存储单元阵列的电容漏电检测方法、装置、设备及介质

技术领域

本申请涉及存储技术领域，尤其涉及一种存储单元阵列的电容漏电检测方法、装置、设备及介质。

背景技术

在存储技术领域，存储电容漏电往往影响着存储器的性能。因此，如何对电容漏电进行检测成为了亟待解决的问题。

现阶段的存储电容的漏电检测技术可以实现对存储电容是否漏电的粗略检测，然而却无法实现对存储电容的漏电行为的具体漏电位置的精细检测。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请提供一种存储单元阵列的电容漏电检测方法、装置、设备及介质，至少在一定程度上克服相关技术中无法对电容漏电行为进行精细检测的问题。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

根据本申请的一个方面，提供了一种存储单元阵列的电容漏电检测方法，存储单元阵列包括多个存储单元；存储单元包括待检测存储单元，待检测存储单元的存储电容为待检测存储电容，用于控制待检测存储电容的字线为待检测字线，待检测存储电容邻近的字线为邻近字线，其中，待检测字线和邻近字线施加不同的电压。该方法包括：在固定邻近字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息，其中，待检测字线的字线电压在包括字线关闭电压在内的预设电压范围内变化，在第一变化关联信息满足第一异常判定条件时，确定待检测存储电容的漏电行为与待检测字线相关；或，在固定待检测字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息，其中，邻近字线的字线电压在包括字线关闭电压在内的预设电压范围内变化，在第二变化关联信息满足第二异常判定条件的情况下，确定待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关。

在一个实施例中，在固定邻近字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息，包括：控制邻近字线的字线电压固定于字线关闭电压；在预设电压范围内调整待检测字线的字线电压；获得每次调整后的待检测字线的字线电压所对应的待检测存储电容的电容保持时间；根据每次调整后的待检测字线的字线电压及其对应的待检测存储电容的电容保持时间，确定第一变化关联信息。

在一个实施例中，在固定待检测字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息，包括：控制待检测字线的字线电压固定于字线关闭电压；在预设电压范围内调整邻近字线的字线电压；获得每次调整后的邻近字线的字线电压所对应的待检测存储电容的电容保持时间；根据每次调整后的邻近字线的字线电压及其对应的待检测存储电容的电容保持时间，确定第二变化关联信息。

在一个实施例中，第一异常判定条件包括第一变化关联信息与第一基准变化关联信息不具有相关性；在确定待检测存储电容的漏电行为与待检测字线相关之前，方法还包括：确定第一变化关联信息与第一基准变化关联信息是否具有相关性，其中，第一基准变化关联信息为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与待检测字线的字线电压的变化关联信息；在第一变化关联信息与第一基准变化关联信息不具有相关性的情况下，确定第一变化关联信息满足第一异常判定条件。

在一个实施例中，第一异常判定条件包括第一变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值；在确定待检测存储电容的漏电行为与待检测字线相关之前，方法还包括：获取第一变化关联信息的变化参数，第一变化关联信息的变化参数用于表征第一变化关联信息的变化程度；在第一变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值的情况下，确定第一变化关联信息满足第一异常判定条件。

在一个实施例中，第二异常判定条件包括第二变化关联信息与第二基准变化关联信息不具有相关性；

在确定待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关之前，方法还包括：

确定第二变化关联信息与第二基准变化关联信息是否具有相关性，其中，第二基准变化关联信息为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与邻近字线的字线电压的变化关联信息；

在第二变化关联信息与第二基准变化关联信息不具有相关性的情况下，确定第二变化关联信息满足第二异常判定条件。

在一个实施例中，第二异常判定条件包括第二变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值；在确定待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关之前，方法还包括：获取第二变化关联信息的变化参数，第二变化关联信息的变化参数用于表征第二变化关联信息的变化程度；在第二变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值的情况下，确定第二变化关联信息满足第二异常判定条件。

在一个实施例中，变化参数包括：变化率，和/或，电容保持时间的最大差值。

在一个实施例中，在获取第一变化关联信息或获取第二变化关联信息之前，方法还包括：获取待检测存储电容的电容保持时间与基底电压的第三变化关联信息，基底电压为待检测存储单元的基底电压；判断第三变化关联信息是否满足第三异常判定条件；确定第三变化关联信息不满足第三异常判定条件。

在一个实施例中，预设电压范围的上限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之和；和/或，预设电压范围的下限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之差。

在一个实施例中，最大压差允许值是根据待检测字线与邻近字线之间的距离确定的。

在一个实施例中，获取第一变化关联信息或获取第二变化关联信息之前，方法还包括：获取待检测字线与邻近字线之间的距离；确定距离小于预设字线距离阈值。

在一个实施例中，距离小于或等于45纳米。

根据本申请的另一个方面，提供一种存储单元阵列的电容漏电检测装置，其特征在于，存储单元阵列包括多个存储单元；存储单元包括待检测存储单元，待检测存储单元的存储电容为待检测存储电容，用于控制待检测存储电容的字线为待检测字线，待检测存储电容邻近的字线为邻近字线，其中，待检测字线和邻近字线施加不同的电压；电容漏电检测装置，包括：第一信息获取模块，用于在固定邻近字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息，其中，待检测字线的字线电压在包括字线关闭电压在内的预设电压范围内变化；第一漏电检测模块，用于在第一变化关联信息满足第一异常判定条件时，确定待检测存储电容的漏电行为与待检测字线相关；或，第二信息获取模块，用于在固定待检测字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息，其中，邻近字线的字线电压在包括字线关闭电压在内的预设电压范围内变化；第二漏电检测模块，用于在第二变化关联信息满足第二异常判定条件的情况下，确定待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关。

根据本申请的又一个方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储处理器的可执行指令；其中，处理器配置为经由执行可执行指令来执行上述的存储单元阵列的电容漏电检测方法。

根据本申请的再一个方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的存储单元阵列的电容漏电检测方法。

本申请实施例所提供的电容漏电检测方法、装置、设备及介质，通过固定邻近字线的字线电压且让待检测字线的字线电压在包括字线关闭电压的预设电压范围内变化，可以获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息，由于电容漏电会对电容保持时间产生影响，因此在第一变化关联信息满足第一异常判定关系时，可以确定待检测存储电容的电容保持时间变化异常，即待检测存储电容漏电的原因是由于待检测字线引起的。或者，通过固定待检测字线的字线电压且让邻近字线的字线电压在预设电压范围内变化，可以获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息，若第二变化关联信息满足第二异常判定条件，则可以判断待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关。从而能够将电容漏电异常定位到待检测字线或者邻近字线上，实现了对电容漏电行为的精细检测。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了一种存储单元阵列的结构示意图；

