显示面板制造方法和设备

技术领域

本公开涉及显示面板制造方法和设备，并且更具体地涉及包括激光图案化工艺的显示面板制造方法和包括激光模块的显示面板制造设备。

背景技术

显示装置包括多个像素以及用于控制多个像素的驱动电路(例如，扫描驱动电路或数据驱动电路)。多个像素中的每个包括显示元件以及被配置成控制显示元件的像素驱动电路。像素驱动电路可以包括在组织上彼此连接的多个晶体管。

像素驱动电路可以通过多个沉积工艺和多个光刻工艺来提供。

发明内容

本公开提供了可以校正光刻工艺中的误差的显示面板制造方法。

本公开还提供了用于显示面板制造方法的显示面板制造设备。

本发明构思的实施方式提供了显示面板制造方法，包括：检测底层的加工目标区域；移除布置在底层上的顶层的与加工目标区域重叠的区域；移除布置在底层上的绝缘层的与加工目标区域重叠的区域；向底层的加工目标区域发射激光束，以从加工目标区域形成底部图案；在绝缘层的移除区域中形成绝缘图案；以及在顶层的移除区域中形成补偿图案，其中底层包括半导体材料或导电材料，并且顶层包括导电材料。

在实施方式中，底层可以包括半导体材料，底部图案可以包括晶体管的沟道区域，并且补偿图案可以包括晶体管的控制电极。

在实施方式中，底部图案可以在平面视图中具有弯曲形状。

在实施方式中，绝缘图案可以具有与绝缘层的厚度实质相同的厚度。

在实施方式中，绝缘图案可以包括与绝缘层的材料实质相同的材料。

在实施方式中，补偿图案可以包括具有比顶层的电导率高的电导率的材料。

在实施方式中，补偿图案可以构成扫描线的一部分。

在实施方式中，扫描线的线宽可以为大约3μm或更小。

在实施方式中，绝缘图案的形成可以包括：向绝缘层的移除区域提供绝缘墨水(ink)；以及固化绝缘墨水。

在实施方式中，绝缘墨水可以从电流体动力学(EHD)绝缘墨水喷嘴被提供。

在实施方式中，EHD绝缘墨水喷嘴可以与绝缘层间隔开大约5μm或更大。

在实施方式中，绝缘墨水可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅。

在实施方式中，补偿图案的形成可以包括：向顶层的移除区域提供金属墨水；以及固化金属墨水。

在实施方式中，金属墨水可以从EHD金属墨水喷嘴来提供。

在实施方式中，EHD金属墨水喷嘴可以与顶层间隔开大约5μm或更大。

在实施方式中，金属墨水可以包括银。

在本发明构思的实施方式中，显示面板制造设备包括：主体部分；结合到主体部分的相机模块；结合到主体部分的激光模块；结合到主体部分的固化模块；被配置成提供绝缘墨水的EHD绝缘墨水喷嘴；以及被配置成提供金属墨水的EHD金属墨水喷嘴，其中EHD绝缘墨水喷嘴结合到主体部分，以便相对于工作衬底以大约30°至大约60°的角度倾斜，并且其中EHD金属墨水喷嘴结合到主体部分，以便相对于工作衬底以大约30°至大约60°的角度倾斜。

在实施方式中，相对于工作衬底，EHD绝缘墨水喷嘴的斜率可以与EHD金属墨水喷嘴的斜率实质相同。

在实施方式中，当在工作衬底上观察时，固化模块可以被布置在EHD绝缘墨水喷嘴与EHD金属墨水喷嘴之间。

在实施方式中，显示面板制造设备还可以包括：在第一方向上可移动的台架(gantry)，其中主体部分结合到台架，以便在与第一方向正交的第二方向上可移动。

附图说明

包含有附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图图示了本发明构思的实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：

