液晶手写板及其制备方法、手写装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶手写板及其制备方法、手写装置。

背景技术

手写板是一种用于实现文字书写和绘画的电子设备。其中，液晶手写板具有功耗低且笔迹清晰的优势，近年来液晶手写板的应用越来越广泛。

相关技术中，液晶手写板通常包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。其中，第一基板可以包括：第一衬底，以及位于第一衬底上的多个薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)和多个控制电极，每个控制电极与对应的TFT电连接。第二基板可以包括：第二衬底，以及位于第二衬底上的公共电极。通过控制待擦除区域内的TFT的开启，使得待擦除区域内的控制电极与公共电极之间形成电压差，进而实现对待擦除区域内的书写笔迹进行局部擦除。

但是，由于TFT的沟道容易被静电击穿，因此容易影响对书写笔迹的擦除效果。

发明内容

本申请提供了一种液晶手写板及其制备方法、手写装置，可以解决相关技术中液晶手写板的擦除书写笔迹的效果较差的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种液晶手写板，所述液晶手写板包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的双稳态液晶层；所述第一基板包括：

第一衬底，以及位于所述第一衬底靠近所述第二基板的一侧的多条第一信号线，多条第二信号线，多个控制电极，以及多个晶体管；

其中，所述第一信号线沿第一方向延伸，所述第二信号线沿第二方向延伸，所述第二方向和所述第一方向不同，对于每个所述控制电极，所述控制电极与所述多个晶体管中的至少一个所述晶体管电连接，与所述控制电极对应的至少一个所述晶体管中的目标晶体管的控制极与一条所述第二信号线电连接，目标晶体管的第一极与一条所述第一信号线电连接，目标晶体管的第二极与所述控制电极电连接；所述多个晶体管中存在沿所述第一方向排布的两个晶体管之间的距离小于所述液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5。

可选的，每个所述控制电极对应的至少一个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，且每个所述控制电极对应的第一晶体管和第二晶体管之间的距离小于所述液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5；

其中，所述第一晶体管为所述控制电极对应的至少一个晶体管中的目标晶体管，所述第二晶体管的控制极与一条所述第二信号线电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第一信号线绝缘设置，所述第二晶体管与所述控制电极电连接。

可选的，每个所述控制电极对应的至少一个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，且每个所述控制电极对应的第一晶体管和第二晶体管之间的距离小于所述液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5；

其中，所述第二晶体管为所述控制电极对应的至少一个晶体管中的目标晶体管，所述第一晶体管的控制极与一条所述第二信号线电连接，所述第一晶体管的第一极和所述第一信号线绝缘设置，或所述第一晶体管的第二极和所述控制电极绝缘设置。

可选的，所述第二晶体管的第一极与所述第一信号线通过连接结构连接，所述连接结构的至少部分位于所述控制电极远离所述第一衬底的一侧。

可选的，所述第一晶体管的第一极和所述第一信号线之间具有连接段，所述第一晶体管的第一极和所述第一信号线之间的距离，大于所述第二晶体管的第一极和所述第一信号线之间的距离。

可选的，每个所述控制电极对应的至少一个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，每个所述控制电极对应的第一晶体管和第二晶体管之间的距离大于所述液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5，且每个所述控制电极对应的第一晶体管与沿所述第一方向相邻的另一个控制电极对应的第二晶体管之间的距离小于所述液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5；

其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为所述控制电极对应的至少一个晶体管中的目标晶体管。

可选的，每个所述控制电极与一个晶体管对应；所述多个控制电极在所述第一方向和所述第二方向上阵列排布，且所述多个控制电极构成沿所述第一方向延伸的多个第一间隙，所述多条第一信号线包括位于同一所述第一间隙的第一目标第一信号线和第二目标第一信号线；

所述第一目标第一信号线与沿所述第一方向排布的第一列控制电极对应的目标晶体管电连接；所述第二目标第一信号线与沿所述第一方向排布的第二列控制电极对应的目标晶体管电连接，所述第一列控制电极和所述第二列控制电极为相邻的两列控制电极，与所述第一目标第一信号线电连接的多个目标晶体管中的每个所述目标晶体管，以及与所述第二目标第一信号线电连接的至少一个目标晶体管之间的距离小于所述液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5。

可选的，所述多个控制电极还构成沿所述第二方向延伸的多个第二间隙，所述多条第二信号线包括位于同一所述第二间隙的第一目标第二信号线和第二目标第二信号线；

与所述第一目标第一信号线连接的多个目标晶体管中的第一目标晶体管和第二目标晶体管之间的距离小于所述液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5，所述第一目标晶体管连接的控制电极和所述第二目标晶体管连接的控制电极在所述第一方向上相邻，且所述第一目标晶体管与所述第一目标第二信号线电连接，所述第二目标晶体管与所述第二目标第二信号线电连接；

与所述第二目标第一信号线连接的多个目标晶体管中的第三目标晶体管和第四目标晶体管之间的距离小于所述液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5，所述第三目标晶体管连接的控制电极和所述第四目标晶体管连接的控制电极在所述第一方向上相邻，且所述第三目标晶体管与所述第一目标第二信号线电连接，所述第四目标晶体管与所述第二目标第二信号线电连接。

可选的，所述多条第一信号线构成多个第一信号线组，所述第一信号线组包括至少两条所述第一信号线；

其中，所述第一信号线组中的各所述第一信号线相互电连接。

可选的，所述液晶手写板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述周边区包括相对设置的第一周边子区和第二周边子区；

所述第一信号线包括第一端部，第二端部，以及位于所述第一端部和所述第二端部之间的导线段；所述第一端部位于所述第一周边子区，所述第二端部位于所述第二周边子区，所述导线段位于所述显示区；

所述第一信号线组中各所述第一信号线的所述第一端部相互电连接；

和/或，所述第一信号线组中各所述第一信号线的所述第二端部相互电连接。

可选的，所述液晶手写板包括第一驱动器，各所述第一信号线的所述第一端部均与所述第一驱动器电连接。

可选的，所述多条第二信号线构成多个第二信号线组，所述第二信号线组包括至少两条所述第二信号线，所述第二信号线组中的各所述第二信号线相互电连接。

可选的，所述周边区还包括相对设置的第三周边子区和第四周边子区；所述第三周边子区与第一周边子区相邻设置；

所述第二信号线包括第一端部，第二端部，以及位于所述第一端部和所述第二端部之间的导线段；所述第一端部位于所述第三周边子区，所述第二端部位于所述第四周边子区，所述导线段位于所述显示区；

