信号处理装置、磁带驱动器、磁带、磁带盒、存储介质、信号处理方法及磁带制造方法

技术领域

本发明的技术涉及一种信号处理装置、磁带驱动器、磁带、磁带盒、程序、信号处理方法及磁带制造方法。

背景技术

专利文献1中公开有在行进的磁带上设置有用于记录或播放伺服信号的磁头的伺服写入器。专利文献1中所记载的伺服写入器具备：基底部；及支承臂，悬臂支承于该基底部，并且设置成相对于磁带能够位置调整设置于自由端的磁头。并且，专利文献1中所记载的伺服写入器具备：检测机构，在磁头的附近位置上，检测磁带边缘的位置；位置调整机构，调整磁带与磁头之间的相对位置；及控制部，根据通过检测机构检测到的边缘的位置，通过位置调整机构控制相对位置。

专利文献1：日本特开2005-259241号公报

发明内容

本发明的技术所涉及的一个实施方式提供一种能够简单地确定在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间处于对应关系的伺服图案之间的偏离量的信号处理装置、磁带驱动器、磁带、磁带盒、程序、信号处理方法及磁带制造方法。

本发明的技术所涉及的第1方式为信号处理装置，其具备从形成有多个伺服带的磁带获取由磁头读取的数据并进行处理的处理器，多个伺服带在磁带的宽度方向上隔着间隔配置，在多个伺服带中沿着磁带的长边方向分别形成有多个伺服图案，磁头具有与多个伺服带中的在宽度方向上相邻的一对伺服带对应的一对伺服读取元件，处理器执行如下处理：获取基于一对伺服带中所包含的第1伺服带内的伺服图案由一对伺服读取元件中所包含的第1伺服读取元件读取的第1结果的第1信号；获取基于一对伺服带中所包含的第2伺服带内的伺服图案由一对伺服读取元件中所包含的第2伺服读取元件读取的第2结果的第2信号；获取第1信号与第2信号的时间的偏离量。

本发明的技术所涉及的第2方式为第1方式所涉及的信号处理装置。在第2方式所涉及的信号处理装置中，第1结果为在第1伺服读取元件位于磁带的BOT区域上的期间，第1伺服带内的伺服图案由第1伺服读取元件读取的结果，第2结果为在第2伺服读取元件位于BOT区域上的期间，第2伺服带内的伺服图案由第2伺服读取元件读取的结果。

本发明的技术所涉及的第3方式为第1方式或第2方式所涉及的信号处理装置。在第3方式所涉及的信号处理装置中，伺服图案为多个线状磁化区域的集合，线状磁化区域为多个磁化直线的集合，第1结果为与多个线状磁化区域对应的第1脉冲信号组，第2结果为与多个线状磁化区域对应的第2脉冲信号组，当N为将多个线状磁化区域中所包含的磁化直线的个数设为上限值的自然数时，第1信号为与第1脉冲信号组中所包含的所指定的第N个脉冲信号对应的信号，第2信号为与第2脉冲信号组中所包含的第N个脉冲信号对应的信号。

本发明的技术所涉及的第4方式为第3方式所涉及的信号处理装置。在第4方式所涉及的信号处理装置中，第N个为第1个。

本发明的技术所涉及的第5方式为第1方式或第2方式所涉及的信号处理装置。在第5方式所涉及的信号处理装置中，伺服图案为多个线状磁化区域的集合，第1结果为与多个线状磁化区域对应的第1脉冲信号组，第2结果为与多个线状磁化区域对应的第2脉冲信号组，第1信号为与第1脉冲信号组中所包含的多个脉冲信号对应的多个信号，第2信号为与第2脉冲信号组中所包含的多个脉冲信号对应的多个信号。

本发明的技术所涉及的第6方式为第5方式所涉及的信号处理装置。在第6方式所涉及的信号处理装置中，偏离量根据与第1脉冲信号组中所包含的多个脉冲信号对应的多个信号和与第2脉冲信号组中所包含的多个脉冲信号对应的多个信号的时间差的平均值、中值、众数、最大值或最小值来规定。

本发明的技术所涉及的第7方式为第1方式至第6方式中任一个方式所涉及的信号处理装置。在第7方式所涉及的信号处理装置中，偏离量为关于第1伺服带内的多个伺服图案而获得的多个第1信号与关于第2伺服带内的多个伺服图案而获得的多个第2信号的时间差的统计值。

本发明的技术所涉及的第8方式为第1方式至第7方式中任一个方式所涉及的信号处理装置。在第8方式所涉及的信号处理装置中，处理器执行与偏离量相对应的特定处理。

本发明的技术所涉及的第9方式为第8方式所涉及的信号处理装置。在第9方式所涉及的信号处理装置中，处理器控制使磁头偏斜的偏斜机构，特定处理包括使偏斜机构将磁头偏斜为基于偏离量的角度的偏斜处理。

本发明的技术所涉及的第10方式为第1方式至第9方式中任一个方式所涉及的信号处理装置。在第10方式所涉及的信号处理装置中，处理器将与偏离量对应的信号存储于存储介质。

本发明的技术所涉及的第11方式为第10方式所涉及的信号处理装置。在第11方式所涉及的信号处理装置中，磁带容纳于磁带盒，在磁带盒中设置有能够以非接触方式进行通信的非接触式存储介质，存储介质包含非接触式存储介质。

本发明的技术所涉及的第12方式为第10方式或第11方式所涉及的信号处理装置。在第12方式信号处理装置中，存储介质包含磁带的一部分区域。

本发明的技术所涉及的第13方式为磁带驱动器，其执行与从第1方式至第12方式中任一个方式所涉及的信号处理装置获得的偏离量相对应的处理。

本发明的技术所涉及的第14方式为磁带，其形成有多个伺服带，其中，多个伺服带在磁带的宽度方向上隔着间隔配置，在多个伺服带中沿着磁带的长边方向分别形成有多个伺服图案，在多个伺服带中的在宽度方向上相邻的一对伺服带之间，磁带的长边方向的位置所对应的伺服图案之间的偏离量与从第1方式至第12方式中任一个方式所涉及的信号处理装置获得的偏离量对应。

本发明的技术所涉及的第15方式为第14方式所涉及的磁带，其中，在磁带的一部分区域存储有与偏离量对应的信号。

本发明的技术所涉及的第16方式为磁带盒，其容纳有第14方式或第15方式所涉及的磁带。

本发明的技术所涉及的第17方式为第16方式所涉及的磁带盒，其具备能够以非接触方式进行通信的非接触式存储介质，在非接触式存储介质中存储与从第1方式至第12方式中任一个方式所涉及的信号处理装置获得的偏离量对应的信号。

本发明的技术所涉及的第18方式为信号处理方法，其具备从形成有多个伺服带的磁带获取由磁头读取的数据并进行处理的步骤，多个伺服带在磁带的宽度方向上隔着间隔配置，在多个伺服带中沿着磁带的长边方向分别形成有多个伺服图案，磁头具有与多个伺服带中的在宽度方向上相邻的一对伺服带对应的一对伺服读取元件，信号处理方法具备如下步骤：获取基于一对伺服带中所包含的第1伺服带内的伺服图案由一对伺服读取元件中所包含的第1伺服读取元件读取的结果的第1信号；获取基于一对伺服带中所包含的第2伺服带内的伺服图案由一对伺服读取元件中所包含的第2伺服读取元件读取的结果的第2信号；及获取第1信号与第2信号的时间的偏离量。

本发明的技术所涉及的第19方式为磁带制造方法，其按照从第1方式至第12方式中任一个方式所涉及的信号处理装置获得的偏离量记录伺服图案。

本发明的技术所涉及的第20方式为磁带，其按照使用第18方式所涉及的信号处理方法而获得的偏离量记录有伺服图案。

本发明的技术所涉及的第21方式为磁带制造方法，其具备按照使用第18方式所涉及的信号处理方法而获得的偏离量对磁带记录伺服图案的步骤。

本发明的技术所涉及的第22方式为程序，其用于使计算机执行信号处理，信号处理具备从形成有多个伺服带的磁带获取由磁头读取的数据并进行处理的步骤，多个伺服带在磁带的宽度方向上隔着间隔配置，在多个伺服带中沿着磁带的长边方向分别形成有多个伺服图案，磁头具有与多个伺服带中的在宽度方向上相邻的一对伺服带对应的一对伺服读取元件，信号处理具备如下步骤：获取基于一对伺服带中所包含的第1伺服带内的伺服图案由一对伺服读取元件中所包含的第1伺服读取元件读取的结果的第1信号；获取基于一对伺服带中所包含的第2伺服带内的伺服图案由一对伺服读取元件中所包含的第2伺服读取元件读取的结果的第2信号；及获取第1信号与第2信号的时间的偏离量。

附图说明

图1是表示磁带系统的结构的一例的框图。

图2是表示磁带盒外观的一例的概略立体图。

图3是表示磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。

图4是表示从磁带盒的下侧通过非接触式读写装置释放了磁场的方式的一例的概略立体图。

图5是表示磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。

图6是表示磁头在磁带上行进的同时对数据带记录数据或播放数据带的信号时的磁带与磁头之间的相对关系的一例的概念图。

图7是表示形成于磁带表面的数据带的结构的一例的概念图。

图8是表示数据读写元件与数据磁道之间的对应关系的一例的概念图。

图9是表示从磁带的表面侧观察了磁带的宽度收缩前后的磁带的方式的一例的概念图。

图10是表示从磁带的表面侧观察了在磁带上磁头偏斜的状态的方式的一例的概念图。

图11是表示磁带驱动器中所包含的控制器所具有的功能的一例的概念图。

图12是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图13是表示从磁头输出的第1伺服带信号及第2伺服带信号的方式的一例的概念图。

图14是表示由控制装置进行的BOT区域处理及BOT区域外处理的一例的概念图。

图15是表示磁带驱动器中所包含的控制器所具有的位置检测装置的处理内容的一例的概念图。

图16是表示磁带驱动器中所包含的控制器所具有的控制装置的处理内容的一例的概念图。

图17是表示控制处理的流程的一例的流程图。

图18是表示由第1变形例所涉及的磁带系统中所包含的控制装置进行的处理内容的一例的概念图。

图19是表示由第2变形例所涉及的磁带系统中所包含的控制装置进行的处理内容的一例的概念图。

图20是表示由第3变形例所涉及的磁带系统中所包含的控制装置进行的处理内容的一例的概念图。

图21是表示由第4变形例所涉及的磁带系统中所包含的控制装置进行的处理内容的一例的概念图。

图22是表示第5变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图23是表示第5变形例的概念图，是表示实际伺服图案的几何特性与假想伺服图案的几何特性之间的关系的一例的概念图。

图24是表示第5变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图25是表示第5变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上未偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图26是表示第5变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图27是表示第6变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图28是表示第6变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图29是表示第7变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图30是表示第7变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图31是表示第8变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在实施方式所涉及的磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图32是表示第9变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图33是表示第9变形例的概念图，是表示实际伺服图案的几何特性与假想伺服图案的几何特性之间的关系的一例的概念图。

图34是表示第9变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图35是表示第9变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图36是表示第10变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图37是表示第10变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图38是表示第11变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图39是表示第11变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图40是表示第12变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图41是表示存储于存储介质的程序安装于控制装置的计算机的方式的一例的概念图。

具体实施方式

以下，按照附图对本发明的技术所涉及的信号处理装置、磁带驱动器、磁带、磁带盒、程序、信号处理方法及磁带制造方法的实施方式的一例进行说明。

首先，对以下说明中所使用词句进行说明。

CPU是指“Central Processing Unit：中央处理器”的简称。NVM是指“Non-volatile memory：非易失性存储器”的简称。RAM是指“Random Access Memory：随机存取存储器”的简称。EEPROM是指“Electrically Erasable and Programmable Read OnlyMemory：电可擦可编程只读存储器”的简称。SSD是指“Solid State Drive：固态硬盘”的简称。HDD是指“Hard Disk Drive：硬盘驱动器”的简称。ASIC是指“Application SpecificIntegrated Circuit：专用集成电路”的简称。FPGA是指“Field-Programmable GateArray：现场可编程门阵列”的简称。PLC是指“Programmable Logic Controller：可编程逻辑控制器”的简称。SoC是指“System-on-a-chip：片上系统”的简称。IC是指“IntegratedCircuit：集成电路”的简称。RFID是指“Radio Frequency Identifier：无线射频识别”的简称。BOT是指“Beginning Of Tape：磁带始端”的简称。EOT是指“End Of Tape：磁带尾端”的简称。UI是指“User Interface：用户接口”的简称。WAN是指“Wide Area Network：广域网”的简称。LAN是指“Local Area Network：局域网”的简称。并且，在以下说明中，几何特性是指，长度、形状、朝向和/或位置等一般公认的几何学上的特性。

作为一例，如图1所示，磁带系统10具备磁带盒12及磁带驱动器14。在磁带驱动器14中装填有磁带盒12。在磁带盒12中容纳有磁带MT。磁带驱动器14从所装填的磁带盒12抽出磁带MT，一边使所抽出的磁带MT行进，一边对磁带MT记录数据，或从磁带MT读取数据。

在本实施方式中，磁带MT为本发明的技术所涉及的“磁带”的一例。并且，在本实施方式中，磁带驱动器14为本发明的技术所涉及的“磁带驱动器”的一例。并且，在本实施方式中，磁带盒12为本发明的技术所涉及的“磁带盒”的一例。

接着，参考图2～图4对磁带盒12的结构的一例进行说明。另外，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头A来表示磁带盒12向磁带驱动器14的装填方向，将箭头A方向设为磁带盒12的前方向，将磁带盒12的前方向侧设为磁带盒12的前侧。在以下所示的结构的说明中，“前”是指磁带盒12的前侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头A方向正交的箭头B方向设为右方向，将磁带盒12的右方向侧设为磁带盒12的右侧。在以下所示的结构的说明中，“右”是指磁带盒12的右侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头B方向相反的方向设为左方向，将磁带盒12的左方向侧设为磁带盒12的左侧。在以下所示的结构的说明中，“左”是指磁带盒12的左侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头C来表示与箭头A方向及箭头B方向正交的方向，将箭头C方向设为磁带盒12的上方向，将磁带盒12的上方向侧设为磁带盒12的上侧。在以下所示的结构的说明中，“上”是指磁带盒12的上侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的前方向相反的方向设为磁带盒12的后方向，将磁带盒12的后方向侧设为磁带盒12的后侧。在以下所示的结构的说明中，“后”是指磁带盒12的后侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的上方向相反的方向设为磁带盒12的下方向，将磁带盒12的下方向侧设为磁带盒12的下侧。在以下所示的结构的说明中，“下”是指磁带盒12的下侧。

