工件加工用片

技术领域

本发明涉及一种用于半导体晶圆等工件的加工的工件加工用片。

背景技术

在由硅、砷化镓等半导体晶圆制造半导体装置时，作为工件的半导体晶圆以贴附在具备基材及粘着剂层的粘着片(以下有时称之为“工件加工用片”)上的状态进行背面研磨(back grind)，然后切割(dicing)成芯片。之后，经过清洗、干燥、扩展等后，从工件加工用片上拾取半导体芯片并将其安装在规定的基板或引线框架等上。

在上述各工序中，在从工件加工用片的粘着剂层上剥离剥离片时、背面研磨时、切割时、清洗时、拾取时等时候，会因剥离、摩擦、接触等而产生静电。这种静电会导致半导体晶圆、芯片或在其上形成的电路等遭受破坏，或者导致灰尘等异物附着。

专利文献1公开了一种用以抑制产生这种静电的抗静电性半导体加工用粘着胶带，其为由基材膜和光固化型的粘着剂层构成的粘着胶带，该抗静电性半导体加工用粘着胶带在上述基材膜的至少一面上具有含有导电性高分子的抗静电层，并在上述抗静电层上具有在基础聚合物的分子内含有光固化性不饱和碳键的粘着剂层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-210944号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

作为工件加工用片的粘着剂层，较多情况下如专利文献1那样使用由活性能量射线固化性的粘着剂构成的粘着剂层。通常，活性能量射线固化性的粘着剂通过活性能量射线的照射而固化，进而粘着力显着降低，因此，在拾取半导体芯片之前，通过照射活性能量射线可易于拾取半导体芯片。

在此，为了实现工艺的Inline化，提出了在背面研磨后立即将作为切割片的工件加工用片贴附在半导体晶圆上。但是，当在背面研磨后立即将工件加工用片贴附在半导体晶圆的研磨面上时，密合性非常高，即便如上述那样照射活性能量射线，有时粘着剂层的粘着力也不会充分降低。此时会产生发生半导体芯片的拾取不良的问题。

为了解决上述问题，可以考虑在粘着剂中添加降低粘着力的成分，但在这种情况下，存在粘着剂层与基材的密合性降低的问题。若粘着剂层与基材的密合性降低，则在拾取时粘着剂层会从基材上剥离而附着于芯片侧。

本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种具有抗静电性的同时拾取性优异且粘着剂层与基材的密合性也优异的工件加工用片。

解决技术问题的技术手段

为了实现上述目的，第一，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材和层叠在所述基材的一面侧的粘着剂层，其特征在于，所述基材含有抗静电剂，所述粘着剂层由含有丙烯酸类聚合物和游离性环氧树脂的活性能量射线固化性的丙烯酸类粘着剂组合物形成，用切割刀自活性能量射线固化后的所述粘着剂层的与基材为相反侧的表面侧切入切口，基于JIS K5600-5-6:1999的划格法(cross cut)，以切割间隔为5mm、切割线为11条×11条的方式形成方格数为100的划格部，将由NICHIBAN Co.,Ltd.制造的Cellulose Tape(注册商标)构成的粘着胶带贴附于所述划格部，并将贴附于所述划格部的所述粘着胶带剥离后所残留的方格数为95以上(发明1)。

在上述发明(发明1)中，通过使基材含有抗静电剂，具有抗静电性。此外，通过使粘着剂层含有游离性环氧树脂，拾取性优异。特别是，即使将该工件加工用片贴附在刚进行了背面研磨后的半导体晶圆等上时，在照射活性能量射线后粘着剂层的粘着力也充分降低，能够易于进行芯片的拾取。此外，通过使基于划格法的棋盘格试验中的方格数为95以上，粘着剂层与基材的密合性优异。由此，可以抑制粘着剂层在拾取时从基材剥离而附着于芯片侧。

在上述发明(发明1)中，优选：活性能量射线固化后的所述粘着剂层的与基材为相反侧的面的表面电阻率为1.0×10

在上述发明(发明1、2)中，优选：所述丙烯酸类粘着剂组合物中的所述游离性环氧树脂的含量相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物为5质量份以上且小于40质量份(发明3)。

在上述发明(发明1～3)中，优选：所述丙烯酸类粘着剂组合物含有交联剂(发明4)。

在上述发明(发明1～4)中，优选：所述丙烯酸类粘着剂组合物中的所述交联剂的含量相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物为3质量份以上(发明5)。

在上述发明(发明4、5)中，优选：所述交联剂为甲苯二异氰酸酯类交联剂(发明6)。

在上述发明(发明1～6)中，优选：所述丙烯酸类聚合物为在侧链引入了具有活性能量射线固化性的官能团的(甲基)丙烯酸酯聚合物，所述(甲基)丙烯酸酯聚合物中含有最多的构成该聚合物的主链的单体单元为烷基的碳原子数为1～4的(甲基)丙烯酸烷基酯(发明7)。

在上述发明(发明1～7)中，优选：所述基材具有靠近所述粘着剂层的表面层、远离所述粘着剂层的背面层及位于所述表面层和所述背面层之间的中间层，至少所述表面层含有抗静电剂(发明8)。

在上述发明(发明8)中，优选：所述表面层以及所述背面层含有抗静电剂，所述中间层不含抗静电剂，或者所述中间层含有少于所述表面层及所述背面层各自中的抗静电剂含量(单位：质量％)且小于5质量％的抗静电剂(发明9)。

在上述发明(发明1～9)中，优选：所述抗静电剂为高分子型抗静电剂(发明10)。

优选上述发明(发明1～10)的工件加工用片为切割片(发明11)。

发明效果

本发明的工件加工用片具有抗静电性的同时拾取性优异且粘着剂层与基材的密合性也优异。

附图说明

图1为本发明的一个实施方案的工件加工用片的剖面图。

附图标记说明

1：工件加工用片；11：基材；111：表面层；112：中间层；113：背面层；12：粘着剂层。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方案进行说明。

本实施方案的工件加工用片具备基材和层叠在基材的一面侧的粘着剂层。基材含有抗静电剂，粘着剂层由含有丙烯酸类聚合物和游离性环氧树脂的活性能量射线固化性的丙烯酸类粘着剂组合物形成。而且，在用切割刀自活性能量射线固化后的粘着剂层的与基材为相反侧的表面侧切入切口，基于JIS K5600-5-6:1999的划格法，以切割间隔为5mm、切割线为11条×11条的方式形成方格数为100的划格部，将由NICHIBAN Co.,Ltd.制造的Cellulose Tape(注册商标)构成的粘着胶带贴附于所述划格部，并将贴附于划格部的粘着胶带剥离后所残留的方格数为95以上。

