存储器裸片的电压谐振缓解

本专利申请主张Badrieh在2021年1月20日提交的标题为“存储器裸片的电压谐振缓解(VOLTAGE RESONANCE MITIGATION OF MEMORY DIES)”的第17/153,519号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请转让给本受让人且全文以引用的方式明确地并入本文中。

技术领域

技术领域涉及存储器裸片的电压谐振缓解。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两个支持状态中的一个，常常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持两个以上状态，可存储所述两个以上状态中的任一个。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM等非易失性存储器可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM等易失性存储器装置在从外部电源断开时可能丢失其所存储状态。

发明内容

描述一种方法。所述方法可包含：监测存储器裸片的电压；利用存储器裸片的电路系统分析所监测电压的频率响应；利用存储器裸片的电路系统检测所监测电压谐振所处的频率；以及利用存储器裸片的电路系统执行操作以缓解所述频率下所监测电压的谐振。

描述一种非暂时性计算机可读介质。所述非暂时性计算机可读介质可存储包含指令的代码，所述指令可由处理器执行以：监测存储器裸片的电压；分析所监测电压的频率响应；检测所监测电压谐振所处的频率；以及执行操作以缓解所监测电压的谐振。

描述一种设备。所述设备可包含与存储器装置相关联的控制器。所述控制器可被配置成致使所述设备：监测存储器裸片的电压；利用存储器裸片的电路系统分析所监测电压的频率响应；利用存储器裸片的电路系统检测所监测电压谐振所处的频率；以及利用存储器裸片的电路系统执行操作以缓解所述频率下所监测电压的谐振。

附图说明

图1示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的系统的实例。

图2示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的存储器系统的实例。

图3示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的阻抗图的实例。

图4示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的电压图的实例。

图5展示流程图，其示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的方法。

图6展示根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的存储器装置的框图。

图7展示流程图，其示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的方法。

具体实施方式

电力递送网络可对存储器装置提供电力。在这样做时，电力递送网络可能对归因于各种电路元件和其它元件的包含反馈、时间相依性、频率相依性等的不同因素敏感。此外，存储器装置可在执行从主机装置接收的命令时从电力递送网络的供应线路汲取电流。在一些实例中，电流需求可能致使供应线路的电压在一或多个谐振频率下或附近振荡。当电力递送网络的供应线路接近或处于谐振频率而操作时，存储器装置可能归因于供应线路上不稳定的电压波动而性能不够理想。

一些存储器装置可包含一或多个元件(例如，DRAM晶体管)，其可各自具有与其相关联的阻抗。阻抗可为频率相依的，且频率相依元件可能针对不同时间刺激以不同方式表现。在一些实例中，某一频率或频率范围下或附近的高阻抗可能导致不合需要的振荡模式或谐振频率，这可能致使不同参数(例如，电压)变得不稳定。

出于这些和其它原因，可能需要保持存储器裸片的导电线(例如电力供应线路或者信号或控制线)的阻抗远离谐振频率。本文中描述的系统、技术和装置可确定导电线信号何时处于或接近谐振频率，且可实施一或多个缓解操作来降低振荡发生的可能性。在一些实例中，可监测存储器装置的电压响应以查看不可接受的行为(例如，在谐振频率下或附近操作)。在识别此条件之后，可执行动作使得可缓解所述条件。

在某些情况下，可监测例如控制线、数据线或电压供应线路等与存储器裸片相关联的导电线。可分析电压的频率响应以确定是否导电线可在例如谐振频率等特定频率下或附近操作。如果导电线正在特定频率下或附近操作，则可执行例如存储器操作等动作以缓解导电线的谐振。可利用存储器裸片的电路系统实现监测、分析和动作执行。

首先如参考图1和2所描述在系统和裸片的上下文中描述本公开的特征。如参考图3-4所描述在阻抗和电压曲线的上下文中进一步描述本公开的特征。如参考图5-7所描述进一步通过涉及存储器裸片的电压谐振缓解的设备图和流程图示出且参考所述设备图和流程图描述本公开的这些和其它特征。

图1示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110以及耦合主机装置105与存储器装置110的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但所述一或多个存储器装置110的各方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中进行描述。

系统100可包含电子装置的部分，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统。举例来说，系统100可说明计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器等的方面。存储器装置110可以是可操作以存储系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。