作为一例，如图2所示，磁带盒12在俯视观察下大致呈矩形形状，且具备箱状的壳体16。壳体16中容纳有磁带MT。壳体16由聚碳酸酯等树脂制成，且具备上壳体18及下壳体20。上壳体18及下壳体20在使上壳体18的下周缘面与下壳体20的上周缘面接触的状态下，通过焊接(例如，超声波焊接)及螺钉固定而接合。接合方法并不限于焊接及螺钉固定，可以是其他接合方法。

在壳体16的内部可旋转地容纳有送出卷轴22。送出卷轴22具备卷轴毂22A、上凸缘22B1及下凸缘22B2。卷轴毂22A形成为圆筒状。卷轴毂22A为送出卷轴22的轴心部，轴心方向沿着壳体16的上下方向，且配置于壳体16的中央部。上凸缘22B1及下凸缘22B2分别形成为圆环状。在卷轴毂22A的上端部固定有上凸缘22B1的俯视中央部，在卷轴毂22A的下端部固定有下凸缘22B2的俯视中央部。另外，卷轴毂22A与下凸缘22B2可以一体成型。

在卷轴毂22A的外周面卷绕有磁带MT，磁带MT的宽度方向的端部由上凸缘22B1及下凸缘22B2保持。

在壳体16的右壁16A的前侧形成有开口16B。磁带MT从开口16B抽出。

下壳体20中设置有盒式存储器24。具体而言，在下壳体20的右后端部容纳有盒式存储器24。盒式存储器24为能够以非接触方式进行通信的存储器。在盒式存储器24中搭载有具有NVM的IC芯片。在本实施方式中，所谓的无源RFID标签用作盒式存储器24，并且对盒式存储器24以非接触方式进行各种信息的读写。另外，在本实施方式中，举出了盒式存储器24设置于下壳体20的方式例，但本发明的技术并不限定于此，盒式存储器24只要在能够以非接触方式读写各种信息的位置上设置于壳体16即可。

在盒式存储器24中存储有管理磁带盒12的管理信息13。管理信息13中例如包含与盒式存储器24相关的信息(例如，能够确定磁带盒12的信息)、与磁带MT相关的信息及与磁带驱动器14相关的信息(例如，表示磁带驱动器14的规格的信息及磁带驱动器14中所使用的信号)等。与磁带MT相关的信息中包含规格信息13A。规格信息13A为确定磁带MT的规格的信息。并且，与磁带MT相关的信息中还包含表示记录于磁带MT的数据的概要的信息、表示记录于磁带MT的数据的项目的信息及表示记录于磁带MT的数据的记录格式的信息等。另外，在本实施方式中，盒式存储器24为本发明的技术所涉及的“存储介质”及“非接触式存储介质”的一例。

作为一例，如图3所示，磁带驱动器14具备控制器25、输送装置26、磁头28、UI系统装置34及通信接口35。控制器25具备控制装置30及存储器(storage)32。在本实施方式中，控制器25为“信号处理装置”的一例。另外，控制装置30为本发明的技术所涉及的“处理器”的一例。

在磁带驱动器14中沿着箭头A方向装填磁带盒12。在磁带驱动器14中，磁带MT从磁带盒12抽出后使用。控制器25使用存储于盒式存储器24的管理信息13等控制磁带驱动器14的整体(例如，磁头28等)。

磁带MT具有磁性层29A、基膜29B及背涂层29C。磁性层29A形成于基膜29B的一面侧，背涂层29C形成于基膜29B的另一面侧。对磁性层29A记录数据。磁性层29A包含铁磁性粉末。作为铁磁性粉末，例如可以使用在各种磁记录介质的磁性层中通常使用的铁磁性粉末。作为铁磁性粉末的优选具体例，可举出六方晶铁氧体粉末。作为六方晶铁氧体粉末，例如可举出六方晶锶铁氧体粉末或六方晶钡铁氧体粉末等。背涂层29C例如为包含炭黑等非磁性粉末的层。基膜29B也被称为支承体，例如由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰胺等形成。另外，可以在基膜29B与磁性层29A之间形成有非磁性层。在磁带MT中，形成有磁性层29A的面为磁带MT的表面31，形成有背涂层29C的面为磁带MT的背面33。

磁带驱动器14以使磁带MT行进的状态使用磁头28对磁带MT的表面31进行磁处理。在此，磁处理是指，对磁带MT的表面31记录数据(即，数据的写入)及从磁带MT的表面31读取数据(即，数据的播放)。在本实施方式中，磁带驱动器14使用磁头28选择性地进行对磁带MT的表面31记录数据及从磁带MT的表面31读取数据。即，磁带驱动器14从磁带盒12抽出磁带MT，使用磁头28对所抽出的磁带MT的表面31记录数据，或使用磁头28从所抽出的磁带MT的表面31读取数据。

控制装置30控制磁带驱动器14的整体。在本实施方式中，控制装置30通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，控制装置30可以通过FPGA和/或PLC来实现。并且，控制装置30也可以通过包含CPU、闪存(例如，EEPROM和/或SSD等)及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过ASIC、FPGA、PLC及计算机中的两个以上的组合来实现。即，控制装置30也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。

存储器32与控制装置30连接，控制装置30对存储器32写入各种信息及从存储器32读出各种信息。作为存储器32的一例，可举出闪存和/或HDD。闪存及HDD只不过是一例，只要是能够搭载于磁带驱动器14的非易失性存储器，则可以是任意存储器。

UI系统装置34为具有接收表示来自用户的指示的指示信号的接收功能及对用户提示信息的提示功能的装置。接收功能例如通过触摸面板、硬键(例如，键盘)和/或鼠标等来实现。提示功能例如通过显示器、打印机和/或扬声器等来实现。UI系统装置34与控制装置30连接。控制装置30获取通过UI系统装置34接收的指示信号。UI系统装置34在控制装置30的控制下，对用户提示各种信息。

通信接口35与控制装置30连接。并且，通信接口35经由WAN和/或LAN等通信网(省略图示)与外部装置37连接。通信接口35管理控制装置30与外部装置37之间的各种信息(例如，对磁带MT的记录用数据、从磁带MT读取的数据和/或对控制装置30赋予的指示信号等)的收发。另外，作为外部装置37，例如可举出个人计算机或主机等。

输送装置26为选择性地沿着既定路径向正向及反向输送磁带MT的装置，具备送出马达36、卷取卷轴38、卷取马达40及多个导辊GR。另外，在此，正向是指磁带MT的送出方向，反向是指磁带MT的倒带方向。

送出马达36在控制装置30的控制下，使磁带盒12内的送出卷轴22旋转。控制装置30通过控制送出马达36，控制送出卷轴22的旋转方向、转速及转矩等。

卷取马达40在控制装置30的控制下，使卷取卷轴38旋转。控制装置30通过控制卷取马达40，控制卷取卷轴38的旋转方向、转速及转矩等。

当通过卷取卷轴38卷取磁带MT时，控制装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向正向行进。送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等根据使卷取卷轴38卷取磁带MT的速度来调整。并且，送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等由控制装置30调整，由此对磁带MT赋予张力。并且，通过控制装置30调整送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等，由此控制对磁带MT赋予的张力。

另外，当将磁带MT倒带到送出卷轴22时，控制装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向反向行进。

在本实施方式中，通过控制送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等，控制施加于磁带MT的张力，但本发明的技术并不限定于此。例如，施加于磁带MT的张力可以使用张力调节辊来控制，也可以通过将磁带MT引入真空腔室来控制。

多个导辊GR分别为引导磁带MT的辊。既定路径即磁带MT的行进路径根据多个导辊GR在磁带盒12与卷取卷轴38之间分开配置于横跨磁头28的位置而设定。

磁头28具备磁性元件单元42及托架44。磁性元件单元42以使其与行进中的磁带MT接触的方式由托架44保持。磁性元件单元42具有多个磁性元件。

磁性元件单元42对由输送装置26输送的磁带MT记录数据，或从由输送装置26输送的磁带MT读取数据。在此，数据例如是指，伺服图案52(参考图6)及除伺服图案52以外的数据，即记录于数据带DB(参考图6)的数据。这里所说的数据为本发明的技术所涉及的“数据”的一例。

磁带驱动器14具备非接触式读写装置46。非接触式读写装置46配置成在装填有磁带盒12的状态的磁带盒12的下侧与盒式存储器24的背面24A正对，并且以非接触的方式对盒式存储器24读写信息。

作为一例，如图4所示，非接触式读写装置46从磁带盒12的下侧朝向盒式存储器24释放磁场MF。磁场MF贯穿盒式存储器24。

非接触式读写装置46与控制装置30连接。控制装置30将存储器控制信号输出至非接触式读写装置46。存储器控制信号为控制盒式存储器24的信号。非接触式读写装置46按照从控制装置30输入的存储器控制信号生成磁场MF，朝向盒式存储器24释放所生成的磁场MF。

非接触式读写装置46经由磁场MF在与盒式存储器24之间进行非接触通信，由此对盒式存储器24进行与存储器控制信号相对应的处理。例如，非接触式读写装置46在控制装置30的控制下，选择性地进行从盒式存储器24读取信息的处理及使盒式存储器24存储信息的处理(即，对盒式存储器24写入信息的处理)。换言之，控制装置30经由非接触式读写装置46以非接触方式与盒式存储器24进行通信，由此从盒式存储器24读取信息，或使盒式存储器24存储信息。

作为一例，如图5所示，磁带驱动器14具备移动机构48。移动机构48具有移动致动器48A。作为移动致动器48A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。移动致动器48A与控制装置30连接，控制装置30控制移动致动器48A。移动致动器48A在控制装置30的控制下，生成动力。移动机构48接收由移动致动器48A生成的动力，由此使磁头28沿着磁带MT的宽度方向WD移动(参考图6)。

磁带驱动器14具备倾斜机构49。倾斜机构49为本发明的技术所涉及的“偏斜机构”的一例。倾斜机构49具有倾斜致动器49A。作为倾斜致动器49A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。倾斜致动器49A与控制装置30连接，控制装置30控制倾斜致动器49A。倾斜致动器49A在控制装置30的控制下，生成动力。倾斜机构49接收由倾斜致动器49A生成的动力，由此使磁头28相对于磁带MT的宽度方向WD向磁带MT的长边方向LD侧倾斜(参考图10)。即，磁头28在控制装置30的控制下，从倾斜机构49被赋予动力，由此在磁带MT上偏斜。

作为一例，如图6所示，在磁带MT的表面31形成有伺服带SB1、SB2及SB3以及数据带DB1及DB2。另外，以下，为了便于说明，当无需特别区分时，将伺服带SB1～SB3称为伺服带SB，将数据带DB1及DB2称为数据带DB。

伺服带SB1～SB3以及数据带DB1及DB2沿着磁带MT的长边方向LD(即，全长方向)形成。在此，换言之，磁带MT的全长方向是指，磁带MT的行进方向。磁带MT的行进方向以磁带MT从送出卷轴22侧向卷取卷轴38侧行进的方向即正向(以下，也简称为“正向”)及磁带MT从卷取卷轴38侧向送出卷轴22侧行进的方向即反向(以下，也简称为“反向”)这两个方向来规定。

伺服带SB1～SB3在磁带MT的宽度方向WD(以下，也简称为“宽度方向WD”)上分开的位置上排列。例如，伺服带SB1～SB3沿着宽度方向WD以等间隔排列。另外，在本实施方式中，“等间隔”除了指完全等间隔以外，还指在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且包括不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的等间隔。

数据带DB1配设于伺服带SB1与伺服带SB2之间，数据带DB2配设于伺服带SB2与伺服带SB3之间。即，伺服带SB与数据带DB沿着宽度方向WD交替排列。

另外，在图6所示的例子中，为了便于说明，示出了3根伺服带SB及2根数据带DB，但这只不过是一例，可以是2根伺服带SB及1根数据带DB，即便是4根以上的伺服带SB及3根以上的数据带DB，本发明的技术也成立。

在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD形成有多个伺服图案52。伺服图案52分类为伺服图案52A及伺服图案52B。多个伺服图案52沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。另外，在本实施方式中，“恒定”除了指完全恒定以外，还指包括在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的恒定。

伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧50划分。帧50由一组伺服图案52规定。在图6所示的例子中，作为一组伺服图案52的一例，示出了伺服图案52A及52B。伺服图案52A及52B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧50内，伺服图案52A位于正向的上游侧，伺服图案52B位于正向的下游侧。

伺服图案52由线状磁化区域对54构成。线状磁化区域对54分类为线状磁化区域对54A及线状磁化区域对54B。

伺服图案52A由线状磁化区域对54A构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54A的一例，示出了由线状磁化区域54A1及54A2构成的对。线状磁化区域54A1及54A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域54A1及54A2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54A1及54A2相对于假想直线C1以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54A1及54A2互不平行，且形成为以假想直线C1为对称轴向磁带MT的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。

线状磁化区域54A1为得到磁化的5根直线即磁化直线54A1a的集合。线状磁化区域54A2为得到磁化的5根直线即磁化直线54A2a的集合。磁化直线54A1a的集合及磁化直线54A2a的集合为本发明的技术所涉及的“多个磁化直线的集合”的一例。

伺服图案52B由线状磁化区域对54B构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54B的一例，示出了由线状磁化区域54B1及54B2构成的对。线状磁化区域54B1及54B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域54B1及54B2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C2向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54B1及54B2相对于假想直线C2以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54B1及54B2互不平行，且形成为以假想直线C2为对称轴向磁带MT的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。

线状磁化区域54B1为得到磁化的4根直线即磁化直线54B1a的集合。线状磁化区域54B2为得到磁化的4根直线即磁化直线54B2a的集合。磁化直线54B1a的集合及磁化直线54B2a的集合为本发明的技术所涉及的“多个磁化直线的集合”的一例。

