半导体清洗装置及方法

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体清洗装置及方法。

背景技术

刻蚀机主要应用于航空、机械、半导体中，在半导体领域中，刻蚀机通过对晶圆基底采用物理或化学处理方法形成工艺图案，刻蚀机分为化学刻蚀机和电解刻蚀机两类，在化学刻蚀中，使用化学溶液，经由化学反应以达到刻蚀的目的，而电解刻蚀机是将材料用化学或物理撞击作用而移除的技术，用以清洗晶圆基底上残存的硅化物等残留物。

在化学刻蚀机对晶圆进行清洗时，刻蚀机是通过自身的机械手臂带动喷嘴做旋转运动，喷嘴喷出药液对晶圆表面进行清洗，通常情况下，喷嘴的数量为多个，当一个喷嘴喷洒药液时，由于在晶圆上药液会发生反溅，使得反溅的药液在其他喷嘴上会形成悬挂的液滴，在后续其它喷嘴工作时，悬挂的液滴滴落会在晶圆上产生水痕，这种水痕会造成晶圆的颗粒缺陷，降低了产品的良率。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开提供了一种半导体清洗装置及方法。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体清洗装置，该装置包括：

机台本体，所述机台本体设置有清洗腔室，所述清洗腔室中夹持有晶圆，所述晶圆随着所述机台本体中的旋转底座做旋转运动；

机械手臂，所述机械手臂通过固定在所述机台本体上的轴进行绕轴旋转；

喷嘴组，所述喷嘴组设置在所述机械手臂的一端，所述喷嘴组包括第二喷嘴、第四喷嘴、第三喷嘴和第一喷嘴依次排列，所述第三喷嘴与所述第四喷嘴的长度小于所述第二喷嘴的长度，所述喷嘴用于喷洒药液以清洗所述晶圆；

空气喷入装置，所述空气喷入装置与所述清洗腔室连接，所述空气喷入装置用于产生压缩干燥空气以压低所述喷嘴喷出的药液在所述晶圆上方形成的反溅面。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴的长度相等，所述第三喷嘴与所述第四喷嘴的长度相等。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第三喷嘴与所述第四喷嘴的长度比所述第二喷嘴的长度短1～3mm。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述空气喷入装置包括压缩干燥空气装置和风机过滤器。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述压缩干燥空气装置用于产生压缩干燥空气，所述压缩干燥空气在竖直方向上作用于所述反溅面的顶面。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述风机过滤器用于过滤所述空气喷入装置产生的压缩干燥空气。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述机械手臂的绕轴旋转包括逆时针旋转和顺时针旋转，所述晶圆的旋转运动包括顺时针旋转和逆时针旋转。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，在所述晶圆的旋转为逆时针旋转，所述机械手臂绕轴逆时针运动时，所述喷嘴对所述晶圆进行药液喷洒。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，在所述晶圆的旋转为逆时针旋转，所述机械手臂绕轴顺时针运动时，所述喷嘴对所述晶圆不进行药液喷洒。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，在所述晶圆的旋转为顺时针旋转，所述机械手臂绕轴顺时针运动时，所述喷嘴对所述晶圆进行药液喷洒。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，在所述晶圆的旋转为顺时针旋转，所述机械手臂绕轴逆时针运动时，所述喷嘴对所述晶圆不进行药液喷洒。

根据本公开的另一个方面，提供了一种半导体清洗方法，该方法包括：

提供喷嘴组，所述喷嘴组包括第二喷嘴、第四喷嘴、第三喷嘴和第一喷嘴依次排列，所述第三喷嘴与所述第四喷嘴的长度小于所述第二喷嘴的长度，所述喷嘴组利用所述喷嘴喷洒的药液清洗晶圆表面的残留物；

提供空气喷入装置，所述空气喷入装置产生压缩干燥空气，将所述压缩干燥空气通入清洗腔室，所述压缩干燥空气压低所述药液在所述晶圆上方形成的反溅面；

提供机械手臂，所述喷嘴组设置在所述机械手臂上，所述机械手臂相对于所述晶圆进行往返旋转，所述晶圆做逆时针旋转运动且所述机械手臂做逆时针旋转时，所述喷嘴组对所述晶圆表面喷洒药液，清洗所述晶圆。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：若所述晶圆做逆时针旋转运动且所述机械手臂做顺时针旋转，所述喷嘴组停止对所述晶圆表面喷洒药液。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述空气喷入装置包括压缩干燥空气装置和风机过滤器，所述所述空气喷入装置产生压缩干燥空气包括：

