有机发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月24日提交的韩国专利申请No.10-2019-0174378的优先权，为了所有目的通过引用将该专利申请的整个内容并入本文。

技术领域

本发明涉及一种有机发光显示装置，更具体地，涉及一种能够阻挡湿气沿着有机发光显示装置中的电源配线渗透的有机发光显示装置。

背景技术

有机发光显示装置中使用的有机发光二极管(OLED)是自发光元件。有机发光二极管(OLED)包括位于两个电极之间的电致发光层。在有机发光二极管中，电子和空穴分别从电子注入电极(即，阴极)和空穴注入电极(即，阳极)注入电致发光层中，并且在此组合以产生激子。当激子从激发态迁移至基态时发射光。

在有机发光显示装置中，使用有机发光元件形成显示面板。根据光发射的方向，显示面板可实现为顶部发光型、底部发光型和双侧发光型。根据驱动方案，显示面板可实现为无源矩阵型和有源矩阵型。有机发光显示装置是柔性的，使得其能够实现为诸如具有曲面的形式和人为或机械弯曲的形式之类的各种形式。

可使用柔性显示面板作为基底面板(base panel)来制造有机发光显示装置。因而，有机发光显示装置可实现为诸如人为或机械弯曲的形式或具有曲面的形式之类的各种形式。

具有上述特征的有机发光显示装置具有非常宽范围的应用。然而，在相关技术的有机发光显示装置中发生水分渗透的情况下，由于其结构特征，水分渗透到有机发光显示装置中的有源区域中。因而，其寿命降低，或者发生诸如黑点之类的图像质量缺陷。为了防止这个问题，以各种方式阻挡水分渗透和/或穿透。特别是，为了应用，已对阻挡水分渗透和扩散到外部部分的各种结构进行了研究。

发明内容

本发明的目的是将水分沿着导线的边缘渗透所需的时间延迟并且降低对导线产生损坏的可能性。结果，提高有源区域的寿命和可靠性，降低发生图像质量缺陷的可能性，并且改善保护层的密封特性。本发明意在解决的问题不限于上述问题，所属领域普通技术人员将从下面的描述清楚地理解到上面未描述的其他问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光显示装置，包括：基板，所述基板具有有源区域和在有源区域周围的无源区域；介电层，设置在基板上方；焊盘，设置在无源区域中并且被输入信号或电力；导线，设置在所述介电层上并连接至焊盘，由此沿着导线向有源区域传送电力；凸块图案，设置在介电层下方，凸块图案包括朝向导线的方向倾斜的正锥形，导线的两侧包括倾斜表面。

在具体实施方式部分和附图中分别描述和示出了其他实施方式的细节。

根据本发明一个实施方式，提供了一种有机发光显示装置，其能够将水分沿着线的边缘渗透所需的时间延迟并且还降低对线产生损坏的可能性。这提供了提高有源区域的寿命和可靠性、降低发生图像质量缺陷的可能性、以及改善保护层的密封特性的优点。此外，根据本发明另一实施方式，提供了一种有机发光显示装置，当形成保护膜层时改善了台阶覆盖率(step coverage)。这提供了改善保护膜层的密封特性的优点。

发明内容部分中对本发明的描述并不指定权利要求书中要求保护的主题。因此，权利要求书的范围不受发明内容部分中描述的主题限制。

附图说明

图1是图解有机发光显示装置的示意性框图；

图2是图解子像素电路的配置的示意图；

图3是示意性图解根据本发明一实施方式的子像素的电路的配置的示图；

图4是示意性图解显示面板的剖面的示图；

图5是图解图4中所示的显示面板的机械特性的示图；

图6是图解电子设备中包括的显示装置的示图；

图7是示意性图解根据本发明一实施方式的显示装置的有源区域和无源区域的示图；

图8A和图8B是分别图解根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的外部部分的结构的示图；

图9A至图9C是分别图解根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置的外部部分的结构的示图；

图10A和图10B是分别图解根据本发明再一实施方式的有机发光显示装置的外部部分的结构的示图。

具体实施方式

本发明的优点和特征及实现这些优点和特征的方法将从下面将要详细描述的附图和实施方式变得显而易见。然而，本发明不限于下面将要描述的实施方式，可实现各种不同的实施方式。提供这些实施方式仅是为了使本发明的公开内容完整并将本发明的范围充分传达给本发明所属领域的普通技术人员。本发明的范围应当仅由权利要求书限定。

