掌桥专利:专业的专利平台
掌桥专利
首页

光生电流测试方法及测试设备

文献发布时间:2024-04-18 19:58:26


光生电流测试方法及测试设备

技术领域

本申请属于光电技术领域,尤其涉及一种光生电流测试方法及测试设备。

背景技术

显示屏的耗电量在电子设备的总体耗电量中占比较大,为了降低显示屏的耗电量,可在电子设备中设置光探测装置(例如,光电探测器或光电二极管),来检测环境光的亮度,便于根据环境光的亮度自动调节显示屏的亮度。可见,在电子设备中设置环境光检测性能较好的光探测装置,使得光探测装置检测到准确的环境光的亮度,对降低显示屏的耗电量至关重要。

目前,在检测光探测装置的环境光检测性能时,测试设备可通过高精度光源(例如,标准光源或高精度分光器)照射光探测装置,并通过电流采集装置采集光探测装置因高精度光源的照射而产生的光生电流值。在光生电流值较高时,测试设备可确定光探测装置的环境光检测性能较好。

然而,上述的实现过程中,随着高精度光源的长时间使用,高精度光源的发光光谱可能不准确,使得采集到的光生电流值准确率降低,进而导致根据光生电流值确定的光探测装置的环境光检测性能不够准确,并且高精度光源价格昂贵,更换成本较高。

发明内容

本申请提供了一种光生电流测试方法及测试设备,能够更加准确地测量光生电流值。

第一方面,本申请提供一种光生电流测试方法,应用于测试设备,测试设备包括发光二极管光源、标定光探测装置和电流采集装置;该方法包括:

根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定发光二极管光源的驱动电流值;

按照驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置;

在照射过程中,通过电流采集装置,采集待测光探测装置上产生的光生电流值。

上述方法中,通过发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,从而,使得借助辐射偏差信息,对发光二极管光源进行定标,确定驱动电流值,按照该驱动电流值驱动发光二极管管光源,能够保证发光二极管管光源照射待测光探测装置的辐射状态达到预设辐射状态,便于在该辐射状态下的待测光探测装置上产生的光生电流值准确度高。

从而,在按照驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置的过程中,测试设备通过电流采集装置,采集到的待测光探测装置上产生的光生电流值为准确的光生电流值,便于测试设备能够根据待测光探测装置受发光二极管光源的照射产生光生电流,准确地确定光探测装置的环境光检测性能。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,在根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定发光二极管光源的驱动电流值之前,方法还包括:

确定第一比例系数、第二比例系数、发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射强度,所述第一比例系数用于指示发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射状态,所述第二比例系数用于指示发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射状态;

根据第一比例系数、第二比例系数、发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射强度,确定辐射偏差信息为发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值。

上述方法中,确定发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值,便于更精确地确定发光二极管光源的驱动电流值。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,确定第一比例系数,包括:

确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面,以及发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离;

根据第一受照射面和第一距离,确定第一比例系数。

上述方法中,通过确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面,以及发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离,并根据第一受照射面和第一距离,确定第一比例系数,便于根据第一比例系数确定发光二极管光源照射标定光探测装置时的标定环境的辐射状态,从而,能够为确定准确度更高的发光二极管光源的驱动电流值做好准备。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,第二比例系数,包括:

确定发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离;

根据第二受照射面和第二距离,确定第二比例系数。

上述方法中,通过确定发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离,并根据第二受照射面和第二距离,确定第二比例系数,便于根据第二比例系数确定发光二极管光源照射待测光探测装置时的测试环境的辐射状态,从而,能够为确定准确度更高的发光二极管光源的驱动电流值做好准备。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,测试设备还包括光信息采集装置,根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值,确定发光二极管光源的驱动电流值,包括:

根据辐射照度的比值和发光二极管光源照射待测光探测装置的预设辐射照度,确定发光二极管光源照射标定光探测装置的参考辐射照度;

按照第一电流值驱动发光二极管光源照射标定光探测装置;

在照射过程中,通过所述光信息采集装置,采集发光二极管光源照射所述标定光探测装置的第一辐射照度;

在第一辐射照度不为参考辐射照度时,调整第一电流值,直至第一辐射照度为参考辐射照度,将第一辐射照度对应的第一电流值确定为发光二极管光源的驱动电流值。

上述方法中,可按照第一电流值驱动发光二极管光源照射标定光探测装置,并且在第一辐射照度不为参考辐射照度时,调整第一电流值,直至第一辐射照度为参考辐射照度。

同一电流值的驱动下,发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射照度达到参考辐射照度时,确定在发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射照度可达到预设辐射照度。

在发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射照度为预设辐射照度时,测试设备通过电流采集装置采集到的待测光探测装置上产生的光生电流值精确度较高。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,发光二极管光源包括如下至少一项:黄光发光二极管光源、绿光发光二极管光源、青光发光二极管光源、蓝光发光二极管光源、红光发光二极管光源、橙光发光二极管光源,或红外发光二极管光源。

例如,发光二极管光源包括红外发光二极管光源、绿光发光二极管光源和红光发光二极管光源。

在电子设备的器件引入阶段,测试设备确定每个待测光探测装置受到三种光源分别照射时产生的光生电流值,在一个待测光探测装置的三个光生电流值中至少一个大于另外一个待测光探测装置时,可确定该一个待测光探测装置的环境光检测性能更好。

