一种显示面板、制作方法及移动终端

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、制作方法及移动终端。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术是一种新型显示技术，以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐受到人们的关注，在面板显示技术领域占据一定地位。

在OLED显示面板中，阴极层为整层设置，电阻较大，引起电压降。因而需要对此进行改善。现有技术中常常采用将阴极层并联一个辅助电极的方式来改善电压降的问题，但是辅助电极的制作需要额外用到一张掩膜版，掩膜版成本高昂，导致产品的成本增加。怎样在不增加掩膜版的情况下，改善阴极层的电压降问题是本领域的技术人员亟需解决的技术问题之一。

发明内容

本申请提供一种显示面板、制作方法及移动终端，以实现在不增加掩膜版的情况下，改善阴极的电压降问题。

为解决上述方案，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括：

阵列基板；

像素定义层，设置于所述阵列基板上，所述像素定义层包括多个像素开口及多个凹槽；

发光器件层，包括设置于所述阵列基板上的阳极层、设置于所述像素开口内的发光单元、设置于所述发光单元上的功能层、以及设置于所述功能层上的阴极层；以及

辅助电极，与所述凹槽对应；

其中，所述辅助电极包括与所述阳极层同层设置的第一辅助层，所述第一辅助层的侧壁与所述凹槽的侧壁间隔形成第一开口部，所述功能层在所述第一开口部断开，以及所述阴极层覆盖所述第一开口部且与所述第一辅助层的侧壁电连接。

在本申请的显示面板中，所述像素定义层包括：

第一像素定义层，沿第一方向延伸；

第二像素定义层，沿第二方向延伸，所述第二像素定义层位于所述第一像素定义层远离所述阵列基板的一侧；

在所述显示面板的俯视图方向上，所述像素定义层围绕所述显示面板的子像素设置，所述子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素，所述凹槽设置于所述第一像素定义层与所述第二像素定义层的交叠区，以及所述凹槽设置于两个所述蓝色子像素之间。

在本申请的显示面板中，所述像素定义层包括：

第一像素定义层，沿第一方向延伸；

第二像素定义层，沿第二方向延伸，所述第二像素定义层位于所述第一像素定义层远离所述阵列基板的一侧；

在所述显示面板的俯视图方向上，所述像素定义层围绕所述显示面板的子像素设置，所述子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素，所述凹槽设置于所述第一像素定义层与所述第二像素定义层的交叠区，以及所述凹槽设置于所述红色子像素和所述绿色子像素之间。

在本申请的显示面板中，所述第一辅助层包括层叠的第一导电层、第二导电层、第三导电层；

其中，所述第二导电层的端部凸出于所述第一辅助层的侧壁，所述第二导电层的端部与所述阴极层接触。

在本申请的显示面板中，所述第二导电层的端部具有凹凸不平的表面，所述第二导电层的材料包括金属银。

在本申请的显示面板中，所述功能层覆盖所述阴极层，所述功能层在所述第一辅助层的侧壁处断开，所述第一开口部环绕所述凹槽一周。

在本申请的显示面板中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一辅助层的形状包括圆形、多边形。

在本申请的显示面板中，所述辅助电极还包括第二辅助层，所述第二辅助层与所述第一辅助层接触设置，所述第二辅助层与所述阵列基板中的至少一金属层同层设置。

本申请还提供一种上述显示面板的制作方法，所述制作方法包括：

提供一衬底，在所述衬底上制作遮光层及第一金属部；

在所述遮光层上制作缓冲层，在所述缓冲层上制作半导体层；

在所述半导体层上制作栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上制作栅极；

在所述栅极上制作层间绝缘层，采用预设工艺形成多个通孔，所述通过贯穿所述层间绝缘层，暴露出所述遮光层和所述第一金属部；

在所述层间绝缘层上制作源漏极层和第二金属部，所述源漏极层和所述第二金属部填充多个所述通孔；

在所述源漏极层上制作钝化层，在所述钝化层与所述源漏极层和所述第二金属部对应处采用所述预设工艺开口，暴露出所述源漏极层和所述第二金属部；

在所述钝化层上的所述开口中制作连接部和第三金属部；

在所述连接部和所述第三金属部上制作平坦层，在所述平坦层上与所述连接部和所述第三金属部对应处采用所述预设工艺开口，暴露出所述连接部和所述第三金属部；

在所述平坦层上制作阳极层和第一辅助层；

在所述阳极层和所述第一辅助层上制作像素定义层，在所述像素定义层上制作多个像素开口和多个凹槽，在所述像素开口内制作发光单元，所述凹槽对应所述辅助电极设置，以及所述第一辅助层的侧壁与所述凹槽的侧壁间隔形成第一开口部；