为了描述本发明而在附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是作为示例给出，因而不对本发明构成限制。整个本申请中相同的参考标记表示相同的组成元件。此外，当描述本发明时，在确定对相关技术中已知的功能和构造的详细描述会不必要地使本发明的本质和主旨不清楚的情况下，省略其详细描述。本申请中使用的术语“包括”、“具有”、“配置有”等只要不使用修饰语“仅”，就可添加一个或多个其他部件。

除非明确有相反描述，否则当解释一组成元件时，要考虑组成元件可允许的误差范围。

例如，当使用术语“在…上方”、“在…之上”、“在…下方”、“在…之下”、“与…相邻”等描述两个组成元件之间的位置关系时，一个或多个其他组成元件可位于这两个组成元件之间。

例如，当使用术语“在…上”时，包括两个不同的元件或层彼此接触或者在其间设置有一个或多个其他元件或层的情形。

尽管使用术语“第一”、“第二”等描述各种组成元件，但这些术语没有任何限制。这些术语用于区分一个组成元件与一个或多个其他组成元件。因此，下面描述的第一组成元件可以是第二组成元件，这落在本发明的技术思想的范围内。

整个申请中相同的参考标记表示相同的组成元件。

为了便于描述而给出了附图中示出的每个组成元件的尺寸和厚度，本发明不必限于这些尺寸和厚度。

本发明各实施方式的特征可部分或整体地集成或者组合。所属领域普通技术人员充分理解，各种协同操作或驱动操作在技术上是可能的。实施方式可彼此独立地实施或者可以彼此结合实施。

下面将参照附图详细描述本发明的实施方式。

图1是图解有机发光显示装置的示意性框图。图2是图解子像素电路的配置的示意图。图3是图解根据本发明一实施方式的子像素的电路的配置的示图。

如图1中所示，有机发光显示装置包括图像处理单元160、时序控制单元150、数据驱动单元130、栅极驱动单元140和显示面板101。

图像处理单元160输出数据使能信号DE等以及从外部提供的数据信号DATA。除了数据使能信号DE以外，图像处理单元160还可输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或多个。为了便于描述省略了这些信号的图示。图像处理单元160以集成电路(IC)的形式制造在系统电路板上。

时序控制单元150从图像处理单元160接收数据信号DATA、以及数据使能信号DE或者接收包括垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等的驱动信号。

时序控制单元150基于这些驱动信号输出用于控制栅极驱动单元140的操作时序的栅极时序控制信号GDC和用于控制数据驱动单元130的操作时序的数据时序控制信号DDC。时序控制单元150以IC的形式制造在控制电路板上。

数据驱动单元130响应于从时序控制单元150提供的数据时序控制信号DDC采样并锁存从时序控制单元150提供的数据信号DATA，将得到的数据信号DATA转换为伽马基准电压，并且输出伽马基准电压。数据驱动单元130通过数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。数据驱动单元130以IC的形式形成在数据电路板上。

栅极驱动单元140响应于从时序控制单元150提供的栅极时序控制信号GDC输出栅极信号。栅极驱动单元140通过栅极线GL1至GLm输出栅极信号。栅极驱动单元140以IC的形式形成在栅极电路板上或使用面板内栅极技术形成在显示面板101上。

显示面板101以与分别从数据驱动单元130和栅极驱动单元140提供的数据信号DATA和栅极信号对应的方式显示图像。显示面板101包括用于显示图像的子像素SP。

根据基于子像素的结构而选择的顶部发光型、底部发光型或双侧发光型来形成子像素。子像素SP包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。子像素SP可根据其发光特性而具有一个或多个不同的发光面积。

如图2中所示，一个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED根据通过驱动晶体管DR产生的驱动电流进行操作来发光。

响应于通过第1a栅极线GL1a提供的栅极信号，开关晶体管SW进行开关操作，使得从第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压存储在电容器Cst中。根据存储在电容器Cst中的数据电压，驱动晶体管DR进行操作，使得驱动电流在高电位电源线VDD与低电位电源线VGND之间流动。

