用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰

交叉参考

本专利申请案主张毕博(BUEB)在2021年11月30日申请的标题为“用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰(TEMPERATURE-BASED SCRAMBLING FOR ERROR CONTROLIN MEMORY SYSTEMS)”的第17/456,980号美国专利申请案的优先权，所述申请案已转让给其受让人，且其全文以引用的方式明确地并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰。

背景技术

存储器装置广泛地用来存储各种电子装置，例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等中的信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可被编程为两种受支持状态中的一者，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种可能状态，所述存储器单元可存储所述状态中的任一者。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程为对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、三维交叉点存储器(3D交叉点)、“或非”(NOR)及“与非”(NAND)存储器装置等等。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可能随着时间推移而失去它们的经编程状态，除非它们被外部电源周期性地刷新。即使在没有外部电源的情况下，非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)也可长时间保持它们的经编程状态。

发明内容

描述一种方法。所述方法可包含：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。

描述一种设备。所述设备可包含与存储器系统相关联的控制器。所述控制器可经配置以致使所述设备：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。

描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。所述代码可包含指令，所述指令可由处理器执行以：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。

附图说明

图1说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统的实例。

图2说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统的实例且描绘处理写入命令的实例。

图3说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统的实例且描绘处理读取命令的实例。

图4展示根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的存储器系统的框图。

图5展示说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的一或若干方法的流程图。

具体实施方式

存储器系统可经配置以在某些(例如，标称)温度范围内操作。然而，可在那些标称温度范围之外的环境中使用一些存储器系统。例如，当存储器系统并入到交通工具中时，存储器系统的温度可覆盖较大范围。例如，在冬季，所述温度可能下降到标称范围以下，而在夏季，所述温度可能上升到标称范围以上。在极端温度下执行存取操作(例如，读取操作或写入操作)可能影响所述操作且可能导致经存储数据的更高错误率。例如，当在与存储器系统相关联的标称温度范围之外的温度下编程时，一些NAND电平状态可能更容易出错。

一些存储器系统在将数据存储在存储器中之前对数据进行加扰使得当经加扰数据存储在存储器中时，经加扰数据可稍微均匀地散布在存储器单元的不同电平当中。然而，经加扰数据在极端温度下也可能倾向于更高速率。

描述供存储器系统用于在写入信息时基于写入数据时的温度使用不同扰码参数来对数据进行加扰的技术。扰码可经配置以当存储器系统在与扰码相关联的温度范围内操作时降低错误的概率。这可在随后读取信息时减少信息中的错误的数量。在一些实例中，扰码参数可减少在极端温度下经加扰数据在存储器单元的有问题的电平中的存储。

首先参考图1在系统的背景下描述本公开的特征。参考图2到3在系统及使用系统来处理写入及读取命令的背景下进一步描述本公开的特征。参考图4到5通过与用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰相关的设备图及流程图且在所述设备图及流程图的背景下进一步说明本公开的这些及其它特征。

图1说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。

存储器系统110可为或包含任何装置或装置集合，其中所述装置或装置集合包含至少一个存储器阵列。例如，存储器系统110可为或包含通用快闪存储(UFS)装置、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、快闪存储器装置、通用串行总线(USB)快闪存储器装置、安全数字(SD)卡、固态驱动器(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)或非易失性DIMM(NVDIMM)，以及其它可能性。

系统100可被包含在计算装置中，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、物联网(IoT)启用装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业设备或联网商业装置中的计算机)或包含存储器及处理装置的任何其它计算装置。

系统100可包含主机系统105，所述主机系统可与存储器系统110耦合。在一些实例中，这个耦合可包含与主机系统控制器106的接口，所述接口可为经配置以致使主机系统105根据如本文中所描述的实例来执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况下可包含处理器芯片组及由处理器芯片组执行的软件堆栈。例如，主机系统105可包含经配置用于与存储器系统110或其中的装置进行通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如，主机系统105本地的或包含在主机系统105中的存储器)、存储器控制器(例如，NVDIMM控制器)及存储协议控制器(例如，外围组件互连高速(PCIe)控制器、串行高级技术附件(SATA)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110例如来将数据写入到存储器系统110及从存储器系统110读取数据。尽管在图1中展示一个存储器系统110，但主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。

主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。主机系统105及存储器系统110在一些情况下可经配置以使用相关联协议经由物理主机接口进行通信(例如，以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传达控制、地址、数据及其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于SATA接口、UFS接口、eMMC接口、PCIe接口、USB接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(SCSI)、串行附接SCSI(SAS)、双倍数据速率(DDR)接口、DIMM接口(例如，支持DDR的DIMM套接字接口)、开放式NAND快闪存储器接口(ONFI)及低功耗双倍数据速率(LPDDR)接口。在一些实例中，一或多个此类接口可被包含在主机系统105的主机系统控制器106及存储器系统110的存储器系统控制器115中或在主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115之间以其它方式受支持。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每一存储器装置130的相应物理主机接口，或经由用于包含在存储器系统110中的每种类型的存储器装置130的相应物理主机接口与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。

