显示装置

技术领域

本发明的一个方式涉及一种显示装置。本发明的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

背景技术

近年来，高清晰显示器面板被需求。作为被要求高清晰显示器面板的设备，例如有智能手机、平板终端、笔记本型计算机等。另外，电视装置、监视装置等固定式显示器装置也随着高分辨率化被要求高清晰化。作为最需求高清晰度的设备，例如有应用于虚拟现实(VR：Virtual Reality)或增强现实(AR：Augmented Reality)的设备。

此外，作为可以应用于显示器面板的显示装置，典型地可以举出液晶显示装置、包括有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件或发光二极管(LED：Light EmittingDiode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。

例如，有机EL元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压，可以得到来自发光性有机化合物的发光。由于应用上述有机EL元件的显示装置不需要液晶显示装置等所需要的背光源，所以可以实现薄型、轻量、高对比度且低功耗的显示装置。例如，专利文献1公开了使用有机EL元件的显示装置的例子。

专利文献2公开了使用有机EL器件的应用于VR的显示装置。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2002-324673号公报

[专利文献2]国际专利申请公开第2018/087625号

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的一个方式的目的之一是提供一种显示品质高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种容易实现高清晰化的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种兼具有高显示品质及高清晰度的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种对比度高的显示装置。

本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一是提供一种高成品率地制造上述显示装置的方法。本发明的一个方式的目的之一是至少改善现有技术的问题中的至少一个。

注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽出上述以外的目的。

解决技术问题的手段

本发明的一个方式是一种包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层的显示装置，其中，第一层包括沟道形成区域中包含硅的第一晶体管，第二层包括沟道形成区域中包含金属氧化物的第二晶体管，第三层包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件、横跨设置在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的EL层、第一发光元件上的第一着色层、第二发光元件上的第二着色层以及第三发光元件上的第三着色层，并且，EL层包括发射白色光的发光层，在第二发光元件与第三发光元件之间确认不到串扰。

在上述结构中，优选的是，在平面看时，第二发光元件与第三发光元件相邻。

在上述结构中，优选的是，第一着色层具有透过红色光的功能，第二着色层具有透过绿色光的功能，第三着色层具有透过蓝色光的功能。另外，优选的是，第一着色层具有透过绿色光的功能，第二着色层具有透过蓝色光的功能，第三着色层具有透过红色光的功能。另外，优选的是，第一着色层具有透过蓝色光的功能，第二着色层具有透过红色光的功能，第三着色层具有透过绿色光的功能。

另外，本发明的一个方式是一种包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层的显示装置，其中，第一层包括沟道形成区域中包含硅的第一晶体管，第二层包括沟道形成区域中包含金属氧化物的第二晶体管，第三层包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件、横跨设置在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的EL层、第一发光元件上的第一着色层、第二发光元件上的第二着色层以及第三发光元件上的第三着色层，EL层包括发射白色光的发光层，第一着色层具有透过红色光的功能，第二着色层具有透过绿色光的功能，第三着色层具有透过蓝色光的功能，并且，当使第二发光元件以辐射亮度为0.001W/sr/m

发明效果

根据本发明的一个方式，可以提供一种显示品质高的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种可靠性高的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种功耗低的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种容易实现高清晰化的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种兼具有高显示品质及高清晰度的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种对比度高的显示装置。

根据本发明的一个方式，可以提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。根据本发明的一个方式，可以提供一种高成品率地制造上述显示装置的方法。根据本发明的一个方式，可以至少改善现有技术的问题中的至少一个。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽出上述以外的效果。

附图简要说明

图1A至图1D是示出显示装置的结构例子的图。

图2A至图2C是示出显示装置的结构例子的图。

图3A至图3C是示出显示装置的结构例子的图。

图4A至图4F是示出显示装置的制造方法例子的图。

图5A至图5D是示出显示装置的制造方法例子的图。

图6A至图6C是示出显示装置的制造方法例子的图。

图7A至图7C是示出显示装置的制造方法例子的图。

图8A及图8B是示出显示装置的结构例子的图。

图9A及图9B是示出显示装置的结构例子的图。

图10是示出显示装置的一个例子的立体图。

图11A是示出显示装置的一个例子的截面图。图11B及图11C是示出晶体管的一个例子的截面图。

图12A及图12B是示出显示模块的一个例子的立体图。

图13A是示出显示装置的结构例子的图。图13B至图13(E)是示出像素的结构例子的图。

图14是示出像素的结构例子的电路图。

图15是说明像素的工作的时序图。

图16是示出显示装置的一个例子的截面图。

图17是示出显示装置的一个例子的截面图。

图18是示出显示装置的一个例子的截面图。

图19是示出显示装置的一个例子的截面图。

图20是示出显示装置的结构例子的图。

图21A至图21F是示出发光元件的结构例子的图。

图22A及图22B是示出电子设备的一个例子的图。

图23A至图23D是示出电子设备的一个例子的图。

图24A至图24F是示出电子设备的一个例子的图。

图25A至图25F是示出电子设备的一个例子的图。

图26A及图26B是根据实施例的显示面板的显示照片。

图27A至图27D示出显示面板的发光。

图28A及图28B示出显示面板的亮度。

图29A至图29D示出显示面板的发光。

图30A及图30B示出显示面板的亮度。

图31A至图31D示出显示面板的发光。

图32A及图32B示出显示面板的亮度。

图33A至图33D示出显示面板的发光。

图34A及图34B示出显示面板的亮度。

实施发明的方式

下面，参照附图对实施方式进行说明。注意，实施方式可以以多个不同方式来实施，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。

注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别附加附图标记。

注意，在本说明书所说明的各个附图中，有时为了明确起见，夸大表示各构成要素的大小、层的厚度、区域。因此，本发明并不局限于附图中的尺寸。

在本说明书等中使用的“第一”、“第二”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附记的，而不是为了在数目方面上进行限定的。

在本说明书等中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”或“绝缘层”分别变换为“导电膜”或“绝缘膜”。

注意，在本说明书中，EL层是指设置在发光元件(也称为发光器件)的一对电极之间且至少包括发光物质的层(也称为发光层)或包括发光层的叠层体。

在本说明书等中，显示装置的一个方式的显示面板是指能够在显示面显示(输出)图像等的面板。因此，显示面板是输出装置的一个方式。

在本说明书等中，有时将在显示面板的衬底上安装有例如FPC(Flexible PrintedCircuit：柔性印刷电路)或TCP(Tape Carrier Package：载带封装)等连接器的结构或在衬底上以COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式等直接安装IC的结构称为显示面板模块或显示模块，或者也简称为显示面板等。

本发明的一个方式的发光元件也可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质及双极性物质等的层。

另外，上述发光层以及包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质及双极性物质等的层可以分别包含量子点等的无机化合物或高分子化合物(低聚物、枝状聚合物或聚合物等)。例如，通过将量子点用于发光层，也可以将其用作发光材料。

另外，作为量子点材料，可以使用胶状量子点材料、合金型量子点材料、核壳(CoreShell)型量子点材料、核型量子点材料等。另外，也可以使用包含属于第12族和第16族、第13族和第15族、第14族和第16族的元素组的元素的材料。或者，可以使用包含镉、硒、锌、硫、磷、铟、碲、铅、镓、砷、铝等元素的量子点材料。

在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模)的元件称为具有MM(Metal Mask)结构的元件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或FMM的元件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的元件。

此外，在本说明书等中，有时将在各颜色的发光元件(这里为蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为SBS(Side By Side)结构。SBS结构由于可以对各发光元件使材料及结构最优化，材料及结构的选择自由度得到提高，可以容易实现亮度及可靠性的提高。

在本说明书等中，有时将可发射白色光的发光元件称为白色发光元件(也称为白色发光器件)。另外，白色发光元件通过与着色层(例如，滤色片)组合可以实现以全彩色显示的显示装置。

发光元件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的元件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个发光单元，而且该发光单元包括一个以上的发光层。在使用两个发光层得到白色发光的情况下，以两个发光层的各发光处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光元件整体上以白色发光的结构。此外，在使用三个以上的发光层得到白色发光的情况下，三个以上的发光层的各发光颜色组合而得到在发光元件整体上以白色发光的结构即可。

串联结构的元件优选具有如下结构：在一对电极间包括两个以上的多个发光单元，而且各发光单元包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，采用组合从多个发光单元的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。注意，得到白色发光的结构与单结构中的结构同样。此外，在串联结构的元件中，优选在多个发光单元间设置电荷产生层等中间层。

(实施方式1)

在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置的结构例子及显示装置的制造方法例子。

本发明的一个方式是包括发光元件(也称为发光器件)的显示装置。显示装置包括发射不同颜色的光的至少两个发光元件。发光元件各自包括一对电极及该一对电极间的EL层。作为发光元件，可以使用有机EL元件、无机EL元件等的电致发光元件。除此之外，也可以使用发光二极管(LED)。本发明的一个方式的发光元件优选使用有机EL元件(有机电场发光元件)。发射不同颜色的两个以上的发光元件各自包括包含不同材料的EL层。例如，通过包括分别发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的三种发光元件，可以实现全彩色显示装置。

在此，已知当在不同颜色的发光元件间分别制造EL层时，利用使用金属掩模等荫罩的蒸镀法。然而，该方法不容易实现高清晰化及高开口率化，因为因金属掩模的精度、金属掩模与衬底的错位、金属掩模的挠曲、以及蒸气的散射等所导致的沉积的膜的轮廓变大等各种影响而岛状有机膜的形状及位置不同于设计。另外，在进行蒸镀时有时产生起因于附着于金属掩模的材料的垃圾。这种垃圾有可能导致发光元件的图案不良。另外，有可能发生起因于垃圾的短路。另外，需要附着于金属掩模的材料的清洗工序。因此，通过采用Pentile排列等特殊像素排列方式等而模拟地提高清晰度(也称为像素密度)。

本发明的一个方式不使用金属掩模等的荫罩将EL层加工为微细图案。因此，可以实现从来难以实现的具有高清晰度和高开口率的显示装置。另外，由于可以分别制造EL层，所以可以实现非常鲜明且对比度高的显示品质高的显示装置。

另外、在本实施方式的显示装置中、島状的EL层不是使用金属掩模的图案形成的，而是在整个面上沉积EL层之后进行加工来形成的，由此可以以均匀的厚度形成岛状的EL层。另外，可以实现至今难以实现的高清晰的显示装置或者高开口率的显示装置。并且，因为分别形成各颜色的EL层，所以可以实现极为鲜明、对比度高且显示品质高的显示装置。此外，通过在EL层上设置牺牲层，可以降低在显示装置的制造工序中EL层受到的损伤，而可以提高发光元件的可靠性。

注意，本发明的一个方式的显示装置采用包括OS晶体管以及MML(Metal MaskLess)结构的发光元件的结构。通过采用该结构，可以使可流过晶体管的泄漏电流以及可流过相邻的发光元件之间的泄漏电流(也称为横向泄漏电流、侧泄漏电流等)极低。此外，通过采用该结构，当将图像显示在显示装置上时，观看者可以观测到图像的鲜锐度、图像的锐度、高色饱和度和高对比度中的任一个或多个。另外，通过采用可流过晶体管的泄漏电流以及发光元件之间的横向泄漏电流极低的结构，可以进行在显示黑色时可发生的光泄露(所谓的黑色模糊)等极少的显示(也称为全黑色显示)。