补偿电路CC是用于补偿驱动晶体管DR的阈值电压等的电路。补偿电路CC配置有一个或多个薄膜晶体管和电容器。补偿电路具有从一个补偿方法到另一个补偿方法不同的配置。如下描述其配置的一个示例。

如图3中所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和基准线VREF。感测晶体管ST连接到驱动晶体管DR的源极线(第二电极线)与有机发光二极管OLED的阳极电极(下文中称为感测节点)。感测晶体管ST进行操作，使得将通过基准线VREF传送的初始化电压(或感测电压)提供至感测节点或者感测该感测节点的电压或电流。

开关晶体管SW的栅极电极连接至第1a栅极线GL1a，其第一电极连接至第一数据线DL1，并且第二电极连接至驱动晶体管DR的栅极电极。驱动晶体管DR的栅极电极连接至开关晶体管SW的第二电极，其第一电极连接至第一电源线EVDD，并且其第二电极连接至有机发光二极管OLED的阳极电极。电容器Cst的第一电极连接至驱动晶体管DR的栅极电极，并且其第二电极连接至有机发光二极管OLED的阳极电极。有机发光二极管OLED的阳极电极连接至驱动晶体管DR的第二电极，并且其阴极电极连接至第二电源线VGND。感测晶体管ST的栅极电极连接至第1b栅极线GL1b，其第一电极连接至基准线VREF，并且其第二电极连接至驱动晶体管DR的第二电极(感测节点)和机发光二极管OLED的阳极电极。

作为示例，根据补偿算法(或补偿电路的配置)，感测晶体管ST可与开关晶体管SW同时操作，或者比开关晶体管SW更早或更晚操作。基准线VREF可连接至数据驱动单元130。在这种情况下，在图像非显示时段期间，或者在第N帧(N是等于或大于1的整数)的时段期间，数据驱动单元130可实时感测子像素的感测节点并且产生感测的结果。

此外，根据感测的结果，可对数字型数据信号、模拟型数据信号、伽马等进行补偿。然后，基于感测的结果产生补偿信号(或补偿电压)的补偿电路可实现为数据驱动单元的内部电路或者时序控制单元的内部电路或单独的电路。

可仅在驱动晶体管DR的沟道区域下方设置遮光层LS。可选地，不仅可在驱动晶体管DR的沟道区域下方，而且还可在开关晶体管SW和感测晶体管ST的各自沟道区域下方设置遮光层LS。遮光层LS可用于简单地阻挡外部光的目的。可选地，遮光层LS可被用作用来与不同的电极或线形成连接并且构成电容器等的电极。

此外，作为示例，参照图3描述了具有3晶体管(T)1电容器(C)结构的子像素，在3T1C结构中包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、有机发光二极管OLED和感测晶体管ST。然而，在增加补偿电路CC的情况下，子像素可配置为具有一种其他结构，比如3T2C、4T2C、5T1C或6T2C结构。

此外，可使用低温多晶硅(LTPS)、非晶硅(a-Si)、氧化物或有机半导体层作为基层(base layer)来实现诸如开关晶体管SW、驱动晶体管DR和感测晶体管ST之类的薄膜晶体管。

图4是图解显示面板的剖面的示图。图5是图解图4中所示的显示面板的机械特性的示图。图6是图解显示面板的顶视图。图7是图解以每一像素为基础的显示面板的剖面的示图。

如图4中所示，显示面板101包括第一基板(board)101a、有源区域A/A、保护膜层120和第二基板101b。第一基板101a和第二基板101b的每一个由选自诸如聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)之类的塑料之中的一种形成。

有源区域A/A形成在第一基板101a与第二基板101b之间。在有源区域A/A中形成有子像素、各种信号线和电源线。使用薄膜工艺形成位于有源区域A/A中的子像素、各种信号线和电源线。

形成在有源区域A/A中的诸如子像素、各种信号线和电源线之类的结构易受水分(湿气)或氧气影响。由于这个原因，通过保护膜层120保护有源区域A/A。保护膜层120可配置为单层或多层。可选地，可通过在彼此的顶部上交替堆叠有机层和无机层形成保护膜层120。根据保护膜层120的层间结构，可省略第二基板101b。