在所述像素定义层上制作功能层，所述功能层在所述第一开口部断开；

在所述功能层上制作阴极层，所述阴极层覆盖所述第一开口部且与所述第一辅助层的侧壁电连接。

本申请还提供一种移动终端，包括上述的显示面板。

有益效果：本申请公开了一种显示面板、制作方法及移动终端。所述显示面板包括阵列基板、设置于所述阵列基板上的像素定义层、发光器件层、与所述凹槽对应的辅助电极，所述像素定义层包括多个像素开口及多个凹槽，所述发光器件层包括设置于所述阵列基板上的阳极层、设置于所述像素开口内的发光单元、设置于所述发光单元上的功能层、以及设置于所述功能层上的阴极层；其中，所述辅助电极包括与所述阳极层同层设置的第一辅助层，所述第一辅助层的侧壁与所述凹槽的侧壁间隔形成第一开口部，所述功能层在所述第一开口部断开，以及所述阴极层覆盖所述第一开口部且与所述第一辅助层的侧壁电连接。本申请通过将第一辅助层与阳极层同层设置，因而可以采用同一张掩膜版制作阳极层与第一辅助层；通过将像素开口与凹槽都设置在像素定义层上，因而可以采用同一张掩膜版制作像素开口与凹槽；因此，没有增加掩膜版的数量。通过将辅助电极的侧壁与凹槽的侧壁间隔形成第一开口部，功能层在第一开口部断开，而阴极层连续覆盖第一开口部，可以实现阴极层与第一辅助层的搭接，从而降低阴极层的电阻，改善阴极层的电压降问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请的显示面板的剖面结构示意图；

图2为图1中的第一辅助层处的放大示意图；

图3为本申请的显示面板的俯视结构示意图；

图4为显示面板的像素区域的第一种局部放大示意图；

图5为显示面板的像素区域的第二种局部放大示意图；

图6为本申请的显示面板的俯视方向上的第一辅助层的形状示意图；

图7至图10为本申请的显示面板的制作工艺流程示意图。

附图标记说明：

阵列基板15、阳极层16、像素定义层13、发光单元18、像素开口41、辅助电极17、第一辅助层174、第二辅助层175、凹槽42、功能层12、阴极层11、第一开口部421、第一方向X、第一像素定义层131、第二方向Y、第二像素定义层132、第一导电层171、第二导电层172、第三导电层173、第一金属部31、第二金属部32、薄膜晶体管20、有源层21、遮光层23、源漏极层22、连接部24、第三金属部33、平坦层14、红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B、衬底151。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

在OLED显示面板中，阴极层为整层设置，电阻较大，引起电压降。因而需要对此进行改善。现有技术中常常采用将阴极层并联一个辅助电极的方式来改善电压降的问题，但是辅助电极的制作需要额外用到一张掩膜版，掩膜版成本高昂，导致产品的成本增加。怎样在不增加掩膜版的情况下，改善阴极层的电压降问题是本领域的技术人员亟需解决的技术问题之一。本申请基于上述技术问题提出了以下方案。

本申请公开了一种显示面板。所述显示面板包括阵列基板15、设置于所述阵列基板15上的像素定义层13、发光器件层、与所述凹槽42对应的辅助电极17，所述像素定义层13包括多个像素开口41及多个凹槽42，所述发光器件层包括设置于所述阵列基板15上的阳极层16、设置于所述像素开口41内的发光单元18、设置于所述发光单元18上的功能层12、以及设置于所述功能层12上的阴极层11；其中，所述辅助电极17包括与所述阳极层16同层设置的第一辅助层174，所述第一辅助层174的侧壁与所述凹槽42的侧壁间隔形成第一开口部421，所述功能层12在所述第一开口部421断开，以及所述阴极层11覆盖所述第一开口部421且与所述第一辅助层174的侧壁电连接。

