复合材料、薄膜、光电器件及其制备方法

技术领域

本申请涉及光电器件领域，具体涉及一种复合材料、薄膜、光电器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light-Emitting Diodes，QLED)是采用量子点作为发光源的一种光电器件。一般基本结构为空穴功能层、发光层以及电子功能层组成的多层的结构，其发光原理为：在外界电场的驱动下，空穴和电子克服界面障碍分別进入发光层的价带能级和导带能级，当从激发态而回到稳定的基态时，释放出光子从而发光。因具有发射波长可调、发射带宽窄、发光效率高以及低成本等优点，受到越来越多科研工作者的关注。

目前，经过多年的发展，以量子点发光二极管为代表的光电器件技术获得了很大的突破与发展，然而仍存在很多需要解决的问题，空穴功能材料存在导热性能不佳的问题。

发明内容

鉴于此，本申请实施例提供一种复合材料、薄膜、光电器件及其制备方法，旨在改善空穴功能材料的导热性能不佳的问题。

第一方面，本申请提供一种复合材料，包括：空穴功能材料和导热系数为0.2～5500W/(m·K)的导热材料。

可选的，所述导热材料为金属、无机导热材料或有机导热材料中的至少一种，所述金属选自Ag、Cu、Al、Fe中的至少一种；所述无机导热材料选自石墨烯、Si

可选的，在所述复合材料中，所述导热材料的摩尔百分数为2％～5％。

可选的，述空穴功能材料为第一空穴注入材料或第一空穴传输材料。

可选的，所述第一空穴传输材料选自：TFB、NPD、PVK以及TAPC中的至少一种；和/或，所述第一空穴注入材料选自：PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HAT-CN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的至少一种。

可选的，所述复合材料由所述空穴功能材料和所述导热材料构成。

第二方面，本申请还提供一种薄膜，所述薄膜的材料选自第一方面所述的复合材料。

第三方面，本申请还提供一种光电器件，包括层叠设置的阳极、空穴功能层、发光层以及阴极，所述空穴功能层包括第二方面所述的薄膜。

可选的，所述空穴功能层的厚度为100nm～200nm。

可选的，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极的一侧，所述空穴传输层靠近所述发光层的一侧，所述空穴注入层或所述空穴传输层中的至少一层包括所述薄膜。

可选的，所述发光层的材料包括量子点，所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I-III-VI族化合物选自CuInS

所述阴极材料选自：Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极中的至少一种；和/或，所述阳极材料选自金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO及AMO中的至少一种，所述复合电极为AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO

第四方面，本申请提供一种光电器件的制备方法，包括：

提供阳极；在所述阳极上依次制备空穴功能层、发光层和阴极，得到所述光电器件；

或提供阴极；在所述阴极上依次制备发光层、空穴功能层和阳极，得到所述光电器件；

其中，所述空穴功能层中含有导热系数为0.2～5500W/(m·K)的导热材料。

可选的，所述制备空穴功能层包括：提供包含所述导热材料的溶液，然后将所述溶液设置在所述发光层或所述阳极上成膜，并干燥处理，得到所述空穴功能层。

有益效果：

本申请公开了一种复合材料，该复合材料包括空穴功能材料和导热系数为0.2～5500W/(m·K)的导热材料，通过加入导热材料，可以增加该复合材料的导热能力，并且还能维持较好的空穴功能的特性，具有较好的应用前景。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是光电器件在测试过程中出现烧点现象的示意图；

图2是本申请实施例提供的一种正型光电器件的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种反型光电器件的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的一种正型光电器件的制备流程图；

图5是本申请实施例提供的一种反型光电器件的制备流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种复合材料、薄膜、光电器件及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本申请的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

发明人研究发现，在光电器件通电测试过程中，随着测试时间进行，一部分电能会转化为热能，导致器件发热温度逐渐升高，其中空穴功能层中的空穴功能材料的耐高温与导热性能均较差，随着测试时间的增加，热量积累越多，最终可能导致器件在测试过程中出现烧点现象(如图1所示)，器件报废，影响器件的良率会导致器件寿命大大缩短，稳定性大大降低。

