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一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路及其控制方法

文献发布时间:2023-06-19 19:30:30


一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路及其控制方法

技术领域

本发明涉及储能电源技术领域,尤其涉及一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路及其控制方法。

背景技术

目前,储能谐振升压PWM DC/DC变换器在储能产品上得到了广泛应用,它一般利用谐振电感、谐振电容以及开关管寄生电容之间谐振,使升压开关MOS管能在零电压状态下开断,实现软件开关,它具有损耗小、结构精简、控制灵活等特点,是储能谐振升压DC/DC变换的优秀拓扑结构之一。但由于传统储能谐振升压ZVS PWM DC/DC变换器的副边整流二极管,它在工作时会产生较大的震荡与尖峰电压,它会增加产品的能量损耗与发热量,同时产生较大的EMI干扰。

因此,现在急需一种可以抑制副边整流二极管电压尖峰和震荡的储能逆变整流器电压尖峰吸收电路。

发明内容

本发明提供了一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路及其控制方法,以解决现有技术中存在的目前,储能谐振升压PWM DC/DC变换器在储能产品上得到了广泛应用,它一般利用谐振电感、谐振电容以及开关管寄生电容之间谐振,使升压开关MOS管能在零电压状态下开断,实现软件开关,它具有损耗小、结构精简、控制灵活等特点,是储能谐振升压DC/DC变换的优秀拓扑结构之一。但由于传统储能谐振升压ZVS PWM DC/DC变换器的副边整流二极管,它在工作时会产生较大的震荡与尖峰电压,它会增加产品的能量损耗与发热量,同时产生较大的EMI干扰的上述问题。

为了达到上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路,包括:PWM控制电路、谐振变压电路以及尖峰吸收电路;

所述PWM控制电路用于通过开关管的开启和关断,控制电压从输入端输出的稳定性;

所述谐振变压电路用于在电压从输入端向负载传递过程中,对电压进行变压调控;

所述尖峰吸收电路用于在电压输入至负载时,对产生的尖峰电压和震荡进行抑制。

其中,所述PWM控制电路包括:第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4;

第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4按顺序连接;通过控制第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4的开启和关闭,控制PWM信号的输入线路,确保电压的稳定性。

其中,所述谐振变压电路包括:电感电路T1;

电感电路T1连接PWM控制电路和尖峰吸收电路,当电压从PWM控制电路向尖峰吸收电路传递过程中,电压通过电感电路T1进行电压升压。

其中,所述尖峰吸收电路包括:第一RCD尖峰吸收电路、第二RCD尖峰吸收电路、第三RCD尖峰吸收电路、第四RCD尖峰吸收电路;

第一RCD尖峰吸收电路、第二RCD尖峰吸收电路、第三RCD尖峰吸收电路、第四RCD尖峰吸收电路通过线路依次连接;通过控制RCD对能量的吸收和释放,对电路中产生的尖峰电压和震荡进行抑制。

其中,第一RCD尖峰吸收电路包括二极管D2、电阻R1、电容C1、二极管D4、电容CD4;第二RCD尖峰吸收电路包括二极管D3、电阻R2、电容C2、二极管D1、电容CD1;第三RCD尖峰吸收电路包括二极管D7、电阻R3、电容C3、二极管D6、电容CD6;第四RCD尖峰吸收电路包括二极管D8、电阻R4、电容C4、二极管D5、电容CD5;

其中,二极管D2、电容C1、二极管D4依次连接,电阻R1与电容C1并联,电容CD4与二极管D4并联,构成第一RCD尖峰吸收电路。

其中,一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路控制方法,包括:

S101:当第一开关管V1和第三开关管V3导通,第二开关管V2和第四开关管V4关断时,控制第一RCD尖峰吸收电路和第四RCD尖峰吸收电路导通;

S102:当第二开关管V2和第四开关管V4导通,第一开关管V1和第三开关管V3关断时,控制第二RCD尖峰吸收电路和第三RCD尖峰吸收电路导通;

S103:当谐振升压时,基于尖峰吸收电路,吸收电路所产生的尖峰能量,抑制电路所产生的尖峰电压和震荡。

其中,所述S101步骤包括:

当第一开关管V1和第三开关管V3导通,第二开关管V2和第四开关管V4关断时,控制二极管D4和二极管D5导通,二极管D1和二极管D6内部连接的电容CD1和电容CD6中充满电荷,能量从输入端向负载传递;

二极管D1和二极管D6将负载中传递的能量反向截止关断,关断时产生较大的反向电压尖峰,二极管D1两端电压尖峰经二极管D3给电容C2充电,通过给电容C2充电抑制反向电压尖峰,电阻R2则在每个周期内释放电容C2能量。

其中,所述S102步骤包括:

当第二开关管V2和第四开关管V4导通,第一开关管V1和第三开关管V3关断时,控制二极管D1和二极管D6导通,二极管D4和二极管D5内部连接的电容CD4和电容CD5中充满电荷,能量从输入端向负载传递;

二极管D4和二极管D5将负载中传递的能量反向截止关断,关断时产生较大的反向电压尖峰,二极管D4两端电压尖峰经二极管D2给电容C1充电,通过给电容C1充电抑制反向电压尖峰,电阻R1则在每个周期内释放电容C1能量。

其中,所述S103步骤包括:

当电压通过谐振变压电路进行谐振升压时,电阻D1、电阻D4、电阻D5、电阻D6产生尖峰电压和震荡,基于尖峰吸收电路,RCD中二极管D导通给电容C充电,电阻R负责释放电容C在每个周期内堆积的能量,吸收尖峰能量,抑制电路所产生的尖峰电压和震荡。

其中,包括:

当电压通过谐振变压电路进行谐振升压时,启动过温保护模块,当电路所处温度超过120℃时,输出高电位,电路停止工作,当电路所处温度低于100℃时,输出低电位,电路重新开始正常工作。

与现有技术相比,本发明具有以下优点:

一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路,包括:PWM控制电路、谐振变压电路以及尖峰吸收电路;所述PWM控制电路用于通过开关管的开启和关断,控制电压从输入端输出的稳定性;所述谐振变压电路用于在电压从输入端向负载传递过程中,对电压进行变压调控;所述尖峰吸收电路用于在电压输入至负载时,对产生的尖峰电压和震荡进行抑制。该电路设计简单,使用元器件少,在精简电路的同时还提高了可量产性,尖峰吸收能力强,在降低了产品发热量的同时,还缩小了散热器体积,使功率密度提高了5%以上。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:

图1为本发明实施例中一种储能谐振升压整流二极管的电压尖峰吸收电路图;

图2为本发明实施例中第一RCD尖峰吸收电路图;

图3为本发明实施例中一种储能谐振升压整流二极管的电压尖峰吸收电路结构图;

图4为本发明实施例中一种储能谐振升压整流二极管的电压尖峰吸收电路控制方法流程图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路,请参考图1至图4,包括:PWM控制电路、谐振变压电路以及尖峰吸收电路;

所述PWM控制电路用于通过开关管的开启和关断,控制电压从输入端输出的稳定性;

所述谐振变压电路用于在电压从输入端向负载传递过程中,对电压进行变压调控;

所述尖峰吸收电路用于在电压输入至负载时,对产生的尖峰电压和震荡进行抑制。

上述技术方案的工作原理为:所述PWM控制电路用于通过开关管的开启和关断,控制电压从输入端输出的稳定性;所述谐振变压电路用于在电压从输入端向负载传递过程中,对电压进行变压调控;所述尖峰吸收电路用于在电压输入至负载时,对产生的尖峰电压和震荡进行抑制。该电路设计简单,使用元器件少,在精简电路的同时还提高了可量产性,尖峰吸收能力强,在降低了产品发热量的同时,还缩小了散热器体积,使功率密度提高了5%以上。