本申请通过将第一辅助层174与阳极层16同层设置，因而可以采用同一张掩膜版制作阳极层16与第一辅助层174；通过将像素开口41与凹槽42都设置在像素定义层13上，因而可以采用同一张掩膜版制作像素开口41与凹槽42；因此，没有增加掩膜版的数量。通过将辅助电极17的侧壁与凹槽42的侧壁间隔形成第一开口部421，功能层12在第一开口部421断开，而阴极层11连续覆盖第一开口部421，可以实现阴极层11与第一辅助层174的搭接，从而降低阴极层11的电阻，改善阴极层11的电压降问题。

图1为本申请的显示面板的剖面结构示意图。图2为图1中的第一辅助层处的放大示意图。图3为本申请的显示面板的俯视结构示意图，需要说明的是，图中的子像素仅为示意，未表明各个子像素的发光面积的真实关系。图4为显示面板的像素区域的第一种局部放大示意图，图4可以为图3中的虚拟框内的放大示意图。需要说明的是，为了说明红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B、第一像素定义层131、第二像素定义层132、凹槽42、第一开口部421在俯视图上的位置关系，未考虑多个结构之间存在的被遮挡后不可见的情况。图5为显示面板的像素区域的第二种局部放大示意图，其设定参照图4。图6为本申请的显示面板的俯视方向上的第一辅助层的形状示意图；图7至图10为本申请的显示面板的制作工艺流程示意图。

在本实施例中，显示面板可以为OLED面板、Mini-LED面板、Micro-LED面板等。

请参阅图1至图2，在显示面板的剖面图方向上，显示面板包括阵列基板15、发光器件层等。阵列基板15包括多个阵列分布的薄膜晶体管20、存储电容等。其中，薄膜晶体管20和存储电容等构成子像素的驱动电路，驱动显示面板的发光单元18发光。发光单元18可为红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元，通过驱动不同颜色的发光单元18发光，进而可以实现彩色画面的显示。

在本实施例中，阵列基板15的薄膜晶体管20可以为顶栅结构(如图1所示)，也可以为底栅结构，薄膜晶体管20可以为单栅结构(如图1所示)，也可以为双栅结构，本申请对此不作限制。

发光器件层包括阳极层16、发光单元18、功能层12、阴极层11。其中，阵列基板15上的驱动电路与阳极层16连接，为发光器件层提供数据信号。阵列基板15上的遮光层23与阴极层11连接，为阴极层11提供低电位信号。在驱动电路工作时，阳极层16提供空穴，阴极层11提供负电荷，阳极层16中的空穴传输到发光单元18，阴极层11的负电荷通过功能层12传输到发光单元18，空穴和负电荷在发光单元18中复合发光。

请参阅图3，在显示面板的俯视图方向上，显示面板包括多个阵列分布的子像素。例如，红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B。

在本实施例中，发光单元18可以采用蒸镀方式制作，也可以采用喷墨打印方式制作。当发光单元18采用喷墨打印方式制作时，其发光材料利用率高，成本低，可进一步降低显示面板的成本。

在本实施例中，像素定义层13可以仅有一层，也可以有两层。当像素定义层13为一层时，像素定义层13围绕每一个发光单元18制作，显示面板的发光单元18的制作工艺可以采用喷墨打印技术，其打印方式可以为SBS(Side By Side，并排隔堤)方案。当像素定义层13为两层时，请参阅图1、图4、图5，像素定义层13包括第一像素定义层131和第二像素定义层132。第一像素定义层131和第二像素定义层132围绕每一个发光单元18制作，显示面板的发光单元18的制作工艺可以采用喷墨打印技术，其打印方式可以为LB(Line Bank，线状隔堤)方案。LB打印方式通过条状掩膜版将一列相同颜色的像素连接在一起，统一打印，能够降低喷墨打印对精度的要求，降低工艺难度。本申请以像素定义层13为两层进行详细说明。