在此，例如在将设置在单晶硅衬底上的单晶硅晶体管用作控制流过发光元件的电流的驱动晶体管的情况下，有可能在相邻的发光元件之间因通过晶体管以及衬底流过的泄漏电流而在发光元件之间发生串扰。但是，本发明的一个方式的显示装置采用包括OS晶体管的结构，由此可流过晶体管的泄漏电流以及发光元件之间的横向泄漏电流极低，从而可以抑制发光元件之间的串扰。

此外，在本发明的一个方式的显示装置可以采用不设置覆盖像素电极的端部的绝缘物的结构。换言之，在像素电极与EL层之间不设置绝缘物。通过采用该结构，可以高效地取出从EL层的发光，而可以使视角依赖性极小。例如，在本发明的一个方式的显示装置中，视角(在从斜侧看屏幕时维持一定对比度的最大角度)可以为100°以上且小于180°、优选为150°以上且170°以下的范围内。另外，上下左右都可以采用上述视角。通过采用本发明的一个方式的显示装置，视角依赖性得到提高，可以提高图像的可见度。

注意，在使用高精细金属掩模(FMM)结构形成显示装置的情况下，有时对像素配置的结构等有限制。在此，以下对FMM结构进行说明。

作为FMM结构，在EL蒸镀时与衬底对置地设置以EL被蒸镀在所希望的区域中的方式设置有开口部的金属掩模(也称为FMM)。然后，通过FMM进行EL蒸镀，以在所希望的区域中进行EL蒸镀。当EL蒸镀时的衬底尺寸变大时，FMM的尺寸也变大，其重量也变大。此外，在EL蒸镀时因为热等被施加到FMM，所以有时FMM变形。或者，还有在EL蒸镀时对FMM施加一定拉力来进行蒸镀的方法等，所以FMM的重量及强度是重要的参数。

因此，在使用FMM设计像素配置的结构的情况下，需要考虑上述参数等，而需要在一定限制下进行研究。另一方面，本发明的一个方式的显示装置采用MML结构来制造，因此发挥如下优异效果，即与FMM结构相比像素配置的结构等的自由度高。此外，本结构例如非常适合于柔性装置等，像素和驱动电路中的任一方或双方可以采用各种电路配置。

在此，为了简化起见，说明分别制造两个颜色的发光元件的EL层的情况。首先，覆盖像素电极层叠形成第一EL膜及第一牺牲膜。接着，在第一牺牲膜上形成抗蚀剂掩模。接着，使用抗蚀剂掩模对第一牺牲膜的一部分及第一EL膜的一部分进行蚀刻来形成第一EL层及第一EL层上的第一牺牲层。

接下来，层叠形成第二EL膜及第二牺牲膜。接着，使用抗蚀剂掩模对第二牺牲膜的一部分及第二EL膜的一部分进行蚀刻来形成第二EL层及第二EL层上的第二牺牲层。接着，将第一牺牲层及第二牺牲层作为掩模对像素电极进行加工而形成与第一EL层重叠的第一像素电极及与第二EL层重叠的第二像素电极。通过上述步骤可以分别形成第一EL层及第二EL层。最后，去除第一牺牲层及第二牺牲层而形成公共电极，由此可以分别形成两个颜色的发光元件。

另外，通过反复进行上述工序可以分别形成三个颜色以上的发光元件的EL层，由此可以实现包括三个或四个以上的颜色的发光元件的显示装置。

在EL层的端部，因设置有像素电极及EL层的区域与没有设置像素电极及EL层的区域而产生台阶。当在EL层上形成公共电极时，有可能因EL层的端部的台阶而公共电极的覆盖性降低，而公共电极被切断。另外，也有可能公共电极变薄而电阻上升。

另外，在像素电极的端部大致与EL层的端部对齐的情况以及像素电极的端部位于EL层的端部的外侧的情况下，当在EL层上形成公共电极时，公共电极和像素电极有可能发生短路。

在本发明的一个方式中，通过在第一EL层与第二EL层间设置绝缘层可以减小设置公共电极的面的凹凸。因此，可以提高第一EL层的端部及第二EL层的端部的公共电极的覆盖性而可以实现公共电极的良好导电性。另外，可以抑制公共电极与像素电极的短路。

在不同颜色的EL层彼此相邻时，例如在使用金属掩模的形成方法中将彼此相邻的EL层的间隔设为小于10μm是困难的，但是在上述方法中可以减少到3μm以下、2μm以下或1μm以下。例如，通过使用LSI用曝光装置，也可以将间隔减少到500nm以下、200nm以下、100nm以下、甚至为50nm以下。由此，可以大幅度地减小有可能存在于两个发光元件间的非光发光区域的面积，而可以使开口率接近于100％。例如，也可以实现50％以上、60％以上、70％以上、80％以上、甚至为90％以上且低于100％的开口率。

另外，关于EL层本身的图案也可以与使用金属掩模的情况相比显著地减少。另外，例如在使用金属掩模分别形成EL层的情况下，图案的中央及端部的厚度不同，所以相对于图案整体的面积的能够作为发光区域使用的有效面积变小。另一方面，在上述制造方法中通过对沉积为均匀厚度的膜进行加工来形成图案，所以可以使图案的厚度均匀，即使采用微细图案也可以使其几乎所有区域用作发光区域。因此，通过上述制造方法，可以兼具有高清晰度和高开口率。

如此，通过上述制造方法可以实现集成地配置有微细发光元件的显示装置，而例如无需Pentile方式等特殊像素排列方式模拟地提高清晰度，所以可以实现采用将R、G及B都在一个方向上排列的所谓的条纹排列且具有500ppi以上、1000ppi以上、或者2000ppi以上、甚至为3000ppi以上、甚至为5000ppi以上的清晰度的显示装置。

以下，参照附图说明本发明的一个方式的显示装置的更具体的结构例子及制造方法例子。

[结构例子1]

图1A示出本发明的一个方式的显示装置100的俯视示意图。显示装置100包括多个发射红色的发光元件110R、多个发射绿色的发光元件110G及多个发射蓝色的发光元件110B。在图1A中，为了简单地区别各发光元件而对各发光元件的发光区域内附上R、G及B的符号。

发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B都以矩阵状排列。图1A中的像素103示出同一颜色的发光元件在一个方向上排列的所谓条纹排列。注意，发光元件的排列方法不局限于此，既可以采用三角状排列、之字形状等的排列方法，又可以采用Pentile排列。

作为发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B，优选使用OLED(OrganicLight Emitting Diode：有机发光二极管)或QLED(Quantum-dotLightEmittingDiode：量子点发光二极管)等EL元件。作为EL元件所包含的发光物质，可以举出发射荧光的物质(荧光材料)、发射磷光的物质(磷光材料)、无机化合物(量子点材料等)、呈现热活化延迟荧光的物质(热活性化延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence：TADF)材料)等。

图1B是对应于图1A中的点划线A1-A2及点划线C1-C2的截面示意图，图1C是对应于点划线B1-B2的截面示意图。

图1B示出发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B的截面。发光元件110R包括像素电极111R、EL层112R、公共层114及公共电极113。发光元件110G包括像素电极111G、EL层112G、公共层114及公共电极113。发光元件110B包括像素电极111B、EL层112B、公共层114及公共电极113。以下，在说明发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B之间共通的内容时有时记为发光元件110进行说明。另外，在说明像素电极111R、像素电极111G及像素电极111B之间共通的内容时有时记为像素电极111进行说明。另外，在说明EL层112R、EL层112G及EL层112B之间共通的内容时有时记为EL层112进行说明。

图2A是在图1B中被矩形点划线围绕的区域的放大图。此外，图2B是在图1C中被矩形点划线围绕的区域的放大图。

在本说明书等中，为了简化起见，有时将放大前的附图中的层及膜的厚度表示得厚。另外，放大后的附图中的显示装置所包括的各构成要素之间的距离等有时不同。例如，在图2A等中，将像素电极111R的端部与EL层112R的端部的距离及像素电极111B的端部与EL层112B的端部的距离表示得宽。另外，将发光元件110B的构成要素与发光元件110R的构成要素的间隔表示得宽。

发光元件110R在像素电极111R与公共电极113之间包括EL层112R。EL层112R包含发射至少在红色波长区域具有强度的光的发光性有机化合物。发光元件110G在像素电极111G与公共电极113之间包括EL层112G。EL层112G包含发射至少在绿色波长区域具有强度的光的发光性有机化合物。发光元件110B在像素电极111B与公共电极113之间包括EL层112B。EL层112B包含发射至少在蓝色波长区域具有强度的光的发光性有机化合物。

在图1B及图1C中，公共层114设置在发光元件110的像素电极111与公共电极113之间。公共层为各发光元件共同使用的一个层。注意，发光元件110也可以不包括公共层114。

另外，图1A示出与公共电极113电连接的连接电极111C。连接电极111C被供应用来对公共电极113供应的电位(例如，阳极电位或阴极电位)。连接电极111C设置在发光元件110R等排列的显示区域的外侧。另外，在图1A中，以虚线表示公共电极113。

连接电极111C可以沿着显示区域的外周设置。例如，既可以沿着显示区域的外周的一个边设置，又可以沿着显示区域的外周的两个以上的边设置。就是说，在显示区域的顶面形状为方形的情况下，连接电极111C的顶面形状可以为帯状、L字状、“冂”字状(方括号状)或四角形等。

此外，图1B示出对应于图1A中的点划线C1-C2的截面。在C1-C2所示的截面，设置有连接电极111C与公共电极113电连接的区域130。注意，虽然图1B示出连接电极111C与公共电极113之间设置有公共层114的例子，但是如图1D所示，区域130也可以不设置公共层114。在图1D中，可以使连接电极111C与公共电极113接触，进一步降低接触电阻等的电阻。

在区域130中，连接电极111C上设置有公共电极113，以覆盖公共电极113的方式设置有保护层121。

EL层112R、EL层112G及EL层112B都包括具有发光性的有机化合物的层(发光层)。另外，发光层除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种化合物(主体材料、辅助材料)。作为主体材料、辅助材料，使用一种或多种能隙比发光物质(客体材料)大的物质。作为主体材料和辅助材料，优选组合使用形成激基复合物的化合物。为了高效地形成激基复合物，特别优选组合容易接收空穴的化合物(空穴传输性材料)与容易接收电子的化合物(电子传输性材料)。

作为发光元件可以使用低分子类化合物或高分子类化合物，也可以包含无机化合物(量子点材料等)。

EL层112R、EL层112G及EL层112B除了发光层以外也可以包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层中的一个以上。

像素电极111R、像素电极111G及像素电极111B都设置在每个发光元件中。另外，公共电极113作为各发光元件共通使用的连续的层设置。作为各像素电极和公共电极113中的任一方使用对可见光具有透光性的导电膜且另一方使用具有反射性的导电膜。通过使各像素电极具有透光性且使公共电极113具有反射性可以实现底面发射型(底部发射型)的显示装置，与此相反，通过使各像素电极具有反射性且使公共电极113具有透光性可以实现顶面发射型(顶部发射结构)的显示装置。另外，通过使各像素电极和公共电极113的双方具有透光性，也可以实现双面发射型(双面发射结构)的显示装置。

