发光装置、其制造方法和包括该发光装置的显示装置

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种发光装置、制造该发光装置的方法和具有该发光装置的显示装置。

背景技术

发光二极管(LED)即使在差的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性，并且可以在寿命和亮度方面具有优异的性能。

为了将LED应用于照明装置、显示装置等，需要将LED电连接到电极，使得电源的电压可以施加到LED。关于LED的应用目的、减小电极所需空间的方法或制造LED的方法，已经对LED与电极之间的布置关系进行了各种研究。

LED和电极的布置方案可以分为在电极上直接生长LED的方案和独立生长LED然后将LED设置在电极上的方案。

在后一方案的情况下，在LED是纳米级超小型二极管的情况下，尤其存在难以将LED设置在电极上的问题。

发明内容

技术问题

本公开的不同实施例涉及一种其中可以防止超小型发光二极管的对准缺陷并且可以增强超小型发光二极管的发光效率的发光装置、制造该发光装置的方法和具有该发光装置的显示装置。

技术方案

根据本公开的方面，发光装置可以包括：基底；第一电极和第二电极，第一电极设置在基底上，第二电极与第一电极齐平地设置并且与第一电极间隔开预定距离；绝缘图案，设置在第一电极与第二电极之间，并且与第一电极的一部分和第二电极的一部分中的每个叠置；至少一个发光元件，设置在绝缘图案上，并且包括在至少一个发光元件的纵向方向上的第一端和第二端；第一分隔壁和第二分隔壁，第一分隔壁设置在第一电极上，第二分隔壁设置在第二电极上；第一反射电极，设置在第一分隔壁上，并且与第一电极电连接；以及第二反射电极，设置在第二分隔壁上，并且与第二电极电连接。

在本公开的实施例中，在平面图中，绝缘图案可以具有比发光元件的长度大的宽度。

在本公开的实施例中，在平面图中，第一分隔壁与第二分隔壁可以彼此间隔开预定距离，且绝缘图案置于它们之间。

在本公开的实施例中，第一分隔壁和第二分隔壁中的每个的高度可以等于或大于发光元件的长度。

在本公开的实施例中，绝缘图案的宽度可以比第一反射电极与第二反射电极之间的距离小并且比第一电极与第二电极之间的距离大。

在本公开的实施例中，第一反射电极和第二反射电极可以设置在同一平面上，并且彼此间隔开预定距离。

在本公开的实施例中，发光装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一反射电极上，并且被构造为使发光元件的第一端与第一反射电极电连接；以及第二接触电极，设置在第二反射电极上，并且被构造为使发光元件的第二端与第二反射电极电连接。

在本公开的实施例中，发光元件可以包括：第一导电半导体层，掺杂有第一导电掺杂剂；第二导电半导体层，掺杂有第二导电掺杂剂；以及活性层，设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间。

在本公开的实施例中，发光元件可以包括发光二极管，发光二极管具有圆柱形或多边形棱柱的形状并且具有微米级或纳米级尺寸。

发光装置可以通过以下方法制造，所述方法包括：在基底上形成第一电极和第二电极，第一电极和第二电极彼此间隔开并且设置在同一层上；在第一电极和第二电极上形成绝缘材料层，并且通过去除绝缘材料层的一部分来形成与第一电极的一部分和第二电极的一部分叠置的绝缘图案；将包括多个发光元件的溶液供应到绝缘图案上；通过在第一电极与第二电极之间形成电场，使多个发光元件在第一电极与第二电极之间在绝缘图案上对准；在第一电极上形成第一分隔壁，并且在第二电极上形成第二分隔壁；以及在第一分隔壁上形成与第一电极电连接的第一反射电极，并且在第二分隔壁上形成与第二电极电连接的第二反射电极。

根据本公开的方面，显示装置还可以包括：基底，包括显示区域和非显示区域；以及多个像素，设置在显示区域中，并且包括至少一个子像素。

在本公开的实施例中，子像素可以包括：像素电路层，包括至少一个晶体管；以及显示元件层，包括电连接到像素电路层并且被构造为发射光的至少一个发光元件。

在本公开的实施例中，显示元件层还可以包括：第一电极和第二电极，第一电极设置在像素电路层上并且在第一方向上延伸，第二电极与第一电极齐平地设置并且与第一电极间隔开；绝缘图案，设置在第一电极与第二电极之间，并且与第一电极的一部分和第二电极的一部分叠置；至少一个发光元件，设置在绝缘图案上，并且包括在至少一个发光元件的纵向方向上的第一端和第二端；第一分隔壁和第二分隔壁，第一分隔壁设置在第一电极上，第二分隔壁设置在第二电极上；第一反射电极，设置在第一分隔壁上，并且与第一电极电连接；以及第二反射电极，设置在第二分隔壁上，并且与第二电极电连接。

有益效果

本公开的各种实施例可以提供一种其中超小型发光元件设置在用于对准的电极上并且电连接到发光元件的反射电极设置在电极上的发光装置，由此可以使发光元件的对准缺陷最小化。

此外，本公开的各种实施例可以提供一种其中可以增强发光元件的发光效率的发光装置。

本公开的各种实施例可以提供一种制造所述发光装置的方法。

本公开的各种实施例可以提供一种包括所述发光装置的显示装置。

附图说明

图1a和图1b是示出根据本公开的实施例的不同类型的发光元件的透视图。

图2a和图2b是示出包括图1a的发光元件的发光装置的单位发射区域的不同形状的平面图。

图3a是沿着图2a的线I-I’截取的剖视图。

图3b示出了根据本公开的实施例的发光装置并且是与图2a的线I-I’对应的剖视图。

图4a至图4g是顺序地示出制造图2a的发光装置的方法的示意性平面图。

图5a至图5k是顺序地示出制造图3a的发光装置的方法的示意性剖视图。

图6示出了根据本公开的实施例的显示装置并且具体地是示出使用图1a中所示的发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。

图7a至图7d是示出根据不同实施例的图6的显示装置的单位发光区域的示例的电路图。

图8是示意性地示出包括在图6中所示的像素中的一个像素中的第一子像素至第三子像素的平面图。

图9a是沿着图8的线II-II’截取的剖视图。

图9b示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是与图8的线II-II’对应的剖视图。

图10是示出图6的实施例的显示装置的一部分的剖视图。

具体实施方式

由于本公开允许各种变化和许多实施例，所以具体实施例将在附图中示出并且在书面描述中详细描述。然而，这不意图将本公开限制为实践的具体方式，并且将理解的是，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物包括在本公开中。

贯穿公开，同样的附图标记贯穿本公开的各种附图和实施例表示同样的部分。为了清楚的说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似的，第二元件也可以称为第一元件。在本公开中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。

还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”、“具有”等时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部件设置在第二部件上时，第一部件不仅可以直接在所述第二部件上，而且它们之间可以插入第三部件。此外，当表示诸如层、膜、区域或板的第一部件形成在第二部件上时，所述第二部件的其上形成有第一部件的表面不限于所述第二部件的上表面，而且可以包括所述第二部件的诸如侧表面或下表面的其他表面。相反，当诸如层、膜、区域或板的第一部件在第二部件下时，第一部件不仅可以直接在所述第二部件下，而且它们之间可以插入第三部件。

在下文中将参照附图详细描述本公开的实施例。

图1a和图1b是示出根据本公开的实施例的不同类型的发光元件的透视图。虽然图1a和图1b示出了圆柱形发光元件，但是本公开不限于此。

参照图1a和图1b，根据本公开的实施例的发光元件LD可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13以及置于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。

例如，发光元件LD可以被实现为通过连续堆叠第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13而形成的堆叠体。

在本公开的实施例中，发光元件LD可以设置为在一个方向上延伸的杆的形式。如果发光元件LD延伸所沿的方向被限定为纵向方向，则发光元件LD可以具有在延伸方向上的第一端和第二端。

第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在第一端上，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在第二端上。

虽然发光元件LD可以设置为圆柱的形式，但是本公开不限于此。发光元件LD可以具有在纵向方向上延伸的棒状形状或条状形状(即，以具有大于1的纵横比)。例如，发光元件LD的长度L可以比其直径大。

发光元件LD可以包括以超小型尺寸制造的发光二极管，所述超小型尺寸具有与例如微米级尺寸或纳米级尺寸对应的直径和/或长度。

然而，发光元件LD的尺寸不限于此，并且可以改变发光元件LD的尺寸以满足发光元件LD应用于其的照明装置或自发射显示装置的要求。

第一导电半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料并且掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂的半导体层。

形成第一导电半导体层11的材料不限于此，并且第一导电半导体层11可以由各种其他材料形成。

活性层12可以形成在第一导电半导体层11上并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。在本公开的实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在活性层12上和/或下。例如，包覆层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。可以使用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成活性层12。

如果将具有等于或大于预定电压的电压的电场施加到发光元件LD的相对两端，则发光元件LD通过电子-空穴对在活性层12中的结合而发光。

第二导电半导体层13可以设置在活性层12上，并且可以包括与第一导电半导体层11的类型不同类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料并且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂的半导体层。

