显示基板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别关于一种显示基板及其制备方法。

背景技术

近年，随着有机半导体材料的发现和发展，已经制备出了利用有机材料代替无机材料作为载流子传输的有机薄膜晶体管器件，并且有机薄膜晶体器件的性能正逐步提升。

有机薄膜晶体管(Organic Thin FilmTransistor，OTFT)的基本结构和功能与传统的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基本相同，不同的是有机薄膜晶体管采用了有机半导体作为工作物质。传统的薄膜晶体管，是利用低温多晶硅（P-Si）或者金属氧化物（IGZO）做沟道，形成场效应管。而有机薄膜晶体管则采用有机半导体材料取代低温多晶硅导体材料做沟道，形成场效应管。与现有的非晶硅或多晶硅TFT相比，OTFT具有以下特点：加工温度低，一般在180℃以下，能够适用于柔性显示基板制备；工艺过程大大简化，成本大幅度降低；材料来源广泛，发展潜力大。OTFT有可能在许多电子产品上得到应用，如有源矩阵显示器等。

然而，如果直接采用传统的薄膜晶体管的图案设计和制备工艺形成有机薄膜晶体管容易导致有机半导体晶体管损伤。有鉴于此，需要提出一种新的显示基板，以克服现有的制备工艺不合理、制备步骤等限制有机薄膜晶体管性能的问题。

发明内容

本发明提供了一种显示基板及其制作方法，克服现有的基于有机薄膜晶体管的显示基板中，因制备步骤顺序不合理和制备步骤复杂的导致的有机薄膜晶体管性能不佳的问题。

本发明一实施例中提供一种显示基板，包括基板，所述衬底设置有阵列排布的多个像素结构，每一像素结构包括：有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管设置在所述衬底的第一区域；像素电极，所述像素电极设置在所述衬底的第二区域；其中，所述第一区域和所述第二区域沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧。

作为可选的技术方案，所述有机薄膜晶体管还包括自下而上层叠设置的栅极、栅极绝缘层、相互隔开的源极和漏极以及有机半导体层。

作为可选的技术方案，每一像素结构还包括像素定义层，所述像素定义层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上，所述像素定义层包括沟道开孔区和像素开孔区，部分所述源极和部分所述漏极分别自所述沟道开孔区中暴露出，所述像素电极自所述像素开孔区中暴露出。

作为可选的技术方案，所述有机半导体层形成于所述沟道开孔区中，接触暴露出的部分所述源极和暴露出的部分所述漏极，且覆盖于部分所述源极、部分所述栅极绝缘层和部分所述漏极各自远离所述衬底一侧。

作为可选的技术方案，还包括电源线和数据线，所述电源线和所述数据线分别与所述像素电极同层设置。

作为可选的技术方案，每一像素结构还包括储存电容，所述储存电容包括电容上电极；所述电容上电极和所述像素电极分别设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧。

作为可选的技术方案，所述储存电容还包括电容下电极，所述电容下电极与所述栅极图案层同层设置。

本发明还一实施例中还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板的制备方法包括：

S201、提供衬底；

S202、形成有机薄膜晶体管在所述衬底的第一区域；以及

S203、形成像素电极在所述衬底的第二区域；

其中，所述第一区域和所述第二区域沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧。

作为可选的技术方案，所述S2形成有机薄膜晶体管在所述衬底的第一区域，还包括：形成栅极于所述衬底的一侧；形成栅极绝缘层于所述栅极远离所述衬底的一侧表面上；形成源极和漏极于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上；所述S3形成像素电极于所述衬底的第二区域，还包括：形成像素电极于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上。

作为可选的技术方案，还包括：

S204、形成像素定义层于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上；

S205、形成多个沟道开孔区和多个像素开孔区于所述像素定义层中，所述源极和所述漏极从对应的沟道开孔区中暴露出；

S206、形成有机半导体层至所述沟道开孔区中，所述有机半导体层接触部分所述源极和部分所述漏极，且覆盖于部分所述源极、部分所述栅极绝缘层和部分所述漏极各自远离所述衬底一侧。