图1是根据本发明构思的实施方式的显示面板的透视图；

图2是根据本发明构思的实施方式的像素的等效电路图；

图3是根据本发明构思的实施方式的与显示面板的像素相对应的剖视图；

图4是根据本发明构思的实施方式的像素的平面视图；

图5A和图5B是根据本发明构思的实施方式的根据包含在像素中的图案的层叠顺序的平面视图；

图5C是包括加工目标区域的底层的平面视图；

图6是根据本发明构思的实施方式的制造设备的平面视图；

图7A至图7C示出了根据本发明构思的实施方式的制造设备的头部组件；并且

图8A至图8J示出了根据本发明构思的实施方式的显示面板制造方法。

具体实施方式

将理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它能够直接在另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在居间元件。

附图中相同的附图标记指代相同的元件。另外，在附图中，为了有效地描述技术内容，夸大了元件的厚度和比例以及尺寸。术语“和/或”包括相关联的项目中的一个或多个的任意和全部组合。

诸如“第一”、“第二”等术语可以用于描述各个部件，但这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一部件可以被称为第二部件，或者类似地，第二部件可以被称为第一部件。除非上下文有明确的指示，否则单数表达包括复数表达。

另外，诸如“之下”、“下面的”、“上”和“上面的”等术语用于说明附图中图示的项目的关联。术语用作相对概念，并且参考附图中指示的方向来描述。

应理解，术语“包括”或“具有”旨在指定本公开中陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的存在或附加。

除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例实施方式所属的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同含义。另外，将进一步理解，诸如在常用字典中定义的那些的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。

在下文中，将参考附图描述本发明构思的实施方式。

图1是根据本发明构思的实施方式的显示面板DP的透视图。

参考图1，显示面板DP可以是响应于电信号而被激活的装置。显示面板DP可以用在诸如监视器、笔记本计算机或移动电话的小型或中型电子装置以及诸如电视的大型电子装置中。

显示面板DP可以通过与由彼此正交的第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的显示表面IS来显示图像。在实施方式中，基于作为显示表面IS的法线方向的第三方向DR3，限定了每个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此面对。

显示表面IS可以包括其中显示图像的显示区域DA和其中不显示图像的非显示区域NDA。像素PX被布置在显示区域DA中，并且像素PX不被布置在非显示区NDA中。

图2是根据本发明构思的实施方式的像素PX的等效电路图。

像素PX可以包括发光元件LD和像素电路CC。像素电路CC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和电容器CP。像素电路CC响应于数据信号来控制流过发光元件LD的电流量。发光元件LD可以响应于从像素电路CC提供的电流量以规定亮度发射光。

第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个可以包括源极、漏极、沟道和栅极。源极、漏极和沟道可以分别在半导体图案中的不同区中被实现。在实施方式中，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个被描述为P型晶体管。然而，本实施方式并不限于此，并且第一晶体管T1至第七晶体管T7中的一些可以是N型晶体管。P型晶体管的源极和漏极可以分别与N型晶体管的漏极和源极相对应。

第一晶体管T1的源极经由第五晶体管T5电连接到第一电压线VL1，并且第一晶体管T1的漏极经由第六晶体管T6电连接到发光元件LD的阳极。第一晶体管T1可以被称为驱动晶体管。第一晶体管T1响应于施加到栅极的电压来控制流过发光元件LD的电流量。第一晶体管T1的栅极可以被描述为参考节点ND。

第二晶体管T2电连接在数据线DL与第一晶体管T1之间。另外，第二晶体管T2的栅极电连接到第i扫描线SLi。第二晶体管T2可以被称为开关晶体管。

第三晶体管T3(T3-1、T3-2)电连接在第一晶体管T1的栅极与漏极之间。在实施方式中，两个示例第三晶体管T3-1、T3-2被示出为串联连接。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且n(其中n为1或更大的自然数)个第三晶体管可以串联连接在第一晶体管T1的栅极与漏极之间。第三晶体管T3-1、T3-2中的每个的栅极电连接到第i扫描线SLi。

