触控显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及一种触控显示面板和显示装置。

背景技术

已经开发了各种类型的触控面板。触控面板的示例包括单片玻璃方案(one-glass-solution，OGS)触控面板、盒上(on-cell)触控面板和盒内(in-cell)触控面板。盒上触控面板提供了高触控精度。盒上触控面板可分为盒上单层(SLOC)触控面板和盒上多层(MLOC)触控面板。特别地，在具有优越的触控精度和消隐效果的MLOC触控面板中可以实现多点触控。

发明内容

一方面，本公开提供一种显示面板，包括多个第一网格电极以及多个第二网格电极；其中，所述多个第一网格电极中的各个第一网格电极包括沿第一方向依次电连接的多个第一网格块；所述多个第一网格块中的相邻的两个第一网格块通过多个第一导电桥中的相应的第一导电桥彼此电连接；以及所述多个第一导电桥呈阵列布置；其中，所述多个第一网格块包括与截断区域相邻的边界网格块，在所述截断区域中不存在触控结构；以及所述触控显示面板包括移位导电桥，所述移位导电桥从所述多个第一导电桥的所述阵列移位。

可选地，所述移位导电桥从阵列位置移位到非阵列位置；所述阵列位置和所述多个第一导电桥的位置布置在多行和多列中；以及所述非阵列位置从多行和多列的所述阵列移位。

可选地，所述阵列位置是所述触控显示面板具有比所述触控显示面板的平均坡度大的坡度的位置；以及所述非阵列位置是所述触控显示面板的坡度比所述触控显示面板在所述阵列位置处的坡度小的位置。

可选地，所述边界网格块的结构与所述多个第一网格块中的至少一个第一网格块的结构的不同之处在于：所述边界网格块包括在所述阵列位置处的延伸部分；以及所述延伸部分的网格线与所述边界网格块的所述延伸部分以外的网格线位于同一层中，并且与电连接到所述至少一个第一网格块的第一导电桥位于不同的层中。

可选地，所述截断区域是窗口区域；所述窗口区域至少部分地被触控区域围绕；以及所述触控结构被限制于所述触控区域，而不存在于所述窗口区域。

可选地，所述边界网格块包括延伸部分；以及所述多个第一导电桥位于包括多行和多列的同一阵列中；且所述延伸部分与所述多个第一导电桥分别位于所述同一阵列的多个阵列位置处。

可选地，所述边界网格块包括延伸部分；其中，所述移位导电桥包括：一个或多个第一导电延伸部，其电连接到所述延伸部分，所述一个或多个第一导电延伸部远离所述延伸部分朝向所述窗口区域延伸；以及一个或多个第一导电板，其连接到所述一个或多个第一导电延伸部，所述一个或多个第一导电板至少部分地围绕所述窗口区域；其中，所述一个或多个第一导电板电连接到所述多个第一网格电极的网格块，所述网格块位于所述窗口区域的与所述边界网格块所在侧不同的一侧。

可选地，所述一个或多个第一导电延伸部位于第一网格线层中；所述一个或多个第一导电板、所述边界网格块、所述网格块、所述多个第一网格电极的网格块和所述多个第二网格电极的网格块位于第二网格线层中；以及所述触控显示面板还包括位于所述第一网格线层与所述第二网格线层之间的触控绝缘层。

可选地，所述移位导电桥还包括沿着所述延伸部分的与所述窗口区域相邻的边缘的第一电容补偿导电板；以及所述第一电容补偿导电板直接连接到所述延伸部分的至少一个网格线，并且通过贯穿触控绝缘层延伸的过孔连接到所述一个或多个第一导电延伸部。

可选地，所述边界网格块将所述多个第二网格电极中的相应第二网格电极的多个第二网格块中的相邻的两个第二网格块间隔开；以及所述相邻的两个第二网格块中的第一相邻第二网格块、所述边界网格块和所述相邻的两个第二网格块中的第二相邻第二网格块依次围绕窗口区域的外缘的部分。

可选地，所述多个第二网格电极中的所述相应第二网格电极包括依次连接的第二电容补偿导电板、第二导电板和第三电容补偿导电板；所述第二电容补偿导电板直接连接到所述第一相邻第二网格块的至少一个网格线；所述第三电容补偿导电板直接连接到所述第二相邻第二网格块的至少一个网格线；以及所述第二导电板连接所述第二电容补偿导电板和所述第三电容补偿导电板。

可选地，所述第二电容补偿导电板、所述第二导电板和所述第三电容补偿导电板是整体结构的部分。

可选地，所述一个或多个第一导电延伸部位于第一网格线层中；所述第二电容补偿导电板、所述第二导电板和所述第三电容补偿导电板位于第二网格线层中；以及所述一个或多个第一导电延伸部跨越所述第二导电板。

可选地，在第一侧，所述第一相邻第二网格块、所述边界网格块和所述第二相邻第二网格块与所述窗口区域相邻；在第二侧，所述第一相邻第二网格块、所述边界网格块和所述第二相邻第二网格块沿着所述触控结构的边缘；所述触控显示面板还包括：第一迹线，其将所述边界网格块电连接到触控集成电路，所述第一迹线直接连接到所述边界网格块的至少一个网格线；一个或多个第二导电延伸部，其电连接到所述第一相邻第二网格块，所述一个或多个第二导电延伸部自所述第一相邻第二网格块远离所述窗口区域延伸；一个或多个第三导电延伸部，其电连接到所述第二相邻第二网格块，所述一个或多个第三导电延伸部自所述第二相邻第二网格块远离所述窗口区域延伸；以及连接线，其将所述一个或多个第二导电延伸部与所述一个或多个第三导电延伸部连接。

可选地，所述一个或多个第二导电延伸部、所述连接线和所述一个或多个第三导电延伸部是第一网格线层中的整体结构的部分；以及所述第一迹线、所述第一相邻第二网格块、所述边界网格块和所述第二相邻第二网格块位于第二网格线层中。

