测试方法、测试机台及存储介质

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测试方法、测试机台及存储介质。

背景技术

目前，灵敏放大电路通过偏移消除晶体管和隔离晶体管，能够在偏移补偿阶段进行失调电压的补偿，以提高存储器工作的可靠性。但是，当通过读写数据的方式测试偏移消除晶体管和隔离晶体管是否正常时，测试结果受读写过程引入的噪声干扰而发生变化，导致灵敏放大电路测试的可靠性差。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种测试方法、测试机台及存储介质。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种测试方法，所述测试方法包括：

将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态；

检测由所述灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流；

根据所述第一电流，确定所述灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常；

其中，所述偏移消除晶体管用于使所述位线与所述互补放大位线导通和断开以及使所述互补位线与所述放大位线导通和断开，所述隔离晶体管用于使所述位线与所述放大位线导通和断开以及使所述互补位线与所述互补放大位线导通和断开。

根据本公开的一些实施例，所述将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态，包括：

将所述位线与所述放大位线导通；

将所述互补位线与所述互补放大位线导通；

对所述灵敏放大电路进行供电；

将所述位线与所述互补放大位线导通；

将所述互补位线与所述放大位线导通。

根据本公开的一些实施例，所述根据所述第一电流，确定所述灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常，包括：

当所述第一电流大于第一预设电流时，确定所述偏移消除晶体管和所述隔离晶体管均正常；

当所述第一电流小于或等于所述第一预设电流时，确定所述偏移消除晶体管或所述隔离晶体管异常。

根据本公开的一些实施例，在所述确定所述偏移消除晶体管或所述隔离晶体管异常之后，所述测试方法还包括：

将所述位线、所述互补位线、所述放大位线和所述互补放大位线设置为第二连接状态；

检测由所述灵敏放大电路的预充电端流向所述公共端的第二电流；

根据所述第二电流，确定所述偏移消除晶体管是否正常。

根据本公开的一些实施例，所述灵敏放大电路还包括：

第一预充电晶体管，所述第一预充电晶体管连接于所述放大位线和预充电电源之间；

第二预充电晶体管，所述第二预充电晶体管的第一端与所述预充电电源连接；

选通晶体管，所述选通晶体管连接于所述第二预充电晶体管的第二端与所述互补放大位线之间；

其中，所述第一预充电晶体管和所述第二预充电晶体管的控制端均接收预充电控制信号。

根据本公开的一些实施例，在所述第一连接状态下，所述灵敏放大电路的供电端与第一电源连接，所述灵敏放大电路的公共端与第二电源连接；所述将所述位线、所述互补位线、所述放大位线和所述互补放大位线设置为第二连接状态，包括：

将所述预充电电源与所述互补放大位线导通；

将所述预充电电源与所述放大位线导通；

将所述第一电源与所述灵敏放大电路断开；

将所述位线与所述放大位线断开；

将所述互补位线与所述互补放大位线断开。

根据本公开的一些实施例，所述根据所述第二电流，确定所述偏移消除晶体管是否正常，包括：

当所述第二电流大于第二预设电流时，确定所述偏移消除晶体管正常；

当所述第二电流小于或等于所述第二预设电流时，确定所述偏移消除晶体管异常。

根据本公开的一些实施例，在所述检测由所述灵敏放大电路的预充电端流向所述公共端的第二电流之后，所述测试方法还包括：

根据所述第二电流，确定所述隔离晶体管是否正常。

本公开的第二方面提供一种测试机台，所述测试机台包括：

处理器；

用于存储处理器可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行：

将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态；

检测由所述灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流；

根据所述第一电流，确定所述灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常；

其中，所述偏移消除晶体管用于使所述位线与所述互补放大位线导通和断开以及使所述互补位线与所述放大位线导通和断开，所述隔离晶体管用于使所述位线与所述放大位线导通和断开以及使所述互补位线与所述互补放大位线导通和断开。

根据本公开实施例的第三方面，提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由测试机台的处理器执行时，使得测试机台能够执行：

将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态；

检测由所述灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流；

根据所述第一电流，确定所述灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常；

其中，所述偏移消除晶体管用于使所述位线与所述互补放大位线导通和断开以及使所述互补位线与所述放大位线导通和断开，所述隔离晶体管用于使所述位线与所述放大位线导通和断开以及使所述互补位线与所述互补放大位线导通和断开。