在如此构成的磁带MT的表面31侧配置有磁头28。托架44形成为长方体状，且配置成沿着宽度方向WD横贯在磁带MT的表面31上。磁性元件单元42的多个磁性元件沿着托架44的长边方向以直线状排列。磁性元件单元42作为多个磁性元件，具有一对伺服读取元件SR及多个数据读写元件DRW。在本实施方式中，一对伺服读取元件SR为本发明的技术所涉及的“一对伺服读取元件”的一例。

托架44的长边方向的长度相对于磁带MT的宽度足够长。例如，托架44的长边方向的长度设为磁性元件单元42在磁带MT上配置于任意位置也超过磁带MT的宽度的长度。

在磁头28中搭载有一对伺服读取元件SR。在磁头28中，托架44与一对伺服读取元件SR之间的相对位置关系被固定。一对伺服读取元件SR由伺服读取元件SR1及SR2构成。伺服读取元件SR1配置于磁性元件单元42的一端，伺服读取元件SR2配置于磁性元件单元42的另一端。在图6所示的例子中，伺服读取元件SR1设置于与伺服带SB2对应的位置，伺服读取元件SR2设置于与伺服带SB3对应的位置。在本实施方式中，伺服读取元件SR1为本发明的技术所涉及的“第1伺服读取元件”的一例，伺服读取元件SR2为本发明的技术所涉及的“第2伺服读取元件”的一例。

多个数据读写元件DRW在伺服读取元件SR1与伺服读取元件SR2之间以直线状配置。多个数据读写元件DRW沿着磁头28的长边方向隔着间隔配置(例如，沿着磁头28的长边方向以等间隔配置)。在图6所示的例子中，多个数据读写元件DRW设置于与数据带DB2对应的位置。

控制装置30获取通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52的结果即伺服图案信号，并且按照所获取的伺服图案信号进行跟踪控制(也称为“伺服控制”)。在此，跟踪控制是指，通过按照由伺服读取元件SR读取的伺服图案52经由移动机构48使磁头28沿着磁带MT的宽度方向WD移动而使磁头28位于所指定的部位的控制(即，以成为正对磁道的方式调整磁头28的位置的控制)。

通过进行跟踪控制，多个数据读写元件DRW位于数据带DB内的所指定的区域上，在该状态下，对数据带DB内的所指定的区域进行磁处理。在图6所示的例子中，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB2内的所指定的区域进行磁处理。

并且，当设为由磁性元件单元42读取数据的读取对象的数据带DB变更时(在图6所示的例子中，设为由磁性元件单元42读取数据的读取对象的数据带DB从数据带DB2变更为数据带DB1时)，移动机构48在控制装置30的控制下，使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此变更一对伺服读取元件SR的位置。即，移动机构48通过使磁头28沿着宽度方向WD移动，使伺服读取元件SR1移动至与伺服带SB1对应的位置，使伺服读取元件SR2移动至与伺服带SB2对应的位置。由此，多个数据读写元件DRW的位置从数据带DB2上变更为数据带DB1上，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB1进行磁处理。

作为一例，如图7所示，在数据带DB2中，作为通过数据带DB2沿着宽度方向WD分割而获得的多个分割区域，从伺服带SB2侧朝向伺服带SB3侧形成有数据磁道DT1、DT2、DT3、DT4、DT5、DT6、DT7及DT8。

磁头28作为多个数据读写元件DRW，沿着宽度方向WD在伺服读取元件SR1与伺服读取元件SR2之间具有数据读写元件DRW1、DRW2、DRW3、DRW4、DRW5、DRW6、DRW7及DRW8。数据读写元件DRW1～DRW8与数据磁道DT1～DT8一对一对应，能够从数据磁道DT1～DT8读取(即，播放)数据及对数据磁道DT1～DT8记录(即，写入)数据。

并且，虽然省略图示，但在数据带DB1(参考图6)中也形成有相当于数据磁道DT1、DT2、DT3、DT4、DT5、DT6、DT7及DT8的多个数据磁道DT。

另外，以下，当无需特别区分时，将数据磁道DT1、DT2、DT3、DT4、DT5、DT6、DT7及DT8标记为“数据磁道DT”。并且，以下，当无需特别区分时，将数据读写元件DRW1、DRW2、DRW3、DRW4、DRW5、DRW6、DRW7及DRW8标记为“数据读写元件DRW”。

作为一例，如图8所示，数据磁道DT具有分割数据磁道组DTG。数据磁道DT1～DT8与分割数据磁道组DTG1～DTG8对应。以下，当无需特别区分说明时，将分割数据磁道组DTG1～DTG8标记为“分割数据磁道组DTG”。

分割数据磁道组DTG1为通过数据磁道DT沿着宽度方向WD分割而获得的多个分割数据磁道的集合。在图8所示的例子中，作为分割数据磁道组DTG1的一例，示出了通过数据磁道DT沿着宽度方向WD等分为12个部分而获得的分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12。数据读写元件DRW1担负对分割数据磁道组DTG1的磁处理。即，数据读写元件DRW1担负对分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12记录数据及从分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12读取数据。

与数据读写元件DRW1同样地，数据读写元件DRW2～DRW8分别担负对与各数据读写元件DRW对应的数据磁道DT的分割数据磁道组DTG的磁处理。

数据读写元件DRW伴随基于移动机构48(参考图6)的磁头28向宽度方向WD的移动，而向与多个数据磁道DT中的所指定的1根数据磁道DT对应的位置移动。数据读写元件DRW通过使用了伺服图案52(参考图6及图7)的跟踪控制，停留在与所指定的1根数据磁道DT对应的位置上。

近年来，推进与减少TDS(Transverse Dimensional Stability：横向尺寸稳定性)的影响的技术相关的研究。已知有TDS取决于温度、湿度、磁带卷绕于卷轴的压力及经时劣化等，当未采取任何措施时，TDS变大，并且对数据带DB进行磁处理的情况下会产生偏离磁道(即，数据读写元件DRW相对于数据带DB内的磁道的位置偏离)。

在图9所示的例子中，示出了磁带MT的宽度随着时间的经过而收缩的方式。在该情况下，会成为偏离磁道。偏离磁道是指，数据读写元件DRW未位于分割数据磁道组DTG中所包含的分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12中的所指定的分割数据磁道上的状态(即，在宽度方向WD上，所指定的分割数据磁道的位置与数据读写元件DRW的位置偏离的状态)。

磁带MT的宽度有时变宽，在该情况下也会成为偏离磁道。即，若磁带MT的宽度随着时间的经过而变窄或变宽，则伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置会从设计上设定的既定位置(即，分别对线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2，设计上设定的既定位置)向宽度方向WD偏离。若伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置从设计上设定的既定位置向宽度方向WD偏离，则会导致降低跟踪控制的精度，并且数据带DB内的磁道(例如，分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12中的所指定的分割数据磁道)与数据读写元件DRW的位置偏离。如此一来，无法对当初预定的磁道进行磁处理。

作为减少TDS的影响的方法，可考虑通过调整对磁带MT赋予的张力来调整磁带MT的宽度的方法。但是，若磁带MT的宽度方向WD的变形量过多，则有时即便调整对磁带MT赋予的张力，也无法消除偏离磁道。并且，若加强对磁带MT赋予的张力，则施加于磁带MT的负荷也变大，也可能会导致缩短磁带MT的寿命。而且，若对磁带MT赋予的张力过弱，则磁头28与磁带MT的接触状态变得不稳定，从而磁头28对磁带MT进行磁处理变得困难。作为除了调整对磁带MT赋予的张力的方法以外减少TDS的影响的方法，作为一例如图10所示，已知有通过使磁头28在磁带MT上偏斜，将伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持在设计上设定的既定位置的方法。

磁头28具备旋转轴RA。旋转轴RA设置于磁头28中所包含的磁性元件单元42的相当于俯视中央部的位置。磁头28经由旋转轴RA可旋转地保持于倾斜机构49。另外，在本实施方式中，将通过使磁头28在表面31上沿着表面31以旋转轴RA为中心轴旋转来使磁头28相对于宽度方向WD倾斜的动作称为“偏斜”。

在磁头28中设置有假想中心线即假想直线C3。假想直线C3为通过旋转轴RA且沿着磁头28的俯视观察长边方向(即，多个数据读写元件DRW排列的方向)延伸的直线。磁头28以沿着表面31相对于宽度方向WD倾斜的姿势(换言之，使假想直线C3沿着表面31相对于假想直线C4倾斜的姿势)配置。在图10所示的例子中，磁头28以成为假想直线C3相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C4向磁带MT的长边方向LD侧倾斜的姿势的方式由倾斜机构49保持。在图10所示的例子中，磁头28以将假想直线C3相对于假想直线C4向送出卷轴22侧倾斜的姿势(即，以从图10的纸面表面侧观察时的逆时针方向倾斜的姿势)由倾斜机构49保持。由假想直线C3与假想直线C4所成的角度相当于使磁头28在表面31上沿着表面31以旋转轴RA为中心轴旋转来使磁头28相对于宽度方向WD倾斜的角度。另外，以下，将由假想直线C3与假想直线C4所成的角度也称为“偏斜角度”或“磁头28的偏斜角度”。偏斜角度为将从图10的纸面表侧观察时的逆时针方向设为正而将从图10的纸面表侧观察时的顺时针方向设为负来规定的角度。

倾斜机构49通过接收倾斜致动器49A(参考图5)的动力，使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转。倾斜机构49在控制装置30的控制下，使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，由此变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度。假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度的变更通过变更使磁头28沿着表面31相对于宽度方向WD倾斜的角度即磁头28的偏斜角度来实现。在本实施方式中，假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度通过磁头28的偏斜角度来表现。

假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度即偏斜角度根据温度、湿度、磁带MT卷绕于卷轴的压力及经时劣化等或由它们引起的磁带MT的宽度方向WD的伸缩而发生变更，由此伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持于设计上设定的既定位置。在该情况下，会成为正对磁道。正对磁道是指，数据读写元件DRW位于分割数据磁道组DTG中所包含的分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12中的所指定的分割数据磁道上的状态(即，在宽度方向WD上，所指定的分割数据磁道的位置与数据读写元件DRW的位置一致的状态)。

伺服读取元件SR读取伺服图案52，并输出表示读取结果的伺服图案信号。伺服读取元件SR沿着假想直线C3以直线状形成。因此，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52A时，在线状磁化区域对54A中，由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度不同。如此，若角度不同，则在来源于线状磁化区域54A1的伺服图案信号(即，通过由伺服读取元件SR读取线状磁化区域54A1而获得的伺服图案信号)与来源于线状磁化区域54A2的伺服图案信号(即，通过由伺服读取元件SR读取线状磁化区域54A2而获得的伺服图案信号)之间产生由方位角损失引起的偏差(例如，信号电平的偏差及波形的变形等)。

在图10所示的例子中，由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A1所成的角度大于由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A2所成的角度，因此伺服图案信号的输出小，且波形也扩展，从而通过在磁带MT行进的状态下伺服读取元件SR横切伺服带SB读取而获得的伺服图案信号中产生偏差。并且，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52B时，也在来源于线状磁化区域54B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域54B2的伺服图案信号之间产生由方位角损失引起的偏差。

详细内容将在后面叙述，但在本实施方式中，作为检测产生如上所述的由方位角损失引起的偏差的伺服图案信号的方法，利用使用自相关系数来检测伺服图案信号的方法(参考图15)。

接着，参考图11～图17对通过控制装置30进行的具体的处理的内容的一例进行说明。

作为一例，如图11所示，控制器25除了控制装置30以外，还具备位置检测装置30B。在图11所示的例子中，位置检测装置30B与控制装置30分体，但这只不过是一例，可以通过组装于控制装置30来与控制装置30一体化。

位置检测装置30B具有第1位置检测装置30B1及第2位置检测装置30B2。位置检测装置30B获取通过伺服读取元件SR读取了伺服带SB的结果即伺服带信号，并根据所获取的伺服带信号检测磁带MT上的磁头28的位置。在伺服带信号中除了读取了伺服图案52的结果即伺服图案信号以外，还包含跟踪控制中不需要的信号(例如，噪声等)。

位置检测装置30B从磁头28获取伺服带信号。伺服带信号分类为第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2。第1伺服带信号S1为表示通过伺服读取元件SR1读取了伺服带SB内的伺服图案52的结果的信号。第2伺服带信号S2为表示通过伺服读取元件SR2读取了伺服带SB内的伺服图案52的结果的信号。

通过伺服读取元件SR1读取了伺服带SB的伺服图案52的结果例如是指，一个伺服图案52中所包含的线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2由伺服读取元件SR1读取的结果。在线状磁化区域54A1包含5根磁化直线54A1a。并且，在线状磁化区域54A2包含5根磁化直线54A2a。并且，在线状磁化区域54B1包含4根磁化直线54B1a。并且，在线状磁化区域54B2包含4根磁化直线54B2a。因此，通过伺服读取元件SR1读取了伺服图案52的结果可作为由与线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2对应的18个脉冲信号构成的脉冲信号组(以下，也称为“第1脉冲信号组”)来获得。

在图11所示的例子中，第1脉冲信号组为与伺服带SB2内的线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2对应的时序列的脉冲信号的集合。并且，在本实施方式中，第1脉冲信号组为第1伺服带信号S1。

在此，作为第1脉冲信号组，例示了与伺服带SB2内的线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2对应的时序列的脉冲信号的集合，但这只不过是一例。例如，第1脉冲信号组可以是与伺服带SB2内的线状磁化区域54A1及54A2对应的时序列的脉冲信号的集合，或与伺服带SB2内的线状磁化区域54B1及54B2对应的时序列的脉冲信号的集合。

通过伺服读取元件SR2读取了伺服带SB的伺服图案52的结果例如是指，一个伺服图案52中所包含的线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2由伺服读取元件SR2读取的结果。因此，通过伺服读取元件SR2读取了伺服图案52的结果可作为由与线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2对应的18个脉冲信号构成的脉冲信号组(以下，也称为“第2脉冲信号组”)来获得。并且，在本实施方式中，第2脉冲信号组为第2伺服带信号S2。

在图11所示的例子中，第2脉冲信号组为与伺服带SB3内的线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2对应的时序列的脉冲信号的集合。并且，在本实施方式中，第2脉冲信号组为第2伺服带信号S2。

在此，作为第2脉冲信号组，例示了与伺服带SB3内的线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2对应的时序列的脉冲信号的集合，但这只不过是一例。例如，第2脉冲信号组可以是与伺服带SB3内的线状磁化区域54A1及54A2对应的时序列的脉冲信号的集合，或与伺服带SB3内的线状磁化区域54B1及54B2对应的时序列的脉冲信号的集合。