使用上述显示面板101作为基底面板制造的有机发光显示装置实现为顶部发光型、底部发光型或双侧发光型。

如图5中所示，上述显示面板101可具有柔性特性。因此，使用柔性显示面板101作为基底面板制造的有机发光显示装置实现为诸如人为或机械弯曲的形式或具有曲面的形式之类的各种形式。

图6是图解在电子设备中可能包括的示例性显示装置的示图。

参照图6，显示装置100包括至少一个有源区域，在有源区域中形成有像素阵列。可在有源区域A/A周围设置一个或多个无源区域。就是说，无源区域I/A可与有源区域A/A的一个或多个侧面(flank surface)相邻。在图6中，无源区域I/A以矩形的形式包围有源区域A/A。然而，有源区域A/A的形状以及与有源区域A/A相邻的无源区域I/A的形状和/或设置不限于图6中示出的示例。有源区域A/A和无源区域I/A的各个形状可适合于装配有显示装置100的电子设备的设计。有源区域A/A的示例性形状包括五边形、六边形、圆形、椭圆形等。

有源区域A/A内的每个像素可与像素电路相关联。像素电路可包括背板上的一个或多个开关晶体管和一个或多个驱动晶体管。每个像素电路可电连接至栅极线和数据线，以便与位于无源区域I/A中的一个或多个驱动电路，比如栅极驱动器和数据驱动器通信。

如图6中所示，驱动电路可在无源区域I/A中实现为薄膜晶体管(TFT)。这种驱动电路可被称为面板内栅极GIP。此外，诸如数据驱动器IC之类的诸多部件可安装在单独的印刷电路板上并且可使用诸如柔性印刷电路板(FPCB)、膜上芯片(COF)或载带封装(TCP)之类的电路膜与设置在无源区域I/A中的连接接口(焊盘PAD、凸块、引脚等)结合。无源区域I/A可与连接接口一起弯曲，因而印刷电路(COF、PCB等)可位于显示装置100后方。

显示装置100可进一步包括用于产生各种信号或驱动有源区域A/A中的像素的各种附加元件。用于驱动像素的附加元件可以是反相器电路、多路复用器、静电放电电路等。显示装置100还可包括与像素驱动以外的其他功能相关联的附加元件。例如，显示装置100可包括提供触摸感测功能、用户认证功能(例如，指纹识别)、多级压力感测功能、触感反馈功能等的附加元件。上面提到的附加元件可位于与无源区域I/A和/或连接接口连接的外部电路中。

显示装置100的一个或多个边缘可弯曲，从而位于远离中央部分的距离处。显示装置100的一个或多个部分可弯曲。因此，显示装置100可限定为具有大致平坦的部分和弯曲部分。就是说，显示装置100的一部分(例如，焊盘PAD与有源区域A/A之间的配线部分)可以以预定角度弯曲。这一部分可被称为弯曲部分。弯曲部分包括实际上以预定弯曲半径弯曲的弯曲区段(curvature section)。尽管并非总是如此，但显示装置100的中央部分可大致是平坦的，其边缘部分可以是弯曲部分。

当无源区域I/A弯曲时，从显示装置的前表面看不到无源区域I/A，或者从前表面看到其最小尺寸的部分。从显示装置的前表面看到的无源区域I/A的一部分可被边框覆盖。边框可形成为单独的结构、外壳或一个其他合适的元件。从显示装置的前表面看到的无源区域I/A的一部分可隐藏在诸如黑色油墨(例如，填充有炭黑的聚合物)之类的不透明掩模层下方。此不透明掩模层可设置在显示装置100中包括的各层(触摸感测层、偏振层、盖层等)上。

弯曲部分相对于弯曲轴具有弯曲角度θ和弯曲半径R并且可沿从中央部分到外侧的方向弯曲。弯曲部分不需要具有相同的尺寸。此外，针对一个弯曲部分与另一个弯曲部分，相对于弯曲轴的弯曲角度θ和相对于弯曲轴的弯曲半径R可不同。