从而,测试设备可通过多种光源,更加准确地测试待测光探测装置的光生电流值。

第二方面,本申请提供一种光生电流测试装置,应用于测试设备,测试设备包括发光二极管光源、标定光探测装置和电流采集装置;该光生电流测试装置用于执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的光生电流测试方法。

具体地,该光生电流测试装置,包括:确定模块、驱动模块和采集模块。

确定模块,用于根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定发光二极管光源的驱动电流值;

驱动模块,用于按照驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置;

采集模块,用于在照射过程中,通过电流采集装置,采集待测光探测装置上产生的光生电流值。

结合第二方面,在第二方面的某些实现方式中,确定模块,还用于:

确定第一比例系数、第二比例系数、发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射强度;

根据第一比例系数、第二比例系数、发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射强度,确定辐射偏差信息为发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值。

结合第二方面,在第二方面的某些实现方式中,确定模块,具体用于:

确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面,以及发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离;

根据第一受照射面和第一距离,确定第一比例系数。

结合第二方面,在第二方面的某些实现方式中,确定模块,具体用于:

确定发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离;

根据第二受照射面和第二距离,确定第二比例系数。

结合第二方面,在第二方面的某些实现方式中,确定模块,具体用于:

根据辐射照度的比值和发光二极管光源照射待测光探测装置的预设辐射照度,确定发光二极管光源照射标定光探测装置的参考辐射照度;

按照第一电流值驱动发光二极管光源照射标定光探测装置;

在照射过程中,通过光信息采集装置,采集发光二极管光源照射标定光探测装置的第一辐射照度;

在第一辐射照度不为参考辐射照度时,调整第一电流值,直至第一辐射照度为参考辐射照度,将第一辐射照度对应的第一电流值确定为发光二极管光源的驱动电流值。

结合第二方面,在第二方面的某些实现方式中,发光二极管光源包括如下至少一项:黄光发光二极管光源、绿光发光二极管光源、青光发光二极管光源、蓝光发光二极管光源、红光发光二极管光源、橙光发光二极管光源,或红外发光二极管光源。

第三方面,本申请提供一种测试设备,所述测试设备包括发光二极管光源、标定光探测装置、电流采集装置、光信息采集装置,以及用于执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的光生电流测试方法的装置。

第四方面,本申请提供一种测试设备,包括一个或多个处理器;存储器;以及一个或多个计算机程序,其中一个或多个计算机程序存储在存储器上,当计算机程序被一个或多个处理器执行时,使得测试设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的光生电流测试方法。

第五方面,本申请提供一种芯片系统,该芯片系统包括处理器,用于从存储器中调用并运行计算机程序,使得安装有芯片系统的测试设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的光生电流测试方法。

第六方面,本申请提供一种计算机可读存储介质,包括计算机程序,当计算机程序在测试设备上运行时,使得测试设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的光生电流测试方法。

第七方面,本申请提供一种计算机程序产品,当计算机程序产品在计算机上运行时,使得计算机执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的光生电流测试方法。

可以理解的是,上述第二方面至第七方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述,在此不再赘述。

附图说明

图1为本申请一实施例提供的一种电子设备的结构示意图;

图2为本申请一实施例提供的一种电子设备的结构示意图;

图3本申请一实施例提供的一种测试设备的结构示意图;

图4本申请一实施例提供的一种测试设备的结构示意图;

图5为本申请一实施例提供的一种光生电流测试方法的流程示意图;

图6本申请一实施例提供的一种光生电流测试方法的流程示意图;

图7本申请一实施例提供的一种发光二极管光源照射标定光探测装置的示意图;

图8本申请一实施例提供的一种发光二极管光源照射待测光探测装置的示意图;

图9为本申请一实施例提供的一种光生电流测试装置的结构示意图。

具体实施方式

本申请中,“至少一个”是指一个或者多个,“多个”是指两个或两个以上。“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B的情况,其中A,B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达,是指的这些项中的任意组合,包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如,单独a,单独b或单独c中的至少一项(个),可以表示:单独a,单独b,单独c,组合a和b,组合a和c,组合b和c,或组合a、b和c,其中a,b,c可以是单个,也可以是多个。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在实际应用过程中,电子设备通过电子设备中的光探测装置检测环境光的亮度,并基于环境光的亮度自动调节显示屏的亮度,来降低电子设备中的显示屏的耗电量。为保证光探测装置检测到准确的环境光的亮度,需要在电子设备中设置环境光检测性能较好的光探测装置。

现有的一种测试设备包括高精度光源和电流采集装置。该测试设备通过高精度光源来照射光探测装置,通过电流采集装置采集光探测装置受高精度光源的照射而产生的光生电流值,并根据光生电流值确定光探测装置的环境光检测性能。高精度光源长时间使用后,其发光光谱可能不准确,采集到的光生电流值准确率降低,导致根据光生电流值确定的光探测装置的环境光检测性能不够准确,并且高精度光源价格昂贵,更换成本较高,另外,标准光源的标定与光生电流测试需要较高精度的测试设备进行支撑,成本较高。