可选地，所述边界网格块位于所述触控显示面板的角部区域；以及所述截断区域为位于所述触控结构外侧且与所述角部区域相邻的区域。

可选地，所述移位导电桥包括电连接到所述边界网格块的一个或多个第四导电延伸部，所述一个或多个第四导电延伸部远离所述边界网格块朝向所述触控结构外侧的区域延伸；以及所述一个或多个第四导电延伸部电连接到第二迹线，所述第二迹线电连接到触控集成电路。

可选地，所述移位导电桥还包括第四电容补偿导电板，所述第四电容补偿导电板直接连接到所述边界网格块的至少一个网格线；所述第四电容补偿导电板电连接至所述一个或多个第四导电延伸部；所述一个或多个第四导电延伸部位于第一网格线层中；以及所述边界网格块、所述第四电容补偿导电板和所述第二迹线位于第二网格线层中。

可选地，所述触控显示面板还包括第三迹线，所述第三迹线电连接到所述多个第二网格电极的网格块；其中，所述第三迹线位于所述第二迹线与所述边界网格块之间；以及所述一个或多个第四导电延伸部跨越所述第三迹线。

可选地，所述移位导电桥的网格线的线宽大于所述多个第一导电桥的网格线的线宽。

另一方面，本发明提供一种显示装置，包括显示面板以及本文所述的触控显示面板或通过本文所述的方法制造的触控显示面板。

附图说明

根据各种公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的的示例，并且不旨在限制本发明的范围。

图1是示出根据本公开的一些实施例中的触控结构的结构示意图。

图2A示出了根据本公开的一些实施例中的多个第一导电桥的阵列。

图2B示出了从多个第一导电桥的阵列移位的移位导电桥的示例。

图3A至图3E示出了根据本公开的一些实施例中的触控结构中的网格线层的制造过程。

图4示出了在根据本公开的一些实施例中的包括触控结构的显示面板中触控结构相对于多个子像素的布置。

图5示出了在根据本公开的一些实施例中的包括触控结构的显示面板中触控结构相对于多个阳极的布置。

图6示出了触控结构在各个第一网格电极跨越相应的第二网格电极的区域中的结构。

图7A示出了图6中的交叉点的结构。

图7B示出了图7A中的第一网格线层的结构。

图7C示出了图7A中的触控绝缘层的结构。

图7D示出了图7A中的第二网格线层的结构。

图8是沿图7A中的A-A’线的截面图。

图9示出了根据本公开的一些实施例中的具有触控结构的显示面板中的可能的截断区域。

图10A示出了根据本公开的一些实施例中的与窗口区域相邻的第一导电桥。

图10B示出了根据本公开的一些实施例中的与窗口区域相邻的移位导电桥。

图11示出了根据本公开的一些实施例中的触控结构。

图12是根据本公开的一些实施例中的触控结构中的边界网格块的延伸部分周围区域的放大视图。

图13是沿图12中的B-B’线的截面图。

图14示出了根据本公开的一些实施例中的触控结构中的第二导电板和一个或多个第一导电延伸部的结构。

图15示出了根据本公开的一些实施例中的与触控结构的边缘相邻的边界网格块BMB。

图16是图15中的第一放大区域ZR1的放大视图。

图17是图15中的第二放大区域ZR2的放大视图。

图18是沿图17中的C-C’线的截面图。

图19示出了根据本公开的一些实施例中的与截断区域相邻的移位导电桥。

图20示出了根据本公开的一些实施例中的与角部区域相邻的移位导电桥。

图21是图20中的第三放大区域ZR3的放大视图。

图22是沿图21中的D-D’线的截面图。

图23A是示出根据本公开的一些实施例中的电容补偿导电板的结构的示意图。

图23B是示出根据本公开的一些实施例中的电容补偿导电板的结构的示意图。

图24A示出了根据本公开的一些实施例中的显示装置中的显示区域中的详细结构。

图24B示出了根据本公开的一些实施例中的显示装置中的显示区域中的详细结构。

具体实施例

现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。

本公开尤其提供了一种触控显示面板和显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。一方面，本公开提供一种触控显示面板。在一些实施例中，触控显示面板包括多个第一网格电极与多个第二网格电极。可选地，多个第一网格电极中的各个第一网格电极包括沿着第一方向依次电连接的多个第一网格块。可选地，多个第一网格块中的相邻的两个第一网格块通过多个第一导电桥中的相应第一导电桥彼此电连接。可选地，多个第一导电桥呈阵列布置。可选地，多个第一网格块包括与截断区域相邻的边界网格块，在截断区域中不存在触控结构。可选地，触控显示面板包括移位导电桥，所述移位导电桥从多个第一导电桥的阵列移位。

在一些实施例中，触控显示面板包括触控结构。利用柔性盒上多层触控(FMLOC)技术，在触控显示面板的封装层上形成网格电极图案。网格电极图案包括触控扫描电极和触控感测电极，并且可选地包括填充图案(“虚设图案”)。触控检测集成电路被配置为通过感测触控扫描电极和触控感测电极之间的互电容以及触控时的互电容的变化来检测触控。

图1是示出根据本公开的一些实施例中的触控结构的结构的示意图。参照图1，在一些实施例中，触控结构包括布置成多个行的多个第一网格电极TE1和布置成多个列的多个第二网格电极TE2。多个第一网格电极TE1布置成多个行，多个行中的每一行是多个第一网格电极TE1中的相应一个第一网格电极。多个第二网格电极TE2布置成多个列，多个列中的每一列是多个第二网格电极TE2中的相应一个第二网格电极。可选地，触控结构为互电容式触控结构。可选地，多个第一网格电极TE1为多个触控感测电极，且多个第二网格电极TE2为多个触控扫描电极。可选地，多个第一网格电极TE1为多个触控扫描电极，多个第二网格电极TE2为多个触控感测电极。

如图1所示，多个第一网格电极TE1中的各个第一网格电极包括在相应的行中沿第一方向DR1依次电连接的多个第一网格块MB1，多个第二网格电极TE2中的各个第二网格电极包括在相应的列中沿第二方向DR2依次电连接的多个第二网格块MB2。在图1中，多个第一网格块MB1中的相应一个第一网格块和多个第二网格块MB2中的相应一个第二网格块被绘示为分别由虚线包围的块。