图2示出了一种存储单元的结构示意图；

图3示出了一种半导体结构的结构示意图；

图4示出了图3示出的半导体结构沿A-A方向的剖面结构示意图；

图5示出了一种存储电容的电荷量随时间变化的曲线示意图；

图6示出了一种差动放大器的操作示意图；

图7示出了一种半导体结构的结构示意图；

图8示出了本申请实施例提供的一种半导体结构的示意图；

图9示出了本申请实施例提供的一种半导体结构的电压控制示意图；

图10示出了半导体存储单元的电路示意图；

图11示出本申请实施例中一种电容漏电检测方法流程图；

图12示出了本申请实施例提供的一种预设电压范围的示意图；

图13示出了本申请提供的一种待检测存储电容的电容保持时间与电压的变化关系示意图；

图14示出了本申请实施例提供的一种待检测字线的字线电压与待检测存储电容的电容保持时间的关系曲线示意图；

图15示出了本申请实施例提供的另一种待检测字线的字线电压与待检测存储电容的电容保持时间的关系曲线示意图；

图16示出了存在上述问题时的存储电容的电容保持时间与电压的变化关系示意图；

图17示出了本申请实施例提供的一种示例性地存储单元阵列的字线连接示意图；

图18示出了本公开实施例提供的另一种电容漏电检测方法的流程示意图；

图19示出本申请实施例中一种电容漏电检测装置示意图；

图20示出本申请实施例中另一种电容漏电检测装置示意图；

图21是根据一示例性实施方式示出的一种计算机设备的结构示意图；和

图22是根据一示例性实施方式示出的一种可读存储介质的示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。

此外，附图仅为本申请的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

应当理解，本申请的方法实施方式中记载的各个步骤可以按照不同的顺序执行，和/或并行执行。此外，方法实施方式可以包括附加的步骤和/或省略执行示出的步骤。本申请的范围在此方面不受限制。

需要注意，本申请中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。

需要注意，本申请中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。

存储器，比如诸如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的易失性存储器，其包括至少一个存储单元阵列。图1示出了一种存储单元阵列的结构示意图。如图1所示，存储单元阵列10可以包括M条字线(Word Line)WL

对于存储单元11，图2示出了一种存储单元的结构示意图。如图2所示，存储单元11可以包括存储晶体管(Access Transistor)MA以及存储电容(Storage Capacitor)C。

存储晶体管MA，其可以为N沟道(简称NCN)晶体管，比如NPN晶体管、N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)晶体管等。其中，存储晶体管MA的栅极连接字线WL，存储晶体管MA的漏极连接位线BL，存储晶体管MA的源极连接存储电容C。

存储电容C，其所存储电荷用于表示存储单元所存储的数据。示例性地，若存储电容C的电容量大于50％，则认为存储单元所存储的数据为“1”。相应地，若其上的电容量小于50％，则认为存储单元所存储的数据为“0”。

在从电路上初步介绍了存储单元阵列之后，接下来从半导体结构上对存储单元阵列进行说明。

对于存储单元阵列对应的半导体结构，请一并参照图3和图4进行说明。图3示出了一种半导体结构的结构示意图。图4示出了图3示出的半导体结构沿A-A方向的剖面结构示意图。

如图3所示，半导体结构可以包括多条字线WL和多条位线BL以及多个存储单元(图3未示出)，其中，每一存储单元包括一个存储电容，比如存储电容17-a或者17-b。

如图4所示，半导体结构可以包括基底11、字线层12、隔离层13、位线层14、位线接触区15、掺杂区16、存储电容17和电容接触区18。

在一个示例中，基底11的离子注入类型为P型，相应地，基底11可以为P型阱(P-well)。掺杂层16的离子注入类型为N型离子重掺杂注入，相应地，掺杂区16可以为N型重掺杂区。其中，隔离层13可以为浅槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)层。

在初步介绍了存储单元阵列的半导体结构之后，接下来继续参见图2，对存储晶体管的工作过程进行说明。

具体地，当字线WL上施加有字线开启电压时，存储晶体管MA的漏极和源极导通，从而使得存储电容C和位线BL连接导通，此时可以利用位线BL上的电压对存储电容C储能。以及，当字线WL上施加有字线关闭电压时，存储晶体管MA的漏极和源极之间不导通，相应地，存储电容C与位线BL断开，此时存储电容C的电荷随着时间而逐渐减小。

示例性地，图5示出了一种存储电容的电荷量随时间变化的曲线示意图。图5中的横坐标表示时间，单位为毫秒(ms)；纵坐标表示存储电容C的电容量，单位为％。其中，存储电容C的电容量等于存储电容C的实时容量与存储电容C的额定容量的比值。比如，当存储电容C满充时，其电容量为100％，当其完全放电之后，其电容量为0％。

如图5所示，对于存储能力正常的存储电容C，在其与位线BL断开之后，其电容量将从100％开始随着曲线L11逐渐衰减。以及，对于存在漏电现象的存储电容C，其电容量将从100％开始，沿着曲线L12快速下降。其中，由于电容量反映了电容的存储性能，根据图5可知，存在漏电行为的存储电容C其存储能力也大幅下滑。比如，在100ms之后，存储电容C的电容量已下降至50％以下。

在本申请实施例中，可以采用电容保持时间来衡量存储电容的电容量衰减快慢。对于电容保持时间，其是指在存储电容所连接字线上施加字线关闭电压之后，存储电容从第一电容量衰减至第二电容量所经历的时间。示例性地，第一电容量可以是100％，第二电容量可以是50％。也就是说，可以将存储电容从100％衰减至50％所消耗的时间作为存储电容的电容保持时间。示例性地，若电容保持时间的基准时间为200ms，若存储电容的电容保持时间小于该基准时间，比如存储电容的电容保持时间仅为100ms，则表示存储电容漏电，存储电容的存储能力异常。相应地，若存储电容的电容保持时间大于或等于该基准时间，则表示电容未漏电，存储电容的存储能力正常。

发明人通过研究发现，存储电容的存储能力往往会影响数据存储的读写精度，接下来将结合差动放大器对此进行说明。

图6示出了一种差动放大器的操作示意图。如图6所示，以读取数据“1”为例，可以在预充电阶段对存储单元所连接的位线和互补位线进行充电，使该位线和互补位线被均值化(Equalize)。接着，开启存储晶体管MA，以使位线的电压BLt和互补位线的电压BLc之间出现电位差ΔV，差动放大器可以读出该电位差ΔV。

其中，当存储电容C的存储能力正常时，存储电容C的电容量足够大，比如电荷量超出50％，从而能够产生足够大的电位差ΔV，使得差动放大器可以读出正确的数据。

然而，当因存储电容C的存储能力异常使得存储电容C的电容量较小时，存在着因电位差ΔV不足导致位线的电压BLt变成低电位，从而使得差动放大器无法读出正确数据。

基于上述结合图6的分析可知，存储电容的漏电行为会影响其存储性能，进而影响存储单元的数据存储精度。因此，如何检测存储电容的漏电行为成为了亟待解决的问题。

然而，现阶段往往是根据存储电容的电容保持时间确定存储电容存在漏电行为的粗略检测，而无法对漏电行为进行更深一步的精细检测。

发明人通过研究发现，在字线关闭电压附近调整字线电压时，下述多种原因均可能会导致存储电容的电容保持时间受到较大影响。比如，随着制程的不断微缩，字线与字线之间的距离也越来越近，下述原因一和原因二均会造成存储电容漏电。