在作为像素电极111使用对可见光具有反射性的导电膜的情况下，例如可以使用银、铝、钛、钽、钼、铂、金、氮化钛、氮化钽等。另外，作为像素电极111可以使用合金。例如，可以使用包含银的合金。作为包含银的合金，例如可以使用包含银、钯及铜的合金。此外，例如可以使用包含铝的合金。另外，也可以使用这些材料形成两层以上的叠层。

另外，作为像素电极111，可以在对可见光具有反射性的导电膜上使用对可见光具有透光性的导电膜。作为对可见光具有透光性的导电性材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、包含镓的氧化锌、包含硅的铟锡氧化物、包含硅的铟锌氧化物等导电性氧化物。另外，也可以使用对可见光具有反射性的导电性材料的氧化物，该氧化物也可以通过使对可见光具有反射性的导电性材料的表面氧化来形成。具体而言，例如也可以使用氧化钛。氧化钛例如也可以通过使钛的表面氧化来形成。

通过在像素电极111的表面设置氧化物，可以在形成EL层112时抑制与像素电极111的氧化反应等。

另外，通过作为像素电极111在对可见光具有反射性的导电膜上层叠设置对可见光具有透光性的导电膜，可以将对可见光具有透光性的导电膜用作光学调整层。

通过像素电极111包括光学调整层，可以调整光程长。各发光元件的光程长例如对应于光学调整层的厚度与EL层112中的设置在包含发光性化合物的膜的下层的层的厚度之和。

在发光元件中，通过使用微腔结构(微小谐振器结构)使光程长不同，可以加强特定波长的光。由此，可以实现色纯度得到提高的显示装置。

例如，在各发光元件中，通过使EL层112的厚度不同可以实现微腔结构。例如，可以采用如下结构：使发射波长最长的光的发光元件110R的EL层112R的厚度最厚且使发射波长最短的光的发光元件110B的EL层112B的厚度最薄。另外，不局限于此，可以考虑各发光元件所发射的光的波长、构成发光元件的层的光学特性及发光元件的电特性等调整各EL层的厚度。

像素电极111的顶面及端部被EL层112覆盖。EL层112的端部优选位于像素电极111的端部的外侧。

通过EL层112覆盖像素电极111的顶面及端部，可以以不使像素电极111露出的方式进行EL层112的形成工序、绝缘层131的形成工序等。

在形成EL层112或绝缘层131时的蚀刻工序中，当像素电极111的端部等露出时，露出的区域中有可能发生腐蚀。像素电极111的腐蚀所引起的生成物有时不稳定，例如在湿蚀刻中该生成物有可能溶解于溶液中，在干蚀刻中该生成物有可能飞散在气氛中。由于生成物的溶液中的溶解及气氛中的飞散而例如生成物附着于EL层112的侧面及衬底101的表面等，因此多个发光元件110之间有可能形成泄漏路径等。

成为EL层112的膜或成为绝缘层131的膜等的密接性在像素电极111露出的区域上有可能下降而发生膜剥离等。

通过具有由EL层112覆盖像素电极111的顶面及端部的结构，例如可以提高发光元件110的成品率，而可以提高发光元件110的显示品质。

彼此相邻的发光元件110之间设置有绝缘层131。绝缘层131位于发光元件110所包括的各EL层112之间。另外，绝缘层131上设置有公共电极113。

绝缘层131例如设置在发射不同颜色的两个EL层112之间。或者，绝缘层131例如设置在发射相同颜色的两个EL层112之间。或者，也可以采用绝缘层131设置在发射不同颜色的两个EL层112之间而不设置在发射相同颜色的两个EL层112之间的结构。

在俯视时，绝缘层131例如设置在两个EL层112之间。

EL层112R、EL层112G及EL层112B优选各自具有与像素电极的顶面接触的区域及与绝缘层131的侧面接触的区域。EL层112R、EL层112G及EL层112B的端部优选与绝缘层131的侧面接触。

通过在发射不同颜色的发光元件之间设置绝缘层131，可以抑制EL层112R、EL层112G及EL层112G彼此接触。由此，可以适合防止电流通过相邻的两个EL层流过而产生非意图的发光。由此，可以提高对比度而可以实现显示品质高的显示装置。

绝缘层131包括绝缘层131a及绝缘层131b。绝缘层131b以接触于发光元件110所包括的各EL层112的侧面的方式设置。另外，在截面中，在绝缘层131b上以填充绝缘层131b的凹部的方式与绝缘层131b接触地设置绝缘层131a。

在图1中，绝缘层131配置在相邻像素的EL层112之间以便在俯视时具有网状(也可以说格子状或矩阵状)的形状。

绝缘层131例如设置在发射不同颜色的两个EL层112之间。或者，绝缘层131例如设置在发射相同颜色的两个EL层112之间。或者，也可以采用绝缘层131设置在发射不同颜色的两个EL层112之间而不设置在发射相同颜色的两个EL层112之间的结构。

在俯视时，绝缘层131例如设置在两个EL层112之间。

EL层112的端部优选具有与绝缘层131b接触的区域。

通过在发射不同颜色的发光元件之间设置绝缘层131，可以抑制EL层112R、EL层112G及EL层112G彼此接触。由此，可以适合防止电流通过相邻的两个EL层流过而产生非意图的发光。由此，可以提高对比度而可以实现显示品质高的显示装置。

另外，也可以在相邻的发射相同颜色的像素之间不设置绝缘层131而只在发射不同颜色的像素之间形成绝缘层131。在此情况下，可以以在俯视时具有条纹形状的方式配置绝缘层131。通过将绝缘层131配置为条纹形状，与配置为格子状的情况相比，不需要用来形成绝缘层131的空间，所以可以提高开口率。在将绝缘层131配置为条纹形状时，相邻的相同颜色的EL层也可以被加工为带状以便在列方向上连续。

公共层114优选以与EL层112的顶面、绝缘层131a的顶面及绝缘层131b的顶面接触的方式设置。公共电极113优选以与公共层114的顶面接触的方式设置。另外，在发光元件110不包括公共层114的情况下，公共电极113优选以与EL层112的顶面、绝缘层131a的顶面及绝缘层131b的顶面接触的方式设置。

在相邻的发光元件之间，EL层112的端部产生起因于设置有EL层112的区域和不设置有EL层112的区域的台阶。本发明的一个方式的显示装置通过包括绝缘层131a及绝缘层131b而使该台阶平坦化，与在相邻的发光元件之间公共电极113与衬底101接触的情况相比，可以提高公共电极的覆盖性，所以可以抑制因断开而发生的连接不良。或者，可以抑制因台阶而公共电极113局部性地被薄膜化而电阻上升。

在本发明的一个方式中，通过在相邻地配置的EL层112之间设置绝缘层131a及绝缘层131b可以减少公共电极113的形成面的凹凸，所以可以提高EL层112的端部的公共电极113的覆盖性，由此可以实现公共电极113的良好导电性。

为了提高公共电极113的形成面的平坦性，在EL层112的端部，绝缘层131a的顶面、绝缘层131b的顶面优选与EL层112的顶面大致对齐。另外，绝缘层131的顶面优选具有平坦形状。注意，绝缘层131a的顶面、绝缘层131b的顶面及EL层112的顶面并不需要对齐。另外，当与不同颜色对应的EL层112的顶面的高度不同时，绝缘层131a的顶面的高度优选在各EL层附近与该EL层的顶面的高度大致一致。另外，绝缘层131b的顶面的高度优选在与各EL层的侧面接触的区域中与该EL层的高度大致一致。

如图2A等所示，绝缘层131a的顶面的高度例如在EL层112B附近与EL层112B的顶面的高度大致一致，在EL层112R附近与EL层112R的顶面的高度大致一致。另外，绝缘层131b的顶面的高度例如在与EL层112B的侧面接触的区域中与EL层112B的顶面的高度大致一致，在与EL层112R的侧面接触的区域中与EL层112R的顶面的高度大致一致。

图2C所示的例子与图2B的不同之处是绝缘层131a等的形状。在图2C中，绝缘层131a的顶面低于EL层112的端部的高度。

图3A及图3B与图2A及图2B的不同之处是绝缘层131a等的形状。在图3A及图3B中，绝缘层131a的顶面具有中央部及其附近低洼的形状。

图3C与图2B的不同之处是绝缘层131a等的形状。在图3C中，绝缘层131a的顶面具有中央部及其附近膨胀的形状。

绝缘层131b具有与EL层112的侧面接触的区域且被用作EL层112的保护绝缘层。通过设置绝缘层131b，可以抑制氧、水分或它们的构成元素从EL层112的侧面向内部进入，由此可以实现可靠性高的显示装置。

在截面中，在与EL层112的侧面接触的区域中的绝缘层131b的宽度大时，有时EL层112的间隔变大而开口率降低。另外，在绝缘层131b的宽度小时，有时抑制氧、水分或它们的构成元素从EL层112的侧面向内部进入的效果减少。与EL层112的侧面接触的区域的绝缘层131b的宽度优选为3nm以上且200nm以下，更优选为3nm以上且150nm以下，进一步优选为5nm以上且150nm以下，更进一步优选为5nm以上且100nm以下，还进一步优选为10nm以上且100nm以下，最进一步优选为10nm以上且50nm以下。通过将绝缘层131b的宽度设定为上述范围内，可以实现具有高开口率和高可靠性的显示装置。

绝缘层131b可以为包含无机材料的绝缘层。作为绝缘层131b可以使用氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层。尤其是，在蚀刻中氧化铝与EL层112的选择比高，在后述绝缘层131b的形成中该氧化铝具有保护EL层112的功能，所以是优选的。尤其是，通过将利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等无机绝缘材料用作绝缘层131b，可以形成针孔少的膜，而可以形成保护EL层112的功能优异的绝缘层131b。

注意，在本说明书中，“氧氮化物”是指在其组成中氧含量多于氮含量的材料，而“氮氧化物”是指在其组成中氮含量多于氧含量的材料。例如，在记载为“氧氮化硅”时指在其组成中氧含量多于氮含量的材料，而在记载为“氮氧化硅”时指在其组成中氮含量多于氧含量的材料。

绝缘层131b可以通过溅射法、化学气相沉积(CVD：ChemicalVapor Deposition)法、分子束外延(MBE：MolecularBeamEpitaxy)法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed LaserDeposition)法、原子层沉积(ALD：Atomic LayerDeposition)法等形成。另外，绝缘层131b可以适合使用覆盖性良好的ALD法形成。

设置在绝缘层131b上的绝缘层131a具有使形成在相邻的发光元件之间的绝缘层131b的凹部平坦化的功能。换言之，通过包括绝缘层131a，发挥提高公共电极113的形成面的平坦性的效果。作为绝缘层131a，可以适合使用包含有机材料的绝缘层。例如，作为绝缘层131a可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。另外，作为绝缘层131a可以使用感光树脂。感光树脂可以使用正型材料或负型材料。

通过使用感光树脂形成绝缘层131a，可以仅经过曝光及显影工序形成绝缘层131a。

绝缘层131a的顶面与EL层112的顶面的高度之差例如优选为绝缘层131a的厚度的0.5倍以下，更优选为绝缘层131a的厚度的0.3倍以下。另外，例如以EL层112的顶面高于绝缘层131a的顶面的方式设置绝缘层131a即可。另外，例如以绝缘层131a的顶面高于EL层112所包括的发光层的顶面的方式设置绝缘层131a即可。另外，绝缘层131a的厚度例如优选为像素电极111的厚度的0.3倍以上、0.5倍以上或0.7倍以上。

