发光装置和包括该发光装置的显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年11月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0159063号的优先权，该申请的公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及发光装置和包括该发光装置的显示设备，并且更特别地，涉及具有改善的使用率的发光装置和其中用于设置冗余发光装置的空间被最小化的显示设备。

背景技术

目前，随着进入全面的信息时代，在视觉上表达电信息信号的显示装置领域已经快速开发，并且继续研究以改善各种显示装置的性能，例如薄的厚度、轻重量和低功耗。

在各种显示设备中，发光显示设备是自发光显示设备，因此不需要单独的光源，这不同于液晶显示设备。因此，发光显示设备可以被制造成具有轻重量和小厚度。此外，由于发光显示设备是在低电压下驱动的，因此它不仅在功耗方面，而且在色彩实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是有利的。因此，期望将其用于各种领域中。

发明内容

通过本公开内容的示例性实施方式要实现的目的是提供一种发光装置，该发光装置通过改善使用率来降低制造成本。

通过本公开内容的示例性实施方式要实现的另一目的是提供一种显示设备，在该显示设备中一个发光装置包括两个有源层，以使用于设置冗余发光装置的空间最小化或减小。

通过本公开内容的示例性实施方式要实现的又一目的是提供一种显示设备，在该显示设备中冗余发光装置的布置空间被最小化或减小以实现高分辨率。

通过本公开内容的示例性实施方式要实现的另一目的是提供一种显示设备，该显示设备被应用于透明显示设备以实现高透射率。

通过本公开内容的示例性实施方式要实现的另一目的是提供一种显示设备，该显示设备容易地修复有缺陷的发光装置。

通过本公开内容的示例性实施方式要实现的另一目的是提供一种显示设备，该显示设备选择性地实现低亮度模式和高亮度模式。

通过本公开内容的示例性实施方式要实现的另一目的是提供一种显示设备，该显示设备改善了发热特性和寿命可靠性。

本公开内容的目的不限于上面提及的目的，并且本领域技术人员根据以下描述可以清楚地理解上面未提及的其他目的。

根据本公开内容的一方面，一种发光装置，包括：第一n型电极；设置在第一n型电极上的第一n型层；设置在第一n型层上的第一有源层；设置在第一有源层上的第一p型层；设置在第一p型层上的p型电极；设置在p型电极的部分区域上的第二p型层；设置在第二p型层上的第二有源层；以及设置在第二有源层上的第二n型层。

根据本公开内容的另一方面，一种显示设备，包括：基板，其中限定了包括多个子像素的多个像素；第一晶体管，其被设置在基板上且在多个子像素中的每个子像素中；平坦化层，其被设置在第一晶体管上；第一独立电极(first individual electrode)，其被设置在平坦化层上并且连接至第一晶体管；发光装置，其被设置在第一独立电极上；第二独立电极和公共电极，它们被设置在平坦化层上；第一连接电极，其将公共电极和发光装置的p型电极连接；以及第二连接电极，其将第二独立电极和发光装置的第二n型层连接。

示例性实施方式的其他详细事项包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开内容的示例性实施方式，其中通过单独工艺制造的两个发射单元被层叠的发光装置被配置成通过从两个发射单元发射的光的波长的混合效应来改善发光装置的使用率。

根据本公开内容的示例性实施方式，一个发光装置以如下结构配置：其中主发射单元和冗余发射单元被层叠以使用于布置冗余发光装置的空间最小化或减小。

根据本公开内容的示例性实施方式，用于布置冗余发光装置的空间被最小化或减小，以实现具有高分辨率和高透射率的显示设备。

根据本公开内容的示例性实施方式，包括在一个发光装置中的两个发射单元被配置成选择性地发光，使得当一个发射单元有缺陷时，显示设备可以由另一个发射单元驱动。

根据本公开内容的示例性实施方式，包括在一个发光装置中的两个发射单元被配置成选择性地发光，使得可以选择性地实现低亮度模式和高亮度模式。

根据本公开内容的示例性实施方式，包括在一个发光装置中的两个发射单元被配置成利用同一晶体管发光，以通过降低发光装置的电流密度以及改善发光装置的发热特性和寿命可靠性来提供具有低功率的显示设备。

根据本公开内容的效果不限于上面例示的内容，并且在本说明书中包括更多的各种效果。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：

图1A是根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置的截面图；

图1B是根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置的平面图；

图2A是测量根据第一比较示例的发光装置的主波长(dominant wavelength)的曲线图；

图2B是测量根据第二比较示例的发光装置的主波长的曲线图；

图2C是测量根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置的主波长的曲线图；

图3是根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备的示意图；

图4A和图4B是根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备的一个像素的示意性平面图；

图5A是沿图4B的线Va-Va'截取的截面图；

图5B是沿图4B的线Vb-Vb'截取的截面图；以及

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备的截面图。

具体实施方式

通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开内容的优点和特性以及实现这些优点和特性的方法将是清楚的。然而，本公开内容不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅以示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。

附图中所示的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅为示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常标示相似的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知的相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。本文中所使用的诸如“包括”、“具有”、“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。

当使用例如“在...上”、“在...上方”、“在...下方”或“在...旁边”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或更多个部件可以位于上述两个部件之间，除非该术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。

当元件或层设置在另一元件或层“上”时，其他层或其他元件可以直接置于另一元件或层上或直接置于其间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，在本公开内容的技术构思中，下面要提及的第一部件可以是第二部件。

在整个说明书中，相似的附图标记通常标示相似的元件。

为了便于描述，示出了附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度，但是本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此粘附或组合且可以以技术上不同的方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。

图1A是根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置的截面图。图1B是根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置的平面图。各种显示设备/装置可以利用和包括图1A和图1B的发光装置中的一个或更多个。

参照图1A和图1B，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED包括第一发射单元EU1、第二发射单元EU2和钝化层PAS。

第一发射单元EU1包括第一n型电极NE1、第一n型层NL1、第一有源层EL1、第一p型层PL1和p型电极PE。在本公开内容中，第一n型电极NE1也可以被称为n型电极NE1。

第一n型电极NE1是被设置成通过第一n型层NL1向第一有源层EL1注入电子的层。此外，第一n型电极NE1还可以用作接合金属，以将下面要描述的显示装置的第一独立电极与发光装置LED接合。第一n型电极NE1可以通过由镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、钛(Ti)、铝(Al)和铬(Cr)中至少一种形成的单个层或多个层配置，但不限于此。

