高密度积层板制备工艺

技术领域

本发明涉及积层法多层板制备技术领域，具体为高密度积层板制备工艺。

背景技术

根据有关定义，积层法多层板(Build up Multilayer PCB,BUM)指在绝缘基板上，或传统的双面板或多层板上，采取涂布绝缘介质再经化学镀铜和电镀铜形成导线及连接孔，如此多次叠加，累积形成所需层数的多层印制板。早在20世纪70年代已经有BUM技术的文献报道，但直到90年代初，在IBM的日本(Yasu)分公司开发了在芯板上涂覆感光树脂，利用光致法形成导通微孔互连，加成法进行线路化的新工艺制造高密度线路板的新方法之后，才成功地将此种高密度线路板大量用于Thinkpad型笔记本电脑，并于1991年最早将此新技术公开发表，称之为Surface Laminar Circuit，SLC(表面层合电路板)，由于此技术开创了前所未有的Hight Density Interconnect，HDI(高密度互连)的新思路，日本的电子厂家纷纷进行开发，从此揭开了PCB发展史上的BUM时代。BUM适应了电子产品向更轻、更小、更薄及更短方向发展的要求，能够满足新一代电子封装技术(如BGA,CSP,MCM,FCP等)需要，因此在整个90年代发展非常迅速，主要应用于便携式电子产品，如手提电脑、移动电话、数码相机与MCM封装基板上。1998年世界BUM微孔板市场为11亿美元， 1999年则达到了将近20亿美元，其中90%市场集中在日本国内，2000市场可能接近30亿美元。国内专家曾撰文预言，世界BUM板已进入发展期；目前与今后几年内，PCB工业的技术变革和市场竞争将围绕着以BUM板为中心及其周边工业(材料、设备和检测等)而进行，但是现有的积层多层板整体的制备密度仍然存在着一定的不足之处，导致生产后的积层板在长时间作业后，出现板材之间松脱，降低了积层板的质地以及作业寿命。

因此亟需设计高密度积层板制备工艺来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供高密度积层板制备工艺，以解决上述背景技术中提出因素问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：高密度积层板制备工艺，包括如下结构：

芯材、环氧树脂、树脂薄膜、玻纤增强固化片、铜箔；

且其生产工艺方法如下：

步骤一：将芯材进行预处理形成积材板；

步骤二：将积材板上涂覆环氧树脂，在覆盖一层树脂薄膜，在涂覆环氧树脂，依次通过层压的方式粘合玻纤增强固化片及铜箔，形成高密度积层板半成品；

步骤三：将高密度积层板半成品上的铜箔进行半蚀作业；

步骤四：将高密度积层板半成品通过激光制作导通孔图形；

步骤五：将高密度积层板半成品通过UV-YAG激光进行加工作业；

步骤六：将高密度积层板半成品进行化学镀铜；

步骤七：将高密度积层板半成品进行全板电镀铜，制作外层图形，完成高密度积层板成品。

优选的，所述在步骤二选材过程中，铜箔的厚度可为9-20μm；树脂层为60-90μm。

优选的，所述在步骤七配制过程中，高密度积层板成品在对表面处理时，选用助焊剂、HASL焊料涂层、Ni/Au镀层。

优选的，所述在步骤五配制过程中，UV-YAG激光设备通过可见激光束反射镜、激光能量检测仪器、光学谐振腔100%反射镜座、激光光学谐振腔，内有Nd.YAG晶体棒，泵浦灯管，镀金反射腔、时间分歧镜片、能量分歧镜片、金属激光反射挡片、激光束分歧快门开关、光学聚焦镜输入供连结光纤维、激光能量衰减镜片、光学谐振腔主快门开关、可见激光产生器及仪器座定位片组成。

优选的，所述在步骤四配制过程中，高密度积层板半成品通过激光制作导通孔图形后放置在等离子的真空腔中，通入介质气体,在超高频射频电源作用下气体被电离成活性很强的自由基，与高分子反应起到蚀孔的作用。

优选的，所述在步骤六配制过程中，化学镀铜前需要对积层板进行膨胀、去钻污、中和、除油、微蚀、预浸、活化。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

（1）、通过环氧树脂与树脂薄膜之间的组合配合，不但进一步的保证了积层板之间的粘合力度，由于分子中有多种极性基团，如羟基(—OH)和醚基(—O—)，由于这些基团的极化，使环氧树脂分子与相邻物面产生电磁吸力，而环氧基与含有活泼氢的金属表面形成化学键粘结很牢，特别能与玻璃表面生成化学键，更好的保证了积层板在粘合后的牢固性，并且整体的耐腐蚀性、以及绝缘性也得到了良好的保障，并且通过树脂薄膜在层压时，会通过降解的方式对环氧树脂形成包裹，其效果可以更好的保证层压后的积层板侧边的平顺性，为高密度积层奠定了良好的基础；