提供压缩干燥空气装置和风机过滤器，通过所述压缩干燥空气装置产生压缩干燥空气，并通过所述风机过滤器过滤所述压缩干燥空气后，将所述压缩干燥空气通入所述清洗腔室。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：若所述晶圆做顺时针旋转运动且所述机械手臂做顺时针旋转，所述喷嘴组对所述晶圆表面喷洒药液。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：若所述晶圆做顺时针旋转运动且所述机械手臂做逆时针旋转，所述喷嘴组停止对所述晶圆表面喷洒药液。

本公开提供的半导体清洗装置，第一方面通过将装置中多个喷嘴的高度设置为不同的高度，使得喷嘴喷出的药液形成的反溅面不会在相邻喷嘴上形成悬挂的液滴，可以改善喷嘴悬滴的形成，同时由于喷嘴的悬滴的减少，可以提高后续晶圆加工的良率；

第二方面，该装置通过加装空气喷入装置，可以在晶圆上方喷入压缩干燥空气，压低药液在晶圆上方形成的反溅面，降低反溅面的高度，减小反溅面在喷嘴上形成悬滴的概率，进而保证了喷嘴喷出药液的流量和压力；

第三方面，本公开提供的装置通过改变机械手臂的运动方式改变喷嘴的药液反溅面的方向，可以改变喷嘴上悬滴的形成，保证不改变药液在晶圆上作用面的同时提高了晶圆的加工良率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开示例性实施例中的一种半导体清洗装置的结构示意简图。

图2为本公开示例性实施例中的一种半导体清洗装置的喷嘴长度改变示意图。

图3为本公开示例性实施例中的一种半导体清洗装置的机械手臂运动示意图。

图4为本公开示例性实施例中的一种空气喷入装置的结构示意简图。

图5为本公开示例性实施例中的一种半导体清洗方法的流程示意图。

图6为本公开示例性实施例中的一种半导体清洗方法的机械手臂与晶圆的运动流程图。

其中，附图标记说明如下：

1：机台本体；2：晶圆；3：喷组组；

4：机械手臂；5：空气喷入装置；11：旋转底座；

31：第一喷嘴；32：第二喷嘴；33：第三喷嘴；

34：第四喷嘴；51：压缩干燥空气装置；52：风机过滤器。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

在晶圆加工过程中，由于在其他工序中涉及到光刻胶等物质在晶圆表面的残留，会通过清洗工艺将晶圆表面的残留物进行清除，以保证晶圆后续加工精度，以单片式水洗刻蚀机为例，将晶圆放置在加工台上，通过装置本身的清洗液供给系统将不同的药液、纯水或者清洗气体传输至输液管后，通过不同的喷嘴将不同的药液喷出，由于单片式清洗可以较好的控制清洗药液或者纯水在晶圆表面的分布，同时，在晶圆清洗的过程中，装置机台上的旋转装置带动晶圆以一定的转速做圆周运动，同时装置中安装有喷嘴的机械手臂也会以来回吹扫的方式在晶圆上方做相对运动，可以使得单片式清洗具有清洗药液或者纯水的消耗少、高制作工艺环境控制能力、占地小等优点，并且清洗药液或者纯水可以在装置中不断更新，能够有效防止交差污染，工艺稳定性好，在半导体制造工艺中，单片式清洗方式是主要的清洗方式之一。

但晶圆在清洗的过程中，由于喷嘴喷出的液体会在晶圆的表面形成反溅面，反溅面一下为药液形成的水雾区，反溅区域会覆盖喷嘴的喷嘴口处，使得药液喷雾会在其它喷嘴口处凝结成药液悬滴，在喷嘴进行药液喷洒的过程中，由于喷嘴口处存在药液悬滴，会影响喷嘴喷出药液的流量和压力，在晶圆的加工过程中，由于药液流量和压力的改变，会在晶圆表面形成加工缺陷，影响晶圆的良率，进而影响晶圆的产量。