另外，在本实施方式中，通过伺服读取元件SR1读取了伺服带SB内的伺服图案52的结果为本发明的技术所涉及的“第1结果”及“第1脉冲信号组”的一例。第1伺服带信号S1为本发明的技术所涉及的“第1信号”的一例。通过伺服读取元件SR2读取了伺服带SB内的伺服图案52的结果为本发明的技术所涉及的“第2结果”及“第2脉冲信号组”的一例。第2伺服带信号S2为本发明的技术所涉及的“第2信号”的一例。

第1位置检测装置30B1获取第1伺服带信号S1，第2位置检测装置30B2获取第2伺服带信号S2。在图11所示的例子中，作为第1伺服带信号S1的一例，示出了通过由伺服读取元件SR1读取伺服带SB2而获得的信号，作为第2伺服带信号S2的一例，示出了通过由伺服读取元件SR2读取伺服带SB3而获得的信号。另外，在本实施方式中，为了便于说明，当无需区分说明第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2时，不标注符号而称为“伺服带信号”。

作为一例，如图12所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧50在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以间隔D偏离。这表示伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案52在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以间隔D偏离。

间隔D根据角度α、在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(以下，也称为“伺服带间距”)及帧长来规定。在图12所示的例子中，为了便于视觉掌握角度α，夸大示出了角度α，但实际上，角度α例如为15度左右。角度α为由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间未处于对应关系的帧50之间与假想直线C1所成的角度。在图12所示的例子中，作为角度α的一例，示出了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧50中的一个帧50(在图12所示的例子中，为伺服带SB3的一个帧50)与相邻于一对帧50中的另一个帧50(在图12所示的例子中，为伺服带SB2内的多个帧50中的与伺服带SB3的一个帧50处于对应关系的帧50)的帧50之间(图12所示的例子中，线段L1)和假想直线C1所成的角度。在该情况下，帧长是指，磁带MT的长边方向LD上的帧50的总长度。间隔D由以下数式(1)规定。另外，Mod(A/B)表示“A”除以“B”时产生的余数。

(间隔D)＝Mod{(伺服带间距×tanα)/(帧长)}……(1)

另外，在图12所示的例子中，作为角度α，例示了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧50中的一个帧50(以下，也称为“第1帧”)与相邻于一对帧50中的另一个帧50(以下，也称为“第2帧”)的帧50之间和假想直线C1所成的角度，但本发明的技术并不限定于此。例如，角度α可以是第1帧与在与第2帧相同的伺服带SB内从第2帧分开2帧以上的帧50(以下，也称为“第3帧”)之间和假想直线C1所成的角度。在该情况下，数式(1)中所使用的“帧长”为磁带MT的长边方向LD上的第2帧与第3帧之间的间距(例如，从第2帧的前端至第3帧的前端的距离)。

在磁带驱动器14中，进行跟踪控制及偏离磁道抑制控制(以下，也称为“各种控制”)。偏离磁道抑制控制为抑制偏离磁道的产生的控制。作为偏离磁道抑制控制，可举出控制对磁带MT赋予的张力的张力控制及使磁头28偏斜的偏斜控制。偏离磁道抑制控制为本发明的技术所涉及的“特定处理”及“与从信号处理装置获得的偏离量相对应的处理”的一例。

偏离磁道抑制控制为根据伺服带间距进行的控制。伺服带间距根据第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2来计算。因此，若相邻伺服带SB之间的帧50的间隔D(即，对应的伺服图案52之间的长边方向LD的间隔)出现偏差，则至少以与该偏差相当的量对伺服带间距的计算造成影响，伴随于此，各种控制的精度也降低。

伺服图案52由伺服写入器记录。有各种用于记录伺服图案52的伺服写入器，在伺服写入器之间存在制造误差和/或安装误差等。伺服写入器之间的制造误差和/或安装误差等表现为在相邻伺服带SB中处于对应关系的伺服图案52之间成为物理偏离量(以下，也称为“物理偏离量”)。即，物理偏离量表现为间隔D的偏差。

若能够测定物理偏离量，则能够进行已考虑物理偏离量的各种控制。作为物理偏离量的测定方法，可考虑使用了显微镜的测定方法。在该情况下，物理偏离量的测定精度取决于显微镜的移动台的精度(即，分辨率)。但是，伴随磁带MT的高密度化，还须提高显微镜的移动台的精度。例如，作为显微镜的移动台的精度，要求0.5um～1um等级。准备这种显微镜也需要成本，并且使用了显微镜的测定也需花费时间和劳力。

因此，鉴于这种情况，在磁带系统10中，作为一例，如图13所示，第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2之间的时间的偏离量Δ由控制装置30获取。偏离量Δ为将物理偏离量表现为时间偏离量的物理量。即，偏离量Δ与在伺服带SB2与伺服带SB3之间处于对应关系的帧50之间的一对伺服图案52的位置的偏离量对应。

偏离量Δ由通过在磁带MT的BOT区域31A上偏斜状态的磁头28获得的第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2计算。在图13所示的例子中，示出了假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图13的纸面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT的BOT区域31A上偏斜的状态。角度β为与间隔D(参考图12)对应的角度，预先设定为BOT区域31A上的偏斜角度。例如，角度β包含于管理信息13(参考图2)，由控制装置30获取。控制装置30通过使倾斜机构49(参考图5及图10)进行工作，以偏斜角度成为角度β的方式使磁头28在BOT区域31A上偏斜。这表示使磁头28在BOT区域31A上偏斜与偏离量Δ相当的量。控制装置30在维持了角度β的偏斜角度的状态下，从伺服读取元件SR1获取第1伺服带信号S1，且从伺服读取元件SR2获取第2伺服带信号S2。

在此，若偏离量Δ为“0”，则由控制装置30判定为在相邻伺服带SB中处于对应关系的伺服图案52之间未产生物理偏离量，若偏离量Δ为除“0”以外的值，则由控制装置30判定为产生了物理偏离量。另外，是否产生了物理偏离量的判定结果可以存储于存储器32的存储装置等，也可以显示于显示器。并且，在本实施方式中，“0”除了指完整的“0”以外，还指包括在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的“0”。

作为一例，如图14所示，磁带MT的表面31大致分为BOT区域31A与BOT区域外31B。BOT区域外31B是指，表面31内的除BOT区域31A以外的区域。在本实施方式中，BOT区域31A为本发明的技术所涉及的“存储介质”、“BOT区域”及“磁带的一部分区域”的一例。

控制装置30在使磁带MT向一方向(例如，正向)以恒定的速度行进的状态下进行BOT区域处理及BOT区域外处理。BOT区域处理为以使磁头28在BOT区域31A上以角度β偏斜的状态进行的处理。BOT区域外处理为以使磁头28在BOT区域外31B上以角度β偏斜的状态进行的处理。

在BOT区域处理中，控制装置30从伺服读取元件SR1获取第1伺服带信号S1，且从伺服读取元件SR2获取第2伺服带信号S2。然后，控制装置30作为偏离量Δ获取第1偏离量Δ1。第1偏离量Δ1为在BOT区域处理中通过控制装置30获取的第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2之间的时间的偏离量(例如，时间差)。

在BOT区域外处理中，控制装置30从伺服读取元件SR1获取第1伺服带信号S1，且从伺服读取元件SR2获取第2伺服带信号S2。然后，控制装置30作为偏离量Δ获取第2偏离量Δ2。第2偏离量Δ2为在BOT区域外处理中通过控制装置30获取的第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2之间的时间的偏离量(例如，时间差)。

在BOT区域外处理中，控制装置30计算第1偏离量Δ1与第2偏离量Δ2的差分64。作为差分64的一例，可举出从第2偏离量Δ2减去第1偏离量Δ1的值。但这只不过是一例，可以是从第1偏离量Δ1减去第2偏离量Δ2的值。并且，也可以是第1偏离量Δ1相对于第2偏离量Δ2的比例或第2偏离量Δ2相对于第1偏离量Δ1的比例。如此，只要是能够确定第1偏离量Δ1与第2偏离量Δ2的差异度的值，则可以是任意的值。

作为一例，如图15所示，第1位置检测装置30B1具有第1检测电路39A及第2检测电路39B。第1检测电路39A及第2检测电路39B并联连接，且具备彼此通用的输入端子30B1a及输出端子30B1b。在图15所示的例子中，示出了对输入端子30B1a输入第1伺服带信号S1的方式例。在第1伺服带信号S1中包含第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b。第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b为表示通过伺服读取元件SR1(参考图11)读取的结果的伺服图案信号(即，模拟伺服图案信号)。也可以说第2伺服带信号S2(参考图11)与第1伺服带信号S1相同。即，伺服图案信号具有第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b。

在存储器32中，对于各帧50的每一个预先存储有一个理想波形信号66。例如，理想波形信号66相对于从磁带MT的前头遍及末尾的所有帧50的每一个单独建立对应关联。当从磁带MT的前头遍及末尾而通过伺服读取元件SR读取各帧50中所包含的伺服图案52时，第1位置检测装置30B1在每通过伺服读取元件SR读取各帧50中所包含的伺服图案52时(例如，与伺服读取元件SR对伺服图案52开始读取的定时同步地)，从存储器32获取与各帧50对应的理想波形信号66，并将所获取的理想波形信号66用于与第1伺服带信号S1的比较。

理想波形信号66为表示通过伺服读取元件SR读取了记录于磁带MT的伺服带SB的伺服图案52(参考图11)的结果且表示伺服图案信号(即，模拟伺服图案信号)的理想波形的信号。理想波形信号66可以说是与第1伺服带信号S1进行比较的样本信号。

理想波形信号66分类为第1理想波形信号66A与第2理想波形信号66B。第1理想波形信号66A与来源于线状磁化区域54A2或54B2的信号即第2线状磁化区域信号S1b对应，是表示第2线状磁化区域信号S1b的理想波形的信号。第2理想波形信号66B与来源于线状磁化区域54A1或54B1的信号即第1线状磁化区域信号S1a对应，是表示第1线状磁化区域信号S1a的理想波形的信号。

更详细而言，例如，第1理想波形信号66A为表示第2线状磁化区域信号S1b中所包含的单个(即，一个波长量)理想波形的信号(例如，通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52中所包含的1根理想磁化直线的结果即理想信号)。并且，例如，第2理想波形信号66B为表示第1线状磁化区域信号S1a中所包含的单个(即，一个波长量)理想波形的信号(例如，通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52中所包含的1根理想磁化直线的结果即理想信号)。

由第1理想波形信号66A表示的理想波形为根据磁带MT上的磁头28的朝向而设定的波形。磁头28的托架44(参考图10)与伺服读取元件SR之间的相对位置关系被固定。因此，由第1理想波形信号66A表示的理想波形也可以说是根据磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向而设定的波形。例如，由第1理想波形信号66A表示的理想波形为根据伺服图案52A的线状磁化区域54A2的几何特性(例如，磁化直线54A2a的几何特性)及磁带MT上的磁头28的朝向而设定的波形。

如上所述，磁头28的托架44(参考图10)与伺服读取元件SR之间的相对位置关系被固定，因此由第1理想波形信号66A表示的理想波形也可以说是根据伺服图案52A的线状磁化区域54A2的几何特性(例如，磁化直线54A2a的几何特性)及磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向而设定的波形。在此，磁带MT上的磁头28的朝向例如是指，在磁带MT上由线状磁化区域54A2与磁头28所成的角度。并且，磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向例如是指，在磁带MT上由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度。

另外，由第1理想波形信号66A表示的理想波形除了上述要素以外，还可以考虑伺服读取元件SR其本身的特性(材质、大小、形状和/或使用履历等)、磁带MT的特性(材质和/或使用履历等)和/或磁头28的使用环境等来设定。

与由第1理想波形信号66A表示的理想波形同样地，由第2理想波形信号66B表示的理想波形也是根据磁带MT上的磁头28的朝向而设定的波形，即根据磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向而设定的波形。例如，由第2理想波形信号66B表示的理想波形为根据伺服图案52A的线状磁化区域54A1的几何特性(例如，磁化直线54A1a的几何特性)及磁带MT上的磁头28的朝向而设定的波形，即根据伺服图案52A的线状磁化区域54A1的几何特性(例如，磁化直线54A1a的几何特性)及磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向而设定的波形。在此，磁带MT上的磁头28的朝向例如是指，在磁带MT上由线状磁化区域54A1与磁头28所成的角度。并且，磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向例如是指，在磁带MT上由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度。

另外，与由第1理想波形信号66A表示的理想波形同样地，由第2理想波形信号66B表示的理想波形除了上述要素以外，也可以考虑伺服读取元件SR其本身的特性(材质、大小、形状和/或使用履历等)、磁带MT的特性(材质和/或使用履历等)和/或磁头28的使用环境等来设定。

第1位置检测装置30B1获取第1伺服带信号S1，并通过对所获取的第1伺服带信号S1与理想波形信号66进行比较来检测伺服图案信号S1A。在图12所示的例子中，第1位置检测装置30B1通过使用第1检测电路39A及第2检测电路39B来检测伺服图案信号S1A。

第1伺服带信号S1经由输入端子30B1a输入于第1检测电路39A。第1检测电路39A使用自相关系数从所输入的第1伺服带信号S1检测第2线状磁化区域信号S1b。

由第1检测电路39A使用的自相关系数为表示第1伺服带信号S1与第1理想波形信号66A之间的相关程度的系数。第1检测电路39A从存储器32获取第1理想波形信号66A，对所获取的第1理想波形信号66A与第1伺服带信号S1进行比较。然后，第1检测电路39A根据比较结果计算自相关系数。第1检测电路39A按照自相关系数，在伺服带SB(例如，图9所示的伺服带SB2)上检测第1伺服带信号S1与第1理想波形信号66A之间的相关高的位置(例如，第1伺服带信号S1与第1理想波形信号66A一致的位置)。

另一方面，第1伺服带信号S1经由输入端子30B1a也输入于第2检测电路39B。第2检测电路39B使用自相关系数从所输入的第1伺服带信号S1检测第1线状磁化区域信号S1a。