原因一、当如图4所示的字线121导致所控制的存储电容17(假设为待检测存储电容)未完全关断时，可能会产生沿着漏电路径a的漏电流，从而导致存储电容17的漏电行为。此时，可以认为存储电容17的漏电原因与用于控制存储电容17的字线121相关。

原因二、当如图4所示的存储电容17的邻近字线122开启时，在靠近邻近字线122处，存储电容17所属存储单元的存储晶体管的基底电荷在邻近字线122的高电压和电场作用下重新分布。在靠近邻近字线122处，基底中的少量电子在电场作用下产生聚集形成沟道。当邻近字线122两端电位不同时，将会产生电压差，电荷将如图4所示通过该沟道从一边流到另一端，从而沿着漏电路径b的漏电流，使得存储电容17所存储的电荷逃逸至邻近字线122，从而导致存储电容17的漏电行为。此时，可以认为存储电容17的漏电原因与存储电容17的邻近字线122相关。

示例性地，图7示出了一种半导体结构的结构示意图。示例性地，若待检测存储电容C0漏电，则无法确定与待检测存储电容C0的邻近字线WL2还是待检测存储电容C0所连接的待检测字线WL3相关。

基于此，本申请实施例提供了一种电容漏电检测方法、装置、设备及介质，可以根据待检测存储电容与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息是否满足第一异常判定条件，或者待检测存储电容与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息是否满足第二异常判定条件，来将电容漏电行为定位到待检测字线或者邻近字线，从而实现了对电容漏电行为的精细检测。

下面结合附图及实施例对实施方式进行详细说明。

在开始介绍电容漏电检测方法之前，先对本申请实施例涉及的半导体结构、电路结构进行说明。

在本申请实施例中，可以将存储单元阵列中需要进行电容漏电检测的存储电容作为待检测存储电容，以及将待存储检测电容所连接的字线作为待检测字线，将除待检测字线之外、与待检测存储电容邻近的字线作为邻近字线。

图8示出了本申请实施例提供的一种半导体结构的示意图，图9示出了本申请实施例提供的一种半导体结构的电压控制示意图，图10示出了半导体存储单元的电路示意图。

请一并参见图8-图10，若存储电容C0为待检测存储电容，存储电容C0所连接的字线121为待检测字线，字线122为待检测存储电容C0的邻近字线。其中，如图10所示，存储晶体管MA0在字线121的控制下充放电，存储晶体管MA1在字线122的控制下充放电，其中，字线122为存储晶体管MA0的邻近字线。

可以在待检测字线和邻近字线上施加不同的字线电压。比如，可以在字线121上施加字线电压Va，以及在字线122上施加字线电压Vb。其中，字线电压Va和字线电压Vb对应于字线的低电位。也就是说，当某一字线上施加有字线电压Va或者字线电压Vb时，认为该字线处于低电位。

需要说明的是，本申请实施例中待检测字线和邻近字线施加不同的字线电压，是指两个字线上的字线电压可以是各自单独变化的，比如，可以由两个电压源分别为待检测字线和邻近字线提供字线电压，或者是同一电压源通过不同电压调整电路为待检测字线和邻近字线提供字线电压。在本申请实施例中，待检测字线的字线电压和邻近字线的字线电压的具体电压值可以相同，也可以不同，对此不作具体限定。

在介绍了本申请实施例涉及的半导体结构、电路结构之后，接下来对电容漏电检测方法进行说明。

本申请实施例提供了一种电容漏电检测方法，该方法可以由任意具备计算处理能力的电子设备执行。

图11示出本申请实施例中一种电容漏电检测方法流程图，如图11所示，本申请实施例中提供的电容漏电检测方法包括如下步骤S1110和S1120。

S1110，在固定邻近字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息。其中，待检测字线的字线电压在包括字线关闭电压在内的预设电压范围内变化。

对于待检测存储电容，其可以是存储单元阵列的各存储单元的存储电容中需要进行漏电检测的存储电容。

在一些实施例中，为了提高检测效率，待检测存储电容可以是存储能力异常的漏电电容。相应地，在S1110之前，电容漏电检测方法还可以包括下述步骤A11和步骤A12。

步骤A11，获取存储单元阵列中多个存储电容的电容保持时间。示例性地，电容保持时间的具体内容可以参见本申请实施例上述部分的相关内容，在此不再赘述。

步骤A12，将多个存储电容中电容保持时间小于预设时间阈值的存储电容，确定为待检测存储电容。其中，预设时间阈值可以根据实际情况和具体需求设置，比如，可以设置为电容保持时间的基准时间，比如200ms。

在一些实施例，对于电容保持时间大于或等于预设时间阈值的存储电容，可以确定其处于正常状态，停止对其的漏电检测。

通过本实施例，可以先根据预设时间阈值确定存在漏电的存储电容，以及对存在漏电的存储电容进一步进行漏电检测，提高了漏电检测的效率。

在介绍了待检测存储电容之后，接下来对待检测字线进行说明。

对于待检测字线，其为用于控制待检测存储电容充放电的字线，即与待检测存储电容属于同一存储单元的字线。示例性地，继续参见图10，若存储电容C0为待检测存储电容，则字线121为待检测字线。在一些实施例中，当字线处于高电位，比如施加有字线开启电压时，可以控制待检测存储电容充电。以及当字线处于低电位时，比如施加有字线关闭电压时，待检测存储电容上的电荷随着时间而逐渐减少。

在介绍了待检测字线之后，接下来对预设电压范围进行说明。

对于预设电压范围，其可以用于使字线处于低电位。比如，当待检测字线的字线电压处于该预设电压范围内时，待检测存储电容所属待检测存储单元的存储晶体管处于关断状态，此时待检测存储电容处于逐渐放电的状态。

在一些实施例中，预设电压范围的上限阈值等于字线关闭电压Vwloff与最大压差允许值Verr之和。示例性地，图12示出了本申请实施例提供的一种预设电压范围的示意图。如图12所示，预设电压范围U0的上限阈值，即预设电压范围U0的最大值表示为Vwloff+Verr。示例性地，为了提高漏电检测准确性，预设电压范围U0的上限阈值Vwloff+Verr小于字线开启电压Vwlon。

对于最大压差允许值Verr，其用于表征对漏电检测过程中字线电压的变化幅度的最大允许值。可选地，最大压差允许值可以是字线关闭电压的绝对值与预设倍率的乘积。其中，预设倍率可以根据实际情况和具体场景设置，比如可以为1，对此不作具体限定。在一个示例中，若字线关闭电压Vwloff等于-0.2V，则最大压差允许值Verr可以为0.2V。相应地，预设电压范围的上限阈值可以为0V。