第一n型层NL1被设置在第一n型电极NE1上。第一n型层NL1是用于向第一有源层EL1供应电子的层。例如，第一n型层NL1可以通过在通过生长镓氮化物(GaN)层形成的镓氮化物(GaN)半导体层上掺杂例如硅(Si)的n型杂质而形成，但不限于此。

第一有源层EL1被设置在第一n型层NL1上。第一有源层EL1是其中电子和空穴被耦合以发射光的层。例如，第一有源层EL1可以具有多量子阱结构，在多量子阱结构中多个垒层和阱层交替设置，阱层由铟镓氮化物(InGaN)层配置，并且垒层由镓氮化物(GaN)配置，但不限于此。

第一P型层PL1被设置在第一有源层EL1上。第一P型层PL1是用于向第一有源层EL1供应空穴的层。例如，第一p型层PL1通过在通过生长镓氮化物(GaN)层形成的镓氮化物(GaN)半导体层上掺杂p型杂质例如镁(Mg)、锌(Zn)和铍(Be)而形成，但不限于此。

p型电极PE被设置在第一p型层PL1上。p型电极PE可以通过第一p型层PL1向第一有源层EL1注入空穴。此时，p型电极PE可以由具有透明性的导电材料形成，以便允许从第一有源层EL1发射的光向上传播。例如，p型电极PE可以是透明电极。例如，p型电极PE可以由透明导电氧化物形成，并且可以由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，但不限于此。

随着激子在第一有源层EL1中消失，第一发射单元EU1可以发光。例如，当向第一发射单元EU1的第一n型电极NE1和p型电极PE中的每一个施加电压时，电子和空穴从第一n型层NL1和第一p型层PL1注入第一有源层EL1。随着通过重新耦合或复合电子和空穴形成的激子在第一有源层EL1中消失，激子可以发光。例如，第一有源层EL1发射与第一有源层EL1的最低未占分子轨道(LUMO)与最高占据分子轨道(HOMO)之间的能量差对应的光。

参照图1A，第二发射单元EU2被设置在第一发射单元EU1上。第二发射单元EU2包括p型电极PE、第二p型层PL2、第二有源层EL2和第二n型层NL2。

参照图1A，第二发射单元EU2的p型电极PE可以是与第一发射单元EU1的p型电极PE相同的部件。例如，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2可以共享p型电极PE。p型电极PE可以通过第二p型层PL2向第二有源层EL2注入空穴。

第二p型层PL2被设置在p型电极PE上。第二p型层PL2被设置在p型电极PE上、在p型电极PE的部分区域中。例如，如图1A中所示，第二p型层PL2具有比p型电极PE小的面积，并且可以被设置在p型电极PE的顶表面上。

第二p型层PL2是用于向第二有源层EL2注入空穴的层。例如，第二p型层PL2可以通过在通过生长镓氮化物(GaN)层形成的镓氮化物(GaN)半导体层上掺杂p型杂质、例如镁(Mg)、锌(Zn)和铍(Be)而形成，但不限于此。

第二有源层EL2被设置在第二p型层PL2上。第二有源层EL2是其中电子和空穴被耦合或组合以发射光的层。例如，第二有源层EL2可以具有多量子阱结构，在多量子阱结构中多个垒层和阱层交替设置，阱层由铟镓氮化物(InGaN)层配置，并且垒层由镓氮化物(GaN)配置，但不限于此。

第二n型层NL2被设置在第二有源层EL2上。第二n型层NL2是用于向第二有源层EL2供应电子的层。例如，第二n型层NL2通过在通过生长镓氮化物(GaN)层形成的镓氮化物(GaN)半导体层上掺杂例如硅Si的n型杂质而形成，但不限于此。

随着激子在第二有源层EL2中消失，第二发射单元EU2可以发光。例如，当向第二发射单元EU2的第二n型层NL2和p型电极PE中的每一个施加电压时，电子和空穴分别从第二n型层NL2和第二p型层PL2注入第二有源层EL2。随着通过重新耦合或复合电子和空穴形成的激子在第二有源层EL2中消失，激子可以发光。例如，第二有源层EL2发射与第二有源层EL2的最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)之间的能量差对应的光。

第二发射单元EU2被设置在第一发射单元EU1的部分区域上。例如，参照图1A，第一n型电极NE1、第一n型层NL1、第一有源层EL1、第一p型层PL1和p型电极PE的面积中的任何面积可以大于第二p型层PL2、第二有源层EL2和第二n型层NL2的面积中的任何面积。因此，第二p型层PL2、第二有源层EL2和第二n型层NL2被设置在p型电极PE的顶表面的部分区域上，但是第二p型层PL2、第二有源层EL2和第二n型层NL2可以不设置在其他部分区域或p型电极PE的顶表面的剩余区域中。

钝化层PAS被设置成包围第一n型层NL1、第一有源层EL1、第一p型层PL1和p型电极PE、第二p型层PL2、第二有源层EL2和第二n型层NL2。此外，钝化层露出或暴露p型电极PE的一部分和第二n型层NL2的一部分。具体地，钝化层PAS被设置成包围第一n型层NL1的侧表面、第一有源层EL1的侧表面、第一p型层PL1的侧表面、以及p型电极PE的顶表面的一部分和侧表面。此外，钝化层PAS包围第二p型层PL2的侧表面、第二有源层EL2的侧表面、以及第二n型层NL2的顶表面的一部分和侧表面。

因此，如将图1A的发光装置的俯视平面图作为示例描绘的图1B中所示，p型电极PE的一部分和第二n型层NL2的一部分可以通过钝化层PAS暴露在发光装置LED的顶表面上。例如，p型电极PE的顶表面的一部分和第二n型层NL2的顶表面的一部分可以被钝化层PAS暴露和围绕。作为示例，p型电极PE的顶表面的暴露部分的尺寸和/或形状可以与第二n型层NL2的顶表面的暴露部分的尺寸和/或形状相同或类似。然而，其他尺寸和形状是可能的。

钝化层PAS被设置成包围发光装置LED，以保护发光装置LED的各种部件不受从外部渗透的湿气和氧气的影响。钝化层PAS可以由绝缘材料配置，并且例如通过由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和硅氮氧化物(SiON)形成的无机层配置，但不限于此。

