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一种AMOLED显示屏及其制造方法

文献发布时间:2023-06-19 10:55:46


一种AMOLED显示屏及其制造方法

技术领域

本公开涉及显示器领域,特别涉及一种AMOLED显示屏及其制造方法。

背景技术

AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体面板)屏具有色域广、分辨率高、可单独控制每个像素等优点,在终端应用范围日益扩大,尤其AMOLED大尺寸面板在终端市场占比越来越高,如大屏手机、笔记本电脑、车载仪表显示等。

当前AMOLED显示屏的阳极一般是在PLN层(平坦层)上沉积ITO(氧化铟锡)/Ag(银)/ITO作为阳极,利用了PLN平坦化的作用,使得整面制作的阳极表面差异小,反射光较多,发光性能更好。然而,随着面板尺寸增加,用户的视觉角度也相应变大,此时AMOLED显示屏大角度下白光色偏的问题逐渐显示出来,降低了AMOLED显示屏的使用性能,影响用户使用体验。

发明内容

有鉴于此,本公开实施例提出了一种AMOLED显示屏及其制造方法,用以解决现有技术的如下问题:随着面板尺寸增加,用户的视觉角度也相应变大,此时AMOLED显示屏大角度下白光色偏的问题逐渐显示出来,降低了AMOLED显示屏的使用性能,影响用户使用体验。

一方面,本公开实施例提出了一种AMOLED显示屏,至少包括:平坦层,设置在所述平坦层上的中间层,以及,设置在所述中间层上的阳极层;其中,所述中间层第一区域的表面粗糙度小于所述中间层第二区域的表面粗糙度,所述第二区域的表面粗糙度大于所述平坦层的表面粗糙度;所述第一区域为所述中间层上除去所述第二区域之外的其它区域,所述第二区域为所述阳极层中预定类型像素在中间层上对应的区域,所述预定类型像素包括R色像素和/或B色像素。

在一些实施例中,所述第一区域为经过脉冲激光处理后的区域。

在一些实施例中,全部所述第二区域所占面积为全部预定类型像素所占面积的一半。

在一些实施例中,一个所述第二区域的图案对应一个预定类型像素的图案。

在一些实施例中,一个所述第二区域的图案对应一个预定类型像素的部分图案。

在一些实施例中,所述阳极层为复合型透明导电膜ITO/Ag/ITO。

在一些实施例中,还包括:设置在所述阳极层上的发光材料层,以及,设置在所述封装层之上的所述发光材料层。

另一方面,本公开实施例提出了一种AMOLED显示屏的制造方法,至少包括:在平坦层上采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积一层中间层,其中,沉积的所述中间层的表面粗糙度大于所述平坦层的表面粗糙度;采用预定方式处理所述中间层上的第一区域,以使得所述中间层第一区域的表面粗糙度小于所述中间层第二区域的表面粗糙度,其中,所述第一区域为所述中间层上除去所述第二区域之外的其它区域,所述第二区域为阳极层中预定类型像素在中间层上对应的区域,所述预定类型像素包括R色像素和/或B色像素。

在一些实施例中,所述采用预定方式处理所述中间层上的第一区域,包括:采用脉冲激光处理所述中间层上的第一区域。

在一些实施例中,所述采用预定方式处理所述中间层上的第一区域之后,还包括:在采用所述预定方式处理后的所述中间层上沉积所述阳极层;在所述阳极层上蒸镀发光材料,以形成发光材料层;在蒸镀完发光材料层上进行薄膜封装。

本公开实施例在平坦层上设置了中间层,通过对中间层的表面粗糙度进行处理,使得设置在中间层上的阳极层能够在具有较好的反射和透射效果,增加大角度下反射和透射的光,解决了AMOLED显示屏大角度下白光色偏的问题,提升了产品性能。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施例提供的AMOLED显示屏的部分结构示意图;

图2为本公开实施例提供的经过脉冲激光处理和未处理的中间层形貌和粗糙度示意图;

图3为本公开实施例提供的经过脉冲激光处理和未处理的阳极形貌和粗糙度示意图;

图4为本公开实施例提供的RGB像素排列示意图一;

图5为本公开实施例提供的RGB像素排列示意图二;

图6为本公开实施例提供的RGB像素排列示意图三;

图7为本公开实施例提供的RGB像素排列示意图四;

图8为本公开实施例提供的RGB像素排列示意图五;

图9为本公开实施例提供的RGB像素排列示意图六;

图10为本公开实施例提供的白光色偏和色坐标轨迹示意图一;

图11为本公开实施例提供的白光色偏和色坐标轨迹示意图二;

图12为本公开实施例提供的白光色偏和色坐标轨迹示意图三;

