扫描电镜用LaB

技术领域

本发明涉及阴极器件领域，具体涉及一种扫描电镜用小尺寸、高性能LaB

背景技术

LaB

电子显微镜用的LaB

发明内容

技术问题

针对现有技术中存在的问题，本发明旨在提供一种具有小尺寸的LaB

技术方案

根据本发明的第一方面，提供了一种具有小尺寸的LaB

优选地，所述小尺寸的LaB

优选地，所述小尺寸的LaB

根据本发明的第二方面，提供了一种制备具有小尺寸的LaB

S1：制备LaB

S2：将LaB

S3：将直径为2～3mm的LaB

在一次区熔和二次区熔实际生长过程中，由于生长直径小，生长长度长，熔区的稳定性较差，为防止生长样品粗化、坍塌或断裂，因此需要适时调控气体流速、旋转速率、功率、上料棒喂棒速率和下料棒的生长速率，保证晶体稳定均匀生长。

优选地，所述LaB

S1-1：对纯度不低于99.9％的LaB

S1-2：将石墨模具放入放电等离子烧结炉炉腔内，抽真空至小于20Pa，然后施加30～50MPa的轴向压力，以10-100℃/min的升温速率进行烧结，烧结温度为1750～1900℃，保温时间3～10min，烧结结束后，样品随炉冷却至室温得到致密度85％～95％的LaB

优选地，在步骤S1-1中，对LaB

优选地，在步骤S2中，使用电火花线切割LaB

根据本发明的第三方面，提供了一种阴极材料，其包括根据本发明所述的LaB

阴极的参数性能为在1873K、外加电压为1kV、真空度为2.0×10

根据本发明的第四方面，提供了一种电子显微镜，其包括根据本发明所述的阴极材料。

优选地，所述电子显微镜为扫描电镜。

与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：

(1)采用光学区域熔炼技术提供了一种制备小尺寸LaB

(2)制备的小尺寸LaB

附图说明

图1为根据实施例1制备的直径1.6mm的LaB

图2为根据实施例1制备的直径1.6mm的LaB

图3为根据实施例1制备的直径1.6mm的LaB

图4为根据实施例1制备的中LaB

图5为根据实施例1制备的LaB

图6为对比例1制备的LaB

图7为对比例2制备的LaB

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。任何在不改变发明构思的前提下所进行的任何变形及改进，都属于本发明的保护范围。

实施例1

本实施例按以下步骤制备LaB

(1)对纯度不小于99.9％的LaB

(2)利用电火花线切割将获得的多晶样品切割得到若干直径3mm、长度30mm的多晶棒，将两根LaB

(3)将直径为2.4mm的LaB

本实施例所制备的LaB

图4的XRD图谱表明本实施例制备的样品没有杂质相，且只有(100)、(200)、(300)一组平行衍射峰。

图5的LaB

由上可知，本实施例获得了直径1.6mm、长度30mm且具有高热发射性能的LaB

实施例2

本实施例按以下步骤制备LaB

(1)对纯度不小于99.9％的LaB

(2)利用电火花线切割将获得的多晶样品切割得到若干直径3mm、长度30mm的多晶棒，将两根LaB

(3)将直径为2.2mm的LaB

实施例3

本实施例按以下步骤制备LaB

(1)对纯度不小于99.9％的LaB

(2)利用电火花线切割将获得的多晶样品切割得到若干直径3mm、长度30mm的多晶棒，将两根LaB

(3)将直径为2.7mm的LaB

对比例1

按以下步骤制备LaB

(1)对纯度不小于99.9％的LaB

(2)利用电火花线切割将获得的多晶样品切割得到若干直径2.4mm、长度30mm的多晶棒，将两根LaB

(3)将直径为2.0mm的LaB

对比例2

按以下步骤制备LaB

(1)对纯度不小于99.9％的LaB

(2)利用电火花线切割将获得的多晶样品切割得到若干直径3mm、长度30mm的多晶棒，将两根LaB

(3)将直径为2.4mm的LaB

以上仅为本发明的实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。