本公开实施例所提供的测试方法、测试机台及存储介质中，偏移消除晶体管用于使位线与互补放大位线导通和断开以及使互补位线与放大位线导通和断开，隔离晶体管用于使位线与放大位线导通和断开以及使互补位线与互补放大位线导通和断开，将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态以对偏移消除晶体管和隔离晶体管进行测试。在第一连接状态下，检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流。根据第一电流，能够判断出灵敏放大电路中供电端和公共端之间是否存在断路，确定灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常。通过以检测第一电流的方式确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常，测试结果不受噪声的干扰而发生变化，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据一示例性实施例示出的一种灵敏放大电路的工作时序图。

图2是根据一示例性实施例示出的一种灵敏放大电路的结构示意图；

图3是根据另一示例性实施例示出的一种灵敏放大电路的结构示意图；

图4是根据一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；

图5是根据另一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；

图6是根据另一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；

图7是根据另一示例性实施例示出的一种灵敏放大电路的结构示意图；

图8是根据另一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；

图9是根据另一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；

图10是根据另一示例性实施例示出的一种灵敏放大电路的结构示意图；

图11是根据另一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；

图12是根据一示例性实施例示出的一种测试机台的框图。

图中：Q1、第一P型晶体管；Q2、第二P型晶体管；Q3、第一N型晶体管；Q4、第二N型晶体管；Q5、第一隔离晶体管；Q6、第二隔离晶体管；Q7、第一偏移消除晶体管；Q8、第二偏移消除晶体管；Q9、第一供电晶体管；Q10、第二供电晶体管；Q11、第一预充电晶体管；Q12、开关晶体管；Q13、第二预充电晶体管；Q14、选通晶体管；Cell、存储单元；VBLH、第一电源；VWLN、第二电源；VAD、预充电电源；WL、字线；BL、位线；BLB、互补位线；SABL、放大位线；SABLB、互补放大位线；ISO、隔离控制信号；NC、偏移消除信号；SAP、第一供电控制信号；SAN、第二供电控制信号；PRE、预充电控制信号；TEST、测试信号；400、测试机台；401、处理器；402、存储器。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

目前，灵敏放大电路通过偏移消除晶体管和隔离晶体管，能够在偏移补偿阶段进行失调电压的补偿，以提高存储器工作的可靠性。由于灵敏放大电路中增加了偏移消除晶体管和隔离晶体管，偏移消除晶体管和隔离晶体管可能因生产工艺缺陷、电路设计不当等而出现故障。为防止包含有灵敏放大电路的存储器在使用过程中出现异常，需要对偏移消除晶体管和隔离晶体管进行测试。

相关技术中，通常以读写数据的方式测试偏移消除晶体管和隔离晶体管是否正常。如图1所示，在一个读取过程中，调整不同阶段的时间，读取存储单元中的数据。将写入的数据与读取的数据进行比较，确定与调整时间的阶段对应的晶体管是否正常。例如，当测试偏移消除晶体管是否正常时，需要调整T2阶段的时间。T2阶段的时间默认为3ns，可以将T2阶段的时间调整为2ns、4ns等。其中，V

基于此，本公开提供了一种测试方法，通过检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流，判断灵敏放大电路中供电端和公共端之间是否存在断路，确定灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常。由于以检测第一电流的方式替代读写数据的方式测试偏移消除晶体管和隔离晶体管，未引入读写过程产生的噪声，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。同时，由于检测第一电流无需占用测试机台的输入输出接口，避免了对测试机台测数功能的影响，从而提高了灵敏放大电路测试的通用性。并且，由于检测第一电流即可确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常，无需进行读写操作，降低了测试过程所需的时间以提高灵敏放大电路测试的效率。