在本实施例中，请参阅图1，辅助电极17对应设置于凹槽42内，凹槽42贯穿像素定义层13，第一辅助层174的侧壁与凹槽42的侧壁间隔设置，形成第一开口部421。应当说明的是，请参阅图4至图5，在显示面板的俯视图方向上，第一开口部421围绕凹槽42一周设置，形成连续的开口通道。

第一辅助层174的材料与阳极层16的材料相同，并且采用同一张掩膜版制作，从而不增加掩膜版的数量，节省成本。凹槽42与像素开口41可采用同一张掩膜版制作，从而不增加掩膜版的数量，节省成本。

在本实施例中，功能层12覆盖在发光单元18、像素定义层13、第一辅助层174上。其中，功能层12在第一开口部421断开，露出第一辅助层174的侧壁。功能层12包括但不限于电子传输层。功能层12可以采用蒸镀工艺制作，也可以采用本领域的常规技术手段制作，需要说明的是，功能层12需要在第一开口部421断开。本申请对功能层12的制作工艺不作限制。

阴极层11连续覆盖于功能层12、第一开口部421上。在第一开口部421，阴极层11与第一辅助层174的侧壁电连接。

现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。

在本申请的显示面板中，所述像素定义层13包括沿第一方向X延伸的第一像素定义层131和沿第二方向Y延伸的第二像素定义层132，所述第二像素定义层132位于所述第一像素定义层131远离所述阵列基板15的一侧；在所述显示面板的俯视图方向上，所述像素定义层13围绕所述显示面板的子像素设置，所述子像素包括红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B，所述凹槽42设置于所述第一像素定义层131与所述第二像素定义层132的交叠区，以及所述凹槽42设置于两个所述蓝色子像素B之间。

在本实施例中，请参阅图4，像素定义层13包括沿第一方向X延伸的第一像素定义层131和沿第二方向Y延伸的第二像素定义层132。其中，第一方向X和第二方向Y垂直设置。第二像素定义层132设置于第一像素定义层131上，且第二像素定义层132的高度大于第一像素定义层131的高度，从而发光单元18可以采用LB打印方式，进一步降低显示面板的制作成本。需要说明的是，采用LB打印方式打印发光单元18时，连续打印一列相同颜色的子像素。第一像素定义层131位于多行同色的子像素之间，由于发光单元18的高度大于第一像素定义层131的高度，因而多行同色的子像素的发光材料可以流通，从而使同一列相同颜色的子像素内的发光单元18的厚度趋于相同，保证显示品质。第二像素定义层132用于将不同颜色的两列子像素隔开。

在本实施例中，显示面板的子像素可以包括红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B，也可以包括其他颜色子像素，本申请对此不作限制。需要说明的是，不同颜色的子像素的发光单元18的发光效率不同。其中，蓝色子像素B的发光效率低于红色子像素R或者绿色子像素G的发光效率。因此，可以将蓝色子像素B的发光面积设置为大于红色子像素R的发光面积，以及蓝色子像素B的发光面积设置为大于绿色子像素G的发光面积，从而平衡各种颜色的发光效率，提升显示面板的显示品质。

请参阅图4，蓝色子像素B的面积大于红色子像素R和绿色子像素G的面积，其中，红色子像素R和绿色子像素G的位置可以交换。凹槽42设置于两个蓝色子像素B之间，且凹槽42设置于第一像素定义层131和第二像素定义层132的交叠处。图4中凹槽42的形状为带圆弧的方形，凹槽42也可以为其他形状，本申请对此不作限制。在有限的面积内，凹槽42在显示面板的俯视图方向上的周长的长度足够大，进一步提升阴极层11和第一辅助层174的搭接效果。需要说明的是，在凹槽42外围的第一像素定义层131的宽度大于其他位置的第一像素定义层131的宽度，在凹槽42外围的第二像素定义层132的宽度大于其他位置的第二像素定义层132的宽度。

需要说明的是，凹槽42在第一像素定义层131上的开口的第一尺寸与凹槽42在第二像素定义层132上的开口的第二尺寸不同。其中，第二尺寸大于第一尺寸，从而使第一像素定义层131的侧壁和第二像素定义层132的侧壁上的阴极层11连续。

