基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种对基板进行利用处理液的蚀刻等表面处理的基板处理装置。作为处理对象的基板例如包括半导体基板、液晶显示装置用基板、flat panel display(FPD)用基板、光盘用基板、磁盘用基板或太阳能电池用基板等。

背景技术

以往，在半导体装置的制造工序中，使用对半导体基板等基板进行各种处理的基板处理装置。作为这样的基板处理装置之一，已知有在处理槽内贮存处理液，将多个基板一并浸渍在该处理液中而进行蚀刻处理等的批量式的基板处理装置。

在专利文献1中公开了在处理槽内设置向保持于基板保持部的多个基板的下方吐出处理液的处理液吐出部以及供给气泡的气泡供给部。除了处理液的吐出，还向处理液中供给气泡，由此处理槽内的处理液的流速变快，基板的表面处理的效率提高。

另一方面，近年来，对可持续的开发目标(SDGs)的努力也受到关注，寻求尽可能地减少废弃的处理液的省液。为了应对这样的要求，正在研发能够以更少量的处理液进行基板处理的处理槽。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2021-106254号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在这样的削减了容量的处理槽中，由于处理槽的尺寸变小，因此气泡供给部的配置受到限制。具体而言，无法在保持并升降多个基板的升降器的可动范围内设置气泡供给部。因此，气泡供给部的配置产生偏差，其结果，无法向基板的表面均匀地供给气泡，产生基板处理的面内均匀性受损的问题。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够一边抑制与升降器的干涉一边向基板的表面均匀地供给气泡的基板处理装置。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，方案1的发明是一种基板处理装置，其对基板进行利用处理液的表面处理，该基板处理装置的特征在于，具备：处理槽，其贮存处理液；处理液供给部，其向所述处理槽内供给处理液；冲孔板，其设置于所述处理槽内，形成从所述处理液供给部供给的处理液的层流；升降器，其保持并升降基板，将所述基板浸渍于贮存于所述处理槽的处理液中；以及多个管状的气泡供给管，其在所述处理槽的内部配置于所述冲孔板的上方，从保持于所述升降器的所述基板的下方向贮存于所述处理槽的处理液供给气泡，在所述冲孔板形成有凹部，所述多个气泡供给管的一部分配置于所述凹部的内侧。

另外，方案2的发明根据方案1的发明的基板处理装置，其特征在于，所述升降器的下端形成为V字型，所述凹部形成于所述冲孔板的中央部。

另外，方案3的发明根据方案1或2的发明的基板处理装置，其特征在于，所述多个气泡供给管由氟树脂形成，还具有支撑部件，该支撑部件将所述多个气泡供给管分别支撑于所述冲孔板的上方。

发明效果

根据方案1至方案3的发明，在冲孔板形成有凹部，多个气泡供给管的一部分配置于凹部的内侧，因此能够一边抑制与升降器的干涉一边配置多个气泡供给管向基板的表面均匀地供给气泡。