根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED可以是具有其中两个发射单元EU1和EU2被层叠的结构的发光装置。该结构是通过如下方式形成的：将形成在相应的单独的晶片上的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2接合成彼此面对，其间具有一个p型电极PE。例如，第一n型层NL1、第一有源层EL1和第一p型层PL1形成在第一晶片上，而第二n型层NL2、第二有源层EL2和第二p型层PL2形成在第二晶片上。此后，第一n型层NL1、第一有源层EL1和第一p型层PL1以及第二n型层NL2、第二有源层EL2和第二p型层PL2接合，其间具有p型电极PE。如此，可以形成发光装置LED并且这样的发光装置LED的示例在图1A中示出。

第一发射单元EU1和第二发射单元EU2可以被配置成发射具有相同颜色的光。例如，第一发射单元EU1的第一有源层EL1和第二发射单元EU2的第二有源层EL2可以由发射具有相同颜色的光的材料形成。例如，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2可以发射红光、绿光、蓝光或白光，但不限于此。

第一发射单元EU1和第二发射单元EU2可以发射具有相同颜色的光，但是由第一发射单元EU1发射的光的中心波长和由第二发射单元EU2发射的光的中心波长可以不同。第一发射单元EU1和第二发射单元EU2形成在彼此不同的晶片上。因此，由第一发射单元EU1的第一有源层EL1发射的光的主波长λd和由第二发射单元EU2的第二有源层EL2发射的光的主波长λd不完全相同，而是可以彼此不同。

参照图1A，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2共享同一p型电极PE，并且分别包括第一n型电极NE1和第二n型层NL2。因此，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2被配置成分别发光。

具体地，第一发射单元EU1包括第一n型电极NE1、设置在第一n型电极NE1上的第一n型层NL1、设置在第一n型层NL1上的第一有源层EL1、设置在第一有源层EL1上的第一p型层PL1、以及设置在第一p型层PL1上的p型电极PE。第二发射单元EU2包括p型电极PE、设置在p型电极PE的部分区域上的第二p型层PL2、设置在第二p型层PL2上的第二有源层EL2、以及设置在第二有源层EL2上的第二n型层NL2。例如，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2分别包括第一n型电极NE1和第二n型层NL2，并且被设置成共享p型电极PE。此外，第二发射单元EU2的第二p型层PL2被设置在p型电极PE的部分区域上，以暴露p型电极PE的剩余区域。

因此，p型电极PE被设置在第一发射单元EU1的第一p型层PL1与第二发射单元EU2的第二p型层PL2之间，并且同时，p型电极PE的部分区域被暴露。因此，p型电极PE可以被配置成通过p型电极PE的暴露的部分区域施加有来自外部(例如，LED或具有LED的装置的外部)的电压。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED中，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的每一个可以被配置成共享同一p型电极PE并同时发光。

此外，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED被配置成将发射与第一发射单元EU1相同颜色光的第二发射单元EU2层叠在第一发射单元EU1上。第一发射单元EU1和第二发射单元EU2可以被配置成分别和/或同时发光。因此，发光装置LED可以被配置为其中集成主发射单元和冗余发射单元的冗余集成发光装置LED。

具体地，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED可以具有其中分别发光的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2被层叠的结构。此时，第二发射单元EU2被配置为发射与第一发射单元EU1相同颜色光的发射单元，使得第一发射单元EU1和第二发射单元EU2可以选择性地用作主发射单元和主发射单元的冗余发射单元。例如，当第一发射单元EU1是主发射单元并且第二发射单元EU2是冗余发射单元时，电压仅施加至p型电极PE和第一n型电极NE1，以允许仅第一发射单元EU1发光。此外，电压被施加至p型电极PE、第一n型电极NE1和第二n型层NL2，以允许第一发射单元EU1和第二发射单元EU2二者都发光。此外，当作为主发射单元的第一发射单元EU1有问题以致难以正常发光时，电压被施加至第二n型层NL2和p型电极PE以允许仅第二发射单元EU2发光，由此第二发射单元EU2可以用作次/辅助发射单元或冗余发射单元。因此，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED可以被配置为其中主发射单元和冗余发射单元被集成并且可以被选择性地使用的冗余集成发光装置LED。因此，当使用根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED时，两个发射单元被实现并且有效地集成在一个发光装置LED中，使得由主发射单元和冗余发射单元占据的面积可以减小或最小化。

当使用根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED时，可以改善发光装置LED的使用率。在下文中，将参照图2A至图2C更详细地描述改善使用率的效果。

图2A是测量根据第一比较示例的发光装置的主波长的曲线图。图2B是测量根据第二比较示例的发光装置的主波长的曲线图。图2C是测量根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置的主波长的曲线图。这些曲线图示出了为了将本公开内容的发光装置与相关技术的其他发光装置进行比较所采取的测量。

图2A的根据第一比较示例的发光装置是在一个晶片上生长的一个发射单元，并且图2A的曲线图是示出从根据第一比较示例的发光装置发射的光的根据波长的强度的曲线图。图2B的根据第二比较示例的发光装置是通过在与第一比较示例不同的晶片上生长而形成的另一发射单元，并且具有与根据第一比较示例的发光装置相比更小的面积。图2B的曲线图是示出从根据第二比较示例的发光装置发射的光的根据波长的强度的曲线图。图2C的发光装置是参照图1A和图1B描述的发光装置LED，并且图2C的曲线图是示出从根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED发射的光的根据波长的强度的曲线图。此时，假定根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED的第一发射单元EU1是根据第一比较示例的发光装置，并且第二发射单元EU2是根据第二比较示例的发光装置。例如，假定根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED是通过将根据第一比较示例的发光装置和根据第二比较示例的发光装置接合而形成的。此时，根据第一比较示例、第二比较示例和本公开内容的示例性实施方式的所有发光装置发射绿光。

在图2A至图2C中，主波长λd是从在相同晶片上形成的大约400个发光装置发射的光的波长的平均值。在图2A至图2C的曲线图上，X轴是从每个发光装置发射的光的波长(nm)，并且Y轴表示光的根据波长的强度。从图2A至图2C的曲线图中识别每个平均波长值。因此，测量从根据第一比较示例和第二比较示例的发光装置以及根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置中的每一个发射的光的主波长λd。同时，从良好质量发光装置发射的光的允许规格范围(Spec)可以被认为是530nm±3nm。例如，当发光装置的主波长λd满足530nm±3nm的范围时，它可能意味着该发光装置具有良好的质量。