在一些实施例中，多个第一网格块MB1中的相邻的两个第一网格块通过多个第一导电桥中的相应第一导电桥RCB1彼此电连接。多个第一导电桥位于多个交叉点。多个交叉点IS中的各个交叉点IS是如下位置：在该位置处，多个第一网格电极TE1中的相应一个第一网格电极的多个第一网格块MB1中的相邻的两个第一网格块彼此电连接，并且多个第二网格电极TE2中的相应一个第二网格电极的多个第二网格块MB2中的相邻的两个第二网格块彼此电连接。

在一些实施例中，多个第一导电桥位于第一网格线层中；而多个第一网格块MB1和多个第二网格块MB2位于第二网格线层中。

在一些实施例中，多个第二网格块MB2中的相邻的两个第二网格块通过多个第二导电桥中的相应的第二导电桥RCB2彼此电连接。可选地，多个第一导电桥位于第一网格线层中；而多个第一网格块MB1、多个第二网格块MB2与多个第二导电桥位于第二网格线层中。相应第一导电桥RCB1跨越相应的第二导电桥RCB2。

图2A示出了根据本公开的一些实施例中的多个第一导电桥的阵列。参照图2A，多个第一导电桥布置成包括多个行R与多个列C的阵列。多个行R与多个列C彼此交叉。多个第一导电桥分别占据多个阵列位置。

图2B示出了从多个第一导电桥的阵列移位的移位导电桥的示例。参照图2B，移位导电桥DCB从多个第一导电桥的阵列移位，从阵列位置AP移位到非阵列位置NAP。阵列位置AP和多个第一导电桥的位置被布置在阵列的多行和多列中。非阵列位置NAP从多行和多列的阵列中移位。

在一些实施方式中，移位导电桥DCB从阵列位置AP到非阵列位置NAP移位至少10μm，例如，至少20μm、至少30μm、至少40μm、至少50μm、至少60μm、至少70μm、至少80μm、至少90μm、至少100μm、至少150μm、至少200μm、至少250μm、至少300μm、至少350μm、至少400μm、至少450μm、至少500μm、至少550μm、至少600μm、至少650μm、至少700μm、至少750μm、至少800μm、至少850μm、至少900μm、至少950μm、至少1000μm、至少1.5mm、至少2.0mm、至少2.5mm、至少3.0mm、至少3.5mm、至少4.0mm、至少4.5mm、至少5.0mm、至少5.5mm、至少6.0mm、至少6.5mm、至少7.0mm、至少7.5mm、至少8.0mm、至少8.5mm、至少9.0mm、或至少10.0mm。

图3A至图3E示出了根据本公开的一些实施例中的触控结构中的网格线层的制造过程。图3A至图3E示出了与其中不存在触控结构(例如，触控电极的网格线)的截断区域TR相邻的显示区域DR中的制造过程。参照图3A，在衬底基板BS上形成封装层EN，并且在封装层EN远离衬底基板BS的一侧形成导电材料层CML。至少部分地由于封装层EN的有机封装子层，导致封装层EN在与截断区域TR相邻的斜坡区域SLR中具有大的坡度。参照图3B，在导电材料层CML的远离衬底基板BS的一侧形成光刻胶层PR。当在斜坡区域SLR中形成光刻胶层PR时，由于重力和该区域中的大坡度，导致难以将光刻胶材料保持在斜坡区域SLR中的斜坡上。结果，光刻胶材料流向斜坡的底部，导致在斜坡区域SLR中不能充分地涂有光刻胶材料。参照图3C，使用掩模板对光刻胶层PR进行曝光和显影，产生曝光光刻胶层EPR。参照图3D，对导电材料层CML进行蚀刻，以形成蚀刻导电材料层ECML。参照图3E，然后去除曝光光刻胶层EPR，从而形成第一网格线层MLL1。当使用掩模板制造时，第一网格线层MLL1的网格线在斜坡区域SLR(在该区域中，未充分涂有光刻胶材料)中的临界尺寸小于显示区域DR中的临界尺寸。第一网格线层MLL1的形成在斜坡区域SLR中的网格线容易断线。

一旦形成第一网格线层MLL1，就在第一网格线层MLL1上形成触控绝缘层，并且在触控绝缘层的远离第一网格线层MLL1的一侧形成第二网格线层。由于斜坡区域SLR中的大坡度，第二网格线层的网格线也发生类似的问题。第二网格线层的网格线甚至更容易断线。

图4示出了在根据本公开的一些实施例中的包括触控结构的显示面板中触控结构相对于多个子像素的布置。参照图4，在一个示例中，多个子像素包括一个第一子像素sp1、一个第二子像素sp2、一个第三子像素sp3和一个第四子像素sp4。可选地，显示面板的各个像素包括一个第一子像素sp1、一个第二子像素sp2、一个第三子像素sp3和一个第四子像素sp4。显示面板中的多个子像素呈阵列布置。在一个示例中，多个子像素的阵列包括S1-S2-S3-S4形式重复阵列，其中S1代表各个第一子像素sp1，S2代表各个第二子像素sp2，S3代表各个第三子像素sp3，以及S4代表各个第四子像素sp4。在另一个示例中，S1-S2-S3-S4形式为C1-C2-C3-C4形式，其中C1代表各个第一颜色的第一子像素sp1，C2代表各个第二颜色的第二子像素sp2，C3代表各个第三颜色的第三子像素sp3，C4代表各个第四颜色的第四子像素sp4。在另一个示例中，S1-S2-S3-S4形式为C1-C2-C3-C2’形式，其中C1代表各个第一颜色的第一子像素sp1，C2代表各个第二颜色的第二子像素sp2，C3代表各个第三颜色的第三子像素sp3，C2’代表各个第二颜色的第四子像素sp4。在另一示例中，C1-C2-C3-C2’形式为R-G-B-G形式，其中各个第一子像素sp1为红色子像素，各个第二子像素sp2为绿色子像素，各个第三子像素sp3为绿色子像素，以及各个第四子像素sp4为蓝色子像素。图4中的虚线表示由像素限定层限定的子像素开口。