特别地，根据方案3的发明，多个气泡供给管由氟树脂形成，还具备将多个气泡供给管分别支撑于冲孔板的上方的支撑部件，因此能够抑制气泡供给管的挠曲，提高直行性。

附图说明

图1是表示本发明的基板处理装置的整体结构的图解性的俯视图。

图2是表示图1的基板处理装置的处理部的结构的图。

图3是表示升降器上升的状态的图。

图4是表示升降器下降的状态的图。

图5是从处理槽的底部观察喷嘴、分散板以及冲孔板的图。

图6是表示八根气泡供给管相对于冲孔板的配置的立体图。

图7是表示冲孔板及八根气泡供给管的结构的主视图。

图中：

10—处理槽，11—内槽，12—外槽，15—分散板，20—升降器，22—背板，22a—前端部，30—处理液供给部，31—喷嘴，33—泵，50—气泡供给部，51—气泡供给管，53—气体供给机构，58—支撑导向件，60—冲孔板，61—处理液孔，65—凹部，70—控制部，80—药液供给部，90—纯水供给部，100—基板处理装置，W—基板。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。以下，只要没有特别说明，表示相对或绝对的位置关系的表达(例如，“在一方向上”、“沿着一方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”、“同轴”等)不仅严格地表示其位置关系，还表示在公差或者能够得到同程度的功能的范围内相对地在角度或距离上进行了位移的状态。另外，只要没有特别说明，表示相等的状态的表现(例如，“相同”、“相等”、“均质”等)不仅表示定量地严格相等的状态，还表示存在公差或能够得到同程度的功能的差的状态。另外，只要没有特别说明，表示形状的表现(例如，“圆形状”、“四边形状”、“圆筒形状”等)不仅在几何学上严格地表示其形状，也可以表示能够得到同程度的效果的范围的形状，例如具有凹凸或倒角等。另外，“配备”、“具有”、“具备”、“包括”、“有”构成要素这样的各表达并非除去其他构成要素的存在的排他性的表现。另外，“A、B以及C中的至少一个”这样的表达包含“仅A”、“仅B”、“仅C”、“A、B以及C中的任意两个”、“A、B以及C的全部”。

图1是表示本发明的基板处理装置100的整体结构的图解性的俯视图。基板处理装置100是对多张半导体基板等基板W一并进行利用处理液的表面处理的批量式的基板处理装置。此外，在图1以及以后的各图中，为了容易理解，根据需要将各部分的尺寸、数量夸张或简化地描绘。另外，在图1以及以后的各图中，为了明确它们的方向关系，适当标注了将Z轴方向设为铅垂方向、将XY平面设为水平面的XYZ正交坐标系。

基板处理装置100主要具备装载端口110、搬出/搬入机器人140、姿势转换机构150、推动器160、主搬送机器人180、基板处理部组120、交接盒170以及控制部70。

装载端口110设置在俯视下形成为大致长方形的基板处理装置100的端部。在装载端口110载置有容纳通过基板处理装置100处理的多张基板(以下，简称为“基板”)W的搬送器C。容纳有未处理的基板W的搬送器C由无人搬送车(AGV、OHT)等搬送而载置于装载端口110。另外，容纳有处理完毕的基板W的搬送器C也由无人搬送车从装载端口110带走。

就搬送器C而言，典型地，是将基板W收纳于密闭空间的FOUP(front openingunified pod)。搬送器C利用设于其内部的多个保持架将多个基板W保持为以水平姿势(法线沿着铅垂方向的姿势)在铅垂方向(Z方向)上以恒定间隔层叠排列的状态。搬送器C的最大容纳张数为25张或50张。此外，作为搬送器C的形态，除了FOUP，也可以是SMIF(StandardMechanical Inter Face)晶盒、将收纳的基板W暴露于外部空气的OC(open cassette)。

在基板处理装置100的主体部与装载端口110的边界部分设置有晶盒开启器(未图示)等。晶盒开启器对载置于装载端口110的搬送器C的前表面的盖进行开闭。

搬出/搬入机器人140在载置于装载端口110的搬送器C的盖开放的状态下，从该搬送器C向基板处理装置100的主体部搬入未处理的基板W，并且从基板处理装置100的主体部向搬送器C搬出处理完毕的基板W。更具体而言，搬出/搬入机器人140在搬送器C与姿势转换机构150之间进行基板W的搬送。搬出/搬入机器人140构成为能够在水平面内旋转，并且可进退移动地具备批量机械手(未图示)，该批量机械手是将分别能够保持一张基板W的机械手要素层叠多层而成的。

姿势转换机构150使从搬出/搬入机器人140接收到的基板W转动90°，将该基板W的姿势从水平姿势转换为立起姿势(法线沿着水平方向的姿势)。另外，姿势转换机构150在向搬出/搬入机器人140交付基板W之前，将该基板W的姿势从立起姿势转换为水平姿势。