首先，参照图2A，在根据第一比较示例的发光装置的情况下，主波长λd被测量为526.37nm，并且标准偏差StDEV被测量为2.99nm。例如，根据第一比较示例的发光装置的主波长λd不满足作为良好质量发光装置的允许规格范围的530nm±3nm，使得可以确认根据第一比较示例的所有发光装置原则上都需要被丢弃。

接下来，参照图2B，在根据第二比较示例的发光装置的情况下，主波长λd是533.6nm，并且标准偏差StDEV被测量为1.32nm。例如，根据第二比较示例的发光装置的主波长λd也不满足作为良好质量发光装置的允许规格范围的530nm±3nm，使得可以确认根据第二比较示例的所有发光装置原则上都需要被丢弃。

最后，如上所述，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED是通过将第一发射单元EU1和第二发射单元EU2接合而形成的，第一发射单元EU1是根据第一比较示例的发光装置，第二发射单元EU2是根据第二比较示例的发光装置。

参照图2C，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED的情况下，从第一发射单元EU1和第二发射单元EU2发射的光被混合，使得主波长λd被测量为529.99nm，并且标准偏差StDEV被测量为1.48nm。例如，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED的主波长λd满足为530nm±3nm的良好质量发光装置的允许规格范围，使得可以确认该发光装置可以被认为是良好质量发光装置并且可以使用而不被丢弃。

因此，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED被配置成具有其中在相应的单独的晶片上形成的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2被彼此层叠的结构，以改善发光装置LED的产率。

具体地，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED是通过将不完全满足良好的发光装置的允许规格范围的两个发射单元层叠以使分别从这两个发射单元发射的光的波长混合而配置的。因此，如图2C中所示，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED可以被配置成通过使第一发射单元EU1和第二发射单元EU2的波长混合来满足良好质量发光装置的允许规格范围。因此，根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED可以使用需要丢弃的发射单元而形成，使得发光装置LED的产率可以得到改善并且发光装置LED的制造成本可以得到降低。

在下文中，将参照图3描述应用上述根据本公开内容的示例性实施方式的发光装置LED(例如，图1A和图1B的LED)的根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100。

图3是根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备的示意图。在图3中，为了便于描述，在显示设备100的各种部件中，仅示出了显示面板110、数据驱动器120、栅极驱动器130、定时控制器140、多个像素P、多条数据线DL和多条栅极线GL。

参照图3，根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100包括显示面板110、数据驱动器120、栅极驱动器130和定时控制器140。

显示面板110是用于显示图像的面板。显示面板110可以包括设置在基板111上的各种电路、布线和发光装置LED。在显示面板110的基板111上，设置了彼此交叉的多条数据线DL和多条栅极线GL，并且可以限定连接至多条数据线DL和多条栅极线GL的多个像素P。显示面板110可以包括由多个像素P限定的有源区域和其中形成各种信号线或焊盘的非有源区域。一个或更多个非有源区域可以与一个或更多个有源区域相邻。显示面板110可以被实现为在各种发光显示设备中使用的显示面板110，各种发光显示设备例如是液晶显示设备、有机发光显示设备、使用LED的发光显示设备、或电泳显示设备。在下文中，描述了显示面板110是在包括LED的发光显示设备中使用的面板，但不限于此。

定时控制器140借助于诸如连接至主机系统的LVDS(低压差分信令)或TMDS(最小化传输差分信令)接口的接收电路接收定时信号，例如垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号或点时钟。定时控制器140基于输入定时信号生成定时控制信号，以控制数据驱动器120和栅极驱动器130。

数据驱动器120连接至显示面板110的多条数据线DL，并且向多个单位像素P供应数据电压。数据驱动器120可以包括多个源极驱动集成电路(IC)。多个源极驱动IC可以被供应有来自定时控制器140的数字视频数据和源极定时控制信号。多个源极驱动IC响应于源极定时控制信号将数字视频数据转换为伽马电压，以生成数据电压，并通过显示面板110的多条数据线DL供应数据电压。多个源极驱动IC可以通过玻璃上芯片(COG)工艺、膜上芯片(COF)工艺或带式自动接合(TAB)工艺连接至显示面板110的多条数据线DL。此外，多个源极驱动IC形成在显示面板110上，或形成在单独的印刷电路板(PCB)基板上以连接至显示面板110。本公开内容的示例性实施方式不限于此。

栅极驱动器130连接至显示面板110的多条栅极线GL，并且向多个像素P供应栅极信号。栅极驱动器130可以包括电平移位器和移位寄存器。电平移位器对从定时控制器140以晶体管-晶体管-逻辑(TTL)电平输入的时钟信号的电平进行移位，并且然后可以将移位的时钟信号供应给移位寄存器。移位寄存器可以通过GIP(面板内栅极)方式形成在显示面板110的非有源区域中，但不限于此。移位寄存器可以由多个级来配置，所述多个级响应于时钟信号和驱动信号对栅极信号进行移位以输出。移位寄存器中包括的多个级可以通过多个输出端子顺序地输出栅极信号。

在下文中，将参照图4A至图5B更详细地描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100的一个像素P中设置的多个子像素SP。例如，显示设备100或本公开内容的任何其他显示设备的每个像素P可以由图4A至图5B中示出的多个子像素SP组成。

图4A和图4B是根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备的一个像素P的示意性平面图。图5A是沿图4B的线Va-Va'截取的截面图。

图5B是沿图4B的线Vb-Vb'截取的截面图。为了便于描述，在图4A中，在一个像素P的各种部件中，示出了仅第一独立电极151、公共电极152，和第二独立电极153。

参照图4A和图4B，根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100的一个像素P包括多个子像素SP，并且在多个子像素SP中，分别设置多个发光装置LED。例如，每个像素P包括多个子像素SP，并且这样的子像素SP中的每一个可以包括本公开内容的发光装置LED。

参照图4B，一个像素P可以包括多个子像素SP，例如，发射红光的红色子像素、发射绿光的绿色子像素、以及发射蓝光的蓝色子像素，并且还可以包括发射白光的白色子像素，但不限于此。

