双折射晶体材料、制备方法以及光学器件

技术领域

本发明涉及光学材料技术领域，尤其涉及一种双折射晶体材料、制备方法以及光学器件。

背景技术

光学各向异性是指材料在不同方向上的不同光学特性，是线性和非线性光学器件的关键组成部分。当自然光入射到各向异性晶体上时，会产生两束折射光，这种现象被称为双折射，是光学各向异性的一种表现。双折射现象对宽光谱范围内的光操纵中起着至关重要的作用，因此双折射材料被广泛应用于光学元器件中。

在传统技术中，常见的双折射材料主要有方解石CaCO

近来，由例如氟磷酸根离子（PO

发明内容

基于此，有必要提供一种阴离子具有较高的极化各向异性的双折射晶体材料，进而使得该双折射晶体材料的双折射率得到提高。

根据本发明的一些实施例，提供了一种双折射晶体材料，所述双折射晶体材料中包括化学式为AX

在本申请的一些实施例中，在所述双折射晶体材料中，R选自氰基，A选自硼原子、磷原子或硫原子。

在本申请的一些实施例中，所述双折射晶体材料的阳离子选自铷离子、铵根离子、锂离子、钠离子、钾离子、铯离子、铜离子、银离子、镁离子、钙离子、锶离子、钡离子、锌离子、镉离子、汞离子和有机阳离子中的一种或多种。

在本申请的一些实施例中，所述双折射晶体材料的阴离子的化学式为BF

在本申请的一些实施例中，所述双折射晶体材料包括RbBF(CN)

在本申请的一些实施例中，所述双折射晶体材料的带隙在6.2eV以上，所述双折射晶体材料的紫外截止边在200nm以下。

在本申请的一些实施例中，所述双折射晶体材料的双折射率在0.183以上。

进一步地，本申请还提供了一种如上述任一实施例所述的双折射晶体材料的制备方法，其包括如下步骤：

将第一原料和第二原料混合反应，以形成含有所述双折射晶体材料的阴离子的前驱体，所述第一原料中含有A与X的化合物或所述第一原料中含有AX

对所述前驱体进行离子交换处理，以将所述前驱体中的阳离子替换为所需的阳离子。

在本申请的一些实施例中，所述第一原料选自四氟硼酸铵、四氟硼酸锂、四氟硼酸钠、四氟硼酸钾或四氟硼酸铷，所述第二原料选自氰基三甲基硅烷。

在本申请的一些实施例中，所述第一原料与所述第二原料的物质的量之比≤1。

在本申请的一些实施例中，在对所述前驱体进行离子交换处理的步骤之前，还包括：将所述前驱体溶解于水中，并对所述前驱体的水溶液依次进行冷冻干燥处理和氧化处理。

在本申请的一些实施例中，在对所述前驱体进行离子交换处理之后，还包括对所得产物进行清洗以及重结晶处理的步骤。

进一步地，本申请还提供了一种光学器件，所述光学器件包括如上述任意实施例所述的双折射晶体材料。

在本申请的一些实施例中，所述光学器件为格兰型棱镜、沃拉斯顿棱镜、偏振分束器、光隔离器或全固态激光器。

本申请的发明人在研究过程中注意到，传统作为各向异性结构构筑单元的阴离子中位于四面体构型的顶点的结构通常仅为单原子，构成σ基团。传统技术中通常仅通过改变作为顶点的原子类型，但无论选择何种顶点原子，其均可以视为σ基团。在本申请的双折射晶体材料中，包括化学式为AX

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1为三氰基氟硼酸铷的晶体结构示意图；

图2为实施例1、实施例5、实施例7和实施例8制备的晶体材料的XRD测试结果及拟合结果；

图3为实施例1制备的三氰基氟硼酸铷晶体在深紫外波段的透过率及最短截止边；

图4为采用浸润测试法测试实施例1制备的三氰基氟硼酸铷晶体的双折射率的结果示意图；

图5为三氰基氟硼酸铷晶体的双折射率的计算结果示意图。

具体实施方式

为了便于理解本文，下面将对本文进行更全面的描述。文中给出了本文的首选实施例。但是，本文可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本文的内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本文的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本文的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例，不是旨在于限制本文。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者也可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