本实施方案的工件加工用片通过使基材含有抗静电剂而具有抗静电性。并且，通过使粘着剂层含有游离性环氧树脂，拾取性优异。特别是，即使将本实施方案的工件加工用片贴附在刚进行了背面研磨后的半导体晶圆等上时，在照射活性能量射线后粘着剂层的粘着力也充分降低，能够易于进行芯片的拾取。具体而言，即便在上推式芯片分离器(dieejector)等装置中减小顶销(pin)或顶针(needle)的上推量，也能够拾取芯片。由此，可以减轻芯片受到的损伤。进一步，本实施方案的工件加工用片通过使基于上述划格法的棋盘格试验中的方格数为95以上，粘着剂层与基材的密合性也优异。由此，可以抑制粘着剂层在拾取时从基材上剥离而附着于芯片侧。

从上述粘着剂层与基材的密合性的角度出发，上述划格法所测得的方格数为95以上，优选为96以上，更优选为97以上，特别优选为98以上，进一步优选为99以上，最优选为100。另外，对粘着剂层的活性能量射线的照射量为粘着剂层充分固化的照射量，具体如后述的试验例所述。

1.工件加工用片的构成

图1中示出本发明的一个实施方案的工件加工用片的剖面图。图1所示的工件加工用片1具备基材11和层叠在基材11的一面侧的粘着剂层12。

1-1.粘着剂层

本实施方案中的粘着剂层12由含有丙烯酸类聚合物和游离性环氧树脂的活性能量射线固化性的丙烯酸类粘着剂组合物形成。优选该丙烯酸类粘着剂组合物进一步含有交联剂。

活性能量射线固化性的丙烯酸类粘着剂组合物可以以具有能量射线固化性的丙烯酸类聚合物作为主要成分，也可以以非能量射线固化性的丙烯酸类聚合物(不具有能量射线固化性的丙烯酸类聚合物)与具有至少一个以上的能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物作为主要成分。此外，还可以是具有能量射线固化性的丙烯酸类聚合物与非能量射线固化性的丙烯酸类聚合物的混合物，也可以是具有能量射线固化性的丙烯酸类聚合物与具有至少一个以上的能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物，也可以是这3种的混合物。

其中，在本实施方案中，优选使用在照射活性能量射线后粘着力容易降低的、具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物。即，上述丙烯酸类聚合物优选为具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物，具体而言，优选为在侧链引入了具有活性能量射线固化性的官能团的(甲基)丙烯酸酯聚合物(以下，有时也称之为“活性能量射线固化型聚合物”)。另外，在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯这两者。其他类似术语也相同。此外，“聚合物”也包含“共聚物”的概念。

(1)各成分

(1-1)活性能量射线固化型聚合物

活性能量射线固化型聚合物优选通过使具有含官能团的单体单元的丙烯酸类聚合物与具有与该官能团进行键合的官能团的含不饱和基团化合物反应而得到。

上述丙烯酸类聚合物优选含有来自含官能团单体的结构单元和来自(甲基)丙烯酸酯或者其衍生物的结构单元。

作为上述丙烯酸类聚合物的结构单元的含官能团单体，优选为分子内具有聚合性双键和羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的单体。由于如后所述优选使用异氰酸酯类交联剂作为交联剂，在上述含官能团单体中，优选与异氰酸酯类交联剂的反应性优异的含羟基单体。

作为含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯等。这些含羟基单体可以单独使用，也可以组合使用两种以上。

作为含羧基单体，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、柠康酸等烯属不饱和羧酸。这些含羧基单体可以单独使用，也可以组合使用两种以上。

作为含氨基单体或含取代氨基的单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸正丁氨基乙酯等。这些含氨基单体或含取代氨基的单体可以单独使用，也可以组合使用两种以上。

作为构成上述丙烯酸类聚合物的(甲基)丙烯酸酯，优选烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选烷基的碳原子数为1～7的(甲基)丙烯酸烷基酯，特别优选烷基的碳原子数为1～6的(甲基)丙烯酸烷基酯，进一步优选烷基的碳原子数为1～5的(甲基)丙烯酸烷基酯，最优选烷基的碳原子数为1～4的(甲基)丙烯酸烷基酯。上述(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。

优选上述丙烯酸类聚合物(活性能量射线固化型聚合物的主链)中含有最多的结构单元为烷基的碳原子数为1～4的(甲基)丙烯酸烷基酯。通过使含有最多的结构单元为烷基的碳原子数为1～4的(甲基)丙烯酸烷基酯，所得到的粘着剂层12与基材11的密合性升高，易于使上述划格法所测得的方格数为95以上。

作为烷基的碳原子数为1～4的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯及(甲基)丙烯酸丁酯等。其中，特别优选组合使用甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸正丁酯。

上述丙烯酸类聚合物优选含有10质量％以上、更优选含有15质量％以上、特别优选含有20质量％以上、进一步优选含有25质量％以上的上述来自含官能团单体的结构单元。此外，上述丙烯酸类聚合物优选含有40质量％以下、特别优选含有35质量％以下、进一步优选含有30质量％以下的上述来自含官能团单体的结构单元。

此外，上述丙烯酸类聚合物优选含有55质量％以上、更优选含有60质量％以上、特别优选含有65质量％以上、进一步优选含有70质量％以上的上述来自(甲基)丙烯酸酯或其衍生物的结构单元。此外，上述丙烯酸类聚合物优选含有90质量％以下、更优选含有85质量％以下、特别优选含有80质量％以下、进一步优选含有75质量％以下的上述来自(甲基)丙烯酸酯或其衍生物的结构单元。

丙烯酸类共聚物通过利用常规方法将上述含官能团单体与(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物进行共聚而得到，但除这些单体外，也可以使二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等共聚。

通过使具有上述含官能团单体单元的丙烯酸类聚合物与具有与该官能团进行键合的官能团的含不饱和基团化合物反应，可以获得活性能量射线固化型聚合物。

可以根据丙烯酸类聚合物所具有的含官能团单体单元的官能团的类型，适当地选择含不饱和基团化合物所具有的官能团。例如，当丙烯酸类聚合物所具有的官能团为羟基、氨基或取代氨基时，含不饱和基团化合物所具有的官能团优选为异氰酸酯基或环氧基，当丙烯酸类聚合物所具有的官能团为环氧基时，含不饱和基团化合物所具有的官能团优选为氨基、羧基或氮丙啶基。