所述第二信号线组中各所述第二信号线的所述第一端部相互电连接；

和/或，所述第二信号线组中各所述第二信号线的所述第二端部相互电连接。

可选的，所述液晶手写板包括第二驱动器，各所述第二信号线的所述第一端部均与所述第二驱动器电连接。

可选的，所述第一基板包括：位于所述第一衬底上且依次层叠的栅极层，第一绝缘层，有源层，源漏极层，第二绝缘层，控制电极层，第三绝缘层以及支撑层；

所述栅极层至少包括每个所述晶体管的控制极；所述有源层包括多个有源图案；所述源漏极层至少包括每个所述晶体管的第一极和第二极，每个所述晶体管的第一极和第二极与同一个所述有源图案连接，且每个所述晶体管的第一极和第二极具有间隙，所述间隙露出所述有源图案的至少部分；所述控制电极层包括所述多个控制电极，每个所述控制电极与对应的目标晶体管的第二极通过所述第二绝缘层中的过孔连接；所述第三绝缘层和所述支撑层为一体结构，所述支撑层包括多个支撑柱，且所述多个支撑柱在所述第一衬底上的正投影与晶体管在所述第一衬底上的正投影不重叠。

可选的，所述第三绝缘层的厚度范围为0.5微米至1微米；所述支撑层的厚度范围为1微米至1.5微米。

可选的，所述第二基板包括：第二衬底以及位于所述第二衬底的一侧的公共电极。

另一方面，提供了一种液晶手写板的制备方法，所述方法包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底的一侧形成栅极薄膜，并通过第一掩膜对所述栅极薄膜进行构图形成栅极层；

在所述栅极层远离第一衬底的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧形成有源薄膜和源漏极薄膜，并通过第一半色调掩膜对所述有源薄膜和所述源漏极薄膜进行构图以形成有源层和源漏极层；

在所述源漏极层远离所述第一衬底的一侧形成第二绝缘薄膜，并通过第二掩膜对所述第二绝缘薄膜进行构图以形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层远离所述第一衬底的一侧形成控制电极薄膜，并通过第三掩膜对所述控制电极薄膜进行构图以形成控制电极层；

在所述控制电极层远离所述第一衬底的一侧形成第三绝缘薄膜，并通过第二半色调掩膜对所述第三绝缘薄膜进行构图以形成第三绝缘层和支撑层，所述支撑层包括多个支撑柱；

提供第二衬底；

在所述第二衬底的一侧形成公共电极；

将所述第一衬底以及位于所述第一衬底上的结构构成的第一基板，与所述第二衬底以及位于所述第二衬底上的结构构成的第二基板对盒设置，并在所述第一基板和所述第二基板之间填充双稳态液晶层。

又一方面，提供了一种液晶手写板的制备方法，所述方法包括：

获取第一基板，所述第一基板包括：第一衬底，以及位于所述第一衬底的一侧的多条第一信号线，多条第二信号线，多个控制电极以及多个晶体管；每个所述控制电极对应的至少一个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的控制极与一条所述第二信号线电连接，所述第一晶体管的第一极与一条所述第一信号线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述控制电极电连接，所述第二晶体管的控制极与一条所述第二信号线电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第一信号线绝缘设置，所述第二晶体管的第二极与所述控制电极电连接；

通过激光切断所述第一晶体管的第一连接处或第二连接处，并通过连接结构连接所述第二晶体管的第一极和一条所述第一信号线，得到检修后的第一基板；其中，所述第一连接处为所述第一晶体管的第一极和所述第一信号线的连接位置，所述第二连接处为所述第一晶体管的第二极和所述控制电极的连接位置；

获取第二基板，所述第二基板包括第二衬底以及位于所述第二衬底的一侧的公共电极；

将检修后的所述第一基板与所述第二基板对盒设置，并在检修后的所述第一基板和所述第二基板之间填充双稳态液晶层。

再一方面，提供了一种手写装置，其特征在于，所述手写装置包括书写笔以及如上述方面所述的液晶手写板。

本申请提供了一种液晶手写板及其制备方法、手写装置，该液晶手写板的第一基板包括的多个晶体管中存在沿第一方向排布的两个晶体管之间的距离小于液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5，因此可以提高第一方向上单位面积内晶体管的数量。进一步的，使得第一方向上距离较近的晶体管可以共同分摊静电，降低单个晶体管受到的静电的电荷量，进而降低晶体管被静电击穿的概率，确保液晶手写板对书写笔迹的擦除效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例实施例提供的一种液晶手写板的局部截面图；

图2是本申请实施例提供的一种液晶手写板的局部俯视图；

图3是本申请实施例提供的另一种液晶手写板的局部俯视图；

图4是本申请实施例提供的一种第一基板的局部截面图；

图5是本申请实施例提供的又一种液晶手写板的局部俯视图；

图6是本申请实施例提供的再一种液晶手写板的局部俯视图；

图7是本申请实施例提供的再一种液晶手写板的局部俯视图；

图8是本申请实施例提供的再一种液晶手写板的局部俯视图；

图9是本申请实施例提供的再一种液晶手写板的局部俯视图；

图10是本申请实施例提供的一种支撑端子和子像素的示意图；

图11是本申请实施例提供的厚度和透过率的关系曲线图；

图12是本申请实施例提供的一种液晶手写板的制备方法流程图；

图13是本申请实施例提供的一种有源薄膜，连接薄膜以及源漏极薄膜的示意图；

图14是本申请实施例提供的一种刻蚀源漏极薄膜的示意图；

图15是本申请实施例提供的一种刻蚀连接薄膜和有源薄膜的示意图；

图16是本申请实施例提供的一种去除半透过区的光刻胶的示意图；

图17是本申请实施例提供的一种刻蚀源漏极薄膜的示意图；

图18是本申请实施例提供的一种刻蚀连接薄膜的示意图；

图19是本申请实施例提供的一种去除光刻胶的示意图；

图20是本申请实施例提供的一种液晶手写板的制备过程示意图；

图21是本申请实施例提供的另一种液晶手写板的制备方法的流程图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