第四晶体管T4(T4-1、T4-2)电连接在参考节点ND与第二电压线VL2之间。在实施方式中，两个示例第四晶体管T4-1、T4-2被示出为串联连接。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且n(其中n为1或更大的自然数)个第四晶体管可以电连接在参考节点ND与第二电压线VL2之间。第四晶体管T4-1、T4-2中的每个的栅极电连接到第i-1扫描线SLi-1。

第五晶体管T5电连接在第一电压线VL1与第一晶体管T1的源极之间。第五晶体管T5的栅极电连接到第i发光控制线ECLi。第六晶体管T6电连接在第一晶体管T1的漏极与发光元件LD的阳极之间。另外，第六晶体管T6的栅极电连接到第i发光控制线ECLi。

第七晶体管T7电连接在第二电压线VL2与发光元件LD的阳极之间。另外，第七晶体管T7的栅极电连接到第i+1扫描线SLi+1。电容器CP被布置在第一电压线VL1与参考节点ND之间。电容器CP存储与数据信号相对应的电压。当第五晶体管T5和第六晶体管T6导通时，可以根据存储在电容器CP中的电压来确定流过第一晶体管T1的电流量。此外，如图2中所示，驱动电压ELVDD可以被提供到第一电压线VL1、初始化电压Vint可以被提供到第二电压线VL2并且公共电压ELVSS可以被提供到发光元件LD的阴极。

图3是根据本发明构思的实施方式的与显示面板DP的像素PX相对应的剖视图。图4是根据本发明构思的实施方式的像素PX的平面视图。

图5A和图5B是根据本发明构思的实施方式的根据包含在像素中的图案的层叠顺序的平面视图。图5C是包括加工目标区域的底层的平面视图。

参考图3，显示面板DP可以包括基础层BS、布置在基础层BS上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE。电路元件层DP-CL包括至少多个绝缘层和电路元件。下面要描述的绝缘层可以包括有机层和/或无机层。绝缘层可以通过沉积工艺来形成。

通过光刻工艺，可以形成绝缘层中的接触孔、半导体图案和导电图案。在半导体图案和导电图案当中的布置在相同层的图案可以通过相同光刻工艺来形成。光刻工艺包括沉积工艺、光刻胶层提供工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和光刻胶层移除工艺。

基础层BS可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。具体地，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但材料不受特别限制。合成树脂层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和聚对二甲苯类树脂当中的至少一种。

至少一个无机层被布置在基础层BS的顶表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪当中的至少一种。无机层可以由多个层构成。多个无机层可以构成下面要描述的阻挡层BRL和/或缓冲层BFL。可以选择性地布置阻挡层BRL和缓冲层BFL。

阻挡层BRL防止异物从外部流入。阻挡层BRL可以包括氧化硅层和氮化硅层。它们中的每个可以被提供为多个，并且氧化硅层和氮化硅层可以被交替地层叠。缓冲层BFL可以增强基础层BS与半导体图案和/或导电图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可以被交替地层叠。

半导体图案SCP可以被布置在缓冲层BFL上。半导体图案SCP可以包括非晶硅半导体、晶体硅半导体或氧化物半导体。如图3中所示，半导体图案SCP可以包括第一半导体区域AC1和第二半导体区域AC2。第一半导体区域AC1可以包括第一晶体管T1的源极区域S1、沟道区域A1和漏极区域D1，并且第二半导体区域AC2可以包括第二晶体管T2的源极区域S2、沟道区域A2和漏极区域D2。第一半导体区域AC1和第二半导体区域AC2可以包括相同或不同的半导体材料。根据本发明构思的实施方式，第一半导体区域AC1和第二半导体区域AC2可以被布置在不同的层。

第一绝缘层10被布置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10覆盖半导体图案SCP。第一绝缘层10可以是有机层或无机层。下面要描述的第二绝缘层20至第六绝缘层60也可以是有机层或无机层，并且不受特别限制。

