电子装置

相关分案申请

本揭露是2020年09月04日所提出的申请号为202010922405.6、发明名称为《电子装置》的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种可降低透明导电层的阻抗、可改善因金属反光而造成的视觉可视性问题或可增加开口率的电子装置。

背景技术

平面显示面板已广泛地应用于电子设备例如行动电话、电视、监视器、平板电脑、车用显示器、穿戴装置以及台式电脑中。随电子产品蓬勃发展，对于电子产品上的显示品质的要求越来越高，使得用于显示的电子装置不断朝向更大及更高解析度的显示效果改进。

发明内容

本揭露是提供一种电子装置，其可降低透明导电层的阻抗、可改善因金属反光而造成的视觉可视性问题或可增加开口率。

根据本揭露的实施例，电子装置包括基板、数据线、绝缘层、金属层以及透明导电层。数据线设置于基板上。绝缘层设置于数据线上。金属层设置于绝缘层上。透明导电层设置于金属层上且电性连接至金属层。

根据本揭露的实施例，电子装置包括基板、数据线以及金属层。数据线设置于基板上。金属层设置于数据线上且重叠于数据线。金属层的材料包括钼、钛、铬或上述的氧化物。金属层与数据线具有沿第一方向延伸的第一重叠区以及沿第二方向延伸的第二重叠区，且第一方向不同于第二方向。

附图说明

包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1A为本揭露一实施例的电子装置的上视示意图；

图1B为图1A的区域AA的放大示意图；

图1C为图1B的电子装置沿剖面线A-A’的剖面示意图；

图1D为图1B的电子装置沿剖面线B-B’的剖面示意图；

图1E为图1A的电子装置沿剖面线C-C’的剖面示意图；

图2为本揭露另一实施例的电子装置的上视示意图；

图3为本揭露另一实施例的电子装置的上视示意图；

图4为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图；

图5为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图。

附图标号说明

100、100a、100b、100c、100d：电子装置；

101：显示区；

102：非显示区；

1021：解多路复用器电路区；

1022：静电放电防护电路区；

1023：扇出区；

1024：驱动芯片区；

110：基板；

120、280：晶体管；

130、230、231：第一透明导电层；

140、162、164、165：绝缘层；

150、150a、150b、150c、250：金属层；

160：缓冲层；

161：遮蔽层；

163：介电层；

163a、163b、164a、165a、165b、165c、180c1、180d1：开口；

170、270：第二透明导电层；

180、180c、180d：黑色矩阵层；

190：另一基板；

191、192、193：彩色滤光层；

194、195：交界；

210、211：金属垫；

220、221：转接垫；

AA、BB：区域；

DL：数据线；

DLa：部分；

GE：栅极；

GI：栅极绝缘层；

GIa、GIb：开口；

SD1：源极；

SD2：漏极；

SE：半导体层；

SL：扫描线；

W1、W2、W3、W4：宽度；

W5：另一宽度；

X、Y、Z：方向。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。

虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。

在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包括任何直接及间接的电性连接手段。

在本揭露中，长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。

本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、触控电子装置(touchdisplay)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括发光二极管、液晶(liquid crystal)、萤光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emittingdiode，LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(可例如为QLED、QDLED)、或其他适合的材料或上述的任意排列组合，但不以此为限。显示装置可例如包括拼接显示装置，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包括天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以电子装置说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A为本揭露一实施例的电子装置的上视示意图。图1B为图1A的区域AA的放大示意图。图1C为图1B的电子装置沿剖面线A-A’的剖面示意图。图1D为图1B的电子装置沿剖面线B-B’的剖面示意图。图1E为图1A的电子装置沿剖面线C-C’的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图1A、图1B省略示出了电子装置中的若干元件。

请同时参照图1A至图1E，本实施例的电子装置100可分为显示区101与非显示区102，且电子装置100包括基板110、晶体管120、数据线DL、第一透明导电层130、绝缘层140以及金属层150。其中，基板110可包括硬性基板、软性基板或前述的组合。举例来说，基板110的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。