在显示面板的俯视图方向，请参阅图4，像素定义层13围绕子像素设置，凹槽42设置于第一像素定义层131和第二像素定义层132的交叠区，从而使凹槽42的深度大于仅有一层像素定义层13时的深度。当功能层12采用蒸镀工艺制作时，功能层12在第一开口部421断开的程度与第一开口部421离像素定义层13上表面的距离相关。第一开口部421距离像素定义层13的上表面的距离越大，则功能层12在第一开口部421内单位面积上沉积得越少，功能层12的膜层越不连续。因而，第一辅助层174的侧壁裸露出的面积越多，提升阴极层11与第一辅助层174的侧壁的搭接效果。

需要指出的是，当像素定义层13只有一层时，仍然可以实现阴极层11与第一辅助层174的搭接。当像素定义层13包括第一像素定义层131和第二像素定义层132时，阴极层11与第一辅助层174的搭接效果进一步得到提升。

在本实施例中，第一像素定义层131包括亲水材料，第二像素定义层132包括疏水材料，从而降低不同颜色的子像素的混色风险。

在本申请的显示面板中，所述像素定义层13包括沿第一方向X延伸的第一像素定义层131和沿第二方向Y延伸的第二像素定义层132，所述第二像素定义层132位于所述第一像素定义层131远离所述阵列基板15的一侧；在所述显示面板的俯视图方向上，所述像素定义层13围绕所述显示面板的子像素设置，所述子像素包括红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B，所述凹槽42设置于所述第一像素定义层131与所述第二像素定义层132的交叠区，以及所述凹槽42设置于所述红色子像素R和所述绿色子像素G之间。

在本实施例中，未详述的内容请参照上述实施例。

在本实施例中，请参阅图5，蓝色子像素B的发光面积大于红色子像素R的发光面积，以及蓝色子像素B的发光面积大于绿色子像素G的发光面积。凹槽42设置于两个红色子像素R和两个绿色子像素G之间，其中，红色子像素R和绿色子像素G的位置可以交换。图5中，凹槽42的形状为圆形，第一像素定义层131围绕凹槽42设置的部分也为圆形，第二像素定义层132围绕凹槽42设置的部分也为圆形，从而保证第一像素定义层131和第二像素定义层132与凹槽42形成的侧壁的厚度均匀。

凹槽42在第一像素定义层131上的开口的第一尺寸与凹槽42在第二像素定义层132上的开口的第二尺寸不同。其中，第二尺寸大于第一尺寸，从而使第一像素定义层131的侧壁和第二像素定义层132的侧壁上的阴极层11连续。

在本申请的显示面板中，请参阅图1和图2，所述第一辅助层174包括层叠的第一导电层171、第二导电层172、第三导电层173；其中，所述第二导电层172的端部凸出于所述第一辅助层174的侧壁，所述第二导电层172的端部与所述阴极层11接触。

在本实施例中，请参阅图1和图2，第二导电层172位于第一导电层171和第三导电层173之间，第二导电层172的材料包括金属银。第一导电层171的材料包括IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)中的一者或者两者的叠层，IZO(氧化铟锌)或ITO(氧化铟锡)可以增加第一导电层171与其他金属层的黏附力，并减小接触阻抗。第三导电层173的材料包括IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)中的一者或者两者的叠层。第三导电层173设置于第二导电层172远离阵列基板15的一侧。第二导电层172的端部凸出于第一辅助层174的侧壁，这也就是说，第二导电层172的侧壁超出第一导电层171侧壁和第二导电层172的侧壁，所述第二导电层172的端部具有凹凸不平的表面。因此，第二导电层172的端部具有较大的接触面积，可以与阴极层11实现更好的搭接效果；同时，第二导电层172的端部凸出，也能够使第二导电层172不被功能层12遮盖，从而提升第二导电层172与阴极层11搭接的概率。

进一步地，在显示面板的剖面图上，请参阅图3，第二导电层172凸出第一导电层171的长度尺寸为几百纳米，功能层12的在第一开口部421的厚度尺寸为几十纳米。由于第二导电层172凸出第一导电层171的长度尺寸大于功能层12的厚度尺寸，因而，功能层12不能遮盖第二导电层172，从而保证第二导电层172裸露在功能层12外，从而保证第二导电层172与阴极层11实现搭接。