与现有技术相比，本发明提供一种显示基板及其制备方法，显示基板中每一像素结构中的像素电极和有机薄膜晶体管设置在基板的上两个不同区域并列布置在基板的一侧，利于简化显示基板的制备工艺步骤，确保显示基板上控制OLED发光器件的阵列功能层的厚度较低，有助于提高有机薄膜晶体管中沟道特性。另外，将像素区域中的有机薄膜晶体的有机半导体层放在有机薄膜晶体管制备的最后，即，先形成像素定义层，再形成有机半导体层，可有效减少在有机半导体层上的光刻次数，避免有机半导体层的沟道特性下降，提升有机薄膜晶体管的性能和使用寿命。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1至图5为本发明的一实施例中的显示基板的制备过程的俯视示意图。

图6为图5中显示基板的部分结构的剖面示意图。

图7为图6中的显示基板形成有机半导体层后的剖面示意图。

图8为本发明一实施例中的像素电路的示意图。

图9为本发明一实施例中的显示基板的制备方法的流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

现有技术的有机薄膜晶体管的结构和制备方法与传统薄膜晶体管基本相同，现有有机薄膜晶体管的结构制备中，在源漏极制程之后一般形成采用光刻工艺制作有机半导体层，然后，在有机半导体层步骤之后制作例如钝化层、平坦层、像素电极、像素定义层等其他的功能膜层。

现有的有机薄膜晶体管中其他功能膜层的制作往往也是采用光刻工艺实现，即，采用光刻工艺制作其他功能膜层过程中，多次光刻制程会影响有机半导体层，特别是刻蚀层的光刻胶溶剂会对有机半导体层的沟道产生影响，例如表面溶解；沟道边缘可能受到刻蚀媒介的影响，例如边缘过刻、氧化、离子从侧壁注入等效应；光刻硬烘工艺温度过高导致有机半导体材料性能变化，通常这样的光刻处理方法会显著影响有机半导体层的沟道性能，并且会导致有机薄膜晶体管的漏电流增加。因此，这种因刻蚀层的光刻胶溶剂会对有机半导体层产生影响，导致有机薄膜晶体管器件的性能下降，使用寿命降低。

为了避免蚀层的光刻胶溶剂会对有机半导体层产生的影响，往往需要在有机半导体层上形成多层保护膜层结构，但多层保护膜层结构不仅增加了显示基板的制程步骤，而且由于有机薄膜晶体管的叠层厚度增加导致整体电传导性能下降。

如图1至图7所示，本发明提供显示基板包括衬底10，衬底10包括呈阵列排布的多个像素结构P，每一像素结构P包括有机薄膜晶体管和像素电极90，有机薄膜晶体管设置在衬底10的第一区域S1；像素电极90设置在衬底10的第二区域S2，其中，第一区域S1和第二区域S2沿平行衬底10的方向并列设置在衬底10的一侧。

这种将有机薄膜晶体管和像素电极90在衬底10的一侧不同区域内水平展开，像素电极90不再层叠设置在有机薄膜晶体管上方的像素结构，有利于简化显示基板的制备工艺步骤，控制OLED发光器件的阵列功能层的厚度降低，有助于提高有机薄膜晶体管中沟道特性。

上述有机薄膜晶体管包括自下而上层叠设置的栅极、栅极绝缘层、相互隔开的源极和漏极以及接触部分源极和部分漏极的有机半导体层。

本实施例中，每一像素结构P中至少包括第一有机薄膜晶体50和第二有机薄膜晶体管50’，其中，第一有机薄膜晶体50包括自下而上层叠设置的第一栅极21、栅极绝缘层40、相互隔开的第一源极51和第一漏极52以及接触部分第一源极51和部分第一漏极52的第一有机半导体层110；第二有机薄膜晶体50’包括自下而上层叠设置的第二栅极21’、栅极绝缘层40、相互隔开的第二源极53和第二漏极54以及接触部分第二源极53和部分第二漏极54的第二有机半导体层120。

如图5和图6所示，像素定义层100设置在第一有机薄膜晶体50和第二有机薄膜晶体管50’远离衬底10的一侧，像素定义层100对应每一像素结构P的区域中设置像素开孔区1021、第一沟道开孔区1022、第二沟道开孔区1023；其中，部分第一源极51和部分第一漏极52分别自第一沟道开孔区1022中暴露出；部分第二源极53和部分第二漏极54分别自第二沟道开孔区1023中暴露出；像素电极90自像素开孔区1021中暴露出。

