相匹配的第三磁力吸附区，第三磁力吸附区的轮廓不做限制，可以与蒸镀区的异形边角结构相匹配，呈一定规律排布在蒸镀区的异形边角对应的区域，以对蒸镀区的异形边角部分进行吸附拉伸，避免蒸镀区的异形边角部分由于受力不均出现褶皱现象。

在一些实施例中，如图4中左侧所示，当蒸镀区的边角具有一定的弧度时，可以使第三磁力吸附区沿蒸镀区的边角呈弧形地排布。如图4中右侧所示的，当第三磁力吸附区位于相邻的两个蒸镀区的边角之间时，可以使第三磁力吸附区具有两个弧形部分以分别与两个蒸镀区的边角相对应。

作为一种可选实施方式，第三磁力吸附区设有多个第三磁力吸附块，多个第三磁力吸附块呈扇形地排布在第三磁力吸附区。

在一些实施例中，如图6中左侧所示，当蒸镀区的边角具有一定的弧度时，可以使第三磁力吸附区设有多个弧形的第三磁力吸附块，多个弧形的第三磁力吸附块呈扇形地排布在第三磁力吸附区，以为蒸镀区的边角提供吸附作用力，在第一方向和第二方向拉伸蒸镀区的边角。同时，第三磁力吸附区提供的作用力可以由邻近蒸镀区的边角向远离蒸镀区的边角方向逐步增大，以为蒸镀区的边角提供梯度的作用力。

作为一种可选实施方式，第一磁力吸附区、第二磁力吸附区以及第三磁力吸附区的面积与掩膜版组件的总面积正相关。

在一些实施例中，第一磁力吸附区、第二磁力吸附区以及第三磁力吸附区的面积与掩膜版组件的总面积正相关。也就是说，当掩膜版组件的总面积较大时，用于较大尺寸的面板制备时，可以通过分别调整第一磁力吸附区、第二磁力吸附区以及第三磁力吸附区的面积，使第一磁力吸附区、第二磁力吸附区以及第三磁力吸附区的面积适当增大，从而提供更大的作用力。

在一些实施例中，为了增加第一磁力吸附区的磁性强度和作用力大小，可以增大第一磁力吸附区的面积，同时还可以增大第一磁力吸附块的面积。如图6和图7所示，可以使第一磁力吸附块在第一方向上的长度增加至15.0mm～20.0mm，第一磁力吸附块在第二方向上的宽度增加至5.0mm～7.0mm，以增加第一磁力吸附区为金属掩膜板提供的在第二方向上的作用力。

在一些实施例中，如图6和图7所示，为了增加第二磁力吸附区的磁性强度和作用力大小，可以增大第二磁力吸附区的面积，同时还可以增大第二磁力吸附块的面积。

在一些实施例中，如图6和图7所示，为了增加第三磁力吸附区的磁性强度和作用力大小，可以增大第三磁力吸附区的面积，同时还可以增加第三磁力吸附块的数量，使多个第三磁力吸附块呈扇形排列在蒸镀区的异形边角对应的区域。

在一些实施例中，在相近的蒸镀区之间增加如图7所示的对称性的第三磁力吸附区，如图7所示的第三磁力吸附区的磁性强度受其他磁力吸附区的影响，如图7所示的第三磁力吸附区的磁性强度比如图6所示的第三磁力吸附区的磁性强度，为了调整第三磁力吸附区的磁性强度，可通过调整磁力吸附区域面积或更换不同磁力强度材料实现。

在本申请实施例的掩膜版组件中，如图3至图7所示，通过在支撑掩膜板的不同位置设置不同规格的磁力吸附区，通过各磁力吸附区的结合，可在蒸镀过程中通过磁板吸附，在不同位置和不同规格的磁力吸附区的作用下，使金属掩膜板在各个方向上受力均衡，降低或消除金属掩膜板褶皱现象，可以使待蒸镀基板与掩膜版组件在消除褶皱的情况下紧密贴合，减少或避免出现蒸镀膜层混色不良，提高蒸镀良率和显示良率。

作为一种可选实施方式，第一磁力吸附块、第二磁力吸附块以及第三磁力吸附块分别包括导磁结构材料。

在一些实施例中，为导磁结构材料包括但不限于铁镍钴合金或铁钴软磁合金，典型的导磁结构材料有35Co-0.5Cr-Fe，49Co-2V-Fe，27Co-0.6Cr-Fe或Ni+Co含量约46％的Fe-Ni-Co合金等。

作为一种可选实施方式，外框架和/或第一支撑板上与第一磁力吸附区沿第一方向的两侧相对应的区域设有半刻区。

在一些实施例中，为了避免蒸镀区边缘处在蒸镀时产生较大的下垂，可以外框架和/或第一支撑板上与第一磁力吸附区沿第一方向的两侧相对应的区域设有半刻区，通过半刻区使外框架和/或第一支撑板的弹性形变增大，在蒸镀时可以更容易地被吸附贴近在待蒸镀的衬底基板上。

作为一种可选实施方式，支撑掩膜板的厚度为90μm～110μm，半刻区的厚度为50μm～60μm。

在一些实施例中，半刻区的厚度可以根据支撑掩膜板的厚度进行调整。在本申请的实施例中，支撑掩膜板的厚度可以为90μm～110μm，相应地半刻区的厚度为50μm～60μm，也就是说，在半刻区通过刻蚀减薄了30μm～60μm。

作为一种可选实施方式，半刻区为多格结构或为一格结构。

在一些实施例中，半刻区的形状可以根据设计需要进行调整，半刻区可以是连续的一格结构，还可以使间断排布的多个结构。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提出了一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括蒸镀源、磁板以及上述的掩膜版组件，蒸镀源设置在掩膜版组件远离待蒸镀衬底基板的一侧，磁板设置在待蒸镀衬底基板远离掩膜版组件的一侧。

因本发明提供的蒸镀装置包括了上述技术方案的掩膜版组件，因此本发明提供的蒸镀装置具备上述掩膜版组件的全部有益效果，在此不做赘述。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

另外，在本申请中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

尽管已经示出和描述了本申请的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。