显示基板及显示装置

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

目前，在对显示基板中的驱动电路结构等膜层进行平坦化时，一般采用有机树脂材料形成平坦化层，之后再采用无机材料形成平坦化层上的钝化层，以防止水氧等通过平坦化层侵入导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。

然而，考虑到有机树脂材料不耐高温及容易吸水受潮的热性，其上方的钝化层需要采用较低温的沉积方式形成，导致所形成的钝化层膜质较为疏松。同时，为了避免水氧等侵入，钝化层在显示基板的边缘区形成隔断槽，但是，由于隔断槽的存在，使得钝化层在隔断槽的位置形成较大的段差，钝化层的覆盖性较差，有可能会引入水氧等导致过驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。另外，由于膜质的原因，在切割显示基板时受到切割应力的影响，边缘的膜层更容易发生粘附力下降，导致水氧等侵入造成显示不良。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供了一种显示基板及显示装置。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，具有显示区、栅极驱动区及设置于所述栅极驱动区一侧的边缘区，所述显示基板包括：基底、位于所述基底上由所述显示区延伸至所述边缘区的钝化层；所述显示基板还包括：阻挡层；所述阻挡层的致密性高于所述钝化层的致密性；

在所述边缘区，所述阻挡层至少覆盖部分所述钝化层。

可选地，在所述边缘区设置有隔断槽，所述钝化层被所述隔断槽截断。

可选地，所述钝化层包括：沿着背离所述基底方向依次设置的第一子钝化层和第二子钝化层；所述阻挡层包括：第一子阻挡层；

在所述边缘区，所述第一子阻挡层覆盖部分所述第一子钝化层背离所述基底的一侧和/或所述第一子钝化层靠近所述隔断槽的侧面。

可选地，所述钝化层包括：沿着背离所述基底方向依次设置的第一子钝化层和第二子钝化层；所述阻挡层包括：第二子阻挡层；

在所述边缘区，所述第二子阻挡层覆盖部分所述第二子钝化层背离所述基底的一侧和/或所述第二子钝化层及所述第一子钝化层靠近所述隔断槽的侧面。

可选地，所述钝化层包括：沿着背离所述基底方向依次设置的第一子钝化层和第二子钝化层；所述阻挡层包括：第一子阻挡层和第二子阻挡层；

在所述边缘区，所述第一子阻挡层覆盖部分所述第一子钝化层背离所述基底的一侧和/或所述第一子钝化层靠近所述隔断槽的侧面，所述第二子阻挡层覆盖部分所述第二子钝化层和/或所述第二子钝化层靠近所述隔断槽的侧面。

可选地，在所述隔断槽处，所述第一子阻挡层和所述第二子阻挡层连接在一起。

可选地，所述显示基板还包括：位于所述基底上设置于所述栅极驱动区的第一导电层和第二导电层、及所述第一导电层和所述第二导电层之间的绝缘层；所述第一导电层和所述第二导电层通过贯穿所述绝缘层的过孔连接；所述钝化层在所述过孔周围形成凸起部；

在所述栅极驱动区，所述阻挡层至少覆盖所述凸起部。

可选地，所述钝化层包括：沿着背离所述基底方向依次设置的第一子钝化层和第二子钝化层；所述阻挡层包括：第一子阻挡层和/或第二子阻挡层；所述第一子钝化层在所述过孔周围形成第一凸起部；所述第二子钝化层在所述过孔周围形成第二凸起部；

在所述栅极驱动区，所述第一子阻挡层至少覆盖所述第一凸起部，和/或，所述第二子阻挡层至少覆盖所述第二凸起部。

可选地，所述阻挡层的材料包括：氧化铟锡。

第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上述提供的显示基板。

附图说明

图1为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图。

图2a为图1所示的显示基板沿A-A’方向上的一种截面结构示意图。

图2b为图1所示的显示基板沿A-A’方向上的另一种截面结构示意图。

图3为图1所示的显示基板沿A-A’方向上的又一种截面结构示意图。

图4为图1所示的显示基板沿A-A’方向上的再一种截面结构示意图。

图5为图1所示的显示基板沿B-B’方向上的一种截面结构示意图。

图6为图1所示的显示基板沿B-B’方向上的另一种截面结构示意图。

图7为图1所示的显示基板沿B-B’方向上的又一种截面结构示意图。

图8为图1所述的显示基板沿C-C’方向上的一种截面结构示意图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

