用于结构和相关联设备的检查方法和设备

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年10月18日递交的欧洲申请18201147.8的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及例如用以评估光刻设备的重叠性能的微观结构的量测。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)制造中。在那种情况下，图案形成装置(其可替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生待形成在IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至被设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上经过辐射束扫描所述图案的同时、平行于或反向平行于这种扫描方向同步地扫描所述衬底，来照射每个目标部分。也可能通过将所述图案压印至衬底上来将所述图案从所述图案形成装置转印至衬底

为了监控光刻过程，有必要测量经图案化的衬底的参数。例如，形成在衬底中或其上的连续层之间的重叠误差。存在用于对在光刻过程中所形成的显微结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。专用检查工具的一种形式是散射仪，其中辐射束被引导至衬底的表面上的目标上，并且测量经散射的或经反射的束的性质。通过将束在其由衬底反射或散射之前的性质与其已由衬底反射或散射之后的性质进行比较，可以确定衬底的性质。例如，可以通过比较经反射束和储存在与已知衬底性质相关联的已知测量结果的库中的数据来进行这种确定。两种主要类型的散射仪是已知的。光谱散射仪将宽带辐射束引导至所述衬底上并且测量被散射至特定窄角度范围中的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。角分辨散射仪使用单色辐射束并且测量作为角度的函数的散射辐射的强度。

由于所测量的结构的大小，这些散射仪无法直接测量结构的尺寸(例如，重叠、临界尺寸(CD)或边缘放置误差(EPE))。实际上，通常使用重构技术进行这些维度或尺寸测量。这些重构技术属于已知总称为逆散射的问题组，其中观测到的数据与可能的实体情形匹配。目标是找到尽可能紧密地引起观测到的数据的实体情形。在散射测量的情况下，电磁理论(麦克斯韦方程式)允许预测哪个数据将是针对给定实体情形的所测量的(散射)数据。这被称为前向散射问题。逆散射问题现在是找到与实际所测量的数据相对应的适当实体情形，所述逆散射问题通常是高度非线性的问题。为理解决这种逆散射问题，使用非线性求解器，所述求解器使用许多前向散射问题的解决方案。在用于重构的已知方法中，发现了关于三个成份的非线性问题：

·例如通过高斯-牛顿方法或类似的数值算法进行的所测量的数据与从所估计的散射设置计算的数据之间的差的最小化；

·散射设置中的被参数化的形状，例如，接触孔的半径和高度；

·每次更新参数时，前向问题(例如，所计算的反射系数)的解决方案的足够高准确度。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种用于从目标结构确定重叠度量的方法，所述方法包括：获得与对所述目标结构的测量相关的角分辨分布光谱数据，所述角分辨分布光谱数据包括对称分量；根据所述角分辨分布光谱数据确定所述目标结构的特征的与重叠相关的轮廓；以及根据所述轮廓确定所述重叠度量。

根据本发明的第二方面，提供一种在衬底上形成目标结构的方法，所述方法包括：将经曝光的特征曝光至遮蔽层上，所述遮蔽层包括限定所述层的遮蔽区域和未遮蔽区域的掩模，使得所述经曝光的特征的第一部分被曝光于所述层的遮蔽区域上且所述经曝光的特征的第二部分被曝光于所述层的未遮蔽区域上，所述第一部分相对于所述第二部分的大小是重叠相关的；和执行蚀刻步骤以限定经蚀刻的特征，所述经蚀刻的特征对应于所述经曝光的特征的所述第二部分。

根据本发明的第三方面，提供一种检查设备，所述检查设备包括：投影光学器件，所述投影光学器件用于将测量辐射投影至衬底上的结构上；检测布置，所述检测布置能操作以获得从由所述结构对所述测量辐射的散射产生的所测量的响应；以及处理器；其中所述检查设备能操作以执行根据所述第一方面所述的方法。

根据本发明的第四方面，提供一种制造设备，所述制造设备包括：光刻曝光设备，所述光刻曝光设备包括：照射源，所述照射源用于提供曝光照射；掩模版平台，所述掩模版平台用于保持对所述曝光照射进行图案化的图案形成装置；以及衬底平台，所述衬底平台用于保持所述衬底；所述光刻曝光设备能操作以执行根据所述第二方面所述的曝光步骤。

根据本发明的第五方面，提供一种包含机器可读指令的一个或更多个序列的计算机程序产品，所述指令被调适以使得一个或更多个处理器执行根据所述第一方面所述的方法。

下文参考随附附图详细地描述本发明的另外的特征和优点，以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本文中所描述的具体实施例。本文中仅出于说明性目的而呈现这样的实施例。基于本文中所包含的教导，额外的实施例将对于相关领域技术人员显而易见。

附图说明

被合并到本文中并且形成说明书的一部分的随附附图图示了本发明，并且与描述一起进一步用于解释本发明的原理并且使相关领域的技术人员能够作出并且使用本发明。

图1描绘光刻设备。

图2描绘光刻单元或簇。

图3描绘第一散射仪。

图4描绘第二散射仪。

图5描绘使用本发明的实施例以用于根据散射仪测量来重构结构的第一示例过程。

图6描绘使用本发明的实施例以用于根据散射仪测量来重构结构的第二示例过程。

图7示意性地描绘(a)用以曝光通孔的自对准BEOL过程的第一步骤和(b)用以蚀刻所述通孔的自对准BEOL过程的第二步骤。

图8示意性地描绘(a)根据本发明的第一实施例的用以曝光通孔以形成目标的自对准BEOL过程的第一步骤和(b)根据本发明的第一实施例的用以蚀刻通孔以形成目标的自对准BEOL过程的第二步骤；

图9的(a)至(c)每个都针对三个不同重叠值，示意性地描绘由图8中所描绘的步骤所形成的目标的细节。

图10示意性地描绘(a)根据本发明的第二实施例的用以曝光通孔以形成目标的自对准BEOL过程的第一步骤和(b)根据本发明的第二实施例的用以蚀刻通孔以形成目标的自对准BEOL过程的第二步骤。