推动器160配置在姿势转换机构150与交接盒170之间。推动器160在姿势转换机构150与设置于交接盒170的升降台(未图示)之间进行立起姿势的基板W的交接。

交接盒170和基板处理部组120沿着X方向配置成一列。基板处理部组120具备五个处理部121、122、123、124、125。处理部121～125是对基板W进行各种表面处理的基板处理装置100的主要部分。如图1所示，在基板处理装置100内，按照处理部121、122、123、124、125的顺序从(+X)侧配置。处理部121、122、123、124分别具备贮存处理液的处理槽10。

处理部121以及处理部123分别贮存同种或不同种的药液，使多个基板W一并浸渍于该药液中，进行蚀刻处理等药液处理。另外，处理部122以及处理部124分别贮存冲洗液(典型地，纯水)，使多个基板W一并浸渍在该冲洗液中，进行冲洗处理。

在基板处理部组120中，处理部121和处理部122成对，处理部123和处理部124成对。而且，对处理部121与处理部122的对设有作为专用的搬送机构的一个升降器20。升降器20能够在处理部121与处理部122之间沿X方向移动。同样地，对处理部123与处理部124的对设有作为专用的搬送机构的一个升降器20。

升降器20保持从主搬送机器人180接收到的多个基板W，并使该基板W浸渍于在处理部121的处理槽10中所贮存的药液中。药液处理结束后，升降器20从处理部121将基板W提起并移送至处理部122，使基板W浸渍于在处理部122的处理槽所贮存的冲洗液中。在冲洗处理结束后，升降器20从处理部122将基板W提起并交付给主搬送机器人180。

处理部125具备：将密闭的干燥腔室内减压至小于大气压的机构；向该干燥腔室内供给有机溶剂(例如异丙醇(IPA))的机构；以及升降器20。处理部125将由升降器20从主搬送机器人180接收到的基板W容纳在干燥腔室内，且一边使该干燥腔室内成为负压气氛，一边向基板W供给有机溶剂，使基板W干燥。干燥处理后的基板W经由升降器20交接至主搬送机器人180。

交接盒170配置于位于待机位置(图1的主搬送机器人180的位置)的主搬送机器人180的下方。交接盒170具有未图示的升降台。该升降台使从推动器160接收到的基板W保持立起姿势地上升并交付给主搬送机器人180。另外，升降台使从主搬送机器人180接收到的基板W下降并交付给推动器160。

如图1的箭头AR1所示，主搬送机器人180构成为沿着X方向滑行移动。主搬送机器人180在交接盒170的上方的待机位置与处理部121、122、123、124、125中的任一个的上方的处理位置之间搬送基板W。

主搬送机器人180具备将多个基板W一并把持的一对基板卡盘181。主搬送机器人180通过缩小一对基板卡盘181的间隔，能够一并把持多个基板W，通过扩大基板卡盘181的间隔，能够解除把持状态。通过这样的结构，主搬送机器人180能够对交接盒170的升降台进行基板W的交接，并且能够与设置于基板处理部组120的各升降器20进行基板W的交接。

接着，对设于基板处理装置100的处理部121的结构进行说明。在此，对处理部121进行说明，但处理部123也具备同样的结构。图2是表示处理部121的结构的图。如图2所示，处理部121主要具备：处理槽10，其贮存处理液；升降器20，其保持多张基板W并上下升降；处理液供给部30，其向处理槽10内供给处理液；排液部40，其从处理槽10排出处理液；以及气泡供给部50，其向贮存于处理槽10的处理液中供给气泡。

处理槽10是由石英等耐药性的材料构成的贮存容器。处理槽10具有双层槽构造，包括：内槽11，其贮存处理液并使基板W浸渍于其内部；以及外槽12，其形成于内槽11的上端外周部。内槽11和外槽12分别具有向上打开的上部开口。外槽12的上缘的高度比内槽11的上缘的高度高。若在处理液贮存到内槽11的上端的状态下从处理液供给部30进一步供给处理液，则处理液从内槽11的上部溢出而向溢流到外槽12。本实施方式的处理槽10是降低了所使用的处理液的量的省液规格的处理槽，内槽11的容量比较小。