参照图4B，如上所述，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，设置在一个像素P的多个子像素SP中的每一个中的发光装置LED连接至同一公共电极152。此外，发光装置还连接至彼此不同的第一独立电极151和不同的第二独立电极153。例如，在一个像素P中，设置了连接至设置在多个子像素SP中的所有发光装置LED的公共电极152、以及设置在多个子像素SP中的发光装置LED与其连接的第一独立电极151和第二独立电极153。因此，一个发光装置LED与第一独立电极151、公共电极152和第二独立电极153的连接方法可以通过以下方式来形成：将发光装置LED的第一n型电极NE1接合到第一独立电极151上，通过第一连接电极CE1将发光装置LED的p型电极PE连接至公共电极152，以及通过第二连接电极CE2将第二n型层NL2连接至第二独立电极153。下面将参照图5A和图5B对其进行详细描述。

图5A是沿图4B的线Va-Va'截取的截面图。

图5B是沿图4B的线Vb-Vb'截取的截面图。

一起参照图5A和图5B，根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100包括基板111、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、高电位电力线VDD、第一独立电极151、公共电极152、第二独立电极153、发光装置LED、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。

参照图5A和图5B，基板111被设置在显示设备100的下部。基板111可以支承和保护显示设备100的各种部件。基板111可以由透明材料、例如玻璃形成，但不限于此。

第一晶体管TR1和第二晶体管TR2可以被设置在基板111上且在多个子像素中的每一个中。

第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和高电位电力线VDD被设置在基板111上。

参照图5A和图5B，第一晶体管TR1连接至第一独立电极151，并且第二晶体管TR2连接至第二独立电极153。例如，第一晶体管TR1和第二晶体管TR2二者都连接至同一发光装置LED。具体地，第一晶体管TR1连接至发光装置LED的第一发射单元EU1，并且第二晶体管TR2连接至同一发光装置LED的第二发射单元EU2。因此，第一晶体管TR1可以控制第一发射单元EU1的驱动，并且第二晶体管TR2可以控制第二发射单元EU2的驱动。第一晶体管TR1和第二晶体管TR2被独立控制，使得发光装置LED的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2可以被配置成独立(例如，单独地或选择性地)发光。

此外，由于发光装置LED的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2被配置成独立发光，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的一个发射单元可以被选择为冗余发射单元，并且如果第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的另一发射单元变得有缺陷或不能适当地操作，则上述一个发射单元可以被使用。在另一示例中，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2可以作为主发射单元和辅助(附加)发射单元操作，以同时发光。

第一晶体管TR1和第二晶体管TR2可以用作显示设备100的驱动元件。第一晶体管TR1包括第一栅极电极GE1、第一有源层ACT1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1，并且第二晶体管TR2包括第二栅极电极GE2、第二有源层ACT2、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，示出了底栅型晶体管，在该底栅型晶体管中，第一晶体管TR1的栅极电极GE1和第二晶体管TR2的栅极电极GE2被设置在底部上，有源层ACT1和ACT2被设置在栅极电极GE1和GE2上，并且源极电极SE1和SE2以及漏极电极DE1和DE2被设置在有源层ACT1和ACT2上。然而，本公开内容并不限于此，并且其他类型是可能的。

第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2被设置在基板111上。第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2可以是各种金属材料中的任何一种，例如，钽(Ta)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种，其两种或更多种的合金，或其多层，但不限于此。

栅极绝缘层112被设置在第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2上。栅极绝缘层112是用于分别将第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2与第一有源层ACT1和第二有源层ACT2电绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以被形成为作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层，或者硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层，但不限于此。

第一有源层ACT1和第二有源层ACT2被设置在栅极绝缘层112上。第一有源层ACT1和第二有源层ACT2被设置成分别与第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2交叠。例如，第一有源层ACT1和第二有源层ACT2也可以由氧化物半导体、诸如非晶硅(a-Si)的非晶半导体、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成，但不限于此。

第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2被分别设置在第一有源层ACT1和第二有源层ACT2上。第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2彼此间隔开地设置在同一层上。第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2可以以与第一有源层ACT1和第二有源层ACT2分别接触的方式分别电连接至第一有源层ACT1和第二有源层ACT2。此时，第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2可以用作将信号施加给同一发光装置LED的第一电极。第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2可以是各种金属材料中的任何一种，例如，钽(Ta)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种，或其两种或更多种的合金，或其多层，但不限于此。

高电位电力线VDD被设置成与第一晶体管TR1和第二晶体管TR2相邻。具体地，高电位电力线VDD与同一层上的源极电极和漏极电极间隔开地设置在栅极绝缘层112上，并且可以由与源极电极材料和漏极电极材料相同的材料形成，或者也可以由与栅极电极材料相同的材料形成。然而，这不限于此。

高电位电压被供应给高电位电力线VDD。高电位电力线VDD连接至公共电极(例如，152)。高电位电力线VDD可以通过公共电极152和第一连接电极CE1连接至发光装置LED的p型电极PE。因此，高电位电力线VDD可以将高电位电压传输至公共电极152和发光装置LED的p型电极PE。

第一绝缘层113被设置在第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和高电位电力线VDD上。第一绝缘层113被设置在第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和高电位电力线VDD上方，以保护第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和高电位电力线VDD。第一绝缘层113可以是无机绝缘层。例如，第一绝缘层113可以由作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层配置，但不限于此。

第二绝缘层114被设置在第一绝缘层113上。第二绝缘层114的顶表面具有与基板111平行的表面。因此，第二绝缘层114可以使由部件、例如设置在第二绝缘层114下方的晶体管和布线引起的台阶差平坦化。因此，第二绝缘层114也可以被称为平坦化层。第二绝缘层114可以是有机绝缘层。例如，第二绝缘层114可以由光丙烯酸、丙烯酸树脂、环氧树脂、苯酚树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中之一形成，但不限于此。因此，第二绝缘层也可以被配置有多层结构，例如无机层/有机层或无机层/有机层/无机层。

