一种OLED显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体为一种OLED显示面板及显示装置。

背景技术

在OLED显示行业中，厂家通常会在屏体的边缘非AA区(显示像素区)，设置DummyPixel(虚拟像素单元)，Dummy Pixel(虚拟像素单元)本身并不参与驱动显示，作用是为了提升显示区域阵列图形在干刻后的尺寸均一性。具体来说，因为屏体边缘位置的图形密度差异会导致等离子气体刻蚀时速率差异，所增加的Dummy Pixel，可以提升更靠内的像素单元阵列图形尺寸均一性。

现有技术在设置Dummy Pixel时，为了避免大面积金属电位Floating(浮置)，通常将Dummy Pixel外接电位，降低ESD(Electro-Static discharge，静电释放)的风险。具体为Dummy Pixel外围一圈通过金属Ti/Al/Ti短接，再外连恒定VGH电位(例如+7V)，该VGH电位走线同时连接了GIP电路。由于Dummy Pixel区域上方存在大面积ITO/Ag/ITO膜层，膜层在外围ELVSS搭接区搭接阴极，具有ELVSS低电位(例如-3V)。正常情况Dummy Pixel区域连接的VGH与ELVSS电位互不影响，但是当因静电击穿或异物等原因，会造成Dummy Pixel区域垂直方向VGH与ELVSS短路，VGH电位被ELVSS电位拉低，实测时GIP EM电路输出低电平。AA区像素电路工作时，由于EM低电平，输入电压V

综上所述，现有技术的显示面板，不能解决既使用Dummy Pixel以保证阵列图形尺寸均一性，又能避免使用Dummy Pixel时发生大面积金属电位Floating或因VGH与ELVSS短路，而造成大电流白屏宕机无显的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种OLED显示面板，能够解决现有的带有Dummy Pixel的显示面板在使用过程中，因使用Dummy Pixel发生大面积金属电位Floating或因VGH与ELVSS短路造成大电流白屏宕机无显的技术问题。

基于相同的发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置。

一方面，本发明实施例提供一种OLED显示面板，显示面板包括显示像素区，以及位于显示像素区边缘的非显示区域；所述非显示区域内设有虚拟像素单元、开关管开启电压电位线及恒定电压电位线，恒定电压电位线与恒定电压电位膜层连接；

虚拟像素单元、恒定电压电位膜层均为包括金属层的多层膜结构，其中恒定电压电位膜层还包括阳极层；在所述多层膜结构上设置过孔，通过过孔将虚拟像素单元的金属层连接至恒定电压电位膜层的金属层或阳极层，使虚拟像素单元的金属层具有恒定电位，且虚拟像素单元的金属层不与开关管开启电压电位线连接。

在优选的实施例中，所述显示面板还包括公共金属层；虚拟像素单元还包括绝缘层，虚拟像素单元的金属层、绝缘层及所述公共金属层层叠设置；恒定电压电位膜层还包括绝缘层，恒定电压电位膜层的金属层、绝缘层及所述公共金属层层叠设置；

在虚拟像素单元的绝缘层和恒定电压电位膜层的绝缘层上均设置过孔，虚拟像素单元的金属层经所述过孔通过具有导电性能的走线连接至公共金属层，恒定电压电位膜层的金属层分别经所述过孔通过具有导电性能的走线连接至公共金属层。

进一步优选地，具有导电性能的走线为金属走线；金属走线设置在公共金属层上。再一步优选地，所述金属走线为金属Mo走线，所述金属层为Ti/Al/Ti膜层。

在优选的实施例中，恒定电压电位膜层包括依次层叠设置的阴极层、阳极层、平坦化层、第四金属层、第三金属层、绝缘层、第二金属层及第一金属层；所述公共金属层为第二金属层或第一金属层；恒定电压电位膜层的第三金属层通过过孔连接至第一金属层或第二金属层。

在优选的实施例中，虚拟像素单元包括第三金属层、绝缘层、第二金属层和第一金属层；所述公共金属层为第二金属层或第一金属层；虚拟像素单元的第三金属层通过过孔连接至第一金属层或第二金属层。

在优选的实施例中，虚拟像素单元还包括层叠在金属层上的平坦化层，在平坦化层上设置过孔，且过孔内填充具有导电性能的连接物，使虚拟像素单元的金属层连接至恒定电压电位膜层的阳极层。

进一步优选地，所述连接物采用与恒定电压电位膜层的阳极层的导电金属材料相同的材料制成；再一步优选地，所述阳极层为ITO/Ag/ITO膜层，所述金属层为Ti/Al/Ti膜层。