图13为本公开实施例提供的正常阳极-80°到+80°下的白光色偏对比示意图;

图14为本公开实施例提供的AMOLED显示屏的制造方法的流程图。

附图标记:

1-平坦层,2-中间层,21-第一区域,22-第二区域,3-阳极层,31-预定类型像素。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。

除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明,本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

本公开实施例提供了一种AMOLED显示屏,该显示屏的部分结构示意如图1所示,至少包括:

平坦层1,设置在平坦层上的中间层2,以及,设置在中间层上的阳极层3;其中,

中间层2第一区域21的表面粗糙度小于中间层第二区域22的表面粗糙度,第二区域22的表面粗糙度大于平坦层1的表面粗糙度;

第一区域21为中间层2上除去第二区域22之外的其它区域,第二区域22为阳极层3中预定类型像素31在中间层2上对应的区域,预定类型像素31包括R色像素和/或B色像素。

图1仅为一种抽象示例,具体设置时,由于阳极层的像素并不是连接设置的,且预定类型像素也不一定是间隔设置的,因此,图1并不对上述实施例构成限定,图1仅为一种示例。

平坦层具有较为光滑的特性,因此,在平坦层上设置阳极层后,阳极层也较为光滑,因此能够经阳极反射出来的光也越多,正面从阳极反射和透射出来的光也越多,发光效率也越高。由于阳极粗糙度小,大角度下反射和透射的光减少。基于上述思考,本公开实施例考虑到当阳极表面粗糙度增加,则大角度出光也会增加,白光色偏则可以降低。因此,本公开实施例在平坦层上设置了中间层,在中间层上再设置阳极层,通过中间层调整正面和大角度下反射和透射的光。

为了通过中间层增加大角度下反射和透射的光,本公开实施例将基础中间层的表面粗糙度设置为大于平坦层的表面粗糙度。具体设置时,本公开实施例的中间层分为两个区域,即第一区域和第二区域,第二区域为不经过任何处理的区域,所以第二区域的表面粗糙度就是上述基础中间层的表面粗糙度,第一区域需要经过预定方式处理,进而使得第一区域的表面粗糙度小于第二区域的表面粗糙度,以分别通过粗糙的中间层和光滑的中间层分别承载阳极,使得阳极具有不同的反射和透射效果。优选的,可以将第一区域的表面粗糙度和平坦层的表面粗糙度设置的较为相似。

由于解决的是白光色偏问题,因此,本公开实施例基于R色、G色和B色的特点,本公开实施例调整的表面粗糙度为R色像素和/或B色像素对应中间层的区域,而不增加G色像素在中间层上对应的区域的表面粗糙度。通过提高大角度下预定类型像素亮度,降低大角度下的预定类型像素亮度衰减,能够有效改善大角度下白光色偏,从而提高大角度条件下的视觉效果。

本公开实施例在平坦层上设置了中间层,通过对中间层的表面粗糙度进行处理,使得设置在中间层上的阳极层能够在具有较好的反射和透射效果,增加大角度下反射和透射的光,解决了AMOLED显示屏大角度下白光色偏的问题,提升了产品性能。

具体实现时,第一区域可以为经过脉冲激光处理后的区域,进而通过脉冲激光处理得到较为表面粗糙度较低的光滑表面。

为了使得大角度下既能够得到较好的阳极反射和透射效果,本公开实施例中,全部第二区域所占面积设置为全部预定类型像素所占面积的一半。例如,当预定类型像素为R色像素时,则第二区域所占面积为全部R色像素所占面积的一半;再例如,当预定类型像素为B色像素时,则第二区域所占面积为全部B色像素所占面积的一半;再例如,当预定类型像素为R色像素和B色像素时,则第二区域所占面积为全部R色像素所占面积的一半以及全部B色像素所占面积的一半。具体实现时,通常将R色像素和B色像素共同作为预定类型的像素,如果为了简化操作,通常会将调整后能够改善较多白光色偏问题的B色像素作为预定类型的像素。

对于第二区域的设置位置,其可以是一个第二区域的图案对应一个预定类型像素的图案,第二区域在R色像素对应的中间层中按照R色像素的布置位置间隔设置;当然,也可以是一个第二区域的图案对应一个预定类型像素的部分图案,该预定类型像素的部分图案样式不进行限定,只要面积占每个R色像素面积的一半即可,则可以每个R色像素对应的区域都设置有第二区域。

在一个优选实施例中,上述AMOLED显示屏还可以包括设置在阳极层上的发光材料层,以及设置在封装层之上的发光材料层。其中,上述阳极层为复合型透明导电膜ITO/Ag/ITO。