根据结合附图所阐述的以上详细描述，本发明的特征和优点将显而易见，在所述附图中，类似的附图标记始终标识相对应的元件。在所述附图中，类似的附图标记通常指示相同、功能上类似和/或结构上类似的元件。元件第一次出现于的附图在相对应的附图标记中由最左侧数字指示。

具体实施方式

本说明书披露了合并有本发明的特征的一个或更多个实施例。所披露实施例仅仅例示本发明。本发明的范围不限于所披露的实施例。本发明由随附于本说明书的权利要求限定。

所描述的实施例和本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的参考指示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可以不必包括所述特定特征、结构或特性。此外，这些词组不必指同一实施例。另外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其它实施例来实现这种特征、结构或特性都在本领域技术人员的认识范围内。

本发明的实施例可以用硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的实施例还可以被实施为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以被一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以由机器(例如，计算装置)能够读取的形式存储或传输信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存器件；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例行程序、指令在本文中可被描述为执行某些动作。但是，应当理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由执行固件、软件、例行程序、指令等的计算装置、处理器、控制器或其他装置引起的。

然而，在更详细地描述这样的实施例之前，提供可在其中实施本发明的实施例的示例环境是有指导意义的。

图1示意性地描绘了光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)，其被配置成调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造为支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接至第一定位装置PM，所述第一定位装置PM被配置为根据某些参数精确地定位所述图案形成装置；衬底台(例如晶片台)WT，其构造为保持衬底(例如抗蚀剂涂覆的晶片)W，并且连接至第二定位装置PW，所述第二定位装置PW配置为根据某些参数精确地定位所述衬底；和投影系统(例如折射投影透镜系统)PL，其被配置成通过图案形成装置MA将被赋予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

照射系统可包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合，用于引导、成形或控制辐射。

支撑结构支撑所述图案形成装置，即承载所述图案形成装置的重量。其保持所述图案形成装置的方式取决于图案形成装置的取向、光刻设备的设计、和其他条件，诸如例如所述图案形成装置是否被保持在真空环境中。所述支撑结构可以使用机械式、真空式、静电式或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是例如可以根据需要固定或移动的框架或台。支撑结构可确保图案形成装置处于例如相对于投影系统PS的期望位置。本文中术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可被视为与更一般的术语“图案形成装置”同义。

本文中使用的术语“图案形成装置”应广义地解释为指任何可用于在在辐射光束的横截面中向辐射光束赋予图案的装置，例如在衬底的目标部分中创建图案。应注意，赋予辐射束的图案可能不确切地对应于在衬底的目标部分中的期望图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中创建的器件(诸如集成电路)中的特定功能层。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，包括诸如二元掩模、交替相移掩模、和衰减相移掩模、以及各种混合掩模类型的掩膜类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以单独地倾斜以便在不同方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

本文中使用的术语“投影系统”应广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、折射反射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合(视情况而定)，适用于正在使用的曝光辐射或其他因素(诸如浸没液体的使用或真空的使用)。本文中术语“投影透镜”的任何用法可被视为与更一般的术语“投影系统”同义。

如这里所描绘的，所述设备是透射型的(例如，使用透射型掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，使用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或使用反射型掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台，或者在一个或更多个台上执行准备步骤，而同时使用一个或更多个其他台用于曝光。

光刻设备还可以是这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充介于投影系统与衬底之间的空间。浸没液体也可以应用于光刻设备中的其他空间，例如，在掩膜和投影系统之间。本领域公知的是，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸入液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。

参照图1，所述照射器IL从辐射源SO接收辐射束。所述源SO和光刻设备可以是单独的实体，例如当所述源是准分子激光器时。在这种情况下，所述源不被视为形成光刻设备的一部分，并且辐射束借助包括例如合适的定向反射镜和/或束扩展器的这样的束传送系统BD从所述源SO传递到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是光刻设备的组成部分，例如当所述源是汞灯时。所述源SO和所述照射器IL，与束传递系统BD一起(在需要时)，可称为辐射系统。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调节器AD。通常，至少可以调整所述照射器的光瞳平面中的强度分布的外部径向范围及/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器In和聚光器CO。所述照射器IL可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射到保持在支撑结构(例如掩模台MT)上的图案形成装置(例如掩模MA)上，并且由图案形成装置进行图案化。在已穿过所述掩膜MA之后，辐射束B传递通过投影系统PL，投影系统PL将所述束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉装置、线性编码器、二维编码器或电容传感器)，可以精确地移动衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位装置PM和另一位置传感器(未在图1中明确描绘)可用于相对于辐射束B的路径精确地定位所述掩膜MA，例如在从掩模库机械获取之后或在扫描期间。一般而言，所述掩膜台MT的移动可借助于构成第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现。类似地，衬底台WT的移动可以使用形成第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步进器(相对于扫描仪)的情况下，所述掩膜台MT可以仅连接到短行程执行器，或者可以固定。掩膜MA和衬底W可以使用掩模对准标记M

所描绘的设备LA可以在以下模式中的至少一种中使用：

1.在步进模式中，所述掩膜台MT和衬底台WT保持基本上静止，而同时将赋予辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后，衬底台WT在X和/或Y方向上移位，从而可以暴露不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大大小限制了在单次静态曝光中所成像的目标部分C的大小。

2.在扫描模式中，同步地扫描所述掩膜台MT和衬底台WT，而同时将赋予辐射束的图案投影到目标部分C(即，单次动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可由投影系统PL的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中目标部分C的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。

3.在另一模式中，所述掩膜台MT保持基本上静止，保持可编程图案形成装置，并且当赋予辐射束的图案被投射到目标部分C的同时移动或扫描所述衬底台WT。在该模式中，通常使用脉冲式辐射源并且可编程图案形成装置在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要进行更新。这种操作模式可以容易地应用于利用可编程图形形成装置的无掩模光刻，诸如如上所述类型的可编程反射镜阵列。