因此，本公开为改善上述的缺陷，提供了一种半导体清洗装置及方法。

本公开实施方式提供了一种半导体清洗装置，图1为本公开示例性实施例中的一种半导体清洗装置的结构示意简图，如图1所示，该装置包括：

机台本体1、喷嘴组3、机械手臂4和空气喷入装置5。

其中，机台本体1设置有清洗腔室，清洗腔室中夹持有晶圆2，晶圆2随着机台本体1中的旋转底座11做旋转运动。

晶圆2的旋转运动方向可根据旋转底座11的旋转方向确定，晶圆2固定在旋转底座11上，晶圆2在旋转底座11上做绕晶圆2中心轴端的圆周旋转。

在晶圆加工过程中，若需要晶圆2为顺时针旋转，则在装置中设置旋转底座11的旋转方向为顺时针，使得旋转底座11带动晶圆2做顺时针方法旋转；若需要晶圆2为逆时针旋转，则在装置中设置旋转底座11的旋转方向为逆时针，使得旋转底座11带动晶圆2做逆时针方法旋转。此外，晶圆2的旋转速度可以根据实际的加工需要确定，并且需要旋转底座11与晶圆2具有相同的速度。

机台本体1可以为单片式水洗刻蚀机的机台，可以为其它类型的刻蚀机的机台，可以根据晶圆的具体加工需求进行机台的选择，本公开不做具体限定。

其中，机械手臂4通过固定在机台本体1上的轴进行绕轴旋转。

在机台本体1上设置有机械手臂轴，机械手臂轴用于固定机械手臂4，并且机械手臂4可绕机械手臂轴做旋转运动，机械手臂4设置的晶圆2的上方，机械手臂4相对与晶圆2可做顺时针和逆时针的周期性运动，机械手臂4的一端固定在机械手臂轴上，另一端为自由旋转端，在自由旋转端上设置喷嘴。

在喷嘴喷洒药液时，晶圆2和机械手臂4均处于旋转运动状态，尤其是在晶圆2为逆时针旋转，机械手臂4顺时针进入晶圆2表面所在的区域时，相较于在晶圆2为逆时针旋转，机械手臂4逆时针离开晶圆2表面所在的区域时，产生的反溅区域更大，因此，为了减小反溅区的面积，在晶圆2处于逆时针运动时，机械手臂4上的喷嘴只在机械手臂4为逆时针离开晶圆2表面所在的区域时，喷嘴才进行药液的喷洒，其它情况下喷嘴不进行药液的喷洒。

与上述原理相同，当晶圆2的旋转为顺时针旋转时，机械手臂4顺时针进入晶圆2表面所在的区域时，喷嘴进行药液的喷洒，其它情况下喷嘴不进行药液的喷洒。

其中，喷嘴组3设置在机械手臂4的一端，喷嘴组3包括第二喷嘴32、第四喷嘴34、第三喷嘴33和第一喷嘴31依次排列，第三喷嘴33与第四喷嘴34的长度小于第二喷嘴32的长度，喷嘴用于喷洒药液以清洗晶圆2。

以单片式水洗刻蚀机为例，第二喷嘴32喷洒的药液为雾状DIW(Deioned Water，去离子水)，第四喷嘴34喷洒的药液为DIW，第三喷嘴33喷洒的药液为化学药液，第一喷嘴31喷洒的药液为Hot IPA(Hot Isopropyl Alcohol，热异丙醇)，在第二喷嘴32加工晶圆2的过程中，雾状DIW在喷洒在晶圆2的表面后，会形成如图1中虚线三角形区域所示的反溅区，同时由于第二喷嘴32喷射的雾状DIW，会在喷嘴组3的周围区域形成水雾区(水雾区如图1中虚线矩形示出区域)，反溅区和水雾区的共同作用，会使得原有的与第二喷嘴32相同高度的第四喷嘴34和第三喷嘴33的喷嘴口处形成悬滴。

本公开中，如图2所示，图2示出第四喷嘴34的相对于第二喷嘴32位置上的调整，将第四喷嘴34设置为高度小于第二喷嘴32，第四喷嘴34比第二喷嘴32在长度上短1-3mm，例如，第四喷嘴34在长度上可以比第二喷嘴32短2mm，这样可使得第四喷嘴34的喷嘴口高度相对与晶圆2表面进行了提升，使得第四喷嘴34的喷嘴口远离水雾区(如图中虚线部分区域示出)，在第二喷嘴32有药液喷出时，即便形成了反溅区和水雾区，均可以使得第四喷嘴34的喷嘴口不受第二喷嘴32喷出的药液影响。

第三喷嘴33由于也在第二喷嘴32的反溅区和水雾区的影响范围内，因此第三喷嘴33与第四喷嘴34具有相同的长度，并且作用原理相同，此处不再赘述。

此外，由于第一喷嘴31距离第二喷嘴32的距离较远，反溅区和水雾区对第一喷嘴31的影响作用不大，且第一喷嘴31的喷嘴口形状不同于其它喷嘴的喷嘴口形状，由于上述原因，无需改变第一喷嘴31的长度。