形成第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13可以由各种其他材料形成。

在本公开的实施例中，如图1a中所示，除了包括第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13之外，发光元件LD还可包括设置在第二导电半导体层13上的上电极层15。此外，在实施例中，如图1b中所示，除了包括上电极层15之外，发光元件LD还可以包括设置在第一导电半导体层11上的下电极层16。

虽然上电极层15和下电极层16中的每个可以由欧姆接触电极形成，但是本公开不限于此。上电极层15和下电极层16可以包括金属或金属氧化物。例如，铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、ITO以及其氧化物或合金可以单独使用或彼此组合使用。然而，本公开不限于此。

分别包括在上电极层15和下电极层16中的材料可以彼此相同或不同。

在本公开的实施例中，发光元件LD还可以包括绝缘膜14。在本公开的实施例中，绝缘膜14可以被省略，或者可以被设置为仅覆盖第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13中的一些。

如图1a中所示，绝缘膜14可以设置在发光元件LD的至少除了发光元件LD的一端之外的部分上。在这种情况下，发光元件LD的上电极层15可以被暴露。

如图1b中所示，绝缘膜14可以设置在发光元件LD的至少除了发光元件LD的相对两端之外的部分上。在这种情况下，发光元件LD的上电极层15和下电极层16可以被暴露。

虽然在图1a中为了说明的目的而示出了其一部分已经去除的绝缘膜14，但是实际的发光元件LD可以形成为使得其圆柱体的整个侧表面被绝缘膜14包围。

绝缘膜14可以被设置为包围第一导电半导体层11、活性层12和/或第二导电半导体层13的外圆周表面的至少一部分。例如，绝缘膜14可以包围活性层12的外圆周表面。

在本公开的实施例中，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括选自由SiO

如果绝缘膜14设置在发光元件LD上，则可以防止活性层12与第一和/或第二电极(未示出)短路。

此外，由于绝缘膜14，可以使在发光元件LD的表面上的缺陷的发生最小化，可以改善发光元件LD的寿命和效率。在多个发光元件LD被设置为彼此紧密接触的情况下，绝缘膜14可以防止在发光元件LD之间发生不期望的短路。

发光元件LD可以用作用于各种显示装置的光源。

图2a和图2b是示出包括图1a的发光元件的发光装置的不同类型的单位发射区域的平面图。图3a是沿着图2a的线I-I’截取的剖视图。图3b示出了根据本公开的实施例的发光装置并且图3b是与图2a的线I-I’对应的剖视图。

虽然为了方便的目的，图2a和图2b示意性地示出了多个发光元件在水平方向上对准，但是发光元件的对准不限于此。

在图2a和图2b中，单位发射区域可以是包括在发射显示面板中的子像素中的一个的像素区域。

参照图1a、图2a、图2b、图3a和图3b，根据本公开的实施例的发光装置可以包括包含具有单位发射区域100的至少一个子像素SP的基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD。

基底SUB可以包括诸如玻璃、有机聚合物或晶体的绝缘材料。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成以便是可弯曲的或可折叠的，并且可以具有单层结构或多层结构。

例如，基底SUB可以包括以下中的至少一种：聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。然而，基底SUB的材料可以改变。

用于防止杂质扩散到发光元件LD中的阻挡层BRL可以设置在基底SUB上。

发光元件LD中的每个可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和置于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。在一些实施例中，发光元件LD中的每个还可以包括设置在第二导电半导体层13的上端上的上电极层15。

发光元件LD中的每个可以包括第一端EP1和第二端EP2。

第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在第一端EP1上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在第二端EP2上。在本公开的实施例中，发光元件LD中的每个可以发射彩色光和/或白光中的任何一种光。

用于覆盖发光元件LD中的每个的上表面的一部分的第一绝缘层INS1可以设置在发光元件LD上。因此，发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2可以暴露于外部。

子像素SP可以包括在基底SUB的第一方向DR1上延伸的第一连接线CNL1和在与第一连接线CNL1沿其延伸的方向平行的方向上延伸的第二连接线CNL2。

第一连接线CNL1可以被设置为与一个子像素SP的内侧对应，使得所述一个子像素SP可以同与其相邻的子像素电分离。因此，所述一个子像素SP可以被独立地操作。

第二连接线CNL2不仅可以延伸到所述一个子像素SP而且延伸到与所述一个子像素SP相邻的子像素。因此，所述一个子像素SP和与其相邻的子像素可以共同连接到第二连接线CNL2。

一个子像素SP的单位发射区域100还可以包括第一电极ETL1和第二电极ETL2、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一反射电极REL1和第二反射电极REL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。

第一电极ETL1可以设置在基底SUB上。第一电极ETL1可以被设置为与发光元件LD中的每个的第一端EP1相邻。第一电极ELT1可以从第一连接线CNL1分叉并且在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。

第一电极ETL1可以包括从第一连接线CNL1朝向第二电极ETL2的一侧分叉的第1-1电极ETL1_1和从第一连接线CNL1朝向第二电极ETL2的另一侧分叉的第1-2电极ETL1_2。第二电极ETL2可以设置在第1-1电极ETL1_1与第1-2电极ETL1_2之间。

第1-1电极ETL1_1和第1-2电极ETL1_2中的每个可以具有在第二方向DR2上延伸的条形形状。

在本公开的实施例中，第1-1电极ETL1_1和第1-2电极ETL1_2可以电连接到第一连接线CNL1。第1-1电极ETL1_1和第1-2电极ETL1_2可以与第一连接线CNL1一体地设置。

第二电极ETL2可以被设置为与第一电极ETL2齐平，并且被设置为与发光元件LD中的每个的第二端EP2相邻。

第二电极ETL2可以从第二连接线CNL2分叉，并且可以在第二方向DR2上延伸。第二电极ETL2可以与第二连接线CNL2电连接。在本公开的实施例中，第二电极ETL2可以与第二连接线CNL2一体地设置。

在平面图中，第一电极ETL1和第二电极ETL2可以彼此间隔开预定距离且发光元件LD设置在它们之间。第一电极ETL1和第二电极ETL2可以在第一方向DR1上交替地设置在单位发射区域100中。

第一电极ELT1和第二电极ELT2可以由导电材料形成。

第一电极ETL1和第二电极ETL2可以是用于使在一个子像素SP的单位发射区域100中的发光元件LD对准的对准电极。

在发光元件LD在一个子像素SP中对准之前，第一对准电压可以通过第一连接线CNL1施加到第一电极TEL1，第二对准电压可以通过第二连接线CNL2施加到第二电极ETL2。第一对准电压和第二对准电压可以具有不同的电压电平。

当具有不同电压电平的预定对准电压分别施加到第一电极ETL1和第二电极ETL2时，可以在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间形成电场。

发光元件LD可以通过电场在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间在基底SUB上对准。

在本公开的实施例中，第一电极ETL1和第二电极ETL2可以用作在发光元件LD被驱动的情况下分别向发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2施加预定电压的驱动电极，但是本公开不限于此。例如，代替第一电极ETL1和第二电极ETL2，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以用作用于驱动发光元件LD的驱动电极。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以限定一个子像素SP的单位发射区域100。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在彼此间隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在彼此间隔开等于或大于一个发光元件LD的长度的距离的位置处设置在基底SUB上。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以由包括无机材料或有机材料的绝缘材料形成，但是本公开不限于此。

如图3a中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有梯形剖面，所述梯形剖面具有以预定角度倾斜的侧边和具有宽度比顶边的宽度大的底边，但是本公开不限于此。在一些实施例中，如图3b中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以包括具有诸如半圆形或半椭圆形的剖面形状的弯曲表面，该弯曲表面的宽度从基底SUB的一个表面朝向弯曲表面的上端减小，但是本公开不限于此。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状可以在可以增强从发光元件LD中的每个发射的光的效率的范围内改变。

在本公开的实施例中，第一分隔壁PW1可以设置在第一电极ETL1上，第二分隔壁PW2可以设置在第二电极ELT2上。

第一分隔壁PW1可以包括设置在第1-1电极ETL1_1上的第1-1分隔壁PW1_1和设置在第1-2电极ETL1_2上的第1-2分隔壁PW1_2。

在平面图中，第1-1分隔壁PW1_1和第1-2分隔壁PW1_2可以彼此间隔开且第二分隔壁PW2置于它们之间。

第1-1分隔壁PW1_1、第1-2分隔壁PW1_2和第二分隔壁PW2可以在基底SUB上设置在同一平面上，并且具有相同的高度h。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以分别设置在对应的分隔壁上。例如，第一反射电极REL1可以设置在第一分隔壁PW1上，第二反射电极REL2可以设置在第二分隔壁PW2上。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以分别具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应的形状。因此，第一反射电极REL1可以具有与第一分隔壁PW1的倾斜对应的形状，第二反射电极REL2可以具有与第二分隔壁PW2的倾斜对应的形状。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以在彼此间隔开的位置处设置在基底SUB上且发光元件LD置于它们之间。

