发光器件和转移装置

技术领域

本发明涉及一种显示技术领域，尤其涉及一种发光器件和转移装置。

背景技术

Micro LED(微型发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势，因此其常作为一种发光器件应用在各种场所中。

但是现有的Micro LED发光角度大，无法实现窄发光，因此当其应用在AR(augmented reality，增强现实)、MR(mixed reality，混合现实)Micro-LED显示面板、高亮车载以及微型器件转移装置等需要窄发光光源的应用场景时，现有的Micro LED难以满足其需求。

发明内容

因此，为克服现有技术存在的至少部分缺陷与不足，本发明实施例提供的一种发光器件以及采用该种发光器件的转移装置。

具体地，本发明一个实施例提出的一种发光器件例如包括：发光功能层，设置有出光面；第一电极，设置在所述发光功能层的一侧且电连接所述发光功能层；第二电极，设置在所述发光功能层上与所述第一电极的同一侧且分别电连接所述发光功能层；遮光层，覆盖在所述出光面上，所述遮光层上设置有出光口以露出所述发光功能层发出的光线，所述出光口的面积小于所述出光面的面积。

上述技术方案通过在出光面上设置带出光口的遮光层，使得出光口的面积小于出光口的面积，从而实现了发光器件的窄发光。

在本发明的一个实施例中，所述发光功能层包括：第一掺杂类型半导体层，电连接所述第一电极；第二掺杂类型半导体层，电连接所述第二电极；有源层，设置所述第一掺杂类型半导体层和所述第二掺杂类型半导体之间；缓冲层，位于所述第二掺杂类型半导体层远离所述第二电极的一侧；其中，所述出光面位于所述缓冲层远离所述第二掺杂类型半导体层的一侧，所述第一电极位于所述第一掺杂类型半导体层远离所述有源层的一侧，所述第二电极位于所述第二掺杂类型半导体层远离所述缓冲层的一侧。

在本发明的一个实施例中，所述发光功能层包括：第一掺杂类型半导体层，连接所述第一电极；第二掺杂类型半导体层，连接所述第二电极；有源层，设置所述第一掺杂类型半导体层和所述第二掺杂类型半导体之间；缓冲层，位于所述第二掺杂类型半导体层背离所述第二电极的一侧；其中，所述出光面和所述第一电极位于所述第一掺杂类型半导体层远离所述有源层的一侧，所述第一电极贯穿所述遮光层且连接所述第一掺杂类型半导体层，所述第二电极位于所述第二掺杂类型半导体层远离所述缓冲层的一侧。

在本发明的一个实施例中，所述遮光层还覆盖在所述发光功能层上除所述出光面之外的其它表面，所述第一电极和所述第二电极分别贯穿所述遮光层。

在本发明的一个实施例中，所述遮光层包括绝缘层和金属层，所述金属层位于所述绝缘层远离所述发光功能层的一侧。

在本发明的一个实施例中，所述遮光层为分布式布拉格发射镜。

在本发明的一个实施例中，所述发光器件还包括聚光透镜，所述聚光透镜设置在所述出光口处并覆盖所述出光口。

在本发明的一个实施例中，所述出光口包括多个具有镂空图案的子出光口。

另外，本发明实施例提出的一种转移装置，例如包括：转移基板；驱动器件层，设置在所述转移基板上；如前述实施例所述的任意一项所述的发光器件，设置在所述驱动器件层上远离所述转移基板的一侧且电连接所述驱动器件层；第一黏接胶体层，设置在所述驱动器件层上远离所述转移基板的一侧。

在本发明的一个实施例中，所述转移装置还包括：第二黏接胶体层，粘贴在所述驱动基板远离所述转移基板的一侧且覆盖所述发光器件；黏接基板，设置在所述第一黏接胶体层和所述第二黏接胶体层之间。