由第2检测电路39B使用的自相关系数为表示第1伺服带信号S1与第2理想波形信号66B之间的相关程度的系数。第2检测电路39B从存储器32获取第2理想波形信号66B，对所获取的第2理想波形信号66B与第1伺服带信号S1进行比较。然后，第2检测电路39B根据比较结果计算自相关系数。第2检测电路39B按照自相关系数，在伺服带SB(例如，图9所示的伺服带SB2)上检测第1伺服带信号S1与第2理想波形信号66B之间的相关高的位置(例如，第1伺服带信号S1与第2理想波形信号66B一致的位置)。

第1位置检测装置30B1根据基于第1检测电路39A的检测结果及基于第2检测电路39B的检测结果检测伺服图案信号S1A。第1位置检测装置30B1将伺服图案信号S1A从输出端子30B1b输出至控制装置30。伺服图案信号S1A为表示通过第1检测电路39A检测到的第2线状磁化区域信号S1b与通过第2检测电路39B检测到的第1线状磁化区域信号S1a的逻辑和的信号(例如，数字信号)。

伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置例如根据伺服图案52A及52B的长边方向LD的间隔来检测。例如，伺服图案52A及52B的长边方向LD的间隔按照自相关系数检测。当伺服读取元件SR位于伺服图案52的上侧(即，图11中的纸面正面观察下的上侧)时，线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2之间的间隔变窄，且线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2之间的间隔也变窄。相对于此，当伺服读取元件SR位于伺服图案52的下侧(即，图11中的纸面正面观察下的下侧)时，线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2之间的间隔变宽，且线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2之间的间隔也变宽。如此，第1位置检测装置30B1使用按照自相关系数检测到的线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2之间的间隔及线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2之间的间隔，进行伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置的检测。

在图15所示的例子中，举出第1位置检测装置30B1通过对第1伺服带信号S1与理想波形信号66进行比较来检测伺服图案信号S1A的方式例进行了说明，但与此同样地，第2位置检测装置30B2也通过对第2伺服带信号S2与理想波形信号66进行比较来检测伺服图案信号S2A，并将检测到的伺服图案信号S2A输出至控制装置30。

另外，在本实施方式中，举出使用自相关系数来检测第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，也可以使用多个阈值来检测第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b。作为多个阈值的一例，可举出第1阈值及第2阈值。第1阈值与第2阈值的大小关系为“第1阈值＞第2阈值”。第1阈值是根据作为第2线状磁化区域信号S1b的波形的振幅来预测的振幅而事先导出的值，用于第2线状磁化区域信号S1b的检测。第2阈值是根据作为第1线状磁化区域信号S1a的波形的振幅来预测的振幅及作为第2线状磁化区域信号S1b的波形的振幅来预测的振幅而事先导出的值。第1阈值及第2阈值用于第1线状磁化区域信号S1a的检测。

作为一例，如图16所示，控制装置30根据通过位置检测装置30B检测到位置的结果(即，伺服图案信号S1A及S2A)进行各种控制。例如，控制装置30根据通过位置检测装置30B检测到位置的结果进行跟踪控制。即，控制装置30根据通过位置检测装置30B检测到位置的结果使移动机构48进行动作，由此调整磁头28的位置。

并且，控制装置30作为用于减少TDS的影响的控制，进行偏离磁道抑制控制。控制装置30为了进行偏离磁道抑制控制，由伺服图案信号S1A及S2A计算伺服带间距SBP。

在此，控制装置30根据差分64调整计算出的伺服带间距SBP。即，当产生有物理偏离量时，伺服带间距SBP也偏离与物理偏离量相当的量，因此根据与物理偏离量对应的差分64调整伺服带间距SBP。

作为调整伺服带间距SBP的方法，例如可举出使用将调整前的伺服带间距SBP及差分64设为自变量且将调整后的伺服带间距SBP(即，与物理偏离量相当的量的偏离被消除的伺服带间距SBP)设为因变量的运算式调整伺服带间距SBP的方法。并且，作为除此以外的方法，例如可举出使用将调整前的伺服带间距SBP及差分64设为输入且将调整后的伺服带间距SBP设为输出的表调整伺服带间距SBP的方法。

控制装置30根据第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2进行张力控制，或进行偏斜控制。例如，控制装置30按照使用从第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2获得的差分64进行调整的伺服带间距SBP，进行张力控制，或进行偏斜控制。

张力控制通过以使送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等成为根据使用差分64进行调整的伺服带间距SBP唯一地确定的转速及转矩等的方式使送出马达36及卷取马达40进行工作来实现。偏斜控制通过以使假想直线C1与假想直线C2所成的角度成为根据使用差分64进行调整的伺服带间距SBP唯一地确定的角度θ的方式使倾斜机构49进行工作来实现。

接着，参考图17对磁带系统10的作用进行说明。

在图17中示出了使磁带MT从BOT区域31A向EOT区域(省略图示)正向行进时由控制装置30执行的控制处理的流程的一例。控制处理为本发明的技术所涉及的“信号处理”的一例。在控制处理中包括BOT区域处理及BOT区域外处理。另外，图17所示的流程图的流程为本发明的技术所涉及的“信号处理方法”的一例。

在图17所示的步骤ST10中，控制装置30判定BOT区域31A是否在磁头28上行进。在步骤ST10中，当BOT区域31A未在磁头28上行进时，判定得到否定，而再次进行步骤ST10的判定。在步骤ST10中，当BOT区域31A在磁头28上行进时，判定得到肯定，而控制处理转到步骤ST12。

在步骤ST12中，控制装置30从伺服读取元件SR1获取第1伺服带信号S1，且从伺服读取元件SR2获取第2伺服带信号S2。在执行步骤ST12的处理之后，控制处理转到步骤ST14。

在步骤ST14中，控制装置30由在步骤ST12中获取的第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2计算第1偏离量Δ1。在执行步骤ST14的处理之后，控制处理转到步骤ST16。

在步骤ST16中，控制装置30判定BOT区域外31B是否存在于磁头28上。在步骤ST16中，当BOT区域外31B未存在于磁头28上时，判定得到否定，而再次进行步骤ST16的判定。在步骤ST16中，当BOT区域外31B存在于磁头28上时，判定得到肯定，而控制处理转到步骤ST18。

在步骤ST18中，控制装置30判定是否来到获取伺服带信号的定时(以下，称为“伺服带信号获取定时”)。作为伺服带信号获取定时的第1例，可举出帧50的前头到达磁性元件单元42上的定时。作为伺服带信号获取定时的第2例，可举出从预先设定的个数(例如，在数十个～数千万个范围内设定的个数)的帧50通过磁性元件单元42上起帧50的前头到达磁性元件单元42上的定时。作为伺服带信号获取定时的第3例，可举出从步骤ST18的处理开始起经过了规定时间(例如，在数毫秒～数分钟的范围内设定的时间)的定时。

在步骤ST18中，当未来到伺服带信号获取定时时，判定得到否定，而控制处理转到步骤ST30。在步骤ST18中，当来到伺服带信号获取定时时，判定得到肯定，而控制处理转到步骤ST20。

在步骤ST20中，控制装置30从伺服读取元件SR1获取第1伺服带信号S1，且从伺服读取元件SR2获取第2伺服带信号S2。在执行步骤ST20的处理之后，控制处理转到步骤ST22。

在步骤ST22中，控制装置30由在步骤ST20中获取的第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2计算第2偏离量Δ2。在执行步骤ST22的处理之后，控制处理转到步骤ST24。

在步骤ST24中，控制装置30由在步骤ST14中计算出的第1偏离量Δ1及在步骤ST22中获取的第2偏离量Δ2计算差分64。在执行步骤ST24的处理之后，控制处理转到步骤ST26。

在步骤ST26中，控制装置30根据在步骤ST20中获取的第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2生成伺服图案信号S1A及S2A。然后，控制装置30由所生成的伺服图案信号S1A及S2A计算伺服带间距SBP。在执行步骤ST26的处理之后，控制处理转到步骤ST28。

在步骤ST28中，控制装置30根据在步骤ST26的处理中用于计算伺服带间距SBP的伺服图案信号S1A及S2A进行跟踪控制。并且，控制装置30使用在步骤ST24中计算出的差分64对在步骤ST26中计算出的伺服带间距SBP进行调整，并根据所调整的伺服带间距SBP进行张力控制及偏斜控制。在执行步骤ST28的处理之后，控制处理转到步骤ST30。

在步骤ST30中，控制装置30判定是否满足结束控制处理的条件(以下，称为“结束条件”)。作为结束条件的第1例，可举出通过UI系统装置34接收了结束控制处理的指示这一条件。作为结束条件的第2例，可举出通过了磁性元件单元42上的帧50的个数达到既定数量(例如，在数个～数万个范围内设定的个数)这一条件。作为结束条件的第3例，可举出从开始执行控制处理起经过了既定时间(例如，事先指定的时间)这一条件。

在步骤ST30中，当不满足结束条件时，判定得到否定，而控制处理转到步骤ST18。在步骤ST30中，当满足结束条件时，判定得到肯定，而控制处理结束。

另外，在此，举出在BOT区域31A上计算第1偏离量Δ1的方式例进行了说明(参考步骤ST12及步骤ST14)，但这只不过是一例。例如，当在盒式存储器24和/或BOT区域31A等存储介质中已存储有第1偏离量Δ1时，代替步骤ST12及步骤ST14的处理，可以适用“从存储介质读出第1偏离量Δ1”这一处理。

如以上进行的说明，在磁带系统10中，在磁带驱动器14的磁头28中设置有伺服读取元件SR1及SR2。伺服读取元件SR1与伺服带SB2对应，伺服读取元件SR2与伺服带SB3对应。伺服读取元件SR1通过从伺服带SB2读取伺服图案52而输出第1伺服带信号S1，伺服读取元件SR2通过从伺服带SB3读取伺服图案52而输出第2伺服带信号S2。

由控制装置30进行的各种控制为基于第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2的控制。因此，若相邻伺服带SB之间的帧50的间隔D出现偏差，则至少以与该偏差相当的量，各种控制的精度也降低。作为间隔D出现偏差的原因之一，可举出伺服写入器之间的制造误差和/或安装误差等。伺服写入器之间的制造误差和/或安装误差等表现为物理偏离量。物理偏离量表现为间隔D的偏差。若通过显微镜测定物理偏离量，则能够进行已考虑物理偏离量的各种控制，但物理偏离量的测定精度取决于显微镜的移动台的精度。若要提高显微镜的移动台的精度，则需要高价显微镜。

在磁带系统10中，通过控制装置30计算第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2。第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2分别为第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2的时间的偏离量，相当于物理偏离量。因此，能够简单地确定在磁带MT的宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案52之间的偏离量(即，间隔D的偏差)。例如，与通过显微镜进行测定的情况相比，能够简单地确定在磁带MT的宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案52之间的偏离量。

并且，在磁带系统10中，在伺服读取元件SR1位于BOT区域31A上的期间，伺服带SB2内的伺服图案52由伺服读取元件SR1读取，由此获得第1伺服带信号S1。并且，在伺服读取元件SR2位于BOT区域31A上的期间，伺服带SB3内的伺服图案52由伺服读取元件SR2读取，由此获得第2伺服带信号S2。然后，计算第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2的时间的偏离量即第1偏离量Δ1。第1偏离量Δ1为第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2的时间的偏离量，相当于物理偏离量。因此，能够简单地确定在磁带MT的BOT区域31A中，在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案52之间的偏离量(即，间隔D的偏差)。例如，与通过显微镜进行测定的情况相比，能够简单地确定在磁带MT的BOT区域31A中，在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案52之间的偏离量(即，间隔D的偏差)。

并且，在磁带系统10中，进行与第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2相对应的偏离磁道抑制控制。即，按照使用从第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2获得的差分64进行调整的伺服带间距SBP，进行偏离磁道抑制控制(即，张力控制及偏斜控制)。因此，与按照调整前的伺服带间距SBP进行偏离磁道抑制控制的情况相比，能够抑制偏离磁道的产生。

另外，在上述实施方式中，举出用差分64来调整伺服带间距SBP的方式例进行了说明，但也可以用差分64来调整伺服图案信号S1A及S2A。在该情况下，无需用差分64来调整伺服带间距SBP。并且，与使用调整前的伺服图案信号S1A及S2A进行跟踪控制的情况相比，能够提高使用伺服图案信号S1A及S2A进行的跟踪控制的精度。另外，该情况下的跟踪控制为本发明的技术所涉及的“特定处理”的一例。

并且，在上述实施方式中，举出在BOT区域外处理中，使用第1偏离量Δ1与第2偏离量Δ2的差分64进行偏离磁道抑制控制的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，可以在BOT区域处理中，进行与第1偏离量Δ1相对应的偏离磁道抑制控制(即，BOT区域31A中的偏离磁道被消除的控制)，并且在BOT区域外处理中，进行与第2偏离量Δ2相对应的偏离磁道抑制控制(即，BOT区域外31B中的偏离磁道被消除的控制)。与第1偏离量Δ1相对应的偏离磁道抑制控制例如是指，将根据第1偏离量Δ1唯一地确定的张力赋予于磁带MT的控制和/或设为根据第1偏离量Δ1唯一地确定的偏斜角度的控制。并且，与第2偏离量Δ2相对应的偏离磁道抑制控制例如是指，将根据第2偏离量Δ2唯一地确定的张力赋予于磁带MT的控制和/或设为根据第2偏离量Δ2唯一地确定的偏斜角度的控制。

[第1变形例]

在上述实施方式中，举出根据从第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2获得的差分64进行偏离磁道抑制控制的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图18所示，第1偏离量Δ1、第2偏离量Δ2及差分64中的至少第1偏离量Δ1可以通过控制装置30作为信号存储于存储器32、盒式存储器24和/或BOT区域31A等存储介质。在该情况下，通过参考存储于存储介质的信号，能够推测在磁带MT的宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案52之间的偏离量。

并且，第1偏离量Δ1、第2偏离量Δ2及差分64中的至少第1偏离量Δ1可以输出至显示器和/或扬声器等。在该情况下，能够使用户等视觉感知在磁带MT的宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案52之间的偏离量。

并且，即使在伺服写入器SW对磁带MT的伺服带SB记录伺服图案52的情况下，也能够适用本发明的技术。在图18所示的例子中，伺服写入器SW具备送出卷轴SW1、卷取卷轴SW2、驱动装置SW3、脉冲信号发生器SW4、伺服写入器控制器SW5、多个引导件SW6、输送路径SW7、伺服图案记录头WH及验证头VH。在伺服写入器控制器SW5中组装有相当于上述控制器25的装置。