此外，公共电极113上以覆盖发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B的方式设置有保护层121。保护层121具有防止水等的杂质从上方扩散到各发光元件的功能。

保护层121例如可以具有至少包括无机绝缘膜的单层结构或叠层结构。作为无机绝缘膜，例如可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜、氧化铪膜等的氧氧化物膜或氮化物膜。或者，作为保护层121也可以使用铟镓氧化物、铟镓锌氧化物等的半导体材料。

另外，作为保护层121也可以使用无机绝缘膜与有机绝缘膜的叠层膜。例如，优选在一对无机绝缘膜之间夹持有机绝缘膜。并且，有机绝缘膜优选被用作平坦化膜。由此，可以使有机绝缘膜的顶面平坦，所以有机绝缘膜上的无机绝缘膜的覆盖性得到提高，由此可以提高阻挡性。另外，保护层121的顶面变平坦，所以当在保护层121的上方设置结构物(例如，滤色片、触摸传感器的电极或透镜阵列等)时可以减少起因于下方的结构的凹凸形状的影响，所以是优选的。

与公共电极113同样，公共层114横跨设置在多个发光元件中。公共层114覆盖EL层112R、EL层112G及EL层112B。通过包括公共层114可以简化制造工序，所以可以降低制造成本。在公共层114及公共电极113之间可以不进行蚀刻等工序而连续地形成。因此，可以使公共层114与公共电极的界面清洁而可以在发光元件中得到良好的特性。

EL层112R、EL层112G及EL层112B例如优选至少包括包含发射一个颜色的发光材料的发光层。另外，公共层114例如优选为包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层中的一个以上的层。在将像素电极用作阳极且将公共电极用作阴极的发光元件中，作为公共层114可以采用包括电子注入层的结构或者包括电子注入层及电子传输层的两个的结构。

[制造方法例子1]

以下，参照附图说明本发明的一个方式的显示装置的制造方法的一个例子。在此，以上述结构例子所示的显示装置100为例进行说明。图4A至图7C是以下示出的显示装置的制造方法的各工序中的截面示意图。

构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用溅射法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸镀法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed LaserDeposition)法、原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。作为CVD法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma EnhancedCVD)法或热CVD法等。此外，作为热CVD法之一，有有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic CVD)法。

此外，构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀(doctorknife)法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等方法形成。

此外，当对构成显示装置的薄膜进行加工时，可以利用光刻法等进行加工。除了上述方法以外，还可以利用纳米压印法、喷砂法、剥离法等对薄膜进行加工。此外，可以通过使用金属掩模等遮蔽掩模的沉积方法直接形成岛状的薄膜。

光刻法典型地有如下两种方法。一个是在要进行加工的薄膜上形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻等对该薄膜进行加工，并去除抗蚀剂掩模的方法。另一个是在沉积感光性薄膜之后，进行曝光及显影来将该薄膜加工为所希望的形状的方法。

在光刻法中，作为用于曝光的光，例如可以使用i线(波长365nm)、g线(波长436nm)、h线(波长405nm)或将这些光混合了的光。另外，还可以使用紫外光、KrF激光或ArF激光等。此外，也可以利用液浸曝光技术进行曝光。此外，作为用于曝光的光，也可以使用极紫外(EUV：ExtremeUltra-violet)光或X射线。此外，也可以使用电子束代替用于曝光的光。当使用极紫外光、X射线或电子束时，可以进行极其精细的加工，所以是优选的。另外，在通过电子束等的扫描进行曝光时，不需要光掩模。

作为薄膜的蚀刻方法，可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法及喷砂法等。

〔衬底101的准备〕

作为衬底101，可以使用至少具有能够承受后面的热处理程度的耐热性的衬底。在使用绝缘衬底作为衬底101的情况下，可以使用玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、陶瓷衬底、有机树脂衬底等。此外，还可以使用以硅或碳化硅等为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、以硅锗等为材料的化合物半导体衬底、SOI衬底等半导体衬底。

尤其是，衬底101优选使用在上述半导体衬底或绝缘衬底上形成有包括晶体管等半导体元件的半导体电路的衬底。该半导体电路优选例如构成像素电路、栅极线驱动电路(栅极驱动器)、源极线驱动电路(栅极驱动器)等。除此以外，还可以构成运算电路、存储电路等。

接着，在衬底101上沉积成为像素电极111的导电膜。接着，对导电膜的一部分进行蚀刻，在衬底101上形成像素电极111R、像素电极111G、像素电极111B及连接电极111C(图4A)。

在作为像素电极使用对可见光具有反射性的导电膜时，优选尽量在可见光的波长区域整体使用反射率高的材料(例如，银或铝等)。由此，不仅可以提高发光元件的光提取效率，而且可以提高颜色再现性。

〔EL膜112Rf的形成〕

接着，在像素电极111R、像素电极111G及像素电极111B上沉积后面成为EL层112R的EL膜112Rf。

EL膜112Rf至少包括包含发光性的化合物的膜。除此之外，也可以层叠有被用作电子注入层、电子传输层、电荷产生层、空穴传输层或空穴注入层的膜中的一个以上。EL膜112Rf例如可以通过蒸镀法、溅射法或喷墨法等形成。另外，不局限于此，可以适当地使用上述沉积方法。

〔牺牲膜144(1)R及牺牲膜144(2)R的形成〕

接着，说明牺牲膜的沉积工序。

牺牲膜144R是成为牺牲层145R的膜。牺牲膜144G是成为牺牲层145G的膜。牺牲膜144B是成为牺牲层145B的膜。有时将牺牲层145R、牺牲层145G及牺牲层145B统称为牺牲层145。作为牺牲层145可以采用单层结构或两层以上的叠层结构。

以下示出使用两层结构的牺牲层的例子。

在以下所示的例子中，作为牺牲膜144R采用牺牲膜144(1)R和牺牲膜144(2)R的叠层结构，作为牺牲膜144G采用牺牲膜144(1)G和牺牲膜144(2)G的叠层结构，作为牺牲膜144B采用牺牲膜144(1)B和牺牲膜144(2)B的叠层结构。

牺牲膜144(1)R是成为牺牲层145(1)R的膜，牺牲膜144(2)R是成为牺牲层145(2)R的膜。牺牲膜144(1)G是成为牺牲层145(1)G的膜，牺牲膜144(2)G是成为牺牲层145(2)G的膜。牺牲膜144(1)B是成为牺牲层145(1)B的膜，牺牲膜144(2)B是成为牺牲层145(2)B的膜。

作为牺牲膜的沉积工序，首先覆盖EL膜112Rf形成牺牲膜144(1)R。另外，牺牲膜144(1)R以与连接电极111C的顶面接触的方式设置。接着，在牺牲膜144(1)R上形成牺牲膜144(2)R。

在形成牺牲膜144(1)R及牺牲膜144(2)R时例如可以使用溅射法、ALD法(热ALD法、PEALD法)或真空蒸镀法。优选使用对EL层带来的损伤少的形成方法，作为在EL膜112Rf上直接形成的牺牲膜144(1)R，与溅射法相比，优选使用ALD法或真空蒸镀法形成牺牲膜144(1)R。

作为牺牲膜144(1)R，可以适当地使用金属膜、合金膜、金属氧化物膜、半导体膜、无机绝缘膜等的无机膜。

另外，作为牺牲膜144(1)R可以使用氧化物膜。典型的是，可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、氧氮化铪等氧化物膜或者氧氮化物膜。另外，作为牺牲膜144(1)R例如可以使用氮化物膜。具体而言，可以使用氮化硅、氮化铝、氮化铪、氮化钛、氮化钽、氮化钨、氮化镓、氮化锗等氮化物。这种无机绝缘材料可以通过溅射法、CVD法或ALD法等沉积方法形成，作为在EL膜112Rf上直接形成的牺牲膜144(1)R特别优选使用ALD法。

另外，作为牺牲膜144(1)R，例如可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛、铝、钇、锆及钽等的金属材料或者包含该金属材料的合金材料。尤其是，优选使用铝或银等低熔点材料。

另外，作为牺牲膜144(1)R可以使用铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物，也记为IGZO)等金属氧化物。另外，可以使用氧化铟、铟锌氧化物(In-Zn氧化物)、铟锡氧化物(In-Sn氧化物，也称为ITO：Indium Tin Oxide)、铟钛氧化物(In-Ti氧化物)、铟锡锌氧化物(In-Sn-Zn氧化物)、铟钛锌氧化物(In-Ti-Zn氧化物)、铟镓锡锌氧化物(In-Ga-Sn-Zn氧化物)等。或者，也可以使用包含硅的铟锡氧化物等。

另外，在使用元素M(M为选自铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一种或多种)代替上述镓时也可以使用上述材料。尤其是，M优选为选自镓、铝和钇中的一种或多种。

作为牺牲膜144(2)R，可以使用上述可用于牺牲膜144(1)R的材料。另外，作为牺牲膜144(1)R可以选择上述可用于牺牲膜144(1)R的材料中的一个，作为牺牲膜144(2)R可以选择其他的一个。另外，作为牺牲膜144(1)R可以选择上述可用于牺牲膜144(1)R的材料中的一个或多个材料，作为牺牲膜144(2)R可以选择作为牺牲膜144(1)R选择的材料以外的材料。

牺牲膜144(1)R可以使用对EL膜112Rf等各EL膜的蚀刻处理具有高耐性的膜，即蚀刻选择比大的膜。此外，牺牲膜144(1)R尤其优选使用能够通过对各EL膜带来的损伤少的湿蚀刻法去除的膜。

另外，作为牺牲膜144(1)R，也可以使用至少可溶解于对位于EL膜112Rf的最上部的膜化学上稳定的溶剂的材料。尤其是，可以将溶解于水或醇的材料适当地用于牺牲膜144(1)R。当沉积牺牲膜144(1)R时，优选的是，在溶解于水或醇等溶剂的状态下以湿式的沉积方法涂布牺牲膜144(1)R，然后进行用来使溶剂蒸发的加热处理。此时，通过在减压气氛下进行加热处理，可以以低温且短时间去除溶剂，因此可以减少对EL膜112Rf带来的热损伤，所以是优选的。

作为用来形成牺牲膜144(1)R的湿式沉积方法，有旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀(doctorknife)法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等。

作为牺牲膜144(1)R，可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰、水溶性纤维素或者醇可溶性聚酰胺树脂等有机材料。

作为牺牲膜144(2)R，可以使用与牺牲膜144(1)R的选择比较大的膜。

尤其优选的是，作为牺牲膜144(1)R使用利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等的无机绝缘材料，作为牺牲膜144(2)R使用利用溅射法形成的铟镓锌氧化物(也记为In-Ga-Zn氧化物或IGZO)等的含铟的金属氧化物。

另外，作为牺牲膜144(2)R也可以使用可用于EL膜112Rf等的有机膜。例如，可以将与用于EL膜112Rf、EL膜112Gf或EL膜112Bf的有机膜相同的膜用作牺牲膜144(2)R。通过使用这种有机膜，可以与EL膜112Rf等共通使用沉积装置，所以是优选的。并且，在对EL膜112Rf等进行蚀刻的同时可以去除牺牲层145(2)R，由此可以实现工序的简化。

