含胺的化合物、发光装置、电子装置及电子设备

文献发布时间：2024-04-18 19:58:26

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年6月3日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0068502号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。

技术领域

实施方案涉及含胺的化合物、包含含胺的化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子装置以及包括所述电子装置的电子设备。

背景技术

与无机发光装置相比，有机发光装置可以具有更广的视角、更高的对比度和更短的响应时间。有机发光装置可以包括第一电极、空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极，它们按这种规定的顺序布置。由第一电极注入的空穴可以通过空穴传输区移动到发射层。由第二电极注入的电子可以通过电子传输区移动到发射层。诸如空穴和电子的载流子可以在发射层中复合。载流子可以复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态以产生光。

应理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。

发明内容

实施方案包括具有改善的空穴传输特性的含胺的化合物和通过使用所述含胺的化合物而具有低驱动电压、高亮度、高发光效率和长使用寿命的发光装置。实施方案可以包括包含所述发光装置的电子装置和高质量的包括所述电子装置的电子设备。

其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。

实施方案提供了可以由式1表示的含胺的化合物：

[式1]

在式1中，

a1至a3可以各自独立地是0至5的整数，

当a1是0时，由*-(L

当a2是0时，由*-(L

当a3是0时，由*-(L

当a1是2至5时，多个L

当a2是2至5时，多个L

当a3是2至5时，多个L

b3可以是0至2的整数，

当b3是2时，两个R

b4可以是0至3的整数，

当b4是2或3时，多个R

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C

-Si(Q

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C

各自未取代的或被氘、-F、氰基基团、C

*和*'可以各自表示与相邻原子的结合位点。

根据实施方案，L

根据实施方案，Ar

各自未取代的或被至少一个R

以下解释的由式3-1至式3-22中的一种表示的基团。

根据实施方案，a1和a2可以各自独立地是0、1或2。

根据实施方案，a3可以是0或1。

根据实施方案，R

根据实施方案，所述含胺的化合物可以由以下解释的式1-1至式1-12中的一种表示。

根据实施方案，所述含胺的化合物可以是以下解释的化合物1至化合物116中的一种。

根据实施方案，发光装置可以包括：第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层、以及本文解释的由式1表示的含胺的化合物。

根据实施方案，所述中间层可以进一步包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，

所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及

所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

根据实施方案，所述中间层可以包含所述含胺的化合物。

根据实施方案，所述空穴传输区可以包含所述含胺的化合物。

根据实施方案，所述空穴传输层可以包括所述含胺的化合物，以及所述空穴传输层可以直接接触所述发射层。

根据实施方案，所述发光装置可以进一步包括在所述第一电极外部的覆盖层，其中所述覆盖层可以包含所述含胺的化合物。

根据实施方案，所述发光装置可以进一步包括在所述第一电极外部的第一覆盖层和在所述第二电极外部的第二覆盖层，其中所述第一覆盖层或所述第二覆盖层可以包含所述含胺的化合物。

根据实施方案，电子装置可以包括所述发光装置。

根据实施方案，所述电子装置可以进一步包括：

电连接至所述发光装置的薄膜晶体管；以及

滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

根据实施方案，电子设备可以包括所述电子装置，其中

所述电子设备可以是平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内灯、户外灯、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板个人计算机、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维(3D)显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场屏幕、体育场屏幕、光疗装置或标志牌。

应理解，以上实施方案仅以一般且解释性的意义来描述，而不是出于限制的目的，并且本公开内容不限于以上描述的实施方案。

附图说明

通过参考附图详细地描述本公开内容的实施方案，本公开内容的以上和其它的方面和特征将更加明显，在附图中：

图1是根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图；

图2是根据实施方案的电子装置的示意性横截面视图；

图3是根据另一个实施方案的电子装置的示意性横截面视图；

图4是根据实施方案的包括发光装置的电子设备的示意性透视图；

图5是作为根据实施方案的包括发光装置的电子设备的车辆的外部的示意性透视图；以及

图6A至图6C各自是例示出根据实施方案的车辆的内部的示意图。

具体实施方式

现在将参考其中示出了实施方案的附图在下文更全面地描述本公开内容。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开内容的范围。

在附图中，为了便于描述且为了清晰，可以放大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的数字通篇是指相同的元件。

在描述中，应理解，当元件(或区、层、部件等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或直接联接至其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。在类似的含义中，当元件(或区、层、部件等)被描述为“覆盖”另一个元件时，它可以直接覆盖其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。

在描述中，当元件“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件或“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。例如，“直接在......上”可以意指设置两个层或两个元件，而在其间没有额外的元件，例如粘合元件。

如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的用于单数的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。

如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......的组中的至少一个(种)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种)”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。

应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不背离本公开内容的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。

