La

技术领域

本发明属于发光材料技术领域，具体一种La

背景技术

硅基氮(氧)化物荧光粉因其具有结构特性多样化、发光效率高、热稳定性和化学稳定性好等优点,在白光LED领域有着广阔的应用前景。自20世纪末以来,多种基质结构的硅基氮(氧)化物荧光粉陆续被发现和报道。近年来硅基氮(氧)化物荧光粉的发光主要为调节发光性能为主要研究方向，相比于氧化物的基质材料，氮（氧）化物基质体系远远不足。并且目前已知的红色氮化物荧光材料，例如MAlSiN

发明内容

本发明要解决的技术问题在于提供一种La

解决上述技术问题所述的荧光粉用化学通式 La

本发明含一种宽谱橙黄光氮氧化物荧光粉的制备方法为：采用高温固相法，在充满氩气的手套箱中称取LaN（99.0%）或La

上述制备方法中，化学通式La

上述制备方法中，优选La

上述制备方法中，优选研磨时长为40min。

上述制备方法中，优选在1550℃下烧结8小时，烧结的升温速率为10℃/min。

本发明通过在La

附图说明

图1是实施例1制备的La

图2是实施例1制备的La

图3是实施例1制备的La

图4是实施例2 ~ 7制备的一种宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉的X射线衍射图。

图5是实施例2 ~ 7制备的一种宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉的系列浓度发射光谱图。

图6是实施4制备的一种宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉的激发和发射光谱图。

图7是实施4制备的一种宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉的量子效率图。

图8是实施例4制备的一种宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉在360 nm激发下的荧光寿命衰减曲线。

图9是实施例4制备的一种宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉在360 nm激发下的变温发射光谱图。

实施方式

下面结合图和实施例对本发明进一步详细说明，但本发明的保护范围不仅限于这些实施例。

实施例1

按照La

将实施例1所得La

实施例2

按照La

实施例3

按照La

实施例4

按照La

实施例5

按照La

实施例6

按照La

实施例7

按照La

将实施例2 ~ 7所得宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉进行XRD分析，参见图4。所得物质为单相且所有的衍射峰均与标准卡片相匹配，说明制备的荧光粉为纯相，且在保持晶体结构不变的情况下Eu成功地进入基质晶格中。

采用荧光光谱仪对实施例2 ~ 7所得宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉进行发光性能测试，参见图5。发射光谱图表明，在365 nm 波长激发下，发射光谱范围480 ~ 700 nm，随Eu掺杂浓度增大主发射峰从557 nm红移至568 nm，在Eu的掺杂浓度为x = 0.01时，荧光强度最大。

对实施例4制备的荧光粉进行激发和发射光谱测试，参见图6。激发光谱表明，该荧光粉可以有效吸收220 ~ 480 nm的近紫外光和蓝光，从而可以匹配近紫外LED芯片及蓝光LED芯片；在近紫外360 nm激发下可以发射500 ~ 700 nm的橙黄光，发射位于565 nm处的发射来源于Eu

实施例4制备的荧光粉，在360 nm波长近紫外光激发下，La

实施例4制备的荧光粉，在360 nm波长紫外光激发下，La

为实施例4所得宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉在360 nm激发下不同温度的发射光谱，参见图9。随着温度从298K逐渐增加到548 K，La

由于Sr和Eu的离子半径相近，在很多化合物中存在系列固溶体，且结构不会发生崩塌，所以在本发明中，不仅限于以上实例中的Eu掺杂比例，特此说明。