例如，当在牺牲膜144(1)R的蚀刻中使用包含氟的气体(也称为氟类气体)的干蚀刻时，可以将硅、氮化硅、氧化硅、钨、钛、钼、钽、氮化钽、包含钼及铌的合金或包含钼及钨的合金等用于牺牲膜144(2)R。在此，作为相对于上述使用氟类气体的干蚀刻的蚀刻选择比较大(即，可以使蚀刻速率较慢)的膜，可以举出IGZO、ITO等的金属氧化物膜等，可以将上述膜用于牺牲膜144(1)R。

〔抗蚀剂掩模143a的形成〕

接着，在牺牲膜144(2)R上形成抗蚀剂掩模143a(图4B)。注意，图4B示出在区域130中不进行EL膜112Rf的沉积的例子。在EL膜112Rf的沉积中，当遮蔽区域130时可以使用金属掩模。因为此时使用的金属掩模也可以不遮蔽显示部的像素区域，所以不需要使用高精细的掩模。

抗蚀剂掩模143a可以使用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料等包含感光树脂的抗蚀剂材料。

在此，当在牺牲膜144(2)R上形成抗蚀剂掩模143a时，在牺牲膜144(2)R存在有针孔等的缺陷时有可能因抗蚀剂材料的溶剂而EL膜112Rf被溶解。通过作为牺牲膜144(1)R使用通过ALD法形成的氧化铝、氧化铪，氧化硅等无机绝缘材料，可以形成针孔少的膜，而可以防止上述不良的发生。

〔牺牲膜144(1)R及牺牲膜144(2)R的蚀刻〕

接着，通过蚀刻去除牺牲膜144(2)R及牺牲膜144(1)R的不被抗蚀剂掩模143a覆盖的一部分，形成岛状或带状牺牲层145(1)R及牺牲层145(2)R。在此，牺牲层145(1)R及牺牲层145(2)R形成在像素电极111R上和连接电极111C上。

牺牲膜144(1)R的加工优选通过使用硬掩模的蚀刻进行。该硬掩模优选通过对牺牲膜144(2)R进行加工来形成。

首先，在使牺牲膜144(1)R的至少一部分残留的同时通过蚀刻去除不被抗蚀剂掩模143a覆盖的牺牲膜144(2)R的一部分，形成牺牲层145(2)R。然后，去除抗蚀剂掩模143a。

在蚀刻牺牲膜144(2)R时，优选采用与牺牲膜144(1)R的选择比高的蚀刻条件。硬掩模形成的蚀刻可以使用湿蚀刻或干蚀刻，通过使用干蚀刻可以抑制图案的缩小。例如，当作为牺牲膜144(1)R使用利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等的无机绝缘材料且作为牺牲膜144(2)R使用利用溅射法形成的铟镓锌氧化物(也记为In-Ga-Zn氧化物或IGZO)等的含铟的金属氧化物时，在此对利用溅射法形成的牺牲膜144(2)R进行蚀刻，而形成硬掩模。

抗蚀剂掩模143a的去除可以通过湿蚀刻或干蚀刻进行。尤其是，优选通过将氧气体用于蚀刻气体的干蚀刻(也称为等离子体灰化)去除抗蚀剂掩模143a。

通过以牺牲层145(2)R为硬掩模蚀刻牺牲膜144(1)R，可以在EL膜112Rf被牺牲膜144(1)R覆盖的状态下去除抗蚀剂掩模143a。尤其是，在EL膜112Rf暴露于氧时有时对电特性带来负面影响，所以在进行等离子体灰化等使用氧气体的蚀刻时这是优选的。

接着，将牺牲层145(2)R作为硬掩模通过蚀刻去除牺牲膜144(1)R而形成岛状或带状的牺牲层145(1)R。注意，在本发明的一个方式的显示装置的制造方法中，也可以不使用牺牲层145(1)R及牺牲层145(2)R中的任一个。

〔EL膜112Rf的蚀刻〕

接着，通过蚀刻去除不被牺牲层145(1)R覆盖的EL膜112Rf的一部分而形成岛状或带状的EL层112R。

在蚀刻EL膜112Rf时优选利用使用不包含氧作为主要成分的蚀刻气体的干蚀刻。由此，可以抑制EL膜112Rf的变质而实现可靠性高的显示装置。作为不包含氧作为主要成分的蚀刻气体例如可以举出CF

注意，EL膜112Rf的蚀刻不局限于上述方法，可以利用使用其他气体的干蚀刻进行，也可以利用湿蚀刻进行。

另外，在作为EL膜112Rf的蚀刻利用使用含有氧气体的蚀刻气体或者氧气体的干蚀刻时，可以提高蚀刻速率。由此，可以在将蚀刻速率保持为足够的速度的状态下以低功率的条件进行蚀刻，因此可以降低蚀刻所带来的损伤。并且，可以抑制蚀刻时发生的反应生成物的附着等不良。例如，可以使用对上述主要成分中不包含氧的蚀刻气体添加氧气体的蚀刻气体。

〔EL层112G、EL层112B的形成〕

接着，在牺牲层145(1)R上沉积成为EL层112G的EL膜112Gf。关于EL膜112Gf，可以参照EL膜112Rf的记载。

接着，在EL膜112Gf上沉积牺牲膜144(1)G。关于牺牲膜144(1)G，可以参照牺牲膜144(1)R的记载。

接着，在牺牲膜144(1)G上沉积牺牲膜144(2)G。关于牺牲膜144(2)G，可以参照牺牲膜144(2)R的记载。

接着，在牺牲膜144(2)G上形成抗蚀剂掩模143b(图4C)。

接着，形成牺牲层145(1)G、牺牲层145(2)G及EL层112G。关于牺牲层145(1)G、牺牲层145(2)G及EL层112G的形成，可以参照牺牲层145(1)R、牺牲层145(2)R及EL层112R的形成。

接着，在牺牲层145(2)R及牺牲层145(2)G上沉积成为EL层112B的EL膜112Bf。关于EL膜112Bf，可以参照EL膜112Rf的记载。

接着，在EL膜112Bf上沉积牺牲膜144(1)B。关于牺牲膜144(1)B，可以参照牺牲膜144(1)R的记载。

接着，在牺牲膜144(1)B上沉积牺牲膜144(2)c。关于牺牲膜144(2)B，可以参照牺牲膜144(2)R的记载。

接着，在牺牲膜144(2)B上形成抗蚀剂掩模143c(图4D)。

接着，形成牺牲层145(1)B、牺牲层145(2)B及EL层112B(图4E)。关于牺牲层145(1)B、牺牲层145(2)B及EL层112B的形成，可以参照牺牲层145(1)R、牺牲层145(2)R及EL层112R的形成。

图4F是在图4E中被矩形点划线围绕的区域的放大图。

在本说明书等中，为了简化起见，有时将放大前的附图中的层及膜的厚度表示得厚。另外，放大后的附图中的显示装置所包括的各构成要素之间的距离等有时不同。例如，在图4F中，将像素电极111的端部与EL层112的端部的距离表示得宽。另外，将发光元件110B的构成要素与发光元件110R的构成要素的间隔表示得宽。

接着，使用蚀刻等去除牺牲层145(2)R、牺牲层145(2)G及牺牲层145(2)B(以下，统称为牺牲层145(2))(图5A)。牺牲层145(2)的蚀刻优选使用与牺牲层145(1)R、牺牲层145(1)G及牺牲层145(1)B(以下，统称为牺牲层145(1))的选择比高的条件。注意，也可以不去除牺牲层145(2)。

〔绝缘层131的形成〕

接着，形成成为绝缘层131b的绝缘膜131bf(图5B)。绝缘膜131bf优选使用包含无机材料的膜。例如，作为绝缘膜131bf可以使用氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层。

绝缘膜131bf可以通过溅射法、化学气相沉积(CVD)法、分子束外延(MBE)法、脉冲激光沉积(PLD)法、原子层沉积(ALD)法等形成。绝缘膜131bf可以适合使用覆盖性良好的ALD法形成。

作为绝缘膜131bf可以使用氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层。尤其是，在蚀刻中氧化铝与EL层112的选择比高，在后述绝缘层131b的形成中该氧化铝具有保护EL层112的功能，所以是优选的。

通过ALD法形成绝缘膜131bf，可以形成针孔少的膜，而可以形成保护EL层112的功能优异的绝缘层131b。

绝缘膜131bf的沉积温度优选为比EL层112的耐热温度低的温度。

在此，作为绝缘膜131bf通过ALD法形成氧化铝。通过ALD法形成绝缘膜131bf时的温度优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且115℃以下，进一步优选为80℃以上且100℃以下。通过以这种温度形成绝缘膜131bf，可以得到致密的绝缘膜，且可以降低对EL层112带来的损伤。

接着，形成成为绝缘层131a的绝缘膜131af(图5C)。绝缘膜131af以嵌入绝缘膜131bf的凹部的方式设置。另外，绝缘膜131af以覆盖牺牲层145(1)、EL层112及像素电极111的方式设置。绝缘膜131af优选为平坦化膜。

作为绝缘膜131af，优选使用包含有机材料的绝缘膜，作为有机材料优选使用树脂。

作为可用于绝缘膜131af的材料，可以举出丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。另外，作为绝缘膜131af可以使用感光树脂。感光树脂可以使用正型材料或负型材料。

通过使用感光树脂形成绝缘膜131af，可以仅经过曝光及显影工序形成绝缘膜131af，可以降低对构成发光元件110的各层带来的损伤，尤其是对EL层带来的损伤。

如图5C所示，有时绝缘膜131af具有反映了被形成面的凹凸的平缓的凹凸。或者，如图5D所示，有时被形成面的凹凸给绝缘膜131af带来的影响很小，而与图5C相比其平坦性更高。

接着，形成绝缘层131a。在此，通过作为绝缘膜131af使用感光树脂，可以以不设置抗蚀剂掩模、硬掩模等蚀刻掩模的方式形成绝缘层131a。另外，由于感光树脂可以仅经过曝光及显影工序进行加工，所以可以以不使用干蚀刻法等的方式形成绝缘层131a。因此，可以实现工序的简化。此外，可以降低绝缘膜131af的蚀刻对EL层带来的损伤。并且，也可以对绝缘层131a的顶部的一部分进行蚀刻来调整表面高度。

此外，绝缘层131a也可以通过对绝缘膜131af的顶面大致均匀地进行蚀刻来形成。如此那样均匀地蚀刻而平坦化的处理也被称为回蚀。

在绝缘层131a的形成中，也可以组合使用曝光及显影工序与回蚀工序。

参照图6A至图6C说明绝缘层131a的形成方法的一个例子。在图6A的例子中，作为绝缘膜131af使用感光性树脂，通过曝光及显影工序对绝缘膜131af进行加工来形成绝缘层131ap。图6B是在图6A中被矩形点划线围绕的区域的放大图。通过对图6B所示的绝缘层131ap还进行蚀刻，可以形成图6C所示的绝缘层131a。

注意，也可以将图6B所示的绝缘层131ap用作绝缘层131a，在此情况下，发光元件110有时具有在绝缘层131a与EL层112之间残留牺牲层145(1)的结构。

接着，进行绝缘膜131bf及牺牲层145(1)的蚀刻(图7A)。此时，优选使用尽量不对EL层112R、EL层112G及EL层112B带来损伤的方法。由此，形成覆盖EL层112R、EL层112G及EL层112B的侧面的绝缘层131b。图7B是图7A中的由矩形点划线围绕的区域的放大图。

