发光面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光面板和显示装置。

背景技术

Mini LED显示面板通常包括阵列基板以及层叠设置在阵列基板上的多个硅衬底LED发光器件，多个硅衬底LED发光器件阵列排布。阵列基板上设置有与LED发光器件电连接的薄膜晶体管，通过薄膜晶体管控制硅衬底LED发光器件的发光。此种Mini LED厚度较厚。

发明内容

本申请的实施例提供一种发光面板和显示装置，厚度较薄。

为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种发光面板，包括基板以及设置在所述基板同一侧的发光器件和驱动晶体管，沿远离所述基板的方向，所述发光器件依次包括第一极板、发光结构和第二极板，所述驱动晶体管包括栅极、位于所述栅极远离所述基板一侧的有源层以及与所述有源层连接的第一极和第二极，其中，所述第二极板、所述第一极以及所述第二极同层设置，且所述第二极与所述第二极板连接；所述驱动件晶体管和所述发光结构在所述基板上的正投影不重合。

另一方面，提供了一种发光面板，包括基板以及依次层叠设置在所述基板上的第一导电层和第二导电层，第一导电层和第二导电层之间设有发光结构、第三导电层以及有源层，所述第三导电层和所述有源层部分交叠，所述有源层和所述发光结构在所述基板上的正投影不重合；所述第二导电层包括第二极板以及间隔设置的第一极和第二极，所述第二极与所述第二极板连接；所述第一导电层包括与所述第二极板相对设置的第一极板；所述发光面板还包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动件晶体管包括所述第一极、所述第二极、所述有源层和所述第三导电层；所述发光器件包括所述第一极板、所述第二极板和所述发光结构；所述驱动件晶体管和所述发光器件在所述基板上的正投影不重合。

在一些实施方式中，所述第一导电层和所述第二导电层之间设有绝缘层，所述绝缘层沿平行于出光面的方向间隔设有第一孔和第二孔，所述发光结构位于所述第一孔内，所述有源层和所述栅极位于所述第二孔内。

在一些实施方式中，所述发光结构包括N型半导体、P型半导体以及设置在所述N型半导体和所述P型半导体之间的量子阱发光层。

在一些实施方式中，所述第一导电层和所述发光结构之间设有衬底层。

在一些实施方式中，所述衬底层为硅衬底层。

在一些实施方式中，所述衬底层和所述发光结构之间设有缓冲层，所述发光结构与所述缓冲层直接连接，所述缓冲层被配置为减小所述发光结构和所述衬底层之间的应力。

在一些实施方式中，所述发光结构朝向所述基板的一侧设有反射层，所述反射层被配置为将所述发光结构发出的光朝向所述第二导电层反射。

在一些实施方式中，所述第一导电层为钼铝钼膜层。

在一些实施方式中，所述基板为柔性基板或玻璃基板。

在一些实施方式中，所述发光面板包括多个所述驱动晶体管，所述多个驱动晶体管呈阵列排布，形成多个驱动晶体管行和多个驱动晶体管列。

在一些实施方式中，所述第二导电层包括多条第一走线，所述第一走线的延伸方向与所述驱动晶体管列的延伸方向相同，一条所述第一走线与一列所述驱动晶体管的有源层连接，所述第一走线中与所述有源层连接的位置形成所述驱动晶体管的第一极。

在一些实施方式中，所述有源层背离所述第二导电层一侧设有第三导电层，所述第三导电层包括多条栅极线，所述栅极线的延伸方向与所述驱动晶体管行的延伸方向相同，一条所述栅极线与一行所述驱动晶体管的有源层至少部分交叠，所述栅极线中与所述有源层交叠的位置形成所述驱动晶体管的栅极，所述有源层中与所述栅极线交叠的位置形成所述驱动晶体管的沟道。

另一方面，提供了一种显示装置，包括所述的发光面板。

本申请实施例提供的发光面板和显示装置，驱动晶体管位于第一导电层背离基板的一侧，即发光结构、第二极板等结构与驱动晶体管不再层叠设置，而是均位于第一导电层背离基板的一侧，并沿平行于出光面的方向间隔设置。相对于相关技术中，发光器件和驱动晶体管沿垂直于出光面的方向层叠设置，使得发光面板的厚度降低。另外，由于发光器件和驱动晶体管共用同一个基板，减少了发光面板中基板的数量，降低了发光面板的厚度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种LED发光器件的剖视图；