上述技术方案的有益效果为:所述PWM控制电路用于通过开关管的开启和关断,控制电压从输入端输出的稳定性;所述谐振变压电路用于在电压从输入端向负载传递过程中,对电压进行变压调控;所述尖峰吸收电路用于在电压输入至负载时,对产生的尖峰电压和震荡进行抑制。该电路设计简单,使用元器件少,在精简电路的同时还提高了可量产性,尖峰吸收能力强,在降低了产品发热量的同时,还缩小了散热器体积,使功率密度提高了5%以上。

在另一实施例中,所述PWM控制电路包括:第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4;

第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4按顺序连接;通过控制第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4的开启和关闭,控制PWM信号的输入线路,确保电压的稳定性。

上述技术方案的工作原理为:第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4按顺序连接;通过控制第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4的开启和关闭,控制PWM信号的输入线路,确保电压的稳定性。

上述技术方案的有益效果为:第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4按顺序连接;通过控制第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3和第四开关管V4的开启和关闭,控制PWM信号的输入线路,确保电压的稳定性。解决传统储能逆变电源电路出现的EMI干扰问题,同时提高产品的转换效率,进一步降低发热量,使产品在市场上更具有竞争优势。

在另一实施例中,所述谐振变压电路包括:电感电路T1;

电感电路T1连接PWM控制电路和尖峰吸收电路,当电压从PWM控制电路向尖峰吸收电路传递过程中,电压通过电感电路T1进行电压升压。

上述技术方案的工作原理为:电感电路T1连接PWM控制电路和尖峰吸收电路,当电压从PWM控制电路向尖峰吸收电路传递过程中,电压通过电感电路T1进行电压升压。

上述技术方案的有益效果为:电感电路T1连接PWM控制电路和尖峰吸收电路,当电压从PWM控制电路向尖峰吸收电路传递过程中,电压通过电感电路T1进行电压升压。在提高产品转换效率的同时也进一步降低了产品的发热量。

在另一实施例中,所述尖峰吸收电路包括:第一RCD尖峰吸收电路、第二RCD尖峰吸收电路、第三RCD尖峰吸收电路、第四RCD尖峰吸收电路;

第一RCD尖峰吸收电路、第二RCD尖峰吸收电路、第三RCD尖峰吸收电路、第四RCD尖峰吸收电路通过线路依次连接;通过控制RCD对能量的吸收和释放,对电路中产生的尖峰电压和震荡进行抑制。

上述技术方案的工作原理为:第一RCD尖峰吸收电路、第二RCD尖峰吸收电路、第三RCD尖峰吸收电路、第四RCD尖峰吸收电路通过线路依次连接;通过控制RCD对能量的吸收和释放,对电路中产生的尖峰电压和震荡进行抑制。加入RCD尖峰吸收电路后,对抑制副边整流二极管电压尖峰和震荡有很大的作用,在提高产品转换效率的同时也进一步降低了产品的发热量。

上述技术方案的有益效果为:第一RCD尖峰吸收电路、第二RCD尖峰吸收电路、第三RCD尖峰吸收电路、第四RCD尖峰吸收电路通过线路依次连接;通过控制RCD对能量的吸收和释放,对电路中产生的尖峰电压和震荡进行抑制。加入RCD尖峰吸收电路后,对抑制副边整流二极管电压尖峰和震荡有很大的作用,在提高产品转换效率的同时也进一步降低了产品的发热量。

在另一实施例中,第一RCD尖峰吸收电路包括二极管D2、电阻R1、电容C1、二极管D4、电容CD4;第二RCD尖峰吸收电路包括二极管D3、电阻R2、电容C2、二极管D1、电容CD1;第三RCD尖峰吸收电路包括二极管D7、电阻R3、电容C3、二极管D6、电容CD6;第四RCD尖峰吸收电路包括二极管D8、电阻R4、电容C4、二极管D5、电容CD5;

其中,二极管D2、电容C1、二极管D4依次连接,电阻R1与电容C1并联,电容CD4与二极管D4并联,构成第一RCD尖峰吸收电路;

二极管D3、电容C2、二极管D1依次连接,电阻R2与电容C2并联,电容CD1与二极管D1并联,构成第二RCD尖峰吸收电路;

二极管D7、电容C3、二极管D6依次连接,电阻R3与电容C3并联,电容CD6与二极管D6并联,构成第三RCD尖峰吸收电路;