存储器系统110可包含存储器系统控制器115及一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任何类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管在图1的实例中展示两个存储器装置130-a及130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130，那么存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。

存储器系统控制器115可与主机系统105耦合并进行通信(例如，经由物理主机接口)且可为经配置以致使存储器系统110根据如本文中所描述的实例来执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合并进行通信以执行例如在存储器装置130处读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据的操作—以及其它此类操作—其通常可被称为存取操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130进行通信以执行此类命令(例如，在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。例如，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作且可将命令或操作转换成用来实现对存储器装置130的所期望存取的指令或适当命令。在一些情况下，存储器系统控制器115可与主机系统105及一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于来自主机系统105的命令或以其它方式与来自主机系统105的命令相关联)。例如，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据分组或其它信号)转换成用于主机系统105的对应信号。

存储器系统控制器115可经配置用于与存储器装置130相关联的其它操作。例如，存储器系统控制器115可执行或管理例如以下操作：损耗均衡操作、废弃项目收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、高速缓冲存储操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(LBA))与和存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。

存储器系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲器存储器或其组合。所述硬件可包含具有专用(例如，硬编码)逻辑以执行本文中归属于存储器系统控制器115的操作的电路系统。存储器系统控制器115可为或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP))或任何其它合适处理器或处理电路系统。

存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(ROM)或可存储可由存储器系统控制器115执行以执行本文中归属于存储器系统控制器115的功能的操作码(例如，可执行指令)的其它存储器。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(SRAM)或可由存储器系统控制器115用于例如与本文中归属于存储器系统控制器115的功能相关的内部存储或计算的其它存储器。另外或替代地，本地存储器120可用作存储器系统控制器115的高速缓存。例如，如果数据从存储器装置130读取或写入到存储器装置130，那么数据可存储在本地存储器120中且数据可在本地存储器120内用于由主机系统105根据高速缓存策略来进行后续检索或操纵(例如，更新)(例如，相对于存储器装置130具有减少的延时)。

尽管图1中的存储器系统110的实例已被说明为包含存储器系统控制器115，但在一些情况下，存储器系统110可不包含存储器系统控制器115。例如，存储器系统110可另外或替代地依赖于外部控制器(例如，由主机系统105实施)或可分别在存储器装置130内部的一或多个本地控制器135，来执行本文中归属于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中归属于存储器系统控制器115的一或多个功能在一些情况下可代替地由主机系统105、本地控制器135或其任何组合来执行。在一些情况下，至少部分地由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可被称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。

存储器装置130可包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。例如，存储器装置130可包含NAND(例如，NAND快闪存储器)存储器、ROM、相变存储器(PCM)、自选择存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电随机存取存储器(RAM)(FeRAM)、磁RAM(MRAM)、NOR(例如，NOR快闪)存储器、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含易失性存储器单元的一或多个阵列。例如，存储器装置130可包含RAM存储器单元，例如动态RAM(DRAM)存储器单元及同步DRAM(SDRAM)存储器单元。

在一些实例中，存储器装置130可包含(例如，在同一裸片上或在同一封装内)本地控制器135，所述本地控制器可在相应存储器装置130的一或多个存储器单元上执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作或可执行本文中归属于存储器系统控制器115的一或多个功能。例如，如图1中所说明，存储器装置130-a可包含本地控制器135-a且存储器装置130-b可包含本地控制器135-b。

在一些情况下，存储器装置130可为或包含NAND装置(例如，NAND快闪存储器装置)。存储器装置130可为或包含存储器裸片160。例如，在一些情况下，存储器装置130可为包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可为从晶片切割的一片电子级半导体(例如，从硅晶片切割的硅裸片)。每一裸片160可包含一或多个平面165，且每一平面165可包含一组相应块170，其中每一块170可包含一组相应页175，且每一页175可包含一组存储器单元。

在一些情况下，NAND存储器装置130可包含经配置以各自存储一个位的信息的存储器单元，所述存储器单元可被称为单电平单元(SLC)。另外或替代地，NAND存储器装置130可包含经配置以各自存储多个位的信息的存储器单元，所述存储器单元在经配置以各自存储两个位的信息的情况下可被称为多电平单元(MLC)，在经配置以各自存储三个位的信息的情况下可被称为三电平单元(TLC)，在经配置以各自存储四个位的信息的情况下可被称为四电平单元(QLC)，或更一般地被称为多电平存储器单元。多电平存储器单元相对于SLC存储器单元可提供更大的存储密度，但在一些情况下可能涉及支持电路系统的更窄读取或写入余量或更大复杂性。