在本发明优选的实施例中，所述开关管开启电压电位线为VGH电位线，所述恒定电压电位线为ELVSS信号线。

另一方面，基于相同的发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括本发明实施例所提供的显示面板。

与现有技术相比，本发明实施例提供的OLED显示面板及显示装置，在Dummy Pixel区域接入ELVSS电位，可以起到恒定Dummy Pixel电位作用，避免大面积金属电位floating造成静电积累。此外，Dummy Pixel与VGH电位的走线不相连，不会因显示区域阵列在制程中出现静电击穿或异物等原因，导致VGH与ELVSS短路而造成大电流白屏宕机无显的现象产生。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一个实施例中OLED显示面板的示意图；

图2是本发明一个实施例中OLED显示面板的ELVSS电位膜层结构示意图；

图3是本发明一个实施例中OLED显示面板中虚拟像素单元连接至ELVSS电位膜层的结构示意图；

图4是本发明另一实施例中OLED显示面板的虚拟像素单元膜层结构示意图；

附图说明：1、ELVSS信号线，2、VGH电位线，21、阴极层，22、阳极层，23、PLN层，24、第四金属层，25、第三金属层，26、无机膜层，27、过孔，28、第一金属层或第二金属层，3、虚拟像素单元，31、第一金属层或第二金属层，32、第三金属层，33、第一PLN层，34、第四金属层，35、第二PLN层，36、ITO/Ag/ITO膜层，4、显示像素单元，5、GIP电路。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本发明，而不是限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。

需要说明的是，在本发明中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合附图对实施例进行详细描述。

实施例1

如图1所示，本实施例提供的显示面板，包括显示像素区，以及位于显示像素区边缘的非显示区域；所述显示像素区内阵列设置有显示像素单元4，所述非显示区域内设有虚拟像素单元(Dummy Pixel)3、GIP电路5、VGH电位线2及ELVSS信号线1；其中VGH电位线为显示像素单元的开关管提供开启电压，VGH电位线还与用于驱动屏体显示相关的GIP电路连接。ELVSS电位低于VGH电位。

本实施例为了保证阵列图形尺寸均一性，通过在ELVSS电位和虚拟像素单元的无机膜层上分别设置多个过孔，以便通过在过孔内设置走线将ELVSS电位的第三金属层(即M3)与第一金属层(即M1)或第二金属层(即M2)连接，从而将虚拟像素单元的第三金属层(即M3)与第一金属层(即M1)或第二金属层(即M2)连接，使虚拟像素单元的第三金属层直接连接到靠近屏体边框具有ELVSS电位膜层区域，从而使得虚拟像素单元接入ELVSS电位，使虚拟像素单元具有恒定电位；且虚拟像素单元与VGH不相连，即虚拟像素单元与GIP电路也不相连，不会对显示造成影响。

在本实施例中，ELVSS信号线与具有多层膜结构的ELVSS电位膜层连接，ELVSS电位膜层靠近屏体边框区域，为具有Ti/Al/Ti–ITO/Ag/ITO-阴极的多层膜结构。如图2所示，ELVSS电位膜层包括依次层叠设置的阴极层(cathode层)21、阳极层(anode层)22、平坦化层(PLN)23、第四金属层24、第三金属层25、绝缘层26、第二金属层及第一金属层等膜层，ELVSS信号线与阴极层连接；在无机膜层上设置过孔27，第三金属层25通过过孔连接至第一金属层或第二金属层28，第三金属层25与第四金属层24相接触，且第四金属层24与阳极层(anode层)22连接，阳极层(anode层)22在平坦化层(PLN)23上的开口处与阴极层(cathode层)21连接。本实施例为了描述上的方便，在说明书附图中将第一金属层及第二金属层均用标号28来表示，即28代表虚拟像素单元的第二金属层或者第一金属层。绝缘层26可采用ILD等无机膜层。

与此同时，虚拟像素单元也具有多层膜结构，包括第三金属层、绝缘层、第二金属层和第一金属层；其中，第二金属层和第一金属层均与ELVSS电位膜层共用，为公共金属层。虚拟像素单元的无机膜层上也设有过孔，虚拟像素单元的第三金属层通过过孔连接至第一金属层或第二金属层，从而使虚拟像素单元的第三金属层通过过孔，连接至具有ELVSS电位膜层区域，如图3所示。同理，虚拟像素单元的绝缘层也可采用ILD等无机膜层。

在优选的实施例中，虚拟像素单元的第三金属层可选择虚拟像素外围一圈的Ti/Al/Ti膜层，在第一金属层或第二金属层上设置金属走线(可以为Mo金属走线)，将金属走线的一端连接到虚拟像素外围一圈的Ti/Al/Ti膜层，金属走线的另一端连接到具有ELVSS电位膜层区域。