图7是示意性图解根据本发明一实施方式的显示装置的有源区域A/A和无源区域I/A的剖面图。

图7中所示的有源区域A/A和无源区域I/A可分别与参照图6描述的有源区域A/A和无源区域I/A部分地匹配。作为显示装置的示例，下面将描述有机发光显示装置。

在有机发光显示装置的情况下，薄膜晶体管102、104和108；有机发光元件112、114和116；和各种功能层位于有源区域A/A中的基底层101a上。另一方面，各种驱动电路(例如，GIP)、电极、配线、功能结构等可位于无源区域I/A中的基底层101a上。

基底层101a支撑有机发光显示装置100的各种组成元件。基底层101a例如可由诸如玻璃或塑料之类的介电材料形成。在概念上，基板(阵列基板)也被定义为包括形成在基底层101a上的元件和功能层，例如，开关TFT、驱动TFT、有机发光元件、保护膜等。

缓冲层103可位于基底层101a上。缓冲层103是用于保护薄膜晶体管(TFT)免受从基底层101a或下方的层流出的诸如碱性离子之类的杂质影响的功能层。缓冲层103可由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)形成。缓冲层103可以是由这些材料形成的多层。缓冲层103可包括多重缓冲部(multi-buffer)和/或有源缓冲部(active buffer)。

薄膜晶体管沉积在基底层101a或缓冲层103上。可通过在彼此顶部上依次地堆叠半导体层(有源层)、栅极介电层(栅极绝缘体)、栅极电极、层间介电层(ILD)、源极电极和漏极电极形成薄膜晶体管。或者，如图7中所示，可通过依次地沉积栅极电极104、栅极介电层105、半导体层102、源极电极和漏极电极108形成薄膜晶体管。

半导体层102可由多晶硅(p-Si)形成。在这种情况下，可在预定区域中掺杂杂质。此外，半导体层102可由非晶硅(a-Si)形成并且可由各种有机半导体材料之一，比如并五苯形成。此外，半导体层102可由氧化物形成。

栅极电极104可由各种导电材料之一，例如，镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)、这些材料的合金等形成。

栅极介电层105和层间介电层(ILD)可由诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)之类的介电材料形成，另外，可由介电有机材料等形成。可通过选择性地去除栅极介电层105和层间介电层来形成暴露源极区域和漏极区域的接触孔。

可通过在栅极介电层105或层间介电层(ILD)上沉积电极材料的单层或多层形成源极电极和漏极电极108。如果需要，由无机介电材料形成的钝化层109可覆盖源极电极和漏极电极108。

平坦化层107位于薄膜晶体管上。平坦化层107保护薄膜晶体管并且将其上部平坦化。平坦化层107可配置为具有各种形式。对平坦化层107的各种改型是可能的。例如，平坦化层107可由诸如苯并环丁烯(BCB)或压克力之类的有机介电膜形成，或者可由诸如硅氮化物(SiNx)膜或硅氧化物(SiOx)膜之类的无机介电膜形成。此外，平坦化层107可配置为单层，或者配置为双层或更多层。

可通过在彼此顶部上依次地沉积第一电极112、有机发光层114和第二电极116形成有机发光元件。就是说，有机发光元件可由形成在平坦化层107上的第一电极112、位于第一电极112上的有机发光层114和在有机发光层114上的第二电极116构成。

第一电极112通过接触孔电连接至薄膜晶体管的漏极电极108。在有机发光显示装置100为顶部发光型的情况下，第一电极112可由具有较高反射率的不透明导电材料形成。例如，第一电极112可由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、这些材料的合金等形成。第一电极112可以是有机发光二极管的阳极。

堤部110形成在除了发光区域以外的其他区域中。因此，堤部110具有暴露与发光区域对应的第一电极112的堤部孔。堤部110可由诸如硅氮化物膜(SiNx)或硅氧化物膜(SiOx)之类的无机介电材料形成，或者可由诸如BCB、丙烯酸基树脂或酰亚胺基树脂之类的有机介电材料形成。

有机发光层114位于通过堤部110暴露的第一电极112上。有机发光层114可包括发光层、电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。有机发光层114可配置为具有发射一种光束的单发光结构，也可配置为具有利用多个发光层发射白色光的结构。