在本公开的实施例中，第一反射电极REL1可以被设置为与发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一个相邻，并且可以通过第一接触电极CNE1电连接到发光元件LD中的每个。第二反射电极REL2可以被设置为与发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的另一端相邻，并且可以通过第二接触电极CNE2电连接到发光元件LD中的每个。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以设置在同一平面上，并且具有相同的高度。如果第一反射电极REL1和第二反射电极REL2具有相同的高度，则发光元件LD中的每个可以更可靠地连接到第一反射电极REL1和第二反射电极REL2。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以由导电材料形成。导电材料可以包括金属(诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的合金)、导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO))以及导电聚合物(诸如PEDOT)。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2中的每个可以具有单层结构，但是本公开不限于此。例如，其可以具有通过堆叠金属、合金、导电氧化物和导电聚合物中的两种或更多种材料形成的多层结构。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的材料不限于上述材料。例如，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以由具有预定反射率的导电材料制成，以允许从发光元件LD的相对两端发射的光在显示有图像的方向上(例如，在正面方向上)行进。

特别地，由于第一反射电极REL1和第二反射电极REL2具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应的形状，所以从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光可以被第一反射电极REL1和第二反射电极REL2反射，由此光可以更有效地在正面方向上行进。因此，可以增强从发光元件LD发射的光的效率。

在本公开的实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2连同设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以用作用于增强从发光元件LD中的每个发射的光的效率的反射组件。

在本公开的实施例中，第一反射电极REL1可以包括第1-1反射电极REL1_1和第1-2反射电极REL1_2。第二反射电极REL2可以设置在第1-1反射电极REL1_1与第1-2反射电极REL1_2之间。

第1-1反射电极REL1_1可以设置在第1-1分隔壁PW1_1上。第1-2反射电极REL1_2可以设置在第1-2分隔壁PW1_2上。

第1-1反射电极REL1_1、第1-2反射电极REL1_2和第二反射电极REL2均可以具有在第二方向DR2上延伸的条形形状。

第1-1反射电极REL1_1可以与第1-1电极ETL1_1电连接。第1-2反射电极REL1_2可以与第1-2电极ETL1_2电连接。第二反射电极REL2可以与第二电极ETL2电连接。

虽然为了解释的目的，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2被示出为直接设置在基底SUB上，但是本公开不限于此。例如，用于使显示装置能够被驱动为无源矩阵或有源矩阵的组件可以进一步设置在基底SUB与第一反射电极REL1和第二反射电极REL2之间。

例如，在发光装置被驱动为有源矩阵的情况下，信号线、绝缘层和/或晶体管可以设置在基底SUB与第一反射电极REL1和第二反射电极REL2之间。

信号线可以包括扫描线、数据线、电力线等。晶体管可以连接到信号线，并且可以包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2中的任何一个可以是阳极电极，而另一个反射电极可以是阴极电极。在本公开的实施例中，第一反射电极REL1可以是阳极电极，第二反射电极REL2可以是阴极电极。

在这种情况下，晶体管的源电极和漏电极中的一个电极可以连接到第一反射电极REL1和第二反射电极REL2中的任何一个电极。数据线的数据信号可以通过晶体管施加到所述任何一个电极。这里，信号线、绝缘层和/或晶体管的数量和形状可以改变。

在本公开的实施例中，第一反射电极REL1可以通过接触孔(未示出)电连接到晶体管。因此，提供到晶体管的信号可以施加到第一反射电极REL1。

此外，在发光装置被驱动为有源矩阵的情况下，第二反射电极REL2可以通过接触孔(未示出)电连接到信号线。因此，信号线的电压可以施加到第二反射电极REL2。

在实施例中，代替第一反射电极REL1，第一电极ETL1可以用作阳极电极。代替第二反射电极REL2，第二电极ETL2可用作阴极电极。

在这种情况下，晶体管的源电极和漏电极中的一个电极可以连接到第一电极ETL1。通过晶体管供应的数据线的数据信号可以通过第一电极ETL1施加到第一反射电极REL1。此外，信号线可以连接到第二电极ETL2。提供到信号线的信号可以通过第二电极ETL2施加到第二反射电极REL2。

在平面图中，第一反射电极REL1可以与第一电极ETL1叠置，第二反射电极REL2可以与第二电极ETL2叠置。

在本公开的实施例中，发光元件LD可以被划分为在第1-1反射电极REL1_1与第二反射电极REL2之间对准的多个第一发光元件LD1和在第二反射电极REL2与第1-2反射电极REL1_2之间对准的多个第二发光元件LD2。

第一接触电极CNE1可以设置在第一反射电极REL1上，以使第一反射电极REL1与发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的任何一个电和/或物理可靠地连接。

第一接触电极CNE1可以由透明导电材料形成，以允许从发光元件LD中的每个发射并被第一反射电极REL1反射的光在正面方向上行进而没有损失。例如，透明导电材料可以包括ITO、IZO、ITZO等。第一接触电极CNE1的材料不限于上述材料。

在平面图中，第一接触电极CNE1可以覆盖第一反射电极REL1，并且可以与第一反射电极REL1叠置。此外，第一接触电极CNE1可以与发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一个部分地叠置。

在本公开的实施例中，第一接触电极CNE1可以包括设置在第1-1反射电极REL1_1上的第1-1接触电极CNE1_1和设置在第1-2反射电极REL1_2上的第1-2接触电极CNE1_2。

在平面图中，第1-1接触电极CNE1_1可以与第一发光元件LD1中的每个的第一端EP1和第1-1反射电极REL1_1叠置。在平面图中，第1-2接触电极CNE1_2可以与第二发光元件LD2中的每个的第二端EP2和第1-2反射电极REL1_2叠置。

用于覆盖第一接触电极CNE1的第二绝缘层INS2可以设置在第一接触电极CNE1上。第二绝缘层INS2可以防止第一接触电极CNE1暴露于外部，从而防止第一接触电极CNE1被腐蚀。

第二反射电极REL2可以设置在第二接触电极CNE2上。在平面图中，第二接触电极CNE2可以覆盖第二反射电极REL2并且与第二反射电极REL2叠置。此外，第二接触电极CNE2可以与第一发光元件LD1中的每个的第二端EP2和第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1叠置。

第二接触电极CNE2可以由与第一接触电极CNE1的材料相同的材料制成，但是本公开不限于此。

用于覆盖第二接触电极CNE2的第三绝缘层INS3可以设置在第二接触电极CNE2上。第三绝缘层INS3可以防止第二接触电极CNE2暴露于外部，从而防止第二接触电极CNE2被腐蚀。

外涂层OC可以设置在第三绝缘层INS3上。

外涂层OC可以是用于缓和由设置在外涂层OC下的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一反射电极REL1和第二反射电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2等形成的台阶差的平坦化层。另外，外涂层OC可以用作用于防止氧或水渗透到发光元件LD中的封装层。

在一些实施例中，可以省略外涂层OC。在省略外涂层OC的情况下，第二绝缘层INS2可以用作用于防止氧或水渗透到发光元件LD中的封装层。

如上所述，第一发光元件LD1中的每个的第一端EP1可以连接到第1-1反射电极REL1_1，第一发光元件LD1中的每个的第二端EP2可以连接到第二反射电极REL2的第一侧。因此，预定电压可以通过第1-1反射电极REL1_1和第二反射电极REL2分别施加到第一发光元件LD1中的每个的相对两端EP1和EP2。因此，第一发光元件LD1中的每个可以通过电子-空穴对在第一发光元件LD1中的每个的活性层12中的结合来发光。

此外，第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1可以连接到第二反射电极REL2的第二侧。第二发光元件LD2中的每个的第二端EP2可以连接到第1-2反射电极REL1_2。因此，预定电压可以通过第二反射电极REL2和第1-2反射电极REL1_2分别施加到第二发光元件LD2中的每个的相对两端EP1和EP2。因此，第二发光元件LD2中的每个可以通过电子-空穴对在第二发光元件LD2中的每个的活性层12中的结合来发光。

一个子像素SP的单位发射区域100还可以包括第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2。

第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2中的每个可以包括由无机材料形成的无机绝缘层和由有机材料形成的有机绝缘层中的任何一个。

在平面图中，第一绝缘图案INSP1可以设置在第1-1电极ETL1_1与第二电极ETL2之间。在平面图中，第一绝缘图案INSP1可以设置在第1-1反射电极REL1_1与第二反射电极REL2之间。第一绝缘图案INSP1可以具有在第二方向DR2上延伸的条形形状，并且可以与第一发光元件LD1中的每个叠置。

在平面图中，第二绝缘图案INSP2可以设置在第二电极ETL2与第1-2电极ETL1_2之间。在平面图中，第二绝缘图案INSP2可以设置在第二反射电极REL2与第1-2反射电极REL1_2之间。第二绝缘图案INSP2可以具有在第二方向DR2上延伸的条形形状，并且与第二发光元件LD2中的每个叠置。

在本公开的实施例中，第一发光元件LD1可以设置在第一绝缘图案INSP1上，第二发光元件LD2可以设置在第二绝缘图案INSP2上。

在平面图中，第一绝缘图案INSP1在横向方向(例如，第一方向DR1)上的宽度W1可以比第一发光元件LD1的长度L大。此外，第一绝缘图案INSP1在横向方向上的宽度W1可以比第1-1电极ETL1_1与第二电极ETL2之间的距离W2大。此外，第一绝缘图案INSP1在横向方向上的宽度W1可以比第1-1反射电极REL1_1与第二反射电极REL2之间的距离W3小。