在一些情况下，平面165可指块170的群组，且在一些情况下，并发操作可发生在不同平面165内。例如，可在不同块170内的存储器单元上执行并发操作，只要不同块170在不同平面165中即可。在一些情况下，个别块170可被称为物理块，且虚拟块180可指在其内可发生并发操作的块170的群组。例如，并发操作可在分别位于平面165-a、165-b、165-c及165-d内的块170-a、170-b、170-c及170-d上执行，且块170-a、170-b、170-c及170-d可统称为虚拟块180。在一些情况下，虚拟块可包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含存储器装置130-a及存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况下，虚拟块内的块170可在它们相应的平面165内具有相同块地址(例如，块170-a可为平面165-a的“块0”，块170-b可为的平面165-b的“块0”，以此类推)。在一些情况下，在不同平面165中执行并发操作可能受到一或多个限制，例如在它们相应的平面165内具有相同页地址(例如，与命令解码、页地址解码电路系统或跨平面165共享的其它电路系统相关)的不同页175内的存储器单元上执行并发操作。

在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)及列(例如，串，未展示)的存储器单元。例如，同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与共同字线耦合)，且同一串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地被称为位线)(例如，与共同数字线耦合)。

针对一些NAND架构，存储器单元可在第一粒度级下(例如，在页粒度级下)读取及编程(例如，写入)，但可在第二粒度级下(例如，在块粒度级下)擦除。即，页175可为可独立地编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的部分并发地编程或读取)的最小存储器单位(例如，一组存储器单元)，且块170可为可独立地擦除(例如，作为单个擦除操作的部分并发地擦除)的最小存储器单位(例如，一组存储器单元)。此外，在一些情况下，NAND存储器单元可在它们以新数据重写之前被擦除。因此，例如，所使用页175在一些情况下可能直到包含页175的整个块170已被擦除才被更新。

系统100可包含支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。例如，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130(例如，本地控制器135)可包含或以其它方式可存取存储用于执行本文中归属于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能的指令(例如，固件)的一或多个非暂时性计算机可读媒体。例如，此类指令如果由主机系统105(例如，由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115或由存储器装置130(例如，由本地控制器135)执行，那么可致使主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行如本文中所描述的一或多个相关联功能。

可在存储数据之前对数据进行加扰例如，以尝试按相等概率将1及0两者存储在存储器单元中。例如，可通过在数据与伪随机加扰序列之间执行逐位“异或”(XOR)运算来实行数据加扰(也被称为“数据随机化”)。当被存储时，经加扰数据可稍微均匀地散布在存储器单元的不同电平当中。例如，在SLC装置中，经加扰数据可均匀地散布在对应于“0”与“1”逻辑状态的高电平与低电平之间。在MLC装置中，经加扰数据可均匀地散布在对应于不同逻辑状态的MLC装置的各个电平(例如，TLC装置的8个电平，QLC装置的16个电平等)之间。加经扰数据的存储具有数个优点，包含跨存储器平衡数据相依的单元损耗。

在用于操作存储器系统的标称温度范围之外的温度(无论是高温还是低温)下，在存储器单元的一或多个电平中可能比在其它电平中更多地出现错误。因此，当在极端温度下将经加扰数据写入到存储器时，在存储在有问题的电平中的经加扰数据的部分中可能比在其它电平中出现更多错误。

为了减轻这种较高的错误可能性，扰码参数可经配置以减少在极端温度下经加扰数据在有问题的电平中的存储。即，在极端温度下，加扰参数可对数据进行加扰使得经加扰数据与其它层级相比更少地存储在有问题的电平中。这可减少在极端温度下的错误的数目，从而可降低在宽工作温度范围内使用的装置中的原始位错误率(RBER)。这还可实现使用错误校正，例如使用码字中的ECC来校正位错误的更高概率。

图2说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统的实例且描绘处理写入命令的实例。系统200可为如参考图1所描述的系统100或其方面的实例。系统200可包含存储器系统205，所述存储器系统经配置以存储从主机系统220接收的数据且如果由主机系统220使用存取命令(例如，读取命令或写入命令)来请求，那么将数据发送到主机系统220。系统200可实施如参考图1所描述的系统100的方面。例如，存储器系统205及主机系统220可分别为存储器系统110及主机系统105的实例。

存储器系统205可包含用来存储(例如，响应于从主机系统220接收存取命令)在存储器系统205与主机系统220之间传送的数据的数据存储装置225，如本文中所描述。数据存储装置225可包含如参考图1所描述的一或多种类型的存储器。例如，存储器装置可包含NAND存储器、PCM、自选择存储器、3D交叉点、其它基于硫属化物的存储器、FERAM、MRAM、NOR(例如，NOR快闪存)存储器、STT-MRAM、CBRAM、RRAM或OxRAM。数据存储装置225可位于单个存储器装置上或可分布在多于一个存储器装置当中。

存储器系统205可包含用于指示存储器系统的温度的一或多个温度组件230。每一温度组件230可确定存储器系统205的至少一个温度且输出其指示。每一温度组件230可为或包含温度传感器。在一些实例中，温度指示可为单个值，例如可由热敏电阻输出的值。在一些实例中，温度指示可为可由控制器解码的代码。其它温度指示也可为可能的。每一存储器装置可包含一或多个相应温度组件230。