图2为图5中关于A-A的剖视图；

图3为一种量子阱发光层的膜层结构图；

图4为本申请实施例中发光器件与驱动晶体管连接的电路原理图；

图5为本申请实施例提供的一种发光面板的俯视图；

图6为本申请实施例提供的一种发光面板的部分膜层示意图。

附图标记：

1-蓝宝石衬底；2-过渡层；3-N型半导体层；4-多量子阱发光层；5-电子阻挡层；6-P型半导体层；7-重掺杂P型半导体层；

10-基板；

20-第一导电层；

30-衬底层；

40-缓冲层；

50-绝缘层；

60-保护层；

70-发光结构；

71-N型半导体；

72-量子阱发光层；

72a-N掺杂半导体；

72b-P掺杂半导体；

73-P型半导体；

74-反射层；

80-驱动晶体管；

81-第二极；

82-第一极；

83-有源层；

84-栅极；

85-栅极线；

91-第二极板；

92-第一走线；

100-发光器件；

200-驱动晶体管列；

300-驱动晶体管行。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的实施例中，采用“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本申请实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

在本申请的实施例中，“多个”的含义是两个或两个以上，“至少一个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的实施例中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

Mini LED显示面板包括多个LED发光器件，LED发光器件通常使用蓝宝石作为衬底。图1为一种LED发光器件的剖视图。如图1所示，LED发光器件包括依次层叠设置的蓝宝石衬底1、过渡层2、N型半导体层3、多量子阱发光层4、电子阻挡层5、P型半导体层6以及重掺杂P型半导体层7。其中，半导体层和过渡层2可以采用GaN。

例如，在制备LED发光器件时，可以在80um厚的蓝宝石衬底上积淀4.5um厚的GaN过渡层，再在过渡层上积淀2um厚的N型掺杂GaN，然后依次积淀多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层以及重掺杂P型半导体层等。

然而，由于蓝宝石衬底不容易从LED发光器件上剥离，导致蓝宝石衬底的LED发光器件整体厚度较厚。并且，由于LED发光器件在发光时既可以朝向蓝宝石衬底发射光线，也可以沿背离蓝宝石衬底的方向发射光线，导致蓝宝石衬底LED发光器件的聚光性能较差。因此，蓝宝石衬底LED发光器件无法应用在对聚光性能要求较高的应用场景中。

例如，一种应用硅衬底LED发光器件的Mini LED显示面板通常包括阵列基板以及设置在阵列基板上的多个硅衬底LED发光器件，多个硅衬底LED发光器件阵列排布。阵列基板上设置有与LED发光器件电连接的薄膜晶体管，通过薄膜晶体管控制硅衬底LED发光器件的发光。

然而，由于阵列基板与硅衬底LED发光器件沿垂直于Mini LED显示面板出光面的方向叠置，导致Mini LED显示面板的厚度较厚。尤其是当阵列基板和硅衬底LED发光器件都包括基板时，Mini LED显示面板包括两层基板，使Mini LED显示面板厚度更厚。

基于此，本申请实施例提供了一种发光面板，发光面板包括基板以及设置在基板同一侧的发光器件和驱动晶体管。沿远离基板的方向，发光器件依次包括第一极板、发光结构和第二极板。驱动晶体管包括栅极、位于栅极远离基板一侧的有源层以及与有源层连接的第一极和第二极。其中，第二极板、第一极以及第二极同层设置，且第二极与第二极板连接；驱动件晶体管和发光结构在基板上的正投影不重合。

如图2至图6所示，发光面板包括基板10以及依次层叠设置在基板10上的第一导电层20和第二导电层，第二导电层包括第二极板91，第二极板91和第一导电层20之间设有发光结构70，第二极板91和第一导电层20之间通入预设电压时，发光结构70发光，即第二极板91、发光结构70和第一导电层20共同构成发光器件100。

基板10用于支撑发光面板的各膜层和器件。基板10可以为柔性基板(例如，聚酰亚胺基板)，也可以为刚性基板(例如，玻璃基板)。本申请实施例对基板10的材料不作限定，实际应用过程中可以根据发光面板的具体应用场景和生产工艺灵活选择。

第一导电层20能够导电，可以由导体材料制成(例如，金属)。示例性地，第一导电层20为钼-铝-钼膜层。钼-铝-钼膜层表面不容易产生突触，使得积淀在第一导电层20上的膜层平坦性更好，并且积淀在第一导电层20上膜层不容易被突触碰穿，提高了发光面板的可靠性。