目前的显示基板具有显示区、设置于显示区至少一侧的栅极驱动区及设置于栅极驱动区一侧的边缘区。在显示区中一般设置有像素驱动电路，栅极驱动区中一般设置有栅极驱动电路，栅极驱动电路可以为像素驱动电路提供栅极信号，其中，栅极信号具体可以为扫描信号，也可以为发光控制信号。像素驱动电路可以在栅极驱动电路提供的栅极信号的控制下，将数据信号、电源信号等按照预设的时序输入每一行像素中，以驱动每一行像素中的发光器件进行发光，以实现显示功能。

其中，像素驱动电路可以由多个薄膜晶体管级联构成，多个薄膜晶体管可以按照相关技术中的像素驱动电路的结构进行级联，例如7T1C、8T1C、7T2C等像素驱动电路，在此不再进行详述。同样地，栅极驱动电路也可以由多个薄膜晶体管级联构成，多个薄膜晶体管可以按照相关技术中的栅极驱动电路的结构进行级联，在此不再进行详述。

一般地，薄膜晶体管包括：依次设置的半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间介质层、源极和漏极；源极和漏极同层设置。半导体层包括：第一导体部和第二导体部、及第一导体部和第二导体部之间的沟道部；源极通过贯穿层间介质层的过孔与第一导体部电连接，漏极通过贯穿层间介质层的过孔与第二导体部电连接。

由于薄膜晶体管中过孔的存在，使得源极和漏极所在的膜层的平坦化程度较差，为了便于与其上的其他膜层进行贴合，需要对源极和漏极所在的膜层进行平坦化处理。在对显示基板中的驱动电路结构等膜层进行平坦化时，一般采用有机树脂材料形成平坦化层，之后再采用无机材料形成平坦化层上的钝化层，以防止水氧等通过平坦化层侵入导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。

然而，考虑到有机树脂材料不耐高温及容易吸水受潮的热性，其上方的钝化层需要采用较低温的沉积方式形成，导致所形成的钝化层膜质较为疏松。同时，为了避免水氧等侵入，形成钝化层后，通过掩膜、刻蚀等工艺，在显示基板的边缘区形成隔断槽，但是，由于隔断槽的存在，使得钝化层在隔断槽的位置形成较大的段差，钝化层的覆盖性较差，有可能会引入水氧等导致过驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。另外，由于膜质的原因，在切割显示基板时受到切割应力的影响，边缘的膜层更容易发生粘附力下降，导致水氧等侵入造成显示不良。

另外，像素驱动电路的栅极信号一般由栅极所在的第一导电层传输，栅极驱动电路提供的栅极信号一般由源极和漏极所在的第二导电层传输，第一导电层和第二导电层之间设置有绝缘层，为了使得栅极驱动电路提供的栅极信号传输至像素驱动电路，第一导电层和第二导电层可以通过贯穿绝缘层的过孔连接。由于上述的过孔的存在，其上的钝化层在过孔处容易形成凸起部，使得钝化层在凸起部的位置形成较大的段差，钝化层的覆盖性较差，有可能会引入水氧等导致过驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。

为了至少解决上述的技术问题之一，本公开实施例提供了一种显示基板及显示装置，下面将结合附图及具体实施方式，对本公开实施例提供的显示基板及显示装置，进行进一步详细描述。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，图1为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图，如图1所示，该显示基板具有显示区10、至少设置于显示区10一侧的栅极驱动区20、及设置于栅极驱动区20一侧的边缘区30。

图2a为图1所示的显示基板沿A-A’方向上的一种截面结构示意图，图2b为图1所示的显示基板沿A-A’方向上的另一种截面结构示意图，如图2a和图2b所示，显示基板包括：基底201、位于基底201上由显示区10延伸至边缘区30的钝化层202。显示基板还包括：阻挡层203；阻挡层203的致密性高于钝化层202的致密性；在边缘区30，阻挡层203至少覆盖部分钝化层202。