此外，上述含不饱和基团化合物在1分子中含有至少1个、优选含有1～6个、进一步优选含有1～4个能量射线聚合性的碳碳双键。作为这样的含不饱和基团化合物的具体实例，例如可以列举出2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰异氰酸酯、异氰酸烯丙酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羟乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、2-(1-氮丙啶基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-异丙烯基-2-噁唑啉等。这些含不饱和基团化合物可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。其中，特别优选2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。

上述含不饱和基团化合物优选以相对于上述丙烯酸类聚合物的含官能团单体的摩尔数为50～95摩尔％的比例进行使用，特别优选以相对于上述丙烯酸类聚合物的含官能团单体的摩尔数为60～93摩尔％的比例进行使用，进一步优选以相对于上述丙烯酸类聚合物的含官能团单体的摩尔数为70～90摩尔％的比例进行使用。

在丙烯酸类聚合物与含不饱和基团化合物的反应中，可以根据丙烯酸类聚合物所具有的官能团与含不饱和基团化合物所具有的官能团的组合，适当选择反应的温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、催化剂的种类。由此，丙烯酸类聚合物中存在的官能团与含不饱和基团化合物中的官能团反应，不饱和基团被引入至丙烯酸类聚合物中的侧链，可得到活性能量射线固化型聚合物。

由此得到的活性能量射线固化型聚合物的重均分子量(Mw)优选为10万～200万，更优选为20万～150万，特别优选为30万～100万，进一步优选为40万～80万。另外，本说明书中的重均分子量(Mw)是通过凝胶渗透色谱法(GPC法)测定的标准聚苯乙烯换算的值。

(1-2)交联剂

如上所述，优选上述丙烯酸类粘着剂组合物含有交联剂。该交联剂与活性能量射线固化型聚合物所具有的官能团反应，使该活性能量射线固化型聚合物交联。由此，可以提高粘着剂的内聚力，可得到所需的粘着力。在交联剂中，优选异氰酸酯类交联剂，特别优选甲苯二异氰酸酯类交联剂或苯二亚甲基二异氰酸酯类交联剂，进一步优选甲苯二异氰酸酯类交联剂。通过甲苯二异氰酸酯类交联剂，粘着物理性质不易发生变化，所得到的粘着剂层12与基材11、特别是与含有抗静电剂的基材11的密合性升高。结果易于使上述划格法所测得的方格数为95以上。

交联剂(特别是甲苯异氰酸酯类交联剂)相对于100质量份丙烯酸类聚合物(活性能量射线固化型聚合物)的掺合量，优选为3质量份以上，更优选超过3质量份，特别优选为4质量份以上，进一步优选为4.3质量份以上。此外，上述掺合量优选为10质量份以下，特别优选为8质量份以下，进一步优选为6.5质量份以下。通过使交联剂的掺合量在上述范围内，所得到的粘着剂层12对基材11表现出更优异的密合性。

(1-3)游离性环氧树脂

本实施方案中的游离性环氧树脂以实质上未与活性能量射线固化型聚合物反应的状态包含在粘着剂层12中。通过使这样的游离性环氧树脂包含在粘着剂层12中，可在工件与粘着剂层12的界面上形成由该游离性环氧树脂形成的膜，工件与粘着剂层12之间的相互作用变得相对较小。因此，即使在本实施方案的工件加工用片1贴附在刚进行了背面研磨后的半导体晶圆等上的情况下，在照射活性能量射线后粘接剂层12的粘着力也充分降低，能够易于进行芯片的拾取。

作为本实施方案中的游离性环氧树脂，可列举出分子内具有至少一个环氧基的化合物，例如可列举出双酚A型、双酚F型、双酚S型、联苯型、苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型的环氧树脂等。优选在这些环氧树脂中经由低极性键合基团引入柔软性骨架。游离性环氧树脂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。

本实施方案中的游离性环氧树脂优选以残存有环氧基的状态包含在粘着剂层12中。此外，优选本实施方案中的游离性环氧树脂与活性能量射线固化型聚合物的反应性为惰性，因此优选为不具有使环氧基活化的官能团如氨基等的化合物。

本实施方案中的游离性环氧树脂的分子量优选较低。具体而言，优选为300～2000，特别优选为350～1500，进一步优选为400～1000。通过使游离性环氧树脂的分子量在上述范围内，可更加易于在工件与粘着剂层12的界面上形成由该游离性环氧树脂形成的膜，使得芯片的拾取性变得更加优异。

本实施方案的丙烯酸类粘着剂组合物中的游离性环氧树脂的含量相对于100质量份丙烯酸类聚合物优选为5质量份以上，更优选为8质量份以上，特别优选为10质量份以上，进一步优选为12质量份以上。由此，基于游离性环氧树脂的拾取性变得更加优异。此外，游离性环氧树脂的含量相对于100质量份丙烯酸类聚合物优选小于40质量份，更优选为35质量份以下，特别优选为30质量份以下，进一步优选为27质量份以下。由此，能够抑制粘着剂层12与基材11的密合性降低，易于使上述划格法所测得的方格数为95以上。

(1-4)光聚合引发剂

在将紫外线用作使丙烯酸类聚合物(活性能量射线固化型聚合物)固化的能量射线的情况下，优选添加光聚合引发剂，通过使用该光聚合引发剂，能够减少聚合固化时间以及光线照射量。

作为光聚合引发剂，具体可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰(benzil)、二苯偶酰、双乙酰、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、N,N-二乙基二硫代氨基甲酸2-苯并噻唑酯、低聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可组合使用两种以上。

相对于100质量份丙烯酸类聚合物(活性能量射线固化型聚合物)，光聚合引发剂优选以0.1～10质量份、特别优选以0.5～6质量份的范围的量进行使用。

(1-5)其他成分

在本实施方案的丙烯酸类粘着剂组合物中，除了上述成分以外，还可以适当添加其他成分。作为其他成分，例如可列举出非能量射线固化性聚合物成分或低聚物成分、聚合性支链聚合物等。另外，本实施方案中的丙烯酸类粘着剂组合物优选不含有环氧固化剂。

(2)粘着剂层厚度

本实施方案中的粘着剂层12的厚度优选为1μm以上，更优选为3μm以上，特别优选为4μm以上，进一步优选为5μm以上。此外，粘着剂层12的厚度优选为50μm以下，更优选为30μm以下，特别优选为20μm以下，进一步优选为10μm以下。通过使粘着剂层12的厚度在上述范围内，本实施方案的工件加工用片1发挥所需的粘着性。