在一个实施例中，最大压差允许值Verr是根据待检测字线与邻近字线之间的距离确定的。可选地，最大压差允许至Verr与该距离正相关，即待检测字线与邻近字线之间的距离越大，最大压差允许值越大。在一个示例中，待检测字线与邻近字线之间的距离小于或等于45纳米。其中，当待检测字线与邻近字线之间的距离小于或等于45纳米时，字线之间的距离较近，可能会因上述两种原因导致待检测存储电容漏电，此时可以利用本申请实施例提供的电容漏电检测方法进行漏电行为的精细检测。

需要说明的是，由于还可以在预设电压范围内调整邻近字线的字线电压来确定待检测存储电容的漏电行为是否与邻近字线相关。在因电荷逃逸至邻近字线所导致待检测存储电容漏电时，由于待检测字线与邻近字线之间的距离越大，电荷逃逸至邻近字线的现象越不明显，可能因电容保持时间的变化不明显导致错误的认为待检测存储电容的漏电行为与邻近字线无关。通过增大最大压差允许值的方式，可以增大待检测字线与邻近字线之间的电位差进而增大漏电流，从而避免了上述误检测现象的发生，从而保证了诊断精度。

以及，还需要说明的是，通过设置预设电压范围的上限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之和的方式，可以控制待检测字线的字线电压不超出预设的压差允许范围，从而可以对待检测字线的字线电压进行合理控制。示例性地，避免了调整范围过大使得待检测字线连接的存储晶体管未完全关闭时对待检测存储电容的电容保持时间的影响，进而避免了对漏电检测精度的影响。

在另一些实施例中，预设电压范围的下限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之差。继续参见图12，预设电压范围U0的下限阈值，即预设电压范围U0的最小值表示为Vwloff-Verr。示例性地，预设电压范围的下限阈值可以为-0.4V。

需要说明的是，下限阈值的其他内容可以参见本申请实施例上述部分对上限阈值的相关描述，在此不再赘述。

需要说明的是，通过设置预设电压范围的下限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之差的方式，可以控制待检测字线的字线电压不低于预设的压差允许范围，从而可以对待检测字线的字线电压进行合理控制。示例性地，避免了调整范围过大对漏电检测效率的影响。

在介绍了预设电压范围之后，接下来对第一变化关联信息进行说明。

对于第一变化关联信息，其用于表征待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线之间的对应关系。示例性地，第一变化关联信息可以是对应关系式或者是关系曲线，对此不作具体限定。

在介绍了上述概念之后，接下来对S1120的具体实施方式展开具体说明。

在一些实施例中，S1110可以包括步骤A21至A23。

步骤A21，控制邻近字线的字线电压固定于字线关闭电压，以及，在预设电压范围内调整待检测字线的字线电压。

示例性地，继续参见图9，可以控制邻近字线122的字线电压Vb等于Vwloff，以及控制待检测字线121的字线电压Va在[Vwloff-Verr,Vwloff+Verr]的范围内变化。

步骤A22，获得每次调整后的待检测字线的字线电压所对应的待检测存储电容的电容保持时间。可选地，对于每一调整后的字线电压值，可以控制待检测存储电容的电容量到达100％之后，将待检测字线的字线电压Va调整至该字线电压值，然后记录下待检测存储电容的电容保持时间作为该字线电压值对应的电容保持时间。

步骤A23，根据每次调整后的待检测字线的字线电压及其对应的待检测存储电容的电容保持时间，确定第一变化关联信息。

可选地，在获取多组对应的字线电压与电容保持时间之后，可以通过曲线拟合或者是函数拟合的方式来生成第一变化关联信息，对此不作具体限定。

在一个示例中，图13示出了本申请提供的一种待检测存储电容的电容保持时间与电压的变化关系示意图。其中，图13中以实线示出的曲线L21表示待检测字线的字线电压与待检测存储电容的电容保持时间之间的变化关系。其中，曲线L21-L23的纵坐标均为电容保持时间。曲线L21表示待检测存储电容的电容保持时间随待检测字线的字线电压的变化曲线，在表示曲线L21时，横坐标表示待检测字线的字线电压，Vx表示字线关闭电压。曲线L22表示待检测存储电容随基底电压的变化关系，在表示曲线L22时，横坐标表示基底电压，曲线L22中横坐标的Vx表示基底电压的基准值。曲线L23表示待检测存储电容的电容保持时间随邻近字线的字线电压的变化曲线，在表示曲线L23时，横坐标表示邻近字线的字线电压，Vx表示字线关闭电压。

如图13所示，可以得到待检测字线的字线电压Vx-Verr对应的电容保持时间100ms、字线电压Vx对应的电容保持时间100ms、以及字线电压Vx+Verr对应的电容保持时间110ms，然后生成关系曲线L21。

通过步骤A21至A23，通过控制邻近字线的电压保持于字线关闭电压、以及控制待检测字线的电压在预设电压范围内变化的方式，可以避免待检测存储电容的电荷向邻近字线逃逸的漏电问题对待检测字线是否造成了漏电行为的漏电检测结果的影响，提高了漏电检测的检测精度。

在另一些实施例中，还可以从其他计算设备处直接获取第一变化关联信息。需要说明的是，还可以采用其他方式获取该第一变化关联信息，本申请实施例对此不作具体限定。

在介绍了S1110的内容之后，接下来对S1120进行说明。

S1120，在第一变化关联信息满足第一异常判定条件时，确定待检测存储电容的漏电行为与待检测字线相关。

对于第一异常判定条件，其用于表示与待检测字线的漏电行为所需满足的条件。

在一些实施例中，第一异常判定关系可以包括第一变化关联信息与第一基准变化关联信息不具有相关性。

相对应地，在S1110与S1120之间还包括步骤A31和A32。

步骤A31，判断第一变化关联信息与第一基准变化关联信息是否具有相关性。

对于第一基准变化关联信息，其为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与待检测字线的字线电压的变化关联信息。在一个示例中，图14示出了本申请实施例提供的一种待检测字线的字线电压与待检测存储电容的电容保持时间的关系曲线示意图。图15示出了本申请实施例提供的另一种待检测字线的字线电压与待检测存储电容的电容保持时间的关系曲线示意图。其中，图14和图15中的曲线L30表示第一基准变化关联信息。

对于步骤A31，相似性用于评价第一变化关联信息和第一基准变化关联信息之间的相似程度。若二者相差程度大，则确定二者之间不具有相关性。比如，若图14中曲线L31表示第一变化关联信息，则由于曲线L32的变化幅度较大，此时曲线L31与曲线L30之间不具有相关性。以及，若确定第一变化关联信息和第一基准变化关联信息之间的相似度高，则确定二者曲线具有相关性。比如，若图15中曲线L32表示第一变化关联信息，则由于曲线L32的变化幅度较小，此时曲线L32与曲线L30之间具有相关性。