在本实施例中，晶体管120设置于基板110上。晶体管120包括栅极GE、部分的栅极绝缘层GI、源极SD1、漏极SD2以及半导体层SE，但不以此为限。栅极绝缘层GI可具有开口GIa、GIb，以暴露出部分的半导体层SE。在本实施例中，源极SD1和/或漏极SD2的材料可包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适的材料或上述的组合，但不以此为限。半导体层SE的材料可包括非晶质硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(LTPS)、金属氧化物(例如氧化铟镓锌IGZO)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，晶体管120结构不限于此，也可例如为底闸型(bottom-gate type)晶体管，或亦可视需求改为双栅极晶体管或其他适合的晶体管。在本实施例中，电子装置100还包括扫描线SL。扫描线SL沿方向X延伸，数据线DL则沿方向Y延伸，基板110的法线方向为方向Z，其中，方向X、方向Y以及方向Z彼此不同，且方向X、方向Y以及方向Z彼此互相垂直。其中，扫描线SL设置于基板110上且电性连接至晶体管120，数据线DL设置于基板110上且电性连接至晶体管120。详细来说，扫描线SL通过栅极GE电性连接至晶体管120，且数据线DL通过源极SD1电性连接至晶体管120。

在本实施例中，电子装置100还包括缓冲层160、遮蔽层161、绝缘层162、介电层163、绝缘层164、绝缘层165、第二透明导电层170、黑色矩阵层180、另一基板190以及多个彩色滤光层191、192、193。其中，绝缘层140、缓冲层160、绝缘层162、介电层163、绝缘层164以及绝缘层165可为单层或多层结构，且可例如包括有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。在本实施例中，遮蔽层161的材料可例如是金属材料或其他遮光材料。在一些实施例中，电子装置100也可以不设置遮蔽层(未示出)。

在本实施例中，缓冲层160与遮蔽层161皆设置于晶体管120与基板110之间，且遮蔽层161对应于栅极GE设置。绝缘层162设置于栅极GE与栅极绝缘层GI之间，且绝缘层162对应于栅极GE设置。介电层163设置于源极SD1(或漏极SD2)与栅极绝缘层GI之间，以覆盖栅极GE以及栅极绝缘层GI。介电层163可具有开口163a、163b。其中，开口163a连通开口GIa以暴露出部分的半导体层SE，且开口163b连通开口GIb以暴露出部分的半导体层SE。

在本实施例中，源极SD1与漏极SD2分别设置于介电层163上。源极SD1还可设置于介电层163的开口163a以及栅极绝缘层GI的开口GIa内，以使源极SD1可通过开口163a以及开口GIa电性连接至半导体层SE。漏极SD2还可设置于介电层163的开口163b以及栅极绝缘层GI的开口GIb内，以使漏极SD2可通过开口163b以及开口GIb电性连接至半导体层SE。

在本实施例中，绝缘层164设置于晶体管120上。绝缘层164覆盖源极SD1、漏极SD2以及介电层163。绝缘层164与基板110分别设置于晶体管120的相对两侧。绝缘层164具有开口164a，以暴露出部分的漏极SD2。

在本实施例中，绝缘层165设置于绝缘层164上。绝缘层165与晶体管120分别设置于绝缘层164的相对两侧。绝缘层165具有开口165a。其中，开口165a连通于开口164a，以暴露出部分的漏极SD2。

在本实施例中，第一透明导电层130设置于数据线DL上，且第一透明导电层130可例如是像素电极或共用电极，但不以此为限。举例来说，在本实施例中，当第一透明导电层130为像素电极时，第一透明导电层130设置于绝缘层165上，且位于绝缘层140与绝缘层165之间。第一透明导电层130还可设置于开口165a以及开口164a内，以使第一透明导电层130可通过绝缘层165的开口165a以及绝缘层164的开口164a电性连接至晶体管120的漏极SD2。

在本实施例中，绝缘层140设置于第一透明导电层130上以及开口165a内。绝缘层140覆盖第一透明导电层130以及绝缘层165。

在本实施例中，第二透明导电层170设置于绝缘层140上，且第二透明导电层170可例如是像素电极或共用电极，但不以此为限。举例来说，在本实施例中，当第二透明导电层170为共用电极时，第二透明导电层170还可设置于开口165a内，以使绝缘层140位于第二透明导电层170与第一透明导电层130之间。在本实施例中，第二透明导电层170的材料可例如包括透明导电材料，但不以此为限。