通过作为绝缘膜131bf和牺牲层145(1)使用相同材料，有时可以同时进行蚀刻而使工序简化。

绝缘膜131bf的蚀刻可以使用干蚀刻法、湿蚀刻法。另外，也可以通过使用氧等离子体的灰化等进行蚀刻。另外，作为绝缘膜131bf的蚀刻，也可以使用化学机械抛光(CMP：Chemical Mechanical Poliching)。

注意，在蚀刻绝缘膜131bf时优选抑制通过蚀刻而对EL层112带来的损伤。因此，例如优选将与EL层112的蚀刻选择比高的材料用作绝缘膜131bf。

通过作为绝缘膜131bf使用无机材料，有时可以提高与EL层112的选择比。另外，作为绝缘层131b可以使用氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层。尤其是，在蚀刻中氧化铝与EL层112的选择比高，在后述绝缘层131b的形成中该氧化铝具有保护EL层112的功能，所以是优选的。尤其是，通过将利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等无机绝缘材料用作绝缘层131b，可以形成针孔少的膜，而可以形成保护EL层112的功能优异的绝缘层131b。

在形成绝缘膜131af及绝缘膜131bf时，可以根据蚀刻量而调整它们的顶面的高度。在此，优选以绝缘层131b覆盖EL层112的侧面的方式调整蚀刻量。尤其是，优选以绝缘层131b覆盖EL层112所包括的发光层的侧面的方式调整蚀刻量。

另外，有时根据被形成面的凹凸及形成在被形成面的图案的密度而包含有机材料的绝缘膜131af表面的平坦性变化。另外，有时根据作为绝缘膜131af使用的材料的粘度等而绝缘膜131af的平坦性变化。例如，有时与在EL层112上并重叠于EL层112的区域的绝缘膜131af的厚度相比，不重叠于EL层112的区域的绝缘膜131af的厚度变小。在此情况下，例如在进行绝缘膜131af的回蚀时，有时绝缘层131的顶面的高度低于牺牲层145(1)的顶面的高度。

另外，绝缘膜131af有时在多个EL层112之间的区域中具有凹曲面的形状(洼下形状)或凸曲面的形状(膨胀形状)等。

〔公共层114的形成〕

接着，形成公共层114。注意，在是不包括公共层114的结构的情况下，覆盖EL层112R、EL层112G及EL层112B形成公共电极113即可。

〔公共电极113的形成〕

接着，在公共层114上形成公共电极113。公共电极113例如可以通过溅射法或蒸镀法等形成。注意，当在连接电极111C上不设置公共层114时，在公共层114的沉积中，在连接电极111C上使用金属掩模进行遮蔽即可。因为此时使用的金属掩模也可以不遮蔽显示部的像素区域，所以不需要使用高精细的掩模。

通过上述工序，可以制造发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B。

〔保护层121的形成〕

接着，在公共电极113上形成保护层121(图7C)。在沉积用于保护层121的无机绝缘膜时优选利用溅射法、PECVD法或ALD法。尤其是，ALD法是台阶覆盖性良好且不容易产生针孔等的缺陷，所以是优选的。另外，由于可以在所希望的区域均匀地形成膜，所以在沉积有机绝缘膜时优选使用喷墨法。

通过上述工序，可以制造图1A所示的显示装置100。

[结构例子1的变形例子]

图8A及图8B示出图1所示的显示装置100的结构的变形例子。

图8A所示的显示装置100与图1B的不同之处是绝缘层131a、绝缘层131b等的形状。图8B是在图8A中被矩形点划线围绕的区域的放大图。

在图8A及图8B中，显示装置100在绝缘层131b与像素电极111之间包括牺牲层145(1)。通过在图5B所示的结构中以残留覆盖牺牲层145(1)的区域的方式对绝缘层131ap进行加工，可以得到这种结构。

图9A及图9B与图8B的不同之处是绝缘层131a、绝缘层131b等的形状。

通过将图5B所示的绝缘层131ap用作绝缘层131a可以得到图9A所示的结构。

图9B所示的结构示出EL层112的端部没有台阶的例子。通过具有图9B所示的结构，有时可以减小不同的发光元件110各自包括的EL层112之间的距离，而可以提高发光元件110的开口率。

本实施方式的至少一部分可以与本说明书中记载的其他实施方式适当地组合而实施。

(实施方式2)

在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置的结构例子。

本实施方式的显示装置可以为高分辨率的显示装置或大型显示装置。因此，例如可以将本实施方式的显示装置用作如下装置的显示部：具有较大的屏幕的电子设备诸如电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等；数码相机；数字视频摄像机；数码相框；移动电话机；便携式游戏机；智能手机；手表型终端；平板终端；便携式信息终端；声音再现装置。

[显示装置的结构例子]

图10示出显示装置400A的立体图，图11A示出显示装置400A的截面图。

显示装置400A具有贴合衬底452与衬底451的结构。在图10中，以虚线表示衬底452。

显示装置400A包括显示部462、电路464及布线465等。图10示出显示装置400A中安装有IC473及FPC472的例子。因此，也可以将图10所示的结构称为包括显示装置400A、IC(集成电路)及FPC的显示模块。

作为电路464，例如可以使用扫描线驱动电路。

布线465具有对显示部462及电路464供应信号及电力的功能。该信号及电力从外部经由FPC472或者从IC473输入到布线465。

图10示出通过COG(Chip OnGlass：玻璃覆晶封装)方式或COF(Chip OnFilm：薄膜覆晶封装)方式等在衬底451上设置IC473的例子。作为IC473，例如可以使用包括扫描线驱动电路或信号线驱动电路等的IC。注意，显示装置400A及显示模块不一定必须设置有IC。此外，也可以将IC利用COF方式等安装于FPC。

图11A示出显示装置400A的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分及包括端部的区域的一部分的截面的一个例子。

图11A所示的显示装置400A在衬底451与衬底452之间包括晶体管201、晶体管205、发射红色光的发光元件430a、发射绿色光的发光元件430b以及发射蓝色光的发光元件430c等。

发光元件430a、发光元件430b及发光元件430c可以使用在实施方式1中例示出的发光元件。

在此，当显示装置的像素包括具有发射彼此不同的颜色的发光元件的三个子像素时，作为该三个子像素可以举出R、G及B这三个颜色的子像素、黄色(Y)、青色(C)及品红色(M)这三个颜色的子像素等。当包括四个上述子像素时，作为该四个子像素可以举出R、G、B及白色(W)这四个颜色的子像素、R、G、B及Y这四个颜色的子像素等。

保护层410与衬底452由粘合层442粘合。作为对发光元件的密封，可以采用固体密封结构或中空密封结构等。在图11A中，由衬底452、粘合层442及衬底451围绕的空间443填充有惰性气体(氮或氩等)，采用中空密封结构。粘合层442也可以与发光元件重叠。此外，由衬底452、粘合层442及衬底451围绕的空间443也可以填充有与粘合层442不同的树脂。

在以使晶体管205所包括的导电层222b的顶面露出的方式设置在绝缘层214中的开口部中，沿着该开口部的底面及侧面形成导电层418a、导电层418b及导电层418c的一部分。导电层418a、导电层418b、导电层418c各自通过设置在绝缘层214中的开口与晶体管205所包括的导电层222b连接。像素电极包含反射可见光的材料，对置电极包含使可见光透过的材料。另外，导电层418a、导电层418b及导电层418c的其他部分设置在绝缘层214上。

导电层418a、导电层418b及导电层418c上设置有像素电极411a、像素电极411b及像素电极411c。

此外，如图11所示，像素电极411a、像素电极411b及像素电极411c上的与发光元件430a所包括的EL层416a、发光元件430b所包括的EL层416b及发光元件430c所包括的EL层416c之间各自也可以设置有绝缘层414。

作为像素电极411a、像素电极411b、像素电极411c，可以使用上述实施方式所示的像素电极111。

发光元件430a与发光元件430b之间且绝缘层214上的区域以及发光元件430b与发光元件430c之间且绝缘层214上的区域各自设置有绝缘层421。作为绝缘层421，可以参照上述实施方式所示的绝缘层131。

发光元件将光发射到衬底452一侧。衬底452优选使用对可见光的透过性高的材料。

晶体管201及晶体管205都设置在衬底451上。这些晶体管可以使用同一材料及同一工序形成。

在衬底451上依次设置有绝缘层211、绝缘层213、绝缘层215及绝缘层214。绝缘层211的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层213的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层215以覆盖晶体管的方式设置。绝缘层214以覆盖晶体管的方式设置，并被用作平坦化层。此外，对栅极绝缘层的个数及覆盖晶体管的绝缘层的个数没有特别的限制，既可以为一个，又可以为两个以上。

优选的是，将水及氢等杂质不容易扩散的材料用于覆盖晶体管的绝缘层中的至少一个。由此，可以将绝缘层用作阻挡层。通过采用这种结构，可以有效地抑制杂质从外部扩散到晶体管中，从而可以提高显示装置的可靠性。

作为绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215优选使用无机绝缘膜。作为无机绝缘膜，例如可以使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜等。此外，也可以使用氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜及氧化钕膜等。此外，也可以层叠上述绝缘膜中的两个以上。

这里，有机绝缘膜的阻挡性在很多情况下低于无机绝缘膜。因此，有机绝缘膜优选在显示装置400A的端部附近包括开口。由此，可以抑制杂质从显示装置400A的端部通过有机绝缘膜进入。此外，也可以以其端部位于显示装置400A的端部的内侧的方式形成有机绝缘膜，以使有机绝缘膜不暴露于显示装置400A的端部。

用作平坦化层的绝缘层214优选使用有机绝缘膜。作为能够用于有机绝缘膜的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。

在图11A所示的区域228中，在层叠绝缘层214及绝缘层214上的绝缘层421b的两层结构中形成有开口。绝缘层421b可以使用与绝缘层421相同的材料形成。另外，绝缘层421b例如通过与绝缘层421相同的工序形成。以覆盖开口的方式形成有保护层410。通过使用无机层作为保护层410，即使在使用有机绝缘膜作为绝缘层214的情况下，也可以抑制杂质从外部通过绝缘层214进入显示部462。由此，可以提高显示装置400A的可靠性。

晶体管201及晶体管205包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；用作源极和漏极中的一个的导电层222a；用作源极和漏极中的另一个的导电层222b；半导体层231；用作栅极绝缘层的绝缘层213；以及用作栅极的导电层223。在此，通过对同一导电膜进行加工而得到的多个层由相同的阴影线表示。绝缘层211位于导电层221与半导体层231之间。绝缘层213位于导电层223与半导体层231之间。

对本实施方式的显示装置所包括的晶体管结构没有特别的限制。例如，可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管等。此外，晶体管都可以具有顶栅结构或底栅结构。或者，也可以在形成沟道的半导体层上下设置有栅极。

作为晶体管201及晶体管205，采用两个栅极夹持形成沟道的半导体层的结构。此外，也可以连接两个栅极，并通过对该两个栅极供应同一信号，来驱动晶体管。或者，通过对两个栅极中的一个施加用来控制阈值电压的电位，对另一个施加用来进行驱动的电位，可以控制晶体管的阈值电压。

对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体、具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。