第一绝缘图案INSP1的厚度d可以在0nm至300nm的范围内。第二绝缘图案INSP2可以具有与第一绝缘图案INSP1的结构相同的结构。

在实施例中，如图2b中所示，一个子像素SP的单位发射区域100还可以包括在第一方向DR1上延伸的桥接图案BRP。

桥接图案BRP可以与第一连接线CNL1一体地设置，并且电连接和物理连接到第一连接线CNL1。在这种情况下，第一对准电压可以通过桥接图案BRP传输到第一连接线CNL1。传输到第一连接线CNL1的第一对准电压可被供应到从第一连接线CNL1分叉的第1-1电极ETL1_1和第1-2电极ETL1_2。

在下文中，将参照图2a和图3a以堆叠顺序来描述根据本公开的实施例的发光装置的构造。

第1-1电极ETL1_1、第二电极ETL2和第1-2电极ETL1_2可以设置在其上设置有阻挡层BRL的基底SUB上。

第1-1电极ETL1_1、第二电极ETL2和第1-2电极ETL1_2可以在彼此间隔开预定距离的位置处设置在阻挡层BRL上。

第一绝缘图案INSP1可以设置在第1-1电极ETL1_1与第二电极ETL2之间。第二绝缘图案INSP2可以设置在第二电极ETL2与第1-2电极ETL1_2之间。

第一绝缘图案INSP1可以与第1-1电极ETL1_1的第一侧和第二电极ETL2的第一侧叠置。第二绝缘图案INSP2可以与第二电极ETL2的第二侧和第1-2电极ETL1_2的第一侧叠置。

第一绝缘图案INSP1可以填充在基底SUB与第一发光元件LD1之间的空间中，可以稳定地支撑第一发光元件LD1，并且防止第一发光元件LD1从其原始位置移位。同样地，第二绝缘图案INSP2可以填充在基底SUB与第二发光元件LD2之间的空间中，可以稳定地支撑第二发光元件LD2，并且可以防止第二发光元件LD2从其原始位置移位。

第一发光元件LD1可以在第一绝缘图案INSP1上对准。第二发光元件LD2可以在第二绝缘图案INSP2上对准。详细地，第一发光元件LD1可以在第一绝缘图案INSP1的上表面的一部分上对准。第二发光元件LD2可以在第二绝缘图案INSP2的上表面的一部分上对准。

第一发光元件LD1中的每个的长度L可以比第一绝缘图案INSP1在横向方向上的宽度W1小。第二发光元件LD2中的每个的长度L可以比第二绝缘图案INSP2在横向方向上的宽度小。

第1-1分隔壁PW1_1可以设置在第1-1电极ETL1_1上。第二分隔壁PW2可以设置在第二电极ETL2上。第1-2分隔壁PW1_2可以设置在第1-2电极ETL1_2上。

在本公开的实施例中，第1-1分隔壁PW1_1、第1-2分隔壁PW1_2和第二分隔壁PW2中的每个的高度h可以比第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的长度L大。

第1-1分隔壁PW1_1可以设置在第1-1电极ETL1_1上。第二分隔壁PW2可以设置在第二电极ETL2上。第1-2分隔壁PW1_2可以设置在第1-2电极ETL1_2上。

第1-1反射电极REL1_1、第二反射电极REL2和第1-2反射电极REL1_2可以设置在同一平面上，并且它们中的每个可以具有与对应的分隔壁的形状对应的形状。

第一绝缘层INS1可以设置在第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个上。第一绝缘层INS1可以包括包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。

第1-1接触电极CNE1_1可以设置在第1-1反射电极REL1_1上。第1-2接触电极CNE1_2可以设置在第1-2反射电极REL1_2上。

在实施例中，第一盖层(未示出)可以设置在第1-1反射电极REL1_1与第1-1接触电极CNE1_1之间和第1-2反射电极REL1_2与第1-2接触电极CNE1_2之间。

第一盖层可以防止第1-1反射电极REL1_1和第1-2反射电极REL1_2因在制造发光装置的工艺期间引起的缺陷等而损坏。此外，第一盖层可以进一步增加基底SUB与第1-1反射电极REL1_1和第1-2反射电极REL1_2中的每个之间的粘合力。

第二绝缘层INS2可以设置在其上设置有第1-1接触电极CNE1_1和第1-2接触电极CNE1_2的基底SUB上。第二绝缘层INS2可以设置在基底SUB上以覆盖第1-1接触电极CNE1_1、第1-2接触电极CNE1_2和第一绝缘层INS1。

与第二反射电极REL2电连接的第二接触电极CNE2可以设置在其上设置有第二绝缘层INS2的基底SUB上。

在实施例中，第二盖层(未示出)可以设置在第二反射电极REL2与第二接触电极CNE2之间。

第二盖层可以防止第二反射电极REL2因在制造发光装置的工艺期间引起的缺陷等而损坏，并且可以进一步增加第二反射电极REL2与基底SUB之间的粘合力。

第三绝缘层INS3可以设置在其上设置有第二接触电极CNE2的基底SUB上。第三绝缘层INS3可以包括包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。

外涂层OC可以设置在第三绝缘层INS3上。

如上所述，第1-1分隔壁PW1_1、第二分隔壁PW2和第1-2分隔壁PW1_2可以在第一发光元件LD1和第二发光元件LD2在对应的绝缘图案上对准之后设置在基底SUB上。

在这种情况下，第一发光元件LD1和第二发光元件LD2可以在一个子像素SP的单位发射区域100中的目标区域中对准，而不受第1-1分隔壁PW1_1、第二分隔壁PW2或第1-2分隔壁PW1_2的影响。因此，可以降低第一发光元件LD1和第二发光元件LD2在不期望的区域中对准的对准缺陷的可能性。

此外，第1-1分隔壁PW1_1、第二分隔壁PW2和第1-2分隔壁PW1_2中的每个的设计可以独立于第一发光元件LD1和第二发光元件LD2的对准条件等。换言之，可以缓和在设计第1-1分隔壁PW1_1、第二分隔壁PW2和第1-2分隔壁PW1_2中的每个时的限制。因此，第1-1分隔壁PW1_1、第二分隔壁PW2和第1-2分隔壁PW1_2中的每个的形状可以在可以增强从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个发射的光的效率的范围内改变。

特别地，在本公开的实施例中，第1-1分隔壁PW1_1、第二分隔壁PW2和第1-2分隔壁PW1_2中的每个的高度h可以被设计为等于预定水平或者比预定水平大。例如，第1-1分隔壁PW1_1、第二分隔壁PW2和第1-2分隔壁PW1_2中的每个可以被设计为具有等于或大于第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的长度L的高度h，以便增强第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的发光效率。

如果第1-1分隔壁PW1_1被设计为具有等于或大于预定水平的高度h，则第1-1反射电极REL1_1可以包括在正面方向上从基底SUB突出第1-1分隔壁PW1_1的高度h的突起。在这种情况下，从第一发光元件LD1中的每个的第一端EP1发射的光可以被第1-1反射电极REL1_1的突起在正面方向上更集中地反射。因此，可以增强从第一发光元件LD1中的每个的第一端EP1发射的光的发光效率。

同样地，如果第二分隔壁PW2被设计为具有等于或大于预定水平的高度h，则第二反射电极REL2可以包括在正面方向上从基底SUB突出第二分隔壁PW2的高度h的突起。在这种情况下，从第一发光元件LD1中的每个的第二端EP2和第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1发射的光可以被第二反射电极REL2的突起在正面方向上更集中地反射。因此，可以增强从第一发光元件LD1中的每个的第二端EP2和第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1发射的光的效率。

如果第1-2分隔壁PW1_2被设计为具有等于或大于预定水平的高度h，则第1-2反射电极REL1_2可以包括在正面方向上从基底SUB突出第1-2分隔壁PW1_2的高度h的突起。在这种情况下，从第二发光元件LD2中的每个的第二端EP2发射的光可以被第1-2反射电极REL1_2的突起在正面方向上更集中地反射。因此，可以增强从第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1发射的光的发光效率。

在本公开的实施例中，第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2可以仅设置在基底SUB的在单位发射区域100中的一些区域上。

详细地，第一绝缘图案INSP1可以设置在第1-1电极ETL1_1与第二电极ETL2之间和基底SUB与第一发光元件LD1之间。第二绝缘图案INSP2可以设置在第二电极ETL2与第1-2电极ETL1_2之间和基底SUB与第二发光元件LD2之间。

这里，从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个发射的光中的一些可以被吸收到第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2中。

如果第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2设置在基底SUB的整个区域上，则从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个发射的光中的一些可以通过第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2朝向不期望的区域引导，引起光损失。因此，会降低第一发光元件LD1和第二发光元件LD2的发光效率。