第一导电层CL1被布置在第一绝缘层10上。第一导电层CL1可以包括多个导电图案。在实施方式中，第一晶体管T1的栅极G1和第二晶体管T2的栅极G2被图示为第一导电层CL1的导电图案。

覆盖第一导电层CL1的第二绝缘层20被布置在第一绝缘层10上。第二导电层CL2被布置在第二绝缘层20上。第二导电层CL2可以包括多个导电图案。上电极UE被示出为第二导电层CL2的导电图案。上电极UE可以与第一晶体管T1的栅极G1重叠，并且开口UE-OP可以被布置在其中。重叠的上电极UE和第一晶体管T1的栅极G1限定电容器CP(参见图2)。

覆盖第二导电层CL2的第三绝缘层30被布置在第二绝缘层20上。第三导电层CL3被布置在第三绝缘层30上。第三导电层CL3可以包括多个导电图案。连接电极CNE-G3被示出为第三导电层CL3的导电图案。一个连接电极CNE-G3通过贯穿第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔CH10连接到第一晶体管T1的栅极G1。接触孔CH10穿过开口UE-OP。另一连接电极CNE-G3通过贯穿第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔CH20连接到第二晶体管T2的源极区域S2。

覆盖第三导电层CL3的第四绝缘层40被布置在第三绝缘层30上。第四导电层CL4被布置在第四绝缘层40上。连接电极CNE-D1被示出为第四导电层CL4的导电图案。连接电极CNE-D1可以通过贯穿第四绝缘层40的接触孔CH11、CH21分别连接到对应的连接电极CNE-G3。

覆盖第四导电层CL4的第五绝缘层50被布置在第四绝缘层40上。第五导电层CL5被布置在第五绝缘层50上。数据线DL被示出为第五导电层CL5的示例。数据线DL可以通过贯穿第五绝缘层50的接触孔CH22连接到对应的连接电极CNE-D1。

覆盖第五导电层CL5的第六绝缘层60被布置在第五绝缘层50上。发光元件LD被布置在第六绝缘层60上。发光元件LD的第一电极AE可以被布置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以是阳极。像素限定层PDL被布置在第六绝缘层60上。

像素限定层PDL的开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。像素限定层PDL的开口OP可以限定发光区域。发光层EML被布置在第一电极AE上。在实施方式中，图示了图案化的示例发光层EML，但发光层EML可以被共同布置在多个像素PX(参见图1)中。共同布置的发光层EML可以产生白光或蓝光。另外，发光层EML可以具有多层结构。

尽管未示出，但空穴传输层还可以被布置在第一电极AE与发光层EML之间。空穴注入层还可以被布置在空穴传输层与第一电极AE之间。空穴传输层或空穴注入层可以被共同布置在多个像素PX(参见图1)中。第二电极CE被布置在发光层EML上。尽管未示出，但电子传输层还可以被布置在第二电极CE与发光层EML之间。电子注入层还可以被布置在电子传输层与第二电极CE之间。电子传输层或电子注入层可以被共同布置在多个像素PX(参见图1)中。

薄膜封装层TFE被布置在第二电极CE上。薄膜封装层TFE被共同布置在多个像素PX(参见图1)中。在实施方式中，薄膜封装层TFE直接覆盖第二电极CE。在本发明构思的实施方式中，还可以布置直接覆盖第二电极CE的盖层(capping layer)。薄膜封装层TFE包括至少一个无机层或一个有机层。在本发明构思的实施方式中，薄膜封装层TFE可以包括两个无机层以及介于其间的有机层。在本发明构思的实施方式中，薄膜封装层TFE可以包括交替地层叠的多个无机层和多个有机层。

参考图4，示出了像素PX的第一晶体管T1至第七晶体管T7的示例。另外，示出了扫描线SLi-1、SLi、SLi+1、第i发光控制线ECLi、第一电压线VL1、第二电压线VL2和数据线DL。具有图4中所示的布局的像素PX可以通过多个绝缘沉积工艺和多个光刻工艺来形成。图5A和图5B示出了在与像素PX相对应的区中执行一些光刻工艺的状态。