在本说明书中，“处理液”是包含各种药液和纯水的概念的用语。作为药液，例如，包括用于进行蚀刻处理的液体、或者用于除去颗粒的液体等，具体而言，使用四甲基氢氧化铵(TMAH)、SC-1液(氢氧化铵、过氧化氢水以及纯水的混合溶液)、SC-2液(盐酸、过氧化氢水以及纯水的混合溶液)或磷酸等。药液也包括被纯水稀释后的药液。

升降器20是用于将基板W一边保持一边上下搬送的搬送机构。升降器20具有沿铅垂方向(Z方向)延伸的背板22以及从背板22的下端沿水平方向(Y方向)延伸的三根保持棒21。背板22的下端形成为V字型。即，背板22的下端形成为，位于背板22的下端中央的前端部22a位于最低的位置，从该前端部22a朝向背板22的两侧部向斜上方倾斜。在从背板22的下端延伸的三根保持棒21分别以预定的间距刻设有多个(例如50个)保持槽。多个基板W以使各自的周缘部嵌合于保持槽的状态相互隔开预定间隔地平行且以立起姿势保持于三根保持棒21。

另外，升降器20与在图2中概念性地示出的驱动机构24连接而升降移动。图3以及图4是表示升降器20的升降动作的图。当使驱动机构24动作时，升降器20上下移动，保持于升降器20的基板W如图2的箭头AR2所示地在处理槽10的内部的浸渍位置(图4的位置)与处理槽10的上方的提起位置(图3的位置)之间升降移动。在处理槽10贮存有处理液的状态下将基板W下降到浸渍位置，由此使基板W浸渍于该处理液中，进行表面处理。

返回图2，处理液供给部30具备喷嘴31以及向该喷嘴31供给处理液的配管系统。喷嘴31配置于处理槽10的内槽11内的底部。在喷嘴31的正上方以与喷嘴31对置的方式设置有分散板15。而且，在分散板15的上方设置有冲孔板60。

图5是从处理槽10的底部观察喷嘴31、分散板15以及冲孔板60的图。处理液供给部30的配管32的前端部分(在处理槽10内延伸的部分)构成配管132。在配管132的上侧设置有多个喷嘴31。各喷嘴31与配管132连通连接。在多个喷嘴31各自的上方设置有分散板15。分散板15是与水平面平行地设置的圆板形状的部件。喷嘴31朝向分散板15从配管132向铅垂上方突出设置。在分散板15的更上方，在内槽11的整个水平截面设有冲孔板60。在冲孔板60的整个面贯穿设置有多个处理液孔61。

供给到配管132的处理液从喷嘴31朝向正上方的分散板15吐出。当在处理槽10中贮存有处理液的状态下从喷嘴31朝向上方吐出处理液时，该处理液的流与分散板15碰撞而使液体的压力分散，处理液沿着分散板15的面沿水平方向扩展。然后，通过分散板15沿水平方向扩散的处理液从冲孔板60的多个处理液孔61上升，在处理槽10内形成从下方向上方的层流。即，冲孔板60在处理槽10内形成处理液的层流。

返回图2，向喷嘴31供给处理液的配管系统构成为在配管32具备泵33、加热器34、过滤器35、流量调整阀36以及阀37。泵33、加热器34、过滤器35、流量调整阀36以及阀37按照该顺序从配管32的上游朝向下游(从外槽12朝向内槽11)配置。

配管32的前端侧在处理槽10内延伸设置，构成配管132(图5)，并且配管32的基端侧与外槽12连接。配管32将从外槽12流出的处理液再次引导到内槽11。即，处理液供给部30使处理槽10内的处理液循环。泵33使处理液从外槽12向配管32排出，并且将该处理液送出至喷嘴31。加热器34对在配管32中流动的处理液进行加热。在使用磷酸等作为处理液的情况下，利用加热器34对处理液进行加热，将升温后的处理液贮存于处理槽10。