本申请提供了一种双折射晶体材料，双折射晶体材料中包括化学式为AX

本申请的发明人在研究过程中注意到，传统作为各向异性结构构筑单元的阴离子中位于四面体构型的顶点的结构通常仅为单原子，构成σ基团。传统技术中通常仅通过改变作为顶点的原子类型，但无论选择何种顶点原子，其均可以视为σ基团。在本申请的双折射晶体材料中，包括化学式为AX

在该实施例中，A原子可以作为四面体构型的中心原子，这表示A原子位于该四面体构型的内部，且位于四个顶点的X原子和R基团围绕A原子设置。

可以理解，该双折射晶体材料中的阴离子携带有负电荷。在化学式AX

在该实施例的一些示例中，X选自卤族原子和氧族原子中的至少一种，例如，X可以选自氟原子、氯原子、溴原子、碘原子和氧原子中的一种或多种。

在该实施例的一些示例中，R选自内部含有π键的基团。例如，R可以是氰基。氰基中的碳原子和氮原子以碳氮三键相连接，呈线型结构，采用氰基作为R基团并占据四面体结构的部分顶点，能够使得增强该阴离子结构的畸变程度，并获得更高的极化各向异性。

在该实施例的一些示例中，A选自硼原子、磷原子或硫原子。其中，硼原子、磷原子或硫原子均能够作为四面体构型的中心原子，且形成较为稳定的四面体阴离子结构。可以理解，A也可以选自其他能够作为四面体构型的中心原子的原子。

在该实施例的一些示例中，A选自硼原子，X选自氟原子，R选自氰基，该双折射晶体材料的阴离子的化学式可以是BF

进一步地，该双折射晶体材料的阴离子的化学式可以是BF(CN)

在该实施例的一些示例中，双折射晶体材料的阳离子选自铷离子、铵根离子、锂离子、钠离子、钾离子、铯离子、铜离子、银离子、镁离子、钙离子、锶离子、钡离子、锌离子、镉离子、汞离子和有机阳离子中的一种或多种。可以理解，该双折射晶体材料中可以仅含有一种阳离子，也可以含有多种阳离子。进一步地，该双折射晶体材料中也可以含有其他的阴离子。当该双折射晶体材料中含有多种阴离子和/或多种阳离子时，阴离子与阳离子可以以共晶的形式组成该双折射晶体材料。

在该实施例中，双折射晶体材料可以是由上述阴离子和阳离子构成的盐。例如，双折射晶体材料可以选自氰基氟硼酸铵（NH

在该实施例的一些示例中，该双折射晶体材料中还可以包括与其中的盐相结合以形成结晶化合物的材料，例如四氢呋喃，四氢呋喃可以与氰基氟硼酸盐相结合并共同组成该双折射晶体材料。

在该实施例的一些示例中，该双折射晶体材料的带隙在6.2eV以上，并且其紫外截止边在200nm以下。进一步地，该双折射晶体材料的带隙可以是6.2eV~8eV。

在该实施例的一些示例中，双折射晶体材料的透光范围可以是185.3nm~10μm。

在该实施例的一些示例中，双折射晶体材料的双折射率可以在0.183以上。进一步地，双折射晶体材料的双折射率可以是0.183~0.29，例如，该双折射晶体材料在185.3nm~2000nm之间的双折射率是0.183~0.29。可以理解，在该实施例中，该双折射晶体材料对于波长为185.3nm的电磁波的双折射率可以是0.29，该双折射晶体材料对于波长为2000nm的电磁波的双折射率可以是0.183。

在该实施例中，该双折射晶体材料对于波长为589.3nm的光线的双折射率为可以在0.185以上。例如，双折射晶体材料对于波长为589.3nm的光线的双折射率可以是0.185、0.19、0.195、0.2，或者，其双折射率也可以是上述任意两数值之间的范围。