参照图4，在一些实施例中，触控结构的网格线被限制在显示面板的子像素间区域。例如，多个第一网格块、多个第二网格块、多个连接网格块、多个第一单条网格线和多个第二单条网格线的所有网格线被限制在子像素间区域。图5示出了在根据本公开的一些实施例中的包括触控结构的显示面板中触控结构相对于多个阳极的布置。在图5中示出了多个阳极AD。

图6示出了触控结构在各个第一网格电极跨越相应的第二网格电极的区域中的结构。参照图6，多个第一网格电极中的相应一个第一网格电极的多个第一网格块中的相邻的两个第一网格块彼此电连接，并且多个第二网格电极中的相应一个第二网格电极的多个第二网格块中的相邻的两个第二网格块彼此电连接。在一个示例中，相邻的两个第一网格块包括第一相邻第一网格块AMB1-1和第二相邻第一网格块AMB1-2；相邻的两个第二网格块包括第一相邻第二网格块AMB2-1和第二相邻第二网格块AMB2-2。

图7A示出了图6中的交叉点的结构。图7B示出了图7A中的第一网格线层的结构。图7C示出了图7A中的触控绝缘层的结构。图7D示出了图7A中的第二网格线层的结构。在一些实施例中，多个第一网格块中的相邻的两个第一网格块通过相应第一导电桥彼此电连接。图7B示出了根据本公开的一些实施例中的相应第一导电桥RCB1的结构。相应第一导电桥RCB1包括彼此间隔开的两个结构。每个结构包括连接在一起的多个连续的环。每个结构包括沿第二方向DR2的至少多个网格线。图7C示出了贯穿触控绝缘层TI延伸的多个过孔v。第二网格线层分别通过多个通孔v连接到相应第一导电桥RCB1。

参照图7D，在交叉点处，第二网格线层包括多个第一网格块中的相邻的两个第一网格块以及多个第二网格块中的相邻的两个第二网格块。在一个示例中，相邻的两个第一网格块包括第一相邻第一网格块AMB1-1和第二相邻第一网格块AMB1-2；相邻的两个第二网格块包括第一相邻第二网格块AMB2-1和第二相邻第二网格块AMB2-2。

图8是沿图7A中的A-A’线的截面图。参照图8，触控结构包括第二无机封装子层CVD2、位于第二无机封装子层CVD2上的缓冲层BUF、位于缓冲层BUF的远离第二无机封装子层CVD2一侧的第一网格线层ML1、位于第一网格线层ML1的远离缓冲层BUF一侧的触控绝缘层TI、位于触控绝缘层TI的远离第一网格线层ML1一侧的第二网格线层ML2以及位于第二网格线层ML2的远离触控绝缘层TI一侧的保护层(overcoat layer)。如图8所示，第一相邻第一网格块AMB1-1通过贯穿触控绝缘层TI延伸的过孔连接到相应第一导电桥RCB1。

图9示出了在根据本公开的一些实施例中的具有触控结构的显示面板中的可能的截断区域。图9示出了具有边界网格块的截断区域的位置的若干示例。参照图9，区域1、区域2和区域3是具有一个或多个边界网格块的可能的截断区域的示例。在一个示例中，截断区域是具有被配置用于安装诸如相机镜头或指纹传感器等配件的孔的窗口区域(区域1)。窗口区域中不存在触控结构，窗口区域至少部分地被触控区域围绕。触控结构被限制在触控区域，而不存在于窗口区域。在另一示例中，在窗口区域中不存在显示面板的显示元件和触控结构。

在另一示例中，截断区域是在触控结构外部并且与角部区域CR相邻的区域(区域2或区域3)。边界网格块位于触控结构的角部区域CR。在一个示例中，角部区域CR是具有至少一部分弧形边界的角部区域，例如，圆角区域。

图10A示出了根据本公开的一些实施例中的与窗口区域相邻的第一导电桥。图10B示出了根据本公开的一些实施例中的与窗口区域相邻的移位导电桥。参照图10A，具有触控结构的显示面板具有显示区域DR以及位于显示区域PR外侧的周边区域PPR。显示面板还具有窗口区域WR，在该窗口区域WR中不存在触控结构。窗口区域WR至少部分地被触控区域TCR围绕。在一个示例中，触控区域TCR基本上与显示区域DR重叠。如以上结合图2A所述，在一些实施例中，触控结构包括布置成包括多个行和多个列的阵列的多个第一导电桥。相应第一导电桥在图10A中表示为RCB1。

如以上结合图3A至图3D所述，因为相应第一导电桥RCB1位于与窗口区域WR相邻的位置，所以相应第一导电桥RCB1至少部分一位于斜坡区域中的斜坡上。相应第一导电桥RCB1在制造过程期间容易断线。

参照图10B，代替在斜坡区域中形成相应第一导电桥RCB1，如图10B所示，可以在具有小得多的坡度或基本上没有坡度的区域中形成用于连接相邻的第一网格块的移位导电桥DCB。移位导电桥DCB从多个第一导电桥的阵列移位，从阵列位置移位到非阵列位置。参照图10B，移位导电桥DCB与相邻的两个第一导电桥不在同一行中。阵列位置是触控结构的坡度比触控结构的平均坡度大的位置。非阵列位置是触控结构的坡度比触控结构在阵列位置处的坡度小的位置。例如，图10B中的移位导电桥DCB位于斜坡的底部，因此具有移位导电桥DCB的非阵列位置的坡度小于触控结构在阵列位置处的坡度。在图10A中，相应第一导电桥RCB1位于斜坡的顶部或中间部分，因此，由于截断区域的存在，具有相应第一导电桥RCB1的阵列位置的坡度大于触控结构的平均坡度，并且大于触控结构在非阵列位置处的坡度。通过将移位导电桥DCB设置在非阵列位置，移位导电桥DCB较不容易断线。