第二电极116位于有机发光层114上。在有机发光显示装置100为顶部发光型的情况下，第二电极116由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料形成。因而，有机发光层114中产生的光发射到第二电极116上方。第二电极116可以是有机发光二极管的阴极。

封装层120位于第二电极116上。封装层120阻挡氧气和水分从外部渗透，以便防止发光材料和电极材料的氧化。当有机发光元件暴露于水分或氧气时，会出现发光区域减小的像素收缩现象，或者在发光区域中会出现暗点。封装层120可由玻璃、金属、铝氧化物(AlOx)或硅(Si)基材料形成的无机膜形成，或者可具有其中无机膜121-1、有机膜122和无机膜121-2交替堆叠在彼此顶部上的结构。在这种情况下，无机膜121-1和121-2用于阻挡水分或氧气渗透，有机膜122用于将无机膜121-1和121-2的各自表面平坦化。与当封装层形成为单层时相比，当通过在彼此顶部上沉积多个薄膜层时，水分或氧气流动的路径被加长并变得更加复杂。因而，水分或氧气难以渗透到有机发光元件中。

阻挡膜可位于封装层120上并因而可封装整个基底层101a。阻挡膜可以是延迟膜或光学各向同性膜。在这种情况下，粘合剂层可位于阻挡膜与封装层120之间。粘合剂层将封装层120和阻挡膜接合在一起。粘合剂层可以是热固化或自固化粘合剂。例如，粘合剂层可由诸如阻挡压敏粘合剂(B-PSA)之类的材料形成。

像素电路和发光元件不设置在无源区域I/A中。然而，在无源区域I/A中可存在基底层101a以及有机/无机层130、105、107和120。此外，为了其他目的，可在无源区域I/A中设置用于构成有源区域A/A的材料。例如，作为配线或电极，可在无源区域I/A中设置由与有源区域中的TFT的栅极电极相同的材料形成的金属104’、或由与源极/漏极电极相同的材料形成的金属108’。此外，作为配线或电极，可在无源区域I/A中设置由与有机发光二极管的一个电极(例如，阳极)相同的材料形成的金属112’。

无源区域I/A中的基底层101a、缓冲层103、栅极介电层105、平坦化层107等与上述有源区域A/A中的那些相同。堰部(dam)190是用于防止有机膜122进入无源区域I/A中太远的结构。设置在无源区域I/A中的各种电路和电极/配线可由栅极金属104’和/或源极/漏极金属108’形成。在这种情况下，在与形成TFT的栅极电极的工艺相同的工艺中由与TFT的栅极电极相同的材料形成栅极金属104’。此外，在与形成TFT的源极/漏极电极的工艺相同的工艺中由与TFT的源极/漏极电极相同的材料形成源极/漏极金属108’。

例如，源极/漏极金属可用作电源(例如，基础电源V

图8A和图8B是分别图解根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的外部部分的结构的示图。

图8A是图解图6的A区域的放大图。在图8A中，仅示出了具体导线，省略了其他导线(数据线、栅极线等)。另一方面，在图8A中，示出了可能弯曲的弯曲区段B。弯曲区段如参照图6所述。另一方面，其结构参照图7描述了的封装层120可覆盖A区域的一部分或整个A区域。在图8B中，示出了封装层120覆盖A区域的一部分。

导线108’从连接接口(焊盘PAD)朝向有源区域的方向延伸。在这种情况下，导线108’可形成在单层上。如图所示，两层上的相应导线108’和104’可连接。

导线108’可以是向有源区域中的像素电路传送低电平电力V

可在与形成有源区域中的薄膜晶体管TFT的源极电极或漏极电极的层相同的层中由与薄膜晶体管TFT的源极电极或漏极电极相同的金属形成导线108’。在这种情况下，导线108’可以是在彼此顶部上依次堆叠Ti、Al和Ti得到的多层金属(被称为Ti/Al/Ti)。在图8B中，示出了栅极介电层105位于导线108’的下方。这仅仅是实施方式的一个示例。其他层可位于导线108’下方。