在此需要说明的是，图2a所示的结构中，可以采用一次掩膜工艺即可形成图2a中的第一子阻挡层203a，其工艺较为简单，可以简化工艺步骤，节约制备成本。图2b所示的结构中，需要采用两次掩膜工艺，形成具有多个弯折形状的结构，但是其覆盖效果更佳，有利于进一步避免水氧等入侵。

基底201可以采用玻璃等刚性材料制成，可以提高基底201对其上的其他膜层的承载能力。当然，基底201还可以采用聚酰亚胺(polyimide，PI)等柔性材料制成，可以提高显示基板整体的抗弯折、抗拉伸性能，避免在弯折、拉伸、扭曲过程中产生的应力使得基底201发生断裂，造成断路不良。在实际应用中，可以根据实际需要，合理选择基底201的材料，以保证显示基板具有良好的性能。

钝化层202可以采用氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)中的至少一种材料制成，其可以形成由单一材料制成的单层结构，也可以形成由多种不同材料制成的多层结构(在本公开实施例中将以双层结构的钝化层202为例进行说明)。一般地，在形成钝化层202之前还形成有绝缘层(图中未示出)，为了避免钝化层202形成过程中对绝缘层造成损坏，钝化层202采用较低温度的沉积方式形成，这样钝化层202的致密性较差。

阻挡层203可以氧化铟锡(ITO)等无机材料制成，其形成过程中对于温度的要求不高，即使在较低温度下也可以形成致密性较好的膜层。当然，阻挡层203还可以采用其他无机材料制成，只要保证其致密性高于钝化层202的致密性即可，其具体材料在此不再一一进行列举。在边缘区30，阻挡层203可以至少覆盖部分钝化层202，以防止水氧等入侵至钝化层202内部。

本公开实施例提供的显示基板中，在边缘区30，阻挡层203可以至少覆盖部分钝化层202，由于阻挡层203的致密性较高，其可以段差较大的钝化层202进行完全覆盖，这样可以防止水氧等由边缘区30的钝化层202入侵导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。同时，在边缘区30，阻挡层203覆盖钝化层202，在切割过程中，阻挡层203可以对切割应力进行缓冲，避免钝化层202发生粘附力下降，从而可以进一步避免水氧等侵入造成显示不良。

在一些实施例中，如图2a和图2b所示，在边缘区30设置有隔断槽V，钝化层202被隔断槽V截断。

在边缘区30设置有隔断槽V，钝化层202被隔断槽V截断，隔断槽V可以对水氧等进行隔断，以防止水氧等入侵至钝化层202内部。

在此需要说明的是，显示区10中可以设置有像素驱动电路，栅极驱动区20可以设置在显示区10的一侧或者两侧，其中设置有栅极驱动电路，隔断槽V可以设置于边缘区30，围绕整个栅极驱动区20，为了便于显示区10中的像素驱动电路与驱动芯片连接，在边缘区30的部分位置不设置隔断槽V，以便于像素驱动电路与驱动芯片之间信号线的走线布置。

在一些实施例中，如图2a所示，钝化层202包括：沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b；阻挡层203包括：第一子阻挡层203a；在边缘区30，第一子阻挡层203a覆盖部分第一子钝化层202a背离基底201的一侧。如图2b所示，第一子阻挡层203a还可以覆盖部分第一子钝化层202a背离基底201的一侧和第一子钝化层202a靠近隔断槽V的侧面。