晶体管的半导体层优选使用金属氧化物(氧化物半导体)。就是说，本实施方式的显示装置优选使用在沟道形成区中包含金属氧化物的晶体管(以下，OS晶体管)。此外，晶体管的半导体层也可以包含硅。作为硅，可以举出非晶硅、结晶硅(低温多晶硅、单晶硅等)等。

例如，半导体层优选包含铟、M(M为选自镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨或镁中的一种或多种)和锌。尤其是，M优选为选自铝、镓、钇或锡中的一种或多种。

尤其是，作为半导体层，优选使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物(IGZO)。

在半导体层使用In-M-Zn氧化物时，该In-M-Zn氧化物中的In的原子数比优选为M的原子数比以上。作为这种In-M-Zn氧化物的金属元素的原子数比，可以举出In：M：Zn＝1：1：1或其附近的组成、In：M：Zn＝1：1：1.2或其附近的组成、In：M：Zn＝2：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝3：1：2或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：3或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：4.1或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：7或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：8或其附近的组成、In：M：Zn＝6：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：2：5或其附近的组成等。此外，附近的组成包括所希望的原子数比的±30％的范围。

当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝4：2：3或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为4时，Ga的原子数比为1以上且3以下，Zn的原子数比为2以上且4以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝5：1：6或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为5时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比为5以上且7以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝1：1：1或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为1时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比大于0.1且为2以下。

电路464所包括的晶体管和显示部462所包括的晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有不同的结构。电路464所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。与此同样，显示部462所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。

在衬底451的不与衬底452重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线465通过导电层466及连接层242与FPC472电连接。作为导电层466，可以使用加工与像素电极相同的导电膜而得到的导电膜或加工与像素电极相同的导电膜和与光学调整层相同的导电膜的叠层膜而得到的导电膜。在连接部204的顶面上露出导电层466。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC472电连接。

优选在衬底452的衬底451一侧的面设置遮光层417。此外，可以在衬底452的外侧配置各种光学构件。作为光学构件，可以使用偏振片、相位差板、光扩散层(扩散薄膜等)、防反射层及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在衬底452的外侧也可以配置抑制尘埃的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜、冲击吸收层等。

通过形成覆盖发光元件的保护层410，可以抑制水等杂质进入发光元件，由此可以提高发光元件的可靠性。

在显示装置400A的端部附近的区域228中，优选绝缘层215与保护层410通过绝缘层214的开口彼此接触。尤其是，特别优选绝缘层215含有的无机绝缘膜与保护层410含有的无机绝缘膜彼此接触。由此，可以抑制杂质从外部通过有机绝缘膜进入显示部462。因此，可以提高显示装置400A的可靠性。

衬底451及衬底452可以使用玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、树脂、金属、合金以及半导体等。从发光元件提取光一侧的衬底使用使该光透过的材料。通过将具有柔性的材料用于衬底451及衬底452，可以提高显示装置的柔性。作为衬底451或衬底452，可以使用偏振片。

作为衬底451及衬底452，可以使用如下材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、ABS树脂以及纤维素纳米纤维等。此外，也可以作为衬底451和衬底452中的一方或双方使用其厚度为具有柔性程度的玻璃。

在将圆偏振片重叠于显示装置的情况下，优选将光学各向同性高的衬底用作显示装置所包括的衬底。光学各向同性高的衬底的双折射较低(也可以说双折射量较少)。

光学各向同性高的衬底的相位差值(retardation value)的绝对值优选为30nm以下，更优选为20nm以下，进一步优选为10nm以下。

作为光学各向同性高的薄膜，可以举出三乙酸纤维素(也被称为TAC：Cellulosetriacetate)薄膜、环烯烃聚合物(COP)薄膜、环烯烃共聚物(COC)薄膜及丙烯酸薄膜等。

当作为衬底使用薄膜时，有可能因薄膜的吸水而发生显示面板出现皱纹等形状变化。因此，作为衬底优选使用吸水率低的薄膜。例如，优选使用吸水率为1％以下的薄膜，更优选使用吸水率为0.1％以下的薄膜，进一步优选为使用吸水率为0.01％以下的薄膜。

作为粘合层，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)树脂等。尤其是，优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，也可以使用粘合薄片等。

作为连接层242，可以使用各向异性导电膜(ACF：Anisotropic ConductiveFilm)、各向异性导电膏(ACP：Anisotropic ConductivePaste)等。

作为可用于晶体管的栅极、源极及漏极和构成显示装置的各种布线及电极等导电层的材料，可以举出铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等金属或者以上述金属为主要成分的合金等。可以使用包含这些材料的膜的单层或叠层。

此外，作为具有透光性的导电材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、包含镓的氧化锌等导电氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料或包含该金属材料的合金材料。或者，还可以使用该金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，当使用金属材料或合金材料(或者它们的氮化物)时，优选将其形成得薄到具有透光性。此外，可以使用上述材料的叠层膜作为导电层。例如，通过使用银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等，可以提高导电性，所以是优选的。上述材料也可以用于构成显示装置的各种布线及电极等的导电层及发光元件所包括的导电层(被用作像素电极或公共电极的导电层)。

作为可用于各绝缘层的绝缘材料，例如可以举出丙烯酸树脂或环氧树脂等树脂、无机绝缘材料如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝等。

晶体管201及晶体管205包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；包含沟道形成区域231i及一对低电阻区域231n的半导体层；与一对低电阻区域231n中的一个连接的导电层222a；与一对低电阻区域231n中的另一个连接的导电层222b；用作栅极绝缘层的绝缘层225；用作栅极的导电层223；以及覆盖导电层223的绝缘层215。绝缘层211位于导电层221与沟道形成区域231i之间。绝缘层225位于导电层223与沟道形成区域231i之间。

导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层215及绝缘层225中的开口与低电阻区域231n连接。导电层222a及导电层222b中的一个用作源极，另一个用作漏极。

图11B示出绝缘层225覆盖半导体层的顶面及侧面的例子。导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层225及绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。

另一方面，在图11C所示的晶体管209中，绝缘层225与半导体层231的沟道形成区域231i重叠而不与低电阻区域231n重叠。例如，通过以导电层223为掩模加工绝缘层225，可以形成图11C所示的结构。在图11C中，绝缘层215覆盖绝缘层225及导电层223，并且导电层222a及导电层222b分别通过绝缘层215的开口与低电阻区域231n连接。再者，还可以设置有覆盖晶体管的绝缘层218。

此外，作为驱动发光元件的像素电路所包括的所有晶体管，都可以使用被形成沟道的半导体层中含有硅的晶体管。作为硅可以举出单晶硅、多晶硅、非晶硅等。尤其是，可以使用半导体层中含有低温多晶硅(LTPS(LowTemperaturePoly Silicon))的晶体管(以下，也称为LTPS晶体管)。LTPS晶体管具有高场效应迁移率以及良好的频率特性。

通过使用LTPS晶体管等使用硅的晶体管，可以在同一衬底上形成需要以高频率驱动的电路(例如，源极驱动器电路)和显示部。因此，可以使安装到显示装置的外部电路简化，可以缩减构件成本及安装成本。

另外，优选将被形成沟道的半导体中含有金属氧化物(以下，也称为氧化物半导体)的晶体管(以下，也称为OS晶体管)用于像素电路所包括的晶体管中的至少一个。OS晶体管的场效应迁移率比非晶硅高得多。另外，OS晶体管的关闭状态下的源极和漏极间的泄漏电流(以下，也称为关态电流)极低，可以长期间保持与该晶体管串联连接的电容中储存的电荷。另外，通过使用OS晶体管，可以降低显示装置的功耗。

通过将LTPS晶体管用于像素电路所包括的一部分晶体管且将OS晶体管用于其他晶体管，可以实现一种功耗低且驱动能力高的显示装置。此外，有时将组合LTPS晶体管与OS晶体管而成的结构称为LTPO。另外，作为更优选的例子，优选的是，将OS晶体管用于被用作控制布线间的导通/非导通的开关的晶体管等且将LTPS晶体管用于控制电流的晶体管等。

例如，设置在像素电路中的晶体管之一被用作用来控制流过发光元件的电流的晶体管，也可以被称为驱动晶体管。驱动晶体管的源极和漏极中的一个与发光元件的像素电极电连接。作为该驱动晶体管优选使用LTPS晶体管。因此，可以增大在像素电路中流过发光元件的电流。

另一方面，设置在像素电路中的晶体管中的另一个被用作控制像素的选择/非选择的开关，也可以被称为选择晶体管。选择晶体管的栅极与栅极线电连接，源极和漏极中的一个与源极线(信号线)电连接。选择晶体管优选使用OS晶体管。因此，即便使帧频显著小(例如，1fps以下)也可以维持像素的灰度，由此通过在显示静态图像时停止驱动器，可以降低功耗。

如此，本发明的一个方式可以实现兼具高开口率、高清晰度、高显示品质及低功耗的显示装置。

在作为构成像素电路的晶体管使用将氧化物半导体用于沟道形成区域的晶体管(以下，OS晶体管)的情况下，可以在长期间保持写入在各节点的电荷。当显示以高频率不需要进行每个帧的改写的静态图像时，可以在降低帧频率而将对应于图像数据的信号写入于像素电路之后停止外围驱动电路的工作。上述在显示静态图像时停止外围驱动电路的工作的驱动方法也被称为“空转停止驱动”。通过进行空转停止驱动，可以降低显示装置的功耗。

此外，本发明的一个方式的显示装置可以使刷新频率可变。例如，可以根据显示在显示装置上的内容调整刷新频率(例如，在0.01Hz以上且240Hz以下的范围内进行调整)来降低功耗。另外，也可以将通过降低刷新频率的驱动来降低显示装置的功耗这驱动称为空转停止(IDS)驱动。

此外，也可以根据上述刷新频率使触摸传感器或近似触摸传感器的驱动频率改变。例如，在显示装置的刷新频率为120Hz时，可以将触摸传感器或近似触摸传感器的驱动频率设定为高于120Hz的频率(典型的是240Hz)。通过采用该结构，可以实现低功耗且可以提高触摸传感器或近似触摸传感器的响应速度。

另外，在提高像素电路所包括的发光元件的发光亮度时，需要增大流过发光元件的电流量。为此，需要提高像素电路所包括的驱动晶体管的源极-漏极间电压。因为OS晶体管的源极-漏极间的耐压比Si晶体管高，所以可以对OS晶体管的源极-漏极间施加高电压。由此，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以增大流过发光元件的电流量而提高发光元件的发光亮度。

另外，当晶体管在饱和区域中工作时，与Si晶体管相比，OS晶体管可以使相对于栅极-源极间电压的变化的源极-漏极间电流的变化细小。因此，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以根据栅极-源极间电压的变化详细决定流过源极-漏极间的电流，所以可以控制流过发光元件的电流量。由此，可以增大由像素电路表示的灰度级数。

此外，关于晶体管在饱和区域中工作时流过的电流的饱和特性，与Si晶体管相比，OS晶体管即使逐渐地提高源极-漏极间电压也可以使稳定的电流(饱和电流)流过。因此，通过将OS晶体管用作驱动晶体管，即使例如包含EL材料的发光元件的电流-电压特性发生不均匀，也可以使稳定的电流流过发光元件。也就是说，当OS晶体管在饱和区域中工作时即使提高源极-漏极间电压，源极-漏极间电流也几乎不变，因此可以使发光元件的发光亮度稳定。