在本实施例中，阳极层16的材料与第一辅助层174的材料相同，即阳极层16也可以包括第一导电层171、第二导电层172、第三导电层173。第三导电层173设置于第二导电层172远离阵列基板15的一侧。在阳极层16中，第二导电层172可以为金属银。金属银可以实现对发光单元18的出射光的反射，减少漏光，并阻断光向下透射，提升光的利用率，提高显示面板的显示亮度。在阳极层16中，第一导电层171的材料包括IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)中的一者或者两者的叠层，IZO(氧化铟锌)或ITO(氧化铟锡)可以增加第一导电层171与其他金属层的黏附力，并减小接触阻抗。在阳极层16中，第三导电层173的材料包括IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)中的一者或者两者的叠层。IZO(氧化铟锌)与发光单元18的膜层功函数匹配，可以实现更好地发光效果。

本实施例通过将阳极层16与第一辅助层174采用同样的材料制作，可以共用一张掩膜版，从而节省成本。

在本申请的显示面板中，所述功能层12覆盖所述阴极层11，所述功能层12在所述第一辅助层174的侧壁处断开，所述第一开口部421环绕所述凹槽42一周。

在本实施例中，请参阅图1，功能层12在第一辅助层174的侧壁处断开。功能层12可以采用蒸镀工艺制作，由于凹槽42具有一定的高度，因此，功能层12会在第一辅助层174的侧壁处断开。

请参阅图4和图5，在显示面板的俯视图方向上，第一开口部421环绕凹槽42一周，形成一个相连接的开口通道。

在本申请的显示面板中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一辅助层174的形状包括圆形、多边形。

在本申请的所有实施例中，在显示面板的俯视图方向上，请参阅图6，第一辅助层174的形状包括圆形、多边形等。其中，多边形可以为规则多边形或者包括直线和圆弧的不规则多边形。例如，第一辅助层174的形状包括但不限于圆形(a)、带圆角的正方形(b)、带圆弧的长方形(c)、正八边形(d)、正六边形(e)、带圆角的十字形(f)等。需要说明的是，第一辅助层174的形状能够实现在有限的空间面积内，尽可能增加第一辅助层174的图案的周长，增加第一辅助层174的侧壁与阴极层11搭接的概率。本申请对第一辅助层174的形状不作限制。

进一步的，凹槽42与第一辅助层174匹配设置，这也就是说，凹槽42与第一辅助层174的形状相似，凹槽42与第一辅助层174保持均匀的间隔设置。

在本申请的显示面板中，所述辅助电极17还包括第二辅助层175，所述第二辅助层175与所述第一辅助层174接触设置，所述第二辅助层175与所述阵列基板15中的至少一金属层同层设置。

在本实施例中，请参阅图1，阵列基板15还包括多个阵列分布的薄膜晶体管20。在薄膜晶体管20下方设置有遮光层23，用于阻挡从下方出射的光线，防止光线造成薄膜晶体管20的有源层21的电性劣化。在源漏极层22上设置有钝化层及平坦层14，源漏极层22与阳极层16之间还可以设置有连接部24，连接部24贯穿部分钝化层及平坦层14。

其中，源漏极层22、遮光层23、连接部24都采用金属制作。本实施例中的金属层可以为源漏极层22、遮光层23、连接部24中的任一层。第二辅助层175与阵列基板15中的至少一金属层同层设置，这也就是说，第二辅助层175可以与薄膜晶体管20的至少一金属层同层设置。例如，第二辅助层175可以包括第一金属部31、第二金属部32、第三金属部33中的至少一者。其中，第一金属部31可以与遮光层23同层设置；第二金属部32可以与源漏极层22同层设置，第三金属部33可以与连接部24同层设置。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种上述显示面板的制作方法，请参阅图7至图10，所述制作方法包括：