存储器系统205可包含用于控制存储器系统205的各个方面的控制器210，包含将数据传递到数据存储装置225及从数据存储装置225传递数据(例如，用于存储数据、检索数据及确定将数据存储在其中及从其检索数据的存储器位置)。控制器210可使用特定于每种类型的存储器的协议直接或经由总线(未展示)与数据存储装置225进行通信。在一些情况下，控制器210可实施如参考图1所描述的存储器系统控制器115及/或本地控制器135的方面。

控制器210可经配置以接收数据集(例如，结合写入命令)，使用温度相依扰码来对数据集进行加扰，且将经加扰数据集存储到存储器系统205(例如，到数据存储装置225)，如本文中所论述。控制器210还可经配置以从存储器系统205获得经加扰数据集(例如，响应于读取命令)，使用用来对数据进行加扰的温度相依扰码来对经加扰数据集进行解扰，且传输经解扰数据(例如，到主机系统220)，如本文中所描述。

在确定已接收到存取命令后，控制器210可执行存取命令。针对写入命令，这可表示从主机系统220接收数据，对数据进行加扰，且将经加扰数据移动到数据存储装置225。针对读取命令，这可表示从数据存储装置225获得经加扰数据，对所述数据进行解扰，且将经解扰数据传输到主机系统220。还可对数据执行错误控制操作以校正数据中的错误。

图2进一步描绘使用系统200来处理写入命令的实例。控制器210可首先从主机系统220接收写入命令以将一组数据存储到存储器系统205(1)。还可从主机系统220接收与写入命令相关联的数据集235(2)。数据集235可与写入命令包含在一起或可在写入命令之后接收。如本文中所定义，“一组数据(set of data)”或“数据集(data set)”可被定义为结合写入命令从主机系统接收的数据或结合读取命令发送到主机系统的数据。术语“一组数据”与“数据集”可互换地使用。

在接收到写入命令后，可识别存储器系统的温度的指示(3)。例如，控制器210可从温度组件230获得温度的指示。如果多于一个温度组件230在存储器系统205中可用，那么控制器210可从最接近将存储数据集的位置的温度组件230获得指示。

接着，可确定用于对数据集进行加扰的温度相依扰码(4)。例如，控制器210可确定经配置用于由从温度组件230接收的指示所指示的温度的扰码240。在一些实例中，可从一组扰码选择扰码240。一组扰码中的每一者可与相应温度范围相关联。在那些实例中，控制器210可基于由温度指示所指示的温度来确定使用哪个范围。可使用任何数目个扰码及相应温度范围。

在一些实例中，可使用扰表215来辅助选择扰码。扰表215可存储在存储器系统存储装置(例如，数据存储装置225)中或存储在控制器210的芯片上存储器上。取决于温度，扰表215中的每一条目可对应于所述扰码中的一者。基于由温度组件230指示的温度，可从存储在扰表215内的一组扰码选择扰码240。即，控制器210可基于经指示温度来确定在扰表215内使用哪个位置且从那个位置选择扰码240。

例如，假设存储器系统205具有第一温度与更高的第二温度之间的标称(例如，所期望)使用范围，那么扰表215可包含对应于所述标称范围(所述第一与第二温度之间的温度)的扰码。扰表215还可具有分别对应于低温范围(例如，低于第一温度的温度)与高温范围(例如，高于第二温度的温度)的两个其它扰码。分别对应于低温范围及高温范围的扰码可经配置以在随后执行读取时减少位错误。控制器210可选择与由温度组件230指示的温度所处的任一范围相关联的扰码。

索引265可用来指向表中对应于所指示温度范围的条目。控制器可使用索引265来从扰表215获得所期望扰码。还可在读取操作期间使用所述索引来获得用于解扰的所期望扰码，如关于图3所论述。任何数目个温度范围及相关联扰码可存储在扰表215中且可能用于对数据集进行加扰。

一组扰码可经配置以使存储在存储器系统的存储器单元中的一或多个电压电平优先于存储在存储器系统中的其它电压电平。通过针对不同温度范围使用不同扰码，可在不同温度范围下使用扰码参数来减少经加扰数据在每一相应温度范围下可能有问题的电平中的存储。

一旦已确定(例如，从扰表215选择)扰码240，就可使用扰码240来执行对数据集的加扰(5)。例如，控制器210可将扰码240应用于数据集235以获得经加扰数据集245。

经加扰数据集245可存储在存储器系统中(6)。例如，控制器210可将经加扰数据集245作为经加扰数据250存储在数据存储装置225中。在一些情况下，所述经加扰数据可存储在与控制器从其接收温度的指示的温度组件230相同的存储器装置上。在一些情况下，一组经加扰数据可存储在存储器系统的SLC中。在一些情况下，一组经加扰数据可存储在存储器系统的MLC中。

在一些实例中，可使用错误控制操作来产生经加扰数据集245的错误控制码(ECC)260(7)。这可有助于校正数据中可能出现的存储错误或其它可校正错误。例如，控制器210可使用合适ECC来对数据进行编码以进行存储。可使用任何合适类型的ECC，例如举例来说低密度奇偶校验(LDPC)、里德-所罗门码(RS)或博斯-乔赫里-霍克文黑姆码(BCH)。还可使用其它类型的ECC。错误控制操作可包含任何错误检测操作或错误校正操作，例如单错误检测、单错误校正、单错误校正及双错误检测，或其它类型的错误控制操作。