第一独立电极151、公共电极152和第二独立电极153被设置在第二绝缘层114上。如上所述，设置在一个像素P的多个子像素SP中的发光装置LED连接至同一公共电极152，并且连接至彼此不同的第一独立电极151和彼此不同的第二独立电极153。例如，一个发光装置LED连接至第一独立电极151、公共电极152和第二独立电极153。此外，如图4A和图4B中所示，设置在一个像素P的多个子像素SP中的所有发光装置LED连接至同一公共电极152。

例如，第一独立电极151、公共电极152和第二独立电极153可以由相同材料形成在相同层上。因此，第一独立电极151、公共电极152和第二独立电极153可以通过相同的工艺形成，但不限于此。

第一独立电极151连接至第一晶体管TR1的第一漏极电极DE1。具体地，第一独立电极151可以通过形成在第一绝缘层113和第二绝缘层114中的接触孔连接至第一晶体管TR1的第一漏极电极DE1。

公共电极152连接至高电位电力线VDD。具体地，公共电极152可以通过形成在第一绝缘层113和第二绝缘层114中的接触孔连接至高电位电力线VDD。如图4A和图4B中所示，公共电极152可以以布线的形式设置，以便连接至多个发光装置LED，但不限于此。

第二独立电极153连接至第二晶体管TR2的第二漏极电极DE2。具体地，第二独立电极153可以通过形成在第一绝缘层113和第二绝缘层114中的接触孔连接至第二晶体管TR2的第二漏极电极DE2。

公共电极152、第一独立电极151和第二独立电极153可以是具有导电性的各种金属材料中的任何一种，例如，钽(Ta)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种，或其两种或更多种的合金，或其多层，但不限于此。此外，公共电极152、第一独立电极151和第二独立电极153可以利用相同的材料同时形成。

同时，根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100可以形成有公共阳极结构，在该公共阳极结构中第一独立电极151和第二独立电极153二者是阴极，而公共电极152是阳极。具体地，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，高电位电压可以被传输至公共电极152。来自高电位电力线VDD的恒定的高电位电力信号被供应给作为阳极的公共电极152，并且响应于数据信号，在每一帧，不同的信号可以被供应给作为阴极的第一独立电极151和第二独立电极153。因此，显示设备100的每个子像素SP的驱动电路可以形成有公共阳极结构。

第三绝缘层115被设置在第一独立电极151、公共电极152和第二独立电极153上。第三绝缘层115被设置在第一独立电极151、公共电极152和第二独立电极153上方，以保护第一独立电极151、公共电极152和第二独立电极153。第三绝缘层115可以是无机绝缘层。例如，第三绝缘层115可以由作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层配置，但不限于此。

发光装置LED被设置在第三绝缘层115上。具体地，如图5A和图5B中所示，发光装置LED被设置在从第三绝缘层115暴露的第一独立电极151上。因此，发光装置LED可以电连接至第一独立电极151(例如，与第一独立电极151直接接触)。

发光装置LED包括第一发射单元EU1、第二发射单元EU2和钝化层PAS，并且在该示例中是图1A和图1B的发光装置LED。第一发射单元EU1包括第一n型电极NE1、设置在第一n型电极NE1上的第一n型层NL1、设置在第一n型层NL1上的第一有源层EL1、设置在第一有源层EL1上的第一p型层PL1、以及设置在第一p型层PL1上的p型电极PE。第二发射单元EU2包括p型电极PE、设置在p型电极PE上的第二p型层PL2、设置在第二p型层PL2上的第二有源层EL2、以及设置在第二有源层EL2上的第二n型层NL2。钝化层PAS被设置成包围第一n型层NL1的侧表面、第一有源层EL1的侧表面、第一p型层PL1的侧表面、以及p型电极PE的顶表面的一部分和侧表面。此外，钝化层包围第二p型层PL2的侧表面、第二有源层EL2的侧表面、以及第二n型层NL2的顶表面的一部分和侧表面。因此，如图1B中所示，p型电极PE的一部分和第二n型层NL2的一部分可以从钝化层PAS暴露在发光装置LED的顶表面上。

第一连接电极CE1可以被设置在发光装置LED的p型电极PE上。第二连接电极CE2可以被设置在第二n型层NL2上。具体地，第一连接电极CE1被设置在p型电极PE的从发光装置LED的钝化层PAS暴露的部分上，并且第二连接电极CE2被设置在第二n型层NL2的从发光装置LED的钝化层PAS暴露的部分上。

第一连接电极CE1在发光装置LED的p型电极PE上延伸成设置在从第三绝缘层115暴露的公共电极152上，如图4B中所示。第一连接电极CE1可以将发光装置LED的p型电极PE和公共电极152连接。因此，第一连接电极CE1可以将发光装置LED的p型电极PE和公共电极152电连接。

例如，第一连接电极CE1可以由透明导电氧化物、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)来形成，但不限于此。

第二连接电极CE2在发光装置LED的第二n型层NL2上延伸成设置在从第三绝缘层115暴露的第二独立电极153上，如图4B中所示。第二连接电极CE2可以将发光装置LED的第二n型层NL2和第二独立电极153连接。因此，第二连接电极CE2可以将发光装置LED的第二n型层NL2和第二独立电极153电连接。

例如，第二连接电极CE2可以由透明导电氧化物、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)来形成，但不限于此。

同时，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，在发光装置LED的正常操作期间，只有第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的第二晶体管TR2可以被驱动。例如，当发光装置LED正常操作时，第二发射单元EU2可以作为主发射单元发光。当第二发射单元EU2不能适当地操作或变得有缺陷时，第一晶体管TR1被驱动，使得第一发射单元EU1可以作为备份发射单元发光。例如，第二发射单元EU2被配置为主发光装置，并且第一发射单元EU1可以被配置为冗余发光装置。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，一个发光装置LED被配置有其中主发射单元和冗余发射单元二者被彼此层叠，以便使用于布置冗余发光装置的空间最小化的结构。

为了解决其中由于在显示设备的制造过程期间的缺陷而导致发光装置不发光或不正常发光以使得显示设备的美感降低的问题，在本实施方式中，额外的冗余发光装置与发光装置单独设置。因此，当产生有缺陷的发光装置时，冗余发光装置代替有缺陷的发光装置发光，使得由有缺陷的发光装置引起的美感降低可以得到改善。