S1，提供一衬底151，在所述衬底151上制作遮光层23及第一金属部31；

S2，在所述遮光层23上制作缓冲层，在所述缓冲层上制作半导体层；

S3，在所述半导体层上制作栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上制作栅极；

S4，在所述栅极上制作层间绝缘层，采用预设工艺形成多个通孔，所述通过贯穿所述层间绝缘层，暴露出所述遮光层23和所述第一金属部31；

S5，在所述层间绝缘层上制作源漏极层22和第二金属部32，所述源漏极层22和所述第二金属部32填充多个所述通孔；

S6，在所述源漏极层22上制作钝化层，在所述钝化层与所述源漏极层22和所述第二金属部32对应处采用所述预设工艺开口，暴露出所述源漏极层22和所述第二金属部32；

S7，在所述钝化层上的所述开口中制作连接部24和第三金属部33；

S8，在所述连接部24和所述第三金属部33上制作平坦层14，在所述平坦层14上与所述连接部24和所述第三金属部33对应处采用预设工艺开口，暴露出所述连接部24和所述第三金属部33；

S9，在所述平坦层14上制作阳极层16和第一辅助层174；

S10，在所述阳极层16和所述第一辅助层174上制作像素定义层13，在所述像素定义层13上制作多个像素开口41和多个凹槽42，在所述像素开口41内制作发光单元18，所述凹槽42对应所述辅助电极17设置，以及所述第一辅助层174的侧壁与所述凹槽42的侧壁间隔形成第一开口部421；

S11，在所述像素定义层13上制作功能层12，所述功能层12在所述第一开口部421断开；

S12，在所述功能层12上制作阴极层11，所述阴极层11覆盖所述第一开口部421且与所述第一辅助层174的侧壁电连接。

在本实施例中，金属层可以采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)成膜工艺制作，半导体层可以采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)成膜工艺制作。成膜还可以采用其他成膜工艺，本申请对此不作限制。

在本实施例中，图案化工艺的方式包括涂布光阻、曝光、显影、刻蚀工艺等，本申请对此不作限制。在本申请中，制作金属层或者半导体层的方式为：先采用成膜工艺制作一层膜层，然后再采用图案化工艺形成图案，从而得到需要的结构。本领域的技术人员应当知晓其实现方法，本申请对此不作限制。

在本实施例中，请参阅图7，在S1中，衬底151可以为刚性基板或柔性基板，刚性基本包括玻璃等，柔性基板包括聚酰亚胺等。遮光层23和第一金属部31的材料相同，包括钼、钛、铜、锰等中的一者或者多种的合金。制作遮光层23及第一金属部31的方式包括采用成膜工艺形成一层金属层，然后采用图案化工艺得到遮光层23及第一金属部31。通过将遮光层23和第一金属部31在同一道工序中制作，可以使遮光层23和第一金属部31共用一张掩膜版，因而无需再增加掩膜版，节省制作成本。

在S2中，缓冲层可以是氧化硅、氮化硅中的一者或者两者的叠层。半导体层可以为金属氧化物，包括IGZO(氧化铟镓锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IGZTO(氧化铟镓锌锡)等。在遮光层23及第一金属部31上采用成膜工艺制作一层缓冲层。在缓冲层上采用成膜工艺制作一层半导体层，采用图案化工艺对半导体层进行处理，得到有源层21。

在S3中，栅极绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅中的一者或者两者的叠层。栅极的材料包括钼、钛、铜中的一者或者多者的合金。采用成膜工艺及图案化工艺形成栅极后，可以采用栅极自对准，刻蚀栅极绝缘层，仅保留栅极下方的栅极绝缘层，刻蚀掉其余的栅极绝缘层。然后进行整面的导体化处理，没有栅极和栅极绝缘层覆盖的有源层21形成N+导体层，被栅极绝缘层覆盖的有源层21保持半导体特性，作为沟道部。

在S4中，层间绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅中的一者或者两者的叠层。预设工艺包括图案化工艺等。例如，采用黄光定义出多个通孔，再刻蚀出通孔。