过滤器35过滤在配管32中流动的处理液，去除杂质等。流量调整阀36调整在配管32中流动的处理液的流量。阀37对配管32的流路进行开闭。通过一边使泵33工作一边打开阀37，从外槽12排出的处理液在配管32中流动而被供给至喷嘴31，且其流量由流量调整阀36规定。

药液供给部80包括药液供给源81、阀82、喷嘴83以及配管84。配管84的前端侧与喷嘴83连接，并且基端侧与药液供给源81连接。在配管84的路径中途设置有阀82。当阀82开放时，从药液供给源81向喷嘴83供给药液，从喷嘴83向处理槽10的外槽12吐出药液。从药液供给部80供给到外槽12的药液通过处理液供给部30供给到内槽11内。另外，药液供给部80的喷嘴83也可以直接向内槽11供给药液。

纯水供给部90包括纯水供给源91、阀92、喷嘴93以及配管94。配管94的前端侧与喷嘴93连接，并且基端侧与纯水供给源91连接。在配管94的路径中途设置有阀92。当阀92开放时，从纯水供给源91向喷嘴93供给纯水，从喷嘴93向处理槽10的外槽12吐出纯水。从药液供给部80向处理槽10供给药液，并且从纯水供给部90供给纯水，由此药液被稀释。

排液部40包括配管41以及阀45。配管41的前端侧与处理槽10的内槽11的底壁连接。在配管41的路径中途设置有阀45。配管41的基端侧与设置基板处理装置100的工厂的废液设备连接。当阀45开放时，贮存在内槽11内的处理液从内槽11的底部向配管41快速地排出，被废液设备处理。

气泡供给部50具备多根气泡供给管(起泡器)51以及向它们供给气体的配管系统。在本实施方式中，气泡供给部50具备八根气泡供给管51。八根气泡供给管51在处理槽10的内槽11的内部配置于冲孔板60的上方且由升降器20保持于浸渍位置的基板W的下方。八根气泡供给管51分别向贮存于处理槽10内的处理液中吐出气体。当在处理槽10中贮存有处理液的状态下从八根气泡供给管51向处理液中供给气体时，该气体成为气泡而在处理液中上升。气泡供给部50所供给的气体是例如惰性气体。该惰性气体例如为氮气或氩气(在本实施方式中使用氮气)。

向八根气泡供给管51供给气体的配管系统包括配管52、气体供给机构53以及气体供给源54。八根气泡供给管51分别与一根配管52的前端侧连接。配管52的基端侧与气体供给源54连接。而且，在各个配管52设置有气体供给机构53。即，对于八根气泡供给管51的每一个，设有一个气体供给机构53。气体供给源54向各配管52送出气体。气体供给机构53具备未图示的质量流量控制器以及开闭阀等，经由配管52向气泡供给管51供给气体，并且调整该供给的气体的流量。

图6是表示八根气泡供给管51相对于冲孔板60的配置的立体图。另外，图7是表示冲孔板60及八根气泡供给管51的结构的主视图。冲孔板60通过在上板62贴合底板63而构成。在上板62的中央形成有上下贯通的开口部。以堵塞该开口部的下侧的方式将底板63贴合于上板62。底板63使用例如螺钉和六角螺母固定于上板62。上板62的开口部的下侧被底板63封闭，由此在冲孔板60的中央部形成有凹部65。在上板62和底板63分别贯穿设置有多个处理液孔61。因此，在冲孔板60的大致整个面贯穿设置有多个处理液孔61。

在本实施方式中，八根气泡供给管51中的最内侧的两根气泡供给管51配置于冲孔板60的凹部65的内侧。剩余的六根气泡供给管51配置于比凹部65靠外侧且配置于上板62。因此，八根气泡供给管51中的配置于凹部65的内侧的两根气泡供给管51的高度位置最低。另外，关于配置于上板62的六根气泡供给管51，也是越靠外侧(距凹部65的距离越长)，高度位置越高。