在本公开的实施例中，第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2仅设置在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间，阻挡从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个发射的光可能沿着其被引导朝向不期望的区域的路径。

结果，根据本公开的实施例，从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个发射的光可以在正面方向上被反射而没有损失。因此，可以增强第一发光元件LD1和第二发光元件LD2的发光效率。

图4a至图4g是顺序地示出制造图2a的发光装置的方法的示意性平面图。图5a至图5k是顺序地示出制造图3a的发光装置的方法的剖视图。

参照图1a、图2a、图3a、图4a和图5a，可以在子像素SP的单位发射区域100的基底SUB上形成在第一方向DR1上延伸的第一连接线CNL1和在平行于第一连接线CNL1的方向上延伸的第二连接线CNL2。

在基底SUB上形成从第一连接线CNL1在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的第一电极ETL1和从第二连接线CNL2在第二方向DR2上延伸的第二电极ETL2。

第一连接线CNL1和第一电极ETL1可以一体地设置。第二连接线CNL2和第二电极ETL2可以一体地设置。第一电极ELT1和第二电极ETL2可以设置在同一平面上，并且可以彼此间隔开预定距离。

第一电极ETL1可以包括第1-1电极ETL1_1和第1-2电极ETL1_2，第1-1电极ETL1_1和第1-2电极ETL1_2从第一连接线CNL1分叉，第二电极ETL2置于第1-1电极ETL1_1与第1-2电极ETL1_2之间。

参照图1a、图2a、图3a、图4b、图5a和图5b，在基底SUB上形成第一绝缘材料层(未示出)之后，通过去除第一绝缘材料层的部分来形成第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2。

第一绝缘材料层可以包括包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。

第一绝缘图案INSP1可以仅形成在第1-1电极ETL1_1与第二电极ETL2之间的基底SUB上。第一绝缘图案INSP1在平面图中可以具有在第二方向DR2上延伸的条形形状。第一绝缘图案INSP1可以与第1-1电极ETL1_1的第一侧和第二电极ETL2的第一侧叠置。

第二绝缘图案INSP2可以仅形成在第二电极ETL2与第1-2电极ETL1_2之间的基底SUB上。第二绝缘图案INSP2可以具有与第一绝缘图案INSP1的形状相同的形状，但是本公开不限于此。第二绝缘图案INSP2可以与第二电极ETL2的第二侧和第1-2电极ETL1_2的第一侧叠置。

参照图1a、图2a、图3a、图4c以及图5a至图5d，通过经由第一连接线CNL1和第二连接线CNL2分别向第一电极ELT1和第二电极ETL2施加对准电压而在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间形成电场。

在通过第一连接线CNL1和第二连接线CNL2将具有预定电压和周期的交流电力或直流电力重复数次施加到第一电极ETL1和第二电极ETL2中的每个的情况下，可以通过第一电极ETL1与第二电极ETL2之间的电势差在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间形成电场。

在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间形成电场的同时，通过喷墨印刷方法等将发光元件LD供应到基底SUB上。

例如，可以通过在基底SUB之上设置喷嘴并且通过喷嘴将包括发光元件LD的溶液SL滴到基底SUB上来将发光元件LD供应到单位发射区域100的基底SUB上。溶液SL可以是丙酮、水、乙醇和甲苯中的任何一种，但是本公开不限于此。例如，溶液SL可以包括可以在室温或通过加热蒸发的材料。此外，溶液SL可以具有墨或糊的形式。

将发光元件LD供应到基底SUB上的方法不限于前述方法。可以改变供应发光元件LD的方法。随后，可以除去溶液SL。

如果发光元件LD被供应到基底SUB上，则可以通过形成在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间的电场来引导发光元件LD的自对准。因此，发光元件LD可以在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间对准。

在本公开的实施例中，发光元件LD可以在第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2中的每个上对准。

由于电场形成在第1-1电极ETL1_1与第二电极ETL2之间，所以发光元件LD中的一些(例如，第一发光元件LD1)可以在第1-1电极ETL1_1与第二电极ETL2之间在第一绝缘图案INSP1上对准。

由于电场形成在第二电极ETL2与第1-2电极ETL1_2之间，所以其他发光元件LD(例如，第二发光元件LD2)可以在第二电极ETL2与第1-2电极ETL1_2之间在第二绝缘图案INSP2上对准。

在发光元件LD的对准完成之后，在第一方向DR1上彼此相邻的子像素之间将第一连接线CNL1划分为多个部分，使得子像素SP中的每个可以被独立地驱动。

在子像素SP中的每个的第一电极ETL1连接到对应子像素SP中的包括晶体管等的像素驱动电路的情况下，公共连接到在第一方向DR1上的相邻子像素的第一连接线CNL1被各个子像素SP切割成多个部分。在这种情况下，连接到第一连接线CNL1的第一电极ETL1可以按照各个子像素SP而被划分成多个部分。

在基底SUB的第一方向DR1上彼此相邻设置的子像素的相应的第二电极ETL2可以共同连接到第二连接线CNL2。因此，在第一方向DR1上彼此相邻设置的子像素的相应的第二电极ETL2可以彼此电连接而不彼此分离。然而，本公开不限于前述结构。例如，在实施例中，在第一方向DR1上彼此相邻设置的子像素之间共同连接的第二连接线CNL2可以被切割成与相应的子像素SP对应的多个部分。在这种情况下，连接到第二连接线CNL2的第二电极ETL2可以因相应的子像素SP彼此分隔开。

参照图1a、图2a、图3a、图4d以及图5a至图5e，在发光元件LD在其上对准的基底SUB上形成第二绝缘材料层(未示出)之后，通过使用掩模使第二绝缘材料层图案化来形成第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。

第二绝缘材料层可以包括包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。在本公开的实施例中，第二绝缘材料层可以包括有机绝缘层。

可以在第一电极ETL1上形成第一分隔壁PW1，可以在第二电极ETL2上形成第二分隔壁PW2。

在平面图中，第一分隔壁PW1的在横向方向(例如，第一方向DR1)上的宽度可以比第一电极ETL1的在横向方向上的宽度小。然而，本公开不限于前述结构。例如，第一分隔壁PW1的在横向方向上的宽度可以与第一电极ETL1的在横向方向上的宽度相等。

例如，在平面图中，第二分隔壁PW2的在横向方向上的宽度可以比第二电极ETL2的在横向方向上的宽度小。然而，本公开不限于前述结构。例如，第二分隔壁PW2的在横向方向上的宽度可以与第二电极ETL2的在横向方向上的宽度相等。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的高度h可以比发光元件LD中的每个的长度L大。此外，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在其中可以增强从发光元件LD中的每个发射的光的效率的范围内具有不同形状。

参照图1a、图2a、图3a、图4e以及图5a至图5f，在包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的基底SUB上形成第一导电层(未示出)之后，通过使用掩模使第一导电层图案化来形成第一反射电极REL1和第二反射电极REL2。

可以在第一分隔壁PW1上形成第一反射电极REL1，并且第一反射电极REL1可以与第一电极ETL1电连接。可以在第二分隔壁PW2上形成第二反射电极REL2，并且第二反射电极REL2可以与第二电极ETL2电连接。

第一反射电极REL1可以被设置为与发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的任何一端相邻。第二反射电极REL2可以被设置为与发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的另一端相邻。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以设置在同一平面上并且彼此间隔开预定距离。

第一反射电极REL1的形状可以与第一分隔壁PW1的形状对应。第二反射电极REL2的形状可以与第二分隔壁PW2的形状对应。

例如，第一反射电极REL1可以包括从基底SUB的上表面突出第一分隔壁PW1的高度h的突起。第二反射电极REL2可以包括从基底SUB的上表面突出第二分隔壁PW2的高度h的突起。

在第一反射电极REL1和第二反射电极REL2中的每个包括根据对应的分隔壁的形状突出预定水平或大于预定水平地突出的突起的情况下，从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光可以被第一反射电极REL1和第二反射电极REL2在正面方向上更集中地反射。在本公开的实施例中，正面方向可以指在根据本公开的实施例的发光装置上显示图像的方向。

参照图1a、图2a、图3a以及图5a至图5g，在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上形成第三绝缘材料层(未示出)之后，通过使用掩模使第三绝缘材料层图案化来形成第一绝缘层INS1。

可以在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上设置第一绝缘层INS1，使得发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2可以被暴露。

在实施例中，可以通过形成下面描述的第二绝缘层INS2的掩模工艺使第三绝缘材料层图案化，形成第一绝缘层INS1。

参照图1a、图2a、图3a、图4f以及图5a至图5h，在第一绝缘层INS1上形成第二导电层(未示出)之后，通过使用掩模使第二导电层图案化来形成第一接触电极CNE1。

可以在第一反射电极REL1上形成第一接触电极CNE1，并且第一接触电极CNE1可以与第一反射电极REL1电连接。此外，可以在发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端上形成第一接触电极CNE1，并且第一接触电极CNE1可以与发光元件LD中的每个的所述一端电连接。