在本实施例中，金属层150例如是设置于基板110的绝缘层140上，以使金属层150位于第二透明导电层170与第一透明导电层130之间，但不以此为限。在本实施例中，由于金属层150还可直接接触第二透明导电层170，因而使得金属层150可与第二透明导电层170电性连接，进而可降低第二透明导电层170的阻抗，并可提升信号均匀性。此外，在本实施例中，在基板110的法线方向(即方向Z)上测量，金属层150的厚度T例如是小于2000埃米(angstrom，

此外，在电子装置100的上视图中(如图1B所示)，由于金属层150设置于数据线DL(或源极SD1)上且重叠于数据线DL，因此，当金属层150的材料为低反射金属材料时，金属层150可用以遮蔽数据线DL(或源极SD1)的金属反光，以改善因金属反光而造成的视觉可视性问题。在本实施例中，金属层150的材料可包括低反射金属材料或非低反射金属材料，但不以此为限。举例来说，低反射金属材料可包括钼、钛、铬、上述的氧化物、上述的氮化物、其它合适的材料或上述的组合，但不以此为限。低反射金属材料可包括银、铝、金、铜、上述的氧化物、上述的氮化物、其它合适的材料或上述的组合，但不以此为限。在本实施例中，金属层150可为单层金属结构或多层膜堆叠金属结构。

在本实施例中，在电子装置100的上视图中(如图1B所示)，在扫描线SL的延伸方向(即方向X)上测量，金属层150的宽度W1例如是大于数据线DL的宽度W2，以遮蔽数据线DL。在一些实施例中，金属层150的宽度W1例如是小于3微米(micrometer，μm)，但不以此为限。此外，在本实施例中，由于金属层150设置于数据线DL(或源极SD1)上、金属层150的宽度W1大于数据线DL的宽度W2且金属层150的材料为低反射金属材料，因而使得金属层150可用来取代现有的黑色矩阵层以遮蔽数据线DL(或源极SD1)。也就是说，通过金属层150的设置，可不需要再额外设置用来遮蔽数据线DL(或源极SD1)的黑色矩阵层，藉此可避免现有的黑色矩阵层因需要能同时遮蔽数据线DL以及扫描线SL而在设置时有残留以及圆角的问题，进而也可避免开口率损失的问题。此外，由于现有的黑色矩阵层的线宽无法做到细线宽(例如小于3微米)，因此，当使用宽度W1小于3微米的金属层150取代现有的黑色矩阵层时，还具有可以增加开口率的效果。

在本实施例中，在电子装置100的上视图中(如图1B所示)，金属层150例如是可重叠于整个数据线DL，但不以此为限。在一些实施例中，金属层150也可只重叠于部分的数据线DL，如图2所示。

在本实施例中，虽然是将第一透明导电层130当作像素电极且将第二透明导电层170当作共用电极为例，以使金属层150可直接接触共用电极且不接触像素电极，也就是使金属层150可直接接触第二透明导电层170且不接触第一透明导电层130，或者使金属层150可直接接触像素电极且不接触共用电极，也就是使金属层150可直接接触第一透明导电层130且不接触第二透明导电层170，但不以此为限，其中金属层150直接接触第一透明导电层130，可减低光线进入晶体管半导体层SE的机率。在一些实施例中，第一透明导电层也可以是共用电极且第二透明导电层为像素电极(未示出)。因此，当第一透明导电层130为共用电极且第二透明导电层170为像素电极时，金属层150也可以直接接触共用电极且不接触像素电极，也就是使金属层150可直接接触第一透明导电层130且不接触第二透明导电层170(未示出)，其中金属层150直接接触第一透明导电层130，可减低光线进入晶体管半导体层SE的机率，或者使金属层150可直接接触像素电极且不接触共用电极，也就是使金属层150可直接接触第二透明导电层170且不接触第一透明导电层130，但不以此为限。

在本实施例中，黑色矩阵层180设置于扫描线SL上，且重叠于整个扫描线SL。详细来说，黑色矩阵层180与金属层150为不同层别，黑色矩阵层180例如是设置于另一基板190上，且位于另一基板190与多个彩色滤光层191、192、193之间，但不以此为限。在一些实施例中，黑色矩阵层180也可以设置于基板110上，且与金属层150为不同层别，如图4以及图5所示。此外，在本实施例中，在数据线DL的延伸方向(即方向Y)上测量，黑色矩阵层180的宽度W3例如是大于扫描线SL的宽度W4，以遮蔽扫描线SL。