液晶手写板作为手写板的一种，具有功耗低且笔迹清晰的优势，近年来占据了较多的市场份额。液晶手写板通常包括相对设置的第一基板和第二基板，以及位于两个基板之间的双稳态液晶层，双稳态液晶层中包括双稳态液晶分子。双稳态液晶分子具有平面织构状态(planar texture，P态)、焦锥织构状态(focal conic texture，FC态)和垂直织构状态(hometropic texture，H态)。其中，P态和FC态是稳定状态，无需电压即可保持，H态为不稳定状态，在持续发送电压时呈现。

当液晶手写板受到外部压力时，双稳态液晶层300中的双稳态液晶分子在外部压力作用下翻转为P态，可以反射特定颜色的光，液晶手写板受到外部压力的区域显示书写的笔迹；需要擦除笔迹时，控制擦除区内的薄膜晶体管开启并对薄膜晶体管发送源极电压，以对擦除区内的像素电极(控制电极)进行充电，使擦除区内的像素电极(控制电极)与公共电极之间形成电压差，因此位于擦除区的双稳态液晶分子在该电压差的作用下，重新排列为FC态，呈散射态，可以反映液晶手写板底色，擦除区内书写的笔迹消失；同时控制非擦除区内的控制电极不充电，非擦除区内的笔迹不发生变化，由此可实现液晶手写板的局部擦除。

需要说明的是，在实际制备液晶手写板的过程中，设备上支撑第一基板的支撑端子(PIN)在转移第一基板时可能因摩擦在第一基板的衬底(例如第一衬底)上产生静电，静电累积到一定程度会发生静电击穿，从而造成第一基板上的电路或器件(例如晶体管)损坏。

并且，相关技术中液晶手写板的像素密度通常较小，单位面积内的像素数量较少。假设静电总量一定，那么分配到每个像素内的静电量将成倍增加，容易导致晶体管的源极和漏极被静电击穿，晶体管损坏。其中，晶体管损坏主要导致的问题包括以下几方面：

1.误擦现象：误擦主要是需要局部擦除时出现。当第X行Y列的书写笔迹需要擦除时，驱动芯片会给第X行的晶体管所连接的栅线释放一个合适电压将该行的晶体管打开，并会同时给第Y列的晶体管所连接的数据线一个小的电压用于偏转液晶。虽然第X行的晶体管都被打开，但是只有第Y列有电流信号，所以第X行不会误擦；当第Y列的晶体管存在源漏极静电击穿时，虽然第Y列的晶体管未打开，但是源漏极被静电击穿后会短接，信号可以通过静电击穿的通道对像素进行充电，所以短接后该点会变为暗点，宏观表现为擦除。

2.一键显示变成暗态：检测阶段提供较大电压实现透明态显示时，即使源漏极击穿短接也同样能完成充电，使液晶转变为不稳定的透明态。但是源漏极短接会使晶体管无法关断导致电压缓慢漏到数据线中，此时像素液晶转变为焦锥织构。宏观表现为暗态，无法点亮。

3.将源漏极短接的晶体管切断，切断后的像素可以在压力书写后变成平面织构正常显示。但是局部擦除或一键擦除时，电压信号无法充入像素，宏观表现为擦除失效。

图1是本申请实施例提供的一种液晶手写板的局部截面图。参考图1可以看出，该液晶手写板10包括：相对设置的第一基板101和第二基板102，以及位于第一基板101和第二基板102之间的双稳态液晶层103。

图2是本申请实施例提供的一种液晶手写板的局部俯视图。结合图1和图2，第一基板101包括：第一衬底1011，以及位于第一衬底1011靠近第二基板102的一侧的多条第一信号线1012，多条第二信号线1013，多个控制电极1014，以及多个晶体管1015。

其中，每条第一信号线1012沿第一方向X延伸，每条第二信号线1013沿第二方向Y延伸，第二方向Y和第一方向X不同。例如，第二方向Y和第一方向X垂直。第一信号线1012可以为数据线，第一方向X为像素列方向，第二信号线1013可以为栅线，第二方向Y为像素行方向。

对于每个控制电极1014，控制电极1014与多个晶体管1015中的至少一个晶体管1015对应，与控制电极1014对应的至少一个晶体管1015中的目标晶体管M的控制极与一条第二信号线1013电连接，目标晶体管M的第一极与一条第一信号线1012电连接，目标晶体管M的第二极与控制电极1014电连接。

由此，在第二信号线1013为目标晶体管M的控制极提供控制信号，以使得目标晶体管M基于控制信号开启或关断。在目标晶体管M处于开启状态时，第一信号线1012通过目标晶体管M的第一极向目标晶体管M的第二极电连接的控制电极1014施加像素电压，进而使得控制电极1014和第二基板102中的公共电极之间形成电压差，以实现对液晶手写板10显示的书写笔迹进行擦除的功能。

其中，若控制电极1014对应的晶体管1015包括一个晶体管1015，则该对应的一个晶体管1015即为目标晶体管M。若控制电极1014对应的晶体管1015包括多个晶体管1015，则对应的多个晶体管1015中至少一个晶体管1015为目标晶体管M。由此可保证每个控制电极1014均对应有至少一个目标晶体管M，以使得目标晶体管M能够控制施加至控制电极1014的像素电压。

由于第一信号线1012相对于第二信号线1013而言更容易积聚静电，晶体管1015的第一极和第二极容易被静电击穿，因此可以使得第一基板101包括的多个晶体管1015中存在沿第一方向X排布的两个晶体管1015之间的距离小于液晶手写板10的任一子像素的宽度的1/5。其中，两个晶体管1015之间的距离可以用于表示两个晶体管1015之间的间隙的宽度。子像素的宽度可以是指像素沿第一方向X或第二方向Y的长度中尺寸较小的长度。子像素沿第一方向X和第二方向Y的长度相等时，子像素的宽度为沿第一方向X和第二方向Y的长度。存在沿第一方向X排布的两个晶体管1015之间的距离较小，从而可以提高第一方向X上单位面积内晶体管1015的数量。由此可以使得第一方向X上距离较近的两个晶体管1015共同分摊静电，降低单个晶体管1015受到的静电的电荷量，进而降低晶体管1015被静电击穿的概率，保证晶体管1015的正常开启或关断，确保液晶手写板10的正常使用。