当然，第一导电层20还可以是其他材料，例如氧化铟锡、氧化锌铝等。

示例性地，发光面板的发光方式为底发光，即发光面板的出光面位于基板10背离发光结构70的一侧。发光结构70发出的光穿过第一导电层20和基板10射出。此时，为了降低第一导电层20对光线的遮挡，第一导电层20可以为氧化铟锡、氧化锌铝等透明材料制成。

第一导电层20可以直接积淀在基板10上，第一导电层20和基板10之间也可以设有其他膜层，本申请实施例对此不作限定。

第一导电层20作为发光器件100的其中一个极板，工作时保持在一定电位，与第二极板91配合，以使第一导电层20和第二极板91之间形成电场。发光结构70在电场的作用下发光。

第一导电层20可以进行图形化，也可以不进行图形化。

当第一导电层20经过图形化时，第一导电层20可以包括与第二极板91相对设置的第一极板，发光结构70位于第一极板和第二极板91之间。第一导电层20中不与第二极板91相对的位置可以镂空，可以防止第一导电层20与发光面板中的其他走线形成寄生电容。

示例性地，发光面板包括多个间隔设置的发光器件100，每个发光器件100均包括至少一个第二极板91。相应地，第一导电层20中对应每个第二极板91的位置均相对设置至少一个第一极板。

当第一导电层20不进行图形化时，第一导电层20可以覆盖基板10。此时，由于节省了图形化的工序，发光面板的制备工序更加简单。

第二导电层能够导电，可以由导体材料制成(例如，金属)。

第二导电层包括第二极板91，第二极板91作为发光器件100的其中一个极板，工作时保持在一定电位，与第一导电层20配合，以使第一导电层20和第二极板91之间形成电场。发光结构70在电场的作用下发光。其中，第一导电层20和第二极板91的电位差为发光结构70的驱动电压。

示例性地，发光面板的发光方式为顶发光，即发光面板的出光面位于发光结构70背离基板10的一侧。发光结构70发出的光穿过第二极板91射出。此时，为了降低第二极板91对光线的遮挡，第二极板91可以为氧化铟锡、氧化锌铝等透明材料制成。

当然，第二极板91还可以采用其他透明或不透明的导电材料，本申请实施例对此不作限定。当第二极板91的材料不透明时，可以通过在第二极板91上开设过孔的方式提高光线的透光率。

发光结构70位于第二极板91和第一导电层20之间，第二极板91和发光结构70在基板10的正投影至少部分重合，发光结构70能够在第二极板91和第一导电层20形成的电场作用下发光。发光结构70发出的光可以为白色光、蓝色光、红色光、黄色光、绿色光等，本申请实施例对发光结构70发出光的颜色不作限定。当发光面板包括多个发光结构70时，不同发光结构70可以发出相同颜色的光，也可以发出不同颜色的光。

示例性地，发光面板包括多个发光器件100，各发光器件100均发出白色光，在发光器件100出光面一侧对应不同的发光器件100设置不同颜色的滤光膜，可以使不同发光器件100呈现出不同颜色。

例如，发光面板包括呈阵列排布的多个发光器件100，其中三个相邻的发光器件100为一组，形成多组发光器件100。一组发光器件100中的三个发光器件100分别对应设置红色滤光膜、绿色绿光膜和绿色绿光膜，从而可以使一组发光器件100中的三个发光器件100相互配合发出特定颜色的光。多组发光器件100相互配合显示图像。

示例性地，发光面板包括多个发光器件100，多个发光器件100包括三类发光器件100，同一类发光器件100发出同一种颜色的光，不同类发光器件100发出不同颜色的光。

例如，发光面板包括呈阵列排布的多个发光器件100，其中三个相邻的发光器件100为一组，形成多组发光器件100。一组发光器件100中的三个发光器件100分别发出红色光、绿色光和蓝色光，从而可以使一组发光器件100中的三个发光器件100相互配合发出特定颜色的光。多组发光器件100相互配合显示图像。

当然，发光结构70还可以有其他设置方式，在此不一一列举。

发光结构70可以包括N型半导体71、P型半导体73以及设置在N型半导体71和P型半导体73之间的量子阱发光层72。工作时，第二极板91和第一导电层20之间形成电场，N型半导体71中的电子和P型半导体73中的空穴在电场的驱动下进入量子阱发光层72，并在量子阱发光层72中剧烈地碰撞复合产生光子。