较佳的，像素定义层100覆盖在衬底10的整个表面上。

如图7中所示，第一有机半导体层110接触暴露出的部分第一源极51和部分第一漏极52，并覆盖部分第一源极51、部分第一漏极52和部分栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上，通过接触第一源极51和第一漏极52之间的栅极绝缘层40与第一栅极21之间空间交叠，构成场效应沟道。同样的，第二有机半导体层120接触暴露出的部分第二源极53和部分第二漏极54，并覆盖部分第二源极53、部分第二漏极54和部分栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上，通过接触第二源极53和第二漏极54之间的栅极绝缘层40与第二栅极21’之间空间交叠，构成场效应沟道。

如图6和图7中所示，像素开孔区1021的尺寸小于像素电极90的尺寸，保证后续蒸镀OLED材料后，OLED材料能与阳极完整接触。

本实施例中，在像素定义层100形成之后，通过构图工艺在第一沟道开孔区1022和第二沟道开孔区1023像分别形成对应的第一有机半导体层110和第二有机半导体层120。

其中，第一有机半导体层110和第二有机半导体层120在像素结构P的像素定义层100之后形成，即，将半导体层的制作放到像素结构P的最后一步去完成，以克服通过光刻工艺制作像素电极、电容上电极、源极线、电源线等控制OLED发光器件的其他功能层时，因光刻胶溶剂、烘烤温度、蚀刻方式等对有机半导体层造成影响，降低有机薄膜晶体管的性能及使用寿命等问题。即，本发明中减少了在有机半导体层上的光刻次数，进而有效避免有机半导体层的沟道特性下降。

另外，通过像素定义层一并定义出沟道开孔区和像素开孔区的结构，相较于采用不同绝缘膜层分别定义沟道开孔区和像素开孔区的结构，能够显著减少显示基板的步骤。

如图7所示，每一像素结构中还包括储存电容，储存电容包括电容上电极80和电容下电极30，其中，电容上电极80和像素电极90同层设置于栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上，且，电容上电极80和像素电极90在同一步骤中形成。

电容下电极30和栅极线20在同一步骤中形成，均位于衬底10的一侧。

本实施例中，电容上电极80在衬底10上的正投影和电容下电极30在衬底10上的正投影相互重叠。

以下将结合图1至图7，详细说明本发明上述显示基板的具体制备工艺。

如图1所示，通过构图工艺在衬底衬底10上制作第一栅极21、第二栅极21’、栅极线20和电容下电极30，其中，衬底10可以为玻璃基板，也可以为塑料基板，优选为塑料基板。

本发明中上述构图工艺指光刻胶的涂覆、曝光、显影的光刻过程、刻蚀过程以及刻蚀后的去除光刻胶过程。其中，通过构图工艺制作第一栅极21、第二栅极21’、栅极线20、电容下电极30的具体过程为:

在衬底10的一侧通过物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition)的方法沉积一层第一导电薄膜，如：第一导电薄膜的导电材料可以选择金属、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、掺杂硅、有机导电物等，优选地，第一导电薄膜的导电材料选择金属材料，如金属钼(Mo)。本实施例中，第一导电薄膜的厚度例如为250nm。但，本发明中并不对第一导电薄膜的厚度作限定，在实际生产过程中，可以根据具体的工艺需要进行调整。

在沉积的第一导电薄膜上涂覆一层光刻胶，优选地，涂覆的光刻胶为正性光刻胶，接着采用掩膜板对正性光刻胶进行曝光，再用显影液进行显影，通过干法刻蚀的方法刻蚀掉暴露出的第一导电薄膜，最后去除剩余的光刻胶，形成第一栅极21、第二栅极21’、栅极线20和电容下电极30。

本实施例中，电容下电极30和栅极图案层（第一栅极21、第二栅极21’和栅极线20共同构成栅极图案层）是通过一次构图工艺在衬底10上同时形成，但不以此为限。在本发明其他实施例中，也可以是，通过两次构图工艺分次在基板的一侧制作栅极图案层和电容下电极。

另外，在形成栅极图案层和电容下电极30之前，在实际生产过程中，衬底10的一侧还可以设置缓冲层（未图示），缓冲层用以使得衬底10的表面更加平整和光滑，栅极图案层和电容下电极可形成于缓冲层远离衬底10的一侧表面上。