可在数据集已被加扰之前或之后对数据集执行错误控制操作。在一些情况下，在数据集已被加扰之后执行错误控制操作可能是有利的。因为设置扰码是为了避免使用在极端温度下易于引起数据中的错误的电平，所以经扰码数据可能比原始数据具有更少错误。如果ECC解码发生在解扰之前，这可致使在读取操作期间ECC解码的错误校正工作更容易。如果对经加扰数据集245执行错误控制操作，那么可在错误控制操作之后而非在其之前将经加扰数据集保存到数据存储装置225。

在已产生错误控制码260之后，可将其存储在存储器系统中(8)。例如，控制器210可将错误控制码260存储在码字255中。码字255可包含经加扰数据250及错误控制码260。错误控制码260可在被存储之前被加扰或可保持未加扰。码字255可包含一定量的用户数据及携带各种信息以提供可靠用户数据的额外位(例如，支持错误控制操作的位)。因为分别对应于低温范围及高温范围的扰码可经配置以在随后执行读取时减少位错误，所以可提高校正码字中的错误的概率。

为了在检索加扰数据250(例如，结合后续读取操作)时对所述数据进行解扰，可使用用来对所述数据进行加扰的相同扰码。为了促进这一点，控制器可将用来对所述数据进行加扰的加扰码240的指示270存储在存储器系统中(9)。在一些实例中，指示270可为或包含用来从扰表215选择扰码240的索引265的值(例如，指向包含选定扰码240的表条目的索引)。在其它实例中，指示270可为或包含选定扰码240。

在一些实例中，控制器210可将指示270存储在与经加扰数据250相关联的码字255中。在一些情况下，码字255的一部分可能未使用，且扰码240的指示270(例如，索引265或所述扰码的值)可存储在码字255的未使用部分的备用位中。在一些实例中，ECC编码也可应用于所述指示。当使用其自身的扰码来对每一存储器页进行加扰时，将指示270存储在码字255中可能是优选的。然而，替代地，加扰及解扰可应用于任何其它合适数据单位，例如可被编程为单位的块或超级块。在那些情况下，控制器可将指示270存储在具有与每一块或超级块相关联的条目的块表280中。指示270可存储在与将经加扰数据250存储在其中的块或超级块相关联的块表的条目中。指示270可在被存储之前被加扰或保持未加扰。

尽管经加扰数据集245、扰码240及错误控制码260被论述为在不同时间存储在存储器系统205中，但经加扰数据集245、扰码240及错误控制码260可按任何顺序存储在存储器系统205中或可同时存储。另外，代替如所描绘那样将码字255存储为与经加扰数据250分开的条目的是，可混合码字255及经加扰数据250使得所述经加扰数据及所述码字被存储为单个条目。

图3是根据如本文中所公开的实例支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统200-a的实例且描绘使用系统200-a来处理读取命令的实例。参考图2描述系统200-a的方面。可类似地体现类似于参考图2的系统200所描述的特征那样命名及编号的系统200-a的特征。

控制器210-a可从主机系统220-a接收读取命令以从存储器系统205-a检索一组数据(1)。一组数据可能先前已结合温度相依扰码写入到存储器系统(例如，以关于图2所论述的方式)。

在接收到读取命令后，可从存储器系统205-a检索对应于经请求数据的经加扰数据305(2)。为此，控制器210-a可确定数据存储装置225-a内存储对应经加扰数据305的地址，且接着检索所述经加扰数据作为经加扰数据集310。

如果产生且保存一组数据的错误控制码315，那么还可从存储器系统205-a检索错误控制码315(3)。在一些实例中，控制器210-a可从与经加扰数据305相关联的码字320检索错误控制码315。

使用错误控制码315，可对经加扰数据集310执行第二错误控制操作以校正数据中可能出现的存储或其它错误(4)。例如，控制器210-a可使用错误控制码315来对经加扰数据进行解码，所述错误控制码在写入操作期间用来对经加扰数据进行编码。这可能导致经校正的经加扰数据集325。

可确定用来对数据进行加扰的扰码330以对经加扰数据进行解扰。在一些实例中，控制器210-a可检索用来对一组数据进行加扰的扰码的指示335(5)。指示335可与指示270类似。控制器210-a可从与经加扰数据305相关联的码字320或从块表280-a检索指示335。在一些实例中，指示335可为或包含指向扰表215-a中存储用来对原始数据集进行加扰的扰码的表条目的索引340，如本文中所论述。控制器210-a可通过使用索引340来从扰表215-a获得扰码330(6)。在其它实例中，指示335可为或包含用来对原始数据集进行加扰的扰码。在那些情况下，控制器210-a可直接从指示335获得扰码330。