为了便于描述，空间相对术语“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”等可以在本文用于描述如附图中例示的一个元件或组件与另一个元件或组件之间的关系。应理解，空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方向之外的装置在使用或操作时的不同方向。例如，在其中附图中例示的装置被翻转的情况下，位于另一个装置“下方”或“之下”的装置可以被放置在另一个装置“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以定向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据方向进行不同地解释。

如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的±20％、±10％或±5％内。

应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。

除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。

实施方案提供了发光装置，所述发光装置可以包括第一电极、面对第一电极的第二电极、在第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层，以及可以由式1表示的含胺的化合物。

根据实施方案，第一电极可以是阳极。第二电极可以是阴极。发射层可以包含掺杂剂和主体，并且可以发射光。稍后将描述掺杂剂和主体。

如本文使用的术语“中间层”可以是位于发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。

根据实施方案，中间层可以进一步包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极之间的电子传输区。空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

例如，空穴传输区可以包括在第一电极上的空穴注入层以及在空穴注入层与发射层之间的空穴传输层。空穴注入层可以具有单层结构或多层结构。空穴传输层可以具有单层结构或多层结构。例如，空穴传输层可以包括第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，它们可以从空穴注入层处于这种规定的顺序。

例如，电子传输区可以包括在发射层上的电子传输层以及在电子传输层与第二电极之间的电子注入层。

根据实施方案，中间层可以包含含胺的化合物。

根据实施方案，空穴传输区可以包含含胺的化合物。

根据实施方案，空穴传输层可以包括含胺的化合物，并且空穴传输层可以直接接触发射层。例如，含胺的化合物可以包含在第三空穴传输层中。在另一个实例中，含胺的化合物可以包含在第一空穴传输层和第三空穴传输层。在另一个实例中，含胺的化合物可以包含在第一空穴传输层至第三空穴传输层中。

根据实施方案，发光装置可以进一步包括在第一电极外部的覆盖层，并且覆盖层可以包含含胺的化合物。

根据实施方案，发光装置可以进一步包括在第一电极外部的第一覆盖层和在第二电极外部的第二覆盖层，并且第一覆盖层或第二覆盖层可以包含含胺的化合物。例如，含胺的化合物可以包含在可以处于这种规定的顺序的第一覆盖层、第一电极和中间层中的第一覆盖层中。在另一个实例中，含胺的化合物可以包含在可以处于这种规定的顺序的中间层、第二电极和第二覆盖层中的第二覆盖层中。含胺的化合物可以包含在第一覆盖层和第二覆盖层中。

实施方案还提供了可以包括发光装置的电子装置。

根据实施方案，电子装置可以进一步包括电连接至发光装置的薄膜晶体管，以及滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。例如，电子装置可以包括发光装置、薄膜晶体管和滤色器。在另一个实例中，电子装置可以包括发光装置、薄膜晶体管、滤色器和颜色转换层。

实施方案还提供了可以包括电子装置的电子设备。电子设备可以是平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、TV、广告牌、室内灯或户外灯、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维(3D)显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场屏幕、体育场屏幕、光疗装置或标志牌。

实施方案还提供了可以由式1表示的含胺的化合物：

[式1]

在式1中，

a1至a3可以各自独立地是0至5的整数，当a1是0时，由*-(L

b3可以是0至2的整数，并且当b3是2时，两个R

b4可以是0至3的整数，并且当b4是2或3时，多个R

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C

-Si(Q

其中Q

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C

各自未取代的或被氘、-F、氰基基团、C

*和*'可以各自表示与相邻原子的结合位点。

根据实施方案，含胺的化合物可以不包含咔唑基团。

根据实施方案，Ar

根据实施方案，L

例如，L

例如，Ar

根据实施方案，L

在式2-1至式2-11中，

c4可以是0至4的整数，

c6可以是0至6的整数，以及

*和*'可以各自表示与相邻原子的结合位点。

根据实施方案，Ar

各自未取代的或被至少一个R

由式3-1至式3-22中的一种表示的基团：

在式3-1至式3-22中，

d3可以是0至3的整数，

d4可以是0至4的整数，

d5可以是0至5的整数，

d7可以是0至7的整数，

d9可以是0至9的整数，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

根据实施方案，a1和a2可以各自独立地是0、1或2。

根据实施方案，a3可以是0或1。

根据实施方案，R

根据另一个实施方案，R

根据实施方案，含胺的化合物可以由式1-1至式1-12中的任一种表示：

[式1-1]

[式1-2]

[式1-3]

[式1-4]

[式1-5]

[式1-6]

[式1-7]

[式1-8]

[式1-9]

[式1-10]

[式1-11]

[式1-12]