面对上述问题,本申请可提供一种光生电流测试方法、光生电流测试装置、测试设备、芯片系统、计算机可读存储介质以及计算机程序产品,该光生电流测试方法应用于测试设备。从而,可将高精度光源替换为发光二极管光源,对发光二极管光源进行定标,通过定标后的发光二极管光源照射光探测装置,在照射过程中,采集光探测装置上产生的光生电流值,如此,可得到更加准确的光生电流值,进而,根据该光生电流值确定的光探测装置的环境光检测性能更加准确。

另外,上述的电子设备可以为具有显示屏硬件以及相应软件支持的电子设备。

例如,电子设备可以为手机、平板电脑、车载设备、笔记本电脑、可穿戴设备(例如,智能手表)、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer,UMPC)、上网本、个人数字助理(personal digital assistant,PDA)等设备。

为了便于说明,图1中,以电子设备100为手机为例进行示意。

如图1所示,在一些实施例中,电子设备100可以包括处理器101和通信模块102等。

其中,处理器101可以包括一个或多个处理单元,例如:处理器101可以包括应用处理器(application processor,AP),调制解调处理器,图形处理器,图像信号处理器(imagesignal processor,ISP),控制器,存储器,视频流编解码器,数字信号处理器(digitalsignal processor,DSP),基带处理器,和/或神经网络处理器(neural-networkprocessing unit,NPU)等。其中,不同的处理单元可以是独立的器件,也可以集成在一个或多个处理器101中。

控制器可以是电子设备100的神经中枢和指挥中心。控制器可以根据指令操作码和时序信号,产生操作控制信号,完成取指令和执行指令的控制。

处理器101中还可以设置存储器,用于存储指令和数据。

在一些实施例中,处理器101中的存储器为高速缓冲存储器。该存储器可以保存处理器101刚用过或循环使用的指令或数据。如果处理器101需要再次使用该指令或数据,可从存储器中直接调用。避免了重复存取,减少了处理器101的等待时间,因而提高了系统的效率。

在一些实施例中,处理器101可以包括一个或多个接口。接口可以包括集成电路(inter-integrated circuit,I2C)接口,集成电路内置音频(inter-integratedcircuitsound,I2S)接口,脉冲编码调制(pulse code modulation,PCM)接口,通用异步收发传输器(universal asynchronous receiver/transmitter,UART)接口,移动产业处理器接口(mobile industry processor interface,MIPI),通用输入输出(general-purposeinput/output,GPIO)接口,用户标识模块(subscriber identity module,SIM)接口,和/或通用串行总线(universal serial bus,USB)接口等。

通信模块102可以包括2个天线,移动通信模块,和/或无线通信模块。

如图1所示,在一些实施例中,电子设备100还可以包括外部存储器接口105、内部存储器104,USB接口106、充电管理模块107、电源管理模块108、电池109、和传感器模块103等。

NPU为神经网络(neural-network,NN)计算处理器,通过借鉴生物神经网络结构,例如借鉴人脑神经元之间传递模式,对输入信息快速处理,还可以不断的自学习。通过NPU可以实现电子设备100的智能认知等应用,例如:图像识别,人脸识别,语音识别,文本理解等。

充电管理模块107用于从充电器接收充电输入。其中,充电器可以是无线充电器,也可以是有线充电器。

在一些有线充电的实施例中,充电管理模块107可以通过USB接口106接收有线充电器的充电输入。

在一些无线充电的实施例中,充电管理模块107可以通过电子设备100的无线充电线圈接收无线充电输入。充电管理模块107为电池109充电的同时,还可以通过电源管理模块108为电子设备100供电。

电源管理模块108用于连接电池109,充电管理模块107与处理器101。电源管理模块108接收电池109和/或充电管理模块107的输入,为处理器101,内部存储器104,外部存储器,和通信模块102等供电。电源管理模块108还可以用于监测电池容量,电池循环次数,电池健康状态(漏电,阻抗)等参数。

在其他一些实施例中,电源管理模块108也可以设置于处理器101中。

在另一些实施例中,电源管理模块108和充电管理模块107也可以设置于同一个器件中。

外部存储器接口105可以用于连接外部存储卡,例如Micro SD卡,实现扩展电子设备100的存储能力。外部存储卡通过外部存储器接口105与处理器101通信,实现数据存储功能。例如将音乐,视频流等文件保存在外部存储卡中。

内部存储器104可以用于存储计算机可执行程序代码,可执行程序代码包括指令。处理器101通过运行存储在内部存储器104的指令,从而执行电子设备100的各种功能应用以及数据处理。内部存储器104可以包括存储程序区和存储数据区。其中,存储程序区可存储操作系统,至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能,图像播放功能等)等。存储数据区可存储电子设备100使用过程中所创建的数据(比如音频数据,电话本等)等。此外,内部存储器104可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件,闪存器件,通用闪存存储器(universal flash storage,UFS)等。

电子设备100中的传感器模块103可以包括图像传感器、触摸传感器、压力传感器、陀螺仪传感器、气压传感器、磁传感器、加速度传感器、距离传感器、接近光传感器、环境光传感器、指纹传感器、温度传感器、骨传导传感器等部件,以实现对于不同信号的感应和/或获取功能。