存在以下顾虑：由钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)形成的导线108’在随后的工艺，例如，诸如形成有机发光二极管的阳极的工艺期间会暴露于蚀刻剂并因而被蚀刻。这种不必要的蚀刻会导致有缺陷的导线(特别是，铝比钛更易经受蚀刻)。由于这个原因，导线108’的角部被有机材料层107覆盖。有机材料层107抑制导线108’的侧面在上述工艺中被损坏(蚀刻)。在这种情况下，为了制造效率，可在与形成薄膜晶体管TFT上的平坦化层的工艺相同的工艺中由与平坦化层相同的材料形成有机材料层107。有机材料层107抑制导线的侧面被损坏(蚀刻)。然而，水分可通过有机材料层107扩散到显示装置中。为了防止这个现象，如图8B中所示，有机材料层107被切成两部分，并且导线108’的两个部分可通过分别在导线108’的这两个部分下方的导线104’连接。

然而，随着显示装置的尺寸逐渐减小，上述结构所要占据的空间的尺寸减小。发明人认识到这个问题并且设计出一种利用导线108’的形状来防止水分扩散的结构。

图9A至图9C是分别图解根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置的外部部分的结构的示图。

根据美观设计/或功能性的需求，近来的趋势是使有源区域最大化并且减小无源区域(边框)。此外，分辨率的增加使得各种信号线的数量增加。因此，如图9A和图9B中，交叉的相应导线204’和208’的数量增加。每层中的导线通过介电层205绝缘。如图3中所示，就空间而言，很难使用跳接结构将两层中的金属连接而将这些金属用作一条导线。就是说，在每层中，已设计的导线占据大部分空间。因而，不存在进一步设置用于连接上部导线或下部导线的导体的区域。

参照图9A和图9B，导线208’的两个端部的每一个端部配置为具有浮雕结构或凹凸结构。然后，采用封装层220覆盖导线208’的上部而不在导线208’上沉积有机材料层207的结构。水分沿着导线208’的端部渗透到显示装置中。当导线208’的两个端部形成为具有浮雕结构或凹凸结构时，水分渗透的路径被加长。结果，可延迟水分渗透到显示装置中的现象。

然而，本发明人发现了上述结构的问题。图9C是沿图9A中的线III-III’截取的剖面图。参照图9C，与图8A和图8B中不同，导线208’包括依次堆叠的三个部分208’-1、208’-2、208’-3，在导线208’上不存在用于保护导线的有机材料层107来实现导线保护。由于这个原因，当执行形成有机发光二极管的阳极的工艺时，导线208’暴露于阳极蚀刻剂并因而被蚀刻。如上所述，导线208’配置为由钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)的三层形成。在这种情况下，由于阳极蚀刻剂的蚀刻速率的差异，位于中间的铝Al被蚀刻得明显更多，因而形成铝空隙(void)。该空隙是由上部钛(Ti)尖端和下部钛(Ti)尖端(tip)形成的。随后，当在导线208’的上部形成封装层220时，由于铝空隙，封装层220不会完全覆盖导线208’的侧面。因而，在封装层220中形成被称为裂缝的凹陷S。

在这个工艺中，由于凹陷S，容易发生诸如破裂之类的损坏，并且生成诸如水分之类的异物渗透的路径。渗透的水分可导致导线的腐蚀或者可导致显示装置的驱动缺陷。因此，本发明人认识到该问题并且设计出一种其中利用导线208’的结构防止水分扩散的结构。

图10A和图10B是分别示意性图解根据本发明再一实施方式的有机发光显示装置的外部部分的结构的示图。

图10A是图解图6中的A区域的放大图。为了便于描述，仅示出了具体导线(例如，电源配线)，省略了其他导线(栅极线和数据线)。此外，并未按照每一类型示出所有导线308’。图10B是沿图10A中的线IV-IV’截取的剖面图。在图10A中，示出了可能弯曲的弯曲区段B。另一方面，其结构参照图7描述了的封装层320可覆盖A区域的一部分或整个A区域。在这种情况下，封装层320可仅一直覆盖到弯曲区段B的下部，在存在会发生缺陷的顾虑的弯曲区段B中可不设置封装层320。