也可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

如图2中示出的，光刻设备LA形成光刻单元LC(有时也被称作光刻元或簇)的部分，所述光刻单元也包括在衬底上执行曝光前和曝光后过程的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影曝光后的抗蚀剂的显影剂DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底输送装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的过程设备之间移动这些衬底，然后将它们传送到光刻设备的装载台LB。这些装置通常统称为涂覆显影系统或轨道，并且由涂覆显影系统控制单元或轨道控制单元TCU控制，该涂覆显影系统控制单元或轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因而，可以操作不同的设备来最大化吞吐量和处理效率。

为了正确且一致地曝光由光刻设备曝光的衬底，期望检查经曝光的衬底以测量诸如在后续层之间的重叠误差、线厚度或线的粗细、临界尺寸(CD)等性质。如果检测到误差，则可对后续衬底的曝光进行调整，尤其在检查可足够迅速地且快速地进行使得同一批次的其他衬底仍待曝光的情况下。此外，已经曝光的衬底可被剥离以及返工(以改善产率)或被废弃，由此避免对已知有缺陷的衬底执行曝光。在衬底的仅一些目标部分有缺陷的情况下，可仅对良好的那些目标部分执行进一步曝光。

检查设备被用于确定衬底的性质，且尤其是确定不同衬底或同一衬底的不同层的性质如何在不同层间变化。检查设备可被集成至所述光刻设备LA或所述光刻元LC中，或可以是独立装置。为了能实现最快速的测量，需要使检查设备紧接着曝光之后测量在经曝光的抗蚀剂层中的性质。然而，抗蚀剂中的潜像具有非常低的对比度(在抗蚀剂的已被辐射曝光的部分与抗蚀剂的尚未被辐射曝光的部分之间仅存在极小折射率差)且并非所有的检查设备都具有足够的灵敏度来进行对潜像的有用测量。因此，可在曝光后焙烤步骤(PEB)之后进行测量，曝光后焙烤步骤(PEB)通常为对曝光后的衬底执行的第一步骤且增加抗蚀剂的曝光部分与未曝光部分之间的对比度。在此阶段，抗蚀剂中的图像可被称作半潜像(semi-latent)。也可以对显影后的抗蚀剂的图像进行测量(此时，抗蚀剂的曝光部分或未曝光部分已被移除)，或在诸如蚀刻之类的图案转移步骤之后进行对于显影后的抗蚀剂的图像的测量。后一种可能性限制了对有缺陷衬底进行返工的可能性，但仍可提供有用信息。

图3描绘了可用于本发明的实施例中的散射仪。它包括宽带(白光)辐射投影仪2，其将辐射投射到衬底W上。经反射的辐射被传递到光谱仪检测器4，光谱仪检测器4测量镜面反射的辐射的光谱10(强度作为波长的函数)。根据该数据，可以由处理单元PU，例如常规地通过严格耦合波分析(RCWA)和非线性回归，或者通过与仿真光谱的库进行比较，来对引起所检测到光谱的结构或轮廓进行重构，如图3底部处所示。通常，对于重构，结构的一般形式是已知的，且根据对于制造该结构的过程的知识来假设一些参数，仅留下该结构的一些参数根据散射测量数据而被确定。这种散射仪可以被配置为垂直入射散射仪即法向入射散射仪、或倾斜入射散射仪。

在图4中示出可以用于本发明的实施例中的另一散射仪。在此装置中，使用透镜系统12来聚焦由辐射源2所发射的辐射且使所述辐射穿过干涉滤光器13和偏振器17，由部分反射表面16反射所述辐射，并且使所述辐射经由显微镜物镜15而被聚焦至衬底W上，所述显微镜物镜具有高数值孔径(NA)，优选地至少0.9且更优选地至少0.95。浸没散射仪甚至可以具有数值孔径大于1的透镜。经反射的辐射接着透射穿过部分反射表面16进入检测器18中，以便使散射光谱被检测到。所述检测器可以位于背向投影式光瞳平面11中，所述背向投影式光瞳平面位于所述透镜系统15的焦距处，然而，所述光瞳平面可代替地利用辅助光学器件(图中未示出)而被再成像至所述检测器上。所述光瞳平面是其中辐射的径向位置限定入射角且角度位置限定所述辐射的方位角的平面。所述检测器是二维检测器，使得可以测量衬底目标30的二维角散射光谱。检测器18可以是例如CCD或CMOS传感器的阵列，并且可以使用例如每帧40毫秒的积分时间。

例如，经常使用参考束以测量所述入射辐射的强度。为进行这种测量，当辐射束入射到所述分束器16上时，辐射束的一部分作为朝向参考反射镜14的参考束而被透射穿过所述分束器。该参考束接着被投影至同一检测器18的不同部分上。

一组干涉滤光器13可以用以选择在例如405nm至790nm的范围内，或甚至更低(诸如200nm至300nm)的关注的波长。所述干涉滤光器可以是能够调谐的，而不是包括一组不同的滤光器。可以使用例如光栅来代替干涉滤光器。

所述检测器18可以测量在单个波长(或窄波长范围)情况下的散射光的强度、分别在多个波长情况下的散射光的强度，或在整个波长范围上积分的散射光的强度。此外，所述检测器可以分离地测量横向磁偏振光和横向电偏振光的强度，和/或横向磁偏振光与横向电偏振光之间的相位差。

使用用于辐射源2的宽带光源(即，具有宽范围的光频率或波长--且因此具有宽范围的颜色的宽带光源)是可能的，其给出大的集光率，从而允许混合多个波长。宽带中的多个波长优选地各自具有Δλ的带宽和至少2Δλ(即，所述带宽的两倍)的间距。若干辐射“源”可以是已使用光纤束而拆分的扩展型辐射源的不同部分。以这种方式，可以并行地在多个波长情况下测量角分辨散射光谱。可以测量3-D光谱(波长和两个不同角度)，所述3-D光谱包含与2-D光谱相比更多的信息。这允许测量更多信息，从而增加了量测过程稳固性即鲁棒性。这在EP 1,628,164 A2中更详细地描述。