系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可以是使用存储器来执行例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器、芯片上系统(SoC)或某一其它固定或便携式电子装置内的过程的装置内的处理器或其它电路系统的实例，以及其它实例。在一些实例中，主机装置105可以指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可被称作主机或主机装置105。

存储器装置110可以是可操作以提供可供系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可配置以与一或多个不同类型的主机装置一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可为可操作的以支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种形状因数、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、定时惯例，或其它因素。

存储器装置110可为可操作的以存储主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属型装置(例如，响应且执行主机装置105经由外部存储器控制器120提供的命令)。此些命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。

主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(BIOS)组件130，或者例如一或多个外围组件或者一或多个输入/输出控制器等其它组件中的一或多个。主机装置105的组件可使用总线135彼此耦合。

处理器125可为可操作的以针对系统100的至少部分或主机装置105的至少部分提供控制或其它功能性。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在此些实例中，处理器125可以是中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、通用GPU(GPGPU)或SoC的实例以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或为处理器125的一部分。

BIOS组件130可以是包含操作为固件的BIOS的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。BIOS组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。BIOS组件130可包含存储在只读存储器(ROM)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。

存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所要容量或指定容量。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-N)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-N)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个栅格、一或多个存储体、一或多个拼片、一或多个区段)，其中每一存储器单元可操作以存储至少一个位的数据。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可称为多裸片存储器或多裸片封装，或者多芯片存储器或多芯片封装。

装置存储器控制器155可包含可操作以控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作且可为可操作的以接收、发射或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息的硬件、固件或指令。装置存储器控制器155可为可操作的以与外部存储器控制器120、所述一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。本公开的部分可由装置存储器控制器155执行。举例来说，装置存储器控制器155可监测存储器裸片160中的一或多个，且致使存储器裸片在电压频率处于谐振频率下或附近时执行缓解动作。

本地存储器控制器165(例如，对于存储器裸片160来说是本地的)可包含可操作以控制存储器裸片160的操作的电路、逻辑或组件。在一些实例中，本地存储器控制器165可为可操作的以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或发射数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含本地存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器120可执行本文中所描述的各种功能。因此，本地存储器控制器165可为可操作的以与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165，或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中可包含的组件的实例可包含用于接收信号(例如，从外部存储器控制器120)的接收器、用于发射信号(例如，到外部存储器控制器120)的发射器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制待发射信号的编码器，或可操作用于支持所描述的装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的操作的各种其它电路或控制器。本公开的部分可由本地存储器控制器165执行。举例来说，本地存储器控制器165可监测相应存储器裸片160的一或多个电压，且致使存储器裸片在电压频率处于谐振频率下或附近时执行缓解动作。本地控制器165可独自或结合装置存储器控制器155执行此操作。

外部存储器控制器120可为可操作的以实现系统100或主机装置105(例如，处理器125)的组件与存储器装置110之间信息、数据或命令中的一或多个的传送。外部存储器控制器120可以转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120，或者系统100或主机装置105的其它组件，或者本文所描述的其功能可由处理器125实施。举例来说，外部存储器控制器120可以是由处理器125或者系统100或主机装置105的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某一组合。虽然将外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的其功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，或反之亦然。

主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可为可操作的以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一信道115可为在主机装置105与存储器装置之间携载信息的发射介质的实例。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或发射介质(例如，导体)。信号路径可以是可操作以携载信号的导电路径的实例。举例来说，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含主机装置105处的一或多个引脚或衬垫和存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可为可操作的以充当信道的一部分。

信道115(和相关联的信号路径及端子)可专用于传送一或多种类型的信息。举例来说，信道115可包含一或多个命令和地址(CA)信道186、一或多个时钟信号(CK)信道188、一或多个数据(DQ)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，信令可使用单数据速率(SDR)信令或双数据速率(DDR)信令经由信道115传送。在SDR信令中，可针对每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升或下降沿上)注册信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在DDR信令中，可针对每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿两者上)注册信号的两个调制符号(例如，信号电平)。

图2示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的存储器系统200的实例。系统200可包含与控制器/处理器205耦合的存储器210(例如，DRAM)。控制器/处理器205和存储器210可以分别是参看图1论述的本地存储器控制器165和存储器阵列170的实例。控制器/处理器205和存储器210可协同定位在单个存储器裸片250上，所述单个存储器裸片可以是参看图1论述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，可针对存储器裸片250在与存储器裸片250相关联的控制器/处理器205处执行下文论述的操作中的一或多个(例如，与图5或图7或这两者相关联的方法的特征)。