其中，N型半导体71是指N型掺杂半导体。示例性地，N型半导体71为N型氮化镓层，作为N型氮化镓电流扩展层，通过在氮化镓材料中掺杂磷或锑元素形成。当然，N型半导体71还可以为其他半导体材料。

P型半导体73是指P型掺杂半导体。示例性地，P型半导体73为P型氮化镓层，作为P型欧姆接触层和P型氮化镓电流扩展层，通过在氮化镓材料中掺杂硼或铟元素形成。当然，P型半导体73还可以为其他半导体材料。

量子阱发光层72作为量子阱结构，主要由不同的半导体材料制备生成，保证正负电荷充分中和。量子阱发光层72可以由多层N型半导体71和多层P型半导体73交替层叠设置而成。

图3为一种量子阱发光层的膜层结构图。示例性地，如图3所示，量子阱发光层72包括四层N掺杂半导体72a和四层P掺杂半导体72b，N掺杂半导体72a和P掺杂半导体2b交替层叠设置。N掺杂半导体72a可以为N型氮化镓，P掺杂半导体72b可以为P型氮化镓。

其中，量子阱发光层72中最外侧的N掺杂半导体72a与发光结构70中的N型半导体71连接，量子阱发光层72中最外侧的P掺杂半导体72b与发光结构70中的P型半导体73连接。

图2为本申请实施例提供的一种发光面板的剖视图。示例性地，如图2所示，发光结构70的N型半导体71靠近第二极板91设置，而发光结构70的P型半导体73靠近第一导电层20设置，工作时第二极板91通入相对低电位，第一导电层20通入相对高电位。当然，实际应用时也可以是，发光结构70的N型半导体71靠近第一导电层20设置，而发光结构70的P型半导体73靠近第二极板91设置，工作时第二极板91通入相对高电位，第一导电层20通入相对低电位。

第一导电层20背离基板10的一侧设有驱动晶体管80，驱动件晶体管和发光结构70在基板10上的正投影不重合，驱动晶体管80包括第一极82、第二极81和栅极84，第二极81与第二极板91连接，以使驱动晶体管80可以控制发光器件100的发光。

相关技术中，发光器件100和驱动晶体管80沿垂直于出光面的方向层叠设置，使得发光面板的厚度较厚。而本申请实施例提供的发光面板，驱动晶体管80位于第一导电层20背离基板10的一侧，即发光结构70、第二极板91等结构与驱动晶体管80不再层叠设置，而是均位于第一导电层20背离基板10的一侧，并沿平行于出光面的方向间隔设置，使得发光面板的厚度降低。

另外，由于发光器件100和驱动晶体管80共用同一个基板10，减少了发光面板中基板10的数量，降低了发光面板的厚度。

具体应用时，可以是：在基板10同一侧设置发光器件100和驱动晶体管80，沿远离基板10的方向，发光器件100依次包括第一导电层20、发光结构70和第二极板91，驱动晶体管80包括依次层叠设置的栅极84、有源层83以及与有源层83连接的第一极82和第二极81。其中，第二极板91、第一极82以及第二极81同层设置，且第二极81与第二极板91连接。

其中，对应一个发光器件100可以设置一个驱动晶体管80，也可以设置多个驱动晶体管80。当一个发光器件100对应设置多个驱动晶体管80时，多个驱动晶体管80可以相互配合形成驱动电路，以控制与之对应的发光器件100。

图4为本申请实施例中发光器件与驱动晶体管连接的电路原理图。当一个发光器件100对应设置一个驱动晶体管80时，示例性地，如图4所示，驱动晶体管80与发光器件100连接后，通过控制驱动晶体管80栅极84电压的大小，控制发光器件100的亮度。例如，图中A端和B端之间通入驱动电压，通过控制C端的电压控制流经发光器件100的电流大小，由于LED的发光亮度与流经的电流大小呈线性关系，从而实现控制发光器件100的亮度。其中，A端为驱动晶体管80的第一极82，B端为第一导电层20，C端为驱动晶体管80的栅极84。

第一极82和第二极81位于第二导电层，第二导电层和第一导电层20之间还设有与第一极82和第二极81连接的有源层83，栅极84位于有源层83背离第二导电层一侧。有第一极82、第二极81和第二极板91同层设置，使得驱动晶体管80的各个膜层均位于发光器件100的第二极板91和第一导电层20之间的范围内，从而有利于降低发光面板的厚度。