衬底W上的目标30可以是光栅，其被印制成使得在显影之后，栅条由实体抗蚀剂线形成。所述栅条可被替代地被蚀刻至衬底中。这种图案对光刻投影设备(特别是投影系统PL)中的色像差以及照射对称性敏感，并且这样的像差的存在将使其自身显现为所印制的光栅的变化。因此，所印制的光栅的散射测量数据用以重构所述光栅。所述光栅的参数(诸如线宽和形状)可以被输入至由处理单元PU根据印制步骤和/或其它散射量测过程的知识而执行的重构过程。

建模

量测中的严密光学衍射理论的目的实际上是对从目标反射的衍射光谱的计算。所述目标可以是被有意地提供以供用于测量(例如光栅)或需要测量的实际器件结构的任何目标。针对CD(临界尺寸)均一性和重叠量测来获得目标形状信息。重叠量测是测量两个目标的重叠以便确定衬底上的两个层是否对准的测量系统。CD均一性仅仅是所述光栅的在光谱上的均一性的测量结果，其用以确定光刻设备的曝光系统如何运行。具体地，CD(或临界尺寸)是“书写”于衬底上的物体的宽度，并且是光刻设备实体地能够在衬底上书写的极限。另一度量，即边缘放置误差(EPE)实质上是重叠和CD的组合。

在与对诸如所述目标30之类的目标结构及其衍射性质进行建模相结合而使用上文所描述的散射仪中的一种散射仪的情况下，可以按照多种方式执行所述结构的形状和其它参数的测量。在由图5所表示的第一类型的过程中，计算了基于对所述目标形状(第一候选结构)的第一估计的衍射图案，并且比较所述衍射图案与所观测的衍射图案。接着系统地改变所述模型的参数并且以一系列迭代方式来重新计算所述衍射，以产生新的候选结构且因此达到最佳拟合。在由图6所表示的第二类型的过程中，预先计算了用于针对许多不同候选结构的衍射光谱以创建衍射光谱的“库”。接着，比较从测量目标所观测到的衍射图案与所计算的光谱的库以找到最佳拟合。两种方法可以一起使用：可以从库获得粗略拟合，接着进行迭代过程以找到最佳拟合。

更详细地参考图5，将概括地描述执行对目标形状和/或材料性质的测量的方式。对于本说明书，所述目标将被假定为一维(1-D)结构。实际上，所述目标可以是二维的或三维的，并且所述处理将被相应地调适。

在步骤502中，使用散射仪(诸如上文所描述的那些散射仪)来测量所述衬底上的实际目标的响应，并且更具体地，衍射图案。将这种所测量的衍射图案转发至诸如计算机之类的计算系统。所述计算系统可以是上文提及的所述处理单元PU，或其可以是不同的设备。

在步骤503中，建立“模型选配方案”，所述模型选配方案依据一定数目的参数p

在步骤504中：通过设定用于所述浮动参数的初始值p

在步骤506中，例如使用严格光学衍射方法诸如RCWA或麦克斯韦(Maxwell)方程的任何其它求解器，来使用表示所估计的形状的参数、连同所述模型的不同组件的光学性质，以计算散射性质。这给出了所估计的目标形状的所估计的衍射图案或模型衍射图案。

在步骤508和510中，接着比较所测量的衍射图案与所述模型衍射图案，并且使用所测量的衍射图案与所述模型衍射图案的相似性和差异来计算针对所述模型目标形状的“评价函数”。

在步骤512中，在假定所述评价函数指示了所述模型需要在其准确地表示实际目标形状之前被改善的情况下，估计了新参数p

为了辅助进行搜索，步骤506中的计算还可以在参数空间中的这种特定区中产生所述评价函数的偏导数，所述偏导数指示了增加或降低参数将会使得所述评价函数发生增加或降低的敏感度。所述评价函数的计算和导数的使用在本领域中通常是众所周知的，并且这里将不对其进行详细描述。

在步骤514中，当所述评价函数指示了这种迭代过程已以期望的准确度收敛于解时，则当前所估计的参数被报告为所述实际目标结构的测量结果。

这种迭代过程的计算时间在很大程度上由所使用的前向或正演衍射模型来确定，即，使用严格光学衍射理论根据所估计的目标结构来计算所估计的模型衍射图案。如果需要更多参数，则存在更多自由度。(应注意，“参数”这个情境(自由度)下位于麦克斯韦求解过程内部，且不同于并且通常多于在上文步骤中所描述的模型参数)。计算时间原则上随自由度的数目的幂而增加。

能够用各种形式表达在506处计算的所估计的衍射图案或模型衍射图案(或更通常地，响应)。如果以与在步骤510中所产生的所测量的图案相同的形式来表达所计算的图案，则比较会被简化。例如，能够容易地比较经建模的光谱与由图3的设备所测量的光谱；能够容易地比较经建模的光瞳图案与由图4的设备测量的光瞳图案。

遍及整个本说明书中，从图5开始，在假定使用图4的散射仪的情况下，将使用术语“衍射图案”。本领域技术人员能够易于使教导适应于不同类型的散射仪，或甚至适应于其它类型的测量仪器。

图6图示了替代示例过程，其中预先计算针对不同的所估计的目标形状(候选结构)的多个模型衍射图案，并且将所述多个模型衍射图案储存于库中以供与真实测量进行比较。基础原理和术语与针对图5的过程的基础原理和术语相同。图6过程的步骤如下：