因此，第一反射电极REL1和发光元件LD中的每个的所述一端可以通过第一接触电极CNE1彼此电连接。

参照图1a、图2a、图3a以及图5a至图5i，在第一接触电极CNE1上形成第四绝缘材料层(未示出)之后，通过使用掩模使第四绝缘材料层图案化来形成第二绝缘层INS2。

第四绝缘材料层可以包括包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。

这里，第一接触电极CNE1可以因第二绝缘层INS2不暴露于外部。第二反射电极REL2以及发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的另一端可以暴露于外部。

参照图1a、图2a、图3a、图4g以及图5a至图5j，在包括第二绝缘层INS2的基底SUB上形成第三导电层(未示出)之后，通过使用掩模使第三导电层图案化来形成第二接触电极CNE2。

可以在暴露的第二反射电极REL2上形成第二接触电极CNE2，并且第二接触电极CNE2可以与第二反射电极REL2电连接。此外，可以在发光元件LD中的每个的暴露的另一端上形成第二接触电极CNE2，并且第二接触电极CNE2与发光元件LD中的每个的另一端电连接。

因此，第二反射电极REL2和发光元件LD中的每个的另一端可以通过第二接触电极CNE2彼此电连接。

参照图1a、图2a、图3a以及图5a至图5k，在包括第二接触电极CNE2的基底SUB的整个表面上形成第三绝缘层INS3。

第三绝缘层INS3可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。虽然第三绝缘层INS3可以具有如图中所示的单层结构，但是本公开不限于此。例如，第三绝缘层INS3可以具有多层结构。

随后，在第三绝缘层INS3上形成外涂层OC。

图6示出了根据本公开的实施例的显示装置并且具体地是示出使用图1a中所示的发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。

为了说明的目的，图6示意性地示出了显示装置的结构，集中于其上显示图像的显示区域。在一些实施例中，虽然未示出，但是至少一个驱动电路(例如，扫描驱动器和数据驱动器)和/或多条线可以进一步设置在显示装置中。

参照图1a和图6，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基底SUB、设置在基底SUB上并且均包括至少一个发光元件LD的多个像素PXL、设置在基底SUB上并且驱动像素PXL的驱动器(未示出)以及被设置为将像素PXL与驱动器连接的线组件(未示出)。

显示装置可以根据驱动发光元件LD的方法而被分为无源矩阵型显示装置和有源矩阵型显示装置。例如，在显示装置被实现为有源矩阵型的情况下，像素PXL中的每个可以包括控制将被供应到发光元件LD的电流量的驱动晶体管和向驱动晶体管传输数据信号的开关晶体管。

近来，考虑到分辨率、对比度和工作速度，能够选择性地导通每个像素PXL的有源矩阵型显示装置已经成为主流。然而，本公开不限于此。例如，其中一组像素PXL可以导通的无源矩阵型显示装置也可以使用用于驱动发光元件LD的组件(例如，第一反射电极和第二反射电极)。

基底SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。

在实施例中，显示区域DA可以设置在显示装置的中心部分中，非显示区域NDA可以以包围显示区域DA的方式设置在显示装置的外围部分中。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，并且可以改变其位置。

显示区域DA可以是其中设置有用于显示图像的像素PXL的区域。非显示区域NDA可以是其中设置有用于驱动像素PXL的驱动器和用于将像素PXL连接到驱动器的线组件中的一些的区域。

显示区域DA可以具有不同形状。例如，显示区域DA可以以不同形状设置，诸如包括由直线形成的边的闭合多边形、包括由曲线形成的边的圆形或椭圆形等以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形或半椭圆形等。

非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧上。在本公开的实施例中，非显示区域NDA可以包围显示区域DA的外围。

像素PXL可以设置在基底SUB上的显示区域DA中。像素PXL中的每个是指用于显示图像的最小单元，并且可以设置多个像素。

像素PXL中的每个可以包括响应于对应的扫描信号和对应的数据信号而被驱动的发光元件LD。发光元件LD可以具有与例如纳米级或微米级尺寸对应的小尺寸，并且并联连接到与其相邻设置的发光元件。发光元件LD可以形成对应的像素PXL的光源。

像素PXL可以沿着在第一方向DR1上延伸的行和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的列以矩阵形式布置。然而，像素PXL的布置不限于特定布置。换言之，像素PXL可以以不同形式布置。

驱动器可以通过线组件向每个像素PXL提供信号，从而控制像素PXL的操作。在图6中，为了说明的目的，省略了线组件。

驱动器可以包括通过扫描线向像素PXL提供扫描信号的扫描驱动器、通过发射控制线向像素PXL提供发射控制信号的发射驱动器、通过数据线向像素PXL提供数据信号的数据驱动器以及时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器、发射驱动器和数据驱动器。

第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以设置在非显示区域NDA中。

第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在发光元件LD在显示区域DA中对准之前电连接到包括在每个像素PXL中的第一电极和第二电极(参照图2a的ETL1和ETL2)。第一对准电压可以施加到第一对准线ARL1。具有与第一对准电压的电压电平不同的电压电平的第二对准电压可以施加到第二对准线ARL2。

在使发光元件LD在显示区域DA中对准的工艺之后的工艺期间，第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以与每个像素PXL电分离。

如上所述，尽管在制造显示装置的工艺期间第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以保留在非显示区域NDA中，但是本公开不限于此。在实施例中，第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以在使发光元件LD在显示区域DA中对准的工艺之后的工艺期间被去除，因此可以不保留在非显示区域NDA中。

图7a至图7c是示出根据不同实施例的图6的显示装置的单位发光区域的示例的电路图。

参照图7a至图7c，单位发光区域可以是其中设置有包括在一个像素中的一个子像素的像素区域。此外，参照图7a至图7c，一个子像素可以由有源像素形成。这里，一个子像素的类型、结构和/或驱动方案没有特别限制。例如，一个子像素可以由可以具有本领域公知的各种结构的无源显示器件或有源显示器件的像素形成。

参照图6和图7a，一个子像素SP可以包括在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间彼此并联连接的多个发光元件LD和驱动发光元件LD的像素驱动电路144。

发光元件LD中的每个可以包括经由像素驱动电路144连接到第一驱动电源VDD的第一电极(例如，阳极电极)和连接到第二驱动电源VSS的第二电极(例如，阴极电极)。

第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电势。例如，第二驱动电源VSS可以具有比第一驱动电源VDD的电势低且相差等于或大于发光元件LD的阈值电压的值的电势。

发光元件LD中的每个可以以与被像素驱动电路144控制的驱动电流对应的亮度发光。

虽然图7a至图7c示出了其中发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间在同一方向(例如，正向方向)上彼此并联连接的实施例，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，发光元件LD中的一些可以在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间在正向方向上连接，而其他发光元件LD可以在反向方向上连接。第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS中的一个可以提供交流电压。在这种情况下，连接在不同方向上的多组发光元件LD可以交替地发光。可选地，在实施例中，一个子像素SP可以包括单个发光元件LD。

在本公开的实施例中，像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及存储电容器Cst。然而，像素驱动电路144的结构不限于图7a中所示的实施例。

第一晶体管(开关晶体管)T1包括连接到数据线Dj的第一电极和连接到第一节点N1的第二电极。这里，第一晶体管T1的第一电极和第二电极可以是不同的电极。例如，如果第一电极为源电极，则第二电极为漏电极。第一晶体管T1可以包括连接到扫描线Si的栅电极。

当从扫描线Si供应具有能够导通第一晶体管T1的电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第一晶体管T1导通以使数据线Dj与第一节点N1电连接。这里，对应帧的数据信号被供应到数据线Dj，由此数据信号被传输到第一节点N1。存储电容器Cst被传输到第一节点N1的数据信号充电。

第二晶体管(驱动晶体管)T2可以包括连接到第一驱动电源VDD的第一电极和电连接到发光元件LD中的每个的第一电极的第二电极。第二晶体管T2可以包括连接到到第一节点N1的栅电极。第二晶体管T2可以响应于第一节点N1的电压来控制要供应到发光元件LD的驱动电流的量。

存储电容器Cst的一个电极连接到第一驱动电源VDD，并且其另一电极连接到第一节点N1。存储电容器Cst可以充电有与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压，并且保持充电的电压直到随后的帧的数据信号被供应。

为了说明的目的，图7a示出了具有包括被构造为向子像素SP传输数据信号的第一晶体管T1、存储数据信号的存储电容器Cst和向发光元件LD供应与数据信号对应的驱动电流的第二晶体管T2的相对简单结构的像素驱动电路144。

然而，本公开不限于前述结构，并且像素驱动电路144的结构可以改变。例如，像素驱动电路144还可以包括诸如补偿第二晶体管T2的阈值电压的晶体管元件、使第一节点N1初始化的晶体管元件和控制发光元件LD的发射时间的晶体管元件中的至少一个晶体管元件或者诸如用于升高第一节点N1的电压的升压电容器的其他电路元件。

此外，在图7a中，虽然包括在像素驱动电路144中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换言之，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一者可以由N型晶体管形成。

参照图6和图7b，根据本公开的实施例的第一晶体管T1和第二晶体管T2可以是N型晶体管。除了由于晶体管类型的改变而导致的一些组件的连接位置的改变之外，图7b中所示的像素驱动电路144的构造和操作与图7a的像素驱动电路144的构造和操作类似。因此，将省略与此相关的详细描述。