然而，由于还设置了冗余发光装置，显示设备的发射区域减少与用于在平面图中设置冗余发光装置的空间一样多的区域，并且因此，可能引起显示设备的分辨率降低的附加问题。

因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，一个发光装置LED被配置有其中两个发射单元EU1和EU2在其中被彼此层叠的结构。例如，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2被设置成彼此交叠，使得在本实施方式的发光装置LED中用于在平面内设置另一发光单元的附加空间可能不是必需的。

此外，由于用于设置冗余发光装置的空间被最小化或减小，更多的发光装置LED可以被设置在相同的区域中，使得显示设备100可以被实现有更高的分辨率。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，一个发光装置LED被配置有其中主发射单元和冗余发射单元二者在其中被层叠成使用于布置冗余发光装置的空间最小化的结构。此外，可以实现具有高分辨率的显示设备100。

此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，用于设置冗余发光装置的空间被最小化，使得可以实现具有高透射率的显示设备100。

具体地，如上所述，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，一个发光装置LED被配置有其中主发射单元和冗余发射单元在其中被彼此层叠成使用于布置冗余发光装置的空间最小化的结构。

此外，在其中透射区域和发射区域被设置在有源区域中的透明显示设备的情况下，可能需要用于设置透射区域的空间。因此，不需要并省略冗余发光装置的指定附加空间，并且这样的空间可以替代地用作透明区域，使得透明区域扩展并且显示设备100的透射率可以得到改善。例如，当根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100被应用于透明显示设备时，可以实现具有更高透射率的显示设备100。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100中，用于设置冗余发光装置的空间被最小化或减小，使得可以实现具有高透射率的显示设备。如此，可以实现低功率的显示设备100。

在下文中，将详细描述根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备中，当发光装置LED正常操作时，只有第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的第一晶体管TR1被驱动并且第一发射单元EU1发光。因此，显示设备的发射面积增加，以降低发光装置LED的电流密度。

具体地，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备100中，在发光装置LED的正常操作期间，只有第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的第一晶体管TR1可以被驱动。例如，当发光装置LED正常操作时，第一发射单元EU1可以发光。另一方面，当第一发射单元EU1变得有缺陷或不能适当地操作时，第二晶体管TR2被驱动，使得第二发射单元EU2可以发光。例如，第一发射单元EU1被配置为主发光装置LED，并且第二发射单元EU2可以被配置为冗余发光装置。

参照图1A和图5A，发光装置LED的第一n型电极NE1、第一n型层NL1、第一有源层EL1、第一p型层PL1和p型电极PE的面积大于发光装置的第二p型层PL2、第二有源层EL2和第二n型层NL2的面积。例如，发光装置LED的第一发射单元EU1的发射面积大于第二发射单元EU2的发射面积。在这些附图中可以看到这种情况的示例，因为第一发射单元EU1的发射区域的宽度大于第二发射单元EU2的发射区域的宽度。此时，第一发射单元EU1和第二发射单元EU2被连接至同一发光装置LED以被供应有来自同一电路的具有相同强度的电流。因此，当与发光的第二发射单元EU2相比具有较大发射面积的第一发射单元EU1发光时，电流密度可以相对较低。因此，当第一发射单元EU1被配置为主发光装置时，发光装置LED的电流密度可以得到进一步降低，并且发光装置LED的发热和寿命可以得到改善。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备中，当发光装置LED正常操作时，只有第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的第一晶体管TR1被驱动，并且第一发射单元EU1发光。因此，显示设备的发射面积增加，以降低发光装置LED的电流密度。

在下文中，将详细描述根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备被配置成使得当第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的一个发射单元有缺陷或变得有缺陷时，电连接至第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的另一发射单元的晶体管被驱动。因此，有缺陷的发光装置可以被容易地修复。

具体地，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备中，作为用于控制连接至包括在一个发光装置LED中的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的两个发射单元EU1和EU2的晶体管TR1和TR2的操作的方法，包括在一个发光装置LED中的两个发射单元EU1和EU2选择性地发光。因此，包括在一个发光装置LED中的两个发射单元EU1和EU2可以容易地发光，在这点上当一个发射单元有缺陷或变得有缺陷时，另一发射单元发光，在这点上有缺陷的发射单元也可以被容易地修复或者通过发光的另一发射单元被处理(address)。

例如，根据有缺陷的发射单元的修复方法，如果通过照明测试确认了有缺陷的发射单元，则作为连接至被确认为有缺陷的发射单元的晶体管的替换，可以通过驱动连接至与被确认为有缺陷的发射单元一起层叠的另一发射单元的晶体管来修复有缺陷的发射单元。然而，有缺陷的发射单元的修复方法不限于此。如上所述，根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备被配置成使得当第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的一个发射单元有缺陷或变得有缺陷时，电连接至第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的另一发射单元的晶体管可以被驱动以发光和适当地操作。因此，有缺陷的发光装置可以被容易地修复或处理。

在下文中，将详细描述根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备被配置成允许包括在一个发光装置LED中的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的两个发射单元选择性地发光，使得可以选择性地实现低亮度模式和高亮度模式。

具体地，显示设备可以根据需要以第一模式或第二模式被驱动，该第一模式以预定的特定亮度驱动，该第二模式以与第一模式相比更高的亮度驱动。例如，第一模式是低亮度模式，并且第二模式可以是高亮度模式。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备被配置成允许包括在一个发光装置LED中的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的两个发射单元EU1和EU2选择性地发光。因此，在第一模式下，第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的一个被驱动，使得第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的一个可以发光。在第二模式下，第一晶体管TR1和第二晶体管TR2二者都被驱动，使得第一发射单元EU1和第二发射单元EU2二者都可以同时发光。例如，可以在一个发光装置LED中选择性地实现作为低亮度模式的第一模式和作为高亮度模式的第二模式。因此，根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备被配置成允许包括在一个发光装置LED中的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的两个发射单元EU1和EU2选择性地发光，使得可以通过发光装置LED选择性地实现低亮度模式或高亮度模式。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备被配置成将包括在一个发光装置LED中的第一发射单元EU1和第二发射单元EU2中的两个发射单元层叠以分别通过单独的晶体管TR1和TR2发光。因此，与其中设置仅一个发射单元的发光装置LED相比，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备中，电流被划分成流向两个发射单元EU1和EU2，使得一个发射单元所需的电流可以得到降低。