在该实施例的一些示例中，双折射晶体材料包括RbBF(CN)

在该实施例的一些示例中，RbBF(CN)

在该实施例中，根据实测，RbBF(CN)

在该实施例的一些示例中，该双折射晶体材料的热稳定温度≥260℃，即该双折射晶体材料在低于260℃时不发生变性或分解。

进一步地，本申请还提供了一种上述双折射晶体材料的制备方法，其包括如下步骤S1~步骤S3。

步骤S1，将第一原料和第二原料混合反应，以形成前驱体。

在该实施例中，第一原料中含有A与X的化合物或第一原料中含有阴离子AX

以待制备的双折射晶体材料为RbBF(CN)

BF

BF

BF

BF

BF(CN)

其中，最终形成的产物KBF(CN)

以待制备的双折射晶体材料为RbBF(CN)

在一些示例中，第一原料可以选自四氟硼酸铵（NH

在该实施例的一些示例中，第一原料与第二原料的物质的量之比≤1，以提供较多的氰基，并提高第一原料中氟原子被氰基取代的比例和速率。进一步地，第一原料与第二原料的物质的量之比可以是1:（1~10）。例如，第一原料与第二原料的物质的量之比为1:1、1:2、1:3、1:4、1:5、1:6、1:7、1:8、1:10，或者，第一原料与第二原料的物质的量之比也可以在上述任意两物质的量之比之间的范围内。

在该实施例的一些示例中，可以通过溶液法或回流法以使得第一原料和第二原料反应。其中，溶液法指的是将第一原料和第二原料在溶剂中混合并形成溶液后静置以进行反应，回流法指的是将第一原料和第二原料置于回流装置中进行反应。

在该实施例的一些示例中，在将第一原料和第二原料混合反应的步骤中，控制反应温度为20℃~150℃。例如，可以控制反应温度为20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、100℃、120℃、150℃，或者，也可以控制反应温度在上述任意两温度之间的范围。

在该实施例的一些示例中，在将第一原料和第二原料混合反应的步骤中，控制反应时间≥1h。进一步地，可以控制反应时间为1h~30天。例如，可以控制反应时间为1h、1天、3天、5天、7天、10天、15天、20天、25天、30天，或者，也可以控制反应时间在上述任意两反应时间的范围内。

步骤S2，对前驱体进行离子交换处理，以将前驱体中的阳离子替换为所需的阳离子。

在该实施例中，前驱体中含有所需的双折射晶体材料中的阴离子，因此离子交换处理用于替换前驱体中的阳离子，以使得已经形成的阴离子与所需的阳离子结合并形成相应的双折射晶体材料。

可以理解，在将第一原料和第二原料混合反应的步骤中，除生成前驱体之外，还会形成副产物，副产物的存在不仅会影响后续进行的离子交换处理，还会影响后续的结晶过程。

在该实施例的一些示例中，在对前驱体进行离子交换处理的步骤之前，还包括：将前驱体溶解于水中，并对前驱体的水溶液依次进行真空干燥处理和氧化处理。其中，将前驱体溶解于水中的作用是使副产物发生水解，真空干燥和氧化处理的作用则是去除前驱体中的副产物和/或副产物的水解产物。

在该实施例的一些示例中，在进行真空干燥处理的步骤中，控制干燥温度为-100℃~70℃。例如，可以控制干燥温度为-100℃、-80℃、-60℃、-40℃、-20℃、0℃、20℃、40℃、50℃、70℃，或者，也可以控制干燥温度在上述任意两温度之间的范围。较为优选地，可以控制干燥温度为-100℃~0℃，即进行冷冻干燥处理。相较于常温或升温处理，采用冷冻干燥处理能够更为有效地去除副产物和有害物质，并提高目标产物的产率。

在该实施例的一些示例中，在进行真空干燥处理的步骤中，可以控制干燥时间为30min~1200min。例如，可以控制干燥时间为30min、60min、120min、180min、240min、300min、600min、900min、1200min，或者，也可以控制干燥时间在上述任意两干燥时间之间的范围。