存储器裸片160可定位于封装215中，且封装215可与电路板220附接或以其它方式耦合。存储器210和/或控制器/处理器205可从定位于电路板220上或附近的电力供应225获得操作电力。电力递送网络(例如，电力供应线路255)可布设穿过电路板220和封装215而到达存储器210和处理器205。电力递送网络可包含电压调节器230以调节通过电力供应线路255的信号。电压调节器230可经由电力供应线路255-a从电力供应225接收电力信号且经由电力供应线路255-b将经调节电力信号输出到存储器210和控制器/处理器205。电力供应线路255-a和255-b可具有总阻抗，其可包含与电路板220、封装215、电压调节器230和存储器裸片210相关联的部分。阻抗部分可包含来自这些组件中的一个或全部的电阻、电容和电感组件。

举例来说，与电压调节器230相关联的电容器可位于电路板220上以使电压稳定，且保持与电压调节器相关联的此些电压平稳。在某些情况下，电容器可具有与其相关联的寄生效应，且电路板220可另外具有与其相关联的寄生效应。此外，囊封存储器裸片250的封装可具有与其相关联的阻抗。可存在与单个封装215及其相应电力供应225和电压调节器230相关联的多个存储器裸片250。

导电线可具有致使在一或多个频率(例如，谐振频率)下发生较高阻抗的各个元件。缓解此电路行为的一种方式可以是在电路中包含较多电容器。额外电容器可占据额外裸片区域，其可能不始终可供分配给电容器。描述用于使用由控制器/处理器205或由存储器210上的电路(或这两者)实施的固件或软件解决方案减小存储器裸片在谐振频率下操作的可能性的系统、装置及技术。

图3示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的阻抗图300的实例。图300可描绘信号的阻抗相对于信号的频率的曲线。图300可以是存储器裸片的导电线(例如，电力供应线路，或信号线，或控制线)的阻抗曲线302的实例。举例来说，阻抗曲线302可对应于从电压调节器(例如，电压调节器230)到存储器裸片(例如，存储器裸片250)的电压供应线路(例如，供应线路255-b)，且可示出裸片侧阻抗。

电力供应线路可被设计成减小(或最小化)频率非相依阻抗的阻抗，且维持稳态频率，使得理想情况和存储器裸片之间的电压降可接近零或某一恒定数字。在某些情况下，对于物理电力供应线路，阻抗可以是频率的函数。图300示出存储器裸片的导电线(例如，电压供应线路)的阻抗的频率相依行为的简化实例。阻抗曲线302可以是与电路相关联的阻抗曲线302的实例；反曲点、量值和斜率/速率可变化且可取决于电路(例如，电力递送网络电路)的设计。

在较低频率下(例如，在305下)，阻抗可主要归因于导电线的电阻R，因为线路上的直流电流需求的相当大部分可被解决。举例来说，在电力供应线路中，电压调节器可能够解决直流电流需求。随着频率增加(例如，在310处)阻抗曲线可增加或变高，部分地归因于电路板电容器的寄生和电感效应，并且还归因于封装电感。在这些频率下，阻抗可表示为sL，其中s可等于2πf，其中f可以是频率且L可以是电感。因此，在这些频率下，电路板及其电容器的阻抗可作为频率的函数增加阻抗。

随着频率进一步增加，阻抗可在谐振频率f

通常，谐振频率下或附近的阻抗可能不合乎需要，因为其可能导致相应线路上的问题(例如，不稳定的电压波动或定时问题)。在图3的实例中，可能需要保持导电线的频率远离谐振频率f

在实践中，线路信号可包含多个频率，且其中所述线路信号在不同频率下具有不同阻抗。在那些情况下，可能需要减小线路信号的处于谐振频率下或附近的部分的强度和/或将所述部分移动远离谐振频率。在某些情况下，可通过确定线路信号的频谱且接着执行缓解动作将所述信号部分移动成远离谐振频率或围绕谐振频率，来实现此目的。在某些情况下，可存在对应于线路信号的一个以上谐振频率。在那些情况下，可执行一或多个缓解动作以将信号部分移动成远离或围绕谐振频率。可个别地或一起执行缓解动作。