上述的喷嘴组3的各个喷嘴的作用顺序和长度可根据装置的具体设置确定，根据喷嘴不同的喷洒药液的顺序以及各个喷嘴之间的影响，确定喷嘴的长度，本公开包括但不限于上述的喷嘴组3。

喷嘴组可以为4个喷嘴组成，但根据不同的机台的清洗需要，喷嘴的数量可以大于4个或小于4个，排列形式也不限与本公开上述的第二喷嘴32、第四喷嘴34、第三喷嘴33和第一喷嘴31依次排列形式；与此同时，喷嘴喷出的药液形式也可以根据具体的晶圆2的清洗需要确定，本公开包括但不限于上述的喷嘴组3的形式。

其中，空气喷入装置5与机台本体1的清洗腔室连接，空气喷入装置5用于产生压缩干燥空气以压低喷嘴喷出的药液在晶圆2上方形成的反溅面。

如图4所示，空气喷入装置5包括压缩干燥空气装置51和风机过滤器52，其中，压缩干燥空气装置51用于产生压缩干燥空气，来调节腔室内的压力，压缩干燥空气在竖直方向上作用于喷嘴药液形成的反溅面的顶面，风机过滤器52用于过滤空气喷入装置5产生的压缩干燥空气，让腔室内始终有向下的空气产生，保持腔室内自上向下压力的状态。

以单片式水洗刻蚀机为例，可利用刻蚀机的清洗腔室内的Dry Blew设定，进行工艺制程的设定，使得机台本体中的压缩干燥空气装置51和风机过滤器52同时工作(之前只有在腔室内压力过低时Dry Blew才会启动)，风机过滤器52过滤的空气与压缩干燥空气装置51产生的压缩气体一起进入清洗腔室，混合后压力更大的压缩干燥空气作用于反溅面和水雾区，压缩干燥空气通过自身的压力将反溅面的顶面压低，使得喷嘴产生的水雾区和反溅区对其它喷嘴不产生影响。

本公开提供的空气喷入装置5，可以是对刻蚀机机台本身具有的装置进行参数上的修改，以达到喷入压缩干燥空气的目的，也可以是通过在刻蚀机以外增加压缩干燥空气装置和风机过滤装置，以实现产生压缩干燥空气的目的，本公开对压缩空气产生的装置的类型和结构不做具体限定。

图4为本公开示例性实施例中的一种空气喷入装置的结构示意简图，如图4所示，结合图1-3，对本公开提供的半导体清洗装置的结构和工作过程进行说明：

首先，在装置工作之前，确定喷嘴组3中喷嘴的排列顺序为第二喷嘴32、第四喷嘴34、第三喷嘴33和第一喷嘴31依次排列，其中，第一喷嘴31与第二喷嘴32的长度相等，第三喷嘴33与第四喷嘴34的长度相等，并第四喷嘴34和第三喷嘴33的长度设置为比第二喷嘴32的长度短1-3mm。

其次，由于机械手臂4的绕轴旋转包括逆时针旋转和顺时针旋转，晶圆2的旋转运动包括顺时针旋转和逆时针旋转，根据晶圆2和机械手臂4的运动方向，设置喷嘴组3中喷嘴喷洒药液的情况：在晶圆2的旋转为逆时针旋转，机械手臂4绕轴逆时针运动时，喷嘴对晶圆2进行药液喷洒；在晶圆2的旋转为逆时针旋转，机械手臂4绕轴顺时针运动时，喷嘴对所述晶圆2不进行药液喷洒；在晶圆2的旋转为顺时针旋转，机械手臂4绕轴顺时针运动时，喷嘴对所述晶圆2进行药液喷洒；在晶圆2的旋转为顺时针旋转，机械手臂4绕轴逆时针运动时，喷嘴对晶圆2不进行药液喷洒。

最后，在晶圆2加工的过程中，启动空气喷入装置5，使得空气喷入装置5中的压缩空气干燥装置51和风机过滤器52进行工作，空气喷入装置5产生过滤后的压缩干燥空气，将压缩干燥空气通过机台本体1的清洗腔室中，通过压缩干燥空气的压力作用，将压低喷嘴药液形成的反溅面的顶面。

本公开提供的半导体清洗装置通过在装置中将部分喷嘴长度进行缩短，使得喷嘴喷洒的药液形成的反溅不会在其它喷嘴上形成悬滴；同时，通过在装置中加装空气喷入装置，压低了药液喷洒形成的反溅面的顶部；以及在不同的机械手臂运动方向上改变喷嘴喷洒药液的时间，实现了改变喷洒药液形成的反溅区的形状，通过上述方式的共同作用，减小喷嘴喷洒药液形成的反溅区对其它喷嘴的影响，保证其它喷嘴的正常工作，进而减少了晶圆的颗粒缺陷，提高了产品的良率。