下面,结合附图及具体实例对上述实施例进行示例性说明。

关于中间层的制作:完成PLN层以后,然后在上方用PECVD沉积一层中间层。中间层材料为SiOx或SiNx,厚度为1500-3500A,沉积速率为60-100A/s。

采用脉冲激光处理中间层:中间层制作以后,用脉冲激光处理中间层,处理的中间层区域为阳极对应下的中间层;脉冲激光处理的面积为除去预定类型像素(R和B的像素面积)面积的一半的其它区域;脉冲激光的能量密度为200-300mJ/cm

实例1

用脉冲激光分别处理R色和B色像素下的中间层,然后进行ITO/Ag/ITO阳极沉积。经过脉冲处理后,中间层的粗糙度减小,经过ITO/Ag/ITO阳极沉积后,阳极粗糙度也减小。此时的阳极形貌和粗糙度分别为图3所示。用脉冲激光处理中间层,确保得到不同粗糙度的阳极(R或B)像素数量相等,此时RGB像素排列如图4所示,由图4可以看出,无论哪种RGB排列方式,第二区域对应得到阳极都占R色和B色像素总面积的一半,且同一种类型的像素中第二区域不相邻设置。

实例2

用脉冲激光分别处理R色和B色像素下的中间层,然后进行ITO/Ag/ITO阳极沉积。用脉冲激光处理中间层,确保得到不同粗糙度的阳极(R和B)像素数量相等,此时第二区域对应的阳极在RGB像素中的排列可以如图5、图6、图7、图8及图9等所示,图中网格部分表示粗糙阳极,无网格空白部分表示光滑阳极,此处不再更多列举。

实例3

确定B像素为预定类型像素,根据实例1和2的方法制作B像素为预定类型像素,确保粗糙阳极和光滑阳极的面积相同,然后进行ITO/Ag/ITO阳极沉积、EL材料蒸镀、TFE封装。此时的白光色偏(W)和色坐标轨迹如图10。

实例4

根据实施例1和2的方法制作R&B像素,确保R&B像素的粗糙阳极和光滑阳极的面积相同,然后进行ITO/Ag/ITO阳极沉积、EL材料蒸镀、TFE封装。此时的白光色偏和色坐标轨迹如图11。

图12为R/G/B为正常阳极的白光色偏和色坐标轨迹,图13为实例3和4以及正常阳极-80°到+80°下的白光色偏,图中可以看出将实例3和4在大角度下白光的色偏均比正常阳极要小,大角度色偏得到了改善。

本公开实施例还提供了一种AMOLED显示屏的制造方法,该方法的流程如图14所示,至少包括S1401至S1402:

S1401,在平坦层上采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积一层中间层,其中,沉积的中间层的表面粗糙度大于平坦层的表面粗糙度;

S1402,采用预定方式处理中间层上的第一区域,以使得中间层第一区域的表面粗糙度小于中间层第二区域的表面粗糙度,其中,第一区域为中间层上除去第二区域之外的其它区域,第二区域为阳极层中预定类型像素在中间层上对应的区域,预定类型像素包括R色像素和/或B色像素。

具体实现时,可以采用脉冲激光处理中间层上的第一区域;在采用预定方式处理中间层上的第一区域之后,还可以在采用预定方式处理后的中间层上沉积阳极层,在阳极层上蒸镀发光材料,以形成发光材料层,在蒸镀完发光材料层上进行薄膜封装。

通过该方法得到的AMOLED显示屏具有上述实施例中公开的AMOLED显示屏的结构,此处不再赘述。

此外,尽管已经在本文中描述了示例性实施例,其范围包括任何和所有基于本公开的具有等同元件、修改、省略、组合(例如,各种实施例交叉的方案)、改编或改变的实施例。权利要求书中的元件将被基于权利要求中采用的语言宽泛地解释,并不限于在本说明书中或本申请的实施期间所描述的示例,其示例将被解释为非排他性的。因此,本说明书和示例旨在仅被认为是示例,真正的范围和精神由以下权利要求以及其等同物的全部范围所指示。

以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如,上述示例(或其一个或更多方案)可以彼此组合使用。例如本领域普通技术人员在阅读上述描述时可以使用其它实施例。另外,在上述具体实施方式中,各种特征可以被分组在一起以简单化本公开。这不应解释为一种不要求保护的公开的特征对于任一权利要求是必要的意图。相反,本公开的主题可以少于特定的公开的实施例的全部特征。从而,以下权利要求书作为示例或实施例在此并入具体实施方式中,其中每个权利要求独立地作为单独的实施例,并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本公开的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。

以上对本公开多个实施例进行了详细说明,但本公开不限于这些具体的实施例,本领域技术人员在本公开构思的基础上,能够做出多种变型和修改实施例,这些变型和修改都应落入本公开所要求保护的范围之内。

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技术分类

06120112737906