此外，如图10B所示，与图10A中的相应第一导电桥RCB1相比，移位导电桥DCB更靠近窗口区域WR。因此，移位导电桥DCB在显示区域DR外部，而图10A中的相应第一导电桥RCB1在显示区域DR内。在不需要在显示区域DR外部形成子像素的情况下，可获得更多的空间用于形成网格线。移位导电桥DCB的线宽可以大于显示区域DR中的网格线的线宽。在一个示例中，显示区域DR中的网格线的线宽在1μm至5μm的范围内，例如，1.0μm至2.0μm、2.0μm至3.0μm、3.0μm至4.0μm或4.0μm至5.0μm。可选地，显示区域DR中的网格线的线宽为3.0μm。可选地，显示区域DR中的网格线的线宽为3.5μm。可选地，移位导电桥DCB的线宽大于5μm，例如，5μm至6μm、6μm至8μm、8μm至10μm、10μm至12μm、12μm至14μm、14μm至16μm、16μm至18μm、或18μm至20μm。可选地，移位导电桥DCB的线宽大于10μm。

图11示出了根据本公开的一些实施例中的触控结构。参照图11，触控结构包括与不存在触控结构的窗口区域WR相邻的边界网格块BMB。边界网格块BMB电连接到多个第一网格电极的网格块AMB，网格块AMB位于窗口区域WR的与边界网格块BMB所在侧不同的一侧(例如，位于相对侧)。边界网格块BMB将多个第二网格块中的相邻的两个第二网格块间隔开，例如，将第一相邻第二网格块AMB2-1和第二相邻第二网格块AMB2-2间隔开。第一相邻第二网格块AMB2-1、边界网格块BMB和第二相邻第二网格块AMB2-2依次围绕窗口区域WR的外缘的部分。

在一些实施例中，边界网格块BMB的结构与多个第一网格块中的至少一个第一网格块(例如，图11中的网格块CMB)的结构区别在于：边界网格块包括位于第一阵列位置AP1处的延伸部分EP，而网格块CMB不具有延伸部分。相反，在对应于网格块CMB的第二阵列位置AP2，触控结构包括相应第一导电桥RCB1。延伸部分EP的网格线至少部分地延伸通过第一阵列位置AP1。相应第一导电桥RCB1位于第一网格线层中，而延伸部分EP位于第二网格线层中。延伸部分EP的网格线与边界网格块BMB的延伸部分EP以外的网格线位于同一层中。在一个示例中，延伸部分EP、边界网格块BMB的延伸部分EP以外的网格线、多个第一网格块和多个第二网格块位于第二网格线层中，而多个第一导电桥位于第一网格线层中。

如本文所使用的，术语“同一层”是指在同一步骤中同时形成的层之间的关系。在一个示例中，当延伸部分EP的网格线和边界网格块BMB的延伸部分EP以外的网格线由于在同一沉积工艺中沉积的材料中执行的同一图案化工艺的一个或多个步骤而形成时，它们位于同一层中。在另一个示例中，通过同时执行形成延伸部分EP的网格线的步骤和形成边界网格块BMB的延伸部分EP以外的网格线的步骤，延伸部分EP的网格线和边界网格块BMB的延伸部分EP以外的网格线可以形成在同一层中。术语“同一层”并不总是意味着层的厚度或层在截面图中的高度是相同的。

在一些实施例中，延伸部分EP和多个第一导电桥位于包括多行和多列的同一阵列中；且延伸部分EP和多个第一导电桥分别位于多个阵列位置。然而，延伸部分EP与多个第一导电桥位于不同的层中。

在一些实施例中，由于存在截断区域，边界网格块BMB的面积比多个第一网格块中的每一个第一网格块的面积小(小5％、小10％、小20％、小30％、小40％、小50％、小60％、小70％、小80％、小90％或小95％或更多)。

图12是在根据本公开的一些实施例中的触控结构中的边界网格块的延伸部分周围区域的放大视图。参照图11和图12，在一些实施例中，移位导电桥DCB包括：电连接到延伸部分EP的一个或多个第一导电延伸部CE1，该一个或多个第一导电延伸部CE1远离延伸部分EP朝向窗口区域WR延伸；以及连接到一个或多个第一导电延伸部CE1的一个或多个第一导电板CP1，该一个或多个第一导电板CP1至少部分地围绕窗口区域WR。一个或多个第一导电板CP1电连接到多个第一网格电极的网格块AMB。网格块AMB位于窗口区域WR的与边界网格块BMB所在侧不同的一侧。

图13是沿图12中B-B’线的截面图。参照图13，触控结构包括：衬底基板BS；位于衬底基板BS上的多个信号线(例如，栅线GL)；封装层EN，其位于多个信号线的远离衬底基板BS的一侧，封装多个信号线；缓冲层BUF，其位于封装层EN的远离衬底基板BS的一侧；位于缓冲层BUF的远离封装层EN的一侧的第一网格线层ML1；位于第一网格线层ML1的远离缓冲层BUF一侧的触控绝缘层TI；位于触控绝缘层TI的远离第一网格线层ML1一侧的第二网格线层ML2；以及位于第二网格线层ML2的远离触控绝缘层TI一侧的保护层。如图13所示，一个或多个第一导电延伸部CE1位于第一网格线层ML1中；延伸部分EP和一个或多个第一导电板CP1位于第二网格线层ML2中。可选地，一个或多个第一导电延伸部CE1位于第一网格线层ML1中；一个或多个第一导电板CP1、边界网格块、网格块AMB、多个第一网格电极的网格块和多个第二网格电极的网格块位于第二网格线层ML2中。触控绝缘层TI位于第一网格线层ML1与第二网格线层ML2之间。

参照图11至图13，在一些实施例中，移位导电桥还包括沿着与窗口区域WR相邻的延伸部分EP的边缘的第一电容补偿导电板CC1。第一电容补偿导电板CC1直接连接到延伸部分EP的至少一个网格线，并且通过贯穿触控绝缘层TI延伸的过孔v连接到一个或多个第一导电延伸部CE1。可选地，一个或多个第一导电延伸部CE1位于第一网格线层ML1中；一个或多个第一导电板CP1、第一电容补偿导电板CC1、边界网格块、网格块AMB、多个第一网格电极的网格块以及多个第二网格电极的网格块位于第二网格线层ML2中。