在本发明的一个实施例中，所述第一黏接胶体层上远离所述驱动基板的一侧上设置有黏接凸起，所述黏接凸起与所述发光器件对应设置。

上述的一个或多个技术方案具有如下有益效果和优点：本发明实施例通过在出光面上设置带有出光口的遮光层，使得出光口的面积小于出光面的面积，从而实现了发光器件的窄出光。此外在发光器件的其他表面设置遮光层，减小了发光器件的侧面出光。将遮光层设置成绝缘层以及金属层或分布式布拉格发射镜的结构，增加了光在多个侧面的反射以及在反射腔的谐振，从而提高了光的利用率。在出光口设置聚光透镜，进一步收窄了发光器件的出光角度，提到高了发光器件的亮度。进一步地，通过设置多个带镂空图案的出光口，进一步收窄了发光角，提供了一种窄发光的发光器件。另一方面，本发明实施例提供的一种转移装置，通过将能实现窄发光的发光器件设置在转移装置上，解决了转移装置中因发光器件出光角度大以及侧面出光而对相邻区域造成影响的问题，从而实现精确位置的解黏，提高微型器件转移良率以及转移可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明第一实施例提供的一种发光器件的结构示意图。

图2为本发明第一实施例提供的又一种发光器件的结构示意图。

图3为本发明第一实施例提供的再一种发光器件的结构示意图。

图4为本发明第一实施例提供的再一种发光器件的结构示意图。

图5为本发明第一实施例中出光面的结构示意图。

图6为本发明第一实施例中又一种出光面的结构示意图。

图7为本发明第二实施例提供的一种发光器件的结构示意图。

图8为本发明第一实施例提供的又一种发光器件的结构示意图。

图9为本发明第一实施例提供的再一种发光器件的结构示意图。

图10为本发明第一实施例提供的再一种发光器件的结构示意图。

图11为本发明第三实施例提供的一种转移装置的结构示意图。

图12为本发明第三实施例提供的又一种转移装置的结构示意图。

图13为本发明第三实施例提供的再一种转移装置的结构示意图。

图14为本发明第三实施例提供的再一种发光器件转移装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本发明实施例中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

【第一实施例】

参见图1，本发明第一实施例提供一种发光器件10，其例如包括发光功能层11、第一电极12、第二电极13以及遮光层14。其中，发光功能层11例如能发出红外光、紫外光、蓝光等各种颜色的光线。发光功能层11例如设置有出光面1101，从而发光功能层11发出的光线能穿过出光面1101射出至外部环境。第一电极12例如设置在发光功能层11的一侧且电连接发光功能层11。第二电极13例如设置在发光功能层11上与第一电极12的同一侧且分别电连接发光功能层。具体地，第一电极12和第二电极13位于发光功能层11的同一侧，且分别在发光功能层11的两端上电连接发光功能层11。遮光层14例如覆盖在出光面1101上。遮光层14上例如设置有出光口141以露出发光功能层11发出的光线。出光口141的面积小于出光面1101的面积。

上述技术方案通过在出光面上设置带有出光孔的遮光层，从而使得出光口的面积小于出光面的面积，实现了发光器件的窄出光。

具体地，如图2所示，发光功能层11例如包括第一掺杂类型半导体层111、第二掺杂类型半导体层113、有源层112以及缓冲层114。其中，出光面1101位于缓冲层114远离第二掺杂类型半导体层113的一侧，有源层112发出的光线依次穿过第二掺杂类型半导体层113以及缓冲层114从出光面1101出射。第一掺杂类型半导体层111例如N型GaN(galliumnitride，氮化镓)层，且与第一掺杂类型半导体层111电连接的第一电极12例如为N型电极。第二掺杂类型半导体层113例如为P型GaN层，与第二掺杂类型半导体层113电连接的第二电极13例如为P型电极。可以理解的是，这里第一掺杂类型半导体层111和第二掺杂类型半导体层113的材料例如可以互换，同理，第一电极12与第二电极13的位置也可以互换。有源层112设置在第一掺杂类型半导体层111和第二掺杂类型半导体层113之间。有源层112例如为InGaN(铟氮化稼)、GaN、AlGaAs(铝砷化稼)多量子阱层，可发出红外光、紫外光、蓝光等光线。可以理解的是，有源层112的材料还可以为其他无机半导体物料，以发出不同颜色的光，本发明不以此为限制。缓冲层114例如设置在第二掺杂类型半导体层113远离第二电极13的一侧。缓冲层114的组成材料例如包括氮化铝、氮化镓中的一种，根据缓冲层114生长衬底或有源层112的材料不同，缓冲层114还可以掺杂铝等其他材料。本发明不以此为限制。缓冲层114能平缓发光器件底层，从而为设置在缓冲层114上的多个层结构提供良好的生长基板。此外，可以理解的是，本发明提供的发光器件10还可以根据实际需要增设其他功能层，例如非有意掺杂氮化镓层(u-GaN)、位于N型半导体层与多量子阱层之间的应力释放层、位于多量子阱层与P型半导体层之间的电子阻挡层(EBL,Electron Blocking Layer)等，本发明实施例并不以此为限。