需要说明的是，本发明的具体实施方式中走线的金属并不限于为Mo，还可以是其它导电金属材料，如铜、铝以及其导电金属氧化物以及合金等。其中，平坦层(PLN3)具有绝缘性，可以将相邻的膜层之间隔开，保证相邻的膜层之间电信号传输的有效性。

在实施例1中，即使Dummy Pixel区域存在制程静电击穿或异物造成膜层短路，Dummy Pixel的Ti/Al/Ti膜层已具有ELVSS电位，且不连入GIP电路，不会对显示造成影响。

实施例2

如图1所示，本实施例提供的显示面板，包括显示像素区，以及位于显示像素区边缘的非显示区域；所述显示像素区内阵列设置有显示像素单元4，所述非显示区域内设有虚拟像素单元(Dummy Pixel)3、GIP电路5、VGH电位线2及ELVSS信号线1；其中VGH电位线为显示像素单元的开关管提供开启电压，VGH电位线还与用于驱动屏体显示相关的GIP电路连接。ELVSS电位低于VGH电位。

在本实施例中，ELVSS信号线与具有多层膜结构的ELVSS电位膜层连接，ELVSS电位膜层靠近屏体边框区域，为具有Ti/Al/Ti–ITO/Ag/ITO-阴极的多层膜结构。ELVSS电位膜层包括依次层叠设置的阴极层(cathode层)、阳极层(anode层)、平坦化层(PLN)、第四金属层、第三金属层、绝缘层、第二金属层及第一金属层等膜层，ELVSS信号线与阴极层连接。其中，绝缘层可采用ILD等无机膜层。

本实施例为了保证阵列图形尺寸均一性，虚拟像素单元通过在平坦化层上设置过孔，使虚拟像素单元的第四金属层连接至ITO/Ag/ITO膜层，即第四金属层与阳极层(anode层)通过过孔进行连接，阳极层(anode层)与阴极层(cathode层)连接，使得虚拟像素单元具有恒定的ELVSS低电位；且虚拟像素单元与VGH不相连，即虚拟像素单元与GIP电路也不相连。

在本实施例中，虚拟像素单元具有多层膜结构，如图4所示，包括依次层叠设置的第二平坦化层(PLN)35、第四金属层34、第一平坦化层(PLN)33、第三金属层32、第二金属层及第一金属层；其中，在第二平坦化层25上设置过孔，过孔的数量为多个且过孔内填充连接物，使得第四金属层连接至上方具有ELVSS电位的ITO/Ag/ITO膜层，从而使虚拟像素单元的第四金属层具备ELVSS电位，且虚拟像素单元与VGH不相连。本实施例中，第三金属层、第四金属层均可选为Ti/Al/Ti膜层。为了描述上的方便，在说明书附图中将第一金属层及第二金属层均用标号31来表示，即31代表虚拟像素单元的第二金属层或者第一金属层。

进一步优选地，过孔内填充的连接物为ITO/Ag/ITO膜层，即ITO/Ag/ITO膜层36延伸至第二平坦化层上设置的过孔内，从而使虚拟像素单元的多层膜结构具有ELVSS电位，且易于生产，结构更加稳定。

需要说明的是，本发明的具体实施方式中连接物并不限于为ITO/Ag/ITO膜层的混合物，还可以是其它导电金属材料，如铜、铝、钼以及其导电金属氧化物以及合金等。

在实施例2中，Dummy Pixel中M4膜层已直接连接上方的ELVSS电位膜层，具有与上方膜层相同的ELVSS电位，不连入GIP电路，不会对显示造成影响。

在本实施例中，PLN层(平坦层)具有绝缘性，可以将相邻的膜层之间隔开，保证相邻的膜层之间电信号传输的有效性。示例性地，第一平坦化层33及第二平坦化层35的材料可为具有绝缘性的Resin(树脂)层。ITO层是含有ITO(氧化铟锡)材料的膜层，通常应用在各种触摸屏上，用于电流传导，具有良好的导电性。

实施例3

与实施例1、实施例2基于相同的发明构思，本实施例提供一种显示装置，该显示装置为包括了实施例1或实施例2显示面板的任何具有显示功能的电子设备，包括但不限于手机、平板、笔记本电脑、电视机、显示幕墙等。其中，显示面板的结构已经在上述实施例中进行了详细的描述，为了使说明书简洁，在本实施例中不再赘述。

需要明确的是，本申请并不局限于上文所描述并在图中示出的特定配置和处理。为了简明起见，这里省略了对已知方法的详细描述。在上述实施例中，描述和示出了若干具体的步骤作为示例。但是，本申请的方法过程并不限于所描述和示出的具体步骤，本领域的技术人员可以在领会本申请的精神后，作出各种改变、修改和添加，或者改变步骤之间的顺序。

还需要说明的是，本申请中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本申请不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。

以上，仅为本申请的具体实施方式，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。应理解，本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。