为便于理解，首先对本公开中的灵敏放大电路进行说明。如图2所示，图2示出了根据本公开一示例性的实施例提供的灵敏放大电路的结构示意图，灵敏放大电路包括第一P型晶体管Q1、第二P型晶体管Q2、第一N型晶体管Q3、第二N型晶体管Q4、第一隔离晶体管Q5、第二隔离晶体管Q6、第一偏移消除晶体管Q7、第二偏移消除晶体管Q8、第一供电晶体管Q9、第二供电晶体管Q10和第一预充电晶体管Q11。第一P型晶体管Q1的第一端与第二P型晶体管Q2的第一端以及第一供电晶体管Q9的第一端均连接，第二端与第二P型晶体管Q2的控制端、第一N型晶体管Q3的第一端、第二隔离晶体管Q6的第一端以及第一偏移消除晶体管Q7的第一端均连接，控制端与第二P型晶体管Q2的第二端、第二N型晶体管Q4的第一端、第一隔离晶体管Q5的第一端、第二偏移消除晶体管Q8的第一端以及第一预充电晶体管Q11的第一端均连接。第一N型晶体管Q3的第二端与第二N型晶体管Q4的第二端以及第二供电晶体管Q10的第一端均连接，控制端与第一隔离晶体管Q5的第二端、第一偏移消除晶体管Q7的第二端以及位线BL均连接。第二N型晶体管Q4的控制端与第二隔离晶体管Q6的第二端、第二偏移消除晶体管Q8的第二端以及互补位线BLB均连接。第一隔离晶体管Q5的控制端与第二隔离晶体管Q6的控制端均接收隔离控制信号ISO。第一偏移消除晶体管Q7的控制端和第二偏移消除晶体管Q8的控制端均接收偏移消除信号NC。第一供电晶体管Q9的第二端与第一电源VBLH连接，控制端接收第一供电控制信号SAP。第二供电晶体管Q10的第二端与第二电源VWLN连接，控制端接收第二供电控制信号SAN。第一预充电晶体管Q11的第二端与预充电电源VAD连接，控制端接收预充电控制信号PRE。存储单元Cell通过开关晶体管Q12与位线BL连接，控制端与字线WL连接。其中，第一P型晶体管Q1和第一N型晶体管Q3之间的连线为互补放大位线SABLB，第二P型晶体管Q2和第二N型晶体管Q4之间的连线为放大位线SABL。第一P型晶体管Q1与第二P型晶体管Q2连接的一端作为灵敏放大电路的供电端，第一N型晶体管Q3与第二N型晶体管Q4连接的一端作为灵敏放大电路的公共端。由于第一隔离晶体管Q5和第二隔离晶体管Q6的控制端接收的控制信号相同且功能相对应，第一隔离晶体管Q5和第二隔离晶体管Q6一般采用相同的晶体管，同时正常或异常。在对第一隔离晶体管Q5和第二隔离晶体管Q6进行测试的过程中，将第一隔离晶体管Q5和第二隔离晶体管Q6看作一组待测试的隔离晶体管。由于第一偏移消除晶体管Q7和第二偏移消除晶体管Q8的控制端接收的控制信号相同且功能相对应，第一偏移消除晶体管Q7和第二偏移消除晶体管Q8一般采用相同的晶体管，同时正常或异常。在对第一偏移消除晶体管Q7和第二偏移消除晶体管Q8进行测试的过程中，将第一偏移消除晶体管Q7和第二偏移消除晶体管Q8看作一组待测试的偏移消除晶体管。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，如图3所示，灵敏放大电路还包括第二预充电晶体管Q13和选通晶体管Q14。第二预充电晶体管Q13的第一端与选通晶体管Q14的第一端连接，第二端与预充电电源VAD连接，控制端接收预充电控制信号PRE。选通晶体管Q14的第二端与第一P型晶体管Q1的第二端、第二P型晶体管Q2的控制端、第一N型晶体管Q3的第一端、第二隔离晶体管Q6的第一端以及第一偏移消除晶体管Q7的第一端均连接，控制端接收测试信号TEST。其中，第一预充电晶体管Q11与第一P型晶体管Q1、第二P型晶体管Q2、第二N型晶体管Q4、第一隔离晶体管Q5、第二偏移消除晶体管Q8连接的一端以及选通晶体管Q14与第一P型晶体管Q1、第二P型晶体管Q2、第一N型晶体管Q3、第二隔离晶体管Q6、第一偏移消除晶体管Q7连接的一端作为灵敏放大电路的预充电端。