其中，在第一方向X上的距离小于任一子像素的宽度的1/5的两个晶体管1015可以和同一个控制电极1014对应，也可以和不同的控制电极1014对应(例如分别和相邻的两个控制电极1014对应)，本申请实施例对此不做限定。

综上所述，本申请实施例提供了一种液晶手写板，该液晶手写板的第一基板包括的多个晶体管中存在沿第一方向排布的两个晶体管之间的距离小于液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5，因此可以提高第一方向上单位面积内晶体管的数量。进一步的，使得第一方向上距离较近的晶体管可以共同分摊静电，降低单个晶体管受到的静电的电荷量，进而降低晶体管被静电击穿的概率，确保液晶手写板对书写笔迹的擦除效果。

可选的，第一衬底1011可以为刚性衬底，例如玻璃或硅材料。

作为第一种可选的实现方式，参考图2和图3，每个控制电极1014对应的至少一个晶体管1015包括第一晶体管1015a和第二晶体管1015b，且每个控制电极1014对应的第一晶体管1015a和第二晶体管1015b之间的距离小于任一子像素的宽度的1/5。例如，每个控制电极1014对应的第一晶体管1015a和第二晶体管1015b设置于该控制电极1014的左下角位置。

可选的，液晶手写板10在制备时，可以将每个控制电极1014对应的第一晶体管1015a的控制极和第二信号线1013电连接，第一极和第一信号线1012电连接，第二极和控制电极1014电连接。并且，将每个控制电极1014对应的第二晶体管1015b的控制极和第二信号线1013电连接，第一极与第一信号线1012绝缘设置(即第二晶体管1015b的第一极与第一信号线1012不连接)，第二极和控制电极1014电连接。该第二晶体管1015b可以作为第一晶体管1015a的备用晶体管。

若液晶手写板10的第一基板101在测试阶段中，检测出第一晶体管1015a未被静电击穿，则第一晶体管1015a可以作为目标晶体管M为控制电极1014施加像素电压。

若液晶手写板10的第一基板101在测试阶段中，检测出第一晶体管1015a被静电击穿，则可以使得第一晶体管的第一极和第一信号线绝缘设置，或使得第一晶体管的第二极和控制电极绝缘设置。例如，将第一晶体管1015a的第一连接处或第二连接处采用激光切断。其中，第一连接处为第一晶体管1015a和第一信号线1012的连接位置，第二连接处为第一晶体管1015a的第二极和控制电极1014的连接位置。之后，将第二晶体管1015b的第一极和第一信号线1012连接，以将损坏的第一晶体管1015a进行替换。此种情况下，第二晶体管1015b可以作为目标晶体管M为控制电极1014施加像素电压。

由于制备过程中，第二晶体管1015b的第一极与第一信号线1012绝缘设置，而在检测到第一晶体管1015a被静电击穿时(arrey测试)，第一基板101中的膜层均已制备完成，因此可使得第二晶体管1015b的第一极与第一信号线1012通过连接结构N连接。参考图4，该连接结构N的至少部分位于控制电极1014远离第一衬底1011的一侧，且该连接结构N的一端穿过各个膜层的过孔和第二晶体管1015b的第一极连接，另一端穿过各个膜层的过孔和第一信号线1012连接。可选的，该连接结构N的材料可以为金属，示例的，该连接结构N的材料可以为钨粉。

在本申请实施例中，参考图3，第一晶体管1015a的第一极和第一信号线1012之间具有连接段L。第一晶体管1015a的第一极和第一信号线1012之间的距离，大于第二晶体管1015b的第一极和第一信号线1012之间的距离。

由此，由于第一晶体管1015a的第一极和第一信号线1012之间的距离较大，因此便于在第一晶体管1015a损坏的情况下，在此处放置切割刀具。进一步实现对第一晶体管1015a的第一极和第一信号线1012之间的连接段L的激光切断。同时，由于第二晶体管1015b的第一极和第一信号线1012之间的距离较小，因此将第一晶体管1015a激光切断之后，可以便于通过连接结构N连接第二晶体管1015b和第一信号线1012，进而通过第二晶体管1015b实现对控制电极1014中像素电压的控制。

需要说明的是，液晶手写板10的第一基板101在制备时，可以将每个控制电极1014对应的第一晶体管1015a控制极和第二信号线1013电连接，第一极和第一信号线1012电连接，第二极和控制电极1014电连接。并且，将每个控制电极1014对应的第二晶体管1015b的控制极和第二信号线1013电连接，第一极与第一信号线1012连接，第二极和控制电极1014电连接。也即是，将第一晶体管1015a和第二晶体管1015b均作为目标晶体管M。若液晶手写板10的第一基板101在测试阶段中，检测出第一晶体管1015a或第二晶体管1015b被静电击穿，则将静电击穿的晶体管通过激光切断即可，另一未被静电击穿的晶体管可作为目标晶体管M正常使用。

在该实现方式中，通过将第二晶体管1015b作为备用晶体管，以在第一晶体管1015a损坏的情况下，通过该第二晶体管1015b实现液晶手写板10的书写笔迹的擦除功能。由此保证了液晶手写板10的可靠性。

作为第二种可选的实现方式，参考图5和图6，每个控制电极1014对应的至少一个晶体管1015包括第一晶体管1015a和第二晶体管1015b。每个控制电极1014对应的第一晶体管1015a和第二晶体管1015b之间的距离大于任一子像素的宽度的1/5，且每个控制电极1014对应的第一晶体管1015a与沿第一方向X相邻的另一个控制电极1014对应的第二晶体管1015b之间的距离小于任一子像素的宽度的1/5。也即是，在该实现方式中，距离较小的两个晶体管1015可以和不同的控制电极1014对应。

可选的，第一晶体管1015a和第二晶体管1015b均为控制电极1014对应的至少一个晶体管1015中的目标晶体管M。也即是，液晶手写板10的第一基板101在制备时，可以将每个控制电极1014对应的第一晶体管1015a控制极和第二信号线1013电连接，第一极和第一信号线1012电连接，第二极和控制电极1014电连接。并且，将每个控制电极1014对应的第二晶体管1015b的控制极和第二信号线1013电连接，第一极与第一信号线1012电连接，第二极和控制电极1014电连接。