八根气泡供给管51分别是在上侧沿着一列设置有未图示的气泡孔的长条的圆管状部件。气泡供给管51由对处理液具有耐药性的材质、例如PFA(全氟烷氧基烷烃)、PEEK(聚醚醚酮)或石英形成(在本实施方式中使用PFA)。作为氟树脂的一种的PFA虽然具有优异的耐药性，但容易挠曲，因此长条的气泡供给管51比较容易翘曲。因此，将多个气泡供给管51分别通过支撑导向件58支撑并固定于冲孔板60的上方。支撑导向件58是棒状的支撑部件。具体而言，在冲孔板60上的多个部位竖立设置一对支撑导向件58，通过这些支撑导向件58支撑PFA的气泡供给管51。由此，能够抑制气泡供给管51的挠曲，提高直行性。

另外，设置于各气泡供给管51的多个气泡孔分别配置成位于由升降器20保持的相邻的基板W与基板W之间。从而，通过从设于各气泡供给管51的多个气泡孔吐出气体所形成的气泡在相邻的基板W与基板W之间上升。

如图7所示，在减少了处理液的使用量的省液规格的处理槽10中，在升降器20下降到基板W整体浸渍于处理液的浸渍位置时，背板22的前端部22a相当接近气泡供给管51。八根气泡供给管51中的前端部22a接近的最内侧的两根气泡供给管51配置于冲孔板60的凹部65的内侧，因此这两根气泡供给管51的高度位置比其他气泡供给管51的高度位置低。因此，即使在升降器20下降至浸渍位置时，也能够防止背板22的前端部22a与气泡供给管51的碰撞。

控制部70控制设置于基板处理装置100的各种动作机构。控制部70还控制处理部121的动作。作为控制部70的硬件的结构与一般的计算机相同。即，控制部70具备作为进行各种运算处理的电路的CPU、作为存储基本程序的读出专用的存储器的ROM、作为存储各种信息的读写自如的存储器的RAM以及存储控制用软件、数据等的存储部(例如磁盘)。控制部70与处理液供给部30的阀37、气体供给机构53等电连接，控制它们的动作。

另外，在控制部70的存储部存储有决定了对基板W进行处理的步骤以及条件的配方(以下称为“处理配方”)。处理配方例如通过装置的操作者经由GUI输入并存储于存储部而被基板处理装置100取得。或者，也可以将处理配方通过通信从管理多个基板处理装置100的主计算机交接给基板处理装置100并存储于存储部。控制部70基于存储于存储部的处理配方的记载，控制气体供给机构53等的动作，由此如处理配方所记载地进行基板W的表面处理。

接着，对具有上述结构的处理部121的处理动作进行说明。在本实施方式的处理部121中，从处理槽10的内槽11向外槽12溢流，从外槽12流出的处理液返回内槽11，由此使处理液循环。具体而言，从外槽12流出到配管32的处理液被泵33送出到喷嘴31。此时，在配管32中流动的处理液根据需要被加热器34加热。另外，在配管32中流动的处理液的流量由流量调整阀36规定。进一步地，根据需要，排液部40从处理槽10排出使用过的处理液，并且药液供给部80以及纯水供给部90向处理槽10供给新液。在本实施方式中，使用强碱性的TMAH作为处理液进行多晶硅的蚀刻。

供给到喷嘴31的处理液从喷嘴31向内槽11内的上方吐出。从喷嘴31吐出的处理液与分散板15碰撞而沿着分散板15的面在水平方向上扩展。通过分散板15沿水平方向扩散的处理液到达冲孔板60并通过多个处理液孔61，从该处理液孔61上升，在内槽11内形成朝向上方的层流。到达内槽11的上端的处理液溢流而流入外槽12。