图4示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的电压图400的实例。图400可以是存储器裸片的导电线(例如，供应线路，或信号线，或控制线)的相对于频率的电压曲线402的实例。举例来说，电压曲线402可对应于从电压调节器到存储器裸片的电压供应线路。电压曲线402可展示频率响应，且表示导电线的电压的频谱。基于频率响应，可在信号中检测谐振频率使得校正动作可缓解不合需要的问题的发生。

在一些实例中，可通过执行电压信号的频谱分析来确定所述信号的频率响应。在一些实例中，感测元件或传感器可感测裸片上电压，且可在运行中(例如，实时或接近实时地)动态地计算信号的频谱。在一些实例中，传感器可位于存储器裸片上以监测裸片上电压。在一些实例中，能够读取瞬时波形的裸片上示波器可提供频谱信息。

在一些实例中，可在多个有限频率下确定电压信号的组成。举例来说，在图4中，可分别在频率410(例如，410-a到410-n)处确定组成405(例如，405-a到405-n)。在一些实例中，可通过采用信号的傅立叶变换来确定和分析频率响应以识别模式且识别频谱中的峰值。随着电压振荡，频谱中的峰值可指示电压处于谐振频率下或附近。通过识别模式和/或频谱峰值，可通过执行校正动作缓解由谐振所导致的问题。

可相对于谐振频率分析信号的频率响应以确定何时可执行缓解操作。在一些实例中，可利用查找表(例如，所预定的查找表)来识别所计算的频谱且将所计算的频谱与所述频谱(例如，谐振频率)进行比较。在一些实例中，谐振频率可凭经验确定。

在一些实例中，频谱中的峰值可与谐振频率进行比较以确定是否可执行缓解动作。举例来说，图4中，可在频率410-d下发生大峰值415。如果频率410-d是谐振频率(例如，图3的频率320)或在导电线的谐振频率附近(例如，图3的频率335和340之间)，则可执行某一动作来缓解所监测电压的谐振。

在一些实例中，如果谐振频率处或附近的电压的值满足阈值，则可需要校正动作。在一些实例中，如果谐振频率处或附近的电压的值比第二频率处的第二电压的值大至少某一电压偏移，则可需要校正动作。在一些实例中，如果谐振频率处或附近的电压的值比一组频率下电压的平均值大至少某一电压偏移，则可能需要校正动作。

在一些实例中，如果频谱在某一区中具有某一数量的频调(例如，最小数量)，或如果频调可能超出某一值(例如，预定值)，则可执行校正动作以在问题发生之前缓解所述问题。

在一些实例中，校正动作可包含延迟存储器裸片的队列中的存取操作的开始时间，乃至阻止执行存取操作。在一些实例中，校正动作可包含暂时减小电力消耗、拉长电流模式，或更改由存储器裸片使用的供应电压(例如，通过改变电压电平)。在一些实例中，校正动作可包含将谐振的指示传信或发射到主机装置。举例来说，所述指示可包含以下指示：谐振发生，或所监测电压谐振所处的频率，或经执行以缓解谐振的操作，或其任何组合。在一些实例中，可执行一个以上校正动作。举例来说，可执行上述校正动作的任何组合。

存储器装置处的操作的定时的改变可降低电路中谐振发生的可能性。存取操作的定时可基于通过施加电流所导致的电压信号的振荡而影响各种频率下的电压。举例来说，如果电流脉冲作为由存储器装置执行的操作的一部分施加到导电线，则电流脉冲可能致使导电线上的电压信号中的响应(或振荡)。在操作期间，多个电流脉冲可施加到导电线。如果在与第一电流脉冲相关联的电压信号的振荡已经消退之前将第二电流脉冲施加到导电线，则与第二电流脉冲相关联的电压信号的振荡可同与第一电流脉冲相关联的电压信号的振荡组合。在某些情况下，这些振荡可以相长的方式组合，且可能导致谐振发生。通过更改各个电流脉冲的定时，谐振发生的可能性可降低，或正形成的谐振可减小。因此，控制器/处理器或与存储器相关联的其它组件可被配置成通过调整一些操作的定时来降低在谐振频率下操作的可能性。对正由存储器执行的操作(例如，对操作的定时或对操作的子部分的定时)的调整可以是校正动作的实例。

图5展示流程图，其示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的方法500。方法500的操作中的一或多个可由存储器裸片执行或在存储器裸片处执行。举例来说，对于存储器裸片250，操作中的一或多个可由定位于存储器裸片上的控制器/处理器205执行。