在一些实施例中，可以计算第一变化关联信息与第一基准变化关联信息的相关性。比如，可以利用皮尔森系数来计算二者的相关性。

在另一些实施例中，可以根据第一变化关联信息对应的曲线以及第一基准变化关联信息的变化曲线在图形上的相似性或者重合度来确定二者之间的相关性。

步骤A32，在确定第一变化关联信息与第一基准变化关联信息不具有相关性的情况下，确定第一变化关联信息满足第一异常判定条件。

通过上述结合步骤A1和A32示出的第一异常判定条件，由于第一基准变化关联信息为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与待检测字线的字线电压的变化关联信息，因此可以在确定第一变化关联信息与第一基准变化关联信息不具有相关性时，确定待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压之间的变化关系异常，从而可以准确确定出待检测存储电容的漏电行为与待检测字线相关。

在另一些实施例中，第一异常判断条件可以包括第一变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值。

相对应地，在S1110与S1120之间还包括步骤A41和A42。

步骤A41，获取第一变化关联信息的变化参数。

其中，第一变化关联信息的变化参数用于表征第一变化关联信息的变化程度。

在一个示例中，第一变化关联信息的变化参数包括第一变化关联信息的变化率。示例性地，继续参见图14，可以是曲线L31的斜率，或者平均斜率、最大斜率等能够反映曲线L31的变化程度的变化率参数，对此不作具体限定。

在另一个示例中，第一变化关联信息的变化参数包括第一变化关联信息的电容保持时间的最大差值。其中，电容保持时间的最大差值，可以是在第一变化关联信息中的电容保持时间的最大值与电容保持时间的最小值的差值。示例性地，继续参见图14，电容保持时间的最小值为50ms，电容保持时间的最大值为150ms，则电容保持时间的最大差值为100ms。

步骤A42，在第一变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值的情况下，确定第一变化关联信息满足第一异常判定条件。

在一些实施例中，预设参数阈值可以是根据实际情况和具体需求设置，对此不作具体赘述。比如，其可以是一个经验值，比如可以为20ms等，对此不作具体限定。

通过上述步骤步骤A41和步骤A42，由于变化参数能够反映第一变化关联信息的变化程度，因此当第一变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值时，确定待检测存储电容受到待检测字线的影响发生了较大的变化，此时可以准确确定出待检测存储电容的漏电行为与待检测字线相关。

本申请实施例所提供的电容漏电检测方法，通过固定邻近字线的字线电压且让待检测字线的字线电压在包括字线关闭电压的预设电压范围内变化时，可以获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息，由于电容漏电会对电容保持时间产生影响，因此在第一变化关联信息满足第一异常判定关系时，可以确定待检测存储电容的电容保持时间变化异常、即待检测存储电容漏电的原因是由于待检测字线引起的，从而能够将电容漏电异常定位到待检测字线上，实现了对电容漏电行为的精细检测。

在一些实施例中，在S1120之后，电容漏电检测方法还可以包括下述步骤B11。

步骤B11，确定待检测存储电容的漏电原因为待检测字线所导致的待检测存储电容关断未完全。

通过步骤B11，可以在将电容漏电问题定位到待检测字线上之后，能够准确确定存储电容漏电故障的具体故障原因，实现对电容漏电问题的准确故障检测。

在一些实施例中，在确定漏电原因为待检测字线所导致的待检测存储电容关断未完全之后，可以对后续生成批次的存储单元阵列中待检测字线的字线关闭电压或者存储电容的材料或者离子掺杂浓度等工艺参数进行调整，从而提高了整体存储单元阵列的工艺质量。

在一些实施例中，发明人还通过研究发现，当掺杂层与基底之间存在接触问题时也可能会造成待检测存储电容的漏电。示例性地，继续参见图4，若掺杂区16或者基底11之间的接触问题可能会产生沿着漏电路径c的漏电流。沿着漏电路径c的漏电流会导致存储电容17的电荷量减少，从而导致存储电容17的漏电行为。

基于此，发明人发现，可以在控制基底电压变化的过程中，通过确定电容保持时间是否发生明显变化的方式来判断电容漏电的原因是否是掺杂层与基底的接触问题。

相对应地，为了提高待检测存储电容的漏电检测准确性，S1110之前，电容漏电检测方法还可以包括下述步骤B21至B23。

步骤B21，获取待检测存储电容的电容保持时间与基底电压的第三变化关联信息。其中，基底电压为待检测存储单元的基底电压。比如，可以为图9中的Vbody。

对于第三变化关联信息，其用于表征待检测存储电容的电容保持时间与基底电压之间的对应关系。示例性地，第三变化关联信息可以是对应关系式或者是关系曲线，对此不作具体限定。

在一些实施例中，基底电压可以在包括基底电压的基准值的预设基底电压取值范围内调整。需要说明的是，预设基底电压取值范围与上述预设电压范围类似。

示例性地，若基准电压的基准值为-0.6V，基准电压的最大允许调整值为0.2V，则可以在[-0.8V,-0.4V]的范围内调整基准电压。

需要说明的是，在获取该第三变化关联关系的时候，可以固定待检测字线和邻近字线的字线电压，以及调整待检测存储电容的基底电压。

步骤B22，判断第三变化关联信息是否满足第三异常判定条件。

对于第三异常判定条件，其用于表示与掺杂层与基底之间存在接触问题相关的待检测存储电容的漏电行为所需满足的条件。

在一个示例中，第三异常判定条件可以包括第三变化关联信息与第三基准变化关联信息不具有相关性。对于第三基准变化关联信息，其为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与基地电压之间的变化关联信息。

在另一个示例中，第三异常判定条件可以包括第三变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值。

需要说明的是，第三异常判定条件与第一异常判定条件相似，可以参见本申请实施例上述部分对第一异常判定条件的相关说明，在此不再赘述。

步骤B23，确定第三变化关联信息不满足第三异常判定条件。

在一个示例中，在步骤B22之后，电容漏电检测方法还包括步骤B24。

步骤B24，若确定第三关联关系满足第三异常判定条件，则可以确定待检测存储电容的漏电原因为掺杂层与基底之间存在接触问题。

可选地，在确定第三关联关系满足第三异常判定条件之后，可以对后续半导体结构中掺杂层与基底之间的接触工艺进行调整，提高了后续过程中半导体结构的工艺质量。

需要说明的是，通过上述步骤B21至步骤B23，可以在检测待检测存储电容的漏电行为是否与待检测字线或者邻近字线相关之前，可以先排除掉掺杂层与基底之间的接触问题导致的待检测存储电容漏电的故障，从而提高了待检测存储电容的漏电行为检测的精确度。