在式1-1至式1-12中，

根据实施方案，含胺的化合物可以是化合物1至化合物116中的一种：

在由式1表示的含胺的化合物中，Ar

[图1的描述]

图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

在下文，将结合图1描述根据本公开内容的实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

[第一电极110]

在图1中，衬底可以设置在第一电极110下和/或第二电极150上。衬底可以是玻璃衬底或塑料衬底。衬底可以是柔性衬底。例如，柔性衬底可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。

可以通过使用沉积或溅射方法通过在衬底上施加用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。

第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO

第一电极110可以具有由单个层组成的结构或者包括多个层的结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[中间层130]

中间层130可以布置在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。

中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。

除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。

中间层130可以包括堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元、以及在两个发射单元之间的至少一个电荷产生层。当中间层130包括两个或多于两个的发射单元和至少一个电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。

[中间层130中的空穴传输区]

空穴传输区可以具有：由由单一材料组成的单个层组成的结构、由由不同材料组成的单个层组成的结构、或者包括包含不同材料的多个层的结构。

空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每种结构的层可以从第一电极110按其各自规定的顺序堆叠，但空穴传输区的结构不限于此。

空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：

[式201]

[式202]

在式201和式202中，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

na1可以是1至4的整数。R

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种：

在式CY201至式CY217中，R

在实施方案中，在式CY201至式CY217中，环CY

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。

根据另一个实施方案，式201可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203中的一种表示的基团。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，并且可以包含由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY217中的一种表示的基团。

在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种或其任意组合：

空穴传输区的厚度可以是约

发射辅助层可以根据从发射层发射的光的波长来补偿光学共振距离，从而改善光发射效率。电子阻挡层可以是防止从发射层至空穴传输区的电子泄露的层。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。

[p-掺杂剂]

除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。

电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以等于或小于约-3.5eV。

在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。

醌衍生物的实例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基基团的化合物的实例可以包括HAT-CN和由式221表示的化合物：

[式221]

在式221中，

在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其任意组合。

金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的实例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的实例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

包含元素EL1和元素EL2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。

金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，WO、W

金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的实例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的实例可以包括BeF

过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，TiF

后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，ZnF

镧系金属卤化物的实例可以包括YbF、YbF

准金属卤化物的实例可以是锑卤化物(例如，SbCl

金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，Li

[中间层130中的发射层]

在发光装置10是全色发光装置的情况下，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层可以彼此接触或可以彼此隔开以发射白色光。在实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。

发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。

基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。

在实施方案中，发射层可以包含量子点。

发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可以是约

主体

在实施方案中，主体可以包括由式301表示的化合物：

[式301]

[Ar

在式301中，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是0至5的整数，

xb21可以是1至5的整数，以及

在实施方案中，在式301中，当xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar

在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：

[式301-1]

[式301-2]

在式301-1和式301-2中，

环A

xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，

xb2至xb4可以各自独立地与本文关于xb1描述的相同，以及

在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任意组合。例如，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任意组合。

在实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H128、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合：

[磷光掺杂剂]

在实施方案中，磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可以包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。

磷光掺杂剂可以是电中性的。

例如，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：

[式401]

M(L

[式402]

在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

环A

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及

式402中的*和*'可以各自表示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，X

在另一个实例中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L

式401中的L

磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物PD1至化合物PD39中的一种或其任意组合：

[荧光掺杂剂]

荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。

在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

[式501]

在式501中，

xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

在实施方案中，在式501中，Ar

在实施方案中，在式501中，xd4可以是2。

在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至化合物FD37；DPVBi；DPAVBi中的一种或其任意组合：

[延迟荧光材料]

发射层可以包含延迟荧光材料。

在说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。

取决于包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以用作主体或掺杂剂。

根据实施方案，延迟荧光材料的三重态能级与延迟荧光材料的单重态能级之间的差可以大于或等于约0eV并且小于或等于约0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可以包括：包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C

延迟荧光材料的实例可以包括化合物DF1至化合物DF14中的至少一种：

[量子点]

发射层可以包含量子点。

在说明书中，量子点可以是半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。

可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。

湿法化学工艺是包括将前体材料与有机溶剂混合并且生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))成本更低且可以更容易地进行的工艺来控制。

量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物、或者其任意组合。

II-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或者其任意组合。

III-V族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或其任意组合。III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

III-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga

I-III-VI族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS

IV-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或其任意组合。

IV族元素或化合物可以包括：单一元素材料，例如Si或Ge；二元化合物，例如SiC或SiGe；或者其任意组合。

包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或以非均匀的浓度存在于颗粒中。

在实施方案中，量子点可以具有单一结构，其中量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的，或者量子点可以具有核-壳结构。例如，当量子点具有核-壳结构时，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以用作防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层，和/或可以用作向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的材料的浓度朝向核降低。