在实际应用中，钝化层202一般可以采用双层结构制成，即沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b。同时，阻挡层203可以采用单层结构制成，即第一子阻挡层203a。第一子阻挡层203a可以覆盖部分第一子钝化层202a背离基底201的一侧和和/或第一子钝化层202a靠近隔断槽V的侧面。例如，图2a中，第一子阻挡层203a仅覆盖部分第一子钝化层202a背离基底201的一侧，图2b中，第一子阻挡层203a还可以覆盖部分第一子钝化层202a背离基底201的一侧和第一子钝化层202a靠近隔断槽V的侧面。由于第一子钝化层203a的致密性较高，其可以对隔断槽V处的段差较大的第一子钝化层202a进行完全覆盖，这样可以防止水氧等由边缘区30的第一子钝化层202a入侵导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。同时，在边缘区30，第一子阻挡层203a覆盖第一子钝化层202a，在切割过程中，第一子阻挡层203a可以对切割应力进行缓冲，避免第一子钝化层202a发生粘附力下降，从而可以进一步避免水氧等侵入造成显示不良。

图3为图1所示的显示基板沿A-A’方向上的又一种截面结构示意图，如图3所示，钝化层202包括：沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b；阻挡层203包括：第二子阻挡层203b；在边缘区30，第二子阻挡层203b覆盖部分第二子钝化层202b背离基底201的一侧和/或第二子钝化层202b及第一子钝化层202a靠近隔断槽V的侧面。

在实际应用中，钝化层202一般可以采用双层结构制成，即沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b。同时，阻挡层203可以采用单层结构制成，即第二子阻挡层203b。第二子阻挡层203b可以覆盖部分第二子钝化层202b背离基底201的一侧和/或第二子钝化层202b及第一子钝化层202a靠近隔断槽V的侧面。由于第二子钝化层203b的致密性较高，其可以对隔断槽V处的段差较大的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b进行完全覆盖，这样可以防止水氧等由边缘区30的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b入侵导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。同时，在边缘区30，第二子阻挡层203b覆盖第一子钝化层202a和第二子钝化层202b，在切割过程中，第二子阻挡层203b可以对切割应力进行缓冲，避免第一子钝化层202a和第二子钝化层202b发生粘附力下降，从而可以进一步避免水氧等侵入造成显示不良。

图4为图1所示的显示基板沿A-A’方向上的再一种截面结构示意图，如图4所示，钝化层202包括：沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b；阻挡层203包括：第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b；在边缘区30，第一子阻挡层203a覆盖部分第一子钝化层202a背离基底201的一侧和/或第一子钝化层202a靠近隔断槽V的侧面，第二子阻挡层203b覆盖部分第二子钝化层202b和/或第二子钝化层202b靠近隔断槽V的侧面。

在实际应用中，钝化层202一般可以采用双层结构制成，即沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b。同时，阻挡层203可以采用双层结构制成，即第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b。第一子阻挡层203a覆盖部分第一子钝化层202a背离基底201的一侧和/或第一子钝化层202a靠近隔断槽V的侧面，第二子阻挡层203b覆盖部分第二子钝化层202b和/或第二子钝化层202b靠近隔断槽V的侧面。由于第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b的致密性较高，其可以对隔断槽V处的段差较大的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b分别进行完全覆盖，这样可以防止水氧等由边缘区30的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b入侵导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。同时，在边缘区30，第一子阻挡层203a覆盖第一子钝化层202a，第二子阻挡层203b覆盖第二子钝化层202b，在切割过程中，第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b可以对切割应力进行缓冲，避免第一子钝化层202a和第二子钝化层202b发生粘附力下降，从而可以进一步避免水氧等侵入造成显示不良。

在一些实施例中，如图4所示，在隔断槽V处，第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b连接在一起。

第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b连接在一起，可以避免二者之间形成缝隙，避免水氧等通过二者之间的缝隙入侵造成显示不良。

在此需要说明的是，隔断槽V的宽度可以为50微米至100微米，在保证显示基板具有较窄的边框的同时，使得隔断槽V具有一定的阻挡水氧的能力。阻挡层203在边缘区30延伸的宽度可以为50微米至100微米。其可以在覆盖部分钝化层202的同时，可以覆盖隔断槽V的部分区域，以保证对钝化层202的完全包覆，避免水氧等侵入。

图5为图1所示的显示基板沿B-B’方向上的一种截面结构示意图，如图5所示，显示基板还包括：位于基底201上设置于栅极驱动区20的第一导电层204和第二导电层205、及第一导电层204和第二导电层205之间的绝缘层206；第一导电层204和第二导电层205通过贯穿绝缘层206的过孔连接；钝化层202在过孔周围形成凸起部A；在栅极驱动区20，阻挡层203至少覆盖凸起部A。