可选地,电子设备100还可以包括外设设备,例如鼠标、按键、指示灯、键盘、扬声器、麦克风等。

按键包括开机键,音量键等。按键可以是机械按键。也可以是触摸式按键。电子设备100可以接收按键输入,产生与电子设备100的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。

指示器可以是指示灯,可以用于指示充电状态和电量变化,也可以用于指示消息、未接来电、和通知等。

可以理解的是,本实施例示意的结构并不构成对电子设备100的具体限定。

在另一些实施例中,电子设备100可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者拆分某些部件,或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件,软件或软件和硬件的组合实现。

请参考图2,为本申请实施例提供的一种电子设备的示意图。本申请实施例提供的数据转储方法应用于图1所示的电子设备100时,电子设备100中的软件可以划分为如图2所示的应用程序层201,硬件抽象层(Hardware Abstraction Layer,HAL)202以及驱动层203。

应用程序层201中可以安装有多个应用程序,其中可以包括用于实现拍摄功能的相机应用程序(camera application)。其中,相机应用程序的是指运行于操作系统上,能够执行拍照任务的计算机程序。当相机应用程序的格式为安卓应用程序包(Androidapplication package,APK)格式时,相机应用程序可以运行于安卓操作系统上。在本申请实施例中,相机应用程序可以是有拍摄功能的应用程序。例如,功能为分享短视频的应用程序,如果具有拍摄功能,即可作为本申请实施例中相机应用程序。

硬件抽象层202是一个位于操作系统内核与硬件电路之间的软件,通常用于将硬件抽象化,以实现操作系统与硬件电路在逻辑层的交互。在本申请实施例中,硬件抽象层202可以包括能够实现相机应用程序与图像传感器在逻辑层交互的相机硬件抽象层(camera Hardware Abstraction Layer,camera HAL)。

驱动层203中可以安装有多个用于驱动硬件工作的驱动(driver)。

需要说明的是,应用程序层201,硬件抽象层202以及驱动层203中也可以包括其他内容,在此不做具体限定。

另外,如图3所示,标定环境中,测试设备可以包括发光二极管光源200、标定光探测装置300和光信息采集装置600。

测试设备通过发光二极管光源200照射标定光探测装置300的过程中,可调整驱动发光二极管光源200的电流值,直至电子设备通过光信息采集装置600采集到的标定光探测装置上的辐射照度为参考辐射照度,测试设备可将该辐射照度为参考照度时的电流值确定为发光二极管光源的驱动电流值。

如图4所示,测试环境中,测试设备还可以包括电流采集装置500。

测试设备上述驱动电流值驱动通过发光二极管光源200照射待测光探测装置,照射过程中,可通过电流采集装置500采集待测光探测装置400上产生的光生电流值。

基于上述场景描述,下面,本申请以测试设备为例,结合附图和应用场景,对本申请实施例提供的光生电流测试方法进行详细阐述。

请参阅图5,图5示出了本申请一实施例提供的光生电流测试方法的流程示意图。

如图5所示,本申请提供的光生电流测试方法可以包括:

S101、根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定发光二极管光源的驱动电流值。

其中,发光二极管光源(light emitting diode,LED)可高效地将电能转化为光能,是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光。

并且,发光二极管光源具有价格低廉、体积小、寿命长、效率高等优点。

在一些实施例中,发光二极管光源为大功率发光二极管光源。

其中,发光二极管光源包括如下至少一项:黄光发光二极管光源、绿光发光二极管光源、青光发光二极管光源、蓝光发光二极管光源、红光发光二极管光源、橙光发光二极管光源,或红外发光二极管光源。

蓝光发光二极管光源可以为高光效蓝光发光二极管光源。红光发光二极管光源可以为高光效红光发光二极管光源。青光发光二极管光源可以为高光效青光发光二极管光源。橙光发光二极管光源可以为高光效橙光发光二极管光源。红外发光二极管光源可以为高光效红外发光二极管光源。

黄光发光二极管光源的峰值波长范围为[550.0nm,579.9nm]、绿光发光二极管光源的峰值波长范围为[510.0nm,549.9nm]、青光发光二极管光源的峰值波长范围为[480.0nm,509.9nm]、蓝光发光二极管光源的峰值波长范围为[450.0nm,479.9nm]、红光发光二极管光源的峰值波长范围为[610.0nm,699.9.0nm]、橙光发光二极管光源的峰值波长范围为[580.0nm~609.9nm],红外发光二极管光源的峰值波长范围为[700.0nm,1100.0nm]。

可见,每种发光二极管光源的峰值波长范围不同。

因此,每种发光二极管光源照射标定光探测装置时,标定光探测装置吸收的光的多少不同,对应地,标定光探测装置的吸收光谱不同。

同理,每种发光二极管光源照射待测光探测装置时,待测光探测装置吸收的光的多少不同,对应地,待测光探测装置的吸收光谱不同。

例如,940nm波长的红外发光二极管光源照射待测光探测装置,待测光探测装置可以吸收接近100%的红外发光二极管光源发出的光。

660nm波长的红光发光二极管光源照射待测光探测装置,待测光探测装置可以吸收60%的红光发光二极管光源发出的光。

520nm波长的绿光发光二极管光源照射待测光探测装置,待测光探测装置可以吸收50%的绿光发光二极管光源发出的光。

其中,发光二极管光源照射标定光探测装置时所处的标定环境与发光二极管光源照射待测光探测装置时所处的测试环境之间存在差异,并且标定光信息探测器与待测光信息探测器之间存在差异。