在505处，可确定与存储器裸片或其导电线(例如，电压供应线路)相关联的谐振频率。在一些实例中，可通过例如在制造裸片时测试存储器裸片来确定谐振频率。在一些实例中，可通过对线路建模来计算谐振频率。在一些实例中，可利用查找表来识别线路的谐振频率。通过知晓谐振频率，可在导电线的电压达到谐振频率之前改变各个动作(例如，存储器存取操作、来自主机装置的命令传信)的定时。在某些情况下，可已经知晓谐振频率。在那些情况下，可省略参考505叙述的特征。

在510处，可监测与存储器裸片相关联的导电线(例如，电压供应线路)的电压。在一些实例中，可使用可位于存储器裸片上的感测元件或传感器来监测电压。在一些实例中，可使用裸片上组件(例如，示波器)来监测导电线的瞬时波形。在一些实例中，电压可包含存储器裸片的供应电压。在某些情况下，实时监测裸片上的电压，且所述测得的电压可用于构建电压信号的频谱。测得电压信号所取的样本越多，则频谱响应可更大程度上优化。在某些情况下，从时域到频域的转换是傅里叶变换。

在515处，可分析所监测电压。在一些实例中，可相对于谐振频率分析所监测电压的频率响应。在一些实例中，可分析所监测电压的频谱。在一些实例中，能够读取瞬时波形的裸片上示波器可提供频谱信息。在一些实例中，可相对于所监测电压的频率分量分析所监测电压，且可在运行中(例如，实时或接近实时地)动态地计算信号的频谱。在一些实例中，信号的频谱中的峰值可与谐振频率进行比较。在一些实例中，可通过采用所监测电压的傅立叶变换来确定和分析频率响应以识别模式且识别频谱中的峰值。

在520处，可确定所监测电压是否满足某一条件，所述条件指示所监测电压是否在谐振频率下或附近具有强存在。在一些实例中，如果谐振频率下或附近的所监测电压的值满足阈值，则可满足所述条件。在一些实例中，如果谐振频率下或附近的电压的值比第二频率下的第二电压的值大至少某一电压偏移，则可满足所述条件。在一些实例中，如果谐振频率下或附近的电压的值比一组频率下的电压的平均值大至少某一电压偏移，则可满足所述条件。在一些实例中，是否满足所述条件的确定可在所监测电压在谐振频率下操作之前发生。电压的频谱响应可与参考进行比较。

在某些情况下，电压的频谱响应可与谐振可发生时所处的一或多个频率进行比较。如果取样的频谱满足条件，则可采取校正动作。如果取样的频谱不满足阈值或条件，则存储器裸片可继续照常操作。在一些实例中，与测得电压比较的参考频率、阈值或条件可能已通过模拟或测量获得。存储器装置可被配置成针对分析参数动态地改变或设定样本时间、频谱分辨率和接近性准则。

此外，在一些实例中，可通过经由裸片上组件监测瞬时波形来确定电压是否满足条件。裸片上组件可以是示波器，且可提供用于识别谐振频率的频谱信息。在一些实例中，可通过使用一或多个瞬时波形监测与电压相关联的频谱信息来确定电压是否满足条件。在一些实例中，裸片上组件可提供用于识别谐振频率的频谱信息。

如果满足指示所监测电压在谐振频率下或附近具有强存在的条件，则方法可继续到525以执行缓解动作。否则，如果不满足指示所监测电压在谐振频率下或附近具有强存在的条件，则方法可返回到510以继续监测导电线。

在525处，可执行缓解动作或操作。在一些实例中，缓解动作可包含延迟存储器裸片的队列中的存取操作的开始时间。在一些实例中，缓解动作可包含放弃(例如，不执行)存储器裸片的队列中的存取操作。在一些实例中，缓解动作可包含暂时减小存储器裸片的电力消耗。在一些实例中，缓解动作可包含拉长由存储器裸片使用的电流模式。拉长电流模式的实例可包含增加在存储器阵列中施加一或多个电流脉冲之间的一或多个持续时间。在一些实例中，缓解动作可包含更改由存储器裸片使用的供应电压(例如，改变所述供应电压的电压电平)。在一些实例中，缓解动作可包含将指示从存储器装置传信或发射到主机装置。所述指示可包含所监测电压谐振所处的频率，或经执行以缓解谐振的操作，或其组合。