在本实施例中，多个彩色滤光层191、192、193设置于另一基板190上。彩色滤光层191、192、193可分别例如是蓝色滤光层、红色滤光层以及绿色滤光层，但不以此为限。其中，彩色滤光层191与彩色滤光层192之间的交界194、彩色滤光层192与彩色滤光层193之间的交界195、彩色滤光层191与彩色滤光层193之间的交界(未示出)平行于扫描线SL的延伸方向(即方向X)，且可视为是混色或色淡区域。在本实施例中，由于金属层150可对应于相邻的两个彩色滤光层之间的交界194、195设置，因而可遮蔽混色或色淡区域，以提高对比。举例来说，金属层150可对应于相邻的彩色滤光层191与彩色滤光层192之间的交界194来设置，且金属层150也可对应于相邻的彩色滤光层192与彩色滤光层193之间的交界195来设置。

在本实施例中，虽然金属层150是设置于基板110上且黑色矩阵层180是设置于另一基板190上，但本揭露并不对金属层150以及黑色矩阵层180的设置位置加以限制，只要使金属层150设置于数据线DL(或源极SD1)上并使黑色矩阵层180设置于扫描线SL上即可。也就是说，在一些实施例中，金属层可设置于另一基板上且黑色矩阵层设置于基板上，如图4所示。在一些实施例中，金属层与黑色矩阵层也可都设置于基板上，如图5所示。在一些实施例中，金属层与黑色矩阵层也可都设置于另一基板上(未示出)。

请再同时参照图1A与图1E，在本实施例中，非显示区102可包括解多路复用器电路区(de-multiplexer circuits area)1021、静电放电防护电路区(electrostaticdischarge circuits area)1022、扇出区(fanout area)1023以及驱动芯片区1024。其中，金属层250还可设置于非显示区102中的多路复用器电路区1021、静电放电防护电路区1022以及扇出区1023，藉此可将驱动芯片区1024的信号传递至显示区101中。

具体来说，请参照图1E，在本实施例中，电子装置100还包括金属垫210、金属垫211、转接垫220、转接垫221、第一透明导电层230、第一透明导电层231、金属层250以及第二透明导电层270。区域BB可视为是多路复用器电路区1021、静电放电防护电路区1022以及扇出区1023的放大示意图，且示意地示出为晶体管280，但不以此为限。其中，金属垫210与金属垫211设置于介电层163上，且与源极SD1(或漏极SD2)为相同层别。转接垫220与转接垫221设置于绝缘层164上，且分别与金属垫210以及金属垫211电性连接。第一透明导电层230与第一透明导电层231设置于绝缘层165上。第一透明导电层230与第一透明导电层231还分别设置于绝缘层165的开口165b以及开口165c内，以使第一透明导电层230与第一透明导电层231可分别与转接垫220以及转接垫221电性连接。金属层250设置于绝缘层140上，且还设置于绝缘层165的开口165b以及开口165c内，以使金属层250可与透明导电层230以及透明导电层231电性连接。第二透明导电层270设置于金属层250上，且可与金属层250直接接触并电性连接。

因此，当金属垫211接收来自驱动芯片区1024的信号时，则可通过转接垫221、第一透明导电层231、金属层250、透明导电层230、转接垫220以及金属垫210来传递至显示区101中。因此，在本实施例中，可将设置于非显示区102中的金属层250可为转层结构，以将驱动芯片区1024的信号传递至显示区101中，藉此可减少第二透明导电层270信号传递的负载(Loading)。

在本实施例中，虽然上述的区域BB可视为是多路复用器电路区1021、静电放电防护电路区1022以及扇出区1023的放大示意图，但不以此为限。也就是说，在一些实施例中，区域BB也可视为是多路复用器电路区1021与静电放电防护电路区1022的放大示意图。在一些实施例中，区域BB也可视为是多路复用器电路区1021的放大示意图。