鉴于此，本申请实施例提供一种复合材料，所述复合材料包括：空穴功能材料和导热系数为0.2～5500W/(m·K)的导热材料。

空穴功能材料在经过150℃的温度条件下，热处理30min以上，性能会逐渐衰减，而在光电器件中，相邻的阳极20和发光层50的材料耐高温能力都要远强于空穴功能材料(发光能承受230℃以上高温，阳极20能承受400℃以上高温)，因此，提升空穴功能材料的导热能力对于提升器件的寿命和稳定性尤为重要，发明人通过在复合材料中加入导热材料提高导热能力，该导热材料的导热能力需要强于目前的空穴功能材料，且还能让空穴功能材料能够承受230℃的温度测试。因此综合考虑了各方面的因素，发明人研究发现，导热系数0.2～5500W/(m·K)导热材料满足以上要求，并且还能维持较好的空穴功能的特性。可以理解的是，所述导热材料的导热系数可以为该范围内的任意值，例如：0.2W/(m·K)、1W/(m·K)、5W/(m·K)、10W/(m·K)、50W/(m·K)、100W/(m·K)、150W/(m·K)、200W/(m·K)、250W/(m·K)、300W/(m·K)、350W/(m·K)、400W/(m·K)、450W/(m·K)、500W/(m·K)、550W/(m·K)、600W/(m·K)、1000W/(m·K)、1500W/(m·K)、2000W/(m·K)、2500W/(m·K)、3000W/(m·K)、3500W/(m·K)、4000W/(m·K)、4500W/(m·K)、5000W/(m·K)、5500W/(m·K)等，或该范围内其他未列出的数值。

本申请中导热系数具有本领域已知的含义，是指在稳定传热条件下，1m厚的材料，两侧表面的温差为1度(K，℃)，在一定时间内，通过1平方米面积传递的热量，单位为瓦/米·度W/(m·K)。本申请中材料的导热系数可以是本领域公认的已知材料的导热系数，或者根据ASTMD5470或ISO22007-2:2015等方法进行测定，只要任一方法测定的导热系数在本申请所限定的范围内，均可用于实现本申请的目的。

在一些实施例中，所述导热材料为金属、无机导热材料或有机导热材料中的至少一种，所述金属选自银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)中的至少一种；所述无机导热材料选自石墨烯、氮化硅(Si

在一些实施例中，在所述复合材料中，所述导热材料的摩尔百分数为2％～5％。在这个范围内，可以获得更好的导热效果，另一方面还可以降低对器件的光子射出率和空穴注入能力的影响，可以理解的是，所述导热材料的摩尔百分数为2％～5％范围内的任意值，例如2％、2.3％、2.5％、2.8％、3％、3.2％、3.5％、3.8％、4％、4.3％、4.5％、4.8％、5％等，或是2％～5％范围内其他未列出的数值。

需要说明的是，所述空穴功能材料是指具有空穴传输性能或者空穴注入性能的材料，例如，在一些实施例中，所述空穴功能材料为第一空穴注入材料或第一空穴传输材料。

在一些实施例中，所述复合材料由所述空穴功能材料和所述导热材料构成。但不限于此，所述复合材料中还可以包括其他的材料，例如：在另一些实施例中，所述复合材料中还包括第二空穴注入材料，或者还包括第二空穴传输材料。

相应的，本申请实施例还提供一种薄膜，所述薄膜的材料选自以上复合材料。

相应的，如图2和图3所示，本申请实施例还提供一种光电器件，包括层叠设置的阳极20、空穴功能层、发光层50以及阴极70；

其中，所述空穴功能层中含有所述薄膜，从而增强空穴功能层的导热能力，避免因温度过高导致的器件失效的现象。

本申请实施例通过在光电器件的空穴功能层中加入导热系数为0.2～5500W/(m·K)的导热材料，可以增加其导热能力，避免因温度过高导致的器件失效的现象，提高器件的寿命和稳定性等性能，具有较好的应用前景。

在一些实施例中，所述空穴功能层包括空穴注入层30和空穴传输层40，所述空穴注入层30靠近所述阳极20的一侧，所述空穴传输层40靠近所述发光层50的一侧，所述空穴注入层30或所述空穴传输层40中的至少一层包括所述薄膜。例如，在一些实施例中，所述空穴注入层30包括所述薄膜，在另一些实施例中，所述空穴传输层40中包括所述薄膜，在另一些实施例中，所述空穴注入层30和所述空穴传输层40均包括所述薄膜。具体的，当所述空穴注入层30包括所述薄膜时，所述复合材料中的空穴功能材料为第一空穴注入材料；当所述空穴传输层40包括所述薄膜时，所述复合材料中的空穴功能材料为第一空穴传输材料；当所述空穴注入层30和所述空穴传输层40均包括所述薄膜时，所述空穴功能材料在所述空穴注入层30和所述空穴传输层40中分别为第一空穴注入材料或第一空穴传输材料。

在一些实施例中，所述空穴功能层由所述薄膜构成。例如，所述空穴传输层40由所述薄膜构成，或者所述空穴注入层30由所述薄膜构成，或者所述空穴传输层40和所述空穴注入层30均由所述薄膜构成。