请参阅图8，在S5中，源漏极层22的材料为钼钛合金、铜两层金属构成或者由钼钛合金、铜、钼钛合金三层金属构成。第二金属部32的材料为钼钛合金、铜两层金属构成或者由钼钛合金、铜、钼钛合金三层金属构成。需要说明的是，第二金属部32的构成与源漏极层22的构成相同，这也就是说，当源漏极层22包括两层金属时，第二金属部32也包括两层金属；当源漏极层22包括三层金属时，第二金属部32也包括三层金属。通过将源漏极层22和第二金属部32采用同一道工序制作，可以共用一张掩膜版，从而节省成本。

在S6中，钝化层的材料包括氧化硅、氮化硅中的一者或者两者的叠层。在源漏极层22和第二金属部32上方采用成膜工艺制作一层钝化层，再采用图案化工艺形成与源漏极层22和第二金属部32对应的通孔。

在S7中，当源漏极层22和第二金属部32包括两层金属时，则在钝化层上制作连接部24和第三金属部33；当源漏极层22和第二金属部32包括三层金属时，则可以省略连接部24和第三金属部33。应当说明的是，图8中的源漏极层22和第二金属部32包括两层金属。

在S8中，制作平坦层14并图案化，平坦层14只可以采用一层或者两层材料制作。平坦层14的材料包括有机光阻等。

请参阅图9，在S9中，阳极层16和第一辅助层174采用PVD成膜工艺制作，第一辅助层174的材料与阳极层16的材料相同，并且采用同一张掩膜版制作，从而不增加掩膜版的数量，节省成本。

依次采用成膜工艺制作第一导电层171、第二导电层172、第三导电层173，然后进行一次图案化工艺，形成阳极层16和第一辅助层174。

第二导电层172的材料包括金属银。第一导电层171的材料包括IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)中的一者或者两者的叠层，IZO(氧化铟锌)或ITO(氧化铟锡)可以增加第一导电层171与其他金属层的黏附力，并减小接触阻抗。第三导电层173的材料包括IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)中的一者或者两者的叠层。第二导电层172的端部凸出于第一辅助层174的侧壁，这也就是说，第二导电层172的侧壁超出第一导电层171侧壁和第二导电层172的侧壁，所述第二导电层172的端部具有凹凸不平的表面。因此，第二导电层172的端部具有较大的接触面积，可以与阴极层11实现更好的搭接效果；同时，第二导电层172的端部凸出，也能够使第二导电层172不被功能层12遮盖，从而提升第二导电层172与阴极层11搭接的概率。第一辅助层174的材料与阳极层16的材料相同，并且采用同一张掩膜版制作，从而不增加掩膜版的数量，节省成本。凹槽42与像素开口41可采用同一张掩膜版制作，从而不增加掩膜版的数量，节省成本。

在S10中，像素定义层13可以包括第一像素定义层131和第二像素定义层132。第一像素定义层131包括亲水材料，第二像素定义层132包括疏水材料，从而降低不同颜色的子像素的混色风险。

在像素定义层13上采用图案化工艺制作多个像素开口41和多个凹槽42。其中，凹槽42贯穿像素定义层13，暴露出第一辅助层174的侧壁。第一辅助层174的侧壁与凹槽42的侧壁间隔，形成第一开口部421，第一开口部421沿凹槽42侧壁一周设置。凹槽42与像素开口41可采用同一张掩膜版制作，从而不增加掩膜版的数量，节省成本。可以采用喷墨打印方式在像素开口41内制作发光单元18，例如，可以采用LB打印方式，从而降低显示面板的制作成本。

在S11中，在像素定义层13上采用蒸镀工艺制作功能层12，功能层12覆盖显示面板的显示区，由于第二导电层172凸起，功能层12会在第一开口部421断开。

请参阅图10，在S12中，采用磁控溅射工艺或者蒸镀工艺方式制作。其中，通过调整蒸镀工艺的蒸镀角，可以实现阴极层11的连续，同时保证阴极层11与第一辅助层174的侧壁电连接。

在本实施例中，第一金属部31、第二金属部32、第三金属部33电连接。低电压信号可以通过第一金属部31提供给阴极层11。

在显示面板的制作方法中，未详述的内容请参阅本申请提供的显示面板的实施例。

本申请还提供一种移动终端，包括上述的显示面板。

在本实施例中，所述移动终端可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、制作方法及移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。