在实施例中，如图7c中所示，除了第一晶体管T1和第二晶体管T2之外，像素驱动电路144还可以包括第三晶体管T3。

第三晶体管T3可以包括连接到控制线CLi的栅电极和连接到发光元件LD中的每个的第一电极的第二电极。第三晶体管T3的第一电极连接到数据线Dj。第三晶体管T3可以在控制信号被供应到控制线CLi时导通，并且可以在其他情况下截止。

为了方便的目的，虽然图7c示出了第三晶体管T3是P型晶体管，但是第三晶体管T3可以是N型晶体管。例如，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第三晶体管T3中的至少一个可以是N型晶体管。此外，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第三晶体管T3中的全部可以由N型晶体管形成。

图7d是示出图6的显示装置的单位发射区域的另一示例的电路图。

参照图6和图7d，一个子像素SP可以包括在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间彼此并联连接的多个发光元件LD以及驱动发光元件LD的像素驱动电路144。

发光元件LD中的每个可以包括经由像素驱动电路144连接到第一驱动电源VDD的阳极电极和连接到第二驱动电源VSS的阴极电极。

第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电势。例如，第二驱动电源VSS可以具有比第一驱动电源VDD的电势低且相差等于或大于发光元件LD的阈值电压的值的电势。

发光元件LD中的每个可以以与由像素驱动电路144控制的驱动电流对应的亮度发光。

像素驱动电路144可以连接到一个子像素SP的扫描线和数据线。例如，如果一个子像素SP设置在显示区域DA的第i行第j列上，则所述一个子像素SP的像素驱动电路144可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。

在实施例中，像素驱动电路144可以进一步连接到至少一条扫描线。例如，设置在显示区域DA的第i行上的一个子像素SP可以进一步连接到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。

在实施例中，像素驱动电路144不仅可以连接到第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS而且连接到第三电源。例如，像素驱动电路144还可以连接到初始化电源Vint。

这里，像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。

第一晶体管(驱动晶体管)T1可以包括经由第五晶体管T5连接到第一驱动电源VDD的第一电极(例如，源电极)和经由第六晶体管T6连接到发光元件LD的一端的第二电极(例如，漏电极)。第一晶体管T1可以包括连接到第一节点N1的栅电极。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压控制经由发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间流动的驱动电流。

第二晶体管(开关晶体管)T2可以连接在连接到一个子像素SP的第j数据线Dj与第一晶体管T1的源电极之间。第二晶体管T2的栅电极连接到第i扫描线Si，第i扫描线Si连接到所述一个子像素SP。当从第i扫描线Si供应具有栅极导通电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以使第j数据线Dj电连接到第一晶体管T1的源电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从第j数据线Dj供应的数据信号可以传输到第一晶体管T1。

第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的漏电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3可以包括连接到第i扫描线Si的栅电极。当从扫描线Si供应具有栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3可以导通以使第一晶体管T1的漏电极电连接到第一节点N1。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以二极管连接。

第四晶体管T4连接在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到前一扫描线，例如，第i-1扫描线Si-1。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以传输到第一节点N1。这里，初始化电源Vint可以具有等于或小于数据信号的最小电压的电压。

第五晶体管T5连接在第一驱动电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极可以连接到对应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第五晶体管T5可以在具有栅极截止电压的发射控制信号供应到第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其他情况下导通。

第六晶体管T6连接在第一晶体管T1与发光元件LD中的每个的一端之间。第六晶体管T6的栅电极连接到第i发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在具有栅极截止电压的发射控制信号供应到第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其他情况下导通。

第七晶体管T7连接在发光元件LD中的每个的一端与初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极连接到后一级的扫描线中的任何一条，例如，连接到第i+1扫描线Si+1。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以供应到发光元件LD中的每个的一端。

存储电容器Cst可以连接在第一驱动电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与第一晶体管T1的阈值电压以及在每一帧周期期间施加到第一节点N1的数据信号两者对应的电压。

为了方便的目的，图7d示出了第一晶体管T1至第七晶体管T7中的全部由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换言之，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以是N型晶体管。

图8是示意性地示出包括在图6中所示的像素中的一个像素中的第一子像素至第三子像素的平面图。图9a是沿着图8的线II-II’截取的剖视图。图9b示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是与图8的线II-II’对应的剖视图。

在本公开的实施例中，以下描述将集中于与前述实施例的不同之处，以避免重复的说明。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件符合前述实施例的组件。相同的附图标记将用于标示相同的组件，并且相似的附图标记将用于标示相似的组件。

在图8中，为了说明的目的，设置在每个子像素中的多个发光元件被示出为水平布置。然而，发光元件的布置不限于此。例如，发光元件中的至少一些可以布置在与水平方向交叉的方向上。

此外，为了说明的目的，已经在图8中省略了连接到发光元件的晶体管和连接到晶体管的信号线的图示。在图8中，单位发射区域可以是一个子像素的像素区域。

参照图1a至图9b，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有多个像素PXL的基底SUB。

像素PXL中的每个可以包括设置在基底SUB上的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。

第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个的单位发射区域100可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素电路层PCL和设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。

像素电路层PCL可以包括设置在基底SUB上的缓冲层BFL、驱动电压线DVL以及设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2。此外，像素电路层PCL还可以包括设置在第一晶体管T1和第二晶体管T2以及驱动电压线DVL上的钝化层PSV。

显示元件层DPL可以包括设置在钝化层PSV上的第一电极ETL1和第二电极ETL2、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一反射电极REL1和第二反射电极REL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、多个发光元件LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。

为了方便的目的，将在描述像素电路层PCL之后描述显示元件层DPL。

基底SUB可以包括诸如玻璃、有机聚合物或晶体的绝缘材料。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成以便是可弯曲的或可折叠的，并且可以具有单层结构或多层结构。

缓冲层BFL可以设置在基底SUB上，并且可以防止杂质扩散到第一晶体管T1和第二晶体管T2中。缓冲层BFL可以设置为单层结构或具有两层或更多层的多层结构。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，各个层可以由相同材料或不同材料形成。根据基底SUB的材料或处理条件，可以省略缓冲层BFL。

第一晶体管T1可以是电连接到设置在显示元件层DPL中的发光元件LD中的一些以驱动对应的发光元件LD的驱动晶体管。第二晶体管T2可以是开关第一晶体管T1的开关晶体管。

第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个可以包括半导体层SCL、栅电极GE、漏电极DE和源电极SE。

半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。半导体层SCL可以包括与漏电极DE接触的第一区域和与源电极SE接触的第二区域。第一区域与第二区域之间的区域可以是沟道区。在本公开的实施例中，第一区域可以是源区和漏区中的任何一个，第二区域可以是另一个。

半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。沟道区可以是作为未掺杂的半导体图案的本征半导体。第一区域和第二区域中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。

栅电极GE可以设置在半导体层SCL上且栅极绝缘层GI置于它们之间。

漏电极DE和源电极SE可以分别通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的对应的接触孔与半导体层SCL的第一区域和第二区域接触。

驱动电压线DVL可以设置在层间绝缘层ILD上，但是其不限于此。在一些实施例中，驱动电压线DVL可以设置在包括在像素电路层PCL中的绝缘层中的任何一个上。第二驱动电力VSS可以施加到驱动电压线DVL。

钝化层PSV可以包括其中暴露有第一晶体管T1的漏电极DE的通孔TH和其中暴露有驱动电压线DVL的通路孔VH。

第一电极ETL1和第二电极ETL2可以设置在钝化层PSV上并且彼此间隔开预定距离。

第一电极ETL1和第二电极ETL2可以使第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的单位发射区域100中的发光元件LD对准。为此，第一电极ETL1可以通过在基底SUB的第一方向DR1上延伸的第一连接线CNL1电连接到第一对准线ARL1。第二电极ETL2可以通过在平行于第一连接线CNL1的方向上延伸的第二连接线CNL2电连接到第二对准线ARL2。

如果发光元件LD的对准完成，则第一对准线ARL1和第一电极ETL1可以彼此电断开，第二对准线ARL2和第二电极ETL2也可以彼此电断开。

在本公开的实施例中，第一电极ETL1可以通过钝化层PSV的通孔TH电连接到第一晶体管T1的漏电极DE。因此，供应到第一晶体管T1的信号可以传输到第一电极ETL1。传输到第一电极ETL1的信号可以通过第一电极ETL1传输到第一反射电极REL1。

第二电极ETL2可以通过钝化层PSV的通路孔VH与驱动电压线DVL电连接。因此，驱动电压线DVL的第二驱动电力VSS可以被传输到第二电极ETL2。传输到第二电极ETL2的第二驱动电力VSS可以通过第二电极ETL2传输到第二反射电极REL2。