其中，第一极82和第二极81的材料可以与第二极板91相同，也可以不同。

当第一极82、第二极81以及第二极板91的材料相同时，制备过程中可以先积淀一层第二导电层，然后通过蚀刻等方式形成第一极82、第二极81以及第二极板91。

当第一极82、第二极81以及第二极板91的材料不同时，制备过程中可以通过掩膜工艺分别积淀第一极82、第二极81以及第二极板91。示例性地，第一极82和第二极81为金属，例如铝-钼。

第一导电层20和第二导电层之间设有绝缘层50，绝缘层50沿平行于出光面的方向间隔设有第一孔和第二孔，发光结构70位于第一孔内，有源层83和栅极84位于第二孔内。

绝缘层50由绝缘材料(例如，氮化硅)制成，不容易导电。示例性地，继续参考图2和图6，在第一导电层20背离基板10的一侧形成绝缘层50，然后在绝缘层50上分别蚀刻第一孔51和第二孔52，在第一孔51内依次积淀P型半导体73、多量子阱发光层72、N型半导体71，以在第一孔51内形成发光结构70，然后形成第二极板91，第二极板91覆盖第一孔的开口，第一导电层20、发光结构70以及第二极板91构成发光器件100。同理，在第二孔52内依次积淀栅极84和有源层83，然后形成与有源层83连接的第一极82和第二极81，以形成驱动晶体管80。

其中，图6所示示例中，第一孔51和第二孔52的深度不同，实际应用过程中第一孔51和第二孔52的深度也可以相同。

由于发光结构70为半导体材料，使得发光结构70通常不能直接生长在第一导电层20上。因此，如图2所示，第一导电层20和发光结构70之间可以设有衬底层30，衬底层30作为生长发光结构70的基础。衬底层30可以为蓝宝石衬底，也可为硅衬底等。当衬底层30为硅衬底时，由于硅衬底相对蓝宝石衬底厚度更薄，因此发光面板的厚度较薄。

进一步地，如图2所示，衬底层30和发光结构70之间设有缓冲层40，发光结构70与缓冲层40直接连接，缓冲层40被配置为减小发光结构70和衬底层之间的应力。

示例性地，缓冲层40作为多层错位过滤缓冲层，主要由AlN层和多层不同Al组分的AlxGa1-xN层组成，从而使得缓冲层40缓冲膜层之间的应力。其中的AlN层和AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构具有导电能力，有利于发光器件100的发光。

发光器件100在发光时，既沿朝向基板10的方向发光，也沿背离基板10的方向发光，而发光方向越多，发光越不集中，使得发光器件100发光效率较低。为了提高发光器件100的发光效率，可以在发光结构70和第一导电层20之间设置反射层74。这样，发光结构70沿朝向基板10方向发射的光被反射层74阻挡，并沿背离基板10的方向反射，增加了沿背离基板10方向的光的数量，因此提高了发光器件100的发光效率。

反射层74的材料可以为银，当然也可以采用其他反射率较高的材料，只要能实现光的反射即可。

示例性地，继续参考图2，反射层74位于发光结构70和缓冲层40之间。例如，在缓冲层40对应发光结构70的位置刻蚀盲孔，在盲孔内积淀金属形成反射层74。

当发光面板的发光方式为底发光时，反射层74也可以设置在第二极板91和发光结构70之间，使得发光结构70发出的大部分光沿朝向基板10的方向发射。

实际应用时，如图2所示，第二导电层背离基板10的一侧可以设有保护层60，保护层60可由绝缘材料(例如，氮化硅)制成。保护层60作为耐磨和耐腐蚀的绝缘体，保护整个发光面板，同时保护层60具有透光性，可以允许发光器件100发出的光透过保护层60。

发光面板可以包括多个驱动晶体管80，多个驱动晶体管80呈阵列排布，形成多个驱动晶体管80行和多个驱动晶体管80列。

图5为本申请实施例提供的一种发光面板的俯视图。示例性地，如图5所示，一个驱动晶体管行300包括多个驱动晶体管80，多个驱动晶体管80沿图示水平方向排布。一个驱动晶体管列200包括多个驱动晶体管80，多个驱动晶体管80沿图示竖直方向排布。