接着，可使用扰码330来对经校正的经加扰数据集325进行解扰(7)。例如，控制器210-a可将扰码330应用于经校正的经加扰数据集325以获得经解扰的经校正数据集345。如果原始数据不包含错误控制码，那么可对经加扰数据集310而不是经校正的经加扰数据集325进行解扰。

在数据集已被校正及解扰之后，控制器可将经解扰的经校正数据集345传输到主机系统220-a以完成读取命令(8)。

在一个实例中，读取命令可请求读取数据集235-a且将其发送到主机系统220-a。在那种情况下，经加扰数据305及码字320可分别对应于参考图2所描述的经加扰数据250及码字255，且可从数据存储装置225-a中存储经加扰数据250及码字255的相同位置检索。存储在码字320内的错误控制码315可对应于存储在码字255内的错误控制码260。因此在错误控制码315已应用于经加扰数据集310以校正数据中出现的存储错误之后，经校正的经加扰数据集325可对应于参考图2所描述的经加扰数据集245。

因为码字320可对应于码字255，所以指示335可对应于指示270且可包含与索引265相同的索引340。因而，使用索引340来从扰表215-a获得的扰码330可对应于用来对数据进行加扰的相同扰码240，如参考图2所描述。因此，当使用扰码330来对经校正的经加扰数据集325进行解扰时，发送到主机系统220-a的所得经解扰的经校正数据集345可对应于从主机系统220-a接收的数据集235。

图4展示根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的存储器系统420的框图400。存储器系统420可为如参考图1到3所描述的存储器装置的方面的实例。存储器系统420或其各种组件可为执行如本文中所描述的用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的各个方面的部件的实例。例如，存储器系统420可包含主机I/O管理器425、扰码管理器430、加扰器/解扰器435、存储器控制器440、错误控制管理器445、I/O控制器450或其任何组合。这些组件中的每一者可彼此直接或间接通信(例如，通过一或多个总线)。

主机I/O管理器425可经配置为或以其它方式支持用于接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令的部件。扰码管理器430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码的部件，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围。加扰器/解扰器435可经配置为或以其它方式支持用于使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰的部件。存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中的部件。

在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于将用来对所述一组数据进行加扰的所述选定扰码的指示存储在所述存储器系统中的部件。

在一些实例中，所述指示可包含内含所述一组扰码的表的索引，所述索引指向所述表中包含所述选定扰码的条目。在一些实例中，所述指示可包含所述选定扰码。在一些实例中，所述指示可存储在与所述经存储的一组经加扰数据相关联的码字中。

在一些实例中，主机I/O管理器425可经配置为或以其它方式支持用于接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令的部件。在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据的部件。在一些实例中，扰码管理器430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码的部件。在一些实例中，加扰器/解扰器435可经配置为或以其它方式支持用于使用所述经识别扰码来对所述一组经加扰数据进行解扰的部件。在一些实例中，主机I/O管理器425可经配置为或以其它方式支持用于将所述一组经解扰数据传输到主机系统的部件。

在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述第二命令，从所述存储器系统检索用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码的指示的部件，其中识别所述扰码是至少部分地基于检索所述指示。

在一些实例中，错误控制管理器445可经配置为或以其它方式支持用于在所述一组数据已被加扰之后，使用错误控制操作来产生所述一组经加扰数据的错误控制码的部件。在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于将所述错误控制码存储在所述存储器系统中的部件。

在一些实例中，加扰器/解扰器435可经配置为或以其它方式支持用于在将所述经加扰错误控制码存储在所述存储器系统中之前对所述经产生错误控制码进行加扰的部件。

在一些实例中，主机I/O管理器425可经配置为或以其它方式支持用于接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令的部件。在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据及所述一组经加扰数据的所述错误控制码的部件。在一些实例中，错误控制管理器445可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于检索所述一组经加扰数据及所述错误控制码来使用所述错误控制码来对所述一组经加扰数据执行第二错误控制操作以获得经校正的一组经加扰数据的部件。在一些实例中，扰码管理器430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码的部件。在一些实例中，加扰器/解扰器435可经配置为或以其它方式支持用于使用所述经识别扰码来对所述经校正的一组经加扰数据进行解扰的部件。在一些实例中，主机I/O管理器425可经配置为或以其它方式支持用于将所述经解扰的一组经校正数据传输到主机系统的部件。

在一些实例中，所述一组扰码可各自经配置以使存储在所述存储器系统中的一或多个电压电平优先于存储在所述存储器系统中的其它电压电平。

在一些实例中，所述一组经加扰数据可存储在所述存储器系统的多电平单元中。

在一些实例中，I/O控制器450可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述命令，识别所述存储器系统的所述温度的部件，其中选择所述扰码是至少部分地基于识别所述温度。

在一些实例中，主机I/O管理器425可经配置为或以其它方式支持用于接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令的部件。在一些实例中，扰码管理器430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码的部件，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围。在一些实例中，加扰器/解扰器435可经配置为或以其它方式支持用于使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰的部件。在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中的部件。