在该实施例的一些示例中，在进行氧化处理的步骤中，氧化剂选自臭氧、过氧化氢和一氧化二氮中的一种或多种。

在该实施例的一些示例中，采用离子交换树脂或离子交换膜对前驱体进行离子交换处理。

在该实施例的一些示例中，在进行离子交换处理的过程中，可以采用含有所需阳离子的盐或碱与前驱体进行离子交换。其中含有所需阳离子的盐可以选自碳酸盐、硝酸盐、硅酸盐、氯化物、磷酸盐、硼酸盐、硫酸盐、硒酸盐、亚硒酸盐、偏磷酸盐、亚磷酸盐和焦磷酸盐中的一种或多种。含有所需阳离子的碱可以是氢氧化物。

例如，如果待制备的双折射晶体材料中的阳离子为铷离子，则可以采用碳酸铷、硝酸铷、硅酸铷、氯化铷、磷酸铷、硼酸铷、硫酸铷、硒酸铷、亚硒酸铷、偏磷酸铷、亚磷酸铷、焦磷酸铷和氢氧化铷中的一种或多种。

可以理解，在进行离子交换处理之后，能够得到含有杂质的目标盐化合物，该目标盐化合物可以作为双折射晶体材料的原料，其经过重结晶能够形成所需的双折射晶体材料。

步骤S3，对所得产物进行清洗以及重结晶处理。

在该实施例的一些示例中，对所得产物进行清洗的步骤可以包括：采用清洗剂对所得产物进行冲洗，其作用是去除所得产物中的部分杂质，提高后续重结晶所得的晶体纯度。

在该实施例的一些示例中，在对所得产物进行清洗的步骤中，清洗剂选自甲醇、乙醇、石油醚、二氯甲烷、二氯乙烷，二氯丙烷、三氯乙烷、乙酸乙酯、氯仿和乙腈中的一种或多种。

在该实施例的一些示例中，在对所得产物进行重结晶处理的步骤中，重结晶溶剂选自甲醇、乙醇、乙腈、去离子水、四氢呋喃和二硫化碳中的一种或多种。

在该实施例的一些示例中，对所得产物进行重结晶处理的步骤包括：使重结晶溶剂挥发，以获得所需的双折射晶体材料。在使重结晶溶剂挥发的步骤中，可以控制温度为低温或室温，也可以对重结晶溶剂进行加热处理，还可以在重结晶溶剂中加入干燥剂。

其中，在使重结晶溶剂挥发的步骤中，可以控制重结晶溶剂的温度为-8℃~100℃。例如，可以控制重结晶的温度为-8℃、-3℃、0℃、5℃、10℃、15℃、18℃、20℃、23℃、25℃、30℃、40℃、55℃、60℃、80℃、100℃，或者，也可以控制重结晶的温度在上述任意两温度之间的范围。

可以理解，在使重结晶溶剂挥发的步骤中，随着重结晶溶剂的逐渐挥发，双折射晶体材料也随之结晶生长，并逐渐生长为所需的双折射晶体。

在该实施例的一些示例中，在对所得产物进行重结晶处理的步骤中，还包括在重结晶溶剂中加入干燥剂并使重结晶溶剂挥发的步骤。

在该实施例的一些示例中，干燥剂可以选自无水硫酸钠、无水硫酸镁或硅胶中的一种或多种，干燥剂能够吸附重结晶溶剂中的水分，避免溶剂或空气中的水分对于结晶过程的影响。

在该实施例的一些示例中，重结晶的时长可以是3天~230天。例如，重结晶的时长可以是3天、5天、10天、20天、30天、50天、80天、100天、150天、180天、200天、230天，或者，重结晶的时长也可以在上述任意两时长之间的范围内。控制重结晶的时长在3天以上有利于形成晶型较好的单晶材料。

可以理解，通过步骤S1~步骤S3，能够制备得到本申请提供的双折射晶体材料。

为了便于理解本申请的双折射晶体材料的具体制备方式以及优点，本申请还提供了如下的实施例。通过如下实施例的描述，本申请的双折射晶体材料的制备过程和优点都将更为显而易见。