需要说明的是，图5中仅以一个驱动晶体管行300包括两个驱动晶体管80，一个驱动晶体管列200包括两个驱动晶体管80为例进行说明。实际应用过程中，一个驱动晶体管行300和一个驱动晶体管列200所包含的驱动晶体管80数量可以远大于两个。例如，发光面板作为显示面板的一部分时，驱动晶体管80的数量取决于显示面板的分辨率。当显示面板1920*1080时，一个驱动晶体管行300可以包括1920个驱动晶体管80，一个驱动晶体管列200可以包括1080个驱动晶体管80。

第二导电层包括多条第一走线92，第一走线92的延伸方向与驱动晶体管列200的延伸方向相同，一条第一走线92与一列驱动晶体管80的有源层83连接，第一走线92中与有源层83连接的位置形成驱动晶体管80的第一极82。一条第一走线92与一列驱动晶体管80的有源层83连接，可以减少发光面板中走线的数量。

有源层83背离第二导电层一侧设有第三导电层，第三导电层位于第一导电层20和第二导电层之间，第三导电层包括多条栅极线85，栅极线85的延伸方向与驱动晶体管行300的延伸方向相同，一条栅极线85与一行驱动晶体管80的有源层83至少部分交叠，栅极线85中与有源层83交叠的位置形成驱动晶体管80的栅极84，有源层83中与栅极线85交叠的位置形成驱动晶体管80的沟道。一条栅极线85与一行驱动晶体管80的有源层83至少部分交叠，可以减少发光面板中走线的数量。

第一走线92和栅极线85配合可以控制发光面板中发光器件100的发光。

示例性地，第一导电层20作为发光器件100的公共阳极，发光器件100的第二极板91与驱动晶体管80的漏极连接，驱动晶体管80的源极与第一走线92连接，驱动晶体管80的栅极84与栅极线85连接。第一导电层20长期处于高电位状态，在其中一根第一走线92上接入低电位，与此第一走线92连接的一列驱动晶体管80的源极均接入低电位，在其中一根栅极线85接入一定电压(大于驱动晶体管80的开启电压)，使上述第一走线92和上述栅极线85交汇处的驱动晶体管80导通，使得与此驱动晶体管80连接的发光器件100的第二极板91通入低电位，从而在第一导电层20和第二极板91之间形成电场，驱动发光结构70发光。

因此，通过第一走线92和栅极线85的配合可以精准的控制发光面板中某个发光器件100的发光。

本申请实施例提供的发光面板可以用于显示图像。

例如，发光面板包括呈阵列排布的多个发光器件100，其中三个相邻的发光器件100为一组，形成多组发光器件100。一组发光器件100中的三个发光器件100分别对应设置红色滤光膜、绿色绿光膜和绿色绿光膜，从而可以使一组发光器件100中的三个发光器件100相互配合发出特定颜色的光。多组发光器件100相互配合显示图像。

又例如，发光面板包括呈阵列排布的多个发光器件100，其中三个相邻的发光器件100为一组，形成多组发光器件100。一组发光器件100中的三个发光器件100分别发出红色光、绿色光和蓝色光，从而可以使一组发光器件100中的三个发光器件100相互配合发出特定颜色的光。多组发光器件100相互配合显示图像。

发光面板也可以作为显示模组的一部分，与显示面板配合显示图像。

例如，显示模组为LCD显示模组，包括液晶显示面板和发光面板，发光面板作为液晶面板的背光源，为液晶显示面板提供光源。

当然，发光面板还可以有其他应用场景，在此不一一列举。

另一方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以是手机、笔记本电脑、超级移动个人计算机(UMPC)、上网本、个人数字助理(PDA)、可穿戴设备、虚拟现实设备或移动计算设备等其他具有显示面板的装置，本申请实施例对此不作限定。上述的发光面板可以作为显示面板，也可以为显示面板提供背光源。

本申请实施例提供的显示装置，驱动晶体管位于第一导电层背离基板的一侧，即发光结构、第二极板等结构与驱动晶体管不再层叠设置，而是均位于第一导电层背离基板的一侧，并沿平行于出光面的方向间隔设置。相对于相关技术中，发光器件和驱动晶体管沿垂直于出光面的方向层叠设置，使得发光面板的厚度降低。另外，由于发光器件和驱动晶体管共用同一个基板，减少了发光面板中基板的数量，降低了发光面板的厚度。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。