由于空穴功能层的导热能力不仅与导热系数有关，还与其厚度有关，例如导热能力＝导热系数/热阻，即φ＝K/R，其中热阻值和厚度有关，因此，在一些实施例中，所述空穴功能层的厚度为100nm～200nm(纳米)，在一些具体实施例中，所述空穴注入层30的厚度为50nm～100nm，所述空穴传输层40的厚度为50nm～100nm。在这个厚度范围内，器件的寿命提升的更明显，且还能降低对空穴功能层性能的影响，可以理解的是，所述空穴功能层的厚度为100nm～200nm范围内的任意值，例如100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm、200nm，或是100nm～200nm范围内的任意值。

本申请实施例所述光电器件可以是正型结构，也可以是反型结构。在光电器件中，阴极70或阳极20远离所述发光层50一侧还包括衬底10，在正型结构中阳极20设置在衬底10上，在反型结构中阴极70设置在衬底10上。无论是正型结构，还是反型结构，在所述阳极20和所述发光层50之间均还可以设置电子阻挡层，在所述阴极70和所述发光层50之间均还可以设置电子注入层、电子传输层60和空穴阻挡层。

图2示出了本申请实施例所述光电器件的一种正型结构示意图，如图2所示，所述正型结构光电器件包括衬底10、设在所述衬底10表面的阳极20、设在所述阳极20表面的空穴注入层30、设置在所述空穴注入层30表面的空穴传输层40、设在所述空穴传输层40表面的发光层50、设在所述发光层50表面的电子传输层60及设在所述电子传输层60表面的阴极70。

图3示出了本申请实施例所述光电器件的一种反型结构示意图，如图3所示，所述反型结构光电器件包括衬底10、设在所述衬底10表面的阴极70、设在所述阴极70表面的电子传输层60、设在所述电子传输层60表面的发光层50、设在所述发光层50表面的空穴传输层40及设在所述空穴传输层40表面的空穴注入层30以及阳极20。

本申请各实施例中，各个功能层的材料可以为以下材料：

所述衬底10可以是刚性衬底，也可以是柔性衬底。具体材料可以包括玻璃、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜中的至少一种。

所述发光层50的材料包括量子点，所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I-III-VI族化合物选自CuInS

所述第一空穴注入材料选自但不限于：聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、酞菁铜(CuPc)、四氟-四氰基-醌二甲烷(F4-TCNQ)、六氮杂苯并菲-己腈(HAT-CN)、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的至少一种。

所述第一空穴传输材料选自但不限于：聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、N,N′-二萘基-N,N′-二苯基联苯胺(NPD)、聚乙烯咔唑(PVK)以及4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)中的至少一种。

所述电子传输层60中的材料选自但不限于：ZnO，SnO

所述阴极70材料选自但不限于：Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极中的至少一种；和/或，所述阳极20材料选自金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO及AMO中的至少一种，所述复合电极为AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO

本申请还提供一种光电器件的制备方法，图4示出了本申请实施例所述光电器件的一种正型结构的制备方法，如图4所示，正型结构的光电器件包括：

S10.提供阳极；

S20.在所述阳极上依次制备空穴功能层、发光层和阴极，得到所述光电器件；其中，所述空穴功能层中含有导热系数为0.2～5500W/(m·K)的导热材料。

图5示出了本申请实施例所述光电器件的一种反型结构的制备方法，如图5所示，反型结构的光电器件包括：

S100.提供阴极；

S200.在所述阴极上依次制备发光层、空穴功能层和阳极，得到所述光电器件；其中，所述空穴功能层中含有导热系数为0.2～5500W/(m·K)的导热材料。

阳极、空穴功能层、发光层以及阴极等各功能层的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法，其中，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。

在一些实施例中，所述制备空穴功能层包括：提供包含所述导热材料的溶液，将所述溶液设置在所述发光层或所述阳极上成膜，并干燥处理，形成空穴功能层。

在一些实施例中，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极的一侧，所述空穴传输层靠近所述发光层的一侧，所述空穴注入层中还含有第一空穴注入材料，所述空穴传输层中还含有第一空穴传输材料。在正型结构的光电器件中，所述制备空穴功能层包括：

提供含有导热材料和第一空穴注入材料的混合溶液；然后将所述含有导热材料和第一空穴注入材料的混合溶液设置在所述阳极上成膜，并干燥处理，形成空穴注入层；

提供含有导热材料和第一空穴传输材料的混合溶液；然后将所述含有导热材料和第一空穴传输材料的混合溶液设置在所述空穴注入层上成膜，并干燥处理，形成空穴传输层。

在反型结构的光电器件中，所述制备空穴功能层包括：

提供含有导热材料和第一空穴传输材料的混合溶液；然后将所述含有导热材料和第一空穴传输材料的混合溶液设置在所述发光层上成膜，并干燥处理，形成空穴传输层；

提供含有导热材料和第一空穴注入材料的混合溶液；然后将所述混合溶液设置在所述空穴传输层上成膜，并干燥处理，形成空穴注入层。

可以理解的是，发光器件的制备方法还可以包括封装步骤，封装材料可以是丙烯酸树脂或环氧树脂，封装可以是机器封装或手动封装，进行封装步骤的环境中氧气和水的浓度均低于0.1ppm。