在步骤602中，执行产生所述库的过程。可以针对目标结构的每种类型来产生单独的库。所述库可以由测量设备的用户根据需要而产生，或可以由设备的供应商预产生。

在步骤603中，建立“模型选配方案”，所述模型选配方案依据一定数目个参数p

在步骤604中，例如通过产生所有参数的随机值来产生参数p

在步骤606中，计算所估计的衍射图案或模型衍射图案且将其储存在库中，所述衍射图案表示根据由所述参数表示的目标形状而预期的衍射图案。

在步骤608中，产生参数p

在步骤610中，在产生所述库之后(但可以在产生库之前)，将真实目标30放置于所述散射仪中且测量所述真实目标的衍射图案。

在步骤612中，将所测量的图案与储存在所述库中的经建模的图案进行比较以找到最佳匹配图案。可以利用所述库中的每个样本进行所述比较，或可以使用较系统性的搜索策略以缩减计算负担。

在步骤614中，如果找到匹配，则可以将用以产生匹配库图案的所估计的目标形状确定为近似物体结构。将与匹配样本相对应的形状参数输出为所测量的形状参数。可以直接地对所述模型衍射信号执行所述匹配过程，或可以对被优化以供快速评估的替代模型执行所述匹配过程。

在步骤616中，可选地，将最接近的匹配样本用作起始点，并且使用改进过程以获得最终参数以供报告。例如，这种改进过程可以包括与图5所示出的迭代过程非常类似的迭代过程。

现将描述一种用于测量重叠度量的方法。在这样的情境中，重叠度量可以包括重叠自身(层之间的相对位置误差测量的结果)和/或诸如边缘放置误差(EPE)之类的相关/衍生度量。EPE提供由图案化过程所产生的结构的边缘的部位的变化。在实施例中，从重叠值导出EPE。在实施例中，从重叠值与CD值的组合导出EPE。在实施例中，从重叠值、CD值和与局部变化相对应的值(例如，各单独结构的边缘粗糙度、形状不对称性，等等)的组合导出边缘放置。在实施例中，EPE包括经组合的CD误差和重叠误差的极值(例如，3倍标准差，即，3σ)。在特定实施例中，在涉及形成结构并且涉及由通过蚀刻由图案化过程关于所述结构所提供的图案而移除结构的一部分来“切割”结构的多图案化过程中，EPE可以具有以下形式(或包括以下项中的一项或更多项)：

其中σ是标准差，σ

目前，通常基于测量在结构中的不对称性和从所测量的不对称性推断重叠来执行用于确定重叠度量或诸如EPE之类的衍生重叠度量的重叠量测。如上文所论述的，专用量测工具的快速且非侵入性形式是辐射束被引导至所述衬底的表面上的目标上且测量所述散射束(衍射束/反射束)的性质的量测工具。通过评估由衬底散射的辐射的一个或更多个性质，可以确定衬底的一个或更多个性质。这可以被称为基于衍射的量测。这种基于衍射的量测的一个这样的应用是在目标内的特征不对称性的测量中。例如，可以通过比较所述衍射光谱的相对部分(例如，比较周期性光栅的衍射光谱中的-1阶与+1阶)来测量不对称性。这种测量可以如以上所描述的方式来完成，并且如(例如)全文以引用方式而被合并入本文中的美国专利申请公开US2006-066855中所描述的方式来完成。其它方法包括例如通过比较这些图像中的-1阶与+1阶的强度来测量暗场图像的强度。另一重叠量测技术是基于产品分辨率结构(而不是光栅对)的结构不对称性的测量，下文被称作ARO量测(分辨率情况下的重叠量测)。ARO量测描述于PCT专利申请公开WO2017/149009中，其以引用的方式而被合并入本文中。ARO量测是不需要偏置后的目标的基于重构的重叠量测。本文献中所描述的方法是基于“不对称光瞳”的测量或不对称光谱/强度分布。不对称光瞳是其中对称强度分布分量已被移除的光瞳(光瞳或傅里叶平面的所测量的强度分布)；即，特定光瞳图像像素可以通过从该特定光瞳图像像素处的强度减去对称地定位的光瞳图像像素的强度，来移除对称强度分布分量，并且反之亦然。

目前，虽然这些技术有效，但期望提供新的测量技术，并且具体地，可以从对称结构的变化导出重叠度量的技术，例如不基于对结构不对称性的变化进行测量的技术。在实施例中，这种方法可以包括使用整个或完全光瞳，而无需移除光瞳的对称分量。通过不舍弃所述对称分量，获得强得多的重叠度量信号。

在一个实施例中，其中众所周知的，所测量的结构应是对称的，残余不对称光瞳(不对称光瞳分量)可以用以针对信号的不对称性来对(未知的)源进行建模。这种新模型可以用以推断整个晶片/目标，以便找出可能的非产生的或不良的(non-yielding)目标(即，指示非产生或不良的管芯的目标)。在替代实施例中，可能仅仅使用所述光瞳的对称分量，由此移除不想要的不对称性(例如，通过如上文所描述的移除所衍生的不对称分量，或通过等效方法)。这应产生具有较低残余的较易收敛的模型。

这种方法可以包括：测量在所述光瞳(傅里叶)平面中的由从目标结构反射和/或衍射的辐射(例如，包括零阶和/或更高阶衍射)得到的光瞳(角分辨强度和/或相位分布)；和使用重构技术(诸如上文所描述的那些重构技术)来执行所述目标结构的几何结构的重构(例如，如CD量测中所用的)。在实施例中，这种方法将提供CD和重叠的组合确定(并且因此，提供EPE的测量的结果)。这将与当前方法相比增大量测速度和吞吐量，在当前方法中通常重叠和CD使用不同技术被分别测量。

为了促成这种方法，具有与重叠相关的轮廓的目标结构应被形成在衬底上，可以根据其来推断重叠度量。与重叠相关的轮廓不需要依赖于任何不对称性，并且因此可以关于正被测量的重叠的方向是对称的。

现将描述用于限定与重叠相关的轮廓的特定方法。这种方法基于“自对准”光刻技术。这些自对准技术通常用于后道工艺即后端过程技术(BEOL)处理中，但不限于此，并且可以应用于前道工艺即前端过程技术(FEOL)和/或中间工艺即中间端过程技术(MOL)处理中，例如用以在晶体管或其它集成电路制造过程中形成栅极接触部。