因此,发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置时存在辐射偏差。

从而,测试设备可根据辐射偏差对应的辐射偏差信息确定发光二极管光源照射标定光探测装置时的辐射状态,以及发光二极管光源照射待测光探测装置时的辐射状态。

由此,测试设备可根据辐射偏差信息,对发光二极管光源进行定标,来确定发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射状态达到标准辐射状态时,发光二极管光源的驱动电流值。

在一些实施例中,发光二极管光源包括红外发光二极管光源、红光发光二极管光源和绿光发光二极管光源。

在发光二极管光源包括红外发光二极管光源、红光发光二极管光源和绿光发光二极管光源时,测试设备可以根据三种发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置。

每种发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息不同,确定的发光二极管光源的驱动电流值不同。

例如,测试设备根据红外发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定的发光二极管光源的驱动电流值为150mA。

又例如,测试设备根据绿光发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定的发光二极管光源的驱动电流值为125mA。

从而,在发光二极管光源包括上述三种不同的光源时,测试设备可以得到三种不同颜色的光源分别对应的驱动电流值,如此,可为测试设备根据三种不同的光源分别对应的驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置做好准备。

另外,测试设备可每隔预设时长,执行S101,重新对发光二极管光源进行标定,来重新确定发光二极管光源的驱动电流值。

如此,测试设备通过电流采集装置,每次采集到的待测光探测装置上产生的光生电流值皆为准确度度高的光生电流值,定时间的定标测试避免了发光二极管光源衰变带来的测试精度下降问题。

在一些实施例中,预设时长为一天,即24小时。

本申请对预设时长的大小不做限定。

在一些实施例中,待测光探测装置为光电探测器(photoelectric detector,PD)或光电二极管(photo-diode,PD)。

本申请对待测光探测装置的类型和大小不做限定。

S102、按照驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置。

基于S101,测试设备可得到发光二极管光源照射待测光探测装置时的驱动电流值,从而,测试设备能够按照驱动电流值启动发光二极管光源,使得发光二极管光源照射待测光探测装置。

S103、在照射过程中,通过电流采集装置,采集待测光探测装置上产生的光生电流值。

其中,在发光二极管光源照射待测光探测装置的过程中,待测光探测装置可受发光二极管光源的照射产生光生电流。

由此,测试设备能够通过电流采集装置,采集到待测光探测装置上产生的光生电流值。

在光生电流值较高时,测试设备可确定光探测装置的环境光检测性能较好。

在光生电流值较低时,测试设备可确定光探测装置的环境光检测性能较差。

由此,测试设备能够根据待测光探测装置受发光二极管光源的照射产生的光生电流,准确地确定光探测装置的环境光检测性能。

在一些实施例中,发光二极管光源包括三种颜色的光源时,测试设备可以得到三种不同颜色的光源分别对应的驱动电流值,在测试设备根据三种不同颜色的光源分别对应的驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置时,测试设备可通过电流采集装置,采集到待测光探测装置上产生的三个光生电流值。

假设发光二极管光源包括三种颜色的光源,分别为红外发光二极管光源、红光发光二极管光源和绿光发光二极管光源。

那么,测试设备根据红外发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置1之间的辐射偏差信息,确定的发光二极管光源的驱动电流值为150mA。

测试设备按照驱动电流值为150mA驱动发光二极管光源照射待测光探测装置1,在照射过程中,通过电流采集装置,采集到的待测光探测装置1上产生的光生电流值为27.86uA。

对应地,测试设备根据绿光发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置1之间的辐射偏差信息,确定的发光二极管光源的驱动电流值为125mA。

测试设备按照驱动电流值为125mA驱动发光二极管光源照射待测光探测装置1,在照射过程中,通过电流采集装置,采集到的待测光探测装置1上产生的光生电流值为14.45uA。

对应地,测试设备根据红光发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置1之间的辐射偏差信息,确定的发光二极管光源的驱动电流值为100mA。

测试设备按照驱动电流值为100mA驱动发光二极管光源照射待测光探测装置1,在照射过程中,通过电流采集装置,采集到的待测光探测装置1上产生的光生电流值为16.72uA。

基于上述描述,在测试设备按照驱动电流值为100mA驱动发光二极管光源照射待测光探测装置的情况下,经过二次测试,在照射过程中,通过电流采集装置,采集到的待测光探测装置1上产生的光生电流值为16.72uA和16.80uA,平均值为16.76uA。

另外,经过三次三方测试,在照射过程中,通过电流采集装置,采集到的待测光探测装置1上产生的光生电流值为17.28uA、17.19uA、17.24uA,平均值为17.23uA。

可见,对于同一个待测光探测装置而言,根据偏差信息得到的驱动电流值不同,待测光探测装置上产生的光生电流值也不同。

并且,基于S101-S103测得的光生电流值准确度较高。

在一些实施例中,在电子设备的器件引入阶段,测试设备可确定每个待测光探测装置受到三种颜色的光源分别照射时产生的光生电流值,在一个待测光探测装置的三个光生电流值中至少一个大于另外一个待测光探测装置时,可确定该一个待测光探测装置的环境光检测性能更好。