更进一步地，遮光层14还覆盖在发光功能层11上除出光面1101的其他表面。其中，第一电极12和第二电极13分别贯穿遮光层14，用于实现与外界电源的电导通。上述技术方案通过在发光器件的多个侧面覆盖遮光层，进一步减少了发光器件的侧面出光。

更具体地，如图3所示，遮光层14例如为高反射金属镀层。具体地，高反射金属镀层包括绝缘层141以及金属层142。其中，金属层142位于绝缘层141远离发光功能层11的一侧，也即金属层142设置在绝缘层141和发光功能层11之间。绝缘层141的材料例如采用氧化硅等绝缘性良好的材料。金属层142例如为铝、银、金等具有良好反射性能的金属材料，本发明不以此为限。绝缘层141设置在出光面1101以及发光功能层11除出光面1101的多个表面，其能隔绝金属层142与发光功能层11的接触，起到保护作用，此外，绝缘层141还能防止发光器件10多个侧面上第一掺杂类型半导体层111与第二掺杂类型半导体层113中的空穴与电子的结合产生的无效发光。上述技术方案通过在绝缘层远离发光功能层的一侧上设置金属层，能将发光器件发射的光线进行反射，提高了光的利用率。其中，在第一电极和第二电极所在的侧面上设置高反射金属镀层，提升了光的利用以及反射腔中的谐振，有利于减小出光角度，以适应需要窄出光且高亮出光的显示应用场景。

另一方面，如图4所示，遮光层14还可以为分布式布拉格反射镜(DistributedBragg Reflector，DBR)。分布式布拉格反射镜为多种具有不同折射率的无机材料呈周期性排布形成的一种结构。参照图4，其展示了一种由两种不同无机材料间隔排布形成的一种分布式布拉格发射镜。上述技术方案通过将遮光层设置成分布式布拉格发射镜不仅对发光器件的多个侧面进行了遮光，同时也提升了光的反射，从提高了光的利用率。

更进一步地，参加图2-图4，发光器件10还包括聚光透镜10。聚光透镜10例如设置在出光口141处并覆盖所述出光口141。其中，通过设置聚光透镜进一步减小了发光器件的出光角度，且提高了发光器件的出光亮度。

此外，参照图5，遮光层14例如覆盖在出光面1101上，从而出光面1101由出光口141和遮光层14组成。为了进一步减少收窄发光角，覆盖在出光面1101上的遮光层例如设置有多个镂空图案。因此，如图6所示，出光口141例如包括多个具有镂空图案的子出光口1411。可以理解的是，多个子出光口1411可例如对应设置聚光透镜，从而进一步收窄发光角，提高亮度。此外，镂空图案的形状可为方形、圆形、三角形或者其他几何图案，本发明不以此为限。

综上所述，本发明第一实施例具有如下有益效果：通过在出光面上设置带有出光口的遮光层，使得出光口的面积小于出光面的面积，从而实现了发光器件的窄出光。此外在发光器件的其他表面设置遮光层，减小了发光器件的侧面出光。将遮光层设置成绝缘层以及金属层或分布式布拉格发射镜的结构，增加了光在多个侧面的反射以及在反射腔的谐振，从而提高了光的利用率。在出光口设置聚光透镜，进一步收窄了发光器件的出光角度并提到高了发光器件的亮度。进一步地，通过设置多个带镂空图案的出光口，进一步收窄了发光角，提供了一种窄发光的发光器件。

【第二实施例】

参照图7，本发明第二实施例提供的一种发光器件20例如包括第一电极22、第二电极23、遮光层24、以及发光功能层(图7中未示出)。发光功能层上设置有出光面2101。其中，发光功能层包括：第一掺杂类型半导体层211、第二掺杂类型半导体层213、有源层212以及缓冲层214。