在处理槽10内形成有上升的处理液的层流的状态下将基板W浸渍于处理液中。具体而言，升降器20在处理槽10上方的提起位置接收由主搬送机器人180搬送来的多个基板W。基板W载置于三根保持棒21上而保持于升降器20。接着，控制部70使驱动机构24动作而使升降器20下降，使基板W下降到处理槽10内的浸渍位置，使基板W浸渍于处理液中。最内侧的两根气泡供给管51配置于冲孔板60的凹部65的内侧，高度位置相对较低，因此即使在升降器20使基板W下降至浸渍位置时，也能够防止背板22的前端部22a与气泡供给管51的碰撞。

在处理槽10内形成有处理液的层流的状态下，利用升降器20将基板W保持在浸渍位置，由此，处理液的层流在基板W与基板W之间流动，基板W的表面暴露于处理液，进行基板W的表面处理(在本实施方式中为蚀刻处理)。

另外，气泡供给部50的气体供给机构53向对应的气泡供给管51供给气体。供给到气泡供给管51的气体从设置于气泡供给管51的上侧的多个气泡孔被吐出到处理液中而形成气泡。多个气泡孔配置成位于由升降器20保持的相邻的基板W与基板W之间，因此从气泡供给管51吐出的气泡在相邻的基板W与基板W之间上升。即，大量气泡在基板W的表面附近上升。

在如本实施方式地处理液为碱性的TMAH的情况下，处理液中的溶解氧浓度越低，蚀刻速率就越高。当从多根气泡供给管51向处理液中供给氮气的气泡时，处理液中的溶解氧浓度降低，其结果，能够提高基板W的蚀刻速率。此外，即使处理液为TMAH以外(例如磷酸)，通过从多根气泡供给管51向处理液中供给氮气的气泡，大量气泡沿着基板W的表面在处理液中上升，处理液的流速变快，基板的表面处理的效率提高。

预定时间的蚀刻处理结束后，控制部70使驱动机构24动作而使升降器20上升，将基板W从处理槽10中提起。接着，主搬送机器人180从升降器20接收处理后的基板W。如以上这样，处理部121的一连串的处理完成。

在本实施方式中，在冲孔板60形成凹部65，将八根气泡供给管51中的最内侧的两根气泡供给管51配置于凹部65的内侧，使这两根气泡供给管51的高度位置比另外六根气泡供给管51的高度位置低。假设在容量比较小的处理槽10中，若最内侧的两根气泡供给管51的高度位置与其他气泡供给管51的高度位置为同程度，则在升降器20下降至浸渍位置时，背板22的前端部22a与最内侧的两根气泡供给管51碰撞。由此，无法设置最内侧的气泡供给管51，无法向基板W的表面均匀地供给气泡。即，对基板W的中央下部的气泡的供给量相对变少。其结果，基板W的中央下部的蚀刻速率比其他区域低，蚀刻量的面内均匀性受损。

在本实施方式中，将最内侧的两根气泡供给管51配置于冲孔板60的凹部65的内侧，使这两根气泡供给管51的高度位置比其他六根气泡供给管51的高度位置低。因此，即使升降器20在容量比较小的处理槽10内使基板W下降至浸渍位置时，也能够防止背板22的前端部22a与气泡供给管51碰撞。另外，设置有包含最内侧的两根气泡供给管51的八根气泡供给管51，因此能够一边抑制与升降器20的干涉，一边向基板W的表面均匀地供给气泡。其结果，基板W的整个面的蚀刻速率变得均匀，能够提高表面处理的面内均匀性。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明只要不脱离其主旨，就能够在上述以外进行各种变更。例如，在上述实施方式中，在具有开口部的上板62贴合底板63而形成冲孔板60的凹部65，但并不限定于此。例如，也可以对一张板状的冲孔板60实施切削加工而形成有底的凹部65。总之，只要是形成高度比其他区域高度低的凹部65的方式即可。

另外，在上述实施方式中，作为基板W的表面处理，进行使用了TMAH的蚀刻处理，但并不限定于此，例如也可以利用其他处理液进行基板W的清洗处理。