图6是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备的截面图。图6的显示设备600与图3至图5B的显示设备100之间的主要区别是没有设置第二晶体管TR2，而其他配置基本上相同，因此将省略或简要提供冗余描述。

参照图6，发光装置LED的第二n型层NL2通过第二连接电极CE2和第二独立电极153连接至第一晶体管TR1。具体地，第一独立电极151和第二独立电极153被设置在第一晶体管TR1的第一漏极电极DE1上，以分别电连接至第一漏极电极DE1。第一漏极电极DE1在第一独立电极151和第二独立电极153之间延伸。发光装置LED被设置在第一独立电极151上，并且电连接至发光装置LED的第二n型层NL2的第二连接电极CE2被设置在第二独立电极153上。例如，第二独立电极153连接至第一晶体管TR1，第一晶体管TR1连接至第一独立电极151。因此，包括在一个发光装置LED中的两个发射单元EU1和EU2可以被配置成利用同一晶体管TR1来发光。

根据本公开内容的又一示例性实施方式，包括在一个发光装置LED中的两个发射单元EU1和EU2被配置成利用同一晶体管TR1来发光，使得发光装置LED的发热特性和寿命可靠性得到改善。如此，可以提供低功率的显示设备600。

具体地，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备600中，包括在一个发光装置LED中的两个发射单元EU1和EU2被配置成利用同一晶体管TR1来发光。例如，当连接至发光装置LED的晶体管TR1被驱动时，包括在一个发光装置LED中的两个发射单元EU1和EU2可以同时发光。此时，从一个晶体管TR1施加的电流可以被划分成流向两个发射单元EU1和EU2。因此，相同电流的发射面积增加，使得一个发光装置LED的电流密度可以得到降低，这可以改善发光装置LED的发热特性和寿命可靠性。在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备600中，包括在一个发光装置LED中的两个发射单元EU1和EU2被配置成利用同一晶体管TR1来发光，使得发光装置LED的发热特性和寿命可靠性可以得到改善。

同时，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备600中，包括在一个发光装置LED中的两个发射单元EU1和EU2被连接至同一晶体管TR1，使得不需要并且可以不制造用于驱动两个发射单元EU1和EU2的单独晶体管。因此，可以减少工艺和用于制造晶体管和显示设备的成本。因此，工艺优化是可能的。

注意，虽然上文参照图5A、图5B和图6描述了根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备通过第一独立电极151、公共电极152、第二独立电极153、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2被供应电力的示例，但是本公开内容不限于此，而是可以根据实际需要利用其他方式向显示设备供应电力。

本公开内容的示例性实施方式也可以描述如下：

根据本公开内容的一方面，一种发光装置包括：第一n型电极；设置在第一n型电极上的第一n型层；设置在第一n型层上的第一有源层；设置在第一有源层上的第一p型层；设置在第一p型层上的p型电极；设置在p型电极的部分区域上的第二p型层；设置在第二p型层上的第二有源层；以及设置在第二有源层上的第二n型层。

第一n型电极、第一n型层、第一有源层、第一p型层和p型电极的面积可以大于第二p型层、第二有源层和第二n型层的面积。

p型电极可以是透明电极。

第一有源层和第二有源层可以发射相同颜色的光。

从第一有源层发射的光的主波长与从第二有源层发射的光的主波长不同。

发光装置还可以包括钝化层，该钝化层被设置成包围第一n型层、第一有源层、第一p型层、p型电极、第二p型层、第二有源层和第二n型层。

钝化层可以露出p型电极的一部分和第二n型层的一部分。

根据本公开内容的另一方面，一种显示设备包括：基板，其中限定了包括多个子像素的多个像素；第一晶体管，其被设置在基板上且在多个子像素中的每个子像素中；平坦化层，其被设置在第一晶体管上；第一独立电极，其被设置在平坦化层上并且连接至第一晶体管；发光装置，其被设置在第一独立电极上；第二独立电极和公共电极，它们被设置在平坦化层上；第一连接电极，其将公共电极和发光装置的p型电极连接；以及第二连接电极，其将第二独立电极和发光装置的第二n型层连接。

第一独立电极和第二独立电极可以是阴极，并且公共电极可以是阳极。

高电位电压可以被传输至公共电极。

显示设备还可以包括第二晶体管，其被设置在基板上且在多个子像素中的每个子像素中。

第二独立电极可以连接至第二晶体管。

发光装置可以包括第一发射单元和第二发射单元。

第一发射单元可以包括：第一n型电极；设置在第一n型电极上的第一n型层；设置在第一n型层上的第一有源层；设置在第一有源层上的第一p型层；以及设置在第一p型层上的p型电极。

第二发射单元可以包括：p型电极；设置在p型电极的部分区域上的第二p型层；设置在第二p型层上的第二有源层；以及设置在第二有源层上的第二n型层。

当第一发射单元和第二发射单元中的一者有缺陷时，电连接至另一发射单元的晶体管可以被驱动。

只有第一晶体管和第二晶体管中的第一晶体管被驱动，使得第一发射单元可以发光。

只有第一晶体管和第二晶体管中的第二晶体管被驱动，使得第二发射单元可以发光。

显示设备可以在第一模式或第二模式下被驱动，第二模式与第一模式相比具有更高的亮度。

在第一模式下，第一晶体管和第二晶体管中的一者可以被驱动，使得第一发射单元和第二发射单元中的一者发光。

在第二模式下，第一晶体管和第二晶体管二者可以都被驱动，使得第一发射单元和第二发射单元二者都发光。

第二独立电极可以连接至第一晶体管，第一独立电极连接至该第一晶体管。

设置在多个子像素中的发光装置可以连接至同一公共电极，并且可以连接至彼此不同的第一独立电极和彼此不同的第二独立电极。

根据本公开内容的再一方面，一种显示设备包括多个子像素，每个子像素包括：第一发射单元，包括从上到下依次设置的p型电极、第一p型层、第一有源层、第一n型层和第一n型电极；第二发射单元，设置在所述第一发射单元上并且包括从上到下依次设置的第二n型层、第二有源层、第二p型层和所述p型电极；以及第一晶体管，用于驱动第一发射单元和第二发射单元中的至少一者，其中，第二发射单元的发射面积小于第一发射单元的发射面积。

尽管已经参照附图详细地描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且可以在不脱离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅仅是出于说明目的，而非意在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，而不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开内容的范围内。