如图2所示，在栅极21、21’、栅极线20和电容下电极30远离衬底10的一侧表面上形成栅极绝缘层40。栅极绝缘层40通过构图工艺形成接触孔41，接触孔41用于导通第一漏极52和电容下电极30。

本实施例中，栅极绝缘层40形成在衬底10的整个表面上以覆盖第一栅极21、第二栅极21’、栅极线20和电容下电极30。

栅极绝缘层40的材料可选自氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、金属氧化物、金属氮化物、有机材料等构成的绝缘薄膜，优选地，栅极绝缘层40选择SiO

另外，栅极绝缘层40可以是单层膜层结构，也可以是多层膜层层叠结构。

如图3所示，通过构图工艺在栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上制作第一源极51和第一漏极52、以及第二源极53和第二漏极54。

具体地，在栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上通过物理气相沉积 (PhysicalVapor Deposition)的方法沉积一层第二导电薄膜，第二导电薄膜的材料可以选自金属、ITO等，其中，金属包括金(Au)、银(Ag)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、Al/Ti/TiN层状合金等，优选地，第二导电薄膜的材料为ITO。

在沉积的第二导电薄膜上涂覆一层光刻胶，优选地，涂覆的光刻胶为正性光刻胶,接着采用掩膜板对正性光刻胶进行曝光，再进行显影，通过湿法刻蚀的方法刻蚀掉暴露出的第二导电薄膜；最后去除剩余的光刻胶，形成本实施例中的第一源极51和第一漏极52；以及第二源极53和第二漏极54。

本实施例中，相互隔开的第一源极51和第一漏极52在衬底10上的正投影分别覆盖在第一栅极21在衬底10上的正投影的两侧；相互隔开的第二源极53和第二漏极54在衬底10上的正投影分别覆盖在第二栅极21’在衬底10上的正投影的两侧。

如图4所示，通过构图工艺在栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上制作像素电极90、电容上电极80、电源线70以及数据线60。

具体地，在栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上通过物理气相沉积 (PhysicalVapor Deposition)的方法沉积一层第三导电薄膜，如：第三导电薄膜的导电材料可以选择金属、ITO、ITO/Ag/ITO复合导电膜、掺杂硅、有机导电物等，优选地，第三导电薄膜的导电材料为ITO/Ag/ITO复合导电膜。

在沉积的第三导电薄膜上涂覆一层光刻胶，优选地，涂覆的光刻胶为正性光刻胶，接着采用掩膜板对正性光刻胶进行曝光，再用显影液进行显影，通过湿法刻蚀的方法刻蚀掉暴露出的第三导电薄膜，最后去除剩余的光刻胶，形成像素电极90、电容上电极80、电源线70以及数据线60。

本实施例中，像素电极90例如为OLED阳极。

本实施例中，像素电极90、电容上电极80、电源线70以及数据线60是通过一次构图工艺在衬底10上同时形成，但不以此为限。在本发明其他实施例中，也可以是，通过两次构图工艺分次在基板的一侧的栅极绝缘层远离基板的一侧表面上制作出像素电极和电容上电极后，再制作电源线和数据线。

如图4所示，电容上电极80在衬底10上正投影与电容下电极30在衬底10上的正投影存在重叠区域。另外，像素电极90电连接于第二栅极21’上方的第二漏极54；数据线60电连接于第一栅极21上方的第一源极51；电源线70的分支71电连接于第二栅极21’上方的第二源极53；电容上电极80电连接于电源线70。

其中，像素电极90、电容上电极80、电源线70以及数据线60、第一薄膜晶体管50、第二有机薄膜晶体管50’和储存电容之间相互电性连通，并共同构成2T1C的像素电路（如图8所示）。

如图8所示，一种2T1C像素电路包括开关晶体管T1（对应于第一有机薄膜晶体管50）、驱动晶体管T2（对应于第二有机薄膜晶体管50’）以及存储电容Cs。

结合图1至图5可知，开关晶体管T1的第一栅极21连接扫描线(图中未示出)以接收扫描信号Scan；驱动晶体管T2的第二源极53连接到数据线(图中未示出)以接收数据信号Vdata；开关晶体管T1的第一漏极52连接到驱动晶体管T2的第二栅极21’； 驱动晶体管T2的第二源极53连接到第一电压端以接收第一电压Vdd，驱动晶体管T2的第二漏极54连接到OLED的正极端；存储电容Cs的一端连接到开关晶体管T1的第一漏极52以及驱动晶体管T2的第二栅极21’， 存储电容Cs的另一端连接到驱动晶体管T2的第二源极53以及第一电压端。