在伺服图案记录工序中，使用伺服写入器SW。伺服写入器SW具备送出卷轴SW1、卷取卷轴SW2、驱动装置SW3、脉冲信号发生器SW4、伺服写入器控制器SW5、多个引导件SW6、输送路径SW7、伺服图案记录头WH及验证头VH。在伺服写入器控制器SW5中组装有相当于上述控制器25(参考图3)的装置。

伺服写入器控制器SW5控制伺服写入器SW的整体。在本实施方式中，伺服写入器控制器SW5通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，伺服写入器控制器SW5可以通过FPGA和/或PLC来实现。并且，伺服写入器控制器SW5也可以通过包含CPU、闪存(例如，EEPROM和/或SSD等)及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过ASIC、FPGA、PLC及计算机中的两个以上的组合来实现。即，伺服写入器控制器SW5也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。

在送出卷轴SW1中设置有盘形卷。盘形卷是指，在写入伺服图案52之前从宽度宽的卷材以产品宽度来剪切的磁带MT卷绕于轮毂的大直径卷。

驱动装置SW3具有马达(省略图示)及齿轮(省略图示)，并且与送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2机械连接。当通过卷取卷轴SW2卷取磁带MT时，驱动装置SW3按照来自伺服写入器控制器SW5的指示生成动力，并将所生成的动力传递至送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2，由此使送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2旋转。即，送出卷轴SW1从驱动装置SW3接收动力而进行旋转，由此将磁带MT送出至既定的输送路径SW7。卷取卷轴SW2从驱动装置SW3接收动力而进行旋转，由此卷取从送出卷轴SW1送出的磁带MT。送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2的转速及转矩等根据使卷取卷轴SW2卷取磁带MT的速度来调整。另外，送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2的转速及转矩等可以以与在上述实施方式说明的张力控制相同的要领来调整。

在输送路径SW7上配置有多个引导件SW6及伺服图案记录头WH。伺服图案记录头WH在多个引导件SW6之间配置于磁带MT的表面31侧。从送出卷轴SW1送出至输送路径SW7的磁带MT被多个引导件SW6引导而经由伺服图案记录头WH上而由卷取卷轴SW2卷取。

在伺服图案记录工序中，脉冲信号发生器SW4在伺服写入器控制器SW5的控制下，生成脉冲信号，将所生成的脉冲信号供给至伺服图案记录头WH。在磁带MT以恒定的速度在输送路径SW7上行进的状态下，伺服图案记录头WH按照从脉冲信号发生器SW4供给的脉冲信号将伺服图案52记录于伺服带SB。由此，例如，遍及磁带MT的全长对磁带MT的伺服带SB记录多个伺服图案52(参考图6～图9)。

另外，可以使用第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2来调整基于脉冲信号发生器SW4的脉冲信号的生成定时。例如，可以在对BOT区域31A进行伺服图案52的记录的期间，使用第1偏离量Δ1来调整脉冲信号的生成定时。并且，例如，可以在对BOT区域外31B进行伺服图案52的记录的期间，使用第2偏离量Δ2来调整脉冲信号的生成定时。由此，与脉冲信号的生成定时未得到调整的情况相比，能够抑制通过对伺服带SB记录伺服图案52而确定的间隔D在伺服写入器SW之间出现偏差。

并且，在此，举出了实时进行基于第1偏离量Δ1及第2偏离量Δ2的脉冲信号的生成定时的调整的方式例，但这只不过是一例。例如，也能够如下进行调整：使用在通过伺服写入器SW记录了伺服图案52的磁带MT中事先测定出的第1偏离量Δ1来调整脉冲信号的生成定时，将之后实施基于伺服写入器SW的处理的磁带MT中的偏离量Δ(参考图13)设为零。

磁带MT的制造工序中除了伺服图案记录工序以外还包括多个工序。多个工序中包括检查工序及卷取工序。

例如，检查工序为检查通过伺服图案记录头WH形成于磁带MT的表面31的伺服带SB的工序。伺服带SB的检查例如是指，判定记录于伺服带SB的伺服图案52是否正确的处理。伺服图案52是否正确的判定例如是指，伺服图案52A及52B相对于表面31内的事先确定的部位，磁化直线54A1a、54A2a、54B1a及54B2a是否适当且以允许误差内来记录的判定(即，伺服图案52的验证)。

检查工序通过使用伺服写入器控制器SW5及验证头VH来进行。验证头VH配置于比伺服图案记录头WH更靠磁带MT的输送方向的下游侧的位置。并且，与磁头28同样地，在验证头VH设置有多个伺服读取元件(省略图示)，通过多个伺服读取元件对多个伺服带SB进行读取。另外，在该情况下，可以以在上述实施方式说明的要领来进行跟踪控制及张力控制。

验证头VH与伺服写入器控制器SW5连接。验证头VH配置于从磁带MT的表面31侧(即，验证头VH的背面侧)观察相对于伺服带SB正对的位置，读取记录于伺服带SB的伺服图案52，并将所读取的结果(以下，称为“伺服图案读取结果”)输出至伺服写入器控制器SW5。伺服写入器控制器SW5根据从验证头VH输入的伺服图案读取结果(例如，伺服图案信号)进行伺服带SB的检查(例如，伺服图案52是否正确的判定)。例如，在伺服写入器控制器SW5中组装有相当于上述控制器25(参考图3)的装置，因此伺服写入器控制器SW5从伺服图案读取结果获取位置检测结果，并通过使用位置检测结果判定伺服图案52是否正确来进行伺服带SB的检查。

在此，伺服写入器控制器SW5例如通过进行伺服图案检测处理，从伺服图案读取结果获取位置检测结果。由伺服写入器控制器SW5进行的伺服图案检测处理中所使用的理想波形信号66为存储于伺服写入器控制器SW5内的存储器(省略图示)的理想波形信号66。

伺服写入器控制器SW5将表示检查了伺服带SB的结果(例如，判定伺服图案52是否正确的结果)的信息输出至既定输出目的地(例如，存储器、显示器、平板终端、个人计算机和/或服务器等)。

例如，若检查工序结束，则接下来进行卷取工序。卷取工序为在分别对多个磁带盒12(参考图1～图4)使用的送出卷轴22(即，容纳于磁带盒12(参考图1～图4)的送出卷轴22(参考图2～图4))中卷绕磁带MT的工序。在卷取工序中使用卷取马达(省略图示)。卷取马达经由齿轮等与送出卷轴22机械连接。卷取马达在处理装置(省略图示)的控制下，通过对送出卷轴22赋予旋转力而使送出卷轴22旋转。卷绕于卷取卷轴SW2的磁带MT通过送出卷轴22的旋转卷绕于送出卷轴22。在卷取工序中使用裁剪装置(省略图示)。若分别对多个送出卷轴22通过送出卷轴22卷取所需量的磁带MT，则从卷取卷轴SW2送出至送出卷轴22的磁带MT被裁剪装置裁剪。

[第2变形例]

在上述实施方式中，举出偏离量Δ计算成第1伺服带信号S1的整体与第2伺服带信号S2的整体的时间的偏离量的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，作为一例，如图19所示，控制装置30可以计算第1伺服带信号S1中所包含的第N个(例如，第1个)脉冲信号与第2伺服带信号S2中所包含的第N个脉冲信号的时间的偏离量作为偏离量Δ。在此，N例如是指，将线状磁化区域54A1中所包含的5根磁化直线54A1a及线状磁化区域54A2中所包含的5根磁化直线54A2a的个数即“10”设为上限值的任意的自然数。在该情况下，无需对伺服带信号中所包含的所有脉冲信号计算偏离量，因此能够迅速地计算出偏离量Δ。并且，通过设为“N＝1”，能够更迅速地计算出偏离量Δ。

[第3变形例]

在上述第2变形例中，举出了计算第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2各自的第N个脉冲信号的偏离量Δ的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，可以根据第1伺服带信号S1中所包含的多个脉冲信号与第1伺服带信号S2中所包含的多个脉冲信号的时间差的平均值、中值、众数、最大值或最小值来规定偏离量Δ。

在该情况下，例如，如图20所示，控制装置30根据第1伺服带信号S1中所包含的所有脉冲信号及第2伺服带信号S2中所包含的所有脉冲信号计算平均偏离量65。例如，平均偏离量65为沿着时序列依次对第1伺服带信号S1中所包含的所有脉冲信号与第2伺服带信号S2中所包含的所有脉冲信号进行比较而计算出的所有偏离量Δ的平均值。如此，根据本第3变形例(例如，图20所示的例子)，能够获得偏离量Δ之间的偏差得到抑制的偏离量(在图20所示的例子中，为平均偏离量65)。

另外，在此，例示了平均值，但可以是所有偏离量Δ的中值，也可以是众数，也可以是最大值，还可以是最小值。并且，也可以是平均值、中值、众数、最大值及最小值中的两个以上的组合。例如，平均值、中值、众数、最大值和/或最小值以及它们中的两个以上的组合可以存储于盒式存储器24等存储介质。

并且，在此，伺服带信号中所包含的所有脉冲信号被设为偏离量Δ的计算对象，但这只不过是一例，例如，可以将第偶数个脉冲信号、第奇数个脉冲信号、时序列前半部分的多个脉冲信号或时序列后半部分的多个脉冲信号设为偏离量Δ的计算对象。

[第4变形例]

在上述第3变形例中，以与伺服带SB内的一个伺服图案52对应的伺服带信号为例子进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，可以是关于相邻伺服带SB中的一个伺服带SB内的多个伺服图案52而获得的伺服带信号与关于另一个伺服带SB内的多个伺服图案52而获得的伺服带信号的时间差的统计值。

在该情况下，例如，如图21所示，控制装置30以与上述第2变形例(参考图19)相同的要领并且以伺服图案52单位由多个伺服图案52由伺服读取元件SR1及SR2读取而获得的第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2计算偏离量Δ。然后，控制装置30计算平均偏离量67。平均偏离量67为以伺服图案52单位计算出的多个偏离量Δ的平均值。如此，根据本第4变形例(例如，图21所示的例子)，能够获得以伺服图案52单位计算出的偏离量Δ之间的偏差得到抑制的偏离量(在图21所示的例子中，为平均偏离量67)。

另外，在图21所示的例子中，示出了以伺服图案52单位计算出的多个偏离量Δ的平均值即平均偏离量67，但这只不过是一例，可以是中值、众数、最大值或最小值等统计值。

并且，在图21所示的例子中，举出了以与上述第2变形例(参考图19)相同的要领按每个伺服图案52计算偏离量Δ的方式例，但这只不过是一例，可以以与上述第3变形例(参考图20)相同的要领按每个伺服图案52计算平均偏离量65，并计算多个平均偏离量65的平均值。另外，在该情况下，平均值也只不过是一例，可以是中值、众数、最大值或最小值等统计值。

在上述中，例示了伺服图案52，但伺服图案52只不过是一例，即便使用其他种类的伺服图案(即，与伺服图案52的几何特性不同的几何特性的伺服图案)，本发明的技术仍成立。在以下的第5变形例～第12变形例中，对记录有与伺服图案52不同的种类的伺服图案的磁带MT的方式例进行说明。

[第5变形例]

作为一例，如图22所示，本第5变形例所涉及的磁带MT与图6所示的磁带MT相比，不同点在于，代替帧50而具有帧51。帧51由一组伺服图案53规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案53。与记录于图6所示的磁带MT的多个伺服图案52同样地，多个伺服图案53沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图22所示的例子中，作为帧51中所包含的一组伺服图案53的一例，示出了伺服图案53A及53B。伺服图案53A及53B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧51内，伺服图案53A位于正向的上游侧，伺服图案53B位于正向的下游侧。

伺服图案53由线状磁化区域对60构成。线状磁化区域对60分类为线状磁化区域对60A及线状磁化区域对60B。

伺服图案53A由线状磁化区域对60A构成。在图22所示的例子中，作为线状磁化区域对60A的一例，示出了由线状磁化区域60A1及60A2构成的对。线状磁化区域60A1及60A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域60A1及60A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域60A1及60A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域60A2相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域60A1的总长度短于线状磁化区域60A2的总长度。

在伺服图案53A中，在线状磁化区域60A1包含多个磁化直线60A1a，在线状磁化区域60A2包含多个磁化直线60A2a。线状磁化区域60A1中所包含的磁化直线60A1a的根数与线状磁化区域60A2中所包含的磁化直线60A2a的根数相同。

线状磁化区域60A1为得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，线状磁化区域60A2为得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60A1的两端的位置(即，5根磁化直线60A1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60A2的两端的位置(即，5根磁化直线60A2a各自的两端的位置)对齐。另外，在此，举出了5根磁化直线60A1a各自的两端的位置与5根磁化直线60A2a各自的两端的位置对齐的例子，但这只不过是一例，只要5根磁化直线60A1a中的1根以上的磁化直线60A1a的两端的位置与5根磁化直线60A2a中的1根以上的磁化直线60A2a的两端的位置对齐即可。并且，在本实施方式中，“对齐”这一概念中除了包含完全对齐的含义以外，还包含包括本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术的宗旨程度的误差在内的“对齐”这一含义。

伺服图案53B由线状磁化区域对60B构成。在图22所示的例子中，作为线状磁化区域对60B的一例，示出了由线状磁化区域60B1及60B2构成的对。线状磁化区域60B1及60B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域60B1及60B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域60B1及60B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域60B2相对于假想直线C2的角度。并且，线状磁化区域60B1的总长度短于线状磁化区域60B2的总长度。

在伺服图案53B中，在线状磁化区域60B1包含多个磁化直线60B1a，在线状磁化区域60B2包含多个磁化直线60B2a。线状磁化区域60B1中所包含的磁化直线60B1a的根数与线状磁化区域60B2中所包含的磁化直线60B2a的根数相同。

伺服图案53B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数与伺服图案53A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数不同。在图22所示的例子中，伺服图案53A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案53B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数为8根。

线状磁化区域60B1为得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，线状磁化区域60B2为得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60B1的两端的位置(即，4根磁化直线60B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60B2的两端的位置(即，4根磁化直线60B2a各自的两端的位置)对齐。