具体地，出光面2101和第一电极22位于第一掺杂类型半导体层211远离有源层212的一侧。遮光层24例如设置在出光面2101上，且遮光层24上设置有出光口241，有源层212发出的光线依次穿过第一掺杂类型半导体层211从出光面2101上的出光口141出射。第一掺杂类型半导体层211例如N型GaN(gallium nitride，氮化镓)层，且与第一掺杂类型半导体层211电连接的第一电极22例如为N型电极。第二掺杂类型半导体层213例如为P型GaN层，与第二掺杂类型半导体层213电连接的第二电极23例如为P型电极。可以理解的是，这里第一掺杂类型半导体层211和第二掺杂类型半导体层213的材料例如可以互换，对应的与其分别电连接的第一电极22和第二电极23的材料也可以互换，本发明不以此为限。有源层212例如为InGaN(铟氮化稼)、GaN、AlGaAs(铝砷化稼)多量子阱层从而发出红外光、紫外光、蓝光等光线。可以理解的是，有源层212的材料还可以为其他无机半导体物料，以发出不同颜色的光，本发明不以此为限制。缓冲层214例如设置在第二掺杂类型半导体层213远离第二电极23的一侧。缓冲层214的组成材料例如包括氮化铝、氮化镓中的一种，根据缓冲层214生长衬底或是有源层212的材料不同，缓冲层214还可以掺杂铝等其他材料。本发明不以此为限制。缓冲层214能平缓发光器件底层，从而给设置在缓冲层214上的多个层结构提供良好的生长基板。此外，可以理解的是，本发明提供的发光器件20还可以根据实际需要增设其他功能层，例如位于第一电极22和第二电极23一侧上的透明金属电极层、非有意掺杂氮化镓层(u-GaN)、位于N型半导体层与多量子阱层之间的应力释放层、位于多量子阱层与P型半导体层之间的电子阻挡层(EBL,Electron Blocking Layer)等，本发明实施例并不以此为限。

更进一步地，如图8所示，遮光层24还覆盖在发光功能层上除出光面2101的其他表面。其中，第一电极22和第二电极23分别贯穿遮光层24，用于实现与外界电源的电导通。上述技术方案通过在发光器件的多个侧面覆盖遮光层，进一步减少了发光器件的侧面漏光。

更具体地，如图9所示，遮光层24例如为高反射金属镀层。具体地，高反射金属镀层包括绝缘层241以及金属层242。其中，金属层242位于绝缘层241远离发光功能层的一侧。绝缘层241的材料例如采用氧化硅等绝缘性良好的材料。金属层242例如为铝、银、金等具有良好反射性能的金属材料，本发明不以此为限。绝缘层241设置在出光面2101以及发光器件20除出光面的多个表面，其能隔绝金属层242与发光功能层的接触，起到保护作用。此外，绝缘层241还能防止发光器件多个侧面上的第一掺杂类型半导体层211与第二掺杂类型半导体层213中的空穴与电子的结合产生的无效发光。上述技术方案通过在绝缘层远离发光功能层的一侧上设置金属层，能将发光器件发射的光线进行反射，提高了光的利用。其中，在第一电极和第二电极所在的侧面上设置高反射金属镀层，提升了光的利用以及反射腔中的谐振，有利于减小出光角度，以适应需要窄出光且高亮出光的显示应用场景。

另一方面，如图10所示，遮光层24还可以为分布式布拉格反射镜。分布式布拉格反射镜为多种具有不同折射率的无机材料呈周期性排布形成的一种结构。图10展示了一种由两种不同无机材料间隔排布形成的一种分布式布拉格发射镜。其中，通过将遮光层设置成分布式布拉格发射镜不仅对发光器件的多个侧面进行了遮光，同时也提升了光的反射，从增加了光的利用率。

更进一步地，如图8-图10所示，发光器件20例如还包括聚光透镜25。聚光透镜25例如设置在出光口241处并覆盖所述出光口241。其中，通过设置聚光透镜进一步减小了发光器件的出光角度，提高了亮度。