相应地，图16示出了存在上述问题时的存储电容的电容保持时间与电压的变化关系示意图。其中，图16中的曲线L31表示在掺杂层与基底存在接触问题时，存储电容的电容保持时间随基底电压的变化关系。曲线L32表示在掺杂层与基底存在接触问题时，存储电容的电容保持时间随字线电压的变化关系。其中，曲线L31和L32的纵坐标均为电容保持时间。基底电压曲线L31的横坐标为基底电压，相应地，曲线L31中横坐标的Vx表示基底电压的基准值。基底电压曲线L32的横坐标为字线电压，相应地，曲线L31中横坐标的Vx表示字线关闭电压。示例性地，若基底电压的基准值为-0.6伏(V)，则当基底电压在-0.8V至-0.4V的范围内变化时，如曲线L31所示，电容保持时间的变化较为明显。以及还可以发现，若字线关闭电压为-0.2V时，则当字线关闭电压在-0.4V至0V的范围内变化时，如曲线L32所示，电容保持时间基本稳定在100ms附近，未发生明显变化。

以及，继续参见上述图13中以虚线示出的曲线L22表示待检测存储电容的电容保持时间随基底电压的变化关系。当待检测存储电容的漏电行为与待检测字线或者邻近字线相关时，曲线L22基本稳定在100ms附近，未发生明显变化。

从而根据图13和图16结合可知，通过先判断待检测存储电容的电容保持时间与基底电压之间的第三变化关联信息是否满足第三异常判定条件，能够在检测字线引起的待检测存储电容故障前，排除掉掺杂层与基底之间接触问题的影响，提高了检测精度。

在一些实施例中，在S1110与1120之间还包括步骤B31和B32。

步骤B31，获取待检测字线与邻近字线之间的距离。

步骤B32，确定距离小于预设字线距离阈值。

在一个示例中，预设字线距离阈值可以根据实际场景和具体需求设置，比如可以是一个能够衡量待检测存储电容的电荷是否会逃逸到邻近字线的一个经验值，比如，可以是45纳米。

需要说明的是，通过上述步骤B31和B32，由于当待检测字线与邻近字线之间的距离小于预设字线距离阈值时，即二者距离较近时，待检测字线所控制的待检测存储电容未关断或者待检测存储电容的电荷逃逸至邻近字线均可能会导致待检测存储电容的漏电行为，此时利用本申请实施例提供的电容漏电检测方案，能够实现对漏电行为的精细检测。

在一些实施例中，可以先获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压之间的第二变化关联信息，在第二变化关联信息不符合第二异常判定条件的情况下，再利用上述步骤检测待检测存储存储电容的漏电行为是否与待检测字线相关。

在一些实施例中，存储单元阵列的多条字线可以包括多个第一字线和多个第二字线。其中，第一字线和第二字线多个交替设置，多个第一字线用于输入第一字线电压，多个第二字线用于输入第二字线电压。

示例性地，图17示出了本申请实施例提供的一种示例性地存储单元阵列的字线连接示意图。如图17所示，以存储单元阵列包括9个字线WL0-WL8为例，字线WL0、WL2、WL4、WL6、WL8为第一字线，连接字线电压Va。以及，字线WL1、WL3、WL5、WL7为第二字线，连接字线电压Vb。

通过该设置，使得存储单元阵列中相邻两条字线的字线电压能够分别被控制，进而便于实现本申请实施例上述电容漏电检测方法。

在一个示例中，为了便于测试，若第一字线用于控制待检测存储电容，则可以控制第一字线的字线电压在预设电压范围变化，以及控制第二字线的字线电压固定于字线关闭电压，从而实现对比如图17中的存储电容C

同理地，若第二字线用于控制待检测存储电容，则可以控制第二字线的字线电压在预设电压范围变化，以及控制第一字线的字线电压固定于字线关闭电压，从而实现对比如图17中的存储电容C

图18示出了本公开实施例提供的另一种电容漏电检测方法的流程示意图。本公开实施例在上述实施例的基础上进行优化，本公开实施例可以与上述一个或者多个实施例中各个可选方案结合。

如图18所示，电容漏电检测方法可以包括下述步骤S1810和S1820。

S1810，在固定待检测字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息。其中，邻近字线的字线电压在预设电压范围内变化，

对于第二变化关联信息，示例性地，继续参见图13，图13中以点划线示出的曲线L23为待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压之间的变化关系。

对于邻近字线，其可以是能够对待检测存储的电容保持时间存在着影响的字线。也就是说，存在着待检测存储电容的电荷逃逸至该字线风险的字线，比如图4中的字线122。

需要说明的是，邻近字线的其他内容可以参见本申请实施例上述部分的相关描述，在此不再赘述。

以及，S1810与S1110类似，可以参见S1110的具体内容，在此不再赘述。

在一些实施例中，S1810可以包括步骤C11至C13。

步骤C11，控制待检测字线的字线电压固定于字线关闭电压，以及在预设电压范围内调整邻近字线的字线电压。

步骤C12，获得每次调整后的邻近字线的字线电压所对应的待检测存储电容的电容保持时间。

步骤C13，根据每次调整后的邻近字线的字线电压及其对应的待检测存储电容的电容保持时间，确定第二变化关联信息。

需要说明的是步骤C11至步骤C13的具体内容可以参见本申请实施例上述部分结合步骤A21至步骤A23的相关说明，在此不再赘述。

通过步骤步骤C11至步骤C13，通过控制待检测字线的电压保持于字线关闭电压、以及控制邻近字线的电压在预设电压范围内变化的方式，可以避免待检测字线的电压对漏电行为的漏电检测结果的影响，提高了漏电检测的检测精度。

S1820，在第二变化关联信息满足第二异常判定条件的情况下，确定待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关。

在一些实施例中，第二异常判定条件包括第二变化关联信息与第二基准变化关联信息不具有相关性。

相对应地，在S1810与S1820之间还包括步骤C21和C22。

步骤C21，确定第二变化关联信息与第二基准变化关联信息是否具有相关性。其中，第二基准变化关联信息为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与邻近字线的字线电压的变化关联信息。

步骤C22，在第二变化关联信息与第二基准变化关联信息不具有相关性的情况下，确定第二变化关联信息满足第二异常判定条件。

需要说明的是，步骤C21至步骤C22与上述步骤A31至步骤A32类似，可以参见本申请实施例上述部分对步骤A31至步骤A32的相关描述，在此不再赘述。

通过上述结合步骤步骤C21至步骤C22示出的第二异常判定条件，由于第二基准变化关联信息为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与邻近字线的字线电压的变化关联信息，因此可以在确定第二变化关联信息与第二基准变化关联信息不具有相关性时，确定待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压之间的变化关系异常，从而可以准确确定出待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关。

在另一些实施例中，第二异常判定条件包括第二变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值。

相对应地，在S1810与S1820之间还包括步骤步骤C31和步骤C2。

步骤C31，获取第二变化关联信息的变化参数。其中，第二变化关联信息的变化参数用于表征第二变化关联信息的变化程度。

步骤C32，在第二变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值的情况下，确定第二变化关联信息满足第二异常判定条件。