在525处，可在存储器裸片处由主机装置或存储器裸片调整与存储器装置和/或存储器裸片相关联的至少一个命令的定时。命令的定时可不同于与可能已经产生可能已经导致不合需要的电压振荡的电流需求的命令相关联的先前定时。相比之下，新定时可缓解电流需求或电压振荡。

在一些实例中，可执行缓解操作，使得在可执行校正动作之前受监测信号可在谐振频率下操作持续短时间周期。

当缓解操作完成时，方法可返回到510以继续监测导电线。以此方式，可连续地监测和分析导电线的电压以确定是否以及何时执行缓解操作。

上文已相对于具有单个谐振频率的系统论述方法500。方法500还可适于与具有一个以上谐振频率的系统一起使用。举例来说，在505处，可确定一个以上谐振频率；在520处，可确定所监测电压是否在每一谐振频率处或附近具有强存在；以及在525处，可执行对应于每一谐振频率的缓解操作。谐振频率可个别地或一起处理。

图6展示根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的存储器装置620的框图600。存储器装置620可以是如参考图1到5所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置620或其各种组件可以是用于执行如本文所描述的存储器裸片的电压谐振缓解的各个方面的构件的实例。举例来说，存储器装置620可包含监测器625、分析仪630、检测器635、执行组件640或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。

监测器625可被配置成或以其它方式支持用于监测存储器裸片的电压的构件。分析仪630可被配置成或以其它方式支持用于利用存储器裸片的电路系统分析所监测电压的频率响应的构件。检测器635可被配置成或以其它方式支持用于利用存储器裸片的电路系统检测所监测电压谐振所处的频率的构件。执行组件640可被配置成或以其它方式支持用于利用存储器裸片的电路系统执行操作以缓解所监测电压在所述频率下的谐振的构件。在一些实例中，电压包含存储器裸片的供应电压。

在一些实例中，检测器635可被配置成或以其它方式支持用于检测所述频率下的电压的第一值大于第二频率下的电压的第二值某一电压偏移的构件。在一些实例中，检测器635可被配置成或以其它方式支持用于检测所述频率下的电压的值满足与谐振相关联的阈值的构件。在一些实例中，检测器635可被配置成或以其它方式支持用于检测所述频率下的电压的值大于一组频率下的电压的平均值加上电压偏移的构件。

在一些实例中，检测器635可被配置成或以其它方式支持用于利用存储器裸片的电路系统第二次检测所监测电压谐振所处的频率的构件。在一些实例中，执行组件640可被配置成或以其它方式支持用于阻止执行存取操作以第二次缓解所监测电压的谐振的构件。

在一些实例中，执行组件640可被配置成或以其它方式支持用于延迟存储器裸片的队列中的存取操作的开始时间的构件。在一些实例中，执行组件640可被配置成或以其它方式支持用于更改由存储器裸片使用的供应电压的构件。

在一些实例中，执行组件640可被配置成或以其它方式支持用于将谐振的指示发射到主机装置的构件。在一些实例中，所述指示可包含以下指示：谐振发生，或所监测电压谐振所处的频率，或经执行以缓解谐振的操作。

在一些实例中，分析仪630可被配置成或以其它方式支持用于执行所监测电压的频谱分析的构件。在一些实例中，分析仪630可被配置成或以其它方式支持用于使用傅里叶变换分析所监测电压的频率响应的构件。

在一些实例中，监测器625可被配置成或以其它方式支持用于监测存储器裸片的电压的构件。在一些实例中，分析仪630可被配置成或以其它方式支持用于分析所监测电压的频率响应的构件。在一些实例中，检测器635可被配置成或以其它方式支持用于检测所监测电压谐振所处的频率的构件。在一些实例中，执行组件640可被配置成或以其它方式支持用于执行操作以缓解所监测电压的谐振的构件。

在一些实例中，检测器635可被配置成或以其它方式支持用于第二次检测所监测电压谐振所处的频率的构件。在一些实例中，执行组件640可被配置成或以其它方式支持用于阻止使用存储器裸片执行存取操作的构件。

图7展示流程图，其示出根据本文所公开的实例的支持存储器裸片的电压谐振缓解的方法700。方法700的操作可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，可由如参考图1至6所描述的存储器装置执行方法700的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制装置的功能元件来执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在705处，所述方法可包含监测存储器裸片的电压。可根据如本文所公开的实例执行705的操作。在一些实例中，705的操作的方面可由如参考图6所描述的监测器625执行。