此外，由于遮光层24例如覆盖在出光面2101上，从而出光面2101由出光口241和遮光层24组成。为了进一步减少收窄发光角，覆盖在出光面2101上的遮光层24例如设置有多个镂空图案。因此，出光口241例如包括多个具有镂空图案的子出光口。出光口241在出光面2401的排布情况参照前述第一实施例以及图5和图6对出光口141的描述，在此不再赘述。可以理解的是，多个子出光口可例如对应设置聚光透镜，从而进一步收窄发光角，提高亮度。此外，镂空图案的形状可为方形、圆形、三角形或者其他几何图案，本发明不以此为限。

值得说明的是，本发明第二实施例提供一种发光器件20，其出光面与两个电极位于发光功能层21的同侧，实现发光器件20的顶面出光。而第一实施例提供的一种发光器件10，其出光面位于两个电极的对侧，实现发光器件10的底面出光。两种发光器件均能作为显示面板的窄发光光源，由于其出光面的不同，可应用在不同的场景中。

综上所述，本发明第二实施例具有如下有益效果：通过在出光面上设置带有出光口的遮光层，使得出光口的面积小于出光面的面积，从而实现了发光器件的窄出光。此外在发光器件的其他表面设置遮光层，减小了发光器件的侧面出光。将遮光层设置成绝缘层以及金属层或分布式布拉格发射镜的结构，增加了光在多个侧面的反射以及在反射腔的谐振，从而提高了光的利用率。在出光口设置聚光透镜，进一步收窄了发光器件的出光角度，提高了发光器件的亮度。进一步地，通过设置多个带镂空图案的出光口，进一步收窄了发光角，提供了一种窄发光的发光器件。

【第三实施例】

参照图11，本发明第三实施例提供的一种转移装置30例如包括转移基板311、驱动器件层312、发光器件30以及第一黏接胶体层313。其中，发光器件30采用如前述第一实施例和/或第二实施例提供的任意一种发光器件。发光器件30能实现窄发光，解决了因发光器件发光角度大以及会产生侧面出光对相邻区域造成影响的问题，提供了一种能实现精确解黏的微型器件转移装置。

具体地，转移基板311例如采用玻璃基板、柔性基板或者其他承载性能好的基板材料。驱动器件层312例如为TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)驱动器件、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)、硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon，LCOS)基板等用来驱动发光器件的驱动电路。驱动器件层312例如设置在转移基板311上。发光器件30例如设置在驱动器件层313远离转移基板311的一侧，且发光器件30例如对应电连接驱动器件层，从而能在驱动器件层312的驱动下发出光线。第一黏接胶体层313例如为IR(Infrared Radiation，红外线)、UR(Ultraviolet Rays，紫外线)光解黏胶等可重复使用光解黏胶，其分别能在红外线或是紫外线照射下降低黏度，在不被照射时恢复黏度，因而可以达到重复使用。第一黏接胶体层313例如设置在驱动器件层312上远离转移基板311的一侧。具体地，如图11所示，第一黏接胶体层313例如设置对应覆盖在发光器件30上，从而能发光器件30能和覆盖在其上的可重复光解黏胶实现精确位置的解黏。另一方面，如图12所示，第一黏接胶体层313例如为设置覆盖在驱动器件层312远离转移基板311的整层结构，且第一黏接胶体层313覆盖发光器件30。由于发光器件30为窄发光发光器件，因此能实现窄发光区至可重复使用光解黏胶的精确解黏。可以理解的是，发光器件30对应的数量例如为多个。

采用上述装置进行微型发光二极管转移的过程具体如下：转移装置30通过第一黏接胶体层313黏接多个待转移的微型器件。多个待转移的微型器件例如现有的任意一种类型的微型发光二极管或其他微型元器件。由于第一黏接胶体层313为可重复使用光解黏胶，因而将第一黏接胶体层313黏接的多个待转移微型器件对应转移到目标基板上方的位置之后，驱动器件层312驱动发光器件30发出光线至可重复使用光解黏胶，从而其黏性降低，致使黏接的待转移的微型器件落至目标基板，从而实现微型器件的转移。然后，驱动器件层312控制发光器件30关闭后，可重复使用光解黏胶恢复，从而能重复上述操作，直至所有待转移微型器件全部转移，从而实现了微型器件的大规模转移。由于发光器件30采用如前述第一实施例和/或第二实施例提供的任意一种发光器件，因此，发光器件30的出光角度小，从而发光器件30发光的光线能落在对应位置的可重复使用光解黏胶上，从而实现精确位置的解黏，不影响相邻区域，提高了微型器件转移良率以及转移可靠性。可以理解的是，当需要对目标基板上的某些位置的微型器件的修补时，驱动器件层312也可控制对应目标发光器件30的发光，从而实现对应目标位置微型器件的修补。另一方面，发光器件30发出的光线类型与可重复使用光解黏胶的材料对应设置，举例而言，可重复使用光解黏胶为IR光解黏胶，则发光器件30为发出红外线的窄发光器件。此外，如有其他可重复使用的光解黏胶，其也能被应用在本发明第二实施例中，本发明不以此为限。