本公开提供了一种半导体清洗方法，如图5所示，该半导体清洗方法包括：

S101：提供喷嘴组，喷嘴组包括第二喷嘴、第四喷嘴、第三喷嘴和第一喷嘴依次排列，第三喷嘴与第四喷嘴的长度小于第二喷嘴的长度，喷嘴组利用喷嘴喷洒的药液清洗晶圆表面的残留物；

S102：提供空气喷入装置，空气喷入装置产生压缩干燥空气，将压缩干燥空气通入清洗腔室，压缩干燥空气压低药液在晶圆上方形成的反溅面；

S103：提供机械手臂，喷嘴组设置在机械手臂上，机械手臂相对于晶圆进行往返旋转，晶圆做逆时针旋转运动且机械手臂做逆时针旋转时，喷嘴组对晶圆表面喷洒药液，清洗晶圆。

半导体清洗晶圆的方法如下：提供喷嘴组，喷嘴组包括第二喷嘴、第四喷嘴、第三喷嘴和第一喷嘴依次排列，第三喷嘴与第四喷嘴的长度小于第二喷嘴的长度，喷嘴组利用喷嘴喷洒的药液清洗晶圆表面的残留物；提供空气喷入装置，空气喷入装置产生压缩干燥空气，将压缩干燥空气通入清洗腔室，压缩干燥空气压低药液在晶圆上方形成的反溅面；提供机械手臂，喷嘴组设置在机械手臂上，机械手臂相对于晶圆进行往返旋转，晶圆做逆时针旋转运动且机械手臂做逆时针旋转时，喷嘴组对晶圆表面喷洒药液，清洗晶圆。

本公开提供的半导体清洗方法中的喷嘴组的喷嘴数量以及排列顺序包括但不限于上述的方式；空气喷入装置可以是机台本身自带的装置通过参数设定上的改变达到的喷入压缩干燥空气的目的，也可以是通过在机台上加装空气喷入装置的设定；药液在晶圆上方形成的反溅面包括药液本身形成的反溅区以及水雾区等多种形式的反溅形式，本公开不做限定。

其中，空气喷入装置包括压缩干燥空气装置和风机过滤器空气，喷入装置产生压缩干燥空气，包括：提供压缩干燥空气装置和风机过滤器，通过压缩干燥空气装置产生压缩干燥空气，并通过风机过滤器过滤压缩干燥空气后，将压缩干燥空气通入清洗腔室。

其中，如图6所示，机械手臂相对于晶圆进行往返运动，包括：

S1031：若晶圆做逆时针旋转运动且机械手臂做逆时针旋转，喷嘴组对晶圆表面喷洒药液；

S1032：若晶圆做逆时针旋转运动且机械手臂做顺时针旋转，喷嘴组停止对晶圆表面喷洒药液；

S1033：若晶圆做顺时针旋转运动且机械手臂做顺时针旋转，喷嘴组对晶圆表面喷洒药液；

S1034：若晶圆做顺时针旋转运动且机械手臂做逆时针旋转，喷嘴组停止对晶圆表面喷洒药液。

上述机械手臂相对于晶圆的运动方向确定喷嘴药液的喷洒为：晶圆做逆时针旋转运动且机械手臂做逆时针旋转时，喷嘴组对晶圆表面喷洒药液；若晶圆做逆时针旋转运动且机械手臂做顺时针旋转，喷嘴组停止对晶圆表面喷洒药液；若晶圆做顺时针旋转运动且机械手臂做顺时针旋转，喷嘴组对晶圆表面喷洒药液；若晶圆做顺时针旋转运动且机械手臂做逆时针旋转，喷嘴组停止对晶圆表面喷洒药液。

本公开提供的半导体清洗方法，通过改变喷嘴组中部分喷嘴的高度、加装空气喷入装置、以及在不同的机械手臂的运动方向确定喷嘴喷洒药液的时间，共同改变了喷嘴药液在晶圆上方形成的反溅面的形状和大小，使得喷嘴工作时形成的反溅面不会在其它喷嘴的喷嘴口上形成悬滴，保证了其它喷嘴的喷洒流量和压力，减小了晶圆加工过程中的颗粒缺陷，提高了产品的良率。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中半导体清洗方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。