1-2.基材

如图1所示，本实施方案中的基材11具备靠近粘着剂层12的表面层111、远离粘着剂层12的背面层113及位于表面层111与背面层113之间的中间层112。然而，本发明不限定于此，也可以是单层结构或双层结构。

在本实施方案的基材11中，优选至少表面层111含有抗静电剂，特别优选表面层111及背面层113含有抗静电剂。由此，本实施方案的工件加工用片1具有优异的抗静电性。因此，能够良好地抑制从工件加工用片1上分离剥离片、工件时的剥离起电。进一步，也可以良好地防止在对工件加工用片1上的工件进行清洗和干燥之后，从旋转工作台上分离工件加工用片1时的剥离起电。

(1)表面层

对于本实施方案的工件加工用片1，优选表面层111含有抗静电剂。由此，可得到优异的抗静电性。另外，抗静电剂虽然会导致切割时产生切削片，但可以通过减薄表面层111的厚度，并使中间层112不含有抗静电剂或者减少中间层112中的抗静电剂的含量，从而使得切削片的产生相较于基材11整体包含抗静电剂的情况显著变少。

本实施方案中的抗静电剂没有特别限制，可以使用公知的抗静电剂。作为抗静电剂的实例，可列举出低分子型抗静电剂、高分子型抗静电剂等，但从不易自所形成的层渗出(bleed out)的角度出发，优选高分子型抗静电剂。另外，若表面层111含有高分子型抗静电剂，则拾取性变得更加优异。虽然并不确定其原因，但认为高分子型抗静电剂发挥了作为某种添加剂的效果。

作为高分子型抗静电剂，可列举出聚醚酯酰胺、聚醚聚烯烃嵌段共聚物等具有聚醚单元的共聚物，这些共聚物中也可以含有碱金属盐、碱土金属盐等金属盐或离子液体。

表面层111中的抗静电剂的含量优选为3质量％以上，特别优选为5质量％以上，进一步优选为10质量％以上。由此，抗静电性能变得更加优异。此外，该含量优选为40质量％以下，特别优选为35质量％以下，进一步优选为30质量％以下。由此，可以良好地保持基材11的机械物理性质。

作为构成表面层111的除除抗静电剂以外的材料，优选含有烯烃类热塑性弹性体(以下有时称之为“烯烃类弹性体”)以及聚烯烃类树脂中的至少一种，特别优选至少含有烯烃类弹性体并根据需要进一步含有聚烯烃类树脂。通过这些成分，拾取性变得更加优异。另外，“烯烃类弹性体”为包含来自烯烃或其衍生物(烯烃类化合物)的结构单元的共聚物，其为在包括常温在内的温度范围内具有类橡胶弹性且同时具有热塑性的材料。

作为烯烃类弹性体的实例，可列举出包含选自由乙烯-丙烯共聚物、乙烯-α-烯烃共聚物、丙烯-α-烯烃共聚物、丁烯-α-烯烃共聚物、乙烯-丙烯-α-烯烃共聚物、乙烯-丁烯-α-烯烃共聚物、丙烯-丁烯-α-烯烃共聚物及乙烯-丙烯-丁烯-α-烯烃共聚物组成的组中的至少一种树脂的烯烃类弹性体。其中，优选乙烯-丙烯共聚物。

表面层111中的烯烃类弹性体的含量优选为30质量％以上，特别优选为35质量％以上，进一步优选为40质量％以上。此外，该含量优选为80质量％以下，特别优选为75质量％以下，进一步优选为70质量％以下。通过使表面层111中的烯烃类弹性体的含量在上述范围内，基材11的柔软性变良好，拾取性更加优异。

通过使表面层111含有聚烯烃类树脂，在制膜时的制膜性、抑制崩边(chipping)方面是优异的。另外，在本说明书中，聚烯烃类树脂是指为以烯烃为单体的均聚物或共聚物，或者以烯烃和除烯烃以外的分子为单体的共聚物，且聚合后的树脂中的基于烯烃单元的部分的质量比为1.0质量％以上的树脂。

只要能够获得所需的效果，则对聚烯烃类树脂没有特别限制。构成聚烯烃类树脂的高分子可以是直链，也可以具有侧链。此外，也可以具有芳香环、脂肪环。

作为构成聚烯烃类树脂的烯烃单体，可例示出碳原子数为2～8的烯烃单体、碳原子数为3～18的α-烯烃单体、具有环状结构的烯烃单体等。作为碳原子数为2～8的烯烃单体，可例示出乙烯、丙烯、2-丁烯、辛烯等。作为碳原子数为3～18的α-烯烃单体，可例示出丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十八烯等。作为具有环状结构的烯烃单体，可例示出降冰片烯、环戊二烯、环己二烯、双环戊二烯和四环十二碳烯以及它们的衍生物等。

聚烯烃类树脂可以单独使用一种或者混合使用两种以上。

在上述聚烯烃类树脂的具体实例中，优选使用含有乙烯作为主要聚合单元的聚乙烯及含有丙烯作为主要聚合单元的聚丙烯中的至少一种。

作为上述聚丙烯，通常可列举出均聚丙烯、无规聚丙烯及嵌段聚丙烯。这些聚丙烯可以单独使用一种或者混合使用两种以上。在本实施方案中，从扩展性的角度出发，优选使用无规聚丙烯。

当聚烯烃类树脂含有聚乙烯时，聚乙烯可以是高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯及线性低密度聚乙烯中的任意一种，也可以为其中的两种以上的混合物。

从制膜性以及抑制崩边的角度出发，表面层111中的聚烯烃类树脂的含量优选为10质量％以上，特别优选为15质量％以上，进一步优选为20质量％以上。此外，从基于柔软性的拾取性的角度出发，该含量优选为45质量％以下，特别优选为40质量％以下，进一步优选为35质量％以下。

表面层111可以包含除上述成分以外的其他成分，例如通常的用于工件加工用片的基材中的成分。作为这种成分的实例，可列举出阻燃剂、增塑剂、润滑剂、抗氧化剂、着色剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、离子捕捉剂等各种添加剂。这些添加剂的含量没有特别限制，但优选在表面层111发挥所需功能的范围内。