在液晶手写板10的第一基板101的测试阶段中，若检测出第一晶体管1015a和第二晶体管1015b均未被静电击穿，则第一晶体管1015a和第二晶体管1015b可以共同作为目标晶体管M为控制电极1014施加像素电压。并且，第一晶体管1015a和第二晶体管1015b可以同时开启，且可以同时关断。

在液晶手写板10的第一基板101的测试阶段中，若检测出第一晶体管1015a或第二晶体管1015b被静电击穿，则将静电击穿的晶体管1015通过激光切断即可，另一未被静电击穿的晶体管1015可作为目标晶体管M正常使用。

在该实现方式中，通过使得控制电极1014对应的第一晶体管1015a和第二晶体管1015b均作为目标晶体管M，从而实现对控制电极1014施加像素电压的双重保障，只需在某个晶体管1015损坏的情况下，通过激光切除即可。同时，另一未损坏的晶体管1015能够正常使用，以实现液晶手写板10的书写笔迹的擦除功能，保证了液晶手写板10的可靠性。

参考图6，在该实现方式中，第二信号线1013除了包括沿第二方向Y延伸的部分之外，还包括沿第一方向X延伸的部分，以使得第一晶体管1015a的控制极能够和第二信号线1013中沿第一方向X延伸的部分电连接，实现信号的控制。其中图6中第二信号线1013沿第一方向X延伸的部分设置于第一信号线1012下方。

需要说明的是，在第一种实现方式以及第二种实现方式中，由于每个控制电极1014对应有两个晶体管(第一晶体管1015a和第二晶体管1015b)，因此单位面积内的晶体管的数量较多，即增大了晶体管的排布密度。由此，每个控制电极1014对应的这两个晶体管就可以共同分摊静电，降低单个晶体管受到的静电的电荷量，进而降低晶体管被静电击穿的概率。

并且，即使多个晶体管中不存在沿第一方向X排布的两个晶体管之间的距离小于任一子像素的宽度的1/5，也不影响单位面积内晶体管的排布密度，因此不会影响晶体管分摊静电的效果。也即是，第一种实现方式和第二种实现方式中，由于每个控制电极1014对应有两个晶体管，因此不受限于多个晶体管中存在沿第一方向X排布的两个晶体管之间的距离小于任一子像素的宽度的1/5的这一条件，即可降低晶体管被静电击穿的概率。

当然，在第一种实现方式和第二种实现方式中，也可以使得多个晶体管中存在沿第一方向X排布的两个晶体管之间的距离小于任一子像素的宽度的1/5，进一步确保晶体管分摊静电的效果，进一步降低晶体管被静电击穿的概率。

作为第三种可选的实现方式，参考图7和图8，每个控制电极1014与一个晶体管1015对应。多个控制电极1014在第一方向X和第二方向Y上阵列排布，且多个控制电极1014构成沿第一方向X延伸的多个第一间隙，多条第一信号线1012包括位于同一第一间隙的第一目标第一信号线1012a和第二目标第一信号线1012b。

其中，第一目标第一信号线1012a与沿第一方向X排布的第一列控制电极对应的目标晶体管M电连接，第二目标第一信号线1012b与沿第一方向X排布的第二列控制电极对应的目标晶体管M电连接。第一列控制电极和第二列控制电极为相邻的两列控制电极1014。与第一目标第一信号线1012a电连接的多个目标晶体管M中的每个目标晶体管M，以及与第二目标第一信号线1012b电连接的至少一个目标晶体管M之间的距离小于任一子像素的宽度的1/5。

也即是，相邻两列控制电极电连接的目标晶体管M之间的距离可以较小，由此可以使得相邻两列控制电极电连接的目标晶体管M共同分摊所在位置的静电，避免目标晶体管M被静电击穿，保证液晶手写板10的书写笔迹的擦除效果。

另外，参考图8，多个控制电极1014还构成沿第二方向Y延伸的多个第二间隙。多条第二信号线1013包括位于同一第二间隙的第一目标第二信号线1013a和第二目标第二信号线1013b。

其中，与第一目标第一信号线1012a电连接的多个目标晶体管M中的第一目标晶体管M和第二目标晶体管M之间的距离小于任一子像素的宽度的1/5。第一目标晶体管M电连接的控制电极1014和第二目标晶体管M电连接的控制电极1014在第一方向X上相邻，且第一目标晶体管M与第一目标信号线电连接，第二目标晶体管M与第二目标第二信号线1013b电连接。并且，与第二目标第一信号线1012b连接的多个目标晶体管M中的第三目标晶体管M和第四目标晶体管M之间的距离小于任一子像素的宽度的1/5。第三目标晶体管M电连接的控制电极1014和第四目标晶体管M电连接的控制电极1014在第一方向X上相邻，且第三目标晶体管M与第一目标第二信号线1013a电连接，第四目标晶体管M与第二目标第二信号线1013b电连接。

参考图8，不仅相邻两列控制电极1014电连接的目标晶体管M之间的距离较小，并且相邻两行控制电极1014电连接的目标晶体管M之间的距离也较小。也即是，以两行两列的方式排布的相邻四个控制电极1014所连接的目标晶体管M均位于靠近的四个控制电极1014构成的区域的中心位置。由此可以使得该位置处具有四个目标晶体管M，提高了该位置的晶体管1015的数量，进而可以使得四个目标晶体管M共同分摊该位置的静电，降低单个晶体管1015受到的静电的电荷量，避免目标晶体管M被静电击穿，保证液晶手写板10的书写笔迹的擦除效果。

在本申请实施例中，多条第一信号线1012可以构成多个第一信号线组A。第一信号线组A包括至少两条第一信号线1012。其中，第一信号线组A中的各第一信号线1012相互电连接。参考图9，第一信号线组A包括三条第一信号线1012。

其中，液晶手写板10包括显示区10a和围绕显示区10a的周边区10b。周边区10b包括相对设置的第一周边子区10b1和第二周边子区10b2。第一信号线1012包括第一端部，第二端部，以及位于第一端部和第二端部之间的导线段。第一端部位于第一周边子区10b1，第二端部位于第二周边子区10b2，导线段位于显示区10a。第一信号线组A中各第一信号线1012的第一端部相互电连接，和/或，第一信号线组A中各第一信号线的第二端部相互电连接。