参考图5A，半导体图案SCP可以被布置在基础层BS(参见图3)上。半导体图案SCP可以被直接布置在缓冲层BFL上。具有经设计的数值和形状的半导体图案SCP通过光刻工艺来形成。半导体图案SCP包括与第一晶体管T1至第七晶体管T7(参见图2)相对应的第一半导体区域AC1至第七半导体区域AC7。

第一半导体区域AC1至第七半导体区域AC7分别包括对应的源极区域S1至S7、对应的沟道区域A1至A7以及对应的漏极区域D1至D7。源极区域S1至S7和漏极区域D1至D7是其中掺杂浓度通过后续工艺增大以实质具有导电性的区域。沟道区域A1至A7布置在源极区域S1至S7与漏极区域D1至D7之间且具有低掺杂浓度。实质上，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个的源极和漏极分别由第一半导体区域AC1至第七半导体区域AC7的源极区域S1至S7和漏极区域D1至D7来限定。如图5A中所示，第三半导体区域AC3可以包括第三晶体管T3-1的源极区域S31、沟道区域A31和漏极区域D31以及第三晶体管T3-2的源极区域S32、沟道区域A32和漏极区域D32，并且第四半导体区域AC4可以包括第四晶体管T4-1的源极区域S41、沟道区域A41和漏极区域D41以及第四晶体管T4-2的源极区域S42、沟道区域A42和漏极区域D42。

第一半导体区域AC1至第七半导体区域AC7可以具有一体的形状。第一半导体区域AC1至第七半导体区域AC7当中的相邻的半导体区域的源极区域S1至S7和漏极区域D1至D7可以彼此不分开。在图5A中，为了便于描述，相邻的半导体区域的源极区域S1至S7和漏极区域D1至D7被示出为分开的。另外，信号递送区域STA被示出布置在第一半导体区域AC1至第七半导体区域AC7当中的不同半导体区域的源极区域S1至S7与漏极区域D1至D7之间，但本实施方式不限于此。实质上，信号递送区域STA可以具有与源极区域S1至S7或漏极区域D1至D7的掺杂浓度相同的掺杂浓度。

参考图5B，第一导电层CL1的导电图案可以被布置在第一绝缘层10(参见图3)上。第一绝缘层10被布置在缓冲层BFL(参见图3)上，并且然后第一导电层CL1的导电图案可以通过光刻工艺被布置在第一绝缘层10上。第一导电层CL1可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SLi-1、SLi、SLi+1、第i发光控制线ECLi和第一栅极G1。

与半导体图案SCP重叠的第i扫描线SLi的一部分可以是第二晶体管T2的栅极G2，第i扫描线SLi的另一部分可以是一个第三晶体管T3-1的栅极G31，并且第i扫描线SLi的另一部分可以是另一第三晶体管T3-2的栅极G32。

在图5B中，示出了布置在第i-1扫描线SLi-1中的第四晶体管T4-1、T4-2的栅极G41、G42，示出了布置在第i+1扫描线SLi+1中的第七晶体管T7的栅极G7，示出了布置在第i发光控制线ECLi中的第五晶体管T5的栅极G5和第六晶体管T6的栅极G6。

图5C示出了包括加工目标区域MTA的半导体图案SCP。第一绝缘层10(参见图3)被布置在包括加工目标区域MTA的半导体图案SCP上，并且然后第一导电层CL1的导电图案可以被布置在第一绝缘层10上。图示了在形成第一导电层CL1的导电图案之后检测加工目标区域MTA的示例状态。加工目标区域MTA是由于半导体层或金属层没有被图案化为具有经设计的数值或形状而产生的。加工目标区域MTA应该已经被图案化为如图5A和图5B中所示的第一晶体管T1的包括源极区域S1、沟道区域A1和漏极区域D1的第一半导体区域AC1，但由于光刻工艺中的误差，半导体层没有按设计被图案化。