量子点的壳的实例可以包括金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物，半导体化合物或其任意组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可以包括二元化合物，例如SiO

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以等于或小于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可以等于或小于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可以等于或小于约30nm。在这些范围内，可以增加颜色纯度或颜色再现性。通过量子点发射的光可以在所有方向上发射，使得可以改善广视角。

量子点可以呈球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。

由于能带隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。可以将量子点的尺寸配置成通过组合各种颜色的光来发射白色光。

[中间层130中的电子传输区]

电子传输区可以具有：由由单一材料组成的层组成的结构、由由不同材料组成的层组成的结构、或者包括包含不同材料的多个层的结构。

电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每种结构的构成层可以从发射层按其各自规定的顺序堆叠，但电子传输区的结构不限于此。

在实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一种缺π电子的含氮C

例如，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：

[式601]

[Ar

在式601中，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

xe21可以是1、2、3、4或5，以及

可以满足以下条件中的至少一个：Ar

在实施方案中，在式601中，当xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar

在实施方案中，式601中的Ar

在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：

[式601-1]

在式601-1中，

xe611至xe613可以各自独立地与本文关于xe1描述的相同，

在实施方案中，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq

电子传输区的厚度可以是约

除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：

电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以接触(例如，直接接触)第二电极150。

电子注入层可以具有：由由单一材料组成的层组成的结构、由由不同材料组成的层组成的结构、或者包括包含不同材料的多个层的结构。

电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或者其任意组合。

含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物，例如Li

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含：碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种；以及键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

电子注入层可以由以下组成：如本文描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；或者含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，以及碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。例如，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。

电子注入层的厚度可以是约

[第二电极150]

第二电极150可以布置在中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极。用于形成第二电极150的材料可以包括各自具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其任意组合。

第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。

第二电极150可以具有单层结构或者多层结构。

[覆盖层]

发光装置10可以包括位于第一电极110外部的第一覆盖层和/或位于第二电极150外部的第二覆盖层。例如，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按此规定的顺序堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序堆叠的结构。

例如，由发光装置10的中间层130中的发射层产生的光可以通过第一电极110(其可以是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层引出至外部。例如，由发光装置10的中间层130中的发射层产生的光可以通过第二电极150(其可以是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层引出至外部。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，可以增加发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自包含具有等于或大于约1.6(相对于约589nm的波长)的折射率的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。

第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。

例如，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。

在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或其任意组合：

[膜]

膜可以是，例如，光学构件(或光控制构件)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、出光效率改善层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点的层等)、光阻挡构件(例如，光反射层或光吸收层)或保护构件(例如，绝缘层或介电材料层)。

[电子装置]

发光装置可以包括在各种电子装置中。例如，包括发光装置的电子装置可以是发光设备、验证设备等。

除了发光装置之外，电子装置(例如，发光设备)可以进一步包括滤色器、颜色转换层、或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于其中从发光装置发射的光行进的至少一个方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与本文描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。

电子装置可以包括第一衬底。第一衬底可以包括子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的颜色转换区域。

像素限定层可以位于子像素之间以限定每个子像素。

滤色器可以进一步包括滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域。第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。例如，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点可以与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自包含散射体。

例如，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一的第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二的第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三的第一颜色光。第一的第一颜色光、第二的第一颜色光和第三的第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。第一光可以是蓝色光，第一的第一颜色光可以是红色光，第二的第一颜色光可以是绿色光，并且第三的第一颜色光可以是蓝色光。

除了如本文描述的发光装置之外，电子装置可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的一个。

薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子装置可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，并且同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子装置可以是柔性的。

根据电子装置的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以进一步包括在密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。

除了如本文描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

电子装置可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。

[电子设备]

发光装置可以被包括在各种电子设备中。

例如，包括发光装置的电子设备可以是平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、TV、广告牌、室内灯、户外灯、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场屏幕、体育场屏幕、光疗装置和标志牌。

因为发光装置具有优异的光发射效率、长使用寿命等的特性，所以包括发光装置的电子设备可以具有高亮度、高分辨率和低功耗等的特性。

[图2和图3的描述]

图2是根据实施方案的电子装置的示意性横截面视图。

图2的电子装置(例如，发光设备)可以包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。

衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以位于衬底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透通过衬底100。缓冲层210可以在衬底100上提供平坦表面。

TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体。有源层220可以包括源区、漏区和沟道区。

栅绝缘膜230可以在有源层220上。栅绝缘膜230可以使有源层220与栅电极240绝缘。

栅电极240可以在栅绝缘膜230上。

层间绝缘膜250可以位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以位于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。可以形成层间绝缘膜250和栅绝缘膜230以暴露有源层220的源区和漏区。源电极260和漏电极270可以接触暴露的有源层220的源区和漏区。