在710处，所述方法可包含利用存储器裸片的电路系统分析所监测电压的频率响应。可根据如本文所公开的实例执行710的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的分析仪630执行710的操作的方面。

在715处，所述方法可包含利用存储器裸片的电路系统检测所监测电压谐振所处的频率。可根据如本文所公开的实例执行715的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的检测器635执行715的操作的方面。

在720处，所述方法可包含利用存储器裸片的电路系统执行操作以缓解所监测电压在所述频率下的谐振。可根据如本文所公开的实例执行720的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的执行组件640执行720的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法700。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)：监测存储器裸片的电压；利用存储器裸片的电路系统分析所监测电压的频率响应；利用存储器裸片的电路系统检测所监测电压谐振所处的频率；以及利用存储器裸片的电路系统执行操作以缓解所监测电压在所述频率下的谐振。

在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，电压包含存储器裸片的供应电压。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于检测所述频率下的电压的第一值可大于第二频率下的电压的第二值加上电压偏移的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于检测所述频率下的电压的值满足与谐振相关联的阈值的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于检测所述频率下的电压的值可大于一组频率下的电压的平均值加上电压偏移的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于延迟存储器裸片的队列中的存取操作的开始时间的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于利用存储器裸片的电路系统第二次检测所监测电压谐振所处的频率且阻止执行存取操作以第二次缓解所监测电压的谐振的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于更改由存储器裸片使用的供应电压的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于将谐振的指示发射到主机装置的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，所述指示可包含以下指示：谐振发生、所监测电压谐振所处的频率、经执行以缓解谐振的操作，或其组合。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于执行所监测电压的频谱分析的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于使用傅里叶变换分析所监测电压的频率响应的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。

应注意，本文描述的方法描述可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两个或两个以上的部分。

可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所公开的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号示出为单个信号；然而，所述信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有多种位宽度。

术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指代支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流动的任何导电路径，则认为所述组件彼此电子连通(或导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此成电子连通(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是间接导电路径，其可以包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件将所连接组件之间的信号流中断一段时间。

术语“耦合”指代从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前不能够经由导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够经由导电路径在组件之间传送。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

本文中论述的装置(包含存储器阵列)可形成于例如硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，所述衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用包含(但不限于)磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂手段执行掺杂。

本文所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。端子可经由例如金属等导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括重度掺杂(例如简并)的半导体区。源极与漏极可通过轻度掺杂的半导体区或沟道分隔开。如果沟道是n型(即，多数载流子为电子)，则FET可称为n型FET。如果沟道是p型(即，多数载流子为电穴)，则FET可被称为p型FET。所述沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电率。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可使沟道变为导电的。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，则晶体管可“断开”或“停用”。

本文中结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于其它实例”。具体实施方式包含提供对所描述的技术的理解的特定细节。然而，可在没有这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图的形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述的实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可以具有相同参考标记。此外，可通过在参考标签之后跟着划线及在类似组件之间进行区分的第二标记来区分为相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，则描述内容适用于具有相同的第一参考标记的类似组件中的任一个，而无关于第二参考标记。

本文中所描述的功能可以用硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读介质上或经由计算机可读介质发射。其它实例和实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，本文所描述的功能可使用由处理器、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合执行的软件实施。实施功能的特征也可在物理上位于各个位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。

举例来说，可使用通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本公开描述的各种说明性块和模块。通用处理器可为微处理器；但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器的组合、一或多个微处理器结合DSP核心，或任何其它此配置)。

如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”等短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C，或者AB或AC或BC，或者ABC(即，A和B和C)。并且，如本文所用，短语“基于”不应被理解为提及一组封闭条件。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示例性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式解释。

计算机可读介质包含非暂时性计算机存储介质与通信介质两者，通信介质包含促进计算机程序从一处传递到另一处的任何介质。非暂时性存储介质可为可由通用或专用计算机存取的任何可用介质。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读介质可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性介质。并且，适当地将任何连接称作计算机可读介质。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件，则所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波等无线技术包含于介质的定义中。如本文所使用的磁盘及光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软磁盘及蓝光光盘，其中磁盘通常是以磁性方式再现数据，而光盘是用激光以光学方式再现数据。上述的组合也包含在计算机可读介质的范围内。

提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。对本公开的各种修改将是所属领域的技术人员显而易见的，且本文所定义的一般原理可应用于其它变型，而不脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是应被赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最广范围。