以此方式，当在形成顶层之后来获得底层的加工目标区域MTA时，可以通过后续工艺来加工被布置成低于顶层的加工目标区域MTA。这里，顶层应首先被加工。实施方式中的底层被描述为半导体图案SCP，并且顶层被描述为第一导电图案CL1。然而，本发明构思的实施方式不限于此。在本发明构思的实施方式中，底层可以是另一导电层。例如，参考图3，在形成第四导电层CL4之后，可以检测第三导电层CL3的加工目标区域或第二导电层CL2的加工目标区域。然后，第三导电层CL3的加工目标区域或第二导电层CL2的加工目标区域可以通过后续工艺来加工。

图6是根据本发明构思的实施方式的制造设备AMD的平面视图。图7A至图7C示出了根据本发明构思的实施方式的制造设备AMD的头部组件HA。

根据本发明构思的实施方式，当在制造显示面板期间检测加工目标区域MTA时，工作衬底WS可以被移动到图6中的制造设备AMD。可替代地，根据本发明构思的实施方式，为了在制造显示面板期间检测加工目标区域MTA，工作衬底WS可以被移动到图6中的制造设备AMD。

参考图6，制造设备AMD可以包括支承工作衬底WS的工作台ST、在第二方向DR2上可移动的台架GTR以及结合到台架GTR以便在第一方向DR1上可移动的头部组件HA。台架GTR可以根据移动引导件MG在第二方向DR2上移动。

工作衬底WS包括多个单元区域UA。在完成制造工艺之后，多个单元区域UA被切割以提供显示面板DP(参见图1)。在多个单元区域UA中的至少一个中，可以检测图5C中描述的加工目标区域MTA。

参考图7A至图7C，头部组件HA可以包括主体部分BD、结合到主体部分BD的相机模块CM、结合到主体部分BD的激光模块LM、结合到主体部分BD的固化模块AM、被配置成提供绝缘墨水的电流体动力学(electrohydrodynamic，EHD)绝缘墨水喷嘴NZ1以及被配置成提供金属墨水的EHD金属墨水喷嘴NZ2。尽管未具体示出，但主体部分BD可以被配置成在第三方向DR3上可移动。例如，主体部分BD可以借助于起重机结构而结合到图6中的台架GTR，以便在第三方向DR3上可移动。

主体部分BD可以构成头部组件HA的框架，并且包括被配置成固定其它部件的边框。相机模块CM可以包括高倍率透镜(high-dry lens)以识别图4中的半导体图案和导电图案的测量，并且检测图5C中所示的加工目标区域MTA。

激光模块LM用于移除绝缘层、导电图案或半导体图案。激光模块LM可以包括飞秒激光装置。固化模块AM可以包括诸如激光灯的光学灯或烧结激光装置。

EHD绝缘墨水喷嘴NZ1可以施加特定周期的电脉冲来散布绝缘墨水。绝缘墨水可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅。EHD金属墨水喷嘴NZ2可以施加具有特定周期的电脉冲来散布金属墨水。金属墨水可以包括银，但不限于此。金属墨水可以包括金、白金、铜等。金属墨水可以包括上述金属的颗粒和有机粘结剂。EHD金属墨水喷嘴NZ2的内径可以是大约0.5μm，并且可以形成具有大约2μm或更小的厚度的导电图案。

图7A至图7C中所示的相机模块CM、激光模块LM、固化模块AM、EHD绝缘墨水喷嘴NZ1和EHD金属墨水喷嘴NZ2之间的配置关系仅仅是示例，并且不受特别限制。图7B是沿图7A中的线Ⅰ-Ⅰ′截取的剖视图，并且图7C是沿图7A中的线Ⅱ-Ⅱ′截取的剖视图。当在平面视图中观察时，固化模块AM可以在第一方向DR1上被布置在EHD绝缘墨水喷嘴NZ1与EHD金属墨水喷嘴NZ2之间。绝缘墨水和金属墨水两者都可以借助于一个固化模块AM被固化。