TFT可以电连接至发光装置以驱动发光装置。TFT可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。可以在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以位于钝化层280上。钝化层280可以不完全覆盖漏电极270。钝化层280可以被布置成暴露漏电极270的某一区。第一电极110可以电连接至暴露的漏电极270。

包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某一区。中间层130可以形成在暴露区中。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图2中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部，并且可以呈公共层的形式。

第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。

封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置上以保护发光装置免于湿气或氧气。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN

图3是根据另一个实施方案的电子装置的示意性横截面视图。

图3的电子装置(例如，发光设备)可以与图2的电子装置不同，至少在于遮光图案500和功能区400进一步包括在封装部300上。功能区400可以是滤色器区域、颜色转换区域、或者滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的电子装置中的发光装置可以是串联发光装置。

[图4的描述]

图4是根据实施方案的包括发光装置的电子设备1的示意性透视图。

电子设备1可以是显示视频或静止图像的设备，并且电子设备的实例可以不仅包括便携式电子设备，例如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC等；各种产品，包括电视、膝上型电脑、监视器、标志牌、物联网(IOT)；或其部件。在实施方案中，电子设备1可以是可穿戴设备，例如智能手表、手表电话、眼镜型显示器、头戴式显示器(HMD)或其部件。然而，实施方案不限于此。例如，电子设备1可以是车辆的仪表板、提供在车辆的中央面板处或仪表板上的中央信息显示器(CID)、起到车辆的侧视镜作用的室内镜显示器、提供在车辆的后座娱乐系统处或前座的背面处的显示器、布置在车辆的前面或投影在车辆的前窗上的平视显示器(HUD)、或计算机生成的全息增强现实HUD(CGH AR HUD)。为了便于解释，图4例示出其中电子设备1是智能电话的实施方案。

电子设备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。电子设备1可以通过在显示区域DA中以二维(2D)方式布置的像素阵列来实现图像。

非显示区域NDA可以不显示图像并且完全围绕显示区域DA。向布置在显示区域DA中的显示元件等(例如，像素)提供电信号或电力的驱动器等可以提供在非显示区域NDA中。电子装置或印刷电路板等可以电连接至其的焊盘在非显示区域NDA中。

电子设备1在x轴上的长度可以不同于电子设备1在y轴上的长度。在实施方案中，如图4中例示，x轴上的长度可以短于y轴上的长度。在另一个实施方案中，x轴上的长度可以等于y轴上的长度。在又一个实施方案中，x轴上的长度可以长于y轴上的长度。

[图5和图6A至图6C的描述]

图5是作为根据实施方案的包括发光装置的电子设备的车辆1000的外部的示意性透视图。图6A至图6C各自是例示出根据实施方案的车辆1000的内部的示意图。

参考图5、图6A、图6B和图6C，车辆1000可以是指将诸如产品、人、动物等的对象从出发地运输到目的地的各种装置。车辆1000可以是在道路或铁路上行驶的车辆、在海洋或河流上航行的船舶、通过利用空气的作用在空中飞行的飞机等。

车辆1000可以在道路或铁路上行驶。车辆1000可以根据至少一个车轮的旋转在特定方向上移动。例如，车辆1000可以是三轮或四轮车辆、建筑机械、两轮车辆、摩托车、自行车和在铁道上行驶的火车。

车辆1000可以包括主体，所述主体包括内部和外部；以及底盘，所述底盘可以是车辆1000的除主体之外的其余部分，同时包括驾驶所需的机构。主体的外部可以包括前板、阀盖、顶板、后板、行李箱和提供在门之间的边界处的立柱。车辆1000的底盘可以包括发电机、动力传递单元、驱动系统、转向系统、制动系统、悬挂系统、变速器、燃料供应系统以及前轮、后轮、左轮和右轮等。

车辆1000可以包括侧窗玻璃1100、前窗玻璃1200、侧视镜1300、集群件1400、中央面板1500、乘客座位仪表板1600和显示设备2。

侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200可以由布置在侧窗玻璃1100与前窗玻璃1200之间的立柱分隔。

侧窗玻璃1100可以布置在车辆1000的侧面上。在实施方案中，侧窗玻璃1100可以布置在车辆1000的门处。可以有多个彼此面对的侧窗玻璃1100。在实施方案中，侧窗玻璃1100可以包括第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120。在实施方案中，第一侧窗玻璃1110可以被布置成与集群件1400相邻。第二侧窗玻璃1120可以被布置成与乘客座位仪表板1600相邻。

