一种吹填土地基处理方法

技术领域

本发明涉及地基处理技术领域，尤其涉及一种吹填土地基处理方法。

背景技术

吹填土也是一种沉积土，是挖泥船以及泥浆泵进行吹填而形成。泥沙结构会在水利吹填的过程中被破坏，最终形成砂土层，具有一定的松散性。

吹填土没有经过地基处理，大都为可液化土层。而地基液化是导致地基失稳、建筑物上部结构破坏的直接原因之一。因此，为了保证场地稳定，吹填土场地需要根据地基液化程度和设计条件，选择适合的地基处理方法消除地基液化。

强夯法是常规的地基处理方法，施工速度快，但却不适用于软土地基处理。因软土地基采用强夯法施工时，孔隙水压力不能及时有效地消散，故容易形成“弹簧土”，俗称“橡皮土”。

发明内容

本发明旨在解决强夯法的不足，而提供一种吹填土地基处理方法。

本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：一种吹填土地基处理方法，其步骤为：先进行真空强排水，然后进行强夯，强夯后继续真空强排水，如此循环2～3遍后，进行低能满夯，检测地基处理效果。

具体地，其详细步骤如下：确定工艺参数→场地平整，插入地基短管和长管→第1次降水→地下水位降至设计标高→撤掉短管，第1次强夯→场地回填平整→第2次降水→撤掉长管，第2次强夯→场地回填平整→原点位全部复插长管，反复上一步骤→小能量满夯，场地平整碾压→地基试验检测→检测合格→路基填筑。

进一步地，第1遍强排水采用长6.0m深管和长3.0m浅管间隔布置，深浅相间方向水平间距3.5m，深管水平间距3.5m，浅管水平间距1.75m，在加固区域外侧2～4m处设置深6.0m的封闭管，封闭管水平间距1.75m，要求第1遍强排水降低地下水位至地面以下3.0m，待地下水位降低至地面以下3.0m后，保留封闭管和长6.0m的深管，拆除长3.0m的浅管后开始第1遍强夯。

进一步地，第2遍强排水在第1遍强夯结束后，依靠长6.0m深管进行，排水前需要推平夯坑，重新整平场地，场地潮湿时，需重新插长3.0m的浅管降水，如果场地浅层水不多，则无需插管，要求第2遍强排水降低地下水位至地面以下4.0m；降水满足要求后，开始第2遍强夯。

进一步地，第3遍强排水在第2次强夯结束后进行，观察场地是否潮湿，确认潮湿后重新插管排水；与第2遍强排水原理和要求相同，需降低地下水位至地面以下4.0m；降水满足要求后，开始第3遍强夯。

进一步地，每遍强降水后，强夯采用质量为10～20t(偏差100kg)、直径2.0～2.3m(落距偏差300mm)的夯锤。

进一步地，为确保地基处理效果，可对地基进行换填作业，即采用分层填筑的方法，将土层按照50厘米分层的方法进行，随填随压，确保路基填筑的密实性。

本发明的有益效果是：本发明通过降低地下水位，解决了强夯法处理软土地基时的超孔隙水压力消散问题；通过强夯法的动力效应，解决了传统固结法土体固结速度慢、工后沉降大的问题。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明：

一种吹填土地基处理方法，其步骤为：先进行真空强排水，然后进行强夯，强夯后继续真空强排水，如此循环2～3遍后，进行低能满夯，检测地基处理效果。

具体地，其详细步骤如下：确定工艺参数→场地平整，插入地基短管和长管→第1次降水→地下水位降至设计标高→撤掉短管，第1次强夯→场地回填平整→第2次降水→撤掉长管，第2次强夯→场地回填平整→原点位全部复插长管，反复上一步骤→小能量满夯，场地平整碾压→地基试验检测→检测合格→路基填筑。

进一步地，第1遍强排水采用长6.0m深管和长3.0m浅管间隔布置，深浅相间方向水平间距3.5m，深管水平间距3.5m，浅管水平间距1.75m，在加固区域外侧2～4m处设置深6.0m的封闭管，封闭管水平间距1.75m，要求第1遍强排水降低地下水位至地面以下3.0m，待地下水位降低至地面以下3.0m后，保留封闭管和长6.0m的深管，拆除长3.0m的浅管后开始第1遍强夯。

进一步地，第2遍强排水在第1遍强夯结束后，依靠长6.0m深管进行，排水前需要推平夯坑，重新整平场地，场地潮湿时，需重新插长3.0m的浅管降水，如果场地浅层水不多，则无需插管，要求第2遍强排水降低地下水位至地面以下4.0m；降水满足要求后，开始第2遍强夯。

进一步地，第3遍强排水在第2次强夯结束后进行，观察场地是否潮湿，确认潮湿后重新插管排水；与第2遍强排水原理和要求相同，需降低地下水位至地面以下4.0m；降水满足要求后，开始第3遍强夯。

进一步地，每遍强降水后，强夯采用质量为10～20t(偏差100kg)、直径2.0～2.3m(落距偏差300mm)的夯锤。

进一步地，为确保地基处理效果，可对地基进行换填作业，即采用分层填筑的方法，将土层按照50厘米分层的方法进行，随填随压，确保路基填筑的密实性。

上面对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。