参考图7B，EHD绝缘墨水喷嘴NZ1可以结合到主体部分BD，以便相对于工作衬底WS(参见图6)以大约30°至大约60°倾斜。另外，EHD金属墨水喷嘴NZ2可以结合到主体部分BD，以便相对于工作衬底WS(参见图6)以大约30°至大约60°倾斜。

当EHD绝缘墨水喷嘴NZ1或EHD金属墨水喷嘴NZ2与工作衬底WS(参见图6)之间的斜率小于大约30°时，不容易从喷嘴排出墨水。由于墨水的粘度高，因此喷嘴内部的墨水倾向于彼此结合。当EHD绝缘墨水喷嘴NZ1或EHD金属墨水喷嘴NZ2与工作衬底WS(参见图6)之间的斜率大于大约60°时，不容易向较小的区域提供墨水。这是因为斜率越大，提供到工作衬底WS的墨水散布就越宽。

在本发明构思的实施方式中，EHD绝缘墨水喷嘴NZ1相对于工作衬底WS(参见图6)的斜率可以与EHD金属墨水喷嘴NZ2相对于工作衬底WS的斜率相同。EHD绝缘墨水喷嘴NZ1和EHD金属墨水喷嘴NZ2的斜率可以为大约45°。

图8A至图8J示出了根据本发明构思的实施方式的制造显示面板DP。图8A至图8J示出了图4中的像素PX的布局的各部分。另外，图8A至图8J图示了使用参考图6至图7C描述的头部组件HA的显示面板制造方法。

如图8A中所示，检测加工目标区域MTA。使用相机模块CM拍摄图6中的工作衬底WS的单元区域UA，并且指定加工目标区域MTA。可以从单元区域UA中的一些中检测加工目标区域MTA。

用于检测加工目标区域MTA的步骤可以在显示面板制造工艺中被周期性地执行。在实施方式中，用于检测加工目标区域MTA的步骤被描述为在形成图3和图5C中的第二绝缘层20之后被执行。

图8B示出了沿图8A中的线Ⅲ-Ⅲ′截取的剖视图。如图8B中所示，头部组件HA被设置在加工目标区域MTA上。首先，布置在加工目标区域MTA的顶侧上的结构被移除。第二绝缘层20的与加工目标区域MTA重叠的部分区域使用激光模块LM被移除。与加工目标区域MTA相对应的区域被限定为参考区域RA。参考区域RA可以具有比加工目标区域MTA大的面积，并且可以被设置成使得加工目标区域MTA被布置在参考区域RA内部。第二绝缘层20的参考区域RA、第一导电层CL1的参考区域RA和第一绝缘层10的参考区域RA可以被顺序地或并发地移除。第一导电层CL1的参考区域RA可以包括第一晶体管T1(参见图4)的栅极G1、第i扫描线SLi的一部分和第i发光控制线ECLi的一部分。图8C示出了其中第二绝缘层20的参考区域RA、第一导电层CL1的参考区域RA和第一绝缘层10的参考区域RA被移除的平面。

如图8D中所示，加工目标区域MTA可以暴露于外部。头部组件HA被设置在加工目标区域MTA上。激光束被发射到加工目标区域MTA，以从加工目标区域MTA提供底部图案。如图8E中所示，在实施方式中，底部图案可以是图5A中的第一半导体图案AC1。激光束被发射，以从加工目标区域MTA提供弯曲的底部图案。激光束加工适合于将弯曲形状图案化，并且与光刻工艺不同，可以适合于提供具有较小线宽和小面积的图案。