在实施例中，第一晶体管T1的漏电极DE可以通过通孔TH直接电连接到第一反射电极REL1。驱动电压线DVL可以通过通路孔VH直接电连接到第二反射电极REL2。在这种情况下，供应到第一晶体管T1的信号可以直接传输到第一反射电极REL1。驱动电压线DVL的第二驱动电力VSS可以直接传输到第二反射电极REL2。下面将参照图10描述其中第一晶体管T1的漏电极DE和第一反射电极REL1彼此直接连接以及驱动电压线DVL和第二反射电极REL2彼此直接连接的实施例。

第一电极ETL1可以包括第1-1电极ETL1_1和第1-2_电极ETL1_2，第二电极ETL2置于第1-1电极ETL1_1与第1-2_电极ETL1_2之间。

第1-1电极ETL1_1和第1-2_电极ETL1_2可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上从第一连接线CNL1分叉。

第1-1电极ETL1_1、第1-2_电极ETL1_2和第一连接线CNL1可以一体地设置在像素电路层PCL的钝化层PSV上，并且彼此电连接和/或物理连接，但是本公开不限于此。例如，第1-1电极ETL1_1和第1-2电极ETL1_2以及第一连接线CNL1可以设置在不同的层上，并且通过单独的接触单元(例如，接触孔和/或接触电极)彼此电连接。

第二电极ETL2可以从第二连接线CNL2分叉，并且在第二方向DR2上延伸。第二电极ETL2和第二连接线CNL2可以一体地设置在像素电路层PCL的钝化层PSV上并且彼此电连接和/或物理连接，但是本公开不限于此。例如，第二电极ETL2和第二连接线CNL2可以设置在不同的层上，并且通过单独的接触单元彼此电连接。

显示元件层DPL还可以包括设置在第1-1电极ETL1_1与第二电极ETL2之间的第一绝缘图案INSP1和设置在第二电极ETL2与第1-2电极ETL1_2之间的第二绝缘图案INSP2。

第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2中的每个可以包括包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层中的任何一个。

第一绝缘图案INSP1可以与第1-1电极ETL1_1的第一侧和第二电极ETL2的第一侧叠置。第二绝缘图案INSP2可以与第二电极ETL2的第二侧和第1-2电极ETL1_2的第一侧叠置。

在本公开的实施例中，第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2中的每个的厚度d可以在0nm至300nm的范围内。此外，第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2中的每个在横向方向(例如，第一方向DR1)上的宽度W1可以比发光元件LD中的每个的长度L大。第二绝缘图案INSP2可以具有与第一绝缘图案INSP1的结构相同的结构。

发光元件LD可以在第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2中的每个上对准。

如图1a中所示，发光元件LD中的每个可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13、置于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12以及设置在第二导电半导体层13上的上电极15。

发光元件LD中的每个可以包括第一端EP1和第二端EP2。

发光元件LD可以包括在第一绝缘图案INSP1上对准的多个第一发光元件LD1和在第二绝缘图案INSP2上对准的多个第二发光元件LD2。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以限定第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的单位发射区域100。

第一分隔壁PW1可以设置在第一电极ETL1上，第二分隔壁PW2可以设置在第二电极ETL2上。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在同一平面上并且彼此间隔开预定距离。

如图9a中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有梯形形状，所述梯形形状具有以预定角度倾斜的侧边，但是本公开不限于此。在一些实施例中，如图9b中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有弯曲表面，所述弯曲表面具有其宽度从钝化层PSV的一个表面朝向弯曲表面的上端减小的诸如半圆形或半椭圆形的剖面形状，但是本公开不限于此。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状可以在可以增强从发光元件LD发射的光的效率的范围内以不同方式改变。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有比发光元件LD中的每个的长度L大的高度h。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以在显示显示装置的图像的方向上(例如，在正面方向上)反射从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光。

第一反射电极REL1可以设置在第一分隔壁PW1上，第二反射电极REL2可以设置在第二分隔壁PW2上。第一反射电极REL1和第二反射电极REL2中的每个可以具有与对应的分隔壁的形状对应的形状。

例如，如图9a中所示，在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个具有梯形形状的情况下，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2中的每个可以具有突起，所述突起具有与梯形形状对应的倾斜度。

在实施例中，在如图9b中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个具有半椭圆形形状的情况下，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2中的每个可以具有突起，所述突起具有与半椭圆形形状对应的曲率。

第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以设置在同一平面上，并且彼此间隔开预定距离。在本公开的实施例中，第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间的宽度W3可以比第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2中的每个在横向方向上的宽度W1大。

第一反射电极REL1可以被设置为与发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端相邻，并且可以通过第一接触电极CNE1电连接到发光元件LD中的每个。第二反射电极REL2可以被设置为与发光元件LD中的每个的另一端相邻，并且可以通过第二接触电极CNE2电连接到发光元件LD中的每个。

第一反射电极REL1可以与第一电极ETL1电连接。因此，传输到第一电极ETL1的第一晶体管T1的信号可以传输到第一反射电极REL1。传输到第一反射电极REL1的第一晶体管T1的信号可以通过第一接触电极CNE1最终传输到发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端。

第二反射电极REL2可以与第二电极ETL2电连接。因此，传输到第二电极ETL2的第二驱动电力VSS可以传输到第二反射电极REL2。传输到第二反射电极REL2的第二驱动电力VSS可以通过第二接触电极CNE2最终传输到发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的另一端。

如上所述，如果将预定电压施加到发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2，则发光元件LD中的每个可以通过电子-空穴对在发光元件LD的活性层12中的结合来发光。从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光可以移动到第一反射电极REL1和第二反射电极REL2并且在正面方向上反射。因此，显示装置可以显示与光对应的图像。

如上所述，在发光元件LD在对应子像素的单位发射区域100中对准之后，设置第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以使发光元件LD的对准缺陷最小化。

此外，在根据本公开的实施例的显示装置中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以被设计成不同形状而不受发光元件LD的对准条件的限制，由此可以进一步增强从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光的效率。

图10是示出图6的实施例的显示装置的一部分的剖视图。在本实施例中，以下描述将集中于与前述实施例的不同之处，以避免重复说明。在本实施例的以下描述中未单独解释的组件可以符合前述实施例的组件。相同的附图标记将用于标示相同的组件，并且相似的附图标记将用于标示相似的组件。

除了第一反射电极可以直接连接到像素电路层的第一晶体管并且第二反射电极可以直接连接到驱动电压线的结构之外，图10中所示的显示装置的结构可以基本上等于或类似于图8和图9a的显示装置的结构。

参照图1a、图6、图8和图10，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素电路层PCL以及设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。

像素电路层PCL可以包括设置在基底SUB上的缓冲层BFL、驱动电压线DVL以及设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2。此外，像素电路层PCL还可以包括覆盖第一晶体管T1和第二晶体管T2以及驱动电压线DVL的钝化层PSV。

钝化层PSV可以包括其中暴露有第一晶体管T1的漏电极DE的一部分的通孔TH和其中暴露有驱动电压线DVL的一部分的通路孔VH。

显示元件层DPL可以包括第一电极ETL1和第二电极ETL2、第一绝缘图案INSP1和第二绝缘图案INSP2、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一反射电极REL1和第二反射电极REL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、多个发光元件LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。

第一电极ELT1和第二电极ETL2可以设置在钝化层PSV上并且彼此间隔开预定距离。

当对准电压分别施加到第一电极ETL1和第二电极ETL2时，可以在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间形成电场。发光元件LD可以通过电场在第一电极ETL1与第二电极ETL2之间对准。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在发光元件LD对准之后设置在对应的电极上。第一分隔壁PW1可以设置在第一电极ETL1上，第二分隔壁PW2可以设置在第二电极ETL2上。

第一反射电极REL1可以设置在第一分隔壁PW1上并且与第一电极ETL1电连接。第二反射电极REL2可以设置在第二分隔壁PW2上并且与第二电极ETL2电连接。

在本公开的实施例中，第一反射电极REL1可以是发光元件LD中的每个的阳极电极，第二反射电极REL2可以是发光元件LD中的每个的阴极电极。

第一反射电极REL1可以通过钝化层PSV的通孔TH电连接到第一晶体管T1的漏电极DE。在这种情况下，第一晶体管T1的信号可以传输到第一反射电极REL1，并且通过第一接触电极CNE1最终传输到发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端。

第二反射电极REL2可以通过钝化层PSV的通路孔VH与驱动电压线DVL电连接。在这种情况下，驱动电压线DVL的第二驱动电力(参照图7a的VSS)可以传输到第二反射电极REL2，并且通过第二接触电极CNE2最终传输到发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的另一端。

如上所述，如果将预定电压施加到发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2，则发光元件LD中的每个可以通过电子-空穴对在发光元件LD的活性层12中的结合来发光。从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光可以移动到第一反射电极REL1和第二反射电极REL2，并且在正面方向上反射。因此，显示装置可以显示与光对应的图像。

根据本公开的实施例的显示装置可以用在不同电子装置中。例如，显示装置可以应用于电视、笔记本计算机、移动电话、智能电话、智能平板、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、导航装置、诸如智能手表的各种可穿戴装置等。

虽然上面已经描述了各种示例性实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。

因此，在本说明书中公开的实施例仅用于说明的目的，而不是限制本公开的技术精神。本公开的范围必须由所附权利要求限定。