在一些实例中，主机I/O管理器425可经配置为或以其它方式支持用于接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令的部件。在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据的部件。在一些实例中，扰码管理器430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码的部件。在一些实例中，加扰器/解扰器435可经配置为或以其它方式支持用于使用所述经识别扰码来对所述一组经加扰数据进行解扰的部件。在一些实例中，主机I/O管理器425可经配置为或以其它方式支持用于将所述一组经解扰数据传输到主机系统的部件。

在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述第二命令，从所述存储器系统检索用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码的指示的部件，其中识别所述扰码是至少部分地基于检索所述指示。

在一些实例中，错误控制管理器445可经配置为或以其它方式支持用于在所述一组数据已被加扰之后，使用错误控制操作来产生所述一组经加扰数据的错误控制码的部件。在一些实例中，存储器控制器440可经配置为或以其它方式支持用于将所述错误控制码存储在所述存储器系统中的部件。

在一些实例中，加扰器/解扰器435可经配置为或以其它方式支持用于在将所述经加扰错误控制码存储在所述存储器系统中之前对所述经产生错误控制码进行加扰的部件。

图5展示说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的方法500的流程图。方法500的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件来实施。例如，方法500的操作可由如参考图1到4所描述的存储器系统来执行。在一些实例中，存储器系统可执行一组指令来控制装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。

在505处，所述方法可包含接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令。操作505可根据如本文中所公开的实例来执行。在一些实例中，操作505的方面可由参考图4所描述的主机I/O管理器425来执行。

在510处，所述方法可包含至少部分地基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围。操作510可根据如本文中所公开的实例来执行。在一些实例中，操作510的方面可由参考图4所描述的扰码管理器430来执行。

在515处，所述方法可包含使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰。操作515可根据如本文中所公开的实例来执行。在一些实例中，操作515的方面可由参考图4所描述的加扰器/解扰器435来执行。

在520处，所述方法可包含将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。操作520可根据如本文中所公开的实例来执行。在一些实例中，操作520的方面可由参考图4所描述的存储器控制器440来执行。

在一些实例中，如本文所述的设备可执行一或若干方法，例如方法500。所述设备可包含用于执行本公开的以下方面的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)或其任何组合：

方面1：一种方法或设备，其包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；至少部分地基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。

方面2：根据方面1所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：将用来对所述一组数据进行加扰的所述选定扰码的指示存储在所述存储器系统中。

方面3：根据方面2所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：所述指示包含内含所述一组扰码的表的索引，所述索引指向所述表中包含所述选定扰码的条目。

方面4：根据方面2到3中任一方面所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：所述指示包含所述选定扰码。

方面5：根据方面2到4中任一方面所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：所述指示存储在与所述经存储的一组经加扰数据相关联的码字中。

方面6：根据方面1到5中任一方面所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令；从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据；至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码；使用所述经识别扰码来对所述一组经加扰数据进行解扰；以及将所述一组经解扰数据传输到主机系统。

方面7：根据方面6所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：至少部分地基于接收到所述第二命令，从所述存储器系统检索用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码的指示，其中识别所述扰码是至少部分地基于检索所述指示。

方面8：根据方面1到7中任一方面所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：在所述一组数据已被加扰之后，使用错误控制操作来产生所述一组经加扰数据的错误控制码；以及将所述错误控制码存储在所述存储器系统中。

方面9：根据方面8所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：在将所述经加扰错误控制码存储在所述存储器系统中之前对所述经产生错误控制码进行加扰。

方面10：根据方面8到9中任一方面所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令；从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据及所述一组经加扰数据的所述错误控制码；至少部分地基于检索所述一组经加扰数据及所述错误控制码来使用所述错误控制码来对所述一组经加扰数据执行第二错误控制操作以获得经校正的一组经加扰数据；至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码；使用所述经识别扰码来对所述经校正的一组经加扰数据进行解扰；以及将所述经解扰的一组经校正数据传输到主机系统。

方面11：根据方面1到10中任一方面所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：所述一组扰码各自经配置以使存储在所述存储器系统中的一或多个电压电平优先于存储在所述存储器系统中的其它电压电平。

方面12：根据方面1到11中任一方面所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统的多电平单元中。

方面13：根据方面1到12中任一方面所述的方法或设备，其进一步包含用于以下步骤的操作、特征、电路系统、逻辑、部件或指令或其任何组合：至少部分地基于接收到所述命令，识别所述存储器系统的所述温度，其中选择所述扰码是至少部分地基于识别所述温度。

应注意，上文所描述的方法描述可能的实施方案，且可重新布置或以其它方式修改操作及步骤，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自两种或更多种方法的部分。

描述一种设备。下文提供如本文中所描述的设备的方面的概述：

方面14：一种设备，其包含：控制器，其与存储器系统相关联，其中所述控制器经配置以致使所述设备：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；至少部分地基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。

方面15：根据方面14所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：将用来对所述一组数据进行加扰的所述选定扰码的指示存储在所述存储器系统中。

方面16：根据方面14到15中任一方面所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令；从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据；至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码；使用所述经识别扰码来对所述一组经加扰数据进行解扰；以及将所述一组经解扰数据传输到主机系统。