(2)中间层

在本实施方案中，构成中间层112的材料没有特别限制，优选含有烯烃类弹性体及聚烯烃类树脂中的至少一种，更优选至少含有烯烃类弹性体并根据所需进一步含有聚烯烃类树脂，特别优选至少含有烯烃类弹性体并根据所需进一步含有聚烯烃类树脂及苯乙烯类弹性体。通过这些成分，基材11的柔软性变得良好，拾取性变得更加优异。特别是，若中间层112含有苯乙烯类弹性体，则基于柔软性的拾取性变得更加优异。

优选的烯烃类弹性体、聚烯烃类树脂及苯乙烯类弹性体分别与表面层111中例示的物质相同。

中间层112中的烯烃类弹性体的含量优选为10质量％以上，特别优选为15质量％以上，进一步优选为20质量％以上。此外，该含量优选为50质量％以下，特别优选为45质量％以下，进一步优选为40质量％以下。通过使中间层112中的烯烃类弹性体的含量在上述范围内，基于柔软性的拾取性变得更加优异。

中间层112中的聚烯烃类树脂的含量优选为10质量％以上，特别优选为15质量％以上，进一步优选为20质量％以上。此外，该含量优选为45质量％以下，特别优选为40质量％以下，进一步优选为35质量％以下。通过使中间层112中的聚烯烃类树脂的含量在上述范围内，基于柔软性的拾取性变得更加优异。

中间层112中的苯乙烯类弹性体的含量优选为10质量％以上，特别优选为15质量％以上，进一步优选为20质量％以上。此外，该含量优选为45质量％以下，特别优选为40质量％以下，进一步优选为35质量％以下。通过使中间层112中的苯乙烯类树脂的含量在上述范围内，基于柔软性的拾取性变得更加优异。

此处，虽然中间层112也可以含有抗静电剂，但从易于抑制切削片的产生的角度出发，优选中间层112不含有抗静电剂。当中间层112含有抗静电剂时，优选中间层112含有小于表面层111及背面层113中的抗静电剂含量(单位：质量％)的抗静电剂。具体而言，在中间层112中，其含量优选小于5质量％，更优选小于3质量％，特别优选小于1质量％，最优选为0质量％。在中间层112含有抗静电剂的情况下，其含量的下限值例如为0.01质量％以上。如上所述，通过使不含抗静电剂或者其含量少的中间层112存在于表面层111(优选薄层)之下，使得切削片的产生相较于基材整体包含抗静电剂的情况显著变少。

与表面层111相同，中间层112也可以含有除上述成分之外的其他成分，例如通常的用于工件加工用片的基材中的成分。

(3)背面层

在本实施方案中，背面层113优选含有抗静电剂。由此，可以获得更优异的抗静电性能。另一方面，如上所述，抗静电剂会导致切割时产生切削片，但通常切割刀片不会到达背面层113，因此即使背面层113含有抗静电剂，也不会导致发生切削片。

作为背面层113中的抗静电剂，可以使用与表面层111中的抗静电剂相同的抗静电剂。

背面层113中的抗静电剂的含量优选为10质量％以上，特别优选为20质量％以上，进一步优选为30质量％以上。由此，易于发挥良好的抗静电性能。此外，该含量优选为50质量％以下，特别优选为45质量％以下，进一步优选为40质量％以下。由此，可以良好地保持基材11的机械物理性质。

只要能够良好地维持基材11的机械物理性质，则对构成背面层113的除抗静电剂以外的材料没有特别限制，但优选含有烯烃类弹性体及聚烯烃类树脂中的至少一种，特别优选至少含有烯烃类弹性体。由此，基材11的柔软性良好，拾取性更优异。

优选的烯烃类弹性体与表面层111中所例示的物质相同。

背面层113中的烯烃类弹性体的含量优选为30质量％以上，特别优选为35质量％以上，进一步优选为40质量％以上。此外，该含量优选为85质量％以下，特别优选为80质量％以下，进一步优选为75质量％以下。通过使背面层113中的烯烃类弹性体的含量在上述范围内，基于柔软性的拾取性变得优异。

另外，背面层113优选不含苯乙烯类弹性体作为热塑性弹性体。若含有苯乙烯类弹性体，则在制膜时可能会发生粘连，或者可能影响拾取性。即使背面层113含有苯乙烯类弹性体，其含量也优选为2质量％以下，特别优选为1质量％以下。

与表面层111及中间层112相同，背面层113也可以含有除上述成分之外的其他成分，例如通常的用于工件加工用片的基材中的成分。

(4)基材的表面处理

为了提高与粘着剂层12的密合性，可以对基材11的层叠粘着剂层12的表面实施底涂处理、电晕处理、等离子体处理、粗化处理(磨砂加工)等表面处理。作为粗化处理，例如举出压花法、喷砂加工法等。其中，优选进行电晕处理。

(5)基材的制造方法

本实施方案的基材11的制造方法没有特别限制，例如可以使用T型模具法、圆形模具法(丸ダイ法)等熔融挤出法；压延法；干法、湿法等溶液法等。其中，从高效制造基材的角度出发，优选采用熔融挤出法，特别优选采用T型模具法。

此外，在通过熔融挤出法制造基材11时，将构成各层的成分分别进行捏合，并将由此得到的捏合物直接或者先制造成颗粒后，使用公知的挤出机将多个层同时挤出(共挤出)而进行制膜即可。

(6)厚度

本实施方案的表面层111的厚度优选为10μm以下，特别优选为8μm以下，进一步优选为4μm以下。由此使靠近粘着剂层12的表面层111的厚度较薄，可以发挥所需的抗静电性且同时良好地抑制切削片的产生。

此外，表面层111的厚度优选为0.5μm以上，特别优选为1μm以上，进一步优选为2μm以上。由此，易于良好地发挥抗静电性且同时拾取性更优异。

本实施方案的中间层112的厚度优选为40μm以上，特别优选为50μm以上，进一步优选为60μm以上。由此，使工件加工用片1易于具有适当的强度，并且易于良好地支撑固定在工件加工用片1上的工件。中间层112的厚度优选为100μm以下，特别优选为90μm以下，进一步优选为80μm以下。

本实施方案的背面层113的厚度优选为2μm以上，特别优选为4μm以上，进一步优选为8μm以上。当背面层113含有抗静电剂时，通过上述厚度，工件加工用片1的抗静电性变得更加优异。此外，背面层113的厚度优选为40μm以下，特别优选为30μm以下，进一步优选为25μm