可选的，第一信号线组A中各第一信号线1012的第一端部相互电连接，且第一信号线组A中各第一信号线1012的第二端部相互电连接。参考图9，第一信号线组A除了包括至少两条第一信号线1012之外，还包括第一连接线段A1和第二连接线段A2。第一信号线组A中各第一信号线1012的第一端部均与第一连接线段A1连接，第一信号线组A中各第一信号线1012的第二端部均与第二连接线段A2连接。也即是，第一信号线组A中各第一信号线1012的第一端部通过第一连接线段A1电连接，第一信号线组A中各第一信号线1012的第二端部通过第二连接线段A2电连接。

另外，液晶手写板10还包括第一驱动器，各第一信号线1012的第一端部均与第一驱动器电连接。由此可以使得第一驱动器通过各第一信号线1012为其所连接的晶体管提供第一驱动信号。并且，第一驱动器可以为第一信号线组A中的各第一信号线1012提供相同的第一驱动信号。

在本申请实施例中，多条第二信号线1013可以构成多个第二信号线组B。第二信号线组B包括中至少两条第二信号线1013，第二信号线组B中的各第二信号线1013相互电连接。参考图10，第二信号线组B包括三条第二信号线1013。

可选的，周边区10b还包括相对设置的第三周边子区10b3和第四周边子区10b4。第三周边子区10b3和第一周边子区10b1相邻设置。第二信号线1013包括第一端部，第二端部，以及位于第一端部和第二端部之间的导线段。第一端部位于第三周边子区10b3，第二端部位于第四周边子区10b4，导电段位于显示区10a。第二信号线组B中各第二信号线1013的第一端部相互电连接，和/或，第二信号线组B中各第二信号线1013的第二端部相互电连接。

可选的，第二信号线组B中各第二信号线1013的第一端部相互电连接，且第二信号线组B中各第二信号线1013的第二端部相互电连接。参考图9，第二信号线组B除了包括至少两条第二信号线1013之外，还包括第三连接线段B1和第四连接线段B2。第二信号线组B中各第二信号线1013的第一端部均与第三连接线段B1连接，第二信号线组B中各第二信号线1013的第二端部均与第四连接线段B2连接。也即是，第二信号线组B中各第二信号线1013的第一端部通过第三连接线段B1电连接，第二信号线组B中各第二信号线1013的第二端部通过第四连接线段B2电连接。

另外，液晶手写板10还包括第二驱动器，各第二信号线1013的第一端部均与第二驱动器电连接。由此可以使得第二驱动器通过各第二信号线1013为其所连接的晶体管提供第二驱动信号。并且，第二驱动器可以为第二信号线组B中的各第二信号线1013提供相同的第二驱动信号。

在相关技术中，如图10中右侧的示意图，一个支撑端子(PIN)能够覆盖4个子像素(子像素包括一个控制电极和至少一个晶体管)。在本申请实施例中，通过将第一信号线组A中各第一信号线1012并联设置，将第二信号线组B中各第二信号线1013并联设置(例如2行2列并联，像素密度增加4倍，又例如3行3列并联，像素密度增加9倍)，能够在第一驱动器和/或第二驱动器的通道数不变的情况下，减少像素尺寸。

举例来说，参考图10中左侧的示意图，像素尺寸减小后，一个支撑端子(PIN)能够覆盖子像素的数量增多，即使发生静电，一个支撑端子(PIN)上的静电荷容易分摊到多个子像素上，对于每个子像素来说，承受的静电作用较小，从而避免静电对第一基板上的电路或器件(例如晶体管)损坏，很大程度上降低静电击穿发生的概率。

相关技术中的像素尺寸为1mm(毫米)*1mm。示例性的，在本申请实施例中，可设置多行多列并列，从而使得一个像素的尺寸降低到(30μm(微米)-50μm)*(30μm-50μm)。根据测算和模拟计算可得，在达到80像素密度(Pixels Per Inch；简称：PPI)以上，可有效避免此类静电问题(ESD)的发生，并联越多抗静电能力越强。但是PPI太高之后会有其他的问题产生，比如细线宽导致的断线高发，或者窄间距导致的短路问题，所以建议PPI选择在80至200以内，按照本产品换算，优选3行3列至8行8列并联，即3条数据线(第一信号线)3条栅线(第二信号线)至8条数据线8条栅线。

并且，通过实现测试发现，像素密度增大可以提高液晶手写板的抗静电能力。例如，改善之前只能抗4KV(千伏)至5KV的静电，而改善之后可以抗6KV至7KV的静电。

参考图1，该第一基板101可以包括：位于第一衬底1011上且依次层叠的栅极层d1，第一绝缘层d2，有源层d3，源漏极层d4，第二绝缘层d5，控制电极层d6，第三绝缘层d7以及支撑层d8。

可选的，第一信号线1012为数据线，该数据线可以位于源漏极层d4。该源漏极层d4除了包括数据线之外，还包括各个晶体管1015的源极和漏极，晶体管1015的源极和漏极可以分别为第一极和第二极。也即是，数据线，各个晶体管1015的源极和漏极可以采用相同材料并由同一次构图工艺制备得到。另外，第二信号线1013为栅线，该栅线可以位于栅极层d1。该栅极层d1除了包括栅线之外，还包括各个晶体管1015的栅极，晶体管1015的栅极可以为晶体管1015的控制极。也即是，栅线，以及各个晶体管1015的栅极可以采用相同材料并由同一次构图工艺制备得到。

由于本申请实施例提供的方案会使得液晶手写板的像素密度增加，因此会使得信号线的密度相对增加(信号线通常由金属材料制备)，进而导致液晶手写板的外观颜色发生变化。由此，可以采用低反射率的材料制备源漏极层d4和栅极层d1，以降低各个信号线的反射率。

可选的，源漏极层d4和栅极层d1的材料可以为氧化钼和铜的混合材料，由此可以使得源漏极层d4和栅极层d1的反射率降低至5％以下。其中，氧化钼为成熟量产的工艺和材料，其可采用磁控溅射设备制备，刻蚀药液兼容量产药液，不会额外增加使用成本。