另外，在此，举出了4根磁化直线60B1a各自的两端的位置与4根磁化直线60B2a各自的两端的位置对齐例子，但这只不过是一例，4根磁化直线60B1a中的1根以上的磁化直线60B1a的两端的位置与4根磁化直线60B2a中的1根以上的磁化直线60B2a的两端的位置对齐即可。

并且，在此，作为线状磁化区域60A1的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，作为线状磁化区域60A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合，作为线状磁化区域60B1的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，作为线状磁化区域60B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，线状磁化区域60A1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60A1a即可，线状磁化区域60A2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60A2a即可，线状磁化区域60B1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60B1a即可，线状磁化区域60B2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60B2a即可。

在此，参考图23对线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性进行说明。

作为一例，如图23所示，线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。假想线状区域对62由假想线状区域62A及假想线状区域62B构成。线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

假想线状区域对62为具有与图6所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性的假想线状磁化区域对。假想线状区域对62是为了便于说明线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性而使用的假想磁化区域，并不是实际存在的磁化区域。

假想线状区域62A具有与图6所示的线状磁化区域54A1相同的几何特性，且由与图6所示的5根磁化直线54A1a对应的5根假想直线62A1构成。假想线状区域62B具有与图6所示的线状磁化区域54B1相同的几何特性，且由与图6所示的5根磁化直线54A2a对应的5根假想直线62B1构成。

在假想线状区域对62中设置有中心O1。例如，中心O1为连结5根直线62A1中的位于正向的最上游侧的直线62A1的中心与5根直线62B1中的位于正向的最下游侧的直线62B1的中心的线段L0的中心。

假想线状区域对62具有与图6所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性，因此假想线状区域62A及假想线状区域62B相对于假想直线C1以线对称倾斜。在此，考虑如下情况：当通过以中心O1为旋转轴相对于假想直线C1使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，假如对该假想线状区域对62进行基于伺服读取元件SR的读取。在该情况下，在假想线状区域对62中，在宽度方向WD上，会产生可读取假想线状区域62A但无法读取假想线状区域62B，或无法读取假想线状区域62A但可读取假想线状区域62B的部位。即，分别在假想线状区域62A及62B中，当进行基于伺服读取元件SR的读取时，会产生不足的部分及不需要的部分。

因此，通过补充不足的部分且去除不需要的部分，在宽度方向WD上，使假想线状区域62A的两端的位置(即，5根直线62A1各自的两端的位置)与假想线状区域62B的两端的位置(即，5根直线62B1各自的两端的位置)对齐。

如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案53A的几何特性。即，在宽度方向WD上，通过使假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对62的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60A记录于伺服带SB。

另外，线状磁化区域对60B与线状磁化区域对60A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线60A1a而具有4根磁化直线60B1a及代替5根磁化直线60A2a而具有4根磁化直线60B2a。因此，在宽度方向WD上，通过使4根直线62A1各自的两端的位置与4根直线62B1各自的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对(省略图示)的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60B记录于伺服带SB。

作为一例，如图24所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧51在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案58在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。既定间隔由上述数式(1)规定。即，伺服带SB之间的帧51的位置关系及伺服带SB之间的伺服图案53的位置关系与图12所示的例子相同。

作为一例，如图25所示，若以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案53A(即，线状磁化区域对60A)，则在来源于线状磁化区域60A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服图案信号之间产生由方位角损失引起的偏差。并且，在以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案53B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也产生相同的现象。

因此，作为一例，如图26所示，倾斜机构49以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图26的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。如此，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜，因此与图25所示的例子相比，在来源于线状磁化区域60A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案53B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域60B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60B2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[第6变形例]

另外，在上述第5变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧51划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图27所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧70划分。帧70由一组伺服图案72规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案72。与多个伺服图案52同样地，多个伺服图案72沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图27所示的例子中，作为一组伺服图案72的一例，示出了由伺服图案72A及72B构成的对。伺服图案72A及72B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案72A及72B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧70内，伺服图案72A位于正向的上游侧，伺服图案72B位于正向的下游侧。

作为一例，如图28所示，伺服图案72由线状磁化区域对74构成。线状磁化区域对74分类为线状磁化区域对74A及线状磁化区域对74B。

伺服图案72A由一组线状磁化区域对74A构成。一组线状磁化区域对74A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图28所示的例子中，作为线状磁化区域对74A的一例，示出了由线状磁化区域74A1及74A2构成的对。线状磁化区域对74A以与在第5变形例中说明的线状磁化区域对60A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60A相同的几何特性。即，线状磁化区域74A1以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域60A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A1相同的几何特性，线状磁化区域74A2以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域60A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A2相同的几何特性。

伺服图案72B由一组线状磁化区域对74B构成。一组线状磁化区域对74B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图28所示的例子中，作为线状磁化区域对74B的一例，示出了由线状磁化区域74B1及74B2构成的对。线状磁化区域对74B以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域对60B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60B相同的几何特性。即，线状磁化区域74B1以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域60B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B1相同的几何特性，线状磁化区域74B2以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域60B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B2相同的几何特性。

[第7变形例]

在图27所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧70划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图29所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧76划分。帧76由一组伺服图案78规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案78。与多个伺服图案72(参考图27)同样地，多个伺服图案78沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图29所示的例子中，作为一组伺服图案78的一例，示出了伺服图案78A及78B。伺服图案78A及78B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案78A及78B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧76内，伺服图案78A位于正向的上游侧，伺服图案78B位于正向的下游侧。

作为一例，如图30所示，伺服图案78由线状磁化区域组80构成。线状磁化区域组80分类为线状磁化区域组80A及线状磁化区域组80B。

伺服图案78A由线状磁化区域组80A构成。线状磁化区域组80A由线状磁化区域80A1、80A2及80A3构成。线状磁化区域80A1、80A2及80A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80A1、80A2及80A3从正向的上游侧以线状磁化区域80A1、80A2及80A3的顺序配置。

线状磁化区域80A1及80A2以与图30所示的线状磁化区域对74A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74A相同的几何特性。即，线状磁化区域80A1以与图30所示的线状磁化区域74A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A1相同的几何特性，线状磁化区域80A2以与图30所示的线状磁化区域74A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80A3以与线状磁化区域80A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80A1相同的几何特性。

伺服图案78B由线状磁化区域组80B构成。线状磁化区域组80B由线状磁化区域80B1、80B2及80B3构成。线状磁化区域80B1、80B2及80B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80B1、80B2及80B3从正向的上游侧以线状磁化区域80B1、80B2及80B3的顺序配置。

线状磁化区域80B1及80B2以与图30所示的线状磁化区域对74B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74B相同的几何特性。即，线状磁化区域80B1以与图30所示的线状磁化区域74B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B1相同的几何特性，线状磁化区域80B2以与图30所示的线状磁化区域74B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80B3以与线状磁化区域80B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80B1相同的几何特性。

[第8变形例]

在上述第5变形例中，举出既定间隔根据角度α、伺服带间距及帧长来规定的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，也可以不使用帧长来规定既定间隔。例如，如图31所示，既定间隔根据由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的帧51之间(在图31所示的例子中，为线段L3)与假想直线C1所成的角度α及在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(即，伺服带间距)来规定。在该情况下，例如，既定间隔由以下数式(2)计算。

(既定间隔)＝(伺服带间距)×tanα……(2)

如此，数式(2)中不包含帧长。这表示即使不考虑帧长也计算出既定间隔。因此，根据本结构，与由数式(1)计算既定间隔的情况相比，能够简单地计算既定间隔。

[第9变形例]

另外，在上述第5变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧51划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图32所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧82划分。

帧82由一组伺服图案84规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案84。与记录于磁带MT的多个伺服图案52(参考图6)同样地，多个伺服图案84沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图32所示的例子中，作为帧82中所包含的一组伺服图案84的一例，示出了伺服图案84A及84B。伺服图案84A及84B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧82内，伺服图案84A位于正向的上游侧，伺服图案84B位于正向的下游侧。

伺服图案84A由线状磁化区域对86A构成。在图32所示的例子中，作为线状磁化区域对86A的一例，示出了由线状磁化区域86A1及86A2构成的对。线状磁化区域86A1及86A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域86A1及86A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域86A1及86A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域86A1与线状磁化区域86A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域86A2相对于假想直线C1的角度。

并且，线状磁化区域86A1整体的位置与线状磁化区域86A2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86A1一端的位置与线状磁化区域86A2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86A1另一端的位置与线状磁化区域86A2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

在伺服图案84A中，在线状磁化区域86A1包含多个磁化直线86A1a，在线状磁化区域86A2包含多个磁化直线86A2a。线状磁化区域86A1中所包含的磁化直线86A1a的根数与线状磁化区域86A2中所包含的磁化直线86A2a的根数相同。

线状磁化区域86A1为得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，线状磁化区域86A2为得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合。

在伺服带SB内，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

伺服图案84B由线状磁化区域对86B构成。在图32所示的例子中，作为线状磁化区域对86B的一例，示出了由线状磁化区域86B1及86B2构成的对。线状磁化区域86B1及86B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域86B1及86B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域86B1及86B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域86B1与线状磁化区域86B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域86B2相对于假想直线C2的角度。

并且，线状磁化区域86B1整体的位置与线状磁化区域86B2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86B1一端的位置与线状磁化区域86B2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86B1另一端的位置与线状磁化区域86B2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

在伺服图案84B中，在线状磁化区域86B1包含多个磁化直线86B1a，在线状磁化区域86B2包含多个磁化直线86B2a。线状磁化区域86B1中所包含的磁化直线86B1a的根数与线状磁化区域86B2中所包含的磁化直线86B2a的根数相同。

伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数与伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数不同。在图38所示的例子中，伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数为8根。

线状磁化区域86B1为得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，线状磁化区域86B2为得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合。

在伺服带SB内，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

另外，在此，作为线状磁化区域86A1的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，作为线状磁化区域86A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合，作为线状磁化区域86B1的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，作为线状磁化区域86B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，线状磁化区域86A1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86A1a即可，线状磁化区域86A2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86A2a即可，线状磁化区域86B1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86B1a即可，线状磁化区域86B2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86B2a即可。

在此，参考图28对线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性进行说明。

作为一例，如图33所示，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。在此，通过以中心O1为旋转轴使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜。然后，使该状态下的假想线状区域对62的假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，同样地，使假想线状区域对62的假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。由此，假想线状区域62A及假想线状区域62B在宽度方向WD上偏离。

即，假想线状区域62A的一端与假想线状区域62B的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离，假想线状区域62A的另一端与假想线状区域62B的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离。

如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案84A的几何特性。即，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

假想线状区域62A与伺服图案84A的线状磁化区域86A1对应，假想线状区域62B与伺服图案84A的线状磁化区域86A2对应。因此，对伺服带SB记录伺服图案84A，该伺服图案84A由线状磁化区域86A1的一端与线状磁化区域86A2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86A1的另一端与线状磁化区域86A2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86A构成(参考图32)。

另外，线状磁化区域对86B与线状磁化区域对86A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线86A1a而具有4根磁化直线86B1a及代替5根磁化直线86A2a而具有4根磁化直线86B2a(参考图32)。因此，对伺服带SB记录伺服图案84B，该伺服图案84B由线状磁化区域86B1的一端与线状磁化区域86B2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86B1的另一端与线状磁化区域86B2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86B构成(参考图32)。

作为一例，如图34所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧82在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示在伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案84在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间沿着磁带MT的长边方向LD以在上述第1变形例中说明的既定间隔偏离。既定间隔由上述数式(1)规定。

与上述第5变形例同样地，在本第7变形例中，作为一例，如图35所示，倾斜机构49以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图35的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。即，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜。在该状态下，当通过伺服读取元件SR在宽度方向WD上重叠的范围R内沿着长边方向LD对线状磁化区域86A1及86A2读取了伺服图案84A时，与图34所示的例子相比，在来源于线状磁化区域86A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域86A2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案84B(即，线状磁化区域对86B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域86B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域86B2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[第10变形例]

另外，在上述第9变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧82划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图36所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧88划分。帧88由一组伺服图案90规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案90。与多个伺服图案84(参考图32)同样地，多个伺服图案90沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图36所示的例子中，作为一组伺服图案90的一例，示出了由伺服图案90A及90B构成的对。伺服图案90A及90B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案90A及90B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧88内，伺服图案90A位于正向的上游侧，伺服图案90B位于正向的下游侧。

作为一例，如图37所示，伺服图案90由线状磁化区域对92构成。线状磁化区域对92分类为线状磁化区域对92A及线状磁化区域对92B。

伺服图案90A由一组线状磁化区域对92A构成。一组线状磁化区域对92A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图37所示的例子中，作为线状磁化区域对92A的一例，示出了由线状磁化区域92A1及92A2构成的对。线状磁化区域对92A以与在上述第9变形例中说明的线状磁化区域对86A(参考图32)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86A相同的几何特性。即，线状磁化区域92A1以与在上述第9变形例中说明的线状磁化区域86A1(参考图32)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A1相同的几何特性，线状磁化区域92A2以与在上述第9变形例中说明的线状磁化区域86A2(参考图32)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A2相同的几何特性。

伺服图案90B由一组线状磁化区域对92B构成。一组线状磁化区域对92B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图37所示的例子中，作为线状磁化区域对92B的一例，示出了由线状磁化区域92B1及92B2构成的对。线状磁化区域对92B以与在上述第9变形例中说明的线状磁化区域对86B(参考图32)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86B相同的几何特性。即，线状磁化区域92B1以与在上述第9变形例中说明的线状磁化区域86B1(参考图32)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B1相同的几何特性，线状磁化区域92B2以与在上述第9变形例中说明的线状磁化区域86B2(参考图32)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B2相同的几何特性。

[第11变形例]

在图36所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧88划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图38所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧94划分。帧94由一组伺服图案96规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案96。与多个伺服图案90(参考图36)同样地，多个伺服图案96沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图38所示的例子中，作为一组伺服图案96的一例，示出了伺服图案96A及96B。伺服图案96A及96B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案96A及96B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧94内，伺服图案96A位于正向的上游侧，伺服图案96B位于正向的下游侧。

作为一例，如图39所示，伺服图案96由线状磁化区域组98构成。线状磁化区域组98分类为线状磁化区域组98A及线状磁化区域组98B。

伺服图案96A由线状磁化区域组98A构成。线状磁化区域组98A由线状磁化区域98A1、98A2及98A3构成。线状磁化区域98A1、98A2及98A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98A1、98A2及98A3从正向的上游侧以线状磁化区域98A1、98A2及98A3的顺序配置。