在实施方案中，侧窗玻璃1100可以被布置成在x方向或-x方向上彼此间隔开。例如，第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120可以被布置成在x方向或-x方向上彼此间隔开。将侧窗玻璃1100彼此连接的虚拟线L可以在x方向或-x方向上延伸。例如，将第一侧窗玻璃1110与第二侧窗玻璃1120彼此连接的虚拟线L可以在x方向或-x方向上延伸。

前窗玻璃1200可以在车辆1000的前面。前窗玻璃1200可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。

侧视镜1300可以提供车辆1000的后视图。侧视镜1300可以布置在主体的外部。在实施方案中，可以有多个侧视镜1300。侧视镜1300中的任一个可以布置在第一侧窗玻璃1110的外部。侧视镜1300中的另一个可以布置在第二侧窗玻璃1120的外部。

集群件1400可以置于方向盘的前面。集群件1400可以包括转速计、速度计、冷却剂温度传感器、燃料计、转向指示器、远光指示灯、警示灯、安全带警示灯、里程计、行程计、自动变速器选择杆指示灯、开门警示灯、机油警示灯和/或低燃料警示灯。

中央面板1500可以包括控制面板，按钮可以提供在控制面板中用于控制音频装置、空调系统和座椅加热器。中央面板1500可以布置在中央面板1500的一侧上。

乘客座位仪表板1600可以与集群件1400间隔开，在它们之间具有中央面板1500。在实施方案中，集群件1400可以被布置成对应于驾驶员座位(未示出)，并且乘客座位仪表板1600可以被布置成对应于乘客座位(未示出)。在实施方案中，集群件1400可以与第一侧窗玻璃1110相邻，并且乘客座位仪表板1600可以与第二侧窗玻璃1120相邻。

在实施方案中，显示设备2可以包括显示面板3，并且显示面板3可以显示图像。显示设备2可以布置在车辆1000的内部。在实施方案中，显示设备2可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。显示设备2可以布置在集群件1400、中央面板1500和乘客座位仪表板1600中的至少一个中。

显示设备2可以包括有机发光显示器、无机发光显示器、量子点显示器等。尽管在下文将根据实施方案的包括发光装置的有机发光显示设备描述为显示设备2，但本文描述的各种类型的显示设备可以用于该实施方案中，但实施方案不限于此。

参考图6A，显示设备2可以在中央面板1500处。在实施方案中，显示设备2可以显示导航信息。在实施方案中，显示设备2可以显示关于音频设置、视频设置或车辆设置的信息。

参考图6B，显示设备2可以被布置在集群件1400处。当显示设备2被布置在集群件1400上时，集群件1400可以通过显示设备2显示驾驶信息。例如，集群件1400可以数字地实现驾驶信息。数字集群件1400可以显示车辆信息和驾驶信息。例如，转速计的针和量规以及各种警示灯图标可以通过数字信号显示。

参考图6C，显示设备2可以布置在乘客座位仪表板1600处。显示设备2可以嵌入在乘客座位仪表板1600中或者乘客座位仪表板1600上。在实施方案中，布置在乘客座位仪表板1600处的显示设备2可以显示与显示在集群件1400上的信息和/或显示在中央面板1500上的信息相关的图像。在另一个实施方案中，布置在乘客座位仪表板1600处的显示设备2可以显示与显示在集群件1400上的信息和/或显示在中央面板1500上的信息不同的信息。

[制造方法]

可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。

当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10

[术语的定义]

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“环状基团”可以包括C

本文使用的术语“富π电子的C

在实施方案中，

富π电子的C

含缺π电子的氮的C

T1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团。

T2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团。

T3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团。

T4基团可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如本文使用的术语“环状基团”、“C

单价C

二价C

如本文使用的术语“C

本文使用的术语“C

当C

本文使用的术语“C

当C

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”可以是单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如，8个至30个、8个至20个、8个至15个、或8个至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。例如，单价非芳香族稠合多环基团可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团、茚并蒽基基团等。

如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”可以是具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”可以是单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。例如，单价非芳香族稠合杂多环基团可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基基团等。

如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。

本文使用的术语“C

如本文使用的基团“R

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C

-Si(Q

如本文使用的基团Q

如本文使用的术语“杂原子”可以是除了碳原子或氢原子之外的任何原子，并且杂原子的数量可以是1至10，例如，1、2、3、4或5。杂原子的实例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任意组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”可以包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。

如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu

如本文使用的术语“联苯基基团”可以是“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C

如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。例如，“三联苯基基团”可以是具有被C

除非另外定义，如本文使用的符号*和*'各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。

本文使用的x轴、y轴和z轴不局限于直角坐标系上的三个轴，并且可以以涵盖前述内容的广泛含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者分别表示彼此不垂直的不同方向。

在下文，将参考以下合成例和实施例详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述合成例的措辞“使用B代替A”意指使用等摩尔当量的B代替A。