实施例1

采用四氟硼酸锂作为第一原料，采用氰基三甲基硅烷作为第二原料，将1mmol第一原料和2mmol第二原料置于回流装置中反应30天，得到前驱体。

将前驱体溶解在水中，完全溶解后置于真空干燥箱中进行真空干燥处理，干燥温度为25℃，干燥时间为2h，再加入过氧化氢除去有害物质。

采用氢氧化铷固体作为阳离子源，并通过离子交换法替换前驱体中的阳离子，形成含有杂质的目标化合物，目标化合物为三氰基氟硼酸铷。

采用乙腈清洗目标化合物，干燥后得到纯净的三氰基氟硼酸铷，将其溶解于乙醇中，常温静置180天使其重结晶，得到三氰基氟硼酸铷晶体。

实施例2

采用四氟硼酸钾作为第一原料，采用氰基三甲基硅烷作为第二原料，将1mmol第一原料和5mmol第二原料置于回流装置中反应15天，得到前驱体。

将前驱体溶解在水中，完全溶解后置于真空干燥箱中进行真空干燥处理，干燥温度为25℃，干燥时间为1h，再加入过氧化氢除去有害物质。

采用氢氧化铷水合物作为阳离子源，并通过离子交换法替换前驱体中的阳离子，形成含有杂质的目标化合物，目标化合物为三氰基氟硼酸铷。

采用乙腈清洗目标化合物，干燥后得到纯净的三氰基氟硼酸铷，将其溶解于乙醇中，常温静置180天使其重结晶，得到三氰基氟硼酸铷晶体。

实施例3

采用四氟硼酸锂作为第一原料，采用氰基三甲基硅烷作为第二原料，将1mmol第一原料和2mmol第二原料置于烧杯中反应30天，得到前驱体。

将前驱体溶解在水中，完全溶解后置于真空干燥箱中进行冷冻干燥处理，干燥温度为0℃，干燥时间为2h，再加入过氧化氢除去有害物质。

采用氢氧化铷水溶液作为阳离子源，并通过离子交换法替换前驱体中的阳离子，形成含有杂质的目标化合物，目标化合物为三氰基氟硼酸铷。

采用三氯乙烷清洗目标化合物，干燥后得到纯净的三氰基氟硼酸铷，将其溶解于甲醇中，常温静置30天使其重结晶，得到三氰基氟硼酸铷晶体。

实施例4

将三氟化硼乙醚和氰化钾在低温下进行反应，控制反应时长为1.5h，反应后用四氢呋喃清洗去除其中的乙醚，得到前驱体。

采用碳酸铷作为阳离子源，并通过离子交换树脂对前驱体进行离子交换处理，替换前驱体中的阳离子，形成含有杂质的目标化合物，目标化合物为氰基氟硼酸铷。

采用乙腈清洗目标化合物，干燥后得到纯净的氰基氟硼酸铷，将其溶解于乙醇中，常温静置180天使其重结晶，得到氰基氟硼酸铷晶体。

实施例5

采用四氟硼酸锂作为第一原料，采用氰基三甲基硅烷作为第二原料，将1mmol第一原料和5mmol第二原料置于回流装置中反应20天，得到前驱体。

将前驱体溶解在水中，完全溶解后置于真空干燥箱中进行冷冻干燥处理，干燥温度为0℃，干燥时间为3h，再加入过氧化氢除去有害物质。

采用氢氧化钠作为阳离子源，并通过离子交换法替换前驱体中的阳离子，形成含有杂质的目标化合物，目标化合物为三氰基氟硼酸钠。

采用二氯乙烷和乙腈清洗目标化合物，干燥后得到纯净的氰基氟硼酸铷，将其溶解于乙醇中，常温静置45天使其重结晶，得到三氰基氟硼酸钠晶体。

实施例6

采用四氟硼酸锂作为第一原料，采用氰基三甲基硅烷作为第二原料，将1mmol第一原料和4mmol第二原料置于回流装置中反应1天，得到前驱体。

将前驱体溶解在水中，完全溶解后置于真空干燥箱中进行真空干燥处理，干燥温度为35℃，干燥时间为6h，再加入过氧化氢除去有害物质。

采用氢氧化钠作为阳离子源，并通过离子交换法替换前驱体中的阳离子，形成含有杂质的目标化合物，目标化合物为二氰基氟硼酸钠。