二极管D8、电容C4、二极管D5依次连接,电阻R4与电容C4并联,电容CD5与二极管D5并联,构成第四RCD尖峰吸收电路。

上述技术方案的工作原理为:二极管D2、电容C1、二极管D4依次连接,电阻R1与电容C1并联,电容CD4与二极管D4并联,构成第一RCD尖峰吸收电路;二极管D3、电容C2、二极管D1依次连接,电阻R2与电容C2并联,电容CD1与二极管D1并联,构成第二RCD尖峰吸收电路;二极管D7、电容C3、二极管D6依次连接,电阻R3与电容C3并联,电容CD6与二极管D6并联,构成第三RCD尖峰吸收电路;二极管D8、电容C4、二极管D5依次连接,电阻R4与电容C4并联,电容CD5与二极管D5并联,构成第四RCD尖峰吸收电路。加入RCD尖峰吸收电路后,对抑制副边整流二极管电压尖峰和震荡有很大的作用,在提高产品转换效率的同时也进一步降低了产品的发热量。

上述技术方案的有益效果为:二极管D2、电容C1、二极管D4依次连接,电阻R1与电容C1并联,电容CD4与二极管D4并联,构成第一RCD尖峰吸收电路;二极管D3、电容C2、二极管D1依次连接,电阻R2与电容C2并联,电容CD1与二极管D1并联,构成第二RCD尖峰吸收电路;二极管D7、电容C3、二极管D6依次连接,电阻R3与电容C3并联,电容CD6与二极管D6并联,构成第三RCD尖峰吸收电路;二极管D8、电容C4、二极管D5依次连接,电阻R4与电容C4并联,电容CD5与二极管D5并联,构成第四RCD尖峰吸收电路。加入RCD尖峰吸收电路后,对抑制副边整流二极管电压尖峰和震荡有很大的作用,在提高产品转换效率的同时也进一步降低了产品的发热量。

在另一实施例中,一种储能逆变整流器电压尖峰吸收电路控制方法,包括:

S101:当第一开关管V1和第三开关管V3导通,第二开关管V2和第四开关管V4关断时,控制第一RCD尖峰吸收电路和第四RCD尖峰吸收电路导通;

S102:当第二开关管V2和第四开关管V4导通,第一开关管V1和第三开关管V3关断时,控制第二RCD尖峰吸收电路和第三RCD尖峰吸收电路导通;

S103:当谐振升压时,基于尖峰吸收电路,吸收电路所产生的尖峰能量,抑制电路所产生的尖峰电压和震荡。

上述技术方案的工作原理为:当第一开关管V1和第三开关管V3导通,第二开关管V2和第四开关管V4关断时,控制第一RCD尖峰吸收电路和第四RCD尖峰吸收电路导通;当第二开关管V2和第四开关管V4导通,第一开关管V1和第三开关管V3关断时,控制第二RCD尖峰吸收电路和第三RCD尖峰吸收电路导通;当谐振升压时,基于尖峰吸收电路,吸收电路所产生的尖峰能量,抑制电路所产生的尖峰电压和震荡。解决传统储能逆变电源电路出现的EMI干扰问题,同时提高产品的转换效率,进一步降低发热量,使产品在市场上更具有竞争优势。

上述技术方案的有益效果为:当第一开关管V1和第三开关管V3导通,第二开关管V2和第四开关管V4关断时,控制第一RCD尖峰吸收电路和第四RCD尖峰吸收电路导通;当第二开关管V2和第四开关管V4导通,第一开关管V1和第三开关管V3关断时,控制第二RCD尖峰吸收电路和第三RCD尖峰吸收电路导通;当谐振升压时,基于尖峰吸收电路,吸收电路所产生的尖峰能量,抑制电路所产生的尖峰电压和震荡。解决传统储能逆变电源电路出现的EMI干扰问题,同时提高产品的转换效率,进一步降低发热量,使产品在市场上更具有竞争优势。

在另一实施例中,所述S101步骤包括:

当第一开关管V1和第三开关管V3导通,第二开关管V2和第四开关管V4关断时,控制二极管D4和二极管D5导通,二极管D1和二极管D6内部连接的电容CD1和电容CD6中充满电荷,能量从输入端向负载传递;

二极管D1和二极管D6将负载中传递的能量反向截止关断,关断时产生较大的反向电压尖峰,二极管D1两端电压尖峰经二极管D3给电容C2充电,通过给电容C2充电抑制反向电压尖峰,电阻R2则在每个周期内释放电容C2能量。

上述技术方案的工作原理为:当第一开关管V1和第三开关管V3导通,第二开关管V2和第四开关管V4关断时,控制二极管D4和二极管D5导通,二极管D1和二极管D6内部连接的电容CD1和电容CD6中充满电荷,能量从输入端向负载传递;二极管D1和二极管D6将负载中传递的能量反向截止关断,关断时产生较大的反向电压尖峰,二极管D1两端电压尖峰经二极管D3给电容C2充电,通过给电容C2充电抑制反向电压尖峰,电阻R2则在每个周期内释放电容C2能量。

上述技术方案的有益效果为:当第一开关管V1和第三开关管V3导通,第二开关管V2和第四开关管V4关断时,控制二极管D4和二极管D5导通,二极管D1和二极管D6内部连接的电容CD1和电容CD6中充满电荷,能量从输入端向负载传递;二极管D1和二极管D6将负载中传递的能量反向截止关断,关断时产生较大的反向电压尖峰,二极管D1两端电压尖峰经二极管D3给电容C2充电,通过给电容C2充电抑制反向电压尖峰,电阻R2则在每个周期内释放电容C2能量。RCD吸收电路设计简单,使用元器件少,在精简电路的同时还提高了可量产性,EMI干扰大幅减小,产品功率密度更高,在降低了产品发热量的同时,还缩小了散热器体积,使功率密度提高了5%以上。

在另一实施例中,所述S102步骤包括:

当第二开关管V2和第四开关管V4导通,第一开关管V1和第三开关管V3关断时,控制二极管D1和二极管D6导通,二极管D4和二极管D5内部连接的电容CD4和电容CD5中充满电荷,能量从输入端向负载传递;

二极管D4和二极管D5将负载中传递的能量反向截止关断,关断时产生较大的反向电压尖峰,二极管D4两端电压尖峰经二极管D2给电容C1充电,通过给电容C1充电抑制反向电压尖峰,电阻R1则在每个周期内释放电容C1能量。

上述技术方案的工作原理为:当第二开关管V2和第四开关管V4导通,第一开关管V1和第三开关管V3关断时,控制二极管D1和二极管D6导通,二极管D4和二极管D5内部连接的电容CD4和电容CD5中充满电荷,能量从输入端向负载传递;二极管D4和二极管D5将负载中传递的能量反向截止关断,关断时产生较大的反向电压尖峰,二极管D4两端电压尖峰经二极管D2给电容C1充电,通过给电容C1充电抑制反向电压尖峰,电阻R1则在每个周期内释放电容C1能量。

在导通第二开关管V2和第四开关管V4过程中,电压不是立即下降到零,而是有一个下降时间,同时它的电流也不是立即上升到负载电流,也有一个上升时间,在这段时间内,电压和电流有一个交叠区,从而产生导通损耗;当第一开关管V1和第三开关管V3关断时,第一开关管V1和第三开关管V3的电压不是立即上升到电源电压,而是有一个上升时间,同时开关管的电流也不是立即下降到零,也有一个下降时间,在这段时间里电压和电流也有一个交叠区,从而产生关断损耗;产生的开通损耗和关断损耗通称之为开关损耗;

在一定条件下,开关管在每个周期中的开关损耗是恒定不变的,其PWM控制电路开关损耗公式为:

其中,P

通过获取PWM控制电路开关损耗,根据当前电路开关损耗量对电路进行调整,大大减少甚至消除损耗和开关噪声。

上述技术方案的有益效果为:当第二开关管V2和第四开关管V4导通,第一开关管V1和第三开关管V3关断时,控制二极管D1和二极管D6导通,二极管D4和二极管D5内部连接的电容CD4和电容CD5中充满电荷,能量从输入端向负载传递;二极管D4和二极管D5将负载中传递的能量反向截止关断,关断时产生较大的反向电压尖峰,二极管D4两端电压尖峰经二极管D2给电容C1充电,通过给电容C1充电抑制反向电压尖峰,电阻R1则在每个周期内释放电容C1能量。能保证运行中开关器件在断开信号到来之前二极管中电流已下降到零,保证了开关器件在零电流条件下断开,从而大大减小了开关器件的断开损耗,同时也能大大地减小断开电感负载时可能出现的电压尖峰。

在另一实施例中,所述S103步骤包括:

当电压通过谐振变压电路进行谐振升压时,电阻D1、电阻D4、电阻D5、电阻D6产生尖峰电压和震荡,基于尖峰吸收电路,RCD中二极管D导通给电容C充电,电阻R负责释放电容C在每个周期内堆积的能量,吸收尖峰能量,抑制电路所产生的尖峰电压和震荡。

上述技术方案的工作原理为:当电压通过谐振变压电路进行谐振升压时,电阻D1、电阻D4、电阻D5、电阻D6产生尖峰电压和震荡,基于尖峰吸收电路,RCD中二极管D导通给电容C充电,电阻R负责释放电容C在每个周期内堆积的能量,吸收尖峰能量,抑制电路所产生的尖峰电压和震荡。

器件参数的微小差异及运行时器件温度的不同引起各电路中开关器件和二极管的通态损耗、开关器件的开关损耗、续流二极管的反向恢复损耗、吸收回路损耗和直流电容自身损耗,这些损耗会造成电路中电容电压出现偏差。需要对电路中电容、电压进行均衡控制,使电容、电压均在合理的范围内变化。

对电路中电容电压进行排序,然后根据对应电流确定此时电路中电容处于充电还是放电过程,若是处于放电过程,则将电容电压高的电路先投入,若是处于充电过程,则电容电压低的电路先投入,基于多电平调制策略获取需要投入的电路数,根据电路投入的优先顺序及投入的电路数生成最终的开关触发脉冲。该电路投入选择机制下,放电状态时,电压越高的电路中电容参与放电的时间越长,电容电压减小越多;充电状态时,电压越低的电路中电容参与充电的时间越长,电容电压增加越多,如此反复,使电路中电容电压最终实现均衡。

上述技术方案的有益效果为:当电压通过谐振变压电路进行谐振升压时,电阻D1、电阻D4、电阻D5、电阻D6产生尖峰电压和震荡,基于尖峰吸收电路,RCD中二极管D导通给电容C充电,电阻R负责释放电容C在每个周期内堆积的能量,吸收尖峰能量,抑制电路所产生的尖峰电压和震荡。RCD吸收电路设计简单,使用元器件少,在精简电路的同时还提高了可量产性,EMI干扰大幅减小,产品功率密度更高,在降低了产品发热量的同时,还缩小了散热器体积,使功率密度提高了5%以上。

在另一实施例中,当电压通过谐振变压电路进行谐振升压时,启动过温保护模块,当电路所处温度超过120℃时,输出高电位,电路停止工作,当电路所处温度低于100℃时,输出低电位,电路重新开始正常工作。

上述技术方案的工作原理为:当电路所处温度低于100℃时(未过温),输出低电位,此时T1截止;当电路所处温度超过120℃时(过温),输出高电位,此时T1导通。当电路所处温度高于120℃时,电路的正相输入端电位大于负向输入端电位,输出高电平。当电路故障排除,或是热量释放后,出于稳定性考虑,取电路所处温度低于100℃时,输出高电平,使电路正常工作。

上述技术方案的有益效果为:当电压通过谐振变压电路进行谐振升压时,启动过温保护模块,当电路所处温度超过120℃时,输出高电位,电路停止工作,当电路所处温度低于100℃时,输出低电位,电路重新开始正常工作。从而避免电路运行过程中温度过高造成电路损耗。

显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

技术分类

06120115929803