在本申请实施例中，有源层d3包括多个有源图案，每个晶体管1015的第一极和第二极与同一个有源图案连接，且每个晶体管1015的第一极和第二极具有间隙，间隙露出有源图案的至少部分。参考图1和图4，源漏极层d4中的各个图案在第一衬底1011上的正投影，均位于有源层d3中的各个图案在第一衬底1011上的正投影内。例如，晶体管1015的第一极在第一衬底1011上的正投影位于有源图案在第一衬底1011上的正投影内，晶体管1015的第二极在第一衬底1011上的正投影位于有源图案在第一衬底1011上的正投影内。第一信号线1012(数据线)在第一衬底1011上的正投影也位于有源图案在第一衬底1011上的正投影内。

控制电极层d6包括多个控制电极1014。为了通过晶体管1015实现对控制电极1014的像素电压的控制，每个控制电极1014与对应的目标晶体管M的第二极通过第二绝缘层d5中的过孔连接。可选的，该控制电极层d6的材料可以为透光导电材料，例如可以为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)或氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)。

另外，第三绝缘层d7和支撑层d8可以为一体结构。也即是，该第三绝缘层d7和支撑层d8可以采用相同材料并由同一次构图工艺制备得到。

可选的，制备该第三绝缘层d7时，先在控制电极层d6远离第一衬底1011的一侧涂覆(coating)一层有机材料，之后采用半色调掩膜板(HTM Mask)制备出第三绝缘层d7的第一部分d71和第二部分d72。

其中，涂覆的一层有机材料可以为正性有机膜材料，其主要成分为亚克力。之所以选用正性材料，而不选用负性材料，主要原因在于：参考图11，负性材料的曝光曲线比较陡峭，采用半色调掩膜板制备时的膜厚波动较大，影响产品的液晶量范围(LC Margin)。

参考图3，支撑层d8可以包括多个支撑柱d81，且多个支撑柱d81在第一衬底1011上的正投影与晶体管1015在第一衬底1011上的正投影不重叠。由于设计有晶体管1015的位置处，膜层较厚(需要设计晶体管1015的有源图案，源极，漏极以及栅极)，因此使得支撑柱d81与晶体管1015的投影不重叠，可以使得各个区域的膜层厚度的均一性较好。可选的，相邻支撑柱d81之间的距离范围为53μm至63μm，例如大致为58μm。

需要说明的是，支撑层d8中支撑柱d81的高度与液晶层103的液晶填充有关。为了保证液晶有一定的填充空间，需要使得支撑柱d81的高度大约在1μm(微米)至1.5μm范围内，即第三绝缘层d7的上表面和支撑柱d81的上表面的断差的范围为1μm至1.5μm。另外，第三绝缘层d7的厚度与其保护能力有关。通常情况下，第三绝缘层d7的厚度越厚，其保护能力越强，但是由于第三绝缘层d7和支撑层d8是一次制作的，第三绝缘层d7的厚度越厚，会导致支撑层d8中支撑柱d81的高度越小，无法满足液晶填充的要求。通常情况下，涂覆的有机材料的厚度为2μm左右，即第三绝缘层d7和支撑层d8的总厚度为2μm左右，由此在支撑柱d81的高度范围为1μm至1.5μm的情况下，第三绝缘层d7的厚度范围可以为0.5μm至1μm。按照往常的经验，第三绝缘层d7的厚度为0.5μm以上，保护能力基本达标。

可选的，为了制备出上述厚度的第三绝缘层d7和支撑层d8，选用的半色调掩膜板在需设计有支撑柱d81的区域的透过率可以为0％，在需设计有第三绝缘层d8而不设计有支撑柱d81的区域的透过率范围可以为10％至20％。并且，在外围的绑定区域，需要将绝缘层去掉，以将绑定接口(bonding pad)露出来，因此掩膜板在该区域的透过率为100％。

在本申请实施例中，第二基板102可以包括第二衬底1021以及位于第二衬底1021上的公共电极1022。其中，公共电极1022相比于第二衬底1021更靠近第一基板101。

示例的，该第二衬底1021可以为柔性衬底。其中，柔性衬底的材料可以包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料中的任意一种。

示例的，第二衬底1021上的公共电极1022的材料包括透光导电材料，例如，ITO或IZO。

上述第三绝缘层d7位于控制电极1014远离第一衬底1011的一侧。在将第一基板101与第二基板102相对设置时，由于设备环境非无尘环境，因此会导致第一基板101与第二基板102之间出现异物，通过第三绝缘层d7可以用于防止位于第一基板101与第二基板102之间的异物，导通第一基板101中的控制电极1014和第二基板102中的公共电极1022。

综上所述，本申请实施例提供了一种液晶手写板，该液晶手写板的第一基板包括的多个晶体管中存在沿第一方向排布的两个晶体管之间的距离小于液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5，因此可以提高第一方向上单位面积内晶体管的数量。进一步的，使得第一方向上距离较近的晶体管可以共同分摊静电，降低单个晶体管受到的静电的电荷量，进而降低晶体管被静电击穿的概率，确保液晶手写板对书写笔迹的擦除效果。

图12是本申请实施例提供的一种液晶手写板的制备方法的流程图。参考图12，该方法可以包括：

步骤S101、提供第一衬底。

在本申请实施例中，第一衬底1011可以是刚性衬底，例如，第一衬底1011可以为玻璃或硅材料。

步骤S102、在第一衬底的一侧形成栅极薄膜，并通过第一掩膜对栅极薄膜进行构图以形成栅极层。

在本申请实施例中，构图过程包括光刻胶涂覆，曝光，显影以及刻蚀。其中，栅极层d1可以包括每个晶体管1015的控制极以及各个第二信号线1013。

步骤S103、在栅极层远离第一衬底的一侧形成第一绝缘层。

步骤S104、在第一绝缘层远离第一衬底的一侧形成有源薄膜和源漏极薄膜，并通过第一半色调掩膜对有源薄膜和源漏极薄膜进行构图以形成有源层和源漏极层。

在本申请实施例中，形成第一绝缘层d2之后，可以采用一次工艺形成有源层d3和源漏极层d4。参考图13至图19，其过程包括：1.形成有源薄膜，连接薄膜，以及源漏极薄膜；2.涂覆光刻胶，光刻胶包括不透过区，透过区以及半透过区；3.刻蚀全透过区的源漏极薄膜；4.刻蚀全透过区的连接薄膜和有源薄膜；5.去除半透过区的光刻胶；6.刻蚀半透过区的源漏极薄膜，得到源漏极层；7.刻蚀半透过区的连接薄膜，得到连接层(连接层可以为可选层，其作用是提高导电性能，连接层材料可以为P硅)；8.去除光刻胶。也即是，有源层d3和源漏极层d4可以采用一次半色调掩膜板制备得到。