如图8F和图8G中所示，绝缘图案10-1形成在第一绝缘层10的参考区域RA中。EHD绝缘墨水喷嘴NZ1将绝缘墨水供给到第一绝缘层10的参考区域RA。EHD绝缘墨水喷嘴NZ1与第一绝缘层10间隔开大约5μm，使得当EHD绝缘墨水喷嘴NZ1停止排放绝缘墨水时，防止绝缘墨水液滴在缓冲层BFL上的绝缘墨水与EHD绝缘墨水喷嘴NZ1之间彼此连接。换句话说，当EHD绝缘墨水喷嘴NZ1暂停时，EHD绝缘墨水喷嘴NZ1与第一绝缘层10间隔开规定间隔，使得缓冲层BFL上的绝缘墨水与EHD绝缘墨水喷嘴NZ1间隔开。

然后，固化模块AM(参见图7A)固化绝缘墨水。为了使固化模块AM与其中形成绝缘墨水的区域对准，头部组件HA可以被移动。绝缘图案10-1可以包括与第一绝缘层10的材料实质相同的材料。固化的绝缘图案10-1可以具有与第一绝缘层10的厚度实质相同的厚度。

如图8H和图8I中所示，补偿图案CL1-1形成在第一导电层CL1的参考区域RA中。EHD金属墨水喷嘴NZ2在绝缘图案10-1上供给金属墨水。EHD金属墨水喷嘴NZ2与第一导电层CL1间隔开大约5μm，使得当EHD金属墨水喷嘴NZ2停止排放金属墨水时，防止金属墨水液滴在第一绝缘层10上的金属墨水与EHD金属墨水喷嘴NZ2之间彼此连接。

EHD金属墨水喷嘴NZ2仅将金属墨水提供到与其中图8B中的第一导电层CL1被移除的部分相对应的区域。因此，金属墨水被提供到比底侧中的绝缘图案10-1窄的区域。

然后，固化模块AM(参见图7A)固化提供在绝缘图案10-1上的金属墨水。补偿图案CL1-1可以包括具有比第一导电层CL1的电导率高的电导率的材料。考虑到第一导电层CL1与补偿图案CL1-1之间的接触电阻，形成具有较低电阻的补偿图案CL1-1。

补偿图案CL1-1可以包括与第一晶体管T1的已被移除的栅极G1相对应的控制电极G10、与第i扫描线SLi已从其被移除的部分相对应的第一线部分SLi-P以及与第i发光控制线ECLi已从其被移除的部分相对应的第二线部分ECLi-P。第i扫描线SLi和第i发光控制线ECLi的线宽可以为大约3μm或更小，并且因此，第一线部分SLi-P和第二线部分ECLi-P的线宽也可以为大约3μm或更小。EHD金属墨水喷嘴NZ2可以适合于提供具有窄线宽的图案。

然后，如图8J中所示，绝缘图案形成在第二绝缘层20的参考区域RA中。该绝缘图案可以通过与参考图8F和图8G描述的用于提供绝缘图案10-1的方法实质相同的方法来形成。

其后，光刻和绝缘层沉积工艺被重复，以提供图3中所示的第二导电层CL2、第三绝缘层30、第三导电层CL3、第四绝缘层40、第四导电层CL4、第五绝缘层50、第五导电层CL5以及第六绝缘层60。另外，可以形成像素限定层PDL、发光元件LD和薄膜封装层TFE。

根据上面描述的，底层的在光刻工艺中未以经设计的形状被图案化的部分区域可以在后续工艺中被加工。

加工目标区域被激光图案化，以提供具有经设计的形状的半导体图案或导电图案。

各种模块集成到其中的制造设备可以减少显示面板的制造时间。

尽管已经参考本发明的示例性实施方式描述了本发明，但本发明所属领域的普通技术人员将清楚，在不脱离所附权利要求书和它们的等同物所限定的本发明的精神和技术领域的情况下，可以对要描述的实施方式进行各种改变和修改。

因此，本发明构思的范围不应受前述描述的约束或限制，而是由对所附权利要求书的最广泛的可允许的解释来确定。