本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例中任意一种的光电器件或包括本申请实施例中任意一种制备方法制备的光电器件。显示装置可以应用于任何具有显示功能的电子产品，电子产品包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(Virtual Reality,VR)头盔等。

本申请的一些实施例中，所述光电器件为量子点发光二极管(QLED)。

下面通过具体实施例、对比例和验证例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。

实施例1：

本实施例提供一种QLED器件，该器件的结构为由下至上依次堆叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。其中空穴注入层材料为PEDOT:PSS，厚度为70nm；空穴传输层材料为TFB，厚度为70nm；发光层材料为：核壳结构的CdZnSe/CdZnSe/ZnSeS/ZnS，厚度为100nm。电子传输层材料为ZnO(掺杂Mg5％)，厚度为100nm。

阴极和阳极电极通过蒸镀法制备，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层通过旋涂法制备。

其中，空穴传输层中混入金属Ag，摩尔百分比为2％。

实施例2：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层中混入金属Ag的摩尔百分比为3％。

实施例3：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层中混入金属Ag的摩尔百分比为4％。

实施例4：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层中混入金属Ag的摩尔百分比为5％。

实施例5：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层中混入石墨烯，摩尔百分比为2％。

实施例6：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入石墨烯，摩尔百分比为3％。

实施例7：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入石墨烯，摩尔百分比为4％。

实施例8：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入石墨烯，摩尔百分比为5％。

实施例9：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入硅脂，摩尔百分比为2％。

实施例10：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入硅脂，摩尔百分比为3％。

实施例11：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入硅脂，摩尔百分比为4％。

实施例12：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入硅脂，摩尔百分比为5％。

实施例13：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层以及空穴注入层溶液中均混入石墨烯，摩尔百分比为2％。

实施例14：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入石墨烯以及硅脂混合物，石墨烯摩尔百分比为2％，硅脂摩尔百分比为3％。

实施例15：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入Ag以及石墨烯混合物，石墨烯摩尔百分比为2％，Ag摩尔百分比为4％。

实施例16：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中混入硅脂以及Ag混合物，硅脂摩尔百分比为3％，Ag摩尔百分比为4％。

实施例17：

本实施例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本实施例与实施例1的区别在于，本实施例仅空穴注入层溶液中混入导热材料，具体为石墨烯，墨烯摩尔百分比为2％。

对比例1：

本对比例提供一种QLED器件，相较于实施例1，本对比例与实施例1的区别仅在于，空穴传输层溶液中不混入导热材料。

验证例1：QLED器件相关光电性能测试。

分别测试实施例1至实施例17以及对比例1制备的QLED器件在通电下的发光效率CE@max、CE@1knit、寿命LT95@1000nit，结果如表1所示：

表1

从表1中可以看出：在空穴功能层中混入导热材料后，器件发光效率并无明显增强，但器件测试寿命得到很大提高，例如当Ag摩尔百分比为4％时，寿命最高为1.45Whs；石墨烯摩尔百分比为2％时，寿命最大为1.6Whs；硅脂的摩尔百分比为3％时，寿命最大为1.29Whs。这是由于混入导热材料后，增强空穴功能层的导热能力所导致的。

将实施例5与实施例17比较，相比于在空穴传输层混入2％石墨烯的QLED器件，在空穴注入层混入2％石墨烯的QLED器件，器件的效率与寿命更优，说明将导热材料混入至空穴传输层更优，这是因为空穴传输层与发光层直接接触，将空穴传输层的热量导出后，性能提升的更加显著。

验证例2：QLED器件的光电性能测试。

以25片为一组，每片器件4个点，一组100个发光点，统计实施例1至实施例17以及对比例1中的器件在持续测试48h过程中烧点率以及淬灭率，统计结果如下表2所示：

表2

从表2中可以看出：在空穴功能层混入导热材料后，器件的烧点率以及猝灭率大幅下降，例如当Ag摩尔百分比为4％时，烧点率为20％，淬灭率为10％。说明在空穴功能层中加入导热材料后，器件的导热性能以及受热能力有很大提升；此外，还可以看出，在导热材料的选择上，石墨烯的混入量最少但导热效果最佳。

以上对本申请实施例所提供的一种复合材料、薄膜、光电器件及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。