（2）、通过铜箔与玻纤增强固化片之间的组合层压，铜箔也是积层板制备作业的基本材料，不但更好的促进了积层板整体的密度，并且通过玻纤增强固化片可以更好的确保板面的平整，防止铜箔在后序电镀以及日后的使用作业期间出现受热后扭曲变形的情况，这样为积层板后序的加工作业提供了良好的保证，其效果既保证了积层板在生产后的整体质量，同时有进一步的降低了积层板在生产后的报废率，确保了积层板的高质量、高效率生产作业。

（3）、通过铜箔的半蚀，既减轻了高密度积层板半成品通过激光制作导通孔图形在作业期间的损耗，又节省了作业时间，为后序的加工镀铜作业提供良好的保障，避免或减少在镀铜工序中对积层板造成伤害，同时又为镀铜作业提供良好的便捷性。

附图1为本工艺的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供的一种实施例：

参照附图1，具体为高密度积层板制备工艺，包括如下结构：

芯材、环氧树脂、树脂薄膜、玻纤增强固化片、铜箔；

且其生产工艺方法如下：

步骤一：工作人员将芯材通过相应设备进行预处理形成积材板，同时在作业期间，需要注意板材的尺寸以及规格，避免影响导致后序的加工作业；

步骤二：将积材板上涂覆环氧树脂，在覆盖一层树脂薄膜，在涂覆环氧树脂，铜箔的厚度可为9-20μm；树脂层为60-90μm，依次通过层压的方式粘合玻纤增强固化片及铜箔，铜箔与玻纤增强固化片之间的组合层压，铜箔也是积层板制备作业的基本材料，不但更好的促进了积层板整体的密度，并且通过玻纤增强固化片可以更好的确保板面的平整，防止铜箔在后序电镀以及日后的使用作业期间出现受热后扭曲变形的情况，这样为积层板后序的加工作业提供了良好的保证，其效果既保证了积层板在生产后的整体质量，同时有进一步的降低了积层板在生产后的报废率，确保了积层板的高质量、高效率生产作业，形成高密度积层板半成品，通过环氧树脂与树脂薄膜之间的组合配合，不但进一步的保证了积层板之间的粘合力度，由于分子中有多种极性基团，如羟基(—OH)和醚基(—O—)，由于这些基团的极化，使环氧树脂分子与相邻物面产生电磁吸力，而环氧基与含有活泼氢的金属表面形成化学键粘结很牢，特别能与玻璃表面生成化学键，更好的保证了积层板在粘合后的牢固性，并且整体的耐腐蚀性、以及绝缘性也得到了良好的保障，并且通过树脂薄膜在层压时，会通过降解的方式对环氧树脂形成包裹，其效果可以更好的保证层压后的积层板侧边的平顺性，为高密度积层奠定了良好的基础；

步骤三：将高密度积层板半成品上的铜箔进行半蚀作业，铜箔的半蚀，既减轻了高密度积层板半成品通过激光制作导通孔图形在作业期间的损耗，又节能了作业时间，为后序的加工镀铜作业提供良好的保障，避免或减少在镀铜工序中对积层板造成伤害，同时又为镀铜作业提供良好的便捷性；

步骤四：将高密度积层板半成品通过激光制作导通孔图形，高密度积层板半成品通过激光制作导通孔图形后放置在等离子的真空腔中，通入介质气体,在超高频射频电源作用下气体被电离成活性很强的自由基，与高分子反应起到蚀孔的作用，保证了制作导通孔图形的稳定性；

步骤五：将高密度积层板半成品通过UV-YAG激光进行加工作业，UV-YAG激光设备通过可见激光束反射镜、激光能量检测仪器、光学谐振腔100%反射镜座、激光光学谐振腔，内有Nd.YAG晶体棒，泵浦灯管，镀金反射腔、时间分歧镜片、能量分歧镜片、金属激光反射挡片、激光束分歧快门开关、光学聚焦镜输入供连结光纤维、激光能量衰减镜片、光学谐振腔主快门开关、可见激光产生器及仪器座定位片组成；

步骤六：将高密度积层板半成品进行化学镀铜，化学镀铜前需要对积层板进行膨胀、去钻污、中和、除油、微蚀、预浸、活化，工作人员需要通过以上步骤后，方可实现对高密度积层板半成品的镀铜作业；

步骤七：将高密度积层板半成品进行全板电镀铜，制作外层图形，完成高密度积层板成品，高密度积层板成品在对表面处理时，选用助焊剂、HASL焊料涂层、Ni/Au镀层，以保证生产出的高密度积层板成品达到了高品质效果。

综上：本发明通过环氧树脂与树脂薄膜之间的组合配合，不但进一步的保证了积层板之间的粘合力度，并且整体的耐腐蚀性、以及绝缘性也得到了良好的保障，通过铜箔与玻纤增强固化片之间的组合层压，铜箔也是积层板制备作业的基本材料，不但更好的促进了积层板整体的密度，并且通过玻纤增强固化片可以更好的确保板面的平整，防止铜箔在后序电镀以及日后的使用作业期间出现受热后扭曲变形的情况，这样为积层板后序的加工作业提供了良好的保证，通过铜箔的半蚀，既减轻了高密度积层板半成品通过激光制作导通孔图形在作业期间的损耗，又节省了作业时间。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。