以下。

本实施方案中的基材11整体的厚度优选为50μm以上，特别优选为60μm以上，进一步优选为70μm以上。此外，该厚度优选为140μm以下，特别优选为120μm以下，进一步优选为100μm以下。通过使基材11整体的厚度在上述范围内，易于良好地支撑固定在工件加工用片1上的工件。

1-3.剥离片

对于本实施方案的工件加工用片1，出于保护粘着剂层12的与基材11为相反侧的面(以下，有时称之为“粘着面”)的目的，可以在将该面贴附于工件之前，在该面上层叠剥离片。

上述剥离片的构成为任意，可例示出利用剥离剂等对塑料膜进行了剥离处理的剥离片。作为该塑料膜的具体实例，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜；及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为上述剥离剂，能够使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，其中，优选廉价且可获得稳定性能的硅酮类。

上述剥离片的厚度没有特别限制，例如可以为16μm以上且250μm

以下。

1-4.其他

在本实施方案的工件加工用片1中，也可以在粘着剂层12的与基材11为相反侧的面上层叠粘合剂层。此时，能够将本实施方案的工件加工用片1用作切割-固晶(die-bonding)片。通过将工件贴附在该片中的粘合剂层的与粘着剂层12为相反侧的面上，并将粘合剂层与该工件一同切割，能够得到层叠有被单颗化的粘合剂层的芯片。可利用该被单颗化的粘合剂层将该芯片轻易地固定在搭载该芯片的对象上。作为构成上述粘合剂层的材料，优选使用含有热塑性树脂与低分子量的热固性粘合成分的材料、或含有B阶段(半固化状)的热固化型粘合成分的材料等。

此外，在本实施方案的工件加工用片1中，也可以在粘着剂层12的粘着面上层叠保护膜形成层。此时，能够将本实施方案的工件加工用片1用作保护膜形成兼切割用片。通过将工件贴附在这种片中的保护膜形成层的与粘着剂层12为相反侧的面上，并将保护膜形成层与该工件一同切割，能够得到层叠有被单颗化的保护膜形成层的芯片。作为该工件，优选使用在单面形成有电路的工件，此时，通常在与该形成有电路的面为相反侧的面上层叠保护膜形成层。通过在规定的时间点使被单颗化的保护膜形成层固化，能够在芯片上形成具有充分的耐久性的保护膜。优选保护膜形成层由未固化的固化性粘合剂形成。

2.工件加工用片的物理性质

对于本实施方案的工件加工用片1，活性能量射线固化后的粘着剂层12的与基材11为相反侧的面(粘着面)的表面电阻率优选为1.0×10

□以下，特别优选为1.0×10

3.工件加工用片的制造方法

作为本实施方案的工件加工用片1的制造方法，例如优选：在剥离片上形成粘着剂层12后，在该粘着剂层12的与剥离片为相反侧的面上层叠基材11的表面层111侧的面，由此得到工件加工用片1。

对于上述粘着剂层12的形成，例如制备含有用于形成粘着剂层12的粘着剂组合物及根据所需而含有的溶剂或分散介质的涂布液。然后，将上述涂布液涂布在剥离片的具有剥离性的面(以下有时称之为“剥离面”)上。接着，通过使所获得的涂膜干燥，可形成粘着剂层12。

能够通过公知的方法涂布上述涂布液，例如可通过棒涂法、刮刀涂布法(knifecoating method)、辊涂法、刮板涂布法(blade coating method)、模涂法(die coatingmethod)、凹版涂布法等进行。另外，涂布液只要能够进行涂布，则对其性状没有特别限制，有含有用于形成粘着剂层12的成分作为溶质的情况，也有含有用于形成粘着剂层12的成分作为分散体的情况。此外，剥离片可作为工序材料而被剥离，也可保护粘着剂层12直到将其贴附于被粘物。

在用于形成粘着剂层12的丙烯酸类粘着剂组合物含有上述交联剂的情况下，优选通过改变上述的干燥条件(温度、时间等)、或者通过另行设置加热处理，使涂膜内的聚合物成分与交联剂进行交联反应，在粘着剂层12内以所需的存在密度形成交联结构。进一步，也可在贴合粘着剂层12与基材11后，进行例如在23℃、相对湿度为50％的环境下静置数天的熟化，以使上述交联反应充分进行。

4.工件加工用片的使用方法

能够将本实施方案的工件加工用片1使用于半导体晶圆等工件的加工。即，能够将本实施方案的工件加工用片1的粘着面贴附于工件，然后在工件加工用片1上进行工件的加工。能够根据该加工，将本实施方案的工件加工用片1用作背面研磨片、切割片、扩展片、拾取片等。此处，作为工件的实例，可列举出半导体晶圆、半导体封装等半导体构件；玻璃板等玻璃构件。

如上所述，由于本实施方案的工件加工用片1的拾取性优异，因此优选其为在至少包含拾取工序的工序中所使用的片。例如，可以为在从切割起到拾取为止的过程中使用的切割片，也可以为用于转印通过切割而得到的芯片而进行拾取的转印片。

优选：在上述拾取前，即，在工件加工用片1上完成工件的加工且将加工后的工件(芯片)从工件加工用片1分离(拾取)之前，对本实施方案的工件加工用片1中的粘着剂层12照射活性能量射线，从而使粘着剂层12固化，进而降低粘着力。

作为活性能量射线，例如可以使用电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线，具体而言，可以使用紫外线、电子束等。特别优选易于操作的紫外线。紫外线的照射可以使用高压水银灯、氙灯、LED等而进行，对于紫外线的照射量，优选照度为50mW/cm

如上所述，通过适当地选择表面层111及中间层112的材料及厚度，本实施方案的工件加工用片1能够在切割时良好地抑制切削片的产生。此时，本实施方案的工件加工用片1尤其适合用作为上述工件加工用片中的切割片。

进一步，如上所述，本实施方案的工件加工用片1具有优异的抗静电性。本实施方案的工件加工用片1能够抑制分离剥离片时或分离工件时的剥离起电。进一步，本实施方案的工件加工用片1也能够有效地抑制以将工件加工用片固定于旋转工作台的状态进行芯片的清洗及干燥后，从旋转工作台上分离工件加工用片时的剥离起电。因此，本实施方案的工件加工用片1也能够适合使用于上述清洗、干燥。

本实施方案的工件加工用片1特别适合贴附在刚进行了背面研磨后的半导体晶圆上，并进行切割、然后进行拾取的用途。即使在这样的用途中，也可易于进行芯片的拾取。

另外，当本实施方案的工件加工用片1具备上述粘合剂层时，能够将该工件加工用片1用作切割-固晶片。进一步，当本实施方案的工件加工用片1具备上述保护膜形成层时，能够将该工件加工用片1用作保护膜形成兼切割用片。