本公开示例性的实施例中提供一种测试方法，该测试方法可应用于测试机台。如图4所示，图4示出了根据本公开一示例性的实施例提供的测试方法的流程图，包括：

S100、将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态。

S200、检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流。

S300、根据第一电流，确定灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常。

其中，偏移消除晶体管用于使位线与互补放大位线导通和断开以及使互补位线与放大位线导通和断开，隔离晶体管用于使位线与放大位线导通和断开以及使互补位线与互补放大位线导通和断开。

本实施例中，偏移消除晶体管用于使位线与互补放大位线导通和断开以及使互补位线与放大位线导通和断开，隔离晶体管用于使位线与放大位线导通和断开以及使互补位线与互补放大位线导通和断开，将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态以对偏移消除晶体管和隔离晶体管进行测试。在第一连接状态下，检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流。根据第一电流，能够判断出灵敏放大电路中供电端和公共端之间是否存在断路，确定灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常。通过以检测第一电流的方式确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常，测试结果不受噪声的干扰而发生变化，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，如图5所示，图5示例地示出了步骤S100中的将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态的方法流程图，包括：

S110、将位线与放大位线导通。

S120、将互补位线与互补放大位线导通。

S130、对灵敏放大电路进行供电。

S140、将位线与互补放大位线导通。

S150、将互补位线与放大位线导通。

本实施例中，将位线与放大位线导通，以确定从供电端流入的电流是否能够从放大位线通过隔离晶体管中的第一隔离晶体管流入位线。将互补位线与互补放大位线导通，以确定电流是否能够从互补位线通过隔离晶体管中的第二隔离晶体管流入互补放大位线，进而流入公共端。对灵敏放大电路进行供电，以使电流能够从供电端流入灵敏放大电路。将位线与互补放大位线导通，以确定电流是否能够从位线通过偏移消除晶体管中的第一偏移消除晶体管流入互补放大位线，进而流入公共端。将互补位线与放大位线导通，以确定从供电端流入的电流是否能够从放大位线通过偏移消除晶体管中的第二偏移消除晶体管流入互补位线。通过将位线、互补位线、放大位线和互补放大位线之间导通，确定流入供电端的电流是否能够通过偏移消除晶体管和隔离晶体管流入公共端，从而能够以第一电流为依据确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常以提高灵敏放大电路测试的可靠性。

可以理解的是，上述步骤S110至步骤S150的顺序可以互换，不作具体限定。

示例性地，结合图2和图5所示，步骤S110中的将位线与放大位线导通以及步骤S120中的将互补位线与互补放大位线导通，可以通过隔离控制信号ISO，将第一隔离晶体管Q5和第二隔离晶体管Q6导通。步骤S140中的将位线与互补放大位线导通以及步骤S150中的将互补位线与放大位线导通，可以通过偏移消除信号NC，将第一偏移消除晶体管Q7和第二偏移消除晶体管Q8导通。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，如图6所示，图6示例地示出了步骤S130中的对灵敏放大电路进行供电的方法流程图，包括：

S131、将第一电源与灵敏放大电路的供电端导通。

S132、将第二电源与灵敏放大电路的公共端导通。

本实施例中，通过将第一电源与灵敏放大电路的供电端导通，并将第二电源与灵敏放大电路的公共端导通，对灵敏放大电路进行供电。由于第一电源和第二电源的电压确定，隔离晶体管和偏移消除晶体管在不同情况下流经灵敏放大电路的电流确定，从而能够以第一电流为依据确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常以提高灵敏放大电路测试的可靠性。

示例性地，结合图2和图6所示，步骤S131中的将第一电源与灵敏放大电路的供电端导通，可以通过第一供电控制信号SAP，将第一供电晶体管Q9导通。步骤S132中的将第二电源与灵敏放大电路的公共端导通，可以通过第二供电控制信号SAN，将第二供电晶体管Q10导通。在执行步骤S110至步骤S150后，灵敏放大电路的结构如图7所示。

示例性地，步骤S200中的检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流，可通过与灵敏放大电路连接的测试机台直接进行检测，或者，也可以通过在灵敏放大电路中接入电流检测装置进行检测。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，步骤S300中的根据第一电流，确定灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常，包括：