有源层d3包括多个有源图案。源漏极层d4包括每个晶体管1015的第一极和第二极，以及各个第一信号线1012。每个晶体管1015的第一极和第二极与有源层d3中同一个有源图案连接，且每个晶体管1015的第一极和第二极具有间隙，间隙露出有源图案的至少部分。

参考图19，对于上述方法制备得到的有源层和源漏极层，其源漏极层中各个图案在第一衬底上的正投影，均位于有源层中的各个图案在第一衬底1011上的正投影内。例如，晶体管的第一极在第一衬底上的正投影位于有源图案在第一衬底上的正投影内，晶体管的第二极在第一衬底上的正投影位于有源图案在第一衬底上的正投影内。并且，源漏极层除了包括晶体管的第一极和第二极之外，还包括第一信号线(数据线)，即第一信号线，以及晶体管的第一极和第二极可以采用同一次构图工艺制备。该第一信号线在第一衬底上的正投影也位于有源图案在第一衬底上的正投影内。

步骤S105、在源漏极层远离第一衬底的一侧形成第二绝缘薄膜，并通过第二掩膜对第二绝缘薄膜进行构图以形成第二绝缘层。

其中，该第二绝缘层d5可以具有用于供控制电极1014和晶体管1015的第二极电连接的过孔。

步骤S106、在第二绝缘层远离第一衬底的一侧形成控制电极薄膜，并通过第三掩膜对控制电极薄膜进行构图以形成控制电极层。

控制电极层d6包括多个控制电极1014，每个控制电极1014与对应的目标晶体管M的第二极通过第二绝缘层d5中的过孔电连接。

步骤S107、在控制电极层远离第一衬底的一侧形成第三绝缘薄膜，并通过第二半色调掩膜对第三绝缘薄膜进行构图以形成第三绝缘层和支撑层。

在本申请实施例中，第三绝缘层和支撑层采用一次构图工艺制备得到，提高产能。其中，支撑层包括多个支撑柱。

步骤S108、提供第二衬底。

在本申请实施例中，第二衬底可以为柔性衬底。其中，柔性衬底的材料可以包括聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料中的任意一种。

步骤S109、在第二衬底上形成公共电极。

在本申请实施例中，公共电极的材料可以为透光导电材料，例如可以为ITO或IZO等。

步骤S110、将第一衬底以及位于第一衬底上的结构构成的第一基板，与第二衬底以及位于第二衬底上的结构构成的第二基板对盒设置，并在第一基板和第二基板之间填充双稳态液晶层。

需要说明的是，参考图20，制备过程大致包括：前段过程和后段过程。其中，前段过程包括：第一基板101制备，第二基板102制备以及第一基板101和第二基板102的覆膜成盒。第二基板102制备过程包括：上料切割，PET膜，网版吸附，以及翻转。第一基板101制备过程包括：第一衬底1011上的膜层制备完成之后(带有支撑柱)，印刷柔性液，封边，以及滴入液晶。第一基板101和第二基板102通过双棍进行软贴硬覆膜和紫外线(UV)固化。后段个过程包括：切割，贴附FPC，黑膜贴附，AG膜(保护膜)贴附，背板贴附以及整机组装。

综上所述，本申请实施例提供了一种液晶手写板的制备方法，该方法制备液晶手写板时，只需采用5道掩膜。相比于现有技术中采用6道掩膜的方法，节省了一道掩膜，提高了产能。

图21是本申请实施例提供的另一种液晶手写板的制备方法的流程图。参考图21，该方法包括：

步骤S201、获取第一基板。

在本申请实施例中，第一基板包括：第一衬底，以及位于第一衬底的一侧的多条第一信号线，多条第二信号线，多个控制电极以及多个晶体管。每个控制电极对应的至少一个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的控制极与一条第二信号线电连接，第一晶体管的第一极与一条第一信号线电连接，第一晶体管的第二极与控制电极电连接。第二晶体管的控制极与一条第二信号线电连接，第二晶体管的第一极与第一信号线绝缘设置，第二晶体管的第二极与控制电极电连接。

步骤S202、通过激光切断第一晶体管的第一连接处或第二连接处，并通过连接结构连接第二晶体管的第一极和一条第一信号线，得到检修后的第一基板。

在本申请实施例中，若液晶手写板10的第一基板101在测试阶段中，检测出第一晶体管被静电击穿(即第一晶体管损坏)，则可以直接切断第一晶体管连接，并将备用的第二晶体管与第一信号线电连接。

其中，第一连接处为第一晶体管的第一极和第一信号线的连接位置，第二连接处为第一晶体管的第二极和控制电极的连接位置。激光切断时，可以切断第一连接处，或者可以切断第二连接处，又或者可以同时切断第一连接处和第二连接处。

可选的，第二晶体管与第一信号线通过连接结构连接，连接结构的至少部分位于控制电极1014远离第一衬底1011的一侧。该连接结构的一端穿过各个膜层的过孔和第二晶体管的第一极连接，另一端穿过各个膜层的过孔和第一信号线连接。示例的，连接结构的材料可以为钨粉。

步骤S203、获取第二基板。

在本申请实施例中，第二基板可以包括第二衬底以及位于第二衬底的一侧的公共电极。第二衬底可以为柔性衬底。其中，柔性衬底的材料可以包括聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料中的任意一种。公共电极的材料可以为透光导电材料，例如可以为ITO或IZO等。

步骤S204、将第一基板与第二基板对盒设置，并在第一基板和第二基板之间填充双稳态液晶层。

综上所述，本申请实施例提供了一种液晶手写板的制备方法，该方法可以对第一基板中损坏的第一晶体管替换为备用的第二晶体管，进而通过第二晶体管实现对控制电极中像素电压的控制，保证液晶手写板的正常使用。

本申请实施例还提供了手写装置，该手写装置包括书写笔以及如上述实施例所提供的液晶手写板10。

由于手写装置可以与前面各个实施例描述的液晶手写板具有基本相同的技术效果，因此，出于简洁的目的，此处不再重复描述手写装置的技术效果。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。