在自对准过程流程中，蚀刻选择性用以例如通过定义特征轮廓来帮助对准目标结构或特征的定位，从而使得经曝光的特征的相对较小的偏离(在蚀刻之前)不会导致得到的经蚀刻特征的位置的显著改变。如此，蚀刻步骤导致特征相对于硬掩模或层中的其它特征(诸如，得到的金属特征)自对准。

图7图示了示意性地示出BEOL自对准过程的两个步骤的特定示例。所述附图示出(a)介电层730上的用于形成金属层的硬掩模线700和硬掩模区块710，其中通孔720已在所述介电层730上被曝光；和(b)蚀刻步骤之后的同一布置，用以将通孔720’蚀刻至电介质730中。通常，重叠和CD涉及形成最终通孔形状，所述最终通孔形状对于互连件电阻和最终器件产率来说很重要。所述蚀刻步骤将经曝光通孔720仅仅蚀刻至电介质730中而不是硬掩模700、710，以获得经蚀刻的通孔720’。为利用这种情形，经曝光的通孔720被过大地曝光；即，与关于它们被蚀刻至的电介质730的宽度所需要的相比更大。将理解，因为这种情形，经曝光的通孔720的相对于硬掩模线700在Y方向上的位置(即，重叠)变化、以及经曝光的通孔的形状/轮廓或CD变化存在一些容限或范围，而不会显著影响经蚀刻的通孔720’的形状和功能性。如此，经蚀刻的通孔720’的EPE相对于在经曝光的通孔720中的CD或重叠的变化而言在很大程度上具有弹性。

图8和图9图示了基于上文所描述的自对准技术的新颖的目标构思，其提供可以被测量的分辨率情况下的重叠目标以及使用所述光瞳的对称分量而提取的重叠。图8的布置与图7的所述布置在很大程度上是同义的，并且示出(a)电介质830上的硬掩模线800和区块810，其中通孔820在所述电介质830上被曝光；和(b)在蚀刻步骤之后的同一布置，用以将经曝光的通孔820蚀刻至电介质830中以获得经蚀刻的通孔820’。这种目标布置与图7的产品布置之间的差异在于，对于目标布置，在经曝光的通孔820的位置与硬掩模线800之间，在Y方向上存在有意的重叠偏移，使得经蚀刻的通孔820’具有与图8的(b)中所图示的轮廓类似的轮廓。所述偏移可以是使得(假定重叠误差为零)经曝光的通孔820仅仅接触一个硬掩模线800，并且因此每个经蚀刻的通孔820’包括半圆形的形状(当然，这对于实际产品结构将会是非常不期望的，并且因此所述偏移应仅仅被实施于用于量测目的的专用目标区域中)。如此，所述偏移可以是使得(在无重叠的情况下)所述蚀刻步骤移除经曝光的通孔的大约一半(例如，超过40％、超过45％)。然而，这仅仅是示例，并且其它特征形状和位置偏移是可能的。

这种目标可以被曝光于一个或更多个目标区域中(例如，在诸如图7中所图示的产品结构之中的部位处)，并且每个目标区域可以仅仅包括一个或多于一个经蚀刻的通孔820’。在目标包括多于一个经蚀刻的通孔820’处，所测量的重叠度量可以包括与每个经蚀刻的通孔820’相对应的值的平均值(或其它组合)。可以理解，所述目标820’将具有相同或类似的特征大小，且与其将用以测量的产品结构720’相比具有相同间距。由于这种小特征大小，当前散射仪可能无法测量隔离的单个特征(经蚀刻的通孔)(但是未来的散射仪或扫描电子显微镜(SEM)装置可能能够做到)。在不可能进行单个特征测量的位置处，测量可以包括重构多个经蚀刻的通孔820’。在这种情况下，平均值或其它代表性值可以用于确定重叠、CD或EPE中的一个或更多个。可以可选地在平均化之前移除异常值。

图9针对(a)第一Y方向重叠值、(b)第二Y方向重叠值和(c)第三Y方向重叠值示出经曝光的通孔820和相对应的经蚀刻的通孔820'。在每种情况下，经曝光的通孔820与金属层之间在Y方向中的相对位置、以及因此硬掩模线800预期是相同的(即，通孔以相同的有意偏移进行曝光)，从而图9的(a)至(c)中所描绘的布置之间的差别仅仅导致形成重叠误差和/或重叠度量变型(例如，EPE的变型)。在每种情况下，可以看出，经蚀刻的通孔820'具有显著不同的轮廓。也可以看出，对于这种实施例，轮廓关于Y轴基本上对称，从而图9的(a)、(b)和(c)中的轮廓差异不会造成不对称性的显著改变。

散射测量将对轮廓的这种改变是敏感的。具体地，角分辨(光瞳平面)测量的(角分辨)强度和/或相位分布光谱(光瞳)(其包括(或仅仅包括)其对称分量)将是对这种改变敏感的。这是因为重叠的变化导致所测量的特征(通孔820')的轮廓和/或CD发生实际改变，而不是仅仅导致特征的移位。因此，提议从分布光谱重构所述轮廓，并且从经重构后的轮廓导出所述重叠度量。在实施例中，所述重构将会(例如，同时)重构CD和轮廓两者以导出重叠和CD。在实施例中，使用这种所导出的重叠和CD来导出EPE(或从重构的轮廓直接导出EPE)。轮廓的重构可以使用上文参考图5和图6所描述的方法中的任一方法。也可以使用在上述WO2017148982中所描述的方法来从分布光谱推断重叠，但没有从所述分布光谱移除所述对称分量的步骤。这种方法确定权重并且在测量分布中将权重指派至每个像素，这取决于像素对重叠的灵敏度，其中所述像素根据加权而被求和来确定重叠。