需要说明的是，步骤步骤C31和步骤C32与上述步骤A41和A42相似，可以参见本申请上述部分的相关说明，在此不再赘述。

通过上述步骤步骤C31和步骤C32，由于变化参数能够反映第二变化关联信息的变化程度，因此当第二变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值时，确定待检测存储电容受到邻近字线的影响发生了较大的变化，此时可以准确确定出待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关。

本申请实施例所提供的电容漏电检测方法，通过固定待检测字线的字线电压且让邻近字线的字线电压在包括字线关闭电压的预设电压范围内变化，可以获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息，由于电容漏电往往会对电容保持时间产生影响，因此在第二变化关联信息满足第二异常判定关系时，可以确定待检测存储电容的电容保持时间变化异常、即待检测存储电容漏电的原因是由于邻近字线引起的，从而能够将电容漏电异常定位到邻近字线上，实现了对电容漏电行为的精细检测。

在一些实施例中，在S1820之后，电容漏电检测方法还可以包括下述步骤C41。

步骤C41，确定待检测存储电容的漏电原因为待检测字线与邻近字线之间的距离过近。

通过步骤C41，可以在将电容漏电问题定位到邻近字线上之后，能够准确确定存储电容漏电故障的具体故障原因，实现对电容漏电问题的准确故障检测。

在一些实施例中，在确定漏电原因为待检测字线与邻近字线之间的距离过近之后，可以对后续生成批次的存储单元阵列中待检测字线与邻近字线之间距离等工艺参数进行调整，从而提高了整体存储单元阵列的工艺质量。

在一些实施例中，为了提高待检测存储电容的漏电检测准确性，S1810之前，电容漏电检测方法还可以包括下述步骤C51至C53。

步骤C51，获取待检测存储电容的电容保持时间与基底电压的第三变化关联信息。其中，基底电压为待检测存储单元的基底电压。

步骤C52，判断第三变化关联信息是否满足第三异常判定条件。

步骤C53，确定第三变化关联信息不满足第三异常判定条件。

需要说明的是，步骤C51至步骤C53与上述步骤步骤B21至步骤B23相似，可以参见本申请实施例上述部分的相关说明，在此不再赘述。

需要说明的是，通过上述步骤C51至C53，可以在检测待检测存储电容的漏电行为是否与待检测字线或者邻近字线相关之前，可以先排除掉掺杂层与基地之间的接触问题导致的待检测存储电容漏电的故障，从而提高了待检测存储电容的漏电行为检测的精确度。

在一些实施例中，在S1810与2520之间还包括步骤C61和C62。

步骤C61，获取待检测字线与邻近字线之间的距离。

步骤C62，确定距离小于预设字线距离阈值。

需要说明的是，步骤C61至步骤C62与上述步骤B31至B32相似，可以参见本申请实施例上述部分的相关说明，在此不再赘述。

需要说明的是，通过上述步骤C61和C62，由于当待检测字线与邻近字线之间的距离小于预设字线距离阈值时，即二者距离较近时，待检测字线所控制的待检测存储电容未关断或者待检测存储电容的电荷逃逸至邻近字线均可能会导致待检测存储电容的漏电行为，此时利用本申请实施例提供的电容漏电检测方案，能够实现对漏电行为的精细检测。

在一些实施例中，可以先获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压之间的第一变化关联信息，在第一变化关联信息不符合第一异常判定条件的情况下，再利用上述步骤检测待检测存储存储电容的漏电行为是否与邻近字线相关。

在一些实施例中，存储单元阵列的多条字线可以包括多个第一字线和多个第二字线。其中，第一字线和第二字线多个交替设置，多个第一字线用于输入字线电压，多个第二字线用于输入第二字线电压。

在一个示例中，为了便于测试，若第一字线用于控制待检测存储电容，则可以控制第二字线的字线电压在预设电压范围变化，以及控制第一字线的字线电压固定于字线关闭电压，从而实现对比如图17中的存储电容C

同理地，若第二字线用于控制待检测存储电容，则可以控制第一字线的字线电压在预设电压范围变化，以及控制第二字线的字线电压固定于字线关闭电压，从而实现对比如图17中的存储电容C

基于同一发明构思，本申请实施例中还提供了一种存储单元阵列的电容漏电检测装置，如下面的实施例。其中，存储单元阵列包括多个存储单元；存储单元包括待检测存储单元，待检测存储单元的存储电容为待检测存储电容，用于控制待检测存储电容的字线为待检测字线，待检测存储电容邻近的字线为邻近字线，其中，待检测字线和邻近字线施加不同的电压。

图19示出本申请实施例中一种电容漏电检测装置示意图，如图19所示，该电容漏电检测装置1900包括第一信息获取模块1910和第一漏电检测模块1920。

第一信息获取模块1910，用于在固定邻近字线的字线电压时获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息。其中，待检测字线的字线电压在包括字线关闭电压在内的预设电压范围内变化。

第一漏电检测模块1920，用于在第一变化关联信息满足第一异常判定条件时，确定待检测存储电容的漏电行为与待检测字线相关。

在一个实施例中，第一信息获取模块1910，包括第一电压控制单元、第二电压控制单元、参数获取单元和信息确定单元。

第一电压控制单元，用于控制邻近字线的字线电压固定于字线关闭电压；

第二电压控制单元，用于在预设电压范围内调整待检测字线的字线电压；

第一参数获取单元，用于获得每次调整后的待检测字线的字线电压所对应的待检测存储电容的电容保持时间；

第一信息确定单元，用于根据每次调整后的待检测字线的字线电压及其对应的待检测存储电容的电容保持时间，确定第一变化关联信息。

在一个实施例中，第一异常判定条件包括第一变化关联信息与第一基准变化关联信息不具有相关性。

电容漏电检测装置1900还包括第一判断模块。

第一判断模块用于确定第一变化关联信息与第一基准变化关联信息是否具有相关性，其中，第一基准变化关联信息为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与待检测字线的字线电压的变化关联信息；

以及还用于在第一变化关联信息与第一基准变化关联信息不具有相关性的情况下，确定第一变化关联信息满足第一异常判定条件。

在一个实施例中，第一异常判定条件包括第一变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值。

电容漏电检测装置1900还包括第一参数获取模块和第二判断模块。

第一参数获取模块，用于获取第一变化关联信息的变化参数，第一变化关联信息的变化参数用于表征第一变化关联信息的变化程度；

第二判断模块，用于在第一变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值的情况下，确定第一变化关联信息满足第一异常判定条件。