在一些实施例中，边界网格块BMB将多个第二网格电极中的相应一个第二网格电极的多个第二网格块中的相邻的两个第二网格块间隔开。相邻的两个第二网格块中的第一相邻第二网格块AMB2-1、边界网格块BMB和相邻的两个第二网格块中的第二相邻第二网格块AMB2-2依次围绕窗口区域WR的外缘的部分。在一些实施例中，多个第二网格电极中的相应一个第二网格电极包括依次连接的第二电容补偿导电板CC2、第二导电板CP2和第三电容补偿导电板CC3。可选地，第二电容补偿导电板CC2、第二导电板CP2、第三电容补偿导电板CC3为整体结构的部分。可选地，第二电容补偿导电板CC2、第二导电板CP2、第三电容补偿导电板CC3位于同一层中。在一些实施例中，一个或多个第一导电延伸部CE1位于第一网格线层ML1中；第二电容补偿导电板CC2、第二导电板CP2和第三电容补偿导电板CC3位于第二网格线层ML2中。

在一些实施例中，第二电容补偿导电板CC2直接连接到第一相邻第二网格块AMB2-1的至少一个网格线；第三电容补偿导电板CC3直接连接至第二相邻第二网格块AMB2-2的至少一个网格线；第二导电板CP2连接第二电容补偿导电板CC2和第三电容补偿导电板CC3。

在一些实施例中，一个或多个第一导电延伸部CE1跨越第二导电板CP2，例如，一个或多个第一导电延伸部CE1在衬底基板上的正投影与第二导电板CP2在衬底基板上的正投影部分重叠。图14示出了根据本公开的一些实施例中的触控结构中的第二导电板和一个或多个第一导电延伸部的结构。在一些实施例中，参照图13和图14，触控结构包括贯穿第二导电板CP2延伸的孔H，并且一个或多个第一导电延伸部CE1中的各个第一导电延伸部跨越孔H，如图13和图14所示。孔H将第二导电板CP2与相邻的电容补偿导电板(例如，第二电容补偿导电板CC2或第三电容补偿导电板CC3)间隔开。

在一些实施例中，移位导电桥DCB从阵列位置移位到与触控结构的边缘相邻的非阵列位置。图15示出了根据本公开的一些实施例中的与触控结构的边缘相邻的边界网格块BMB。图16是图15中的第一放大区域ZR1的放大视图。图17是图15中的第二放大区域ZR2的放大视图。参照图15至图17，在第一侧S1，第一相邻第二网格块AMB2-1、边界网格块BMB和第二相邻第二网格块AMB2-2与窗口区域WR相邻。在第二侧S2，第一相邻第二网格块AMB2-1、边界网格块BMB和第二相邻第二网格块AMB2-2沿着触控结构的边缘EG。通过使移位导电桥DCB沿着边缘EG设置在非阵列位置，移位导电桥DCB较不容易断线。

在一些实施例中，触控结构还包括第一迹线TL1，其将沿着位于第二侧S2的边缘EG的边界网格块BMB电连接至位于第一侧S1的触控集成电路。第一迹线TL1电连接到边界网格块BMB的至少一个网格线。可选地，第一迹线TL1沿着触控结构的边缘EG。可选地，第一迹线TL1直接连接到边界网格块BMB的至少一个网格线。第一迹线TL1在具有触控结构的显示面板的周边区域中延伸，并且被限制在该周边区域。

在一些实施例中，触控结构还包括一个或多个第二导电延伸部CE2，其电连接至第一相邻第二网格块AMB2-1。一个或多个第二导电延伸部CE2自第一相邻第二网格块AMB2-1远离窗口区域WR延伸。

在一些实施例中，触控结构还包括一个或多个第三导电延伸部CE3，其电连接至第二相邻第二网格块AMB2-2。一个或多个第三导电延伸部CE3自第二相邻第二网格块AMB2-2远离窗口区域WR延伸。

在一些实施例中，触控结构还包括连接线CL，该连接线CL将一个或多个第二导电延伸部CE2与一个或多个第三导电延伸部CE3连接。

在一些实施例中，一个或多个第二导电延伸部CE2、连接线CL和一个或多个第三导电延伸部CE3位于同一层中；连接线CL与一个或多个第二导电延伸部CE2直接接触；且连接线CL与一个或多个第三导电延伸部CE3直接接触。在一个示例中，一个或多个第二导电延伸部CE2、连接线CL和一个或多个第三导电延伸部CE3是第一网格线层中的整体结构的部分。第一迹线、第一相邻第二网格块、边界网格块和第二相邻第二网格块位于第二网格线层中。

图18是沿图17中C-C’线的截面图。参照图15至图18，在一些实施例中，一个或多个第二导电延伸部CE2和一个或多个第三导电延伸部CE3位于第一网格线层ML1中；第一迹线TL1、连接线CL、第一相邻第二网格块AMB2-1、边界网格块BMB和第二相邻第二网格块AMB2-2位于第二网格线层ML2中。连接线CL通过贯穿触控绝缘层TI延伸的过孔连接到一个或多个第二导电延伸部CE2和一个或多个第三导电延伸部CE3。第一相邻第二网格块AMB2-1通过贯穿触控绝缘层TI延伸的一个或多个过孔连接到一个或多个第二导电延伸部CE2。第二相邻第二网格块AMB2-2通过贯穿触控绝缘层TI延伸的一个或多个过孔连接到一个或多个第三导电延伸部CE3。

图19示出了根据本公开的一些实施例中的与截断区域相邻的移位导电桥。参照图19，在一些实施例中，边界网格块位于触控结构的角部区域CR中。截断区域TR为触控结构外侧且与角部区域CR相邻的区域。在一个示例中，角部区域CR是圆角区域。连接到边界网格块的相应第一导电桥RCB1可以位于与截断区域TR相邻的阵列位置处。如图19所示，相应第一导电桥RCB1紧邻具有触控结构的显示面板的坝结构DAM。坝结构DAM的存在导致角部区域CR中的斜坡区域或其他不平坦层结构。在一个示例中，当相应第一导电桥RCB1的网格线位于距坝结构DAM的阈值距离内时，其容易断线。可选地，阈值距离小于3.0mm，例如2.5mm、2.0mm、1.5mm、1.0mm或0.5mm。为了消除断线问题，相应第一导电桥RCB1可以从阵列位置移位到非阵列位置。