图10示出第二BEOL实施例，其能够测量除Y方向中的重叠之外(或代替Y方向中的重叠)的X方向中的重叠。如前所述，这种实施例也能够实现CD的同时测量，并且因此实现EPE。图10的布置与图8的所述布置在很大程度上是同义的，并且示出(a)电介质1030上的硬掩模线1000和硬掩模区块1010，其中通孔1020在所述电介质上被曝光；和(b)在蚀刻步骤之后的同一布置，用于将经曝光的通孔1020蚀刻至电介质1030中以获得经蚀刻的通孔1020'。这种目标布置与图8的产品布置之间的差异在于，对于金属层，通孔1020每个都邻近于硬掩模区块1010且与硬掩模区块1010部分叠置而被曝光。可以理解，结果是经蚀刻的通孔1020'将具有取决于X(和Y)中的重叠的轮廓。然而，根据这种实施例而形成的目标可以具有与产品结构的间距不同的间距(相比于图8实施例，将具有与产品结构相同的间距)。

在又一实施例中，代替测量专用目标，可以对实际产品结构执行测量，例如，所述目标结构可以包括诸如图7的(b)中所图示的实际产品结构。在这种实施例中，测量小重叠/CD变型可能是不可能的。然而，如果通孔由足够大以产生无作用器件的重叠/CD偏离来形成，则所述自对准过程将很可能使用本文中所描述的方法而导致轮廓的可测量的改变。

在BEOL过程中的通孔形成的特定情境中，上文所描述的方法的优点在于其提供用于测量通孔的串联度量或指标。当前，使用电学技术在包括形成额外金属层的金属化步骤之后测量互连件的电阻(形成在通孔中)。由于通孔是确定互连件电阻的较重要参数中的一个参数，因此在金属化之前使用串联散射测量方法来监控通孔的能力将会非常有益。另外，这些方法提供通孔形状的非破坏性的蚀刻后测量。这种测量可以用以同时推断或重构通孔CD和重叠(并且因此EPE)。这种信息可以用以确定从扫描器和/或蚀刻器得到的重叠和/或CD贡献的校正，其可以被反馈回适当设备。

本发明的实施例可以通过对参考图3和图4所描述的处理单元PU实施本文中所描述的方法以提供用于重构对象的近似结构的检查设备来实施。此外，虽然使用散射仪描述了量测，但所披露的目标结构可以使用任何其它类型的合适的量测装置(例如，SEM)来测量。

参考图3或图4所描述的处理器可以在包含用于对结构的电磁散射性质进行计算的机器可读指令的一个或更多个序列的计算机程序的控制下操作，所述机器可读指令用于计算结构的电磁散射性质，所述指令被调适以使一个或更多个处理器执行本文中所描述的方法。

尽管在本文中可以具体地参考检查设备在IC制造中的使用，但应理解，本文中所描述的检查设备可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应了解，在这些替代应用的情境中，可以认为本公开对术语“晶片”或“管芯”的任何使用分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在例如涂覆显影系统或轨道(通常将抗蚀剂层施加至衬底且显影经曝光的抗蚀剂的工具)、量测工具和/或检查工具中处理本文中提及的衬底。在适用时，可以将本文中的公开内容应用于这样的衬底处理工具和其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得本文中所使用的术语衬底也可以指已经包含多个处理后的层的衬底。

根据上文所描述的本发明的实施例的方法可以被合并入用于根据所检测到的电磁散射性质(诸如由通过辐射对物体进行照射所引起的衍射图案)对物体(不限于1D周期性的物体)的近似结构进行重构的前向或正演衍射模型中，如上文参考图5和图6所描述的。上文参考图3和图4所描述的处理单元PU可以被配置成使用这种方法来对物体的近似结构进行重构。

在以下编号方面中描绘根据本发明的另外的实施例：

1.一种用于从目标结构确定重叠度量的方法，所述方法包括：

获得与对所述目标结构的测量相关的角分辨分布光谱数据，所述角分辨分布光谱数据包括对称分量；

根据所述角分辨分布光谱数据确定所述目标结构的特征的与重叠相关的轮廓；以及

根据所述轮廓确定所述重叠度量。

2.根据方面1所述的方法，其中根据所述角分辨分布光谱数据确定所述目标结构的特征的与重叠相关的轮廓的步骤包括：在没有首先移除所述对称分量的情况下根据所述角分辨分布光谱数据确定所述轮廓。

3.根据方面2所述的方法，其中确定与重叠相关的轮廓的所述步骤包括：使用所述目标结构的参数化几何模型来执行所述目标结构的重构。

4.根据任一前述方面所述的方法，还包括：与确定所述重叠度量同时地，根据所述轮廓来确定所述特征的临界尺寸。

5.根据任一前述方面所述的方法，其中所述重叠度量包括重叠或边缘放置误差。

6.根据任一前述方面所述的方法，其中所述角分辨分布光谱数据与在蚀刻步骤之后所执行的对所述目标结构的测量相关。

7.根据方面6所述的方法，其中所述特征包括由自对准过程所形成的特征，使得在所述蚀刻步骤期间的蚀刻选择性限定所述与重叠相关的轮廓。

8.根据方面6或7所述的方法，其中所述特征是已在相对于遮蔽层的有意偏移的情况下被曝光的经蚀刻的通孔。

9.根据方面8所述的方法，其中所述有意偏移使得在无重叠的情况下，在所述蚀刻步骤期间移除所述经曝光的通孔的大致一半，所移除的实际量取决于重叠。

10.根据任一前述方面所述的方法，包括：执行散射测量量测步骤以获得所述获得角分辨分布光谱数据。

11.根据任一前述方面所述的方法，其中所述目标结构包括多个所述特征，并且所述重叠度量是针对多个单独的特征中的每个特征而确定的所述重叠度量的多个单独的值的平均值。

12.根据任一前述方面所述的方法，包括：从所述角分辨分布光谱数据移除不对称分量，由此仅仅根据所述对称分量确定所述与重叠相关的轮廓。

13.根据方面1至11中任一项所述的方法，包括：确定所述角分辨分布光谱数据中的不对称分量的原因。

14.根据方面13所述的方法，包括：以所述不对称分量的所确定的原因进行产率预测。

15.根据任一前述方面所述的方法，包括：执行曝光和蚀刻步骤以形成所述目标结构。

16.一种在衬底上形成目标结构的方法，所述方法包括：

将经曝光的特征曝光至遮蔽层上，所述遮蔽层包括限定所述层的遮蔽区域和未遮蔽区域的掩模，使得所述经曝光的特征的第一部分被曝光于所述层的遮蔽区域上且所述经曝光的特征的第二部分被曝光于所述层的未遮蔽区域上，所述第一部分相对于所述第二部分的大小是重叠相关的；和