简言之，在本揭露实施例的电子装置100中，通过将金属层150设置于数据线DL上并使金属层150重叠于数据线DL，因而使得金属层150可用来遮蔽数据线DL，并可改善因数据线DL的金属反光而造成的视觉可视性问题。接着，由于金属层150可用来取代现有的黑色矩阵层来遮蔽数据线DL，因此可避免现有的黑色矩阵层在设置时所造成的残留以及圆角的问题，进而可避免有开口率损失的问题。再者，由于金属层150的宽度W1可小于黑色矩阵层的线宽，因此，使用金属层150来取代现有的黑色矩阵层还具有可以增加开口率的效果。此外，通过使金属层150与第二透明导电层170电性连接，还可以用来降低第二透明导电层170的阻抗，具有可提升信号均匀性的效果。另外，通过将金属层250设置在电子装置100的非显示区102中并使金属层250可与第二透明导电层270电性连接，因而使得金属层250可用来作为转层结构，以减少第二透明导电层270的负载。

以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2为本揭露另一实施例的电子装置的上视示意图。请同时参照图1B与图2，本实施例的电子装置100a大致相似于图1B的电子装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。在本实施例的电子装置100a的上视图中，金属层150a只重叠于数据线DL的一部分DLa。详细来说，金属层150a至少重叠于由黑色矩阵层180所暴露出的部分的数据线DL，藉此遮蔽数据线DL的金属反光，以降低因金属反光而造成的视觉可视性问题。

图3为本揭露另一实施例的电子装置的上视示意图。请同时参照图1B与图3，本实施例的电子装置100b大致相似于图1B的电子装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。在本实施例的电子装置100b的上视图中，金属层150b还可设置于扫描线SL与数据线DL上，以使金属层150b还可重叠于扫描线SL与数据线DL。也就是说，在本实施例的电子装置100b的上视图中，金属层150b为网格状的结构，以同时重叠并遮蔽数据线DL以及扫描线SL。此外，在数据线DL的延伸方向(即方向Y)上测量，金属层150b的另一宽度W5大于扫描线SL的宽度W4，且黑色矩阵层180的宽度W3大于金属层150b的另一宽度W5。

图4为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图。请同时参照图1D与图4，本实施例的电子装置100c大致相似于图1D的电子装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。在本实施例的电子装置100c中，金属层150c设置于另一基板190上，且黑色矩阵层180c设置于基板110上。

详细来说，本实施例中，金属层150c设置于源极SD1(或数据线DL)上，且设置于另一基板190与彩色滤光层191、192、193之间。金属层150c可对应于相邻的彩色滤光层191与彩色滤光层192之间的交界194来设置，且金属层150c也可对应于相邻的彩色滤光层192与彩色滤光层193之间的交界195来设置。

本实施例中，黑色矩阵层180c设置于栅极GE(或扫描线SL)上，且设置于晶体管120与绝缘层165之间。黑色矩阵层180c可具有开口180c1。其中，开口180c1连通绝缘层164的开口164a，以暴露出部分的漏极SD2。此外，由于绝缘层165的开口165a可连通于开口180c1以及开口164a，因而使得第一透明导电层130还可设置于开口165a、开口180c1以及开口164a内。

图5为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图。请同时参照图1C与图5，本实施例的电子装置100d大致相似于图1C的电子装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。在本实施例的电子装置100d中，黑色矩阵层180d设置于基板110上。

详细来说，本实施例中，黑色矩阵层180d设置于栅极GE(或扫描线SL)上，且设置于晶体管120与绝缘层165之间。黑色矩阵层180d可具有开口180d1。其中，开口180d1连通绝缘层164的开口164a，以暴露出部分的漏极SD2。此外，由于绝缘层165的开口165a可连通于开口180d1以及开口164a，因而使得第一透明导电层130还可设置于开口165a、开口180d1以及开口164a内。

综上所述，在本揭露实施例的电子装置中，通过将金属层设置于数据线上并使金属层重叠于数据线，因而使得金属层可用来遮蔽数据线，并可改善因数据线的金属反光而造成的视觉可视性问题。接着，由于金属层可用来取代现有的黑色矩阵层来遮蔽数据线，因此可避免现有的黑色矩阵层在设置时所造成的残留以及圆角的问题，进而可避免有开口率损失的问题。再者，由于金属层的线宽可小于黑色矩阵层的线宽，因此，使用金属层来取代现有的黑色矩阵层还具有可以增加开口率的效果。此外，通过使金属层与透明导电层电性连接，可以用来降低透明导电层的阻抗，具有可提升信号均匀性的效果，也可减低光线进入晶体管半导体层的机率。另外，通过将金属层设置在电子装置的非显示区中并使金属层可与透明导电层电性连接，因而使得金属层可用来作为信号转层，以减少透明导电层的负载。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。