合成例1(化合物12的合成)

中间体12-1的合成

将1.98g(10.0mmol)的2-联苯基硼酸、3.41g(10.0mmol)的5-溴-2-碘苯甲酸甲酯、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体12-2的合成

在烧瓶中，在将3.66g(10mmol)的中间体12-1溶解在THF(20ml)中之后，将甲基溴化镁(8.4ml，3.0M在二乙醚中)缓慢添加到烧瓶中，并且在0℃的温度下搅拌2小时。使用60mL的水和60mL的二乙醚对反应溶液进行三次萃取过程。将由此获得的有机层通过使用硫酸镁干燥，并且将通过蒸发溶剂获得的残余物通过硅胶柱色谱法分离和纯化，以获得2.20g的中间体12-2(产率：60％)。通过LC-MS鉴定得到的化合物。C

中间体12-3的合成

将3.66g(10mmol)的中间体12-2溶解在20ml的乙酸/HCl(4/1)中，并且在60℃的温度下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温之后，将10g的氢氧化钠溶解在20ml的水中并且添加至反应溶液中，并且使用60mL的水和60mL的二氯甲烷对其进行三次萃取过程。将由此获得的有机层通过使用硫酸镁干燥，并且将通过蒸发溶剂获得的残余物通过硅胶柱色谱法分离和纯化，以获得2.61g的中间体12-3(产率：75％)。通过LC-MS鉴定得到的化合物。C

中间体12-4的合成

将3.48g(10mmol)的中间体12-3、1.90g(10mmol)的CuI和10ml的氨水溶解在20ml的DMF中，并且在密封管中在130℃的温度下搅拌8小时。将反应溶液冷却至室温，并且使用60mL的水和60mL的二氯甲烷对其进行三次萃取过程。将由此获得的有机层通过使用硫酸镁干燥，并且将通过蒸发溶剂获得的残余物通过硅胶柱色谱法分离和纯化，以获得2.14g的中间体12-4(产率：75％)。通过LC-MS鉴定得到的化合物。C

中间体12-5的合成

在将2.85g(10mmol)的中间体12-4溶解在20mL的DCM中之后，在0℃的温度下将N-溴代琥珀酰亚胺(1.78g，在DCM中)添加至其中。将所得物在室温下搅拌5小时，并且将3g的Na

中间体12-6的合成

将3.63g(10.0mmol)的中间体12-5、1.46g(12.0mmol)的苯基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体12-7的合成

将4.33g(12.0mmol)的中间体12-6、1.11ml(10mmol)的碘苯、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物12的合成

将4.37g(10.0mmol)的中间体12-7、2.83g(10mmol)的2-(4-溴苯基)萘、0.46g(0.5mmol)的Pd

合成例2(化合物18的合成)

以与合成例1中相同的方式合成化合物18，但使用9-(3-溴苯基)-9-苯基-9H-芴代替2-(4-溴苯基)萘。通过MS/FAB和

合成例3(化合物20的合成)

中间体20-1的合成

将4.74g(10.0mmol)的2,2'-二溴-9,9'-螺二[芴]、1.22g(10.0mmol)的苯基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

化合物20的合成

将4.71g(10.0mmol)的中间体20-1、4.38g(10mmol)的中间体12-7、0.46g(0.5mmol)的Pd

合成例4(化合物22的合成)

以与合成例1中相同的方式合成化合物22，但使用4”-氯-3'-苯基-1,1':2',1”-三联苯代替2-(4-溴苯基)萘。通过MS/FAB和

合成例5(化合物37的合成)

将3.61g(10.0mmol)的中间体12-6、4.78g(20mmol)的1-溴-4-环己基苯、0.92g(1mmol)的Pd

合成例6(化合物44的合成)

中间体44-1的合成

将3.52g(10.0mmol)的2,7-二溴-9,9-二甲基-9H-芴、1.22g(10.0mmol)的苯基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体44-2的合成

将3.48g(10mmol)的中间体44-1、1.90g(10mmol)的CuI和10ml的氨水溶解在20ml的DMF中，并且在密封管中在130℃的温度下搅拌8小时。将反应溶液冷却至室温，并且使用60mL的水和60mL的二氯甲烷对其进行三次萃取过程。将由此获得的有机层通过使用硫酸镁干燥，并且将通过蒸发溶剂获得的残余物通过硅胶柱色谱法分离和纯化，获得2.14g的中间体44-2(产率：75％)。通过LC-MS鉴定得到的化合物。C

中间体44-3的合成

在将2.85g(10mmol)的中间体44-2溶解在20mL的DCM中之后，在0℃的温度下将N-溴代琥珀酰亚胺(1.78g，在DCM中)添加至其中。将所得物在室温下搅拌5小时，并且将3g的Na