执行蚀刻步骤以限定经蚀刻的特征，所述经蚀刻的特征对应于所述经曝光的特征的所述第二部分。

17.根据方面16所述的方法，其中所述特征由自对准过程形成，从而蚀刻选择性在所述蚀刻步骤期间限定所述经蚀刻的特征的与重叠相关的轮廓。

18.根据方面17所述的方法，其中所述遮蔽区域和未遮蔽区域使得在单个方向上划分第一部分与第二部分，从而所述经蚀刻的特征的轮廓取决于在仅仅第一方向上的重叠。

19.根据方面18所述的方法，其中所述特征实质上关于所述第一方向中的轴对称。

20.根据方面19所述的方法，其中所述经蚀刻的特征具有实质上半圆形的形状。

21.根据方面18、19或20所述的方法，其中所述目标结构包括具有与周围产品结构的间距相同的间距的多个所述特征。

22.根据方面17所述的方法，其中所述遮蔽区域和未遮蔽区域使得在两个方向上划分第一部分与第二部分，从而所述经蚀刻的特征的轮廓取决于在两个方向上的重叠。

23.根据方面22所述的方法，其中所述经蚀刻的特征具有实质上四分之一环形的形状。

24.根据方面16至23中任一项所述的方法，其中所述经曝光的特征对应于用于形成通孔的经曝光的特征，但在相对于所述遮蔽层的有意偏移的情况下被曝光。

25.一种衬底，包括由根据方面16至24中任一项所述的方法所形成的目标结构。

26.一种掩模版集合，包括用于根据依据方面16至24中任一项所述的方法曝光目标结构的互补图案。

27.一种检查设备，所述检查设备包括：

投影光学器件，所述投影光学器件用于将测量辐射投影至衬底上的结构上；

检测布置，所述检测布置能操作以获得从由所述结构对所述测量辐射的散射产生的所测量的响应；以及

处理器；其中

所述检查设备能操作以执行根据方面1至14中任一项所述的方法。

28.一种制造设备，所述制造设备包括：

光刻曝光设备，所述光刻曝光设备包括：

照射源，所述照射源用于提供曝光照射；

掩模版平台，所述掩模版平台用于保持对所述曝光照射进行图案化的图案形成装置；以及

衬底平台，所述衬底平台用于保持所述衬底；

所述光刻曝光设备能操作以执行根据方面16至24中任一项所述的曝光步骤。

29.根据方面28所述的制造设备，包括用于执行根据方面16至24中任一项所述的蚀刻步骤的蚀刻设备。

30.一种光刻单元，所述光刻单元包括根据方面28或29所述的制造设备和根据方面27所述的检查设备，所述光刻单元还能操作以：

使用所述重叠度量来确定对由所述制造设备所执行的制造过程的校正；和

在所述制造过程的后续执行中使用所述校正。

31.根据方面30所述的光刻单元，其中所述检查设备能操作以在所述制造过程中执行金属化步骤之前确定所述重叠度量。

32.一种包含机器可读指令的一个或更多个序列的计算机程序产品，所述指令被调适以使得一个或更多个处理器执行根据方面1至14中任一项所述的方法。

尽管上文已经对本发明的实施例在光学光刻术中的情形中使用做出了具体参考，但应该理解的是，本发明可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在情境允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被印制到提供给衬底的抗蚀剂层中，通过施加电磁辐射、热、压力或它们的组合而使抗蚀剂固化。将图案形成装置从抗蚀剂中移出，从而在抗蚀剂固化后留下图案。

本文中使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如波长为或约为365、355、248、193、157或126nm)和极紫外线(EUV)辐射(例如波长在5至20nm范围内)以及粒子束，诸如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可指各种类型光学部件的任何一种或组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件。

术语“电磁的”涵盖电性的和磁性的。

虽然本发明的具体实施例已经在上文中描述过，但是应当理解，本发明可以用并非所描述的方式实践。例如，本发明可以呈包含描述如上所公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序、或者具有存储在其中的计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

应当理解，旨在用于解释权利要求的是“具体实施方式”部分，而不是“发明内容”和“摘要”部分。发明内容部分和摘要部分可以阐述发明人所设想的本公开的一个或更多个但不是全部示例性实施例，因此，发明内容部分和摘要部分不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。

上面已经借助于示出特定功能及其关系的实现的功能构造块描述了本发明。为了描述的方便，在这里已经任意定义了这些功能构件的边界。只要适当执行指定的功能及其关系，就可以定义其他边界。

具体实施方式的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，通过应用本领域技术范围内的知识，其他人可以为了各种应用容易地修改和/或适应这样的特定实施方案，而无需过多的实验，而不脱离本发明的一般概念。因此，基于本文给出的教导和指导，这些改变和修改旨在落入所公开实施例的等同物的含义和范围内。应理解，这里的措辞或术语是出于通过示例进行描述而非限制性的目的，使得本说明书的术语或措辞将由技术人员根据教导和指导来解释。

本发明的广度和范围不应受任一上述的示例性实施例限制，而应仅由下述的权利要求书及其等同方案来限定。