当第一电流大于第一预设电流时，确定偏移消除晶体管和隔离晶体管均正常。

当第一电流小于或等于第一预设电流时，确定偏移消除晶体管或隔离晶体管异常。

本实施例中，由于偏移消除晶体管和隔离晶体管影响灵敏放大电路中电流的通断，根据第一电流的大小，能够确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常。当第一电流大于第一预设电流时，流入供电端的电流能够通过偏移消除晶体管和隔离晶体管流入公共端，确定偏移消除晶体管和隔离晶体管均正常。当第一电流小于或等于第一预设电流时，流入供电端的电流无法通过偏移消除晶体管或隔离晶体管流入公共端，确定偏移消除晶体管或隔离晶体管异常。通过以第一电流和第一预设电流比较的方式，确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常，降低了灵敏放大电路测试的复杂性。

示例性地，结合图2所示，当偏移消除晶体管和隔离晶体管均正常时，流入灵敏放大电路的供电端的电流经由两条路径流入公共端：一条从供电端流经第二P型晶体管Q2、第一隔离晶体管Q5、第一偏移消除晶体管Q7、第一N型晶体管Q3至公共端。另一条从供电端流经第二P型晶体管Q2、第二偏移消除晶体管Q8、第二隔离晶体管Q6、第一N型晶体管Q3至公共端。此时，第一电流较大，且大于第一预设电流。当偏移消除晶体管异常时，流入灵敏放大电路的供电端的电流无法流经第一偏移消除晶体管Q7和第二偏移消除晶体管Q8，供电端与公共端之间为断路。当隔离晶体管异常时，流入灵敏放大电路的供电端的电流无法流经第一隔离晶体管Q5和第二隔离晶体管Q6，供电端与公共端之间为断路。此时，第一电流较小，且小于或等于第一预设电流。

示例性地，第一预设电流的大小与第一电源的电压、第二电源的电压以及测试机台内部的阻抗相关。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，如图8所示，测试方法还包括：

S400、将位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第二连接状态。

S500、检测由灵敏放大电路的预充电端流向公共端的第二电流。

S600、根据第二电流，确定偏移消除晶体管是否正常。

本实施例中，由于偏移消除晶体管或隔离晶体管异常，需要进一步确定存在异常的晶体管。将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第二连接状态，以对偏移消除晶体管进行测试。在第二连接状态下，检测由灵敏放大电路的预充电端流向公共端的第二电流。根据第二电流，能够判断出灵敏放大电路中预充电端和公共端之间是否存在断路，确定灵敏放大电路中的偏移消除晶体管是否正常。通过以检测第二电流的方式进一步确定偏移消除晶体管是否正常，测试结果不受噪声的干扰而发生变化，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。同时，由于能够具体测试出存在异常的晶体管，从而提高了灵敏放大电路测试的有效性。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，结合图3所示，在灵敏放大电路中，第一预充电晶体管Q11连接于放大位线SABL和预充电电源VAD之间。第二预充电晶体管Q13的第一端与预充电电源VAD连接。选通晶体管Q14连接于第二预充电晶体管Q13的第二端与互补放大位线SABLB之间。其中，第一预充电晶体管Q11和第二预充电晶体管Q13的控制端均接收预充电控制信号PRE。选通晶体管Q14的控制端接收测试信号TEST。

本实施例中，由于第一预充电晶体管连接于放大位线和预充电电源之间、第二预充电晶体管连接于互补放大位线和预充电电源之间，预充电电源能够向灵敏放大电路分别提供两路电流，以对偏移消除晶体管进行测试。由于预充电电源能够提供第二电流，通过以检测第二电流的方式确定偏移消除晶体管是否正常，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。由于第一偏移消除晶体管和第二偏移消除晶体管常常同时损坏，以一个预充电控制信号同时控制第一偏移消除晶体管和第二偏移消除晶体管，降低了偏移消除晶体管测试的复杂性。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，在第一连接状态下，灵敏放大电路的供电端与第一电源连接，灵敏放大电路的公共端与第二电源连接。如图9所示，图9示例地示出了步骤S400中的将位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第二连接状态的方法流程图，包括：