从而,测试设备可通过多种颜色的发光二极管光源,更加准确地测试待测光探测装置的光生电流值。

在一些实施例中,测试设备还包括旋转切换装置,旋转切换装置上设置有多个不同颜色的发光二极管光源,在发光二极管光源照射标定光探测装置时的标定环境中,测试设备可通过旋转切换装置来切换多种颜色的发光二极管光源,保证了单个发光二极管光源对不同波长光谱的吸收测试结果的准确。

同理,在发光二极管光源照射待测光探测装置时的测试环境中,测试设备可通过旋转切换装置来切换多种颜色的发光二极管光源。

在一些实施例中,电流采集装置可以为半导体分析仪。

本申请对电流采集装置的类型不做限定。

在电流采集装置为半导体分析仪时,半导体分析仪可通过探针等方式与待测光探测装置接触,来采集发光二极管光源照射待测光探测装置的过程中,待测光探测装置上产生的光生电流值。

本申请提供的光生电流测试方法,通过发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,对发光二极管光源进行照度测试,来对发光二极管光源进行定标,便于确定发光二极管光源的驱动电流值,如此,按照该驱动电流值驱动发光二极管光源,能够保证发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射状态达到预设辐射状态,使得在该辐射状态下的待测光探测装置上产生的光生电流值准确度高。

测试设备按照驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置时,发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射状态可达到预设辐射状态,从而,在照射过程中,测试设备通过电流采集装置,采集到的待测光探测装置上产生的光生电流值为准确的光生电流值,便于测试设备能够根据准确的光生电流值,准确地确定光探测装置的环境光检测性能,如此,便于在电子设备中设置环境光检测性能较好的光探测装置,使得光探测装置检测到准确的环境光的亮度,来降低显示屏的耗电量。

并且,通过价格较为低廉的发光二极管光源替代价格较为昂贵的标准光源,实现对待测光探测装置进行光生电流测试的成本大幅度降低,并且采用电流采集装置进行光生电流测试保证了光生电流测试的准确性。

基于上述图5所示实施例的描述,测试设备可确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面、发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离、发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离,来确定辐射偏差信息。

基于上述描述,测试设备可根据发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面,以及发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离,确定第一比例系数;并根据发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离确定第二比例系数。

从而,测试设备可根据第一比例系数、第二比例系数、所述发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射所述待测光探测装置的辐射强度,确定辐射偏差信息为发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值。

其中,第一比例系数用于指示发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射状态。

第二比例系数用于指示发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射状态。

下面,结合图6,详细介绍本申请的光生电流测试方法的具体实现过程。

请参阅图6,图6示出了本申请一实施例提供的光生电流测试方法的流程示意图。

如图6所示,本申请提供的光生电流测试方法可以包括:

S201、确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面,以及发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离。

其中,标定光探测装置为三维器件,发光二极管光源照射标定光探测装置时,可照射到标定光探测装置的至少部分表面,照射到的表面为第一受照射面。

在一些实施例中,测试设备可确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面的直径。

在另一些实施例中,测试设备可确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面的半径或面积。

S202、根据第一受照射面和第一距离,确定第一比例系数。

基于上述描述,在测试设备确定的发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面包括第一受照射面的直径时,测试设备可根据第一受照射面的直径和第一距离,确定第一比例系数。

在一些实施例中,测试设备可根据第一受照射面的直径和第一距离,确定第一比例系数的公式为:

其中,k1表示第一比例系数,D

从而,测试设备可确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面,以及发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离,并根据第一受照射面和第一距离,确定第一比例系数,便于测试设备能够根据第一比例系数确定发光二极管光源照射标定光探测装置时的辐射照度,从而,能够为测试设备确定准确度更高的发光二极管光源的驱动电流值做好准备。

S203、确定发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离。

其中,待测光探测装置通常为三维器件,发光二极管光源照射待测光探测装置时,可照射到待测光探测装置的至少部分表面,照射到的表面为第二受照射面。

在一些实施例中,测试设备可确定发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面的直径。

在另一些实施例中,测试设备可确定发光二极管光源照射待测光探测装置的第一受照射面的半径或面积。

S204、根据第二受照射面和第二距离,确定第二比例系数。

基于上述描述,在测试设备确定的发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面包括第二受照射面的直径时,测试设备可根据第二受照射面的直径和第二距离,确定第二比例系数。

在一些实施例中,测试设备根据第二受照射面的直径和第二距离,确定第二比例系数的公式为:

其中,k

从而,测试设备可确定发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离,并根据第二受照射面和第二距离,确定第二比例系数,便于测试设备能够根据第二比例系数确定发光二极管光源照射待测光探测装置时的辐射照度,从而,能够为测试设备确定准确度更高的发光二极管光源的驱动电流值做好准备。

S205、根据第一比例系数、第二比例系数、发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射强度,确定辐射偏差信息为发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值。

其中,发光二极管光源照射的辐射强度,不受发光二极管光源与标定光探测装置之间的距离,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的距离的影响,也不受标定光探测装置和待测光探测装置的受照射面的大小的影响。