图20示出了根据本公开的一些实施例中的与角部区域相邻的移位导电桥。图21是图20中的第三放大区域ZR3的放大视图。图22是沿图21中的D-D’线的截面图。参照图20至图22，在一些实施例中，移位导电桥包括电连接到边界网格块BMB的一个或多个第四导电延伸部CE4。一个或多个第四导电延伸部CE4远离边界网格块BMB朝向触控结构外侧的区域延伸。可选地，一个或多个第四导电延伸部CE4电连接到第二迹线TL2。第二迹线TL2电连接到被配置为向网格电极提供触控扫描信号和/或从网格电极接收触控感测信号的触控集成电路。第二迹线TL2在具有触控结构的显示面板的周边区域中延伸，并且被限制在该周边区域。

在一些实施例中，移位导电桥还包括直接连接到边界网格块BMB的至少一个网格线的第四电容补偿导电板CC4。可选地，第四电容补偿导电板CC4通过贯穿触控绝缘层TI延伸的一个或多个通孔电连接到一个或多个第四导电延伸部CE4。

在一些实施例中，一个或多个第四导电延伸部CE4位于第一网格线层ML1中；边界网格块BMB、第四电容补偿导电板CC4和第二迹线TL2位于第二网格线层ML2中。

在一些实施例中，触控结构还包括第三迹线TL3，其电连接到多个第二网格电极的网格块。第三迹线TL3电连接到触控集成电路。可选地，第三迹线TL3位于第二迹线TL2和边界网格块BMB之间。在一个示例中，一个或多个第四导电延伸部CE4跨越第三迹线TL3。

电容补偿导电板(例如，第一电容补偿导电板CC1、第二电容补偿导电板CC2和第三电容补偿导电板CC3中的每一个)可以用各种适当形式的结构来实现。在一些实施例中，电容补偿导电板具有单层结构，其可选地与多个第一网格电极和多个第二网格电极的网格块的网格线位于同一层中。

在一些实施例中，电容补偿导电板具有双子层结构，包括与多个第一网格电极和多个第二网格电极的网格块的网格线位于同一层中的第一子层，以及与导电桥(例如，多个第一导电桥和移位导电桥)位于同一层中的第二子层。图23A是示出根据本公开的一些实施例中的电容补偿导电板的结构的示意图。图23B是示出根据本公开的一些实施例中的电容补偿导电板的结构的示意图。参照图23A与图23B，双子层结构包括第一子层SUB-1与第二子层SUB-2。第一子层SUB-1通过贯穿触控绝缘层TI延伸的过孔v连接至第二子层SUB-2。在图23A中，第一子层SUB-1与第二子层SUB-2在触控绝缘层TI上的正投影在电容补偿导电板的整个长度上至少部分地彼此重叠。在图23B中，第一子层SUB-1与第二子层SUB-2彼此交替。除了在第一子层SUB-1通过过孔v与第二子层SUB-2连接的位置周围之外，第一子层SUB-1与第二子层SUB-2在触控绝缘层TI上的正投影基本上彼此不重叠。

可选地，导电板(例如，第一导电板CP1、第二导电板CP2、第一电容补偿导电板CC1、第二电容补偿导电板CC2和第三电容补偿导电板CC3中的任一个)的线宽大于多个第一网格块和多个第二网格块的网格线的线宽。可选地，导电板的线宽在5μm至50μm的范围内，例如，5μm至10μm、10μm至15μm、15μm至20μm、20μm至25μm、25μm至30μm、30μm至35μm、35μm至40μm、40μm至45μm或45μm至50μm。可选地，导电板的线宽为20μm。可选地，多个第一网格块和多个第二网格块的网格线的线宽在1μm至5μm的范围内，例如，1μm至2μm、2μm至3μm、3μm至4μm或4μm至5μm。可选地，多个第一网格块和多个第二网格块的网格线具有3μm的线宽。可选地，导电板的线宽与多个第一网格块和多个第二网格块的网格线的线宽之间的比在1:1至50:1的范围内，例如，1:1至2:1、2:1至3:1、3:1至4:1、4:1至5:1、5:1至10:1、10:1至20:1、20:1至30:1、30:1至40:1、或40:1至50:1。

另一方面，本公开提供了一种显示装置，包括显示面板和本文所述的或通过本文所述的方法制造的触控结构，以及连接到显示面板的一个或多个集成电路。适当的显示装置的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相册、GPS等。可选地，所述显示装置是有机发光二极管显示装置。可选地，所述显示装置是液晶显示装置。

图24A示出了根据本公开的一些实施例中的显示装置中的显示区域中的详细结构。参照图24A，在一些实施例中，显示装置在显示区域中包括：衬底基板BS(例如，柔性衬底基板)；多个薄膜晶体管TFT中的相应一个薄膜晶体管位于衬底基板BS上的有源层ACT；位于有源层ACT的远离衬底基板BS一侧的栅极绝缘层GI；位于栅极绝缘层GI的远离衬底基板BS的一侧的栅极G和第一电容器电极Ce1(都是第一栅金属层的一部分)；位于栅极G和第一电容器电极Ce1的远离栅极绝缘层GI的一侧的绝缘层IN；位于绝缘层IN的远离栅极绝缘层GI的一侧的第二电容器电极Ce2(第二栅金属层的一部分)；位于第二电容器电极Ce2的远离栅极绝缘层GI的一侧的层间介质层ILD；位于层间介质层ILD的远离栅极绝缘层GI的一侧的源极S和漏极D(第一SD金属层的一部分)；位于源极S和漏极D的远离层间介质层ILD的一侧的平坦化层PLN；限定子像素开口并且位于平坦化层PLN的远离衬底基板BS的一侧的像素限定层PDL；以及位于子像素开口中的发光元件LE。发光元件LE包括：阳极AD，其位于平坦化层PLN的远离层间介质层ILD的一侧；发光层EL，其位于阳极AD的远离平坦化层PLN的一侧；以及阴极层CD，其位于发光层EL的远离阳极AD的一侧。显示装置在显示区域中还包括封装层EN，其封装虚设发光元件DLE，并且位于阴极层CD远离衬底基板BS的一侧。在一些实施例中，封装层EN包括位于阴极层CD的远离衬底基板BS的一侧的第一无机封装子层CVD1、位于第一无机封装子层CVD1的远离衬底基板BS的一侧的有机封装子层IJP、以及位于有机封装子层IJP的远离第一无机封装子层CVD1的一侧的第二无机封装子层CVD2。显示装置在显示区域中还包括：缓冲层BUF，其位于封装层EN的远离衬底基板BS的一侧；多个第二电极桥BR2，其位于缓冲层BUF的远离封装层EN的一侧；触控绝缘层TI，其位于多个第二电极桥BR2的远离缓冲层BUF的一侧；多个第一触控电极TE1，其位于触控绝缘层TI的远离缓冲层BUF的一侧；以及保护层OC，其位于多个第一触控电极TE1的远离触控绝缘层TI的一侧。