中间体44-4的合成

将3.63g(10.0mmol)的中间体44-3、1.46g(12.0mmol)的苯基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

化合物44的合成

将3.61g(10.0mmol)的中间体44-4、4.66g(20mmol)的4-溴-1,1'-联苯、0.92g(1mmol)的Pd

合成例7(化合物60的合成)

中间体60-1的合成

将3.64g(10.0mmol)的中间体12-5、2.38g(12.0mmol)的[1,1'-联苯基]-4-基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

化合物60的合成

将4.38g(10.0mmol)的中间体60-1、4.66g(20mmol)的4-溴-1,1'-联苯、0.92g(1mmol)的Pd

合成例8(化合物66的合成)

中间体66-1的合成

将3.61g(10mmol)的中间体12-6、4.29g(30mmol)的CuBr溶解在48％溴酸水溶液(10ml)中，并且在0℃下将2.07g的NaNO

中间体66-2的合成

将4.25g(10.0mmol)的中间体66-1、1.56g(10.0mmol)的(4-氯苯基)硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

化合物66的合成

将4.56g(10.0mmol)的中间体66-2、2.45g(10mmol)的N-苯基-[1,1'-联苯基]-4-胺、0.92g(1mmol)的Pd

合成例9(化合物70的合成)

以与合成例8中相同的方式合成化合物70，但使用N-苯基萘-2-胺代替N-苯基-[1,1'-联苯基]-4-胺。通过MS/FAB和

合成例10(化合物101的合成)

中间体101-1的合成

以与中间体12-2的合成中相同的方式合成中间体101-1，但使用苯基溴化镁代替甲基溴化镁。

中间体101-2的合成

以与中间体12-3的合成中相同的方式合成中间体101-2，但使用中间体101-1代替中间体12-2。

中间体101-3的合成

以与中间体12-4的合成中相同的方式合成中间体101-3，但使用中间体101-2代替中间体12-3。

中间体101-4的合成

以与中间体12-5的合成中相同的方式合成中间体101-4，但使用中间体101-3代替中间体12-4。

中间体101-5的合成

以与中间体12-6的合成中相同的方式合成中间体101-5，但使用中间体101-4代替中间体12-5。通过LC-MS鉴定得到的化合物。C

化合物101的合成

将4.85g(10.0mmol)的中间体101-5、4.66g(20mmol)的4-溴-1,1'-联苯、0.92g(1mmol)的Pd

合成例11(化合物116的合成)

以与合成例6中相同的方式合成化合物116，但使用溴苯代替4-溴-1,1'-联苯。通过MS/FAB和

以下表1显示了根据每个合成例制备的化合物的MS/FAB和

[表1]

比较例1

作为阳极，将具有15Ω/cm

将2-TNATA真空沉积在阳极上以形成具有

将9,10-二(萘-2-基)蒽(DNA)和4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi)以98:2的重量比真空沉积在空穴传输层上以形成具有

将Alq

比较例2至比较例6以及实施例1至实施例11

以与比较例1中相同的方式制造有机发光装置，但在形成空穴传输层时，使用表2中显示的相应化合物代替NPB。

实施例12

以与比较例1中相同的方式制造有机发光装置，但当形成空穴传输层时，代替通过使用NPB形成具有

实施例13

以与比较例1中相同的方式制造有机发光装置，但当形成空穴传输层时，代替通过使用NPB形成具有

评价例1

为了评价根据比较例1至比较例6以及实施例1至实施例13制造的有机发光装置中的每一个的特性，测量驱动电压、亮度、发光效率和使用寿命，并且其结果显示在表2中。

使用源表(2400系列，吉时利仪器公司(Keithley Instrument Inc.))测量在50mA/cm

由电流-电压(吉时利SMU 236)提供功率，并且通过使用亮度计PR650测量亮度和发光效率。

[表2]

根据表2，证实了根据实施例1至实施例13的有机发光装置具有比根据比较例1至比较例6的有机发光装置相对更低的驱动电压、相对更高的亮度、相对更高的发光效率和相对更长的使用寿命。

根实施方案，由式1表示的含胺的化合物可以具有优异的空穴传输特性。包含含胺的化合物的发光装置可以具有低驱动电压、高亮度、高发光效率和长使用寿命。可以改善包括发光装置的电子装置和使用电子装置的电子设备的显示品质。

本文已经公开了实施方案，并且尽管使用了术语，但它们仅以一般性和描述性的意义使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将显而易见的，关于实施方案描述的特征、特性和/或要素可以单独使用或与关于其它实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另外具体指出。因此，本领域普通技术人员将理解，在不背离如在权利要求中阐述的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种改变。

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该技术已申请专利。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
专利发明人：
专利申请人：三星显示有限公司;

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