在一个实施例中，变化参数包括：变化率，和/或，电容保持时间的最大差值。

在一个实施例中，电容漏电检测装置1900还包括第三信息获取模块、异常判断模块和异常确定模块。

第三信息获取模块，用于获取待检测存储电容的电容保持时间与基底电压的第三变化关联信息，基底电压为待检测存储单元的基底电压；

异常判断模块，用于判断第三变化关联信息是否满足第三异常判定条件；

异常确定模块，用于确定第三变化关联信息不满足第三异常判定条件。

在一个实施例中，预设电压范围的上限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之和；和/或，

预设电压范围的下限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之差。

在一个实施例中，最大压差允许值是根据待检测字线与邻近字线之间的距离确定的。

在一个实施例中，电容漏电检测装置3200还包括距离获取模块和距离判断模块。

距离获取模块，用于获取待检测字线与邻近字线之间的距离；

距离判断模块，用于确定距离小于预设字线距离阈值。

在一个实施例中，距离小于或等于45纳米。

需要说明的是，图19所示的电容漏电检测装置1900可以执行图11至图17所示的方法实施例中的各个步骤，并且实现图11至图17所示的方法实施例中的各个过程和效果，在此不做赘述。

本申请实施例所提供的电容漏电检测装置，通过固定待检测字线的字线电压且让待检测字线的字线电压在包括字线关闭电压的预设电压范围内变化时，可以获取待检测存储电容的电容保持时间与待检测字线的字线电压的第一变化关联信息，由于电容漏电会对电容保持时间产生影响，因此在第一变化关联信息满足第一异常判定关系时，可以确定待检测存储电容的电容保持时间变化异常、即待检测存储电容漏电的原因是由于待检测字线引起的，从而能够将电容漏电异常定位到待检测字线上，实现了对电容漏电行为的精细检测。

图20示出本申请实施例中另一种电容漏电检测装置示意图，如图20所示，该电容漏电检测装置2000包括第二信息获取模块2010和第二漏电检测模块2020。

第二信息获取模块2010，用于在固定待检测字线的字线电压时，获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息，其中，邻近字线的字线电压在预设电压范围内变化。

第二漏电检测模块2020，用于在第二变化关联信息满足第二异常判定条件的情况下，确定待检测存储电容的漏电行为与邻近字线相关。

在一个实施例中，第二信息获取模块2010，包括：第三电压控制单元、第四电压控制单元、第二参数获取单元和第二信息确定单元。

第三电压控制单元，用于控制待检测字线的字线电压固定于字线关闭电压；

第四电压控制单元，用于在预设电压范围内调整邻近字线的字线电压；

第二参数获取单元，用于获得每次调整后的邻近字线的字线电压所对应的待检测存储电容的电容保持时间；

第二信息确定单元，用于根据每次调整后的邻近字线的字线电压及其对应的待检测存储电容的电容保持时间，确定第二变化关联信息。

在一个实施例中，第二异常判定条件包括第二变化关联信息与第二基准变化关联信息不具有相关性。

电容漏电检测装置2000还包括第三判断模块。

第三判断模块，用于确定第二变化关联信息与第二基准变化关联信息是否具有相关性，其中，第二基准变化关联信息为待检测存储电容的电容保持时间在正常情况下与邻近字线的字线电压的变化关联信息；

以及，还用于在第二变化关联信息与第二基准变化关联信息不具有相关性的情况下，确定第二变化关联信息满足第二异常判定条件。

在一个实施例中，第二异常判定条件包括第二变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值。

电容漏电检测装置2000还包括第二参数获取模块和第四判断模块。

第二参数获取模块，用于获取第二变化关联信息的变化参数，第二变化关联信息的变化参数用于表征第二变化关联信息的变化程度；

第四判断模块，用于在第二变化关联信息的变化参数大于或等于预设参数阈值的情况下，确定第二变化关联信息满足第二异常判定条件。

在一个实施例中，变化参数包括：变化率，和/或，电容保持时间的最大差值。

在一个实施例中，电容漏电检测装置2000还包括第三信息获取模块、异常判断模块和异常确定模块。

第三信息获取模块，用于获取待检测存储电容的电容保持时间与基底电压的第三变化关联信息，基底电压为待检测存储单元的基底电压；

异常判断模块，用于判断第三变化关联信息是否满足第三异常判定条件；

异常确定模块，用于确定第三变化关联信息不满足第三异常判定条件。

在一个实施例中，预设电压范围的上限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之和；和/或，

预设电压范围的下限阈值等于字线关闭电压与最大压差允许值之差。

在一个实施例中，最大压差允许值是根据待检测字线与邻近字线之间的距离确定的。

在一个实施例中，电容漏电检测装置2000还包括距离获取模块和距离判断模块。

距离获取模块，用于获取待检测字线与邻近字线之间的距离；

距离判断模块，用于确定距离小于预设字线距离阈值。

在一个实施例中，距离小于或等于45纳米。

本申请实施例所提供的电容漏电检测装置，通过固定待检测字线的字线电压且让邻近字线的字线电压在包括字线关闭电压的预设电压范围内变化时，可以获取待检测存储电容的电容保持时间与邻近字线的字线电压的第二变化关联信息。由于电容漏电会对电容保持时间产生影响，因此在第二变化关联信息满足第二异常判定关系时，可以确定待检测存储电容的电容保持时间变化异常、即待检测存储电容漏电的原因是由于邻近字线引起的，从而能够将电容漏电异常定位到邻近字线上，实现了对电容漏电行为的精细检测。

需要说明的是，图20所示的电容漏电检测装置2000可以执行图18所示的方法实施例中的各个步骤，并且实现图18所示的方法实施例中的各个过程和效果，在此不做赘述。

所属技术领域的技术人员能够理解，本申请的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本申请的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。

图21是根据一示例性实施方式示出的一种电子设备的结构示意图。需要说明的是，图21示出的电子设备仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。

如图21所示，电子设备2100以通用计算机设备的形式表现。电子设备2100的组件包括：至少一个中央处理单元(CPU)2101，其可以根据存储在只读存储器(ROM)2102中的程序代码或者从至少一个存储单元2108加载到随机访问存储器(RAM)2103中的程序代码而执行各种适当的动作和处理。

特别地，根据本发明的实施例，程序代码可以被中央处理单元2101执行，使得中央处理单元2101执行本说明书上述方法实施例部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。例如，中央处理单元2101可以执行如图11-图18中所示的步骤。

在RAM 2103中，还存储有电子设备2100操作所需的各种程序和数据。CPU 2101、ROM2102以及RAM 2103通过总线2104彼此相连。输入/输出(I/O)接口2105也连接至总线2104。

以下部件连接至I/O接口2105：包括键盘、鼠标等的输入单元2106；包括诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)等以及扬声器等的输出单元2107；包括硬盘等的存储单元2108；以及包括诸如LAN卡、调制解调器等的网络接口卡的通信单元2109。通信单元2109经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器2110也根据需要连接至I/O接口2105。可拆卸介质2111，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器2110上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储单元2108。

图22是根据一示例性实施方式示出的一种可读存储介质的示意图。

参考图22所示，描述了根据本发明的实施方式的设置为实现上述方法的程序产品2200，其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。

上述可读存储介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被一个该设备执行时，使得该可读存储介质实现如图11-图18中所示的功能。

以上具体地示出和描述了本发明的示例性实施方式。应可理解的是，本发明不限于这里描述的详细结构、设置方式或实现方法；相反，本发明意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效设本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。

本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由所附的权利要求指出。