S410、将预充电电源与互补放大位线导通。

S420、将预充电电源与放大位线导通。

S430、将第一电源与灵敏放大电路断开。

S440、将位线与放大位线断开。

S450、将互补位线与互补放大位线断开。

本实施例中，将预充电电源与互补放大位线导通，以在第一偏移消除晶体管导通的情况下，确定从预充电端流入的电流是否能够从互补放大位线通过第一偏移消除晶体管流入位线。将预充电电源与放大位线导通，以在第二偏移消除晶体管导通的情况下，确定从预充电端流入的电流是否能够从放大位线通过第二偏移消除晶体管流入互补位线。将第一电源与灵敏放大电路断开，避免第一电源产生的电流流入灵敏放大电路，影响对偏移消除晶体管的测试。将位线与放大位线断开，避免电流从放大位线通过第一隔离晶体管流入位线，影响对第一偏移消除晶体管的测试。将互补位线与互补放大位线断开，避免电流从互补放大位线通过第二隔离晶体管流入互补位线，影响对第二偏移消除晶体管的测试。通过以两条路径分别供电的方式来测试偏移消除晶体管是否正常，避免了隔离晶体管对偏移消除晶体管造成的影响，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。

可以理解的是，上述步骤S410至步骤S450的顺序可以互换，不作具体限定。

示例性地，结合图3和图9所示，步骤S410中的将预充电电源与互补放大位线导通以及步骤S420中的将预充电电源与放大位线导通导通，可以通过预充电控制信号PRE，将第一预充电晶体管Q11和第二预充电晶体管Q13导通。同时，步骤S410中的将预充电电源与互补放大位线导通，还需要通过测试信号TEST，将选通晶体管Q14导通。步骤S430中的将第一电源与灵敏放大电路断开，可以通过第一供电控制信号SAP，将第一供电晶体管Q9断开。步骤S440中的将位线与放大位线断开以及步骤S450中的将互补位线与互补放大位线断开，可以通过隔离控制信号ISO，将第一隔离晶体管Q5和第二隔离晶体管Q6断开。在执行步骤S410至步骤S450后，灵敏放大电路的结构如图10所示。

示例性地，步骤S500中的检测由灵敏放大电路的预充电端流向公共端的第二电流，可通过与灵敏放大电路连接的测试机台直接进行检测，或者，也可以通过在灵敏放大电路中接入电流检测装置进行检测。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，步骤S600中的根据第二电流，确定偏移消除晶体管是否正常，包括：

当第二电流大于第二预设电流时，确定偏移消除晶体管正常。

当第二电流小于或等于第二预设电流时，确定偏移消除晶体管异常。

本实施例中，由于偏移消除晶体管是否正常影响灵敏放大电路中电流的流动，根据第二电流的大小，能够确定偏移消除晶体管是否正常。当第二电流大于第二预设电流时，流入预充电端的电流能够通过偏移消除晶体管流入公共端，确定偏移消除晶体管正常。当第二电流小于或等于第二预设电流时，流入预充电端的电流无法通过偏移消除晶体管流入公共端，确定偏移消除晶体管异常。通过以第二电流和第二预设电流比较的方式，确定偏移消除晶体管是否正常，降低了灵敏放大电路测试的复杂性。

示例性地，结合图3所示，当偏移消除晶体管正常时，流入灵敏放大电路的预充电端的电流通过第一偏移消除晶体管Q7和第二偏移消除晶体管Q8使第一N型晶体管Q3和第二N型晶体管Q4导通，流入灵敏放大电路的预充电端的电流经由两条路径流入公共端：一条从预充电端流经第一N型晶体管Q3至公共端。另一条从预充电端流经第二N型晶体管Q4至公共端。此时，第二电流较大，且大于第二预设电流。当偏移消除晶体管异常时，流入灵敏放大电路的预充电端的电流无法流经第一偏移消除晶体管Q7和第二偏移消除晶体管Q8，第一N型晶体管Q3和第二N型晶体管Q4断开导致预充电端与公共端之间为断路。此时，第二电流较小，且小于或等于第二预设电流。

示例性地，第二预设电流的大小与预充电电源的电压、第二电源的电压以及测试机台内部的阻抗相关。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，测试方法还包括：