图24B示出了根据本公开的一些实施例中的显示装置中的显示区域中的详细结构。参照图24B，在一些实施例中，显示装置在显示区域中包括：衬底基板BS(例如，柔性衬底基板)；多个薄膜晶体管TFT中的相应一个薄膜晶体管的位于衬底基板BS上的有源层ACT；位于有源层ACT的远离衬底基板BS一侧的栅极绝缘层GI；位于栅极绝缘层GI的远离衬底基板BS的一侧的栅极G和第一电容器电极Ce1(都是第一栅金属层的一部分)；位于栅极G和第一电容器电极Ce1的远离栅极绝缘层GI的一侧的绝缘层IN；位于绝缘层IN的远离栅极绝缘层GI的一侧的第二电容器电极Ce2(第二栅金属层的一部分)；位于第二电容器电极Ce2的远离栅极绝缘层GI的一侧的层间介质层ILD；位于层间介质层ILD的远离栅极绝缘层GI的一侧的源极S和漏极D(第一SD金属层的一部分)；位于源极S和漏极D的远离层间介质层ILD的一侧的钝化层PVX；位于钝化层PVX的远离层间介质层ILD的一侧的第一平坦化层PLN1；位于第一平坦化层PLN1的远离钝化层PVX一侧的中继电极RE(第二SD金属层的一部分)；位于中继电极RE的远离第一平坦化层PLN1的一侧的第二平坦化层PLN2；限定子像素开口并且位于第二平坦化层PLN2的远离衬底基板的一侧的像素限定层PDL；以及位于子像素开口中的发光元件LE。发光元件LE包括：阳极AD，其位于第二平坦化层PLN2的远离第一平坦化层PLN1的一侧；发光层EL，其位于阳极AD的远离第二平坦化层PLN2的一侧；以及阴极层CD，其位于发光层EL的远离阳极AD的一侧。显示装置在显示区域中还包括封装层EN，其封装虚设发光元件DLE并且位于阴极层CD的远离衬底基板BS的一侧。在一些实施例中，封装层EN包括位于阴极层CD的远离衬底基板BS的一侧的第一无机封装子层CVD1、位于第一无机封装子层CVD1的远离衬底基板BS的一侧的有机封装子层IJP、以及位于有机封装子层IJP的远离第一无机封装子层CVD1的一侧的第二无机封装子层CVD2。显示装置在显示区域中还包括：缓冲层BUF，其位于封装层EN的远离衬底基板BS的一侧；多个第二电极桥BR2，其位于缓冲层BUF的远离封装层EN的一侧；触控绝缘层TI，其位于多个第二电极桥BR2的远离缓冲层BUF的一侧；多个第一触控电极TE1，其位于触控绝缘层TI的远离缓冲层BUF的一侧；以及保护层OC，其位于多个第一触控电极TE1的远离触控绝缘层TI的一侧。可选地，显示装置在显示区域中不包括钝化层PVX，例如，层间介质层ILD与第一平坦化层PLN1直接接触。

参照图24A与图24B，显示装置包括半导体材料层SML、第一栅金属层Gate1、第二栅金属层Gate2、第一信号线层SLL1与第二信号线层SLL2。显示装置还包括：位于第一栅金属层Gate1和第二栅金属层Gate2之间的绝缘层IN；位于第二栅金属层Gate2与第一信号线层SLL1之间的层间介质层ILD；以及位于第一信号线层SLL1与第二信号线层SLL2之间的至少钝化层PVX或平坦化层PLN。

另一方面，本公开提供一种制造触控结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成多个第一网格电极和形成多个第二网格电极。可选地，形成多个第一网格电极中的各个第一网格电极包括形成沿着第一方向依次电连接的多个第一网格块。可选地，多个第一网格块中的相邻的两个第一网格块通过多个第一导电桥中的相应第一导电桥彼此电连接。可选地，多个第一导电桥被形成为呈阵列布置。可选地，形成多个第一网格块包括形成与其中不存在触控结构的截断区域相邻的边界网格块。可选地，该方法还包括形成移位导电桥，该移位导电桥从多个第一导电桥的阵列移位。

为了说明和描述的目的，已经给出了本发明的实施例的上述描述。其不是穷举的，也不是要将本发明限制为所公开的精确形式或示例性实施例。因此，前面的描述应当被认为是说明性的而不是限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明的各种实施例以及适合于所考虑的特定使用或实现的各种修改。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等价物来限定，其中除非另有说明，否则所有术语都意味着其最广泛的合理意义。因此，术语“本发明(the invention、the presentinvention)”等不一定将权利要求范围限制为特定实施例，并且对本发明的示例性实施例的引用不意味着对本发明的限制，并且不应推断出这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围来限定。此外，这些权利要求可能涉及使用“第一”、“第二”等，随后是名词或元素。这些术语应当被理解为命名法，并且不应当被解释为对由这些命名法所修改的元件的数量进行限制，除非已经给出了特定的数量。所描述的任何优点和益处可能不适用于本发明的所有实施例。应当理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行改变。此外，本公开中的元件和组件都不是要贡献给公众，无论该元件或组件是否在所附权利要求中明确叙述。