OLED发光器件的负极端连接到第二电压端以接收第二电压Vss，例如，第一电压Vdd的电压值大于第二电压Vss的电压值。

本实施例中，2T1C像素电路使用两个有机薄膜晶体管50、50’和存储电容Cs来控制包括像素电路的像素单元的灰阶。当扫描信号Scan(经由扫描线施加)开启开关晶体管T1时，经由数据线送入的数据信号Vdata(数据驱动电路提供)将经由开关晶体管T1对存储电容Cs充电，由此数据信号Vdata可存储在存储电容Cs中，且存储在存储电容Cs中的数据信号Vdata可以驱动晶体管T2的导通程度，由此可以控制驱动晶体管T2生成的驱动电流(用于驱动OLED发光)的强度，此电流的强度决定包括该像素电路的像素单元的灰阶。

图8所示的2T1C的像素电路仅为示意，在实际的显示基板的设计中，为了改善显示基板的显示效果，还可以在像素电路中设置更多数量的薄膜晶体管以及存储电容，本发明实施例对此不做限定。

如图5所示，形成像素定义层100于栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上并覆盖第一有机薄膜晶体管50、第二有机薄膜晶体管50’以及像素电极90。

具体地，通过旋转涂覆（spin coater）或者狭缝式涂覆( slit coater)的方式在栅极绝缘层40远离衬底10的一侧涂覆有机光刻胶膜层，优选地，涂覆的有机光刻胶膜层为正性光刻胶，接着采用掩膜板对正性光刻胶膜层进行曝光，再进行显影，通过湿法刻蚀的方法刻蚀掉暴露出的有机光刻胶膜层，在经过烘烤成型，形成本实施例中的像素定义区域101和像素区域102，其中，像素区域102中包括像素区开孔1021、第一沟道区开孔1022、第二沟道区开孔1023。

像素定义层100的材料可以是选自树脂、聚酰亚胺、有机硅等，优选为，聚酰亚胺。像素定义层100的高度可以为1.0-2.0μm；像素定义区域101的tape角A为锐角，较佳为35-70°。

在本发明其他实施例中，通过旋转涂覆（spin coater）或者狭缝式涂覆( slitcoater)的方式在栅极绝缘层远离衬底的一侧涂覆有机光刻胶膜层，优选地，涂覆的有机光刻胶膜层为负性光刻胶，接着采用掩膜板对负性光刻胶膜层进行曝光，再进行显影，通过湿法刻蚀的方法刻蚀掉暴露出的有机光刻胶膜层，在经过烘烤成型，形成像素定义区域和像素区域，其中，像素区域中包括像素区开孔、第一沟道区开孔、第二沟道区开孔。其中，像素定义区域的tape角为钝角。

如图7所示，在第一沟道区开孔1022中形成第一有机半导体层110，以及，在第二沟道区开孔1023中形成第二有机半导体层120，其中，第一有机半导体层110接触部分第一源极51和部分第一漏极52，并覆盖部分第一源极51、栅极绝缘层40和部分第一漏极52远离衬底10的一侧表面上；第二有机半导体层120接触部分第二源极53和部分第二漏极54，并覆盖部分第二源极53、栅极绝缘层40和部分第二漏极54远离衬底10的一侧表面上。

本实施例中，第一、第二有机半导体层110、120可以由有机半导体材料形成，有机半导体材料例如，高分子量有机半导体层可以由下述材料之一形成：聚噻吩、聚对苯撑1,2亚乙烯基(polyparaphenylenevinylene）、聚对苯撑、聚苏、聚噻吩1,2亚乙烯基、杂环聚噻吩芳香族共聚物以及这些材料的衍生物；例如，低聚物有机半导体层可以由下述材料之一形成:并五苯、并四苯、萘的低聚并苯、α6-噻吩、α-5-噻吩的低聚噻吩、含金属的或者不含金属的酞菁、高温蜜石二酐(pyromelitic dianhydride）或者高温蜜石二酰亚胺(pyromelitic dimide）和苝四羧基二酐（perylentetracarbossyidianhydride）或苝四羧基二酰亚胺(perylentetracarbossyl dimide）以及这些材料的衍生物。