另一方面，参照图13，发光器件转移装置30例如还包括黏接基板314以及第二黏接胶体层315。其中，第二黏接胶体层315例如粘贴在驱动器件层312远离转移基板311的一侧，且覆盖在发光器件30上。黏接基板314例如为透光性能良好的玻璃基板、柔性基板等基板材料。黏接基板314例如设置在第一黏接胶体层313和第二黏接胶体层315之间。这里，第二黏接胶体层313的材料例如为黏接性能良好的压敏胶、水性黏胶等用于黏接的胶体材料，其用于黏接黏接基板314和发光器件30。第二黏接胶体层315例如对应覆盖在发光器件30上或者为设置在驱动器件层312且覆盖发光器件30的整层结构，本发明不以此为限制。与前述提到的一种转移装置30不同的是，这里使用的第一黏接胶体层313例如为黏接性能良好的不可重复使用的光解黏胶。举例而言，第一黏接胶体层313可为压敏胶和光敏材料组成的光解黏胶，其在光照之前具有很好的黏性，在光照后，失去黏性，且不可恢复。不可重复使用的光解黏胶成本低，选择范围广，且其通过光照即可解黏，无需控制发光器件的出光颜色。因而，如图13所示，本发明第三实施例还提供一种使用不可重复使用光解黏胶的转移装置30，

具体地，本发明第三实施例提供的一种使用不可重复使用光解黏胶的转移装置30转移微型器件的过程如下：首先，转移装置30通过第一黏接胶体层313黏接多个微型器件，然后将其转移至目标基板上方。转移装置30驱动驱动器件层312，从而驱动器件层312驱动发光器件30发光。发光器件30发出的光线穿过第二黏接胶体层315、黏接基板314至第一黏接胶体层313，从而第一黏接胶体层313在接收到光线后，黏性降低，致使其黏接的微型器件转移至目标基板。由于第一黏接胶体层313为不可重复使用的光解黏胶体，因此在完成一次微型发光二极管转移后，需要剥离黏接基板314从而分离黏接基板314以及黏接在黏接基板314上的第一黏接胶体层313，然后在第二黏接胶体层315远离驱动器件层312上黏接未使用的黏接基板314以及第一黏接胶体层313，重复上述步骤，即可完成大规模的微型器件的转移。可以理解的是，黏接基板314和第一黏接胶体层313之间例如还设置有黏接胶体，该黏接胶体在发光器件30的照射下，黏度基本不发生改变。

进一步地，参照图14，为了实现更精准位置的解黏，第一解黏胶体层313远离所述黏接基板314的一侧上设置有黏接凸起3131。黏接凸起3131用于黏接待转移的微型器件。黏接凸起3151的数量为多个，其位置与对应发光器件30的位置一一对应，如此能实现发光器件30发出的光线穿过第二黏接胶体315、黏接基板314、第一黏接胶体层313到达黏接凸起3151，从而降低黏接凸起3151与其黏接的微型器件的黏接强度，完成微型器件的精确转移。

综上所述，本发明第三实施例提供的转移装置，通过将能实现窄发光的发光器件设置在转移装置上，解决了转移装置中因发光器件因出光角度大以及侧面出光而对相邻区域造成响的问题，从而实现精确位置的解黏，提高微型器件转移良率以及转移可靠性。

此外，可以理解的是，前述各个实施例仅为本发明的示例性说明，在技术特征不冲突、结构不矛盾、不违背本发明的发明目的前提下，各个实施例的技术方案可以任意组合、搭配使用。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。