在栅极驱动区20中，一般形成有用于传输信号的走线结构，具体地，该走线结构可以为时钟(Clock)信号走线等。该走线结构可以分为两部分，其中一部分可以采用第一导电层205形成，另一部分采用第二导电层206形成。第一导电层205和第二导电层206之间通过贯穿绝缘层206的过孔电连接。

钝化层202在过孔处容易形成凸起部A，使得钝化层202在凸起部A的位置形成较大的段差，阻挡层203可以覆盖凸起部A。由于阻挡层203的致密性较高，其可以对凸起部A处的段差较大的钝化层202进行完全覆盖，这样可以防止水氧等由栅极驱动区20的钝化层202入侵导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。

在一些实施例中，如图5所示，钝化层202包括：沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b；阻挡层203包括：第一子阻挡层203a；第一子钝化层202a在过孔周围形成第一凸起部A1；在栅极驱动区20，第一子阻挡层203a至少覆盖第一凸起部A1。

在实际应用中，钝化层202一般可以采用双层结构制成，即沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b。同时，阻挡层203可以采用单层结构制成，即第一子阻挡层203a。第一子阻挡层203a可以覆盖第一子钝化层202a的第一凸起部A1。由于第一子阻挡层203a的致密性较高，其可以对第一凸起部A1处的段差较大的第一子钝化层202a进行完全覆盖，这样可以防止水氧等由栅极驱动区20的第一子钝化层202a入侵导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。

图6为图1所示的显示基板沿B-B’方向上的另一种截面结构示意图，如图6所示，钝化层包202括：沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b；阻挡层203包括：第二子阻挡层203b；第二子钝化层202b在过孔周围形成第二凸起部A2；在栅极驱动区20，第二子阻挡层203b至少覆盖第二凸起部A2。

在实际应用中，钝化层202一般可以采用双层结构制成，即沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b。同时，阻挡层203可以采用单层结构制成，即第二子阻挡层203b。第二子阻挡层203b可以覆盖第二子钝化层202b的第二凸起部A2。由于第二子阻挡层203b的致密性较高，其可以对第二凸起部A2处的段差较大的第二子钝化层202b进行完全覆盖，这样可以防止水氧等由栅极驱动区20的第二子钝化层202b入侵导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。

图7为图1所示的显示基板沿B-B’方向上的又一种截面结构示意图，如图7所示，钝化层202包括：沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b；阻挡层203包括：第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b；第一子钝化层202a在过孔周围形成第一凸起部A1，第二子钝化层202b在过孔周围形成第二凸起部A2；在栅极驱动区20，第一子阻挡层203a至少覆盖第一凸起部A1，第二子阻挡层203b至少覆盖第二凸起部A2。

在实际应用中，钝化层202一般可以采用双层结构制成，即沿着背离基底201方向依次设置的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b。同时，阻挡层203可以采用双层结构制成，即第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b。第一子阻挡层203a可以覆盖第一子钝化层202a的第一凸起部A1，第二子阻挡层203b可以覆盖第二子钝化层202b的第二凸起部A2。由于第一子阻挡层203a和第二子阻挡层203b的致密性较高，其可以分别对第一凸起部A1和第二凸起部A2处的段差较大的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b进行完全覆盖，这样可以防止水氧等由栅极驱动区20的第一子钝化层202a和第二子钝化层202b入侵导致驱动电路结构中的膜层腐蚀造成显示不良。

在此需要说明的是，为了便于展示，显示基板中的各个膜层整体的结构可以如图8所示。图8中仅以钝化层202的结构为双层结构，阻挡层203的结构为双层结构为例进行展示，其他的单层结构的膜层示意图类似，不再进行详细描述。其实现原理可以参照上述的描述，在此不再进行赘述。

第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括如上述任一实施例提供的显示基板。该显示装置具体可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，其实现原理及有益效果与上述的显示基板的实现原理及有益效果相同，在此不再进行赘述。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。