具体地，在像素定义层100远离基板的一侧表面上形成有机半导体薄膜，在沉积的有机半导体薄膜上涂覆一层光刻胶，优选地，涂覆的光刻胶为正性光刻胶，接着采用掩膜板对正性光刻胶进行曝光，再进行显影，通过干法刻蚀的方法刻蚀掉暴露出的有机半导体薄膜；最后去除剩余的光刻胶，形成本实施例中的第一、第二有机半导体层110、120。

本发明中，将有机薄膜晶体管中的有机半导体层于晶体管制备的最后一步中形成，相较于现有的有机薄膜晶体管中有机半导体层在像素定义层之前形成的制备工艺，可有效减少在有机半导体层上的光刻次数，进而避免有机半导体层的沟道特性下降。

如图9所示，本发明还提供一种显示基板的制备方法。以下结合图1至图7中所示的显示基板说明图9中所示的显示基板的制备方法。

S201、提供衬底10；

S202、形成有机薄膜晶体管在衬底10的第一区域S1；以及

S203、形成像素电极90在衬底10的第二区域上S2；

其中，第一区域S1和第二区域S2沿平行衬底10的方向并列设置在衬底10的一侧。

本实施例中，S202形成有机薄膜晶体管在衬底10的第一区域，还包括：

形成栅极于衬底10的一侧；具体地包括：通过构图工艺在衬底10 的一侧形成第一栅极21、第二栅极21’和栅极线20；

形成栅极绝缘层40于栅极远离衬底10的一侧表面上；

形成源极和漏极于栅极绝缘层40远离基板的一侧表面上；具体地包括：通过构图工艺在栅极绝缘层40远离衬底10 的一侧形成第一源极51和第一漏极52、第二源极53和第二漏极54；

本实施例中，S203形成像素电极于所述衬底的第二区域，还包括：

形成像素电极90于栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上。

图9中所示的显示基板的制备方法还包括：

S204、形成像素定义层100于栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上；

S205、形成多个沟道开孔区和多个像素开孔区于所述像素定义层中，所述源极和所述漏极从对应的沟道开孔区中暴露出；具体地包括：像素定义层100对应每一像素结构P的区域中，通过构图工艺形成像素开孔区1021、第一沟道开孔区1022和第二沟道开孔区1023，其中，像素电极90自像素开孔区1021中暴露出，部分第一源极51和部分第一漏极52分别自第一沟道开孔区1022中暴露出，部分第二源极53和部分第二口技53分别自第二沟道开孔区1023中暴露出。

S206、形成有机半导体层至对应的沟道开孔区中，有机半导体层接触部分所述源极和部分所述漏极，且覆盖于部分所述源极、部分所述栅极绝缘层和部分所述漏极各自远离所述衬底一侧。具体地包括：通过构图工艺形成第一有机半导体层110于第一沟道开孔区1022中，形成第二有机半导体层120于第二沟道开孔区1023中；第一有机半导体层110接触暴露出的部分第一源极51和部分第一漏极52，并覆盖部分第一源极51、部分第一漏极52和部分栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上；第二有机半导体层120接触暴露出的部分第二源极53和部分第二漏极54，并覆盖部分第二源极53、部分第二漏极54和部分栅极绝缘层40远离衬底10的一侧表面上。

综上，本发明提供一种显示基板及其制备方法，显示基板中每一像素结构中的像素电极和有机薄膜晶体管设置在基板的上两个不同区域并列布置在基板的一侧，利于简化显示基板的制备工艺步骤，确保显示基板上控制OLED发光器件的阵列功能层的厚度较低，有助于提高有机薄膜晶体管中沟道特性。另外，将像素区域中的有机薄膜晶体的有机半导体层放在有机薄膜晶体管制备的最后，即，先形成像素定义层，再形成有机半导体层，可有效减少在有机半导体层上的光刻次数，进而避免有机半导体层的沟道特性下降，提升有机薄膜晶体管的性能和使用寿命。

当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。