基板301a可包括有源区域A/A和在有源区域A/A周围的无源区域I/A。缓冲层303可设置在基板301a上。介电层305可设置在基板301a上方。被输入信号或电力的焊盘PAD可设置在无源区域I/A中。可形成设置在介电层305上、连接至焊盘PAD并且用于向有源区域A/A传送电力的导线308’。在介电层305下方设置凸块图案(bump pattern)324’。凸块图案324’具有朝向导线的方向倾斜的正锥形(positve taper)。导线的两侧可包括倾斜表面。

导线308’可包括第一部分308’a和在第一部分308’a的两侧的相应第二部分308’b。越接近第二部分308’b的端部，距基板的距离越大。就是说，在导线308’下方存在介电层305。凸块图案324’与导线308’相邻地设置在所述介电层305的下方。由于设置有凸块图案324’的部分和未设置有凸块图案324’的部分，介电层305具有不同的高度。因为凸块图案324’包括朝向导线308’的方向倾斜的正锥形，所以凸块图案324’上的介电层305根据凸块图案324’的正锥形的形状也具有倾斜表面。在介电层305因凸块图案324’而倾斜的情况下，导线308’的第二部分308’b越接近导线308’的端部，距基板301a的距离越大。就是说，第二部分308’b朝向向上方向以预定角度弯曲。

凸块图案324’的锥形的角度大于等于10°并且小于等于60°，此角度是指锥形的各个角度之中的、在凸块图案324’的侧表面与缓冲层303的上表面之间的角度。当锥形的角度小于10°时，导线308’的第二部分308’b未充分倾斜。由于这个原因，当在导线308’上设置封装层320时，在导线308’的侧面中会发生破裂。然后，在凸块图案324’的锥形的角度超过60°的情况下，封装层320在覆盖率方面可能存在缺陷。

导线308’的两个端部可与凸块图案324’的锥形交叠。在这种情况下，导线308’的两个端部也需要面向向上的方向。当这样做时，如上所述，可防止在封装层320中出现裂缝。

导线308’可由与介电层305接触的下层308’-1、下层308’-1上的上层308’-2、以及上层308’-2与下层308’-1之间的中间层308’-3构成。中间层308’-3的宽度可小于上层308’-2和下层308’-1的各自宽度。此外，上层308’-2的宽度可大于中间层308’-3的宽度并且小于下层308’-1的宽度。

可在有源区域A/A中设置薄膜晶体管。可包括设置在薄膜晶体管上并且电连接至薄膜晶体管的有机发光元件。阻挡水分和/或氧气从外部渗透的封装层320可形成在有机发光元件上。

封装层320可与导线308’的下层308’-1的整个侧面以及其上表面的一部分接触。此外，封装层320可与导线308’的上层308’-2的下表面的一部分以及中间层308’-3的侧面接触。导线308’的上层可由与导线308’的下层相同的材料形成。就是说，如上所述，导线308’配置为由钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)的三层形成。在这种情况下，由于阳极蚀刻剂的蚀刻速率的差异，位于中间的铝Al被蚀刻得明显更多，因而导线308’具有形成有铝空隙的结构。由于凸块图案的锥形，介电层305倾斜。由于倾斜的介电层305，导线308’的第二部分308’b的两个端部朝向向上的方向以预定角度升高。利用导线308’的上述结构，覆盖导线308’的封装层320防止了在导线308’的侧面中发生裂缝。因而，封装层320可具有改进的台阶覆盖率。

导线308’可由与有源区域A/A中的薄膜晶体管的源极电极和漏极电极108相同的材料形成，从而具有与薄膜晶体管的源极电极和漏极电极108相同的堆叠结构。

凸块图案324’可由与薄膜晶体管的半导体层102和栅极电极104中的至少之一相同的材料形成。上面参照附图详细描述了本发明的实施方式。然而，本发明不必限于这些实施方式。在本发明的技术思想的范围内，可实现对实施方式的各种改型。因此，本申请中公开的实施方式是为了描述本发明的技术思想，而不是限制本发明的技术思想，其对本发明的技术思想的范围不施加限制。

本发明各实施方式的特征可部分地或者整体地集成或者组合。对于所属领域普通技术人员很显然，各种协同操作或驱动操作是可能的。这些实施方式可彼此独立地实施或者可以彼此结合实施。因此，本发明的范围应当由以下权利要求书限定。落入适当范围内的所有等同技术思想都应当解释为包括在本发明的范围内。