根据第二电流，确定隔离晶体管是否正常。

本实施例中，由于偏移消除晶体管和隔离晶体管接收的控制信号不同且功能不对应，偏移消除晶体管和隔离晶体管不会同时发生损坏。通过以检测第二电流的方式间接确定隔离晶体管是否正常，测试结果不受噪声的干扰而发生变化，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。同时，由于能够具体测试出存在异常的晶体管，从而提高了灵敏放大电路测试的有效性。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，根据第二电流，确定隔离晶体管是否正常，包括：

当第二电流大于第二预设电流时，确定隔离晶体管异常。

当第二电流小于或等于第二预设电流时，确定隔离晶体管正常。

本实施例中，当第二电流大于第二预设电流时，在第一连接状态下由于隔离晶体管引起灵敏放大电路中供电端和公共端之间断路，确定隔离晶体管异常。当第二电流小于或等于第二预设电流时，在第一连接状态下由于偏移消除晶体管引起灵敏放大电路中供电端和公共端之间断路，确定隔离晶体管正常。通过以第二电流和第二预设电流比较的方式，确定隔离晶体管是否正常，降低了灵敏放大电路测试的复杂性。

在本公开提供的一些示例性的实施例中，如图11所示，测试方法包括：

S700、将位线与放大位线导通。

S710、将互补位线与互补放大位线导通。

S720、对灵敏放大电路进行供电。

S730、将位线与互补放大位线导通。

S740、将互补位线与放大位线导通。

S750、检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流。

S760、当第一电流大于第一预设电流时，确定偏移消除晶体管和隔离晶体管均正常。

S770、当第一电流小于或等于第一预设电流时，确定偏移消除晶体管或隔离晶体管异常。

S780、将预充电电源与互补放大位线导通。

S790、将预充电电源与放大位线导通。

S800、将第一电源与灵敏放大电路断开。

S810、将位线与放大位线断开。

S820、将互补位线与互补放大位线断开。

S830、检测由灵敏放大电路的预充电端流向公共端的第二电流。

S840、当第二电流大于第二预设电流时，确定偏移消除晶体管正常。

S850、确定隔离晶体管异常。

S860、当第二电流小于或等于第二预设电流时，确定偏移消除晶体管异常。

S870、确定隔离晶体管正常。

本实施例中，通过将位线、放大位线、互补位线和互补放大位线之间导通，并对灵敏放大电路进行供电，以确定流入供电端的电流是否能够通过偏移消除晶体管和隔离晶体管流至公共端。检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流，并通过第一电流与第一预设电流的比较结果，确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常。当偏移消除晶体管或隔离晶体管异常时，将互补放大位线和预充电电源导通以及将放大位线和预充电电源导通，以确定流入预充电端的电流是否能够流至公共端。检测由灵敏放大电路的预充电端流向公共端的第二电流，并通过第二电流与第二预设电流的比较结果，确定偏移消除晶体管是否正常。并且，通过第二电流与第二预设电流的比较结果，确定隔离晶体管是否正常。通过以检测第一电流的方式确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常，测试结果不受噪声的干扰而发生变化，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。通过以检测第二电流的方式进一步确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否正常，测试结果不受噪声的干扰而发生变化，从而提高了灵敏放大电路测试的可靠性。同时，由于仅需一至两次电流检测即可确定偏移消除晶体管和隔离晶体管是否正常，降低了测试过程所需的时间，从而提高了灵敏放大电路测试的效率。

图12是根据一示例性实施例示出的一种测试机台400的框图。测试机台400包括处理器401，处理器的个数可以根据需要设置为一个或者多个。测试机台400还包括存储器402，用于存储可由处理器401的执行的指令，例如应用程序。存储器的个数可以根据需要设置一个或者多个。其存储的应用程序可以为一个或者多个。处理器401被配置为执行指令，以执行上述方法。

本领域技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质,包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质等。此外，本领域技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

在示例性实施例中，提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器402，上述指令可由装置400的处理器401执行以完成上述方法。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。

一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由测试机台的处理器执行时，使得测试机台能够执行：

将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态。

检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流。

根据第一电流，确定灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常。

其中，偏移消除晶体管用于使位线与互补放大位线导通和断开以及使互补位线与放大位线导通和断开，隔离晶体管用于使位线与放大位线导通和断开以及使互补位线与互补放大位线导通和断开。

本公开是参照根据本公开实施例的方法、装置(设备)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在本公开中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。

显然，本领域技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开的意图也包含这些改动和变型在内。