由此,发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射强度为同一辐射强度。

在一些实施例中,测试设备确定发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值的公式为:

E

E

E

其中,E

如图7和图8所示,假设发光二极管光源200照射标定光探测装置300的第一受照射面的直径D

发光二极管光源200照射待测光探测装置400的第二受照射面D

那么,E

在一些实施例中,辐射偏差信息还可以为发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射能通量的比值。

本申请对辐射偏差信息的类型不做限定。

S206、根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定发光二极管光源的驱动电流值。

S207、按照驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置。

S208、在照射过程中,通过电流采集装置,采集待测光探测装置上产生的光生电流值。

其中,S206、S207和S208分别与图5示实施例中的S101、S102和S103实现方式类似,此处不再赘述。

本申请中,测试设备可根据发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面、发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离、发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面、发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离,来确定发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值,便于测试设备根据该辐射照度的比值更好地确定发光二极管光源照射标定光探测装置与照射待测光探测装置的差异,这样,测试设备可以更加准备地对发光二极管光源进行定标,便于得到的发光二极管光源的驱动电流值为更加准确的驱动电流值,如此,根据该准确度高的驱动电流值照射待测光探测装置时,发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射状态可更好地达到预设辐射照度,使得测试设备通过电流采集装置采集到的待测光探测装置上产生的光生电流值精确度更高。

基于上述图6中S206的描述,测试设备可通过根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值,确定发光二极管光源的驱动电流值。

下面,详细介绍本申请的根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值,确定发光二极管光源的驱动电流值的具体实现过程。

根据辐射照度的比值和发光二极管光源照射待测光探测装置的预设辐射照度,确定发光二极管光源照射标定光探测装置的参考辐射照度;

按照第一电流值驱动发光二极管光源照射标定光探测装置;

在照射过程中,通过光信息采集装置,采集发光二极管光源照射标定光探测装置的第一辐射照度;

在第一辐射照度不为参考辐射照度时,调整第一电流值,直至第一辐射照度为参考辐射照度,将第一辐射照度对应的第一电流值确定为发光二极管光源的驱动电流值。

在一些实施例中,预设辐射照度为标准辐射照度,在发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射照度为标准辐射照度时,测试设备通过电流采集装置采集到的待测光探测装置上产生的光生电流值精确度较高。

例如,预设辐射照度为1mw/cm

基于上述描述,假设E

那么,参考辐射照度E

由此,对于同一驱动电流值驱动的发光二极管光源,由于环境的差异,测试设备可确定在发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射照度达到预设辐射照度时,发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射照度需达到参考辐射照度。

在一些实施例中,发光二极管光源可与直流电源电连接,直流电源上设置有一显示屏,用户可在该显示屏上输入不同的第一电流值,测试设备通过直流电源按照第一电流值驱动发光二极管光源照射标定光探测装置。

对应地,测试设备可通过直流电源调整第一电流值。

本申请对调整第一电流值的方式不做限定。

在通过调整第一电流值,使得测试设备通过光信息采集装置采集到的标定光探测装置上的第一辐射照度为参考辐射照度时,测试设备可以确定按照当前的第一电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射照度可以达到预设辐射照度。

如此,测试设备可将采集到的标定光探测装置上的第一辐射照度为参考辐射照度时的第一电流值,确定为发光二极管光源所需要的驱动电流值。

在一些实施例中,光信息采集装置为光谱仪。

本申请对光信息采集装置的类型不做限定。

在光信息采集装置为光谱仪时,光谱仪可通过探针等方式与标定光探测装置接触,来采集发光二极管光源照射标定光探测装置时的辐射照度。

并且,光谱仪通过探针采集发光二极管光源照射标定光探测装置时的辐射照度,可以通过与光谱仪通信连接的光色参数测试系统来实现。

综上所述,电子设备在通过光信息采集装置采集到的标定光探测装置上的第一辐射照度不为参考辐射照度时,可调整第一电流值,使得第一辐射照度为参考辐射照度,如此,在标定光探测装置上的第一辐射照度为参考辐射照度时,可确定驱动发光二极管光源的第一电流值,按照该第一电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置,能够使得照射待测光探测装置的辐射照度为预设辐射照度,因此,可将该第一电流值确定为发光二极管光源所需要的驱动电流值。

从而,测试设备便于按照该驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置,在发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射照度为预设辐射照度时,测试设备通过电流采集装置采集到的待测光探测装置上产生的光生电流值精确度较高。

示例性地,本申请还提供一种光生电流测试装置,应用于测试设备,所述测试设备包括发光二极管光源、标定光信息探测器和电流采集装置。

下面,结合图9,对本申请一实施例提供的光生电流测试装置进行详细说明。

请参阅图9,图9示出了本申请一实施例提供的光生电流测试装置的示意性框图。

如图9所示,光生电流测试装置300可以独立存在,也可以集成在其他设备中,可以与上述测试设备之间实现相互通信,用于实现上述所示方法的实施例中对应于测试设备的操作,本申请的光生电流测试装置300可以包括:确定模块301、驱动模块302和采集模块303。

确定模块301,用于根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定发光二极管光源的驱动电流值;