以上所说明的实施方案是为了易于理解本发明而记载的，并非是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方案所公开的各要件也涵盖属于本发明的技术范围内的所有设计变更和均等物。

例如，可以在本实施方案的工件加工用片1的基材11与粘着剂层12之间、或者基材11的与粘着剂层12为相反侧的面上层叠有其他层。此外，可以分别在表面层111的与中间层112为相反侧的面、表面层111与中间层112之间、中间层112与背面层113之间、及背面层113的与中间层112为相反侧的面上层叠有其他层。

实施例

以下，通过实施例等对本发明进行进一步具体的说明，但本发明的范围不受这些实施例等的限定。

[实施例1]

(1)基材的制造

将30质量份的无规聚丙烯树脂(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“NOVATEC FX3B”)、45质量份的烯烃类弹性体(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“WELNEX RFX4V”)及25质量份的高分子型抗静电剂(SANYO CHEMICALINDUSTRIES,LTD.制造，产品名称“PELECTRON PVL”)分别干燥后，利用双轴捏合机进行捏合，由此获得表面层用颗粒。

此外，将28质量份的无规聚丙烯树脂(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“NOVATEC FX3B”)、39质量份的烯烃类弹性体(Japan PolypropyleneCorporation制造，产品名称“WELNEX RFX4V”)及33质量份的作为苯乙烯类弹性体的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)(Asahi Kasei Corporation制造，产品名称“TuftecH1041”，苯乙烯比率：30质量％)分别干燥后，利用双轴捏合机进行捏合，由此获得中间层用颗粒。

进一步，将70质量份的烯烃类弹性体(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“WELNEX RFX4V”)及30质量份的高分子型抗静电剂(SANYO CHEMICALINDUSTRIES,LTD.制造，产品名称“PELECTRON PVL”)分别干燥后，利用双轴捏合机进行捏合，由此得到背面层用颗粒。

使用上述获得的3种颗粒，利用小型T型模具挤出机(Toyo Seiki Seisaku-sho,Ltd.制造，产品名称“LABO PLASTOMILL”)进行共挤出成型，得到厚度为2μm的表面层、厚度为64μm的中间层及厚度为14μm的背面层依次层叠而成的厚度为80μm的三层结构的基材。

(2)丙烯酸类粘着剂组合物的制备

通过溶液聚合法，使60质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、10质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)及30质量份的丙烯酸2-羟乙酯(HEA)聚合，获得(甲基)丙烯酸酯聚合物。接着，添加相对于构成上述(甲基)丙烯酸酯聚合物的丙烯酸2-羟乙酯相当于90摩尔％的量的2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)，同时以相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸酯聚合物为0.13质量份的量添加作为含锡催化剂的二月桂酸二丁基锡(DBTDL)。然后，在50℃下反应48小时，由此得到在侧链引入有活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯聚合物。通过下述方法测定该活性能量射线固化型聚合物的重均分子量，结果为50万。

在溶剂中混合100质量份(固体成分换算，以下相同)的上述获得的在侧链引入有活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯聚合物(活性能量射线固化型聚合物)、4.5质量份的作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(TOSOH CORPORATION制造，产品名称“CORONATE L”)、20质量份的作为游离性环氧树脂树脂的双酚A型环氧树脂(末端有2个环氧基，且经由低极性键合基团引入有柔软性骨架)(DIC CORPORATION制造，产品名称“EPICLON EXA-4850-150”，分子量：900)及3质量份的作为光聚合引发剂的2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮(IGM RESINS公司制造，产品名称“Omnirad 127”)，得到丙烯酸类粘着剂组合物的涂布液。

(3)粘着剂层的形成

将上述工序(2)中得到的丙烯酸类粘着剂组合物的涂布液涂布于在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的单面上形成有硅酮类的剥离剂层的剥离片(LINTECCorporation制造，产品名称“SP-PET381031”)的剥离面，并通过加热使其干燥，由此得到在剥离片上形成有厚度为5μm的粘着剂层的层叠体。

(4)粘着片的制造

对上述工序(1)中得到的基材的表面层侧的面实施电晕处理，将该表面层侧的面与上述工序(3)中得到的层叠体的粘着剂层侧的面贴合，由此得到工件加工用片。然后，在23℃、50％RH的环境下保存2周。

此处，上述重均分子量(Mw)为使用凝胶渗透色谱(GPC)在以下的条件下测定(GPC测定)的标准聚苯乙烯换算的重均分子量。

<测定条件>

·测定装置：TOSOH CORPORATION制造，HLC-8320

·GPC色谱柱(按照以下顺序通过)：TOSOH CORPORATION制造TSK gel superH-H

TSK gel superHM-H

TSK gel superH2000

·测定溶剂：四氢呋喃

·测定温度：40℃

[实施例2～4、比较例1～4]

除了将丙烯酸类粘着剂组合物的组成变更为如表1所示以外，以与实施例1相同的方式制造工件加工用片。

此处，作为实施例4中的活性能量射线固化型聚合物，使用以如下方式制备的聚合物。通过溶液聚合法，使50质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、20质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)及30质量份的丙烯酸2-羟乙酯(HEA)聚合，从而获得(甲基)丙烯酸酯聚合物。接着，添加相对于构成上述(甲基)丙烯酸酯聚合物的丙烯酸2-羟乙酯相当于90摩尔％的量的2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)，同时以相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸酯聚合物为0.13质量份的量添加作为含锡催化剂的二月桂酸二丁基锡(DBTDL)。然后，在50℃下反应48小时，从而得到在侧链引入有活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯聚合物。通过上述方法测定该活性能量射线固化型聚合物的重均分子量，结果为50万。

此外，作为比较例2中的活性能量射线固化型聚合物，使用以如下方式制备的聚合物。通过溶液聚合法，将45质量份的丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、35质量份的醋酸乙烯酯(VAc)及20质量份的丙烯酸2-羟乙酯(HEA)聚合，从而获得(甲基)丙烯酸酯聚合物。接着，添加相对于构成上述(甲基)丙烯酸酯聚合物的丙烯酸2-羟乙酯相当于80摩尔％的量的2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)，同时以相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸酯聚合物为0.13质量份的量添加作为含锡催化剂的二月桂酸二丁基锡(DBTDL)。然后，在50℃下反应48小时，从而得到在侧链引入有活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯聚合物。通过上述方法测定该活性能量射线固化型聚合物的重均分子量，结果为50万。