采用二氯乙烷和乙腈清洗目标化合物，干燥后得到纯净的氰基氟硼酸钠，将其溶解于乙醇中，常温静置60天使其重结晶，得到二氰基氟硼酸钠晶体。

实施例7

采用四氟硼酸钾作为第一原料，采用氰基三甲基硅烷作为第二原料，将1mmol第一原料和3mmol第二原料置于回流装置中反应20天，得到前驱体。

将前驱体溶解在水中，完全溶解后置于真空干燥箱中进行真空干燥处理，干燥温度为25℃，干燥时间为2h，再加入过氧化氢除去有害物质。

采用氢氧化钾作为阳离子源，并通过离子交换法替换前驱体中的阳离子，形成含有杂质的目标化合物，目标化合物为三氰基氟硼酸钾。

采用二氯乙烷和乙腈清洗目标化合物，干燥后得到纯净的三氰基氟硼酸钾，将其溶解于乙醇中，常温静置60天使其重结晶，得到三氰基氟硼酸钾晶体。

实施例8

将实施例7中制备得到的三氰基氟硼酸钾进一步采取阳离子交换法，得到三氰基氟硼酸铵。

试验1：取实施例1、实施例5、实施例7和实施例8制备的晶体材料，采用XRD衍射仪进行测试，粉末衍射图及相应的拟合结果可见于图2。

图2中的（a）图对应于实施例1制备的晶体材料，（b）图对应于实施例5制备的晶体材料，（c）图对应于实施例7制备的晶体材料，（d）图对应于实施例8对应的晶体材料，其中位于上方的红线表示实施例1、实施例5、实施例7和实施例8制备的晶体的XRD实测谱线，相应的黑线则表示三氰基氟硼酸铷晶体、三氰基氟硼酸钠晶体、三氰基氟硼酸钾晶体及三氰基氟硼酸铵晶体的拟合结果。参照图2所示，红线与黑线的峰位基本重合且各峰的相对强度也基本相同，说明实施例1、实施例5、实施例7和实施例8制备得到了纯净的三氰基氟硼酸铷晶体、三氰基氟硼酸钠晶体、三氰基氟硼酸钾晶体及三氰基氟硼酸铵晶体。

试验2：取实施例1制备的三氰基氟硼酸铷晶体，测试其在紫外波段的透过率，结果可见于图3。

参照图3所示，低于200nm的深紫外波段的电磁波仍然能够透过该氰基氟硼酸铷晶体，并且该氰基氟硼酸铷的紫外截止边低至185.3nm，说明其可以用作深紫外波段的双折射晶体。另外，根据紫外截止边换算得到，三氰基氟硼酸铷的带隙为6.7eV，与理论计算符合地较为准确。

试验3：取实施例1制备的三氰基氟硼酸铷晶体，采用浸润测试法测试其双折射率，测得其对589.3nm波长的黄光折射率，测试结果可见于图4。

参照图4所示，在旋转三氰基氟硼酸铷晶体并测试折射率时，测得其最小折射率为1.385，最大折射率为1.570，双折射率为0.185。图5为三氰基氟硼酸铷的双折射率的计算曲线图，参照图5所示，三氰基氟硼酸铷在589.3nm处的双折射率约为0.185，与测试结果相符合。并且，参照图5所示，三氰基氟硼酸铷在紫外截止边（185.3nm）处的双折射率达到了0.29，说明其在深紫外波段具有显著较好的应用前景。

与之相对的是，仅含有σ基团的单氟磷酸钠铵（(NH

请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本文的限制。

应该理解的是，除非本文中有明确的说明，步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，制备过程中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，也可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。