驱动模块302,用于按照驱动电流值驱动发光二极管光源照射待测光探测装置;

采集模块303,用于在照射过程中,通过电流采集装置,采集待测光探测装置上产生的光生电流值。

在一些实施例中,确定模块301,还用于:

确定第一比例系数、第二比例系数、发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射强度,第一比例系数用于指示发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射状态,第二比例系数用于指示发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射状态;

根据第一比例系数、第二比例系数、发光二极管光源照射标定光探测装置的辐射强度,和发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射强度,确定辐射偏差信息为发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值;

根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射偏差信息,确定发光二极管光源的驱动电流值,包括:

根据发光二极管光源分别照射标定光探测装置与待测光探测装置之间的辐射照度的比值,确定发光二极管光源的驱动电流值。

在一些实施例中,确定模块301,具体用于:

确定发光二极管光源照射标定光探测装置的第一受照射面,以及发光二极管光源与标定光探测装置之间的第一距离;

根据第一受照射面和第一距离,确定第一比例系数。

在一些实施例中,确定模块301,具体用于:

确定发光二极管光源照射待测光探测装置的第二受照射面,以及发光二极管光源与待测光探测装置之间的第二距离;

根据第二受照射面和第二距离,确定第二比例系数。

在一些实施例中,确定模块301,具体用于:

在确定发光二极管光源照射待测光探测装置的辐射照度为预设辐射照度时,根据辐射照度的比值和发光二极管光源照射待测光探测装置的预设辐射照度,确定发光二极管光源照射标定光探测装置的参考辐射照度;

按照第一电流值驱动发光二极管光源照射标定光探测装置;

在照射过程中,通过光信息采集装置,采集发光二极管光源照射标定光探测装置的第一辐射照度;

在第一辐射照度不为参考辐射照度时,调第一电流值,直至第一辐射照度为参考辐射照度,将第一辐射照度对应的第一电流值,确定为发光二极管光源的驱动电流值。

在一些实施例中,所述发光二极管光源包括如下至少一项:黄光发光二极管光源、绿光发光二极管光源、青光发光二极管光源、蓝光发光二极管光源、红光发光二极管光源、橙光发光二极管光源,或红外发光二极管光源。

示例性地,本申请提供一种测试设备,该测试设备包括发光二极管光源、标定光探测装置、电流采集装置、光信息采集装置,以及用于执行前文实施例中的光生电流测试方法的装置。

示例性地,本申请提供一种测试设备,包括一个或多个处理器;存储器;以及一个或多个计算机程序,其中一个或多个计算机程序存储在存储器上,当计算机程序被一个或多个处理器执行时,使得测试设备执行前文实施例中的光生电流测试方法。

可以理解的是,测试设备为了实现上述功能,其包含了执行各个功能相应的硬件和/或软件模块。结合本文中所公开的实施例描述的各示例的算法步骤,本申请能够以硬件或硬件和计算机软件的结合形式来实现。某个功能究竟以硬件还是计算机软件驱动硬件的方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以结合实施例对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

本实施例可以根据上述方法示例对测试设备进行功能模块的划分,例如,可以对应各个功能划分各个功能模块,也可以将两个或两个以上的功能集成在一个处理模块中。上述集成的模块可以采用硬件的形式实现。需要说明的是,本实施例中对模块的划分是示意性的,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式。

在采用对应各个功能划分各个功能模块的情况下,上述实施例中涉及的测试设备还可以包括:确定模块、驱动模块和采集模块。其中,触发模块、搜索模块、和注册模块相互配合,可以用于支持测试设备执行上述步骤,和/或用于本文所描述的技术的其他过程。

需要说明的是,上述方法实施例涉及的各步骤的所有相关内容均可以援引到对应功能模块的功能描述,在此不再赘述。

本实施例提供的测试设备,用于执行上述光生电流测试方法,因此可以达到与上述实现方法相同的效果。

示例性地,本申请提供一种芯片系统,芯片系统包括处理器,用于从存储器中调用并运行计算机程序,使得安装有芯片系统的测试设备执行前文实施例中的光生电流测试方法。

示例性地,本申请提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质中存储有代码或指令,当代码或指令在测试设备上运行时,使得测试设备执行时实现前文实施例中的光生电流测试方法。

示例性地,本申请提供一种计算机程序产品,当计算机程序产品在计算机上运行时,使得测试设备实现前文实施例中的光生电流测试方法。

其中,本实施例提供的测试设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品或芯片系统均用于执行上文所提供的对应的方法,因此,其所能达到的有益效果可参考上文所提供的对应的方法中的有益效果,此处不再赘述。

通过以上实施方式的描述,所属领域的技术人员可以了解到,为描述的方便和简洁,仅以上述各功能模块的划分进行举例说明,实际应用中,可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成,即将装置的内部结构划分成不同的功能模块,以完成以上描述的全部或者部分功能。

在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,模块或单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个装置,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是一个物理单元或多个物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个不同地方。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。

集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一个设备(可以是单片机,芯片等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(read only memory,ROM)、随机存取存储器(random access memory,RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上内容,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

相关技术
  • 光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法
  • 基于电流传感器的测试设备及测试方法
  • 一种电容器产品浪涌电流性能测试方法及测试设备
技术分类

06120116486521