[实施例5]

将24质量份的无规聚丙烯树脂(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“NOVATEC FX3B”)、33质量份的烯烃类弹性体(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“WELNEX RFX4V”)、28质量份的作为苯乙烯类弹性体的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)(Asahi Kasei Corporation制造，产品名称“Tuftec H1041”，苯乙烯比率：30质量％)及15质量份的高分子型抗静电剂(SANYO CHEMICAL INDUSTRIES,LTD.制造，产品名称“PELECTRON PVL”)分别干燥后，利用双轴捏合机进行捏合，由此获得中间层用颗粒。

除了使用上述颗粒作为中间层用颗粒之外，以与实施例1相同的方式制造基材。并且，使用该基材，以与实施例1相同的方式制造工件加工用片。

[比较例5]

使用与实施例1相同的装置，制造由单层的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Dow-MitsuiPolychemicals Co.,Ltd.制造，产品名称“NUCREL N0903HC”)形成的膜(厚度：80μm)。以每次2.2秒的方式对得到的膜的粘着剂层层叠侧的面照射两次10kGy的电子束，并将其作为基材。除了使用该基材并将丙烯酸类粘着剂组合物的组成变更为如表1所示之外，以与实施例1相同的方式制造工件加工用片。另外，作为活性能量射线固化型聚合物，使用与比较例2相同的活性能量射线固化型聚合物。

[试验例1](基材/粘着剂层的密合性评价)

将实施例及比较例中制造的工件加工用片，以剥离片侧与镜面晶圆的镜面接触的方式，载置在该镜面上。使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，产品名称“RAD-2000”)隔着基材对该工件加工用片的粘着剂层照射紫外线(UV)(照度：230mW/cm

接着，用切割刀自上述工件加工用片的粘着剂层(固化后)的与基材为相反侧的面(露出面)侧切入切口，基于JIS K5600-5-6:1999的划格法，以切割间隔为5mm、切割线为11条×11条的方式形成方格数为100的划格部。然后，将由NICHIBAN Co.,Ltd.制造的Cellulose Tape(注册商标)构成的粘着胶带贴附于划格部，将贴附于该划格部的粘着胶带剥离。将剥离粘着胶带后所残留的方格数作为x，以x/100表示残留率。当x/100的值为95/100以上时，可以判定基材与粘着剂层的密合性优异。将结果示于表2。

[试验例2](拾取性的评价)

准备利用研磨机(DISCO Corporation制造，产品名称“DFG8540”)以#2000研磨至150μm为止的刚研磨完的硅晶圆。

从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离剥离片后，使用贴膜机(LINTECCorporation制造，产品名称“Adwill RAD2500m/12”)，将露出的粘着剂层的露出面贴附于上述硅晶圆的研磨面。另外，工件加工用片在硅晶圆上的贴附在完成硅晶圆研磨后15分钟内进行。接着，使切割用环形框架附着在工件加工用片的上述露出面的周边部(不与硅晶圆重叠的位置)。进一步，根据环形框架的外径来裁切工件加工用片。

接着，使用切割装置(DISCO Corporation制造，产品名称

“DFD-6362”)，在以下的切割条件下进行切割，由此将硅晶圆单颗化为尺寸为10mm×10mm的芯片。

<切割条件>

晶圆厚度：150μm

刀片：DISCO Corporation制造，产品名称“ZH05-SD2000-N1-90CC”

刀片转速：35000rpm

切割速度：60mm/秒

进刀深度：0.060mm

切削水量：1.0L/分钟

切削水温度：20℃

将工件加工用片贴附在硅晶圆的研磨面上48小时后，使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，产品名称“RAD-2000m/12”)隔着基材对工件加工用片的粘着剂层照射紫外线(UV)(照度：230mW/cm

接着，使用拾取装置(Canon Machinery Inc.制造，产品名称“BESTEM D510”)，在以下的拾取条件下从工件加工用片上拾取芯片。

<拾取条件>

·拾取方式：4顶销

·顶销上推速度：5mm/s

·顶销上推量：100～800μm

将拾取芯片所需的顶销上推量示于表2。当该上推量为400μm以下时，可以判定为拾取性优异。

[试验例3](切削片抑制效果的评价)

从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离剥离片后，使用胶带安装机(LINTEC Corporation制造，产品名称“Adwill RAD2500m/12”)，将露出的粘着剂层的露出面贴附在8英寸的硅晶圆的单面上。接着，使切割用环形框架附着在工件加工用片的上述露出面的周边部(不与硅晶圆重叠的位置)。进一步，根据环形框架的外径来裁切工件加工用片。

之后，使用切割装置(DISCO Corporation制造，产品名称“DFD6362”)在以下的切割条件下进行切割，由此将硅晶圆单颗化为尺寸为0.8mm×20mm的芯片。

<切割条件>

晶圆厚度：100μm

刀片：以下的Z1和Z2均由DISCO Corporation制造

Z1：产品名称“ZH05-SD3500-N1-50 DF01”

Z2：产品名称“ZH05-SD3000-N1-50 ED”

刀片转速

Z1：50000rpm

Z2：35000rpm

切削速度：100mm/秒

进刀深度

Z1：0.135mm

Z2：0.055mm

切削水量：1.0L/分钟

切割水温度：20℃

切割后，使用外观检查装置(Camtek公司制造，产品名称“Eagle”)观察所得到的1000个芯片的表面，测定切削片数。然后，计算出平均每个芯片的切削片数(＝切削片的产生频率)。

然后，按照以下标准评价切削片抑制效果(耐切削性)。将评价结果示于表2。

〇：切削片产生频率小于0.002。

×：切削片产生频率为0.002以上。

[试验例4](表面电阻率的测定)

将实施例及比较例中制造的工件加工用片裁切成100mm×100mm，将其作为表面电阻率测定用样品。使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，产品名称“RAD-2000”)隔着基材对该表面电阻率测定用样品的粘着剂层照射紫外线(UV)(照度：230mW/cm

[表2]

由表2可知，实施例中制造的工件加工用片具有优异的抗静电性，同时即使在使用于刚进行了研磨后的硅晶圆时拾取性仍优异，且粘着剂层与基材的密合性也优异。此外，实施例1～4中制造的工件加工用片(基材的中间层不含抗静电剂)的耐切削性也优异。

工业实用性

本发明的工件加工用片可以适合使用于半导体晶圆等工件的加工。