方面17：根据方面16所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：至少部分地基于接收到所述第二命令，从所述存储器系统检索用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码的指示，其中识别所述扰码是至少部分地基于检索所述指示。

方面18：根据方面14到17中任一方面所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：在所述一组数据已被加扰之后，使用错误控制操作来产生所述一组经加扰数据的错误控制码；以及将所述错误控制码存储在所述存储器系统中。

方面19：根据方面18所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：在将所述经加扰错误控制码存储在所述存储器系统中之前对所述经产生错误控制码进行加扰。

方面20：根据方面18到19中任一方面所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令；从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据及所述一组经加扰数据的所述错误控制码；至少部分地基于检索所述一组经加扰数据及所述错误控制码来使用所述错误控制码来对所述一组经加扰数据执行第二错误控制操作以获得经校正的一组经加扰数据；至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码；使用所述经识别扰码来对所述经校正的一组经加扰数据进行解扰；以及将所述经解扰的一组经校正数据传输到主机系统。

本文中所描述的信息及信号可使用多种不同科技及技术中的任一者来表示。例如，可贯穿上文描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示。一些附图可将信号说明为单个信号；然而，信号可表示信号总线，其中所述总线可具有多种位宽度。

术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可指组件之间的关系，其支持组件之间的信号流。如果组件之间存在可随时支持组件之间的信号流的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径基于包含所连接组件的装置的操作而可为开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可为所述组件之间的直接导电路径或所连接组件之间的导电路径可为可包含中间组件，例如开关、晶体管或其它组件的间接导电路径。在一些实例中，所连接组件之间的信号流可例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件而被中断一段时间。

术语“耦合”是指从组件之间的开路关系(其中信号目前不能通过导电路径在组件之间进行传达)移动到组件之间的闭路关系(其中信号能够通过导电路径在组件之间进行传达)的条件。如果组件(例如控制器)将其它组件耦合在一起时，那么组件启动允许通过先前不容许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的变化。

术语“如果”、“当…时”、“基于”或“至少部分地基于”可互换地使用。在一些实例中，如果使用术语“如果”、“当…时”、“基于”或“至少部分地基于”来描述条件动作、条件过程或过程的部分之间的连接，那么所述术语可互换。

术语“响应于”可指作为先前条件或动作的结果而至少部分地(如果不是完全地)发生的一个条件或动作。例如，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可至少部分地作为先前条件或动作发生的结果而发生(无论是直接在还是在发生在第一条件或动作之后的一或多个其它中间条件或动作之后)。

另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指作为先前条件或动作的直接结果而发生的一个条件或动作。在一些实例中，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生，而与其它条件或动作是否发生无关。在一些实例中，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作且在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限量的一或多个中间步骤或动作。本文中被描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”某个其它步骤、动作、事件或条件执行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”此其它条件或动作而执行，除非另有指定。

本文中所阐述的描述结合附图描述实例配置且不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“实例性”表示“充当实例、例子或说明”且非“优选”或“优于其它实例”。详细描述包含特定细节以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式展示众所周知的结构及装置以避免模糊所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标签。此外，可通过在参考标签后加连字号及区分类似组件的第二标签来区分相同类型的各种组件。当仅在说明书中使用第一参考标签时，描述可适用于具有相同第一参考标签的类似组件中的任一者，而与第二参考标签无关。

可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施本文中所描述的功能。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或码存储在计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案是在本公开及所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的性质，可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬接线或这些中的任一者的组合来实施上文所描述的功能。实施功能的特征也可在物理上位于各种位置处，包含经分布使得在不同物理位置处实施功能的部分。

例如，结合本公开所描述的各种说明性块及组件可使用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，所述处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可被实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一或多个微处理器或任何其它此配置)。

如本文中(包含在权利要求书中)所使用，如项目列表(例如，以例如“…中的至少一者”或“…中的一或多者”的短语开始的项目列表)中使用的“或”指示包含性列表，使得例如A、B或C中的至少一者的列表表示A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A及B及C)。而且，如本文中所使用，短语“基于”不应被解释为对条件闭集的参考。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的实例性步骤可基于条件A及条件B两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式来解释。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体及通信媒体两者，所述通信媒体包含促进计算机程序从一个地方传送到另一地方的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。通过实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置、或可用于以指令或数据结构形式携带或存储所期望程序代码且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。而且，任何连接适当地被称为计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么媒体的定义中包含同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL或无线技术(例如红外线、无线电及微波)。如本文中所使用，磁盘及光盘包含CD、激光光盘、光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘及蓝光盘，其中磁盘通常以磁性方式重现数据，而光盘则以激光光学方式重现数据。上述的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文描述以使所属领域的技术人员能够制成或使用本公开。所属领域的技术人员将明白对本公开的各种修改，且在不脱离本公开的范围的情况下，本文中所定义的通用原理可应用于其它变型。因此，本公开不限于本文中所描述的实例及设计，而是应符合与本文中所公开的原则及新颖特征一致的最广范围。