线状磁化区域98A1及98A2以与图37所示的线状磁化区域对92A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92A相同的几何特性。即，线状磁化区域98A1以与图37所示的线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性，线状磁化区域98A2以与图37所示的线状磁化区域92A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98A3以与线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性。

伺服图案96B由线状磁化区域组98B构成。线状磁化区域组98B由线状磁化区域98B1、98B2及98B3构成。线状磁化区域98B1、98B2及98B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98B1、98B2及98B3从正向的上游侧以线状磁化区域98B1、98B2及98B3的顺序配置。

线状磁化区域98B1及98B2以与图37所示的线状磁化区域对92B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92B相同的几何特性。即，线状磁化区域98B1以与图37所示的线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性，线状磁化区域98B2以与图37所示的线状磁化区域92B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98B3以与线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性。

[第12变形例]

在上述第5变形例(例如，图22所示的例子)中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧51划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图40所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧560划分。帧560由一组伺服图案580规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案580。与多个伺服图案52同样地，多个伺服图案580沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

伺服图案580由线状磁化区域对600构成。线状磁化区域对600分类为线状磁化区域对600A及线状磁化区域对600B。即，线状磁化区域对600与线状磁化区域对60(参考图22)相比，不同点在于，代替线状磁化区域对60A而具有线状磁化区域对600A的点及代替线状磁化区域对60B而具有线状磁化区域对600B的点。

伺服图案580A由线状磁化区域对600A构成。另外，线状磁化区域对600A与线状磁化区域对60A相比，不同点在于，代替线状磁化区域60A1而具有线状磁化区域600A1的点及代替线状磁化区域60A2而具有线状磁化区域600A2的点。线状磁化区域600A1及600A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域600A1及600A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域600A1及600A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域600A2与线状磁化区域600A1相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600A2相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域600A1相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域600A2的总长度短于线状磁化区域600A1的总长度。

线状磁化区域600A1与线状磁化区域60A1相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A1a而具有多个磁化直线600A1a。线状磁化区域600A2与线状磁化区域60A2相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A2a而具有多个磁化直线600A2a。

在线状磁化区域600A1包含多个磁化直线600A1a，在线状磁化区域600A2包含多个磁化直线600A2a。线状磁化区域600A1中所包含的磁化直线600A1a的根数与线状磁化区域600A2中所包含的磁化直线600A2a的根数相同。

线状磁化区域600A1为相当于第1线对称区域的线状磁化区域。第1线对称区域是指，形成为在上述第5变形例中说明的线状磁化区域60A2(参考图22)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A1也可以说是由线状磁化区域60A2(参考图22)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A2(参考图22)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

线状磁化区域600A2为相当于第2线对称区域的线状磁化区域。第2线对称区域是指，形成为在上述第5变形例中说明的线状磁化区域60A1(参考图22)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A2也可以说是由线状磁化区域60A1(参考图22)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A1(参考图22)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

即，在图23所示的例子中，当通过使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以中心O1为旋转轴向从图23的纸面表面侧观察时的顺时针方向以角度a倾斜而使假想线状区域对62整体相对于假想直线C1倾斜时，通过假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的假想线状区域对62的几何特性相当于伺服图案580A的几何特性。

伺服图案580B由线状磁化区域对600B构成。线状磁化区域对600B与线状磁化区域对60B相比，不同点在于，代替线状磁化区域60B1而具有线状磁化区域600B1的点及代替线状磁化区域60B2而具有线状磁化区域600B2的点。线状磁化区域600B1及600B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域600B1及600B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域600B1及600B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域600B2与线状磁化区域600B1相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600B2相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域600B1相对于假想直线C2的角度。

在线状磁化区域600B1包含多个磁化直线600B1a，在线状磁化区域600B2包含多个磁化直线600B2a。线状磁化区域600B1中所包含的磁化直线600B1a的根数与线状磁化区域600B2中所包含的磁化直线600B2a的根数相同。

伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数与伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数不同。在图40所示的例子中，伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数为8根。

线状磁化区域600B1为得到磁化的4根直线即磁化直线600B1a的集合，线状磁化区域600B2为得到磁化的4根直线即磁化直线600B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域600B1的两端的位置(即，4根磁化直线600B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域600B2的两端的位置(即，4根磁化直线600B2a各自的两端的位置)对齐。

如此，伺服图案580A的几何特性相当于线状磁化区域60A2(参考图22)的镜像的几何特性及线状磁化区域60A2(参考图22)的镜像的几何特性(即，图22所示的伺服图案53A的镜像的几何特性)，伺服图案580B的几何特性相当于线状磁化区域60B2(参考图22)的镜像的几何特性及线状磁化区域60B2(参考图22)的镜像的几何特性(即，图22所示的伺服图案53B的镜像的几何特性)。但是，这只不过是一例，代替伺服图案580，可以适用由图27所示的伺服图案72的镜像的几何特性、图29所示的伺服图案78的镜像的几何特性、图32所示的伺服图案84的镜像的几何特性、图36所示的伺服图案90的镜像的几何特性或图38所示的伺服图案96的镜像的几何特性形成的伺服图案。

另外，如此，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，倾斜机构49根据伺服图案的几何特性变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图26所示的角度β)。即，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，也与图26所示的例子同样地，倾斜机构49在控制装置30的控制下，通过使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，以减小伺服图案信号的偏差的方式变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图26所示的角度β)。

[其他变形例]

在上述实施方式中，举出磁头28对磁带MT的表面31进行磁处理的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，可以是如下：磁带MT的背面33由磁性层的面形成，磁头28对背面33进行磁处理。

在上述实施方式中，例示了磁带盒12相对于磁带驱动器14插拔自如的磁带系统10，但本发明的技术并不限定于此。例如，即便是对磁带驱动器14事先装填有至少一个磁带盒12的磁带系统(即，至少一个磁带盒12与磁带驱动器14或磁带MT事先(例如，对数据带DB记录数据之前)一体化的磁带系统)，本发明的技术仍成立。

在上述实施方式中，例示了单一磁头28，但本发明的技术并不限定于此。例如，多个磁头28可以配置于磁带MT上。例如，可以使读取用磁头28及至少一个写入用磁头28配置于磁带MT上。读取用磁头28可以用于通过写入用磁头28记录于数据带DB的数据的验证。并且，搭载有读取用磁性元件单元42及至少一个写入用磁性元件单元42的一个磁头可以配置于磁带MT上。

在上述实施方式中，举出控制装置30(参考图3)通过ASIC来实现的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，控制装置30可以通过软件结构来实现。并且，可以仅将控制装置30及位置检测装置30B通过软件结构来实现。当通过软件结构来实现控制装置30及位置检测装置30B时，例如，如图41所示，控制装置30具备计算机200。计算机200具有处理器200A(例如，单个CPU或多个CPU等)、NVM200B及RAM200C。处理器200A、NVM200B及RAM200C与总线200D连接。在计算机可读取的非暂时性存储介质即便携式存储介质202(例如，SSD或USB存储器等)中存储有程序PG。

存储于存储介质202的程序PG安装于计算机200。处理器200A按照程序PG执行控制处理(参考图17)。

并且，可以在经由通信网(省略图示)与计算机200连接的其他计算机或服务器装置等的存储装置中存储程序PG，根据来自控制装置30的请求下载程序PG，并安装于计算机200。另外，程序PG为本发明的技术所涉及的“程序”的一例，计算机200为本发明的技术所涉及的“计算机”的一例。

在图41所示的例子中，例示了计算机200，但本发明的技术并不限定于此，代替计算机200，可以适用包含ASIC、FPGA和/或PLC的器件。并且，代替计算机200，也可以使用硬件结构及软件结构的组合。

作为执行控制装置30(参考图3)的处理的硬件资源，能够使用如下各种处理器。作为处理器，例如可举出作为通过执行软件即程序而执行处理的硬件资源发挥作用的通用处理器即CPU。并且，作为处理器，例如可举出FPGA、PLC或所例示的ASIC等具有为了执行特定处理而专门设计的电路结构的处理器即专用电子电路。在任何处理器中内置或连接有存储器，并且通过在任何处理器中也使用存储器来执行处理。

执行控制装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理的硬件资源可以由这些各种处理器中的一个构成，也可以由相同种类或不同种类的两个以上的处理器的组合(例如，多个FPGA的组合或CPU与FPGA的组合)构成。并且，执行控制装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理的硬件资源可以是一个处理器。

作为由一个处理器构成的例子，第1，有由一个以上的CPU与软件的组合来构成一个处理器，并且该处理器作为执行处理的硬件资源而发挥作用的方式。第2，有以SoC等为代表，使用通过一个IC芯片来实现包含执行处理的多个硬件资源的整个系统的功能的处理器的方式。如此，控制装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理作为硬件资源使用上述各种处理器的一个以上来实现。

而且，更具体而言，作为这些各种处理器的硬件结构，能够使用组合了半导体元件等电路元件的电子电路。并且，上述控制装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理只不过是一例。因此，在不脱离主旨的范围内，可以删除不需要的步骤，或追加新的步骤，或调换处理顺序是不言而喻的。

以上示出的记载内容及图示内容为对本发明的技术所涉及的部分的详细说明，只不过是本发明的技术的一例。例如，与上述的结构、功能、作用及效果相关的说明为与本发明的技术所涉及的部分的结构、功能、作用及效果的一例相关的说明。因此，在不脱离本发明的技术的主旨的范围内，可以对以上示出的记载内容及图示内容删除不需要的部分，或追加新的要素，或进行置换是不言而喻的。并且，为了避免错综复杂，并且便于理解本发明的技术所涉及的部分，在以上示出的记载内容及图示内容中，在能够实施本发明的技术的基础上，省略了与无需特别说明的技术常识等相关的说明。

在本说明书中，“A和/或B”与“A及B中的至少一个”含义相同。即，“A和/或B”表示可以仅是A，也可以仅是B，还可以是A及B的组合。并且，在本说明书中，当三个以上的事体用“和/或”来连结而表现时，也适用与“A和/或B”相同的思考方式。

本说明书中所记载的所有的文献、专利申请及技术标准，通过参考而编入于此的每个文献、专利申请及技术标准与具体且个别记载时相同程度地通过参考编入于本说明书中。

符号说明

10-磁带系统，12-磁带盒，13-管理信息，13A-规格信息，14-磁带驱动器，16-壳体，16A-右壁，16B-开口，18-上壳体，20-下壳体，22-送出卷轴，22A-卷轴毂，22B1-上凸缘，22B2-下凸缘，24-盒式存储器，33-背面，25-控制器，26-输送装置，28-磁头，29A-磁性层，29B-基膜，29C-背涂层，30-控制装置，30B-位置检测装置，30B1-第1位置检测装置，30B1a-输入端子，30B1b-输出端子，30B2-第2位置检测装置，31-表面，31A-BOT区域，31B-BOT区域外，32-存储器，33-背面，34-UI系统装置，35-通信接口，36-送出马达，37-外部装置，38、SW2-卷取卷轴，39A-第1检测电路，39B-第2检测电路，40-卷取马达，42-磁性元件单元，44-托架，46-非接触式读写装置，48-移动机构，48A-移动致动器，49-倾斜机构，49A-倾斜致动器，50、51、70、76、82、88、94、560-帧，52、52A、52B、53、53A、53B、72、72A、72B、78、78A、78B、84、84A、84B、90、90A、90B、580、580A、580B-伺服图案，54、54A、54B、60、60A、60B、74、74A、74B、86、86A、86B、92、92A、92B、540A、542、600、600A、600B-线状磁化区域对，54A1、54A2、54B1、54B2、60A1、60A2、60B1、60B2、74A1、74A2、74B1、74B2、80A1、80A2、80A3、86A1、86A2、86B1、86B2、92A1、92A2、92B1、92B2、540A1、540A2、600A1、600A2、600B1、600B2-线状磁化区域，54A1a、54A2a、54B1a、54B2a、60A1a、60A2a、60B1a、60B2a、86A1a、86A2a、86B1a、86B2a、540A1a、540A2a、542A、542B、600A1a、600A2a、600B1a、600B2a-磁化直线，56、56A-第1区域，58、58A-第2区域，62-假想线状区域对，62A、62B-假想线状区域，62A1、62B1-直线，64-差分，65、67-平均偏离量，66-理想波形信号，66A-第1理想波形信号，66B-第2理想波形信号，68-假想直线区域对，68A、68B-假想直线区域，80、80A、80B-线状磁化区域组，200-计算机，200A-处理器，200B-NVM，200C-RAM，200D-总线，202-存储介质，A、B、C-箭头，a、α、β-角度，C1、C2、C3、C4-假想直线，CL-中心线，DB、DB1、DB2-数据带，DRW、DRW1、DRW2、DRW3、DRW4、DRW5、DRW6、DRW7、DRW8-数据读写元件，DT、DT1、DT2、DT3、DT4、DT5、DT6、DT7、DT8-数据磁道，DT1_1～DT1_12、DT2_1～DT2_12、DT3_1～DT3_12、DT4_1～DT4_12、DT5_1～DT5_12、DT6_1～DT6_12、DT7_1～DT7_12、DT8_1～DT8_12-分割数据磁道，DTG、DTG1、DTG2、DTG3、DTG4、DTG5、DTG6、DTG7、DTG8-分割数据磁道组，GR-导辊，Int1、Int2-间隔，L0、L1、L2-线段，LD-长边方向，MF-磁场，MT-磁带，O1、O2-中心，PG-程序，RA-旋转轴，SA1、SA2-对称轴，SB、SB1、SB2、SB3-伺服带，SBP-伺服带间距，S1-第1伺服带信号，S1a-第1线状磁化区域信号，S1A、S1B-伺服图案信号，S1b-第2线状磁化区域信号，S2-第2伺服带信号，SA1、SA2-对称轴，SB、SB1、SB2、SB3-伺服带，SBP-伺服带间距，SR、SR1、SR2-伺服读取元件，SW-伺服写入器，SW3-驱动装置，SW4-脉冲信号发生器，SW5-伺服写入器控制器，SW6-引导件，SW7-输送路径，VH-验证头，WD-宽度方向，WH-伺服图案记录头，Δ-偏离量，Δ1-第1偏离量，Δ2-第2偏离量Δ2。