一种Au/D-MoS2上转换发光增强材料的应用、应用方法及制备方法
文献发布时间:2024-04-18 19:58:21
技术领域
本发明属于光电功能材料技术领域,具体涉及一种Au/D-MoS
背景技术
上转换发光由于具有卓越的光稳定性、非光漂白和光闪烁、大的反斯托克斯位移等优势,在生物成像、防伪存储等广泛的领域展现了巨大的应用潜力。由于Ln稀土离子的4f-4f跃迁具有宇称禁阻跃迁属性和稀土离子的吸收截面小,稀土离子的发光效率通常比较低。因此,许多的研究都在关注如何提高上转换发光的效率。研究表明,以等离子体局域场为代表的外场调控在上转换增强方面具有调控方便、效果显著的优势,但是增强的上转换发光绝对强度仍然不足以达到实际应用的需求。因此,开发一种新的材料来增强上转换发光的绝对强度和效率。
发明内容
针对上述现有技术的缺点,本发明提出一种Au/D-MoS
一种Au/D-MoS
作为本发明的优选实施方案,所述Au/D-MoS
一种Au/D-MoS
作为本发明的优选实施方案,所述Au/D-MoS
所述NaYF
作为本发明的优选实施方案,所述应用方法具体包括:
S1:将Au/D-MoS
S2:将上转换发光材料旋涂在S1中含有Au/D-MoS
作为本发明的优选实施方案,所述Au/D-MoS
作为本发明的优选实施方案,所述上转换发光材料溶于环己烷中得到上转换发光材料溶液,然后在上转换发光材料溶液添加乙醇后在旋涂在S1中含有Au/D-MoS
作为本发明的优选实施方案,所述上转换发光材料溶液中上转换发光材料的浓度为100mM。
作为本发明的优选实施方案,50ul、100mM的NaYF
一种Au/D-MoS
(1)将钼酸钠、硫脲溶解在水中,然后进行水热反应,洗涤、离心分离、干燥得到D-MoS
(2)将D-MoS
作为本发明的优选实施方案,所述水热反应的温度为210℃,时间为36小时。
作为本发明的优选实施方案,水热反应釜的填充度为60%。
作为本发明的优选实施方案,所述步骤(2)中,硫化钼与HAuCl
作为本发明的优选实施方案,所述步骤(2)中,HAuCl
作为本发明的优选实施方案,所述步骤(2)中,近红外光为980nm的激光。
本发明的原理:
一方面,本发明通过调控Mo和S的化学计量比,采用水热反应制备富含缺陷的MoS
另一方面,利用光还原的方法将Au生长在D-MoS
基于以上原理,在980nm光激发下,NaYF
与现有技术相比,本发明的有益效果为:本发明提出利用贵金属Au/富含硫缺陷的MoS
附图说明
图1为本发明实施例1所制备的D-MoS
图2为本发明实施例1所制备的Au/D-MoS
图3为本发明实施例1所制备的Au/D-MoS
图4为本发明实施例1所制备的D-MoS
图5为本发明实施例1和对比例1、2、4所制备的材料对上转换材料发光增强在980nm光激发下的发光光谱图,图中,NaYF
具体实施方式
为更好地说明本发明的目的、技术方案和优点,下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
一种Au/D-MoS
(1)将钼酸钠、硫脲按照摩尔比为1:2溶解在60mL水中搅拌15min,然后转移到100mL反应釜中在210℃下水热反应36小时,结束后冷却至室温,用无水乙醇洗涤多次、离心分离、在60℃下真空干燥10小时得到D-MoS
(2)将0.2gD-MoS
由图1可知,Au/D-MoS
一种Au/D-MoS
S1:将50mgAu/D-MoS
S2:将NaYF
S3:将S3得到的分散液旋涂在S1中含有Au/D-MoS
S4:然后在980nm激光激发下的发光光谱结果见图5。
对比例1
一种D-MoS
将钼酸钠、硫脲按照摩尔比为1:2溶解在60mL水中搅拌15min,然后转移到100mL反应釜中在210℃下水热反应36小时,结束后冷却至室温,用无水乙醇洗涤多次、离心分离、在60℃下真空干燥10小时得到D-MoS
将D-MoS
S1:将50mgD-MoS
S2:将NaYF
S3:将S3得到的分散液旋涂在S1中含有D-MoS
S4:然后在980nm激光激发下的发光光谱结果见图5。
对比例2
一种Au材料的制备方法,包括如下步骤:在50mL水中加入的50ul、50mmol/L的HAuCl
将Au材料应用在增强NaYF
S1:将上述得到的Au材料旋涂在玻璃片上;
S2:将NaYF
S3:将S3得到的分散液旋涂在S1中含有Au材料的玻璃片上;
S4:然后在980nm激光激发下的发光光谱结果见图5。
对比例3
一种Au/MoS
(1)将钼酸钠、硫脲按照摩尔比为1:4溶解在60mL水中搅拌15min,然后转移到100mL反应釜中在210℃下水热反应36小时,结束后冷却至室温,用无水乙醇洗涤多次、离心分离、在60℃下真空干燥10小时得到MoS
(2)将0.2gMoS
将Au/MoS
S1:将50mgAu/MoS
S2:将NaYF
S3:将S3得到的分散液旋涂在S1中含有Au/MoS
S4:然后测试在980nm激光激发下的发光光谱。
对比例3所制备的Au/MoS
对比例4
将NaYF
根据图5可知,相比于对比例1、2和4,实施例1所制备的Au/D-MoS
最后所应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
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