如上所述，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以实现“黑色模糊的抑制”、“发光亮度的上升”、“多灰度化”、“发光元件不均匀的抑制”等。

另外，OS晶体管的场效应迁移率比非晶硅高得多。另外，OS晶体管的关闭状态下的源极和漏极间的泄漏电流(以下，也称为关态电流)极低，可以长期间保持与该晶体管串联连接的电容中储存的电荷。另外，通过使用OS晶体管，可以降低显示装置的功耗。

室温下的每沟道宽度1μm的OS晶体管的关态电流值可以为1aA(1×10

另外，即使在高温环境下，OS晶体管的关态电流也几乎不增加。具体而言，即使在室温以上且200℃以下的环境温度下，关态电流也几乎不增加。此外，即使在高温环境下，OS晶体管的通态电流也不容易下降。包括OS晶体管的显示装置即使在高温环境下也稳定地工作并具有高可靠性。

本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。

(实施方式3)

在本实施方式中，说明与上述不同的显示装置的结构例子。

本实施方式的显示装置可以为高清晰的显示装置。因此，例如可以将本实施方式的显示装置用作手表型或手镯型等信息终端设备(可穿戴设备)以及头戴显示器等VR用设备、眼镜型AR用设备等可戴在头上的可穿戴设备的显示部。

[显示模块]

图12A是显示模块280的立体图。显示模块280包括显示装置400C及FPC290。注意，显示模块280所包括的显示装置不局限于显示装置400C，也可以是将在后面说明的显示装置400D、显示装置400E或显示装置400F。

显示模块280包括衬底291及衬底292。显示模块280包括显示部281。显示部281是显示模块280中的图像显示区域，并可以看到来自设置在下述像素部284中的各像素的光。

图12B是衬底291一侧的结构的立体示意图。衬底291上层叠有电路部282、电路部282上的像素电路部283及该像素电路部283上的像素部284。此外，衬底291的不与像素部284重叠的部分上设置有用来连接到FPC290的端子部285。端子部285与电路部282通过由多个布线构成的布线部286电连接。

像素部284包括周期性地排列的多个像素284a。在图12B的右侧示出一个像素284a的放大图。像素284a包括发光颜色彼此不同的发光元件430a、430b、430c。多个发光元件也可以配置为图12B所示那样的条纹排列。通过采用条纹排列可以将本发明的一个方式的发光元件高密度地排列在像素电路中，所以可以提供一种高清晰度的显示装置。另外，也可以采用三角状排列、Pentile排列等各种排列方法。

像素电路部283包括周期性地排列的多个像素电路283a。

一个像素电路283a控制一个像素284a所包括的三个发光元件的发光。一个像素电路283a可以由三个控制一个发光元件的发光的电路构成。例如，像素电路283a可以采用对于一个发光元件至少具有一个选择晶体管、一个电流控制用晶体管(驱动晶体管)和电容器的结构。此时，选择晶体管的栅极被输入栅极信号，源极或漏极中的一方被输入源极信号。由此，实现有源矩阵型显示装置。

电路部282包括用于驱动像素电路部283的各像素电路283a的电路。例如，优选包括栅极线驱动电路和源极线驱动电路中的一方或双方。此外，还可以具有运算电路、存储电路和电源电路等中的至少一个。

FPC290用作从外部向电路部282供给视频信号或电源电位等的布线。此外，也可以在FPC290上安装IC。

显示模块280可以采用像素部284的下侧层叠有像素电路部283和电路部282中的一方或双方的结构，所以可以使显示部281具有极高的开口率(有效显示面积比)。例如，显示部281的开口率可以为40％以上且低于100％，优选为50％以上且95％以下，更优选为60％以上且95％以下。此外，能够极高密度地配置像素284a，由此可以使显示部281具有极高的清晰度。例如，显示部281优选以20000ppi以下或30000ppi以下且2000ppi以上、更优选为3000ppi以上、进一步优选为5000ppi以上、更进一步优选为6000ppi以上的清晰度配置像素284a。

这种高清晰的显示模块280适合用于头戴式显示器等VR用设备或眼镜型AR用设备。例如，因为显示模块280具有极高清晰度的显示部281，所以在透过透镜观看显示模块280的显示部的结构中，即使用透镜放大显示部也使用者看不到像素，由此可以实现具有高度沉浸感的显示。此外，显示模块280还可以应用于具有相对较小型的显示部的电子设备。例如，适合用于手表型设备等可穿戴式电子设备的显示部。

[显示装置的结构例子]

图13A是显示装置10的方框图。显示装置10包括显示部11、驱动电路部12、驱动电路部13等。

显示部11包括以矩阵状配置的多个像素30。像素30包括子像素21R、子像素21G以及子像素21B。子像素21R、子像素21G以及子像素21B都包括用作显示元件的发光元件。

像素30与布线GL、布线SLR、布线SLG以及布线SLB电连接。布线SLR、布线SLG以及布线SLB与驱动电路部12电连接。布线GL与驱动电路部13电连接。驱动电路部12被用作源极线驱动电路(也称为源极驱动器)，驱动电路部13被用作栅极线驱动电路(也称为栅极驱动器)。布线GL被用作栅极线，布线SLR、布线SLG以及布线SLB都被用作源极线。

子像素21R具有发射红色光的发光元件。子像素21G具有发射绿色光的发光元件。子像素21B具有发射蓝色光的发光元件。由此，显示装置10可以进行全彩色显示。注意，像素30也可以包括具有发射上述以外的颜色的光的发光元件的子像素。例如，像素30除了上述三个子像素以外还可以包括具有发射白色光的发光元件的子像素或者具有发射黄色光的发光元件的子像素等。

布线GL在行方向(布线GL的延伸方向)上排列的子像素21R、子像素21G以及子像素21B电连接。布线SLR、布线SLG以及布线SLB分别与在列方向(布线SLR等的延伸方向)上排列的子像素21R、子像素21G或子像素21B电连接。

<像素结构例子1>

图13B示出可用于上述子像素21R、子像素21G以及子像素21B的像素21的电路图的一个例子。像素21包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、电容器C1以及发光元件EL。另外，像素21与布线GL以及布线SL电连接。布线SL对应于图13A所示的布线SLR、布线SLG和布线SLB中的任一个。

在晶体管M1中，栅极与布线GL电连接，源极和漏极中的一个与布线SL电连接，另一个与电容器C1的一个电极以及晶体管M2的栅极电连接。在晶体管M2中，源极和漏极中的一个与布线AL电连接，源极和漏极中的另一个与发光元件EL的一个电极、电容器C1的另一个电极以及晶体管M3的源极和漏极中的一个电连接。在晶体管M3中，栅极与布线GL电连接，源极和漏极中的另一个与布线RL电连接。发光元件EL的另一个电极与布线CL电连接。

晶体管M1以及晶体管M3被用作开关。晶体管M2被用作用来控制流过发光元件EL的电流的晶体管。例如，也可以说晶体管M1被用作选择晶体管且晶体管M2被用作驱动晶体管。

在此晶体管M1至晶体管M3的全部优选使用LTPS晶体管。或者，优选的是，晶体管M1以及晶体管M3使用OS晶体管，晶体管M2使用LTPS晶体管。

或者，晶体管M1至晶体管M3都可以使用OS晶体管。此时，可以采用驱动电路部12所包括的多个晶体管和驱动电路部13所包括的多个晶体管中的一个以上使用LTPS晶体管且其他晶体管使用OS晶体管的结构。例如，设置在显示部11的晶体管可以使用OS晶体管，设置在驱动电路部12以及驱动电路部13的晶体管可以使用LTPS晶体管。

使用其带隙比硅宽且载流子密度低的氧化物半导体的晶体管可以实现极低的关态电流。由于其关态电流低，因此能够长期间保持储存于与晶体管串联连接的电容中的电荷。因此，尤其是，与电容器C1串联连接的晶体管M1及晶体管M3优选使用含有氧化物半导体的晶体管。通过作为晶体管M1及晶体管M3使用含有氧化物半导体的晶体管，可以防止保持在电容器C1中的电荷经过晶体管M1或晶体管M3而泄漏。另外，能够长期间保持储存于电容器C1中的电荷，因此可以长期间显示静态图像而无需改写像素21的数据。

布线SL被供应数据电位D。布线GL被供应选择信号。该选择信号包括使晶体管处于导通状态的电位以及使晶体管处于非导通状态的电位。

布线RL被供应复位电位。布线AL被供应阳极电位。布线CL被供应阴极电位。在像素21中，阳极电位比阴极电位高。另外，供应到布线RL的复位电位可以为使复位电位与阴极电位的电位差比发光元件EL的阈值电压小的电位。复位电位可以为比阴极电位高的电位、与阴极电位相同的电位或者比阴极电位低的电位。

注意，在图13B中，晶体管记为n沟道型晶体管，但是也可以使用p沟道型晶体管。

另外，像素21所包括的各晶体管优选排列形成在同一衬底上。

作为像素21所包括的晶体管可以使用包括隔着半导体层重叠的一对栅极的晶体管。

在包括一对栅极的晶体管具有一对栅极彼此电连接并被供应相同电位的结构的情况下，有晶体管的通态电流得到增高及饱和特性得到提高等优点。另外，也可以对一对栅极中的一方供应控制晶体管的阈值电压的电位。另外，通过对一对栅极中的一方供应恒电位，可以提高晶体管的电特性的稳定性。例如，既可以将晶体管的一个栅极电连接到被供应恒电位的布线，又可以将晶体管的一个栅极电连接到该晶体管本身的源极或漏极。

图13C所示的像素21是晶体管M1、晶体管M2以及晶体管M3使用包括一对栅极的晶体管的例子。晶体管M2的一对栅极彼此电连接。通过将这种晶体管用于晶体管M1以及晶体管M3，可以缩短对像素21的数据写入期间。通过将这种晶体管用于晶体管M2，饱和特性得到提高，因此发光元件EL的发光亮度的控制变容易，可以提高显示品质。

图13D所示的像素21与图13C的不同之处是：包括晶体管M4、布线GL2以及布线GL3；晶体管M3的栅极与布线GL2电连接。布线GL2以及布线GL3被供应选择信号。晶体管M4的栅极与布线GL3电连接。晶体管M4的源极和漏极中的一个与晶体管M2的栅极电连接，晶体管M4的源极和漏极的另一个与布线RL电连接。

注意，图13E所示的像素21与图13D的不同之处是：包括电容器C2。电容器C1的一个电极与晶体管M2的栅极电连接，另一个电极与布线AL电连接。

<像素的结构例子2>

图14示出可用于子像素21R、子像素21G以及子像素21B等的像素21的结构例子。像素21包括发光器件64、晶体管51、晶体管52、晶体管53、晶体管54、电容器61以及电容器62。

发光器件64的一个电极与晶体管51的源极和漏极中的一个电连接。晶体管51的栅极与电容器61的一个电极电连接。晶体管51的栅极与晶体管52的源极和漏极中的一个电连接。晶体管51的源极和漏极中的另一个与电容器62的一个电极电连接。电容器62的另一个电极与电容器61的另一个电极电连接。电容器62的另一个电极与晶体管53的源极和漏极中的一个电连接。电容器62的另一个电极与晶体管54的源极和漏极中的一个电连接。

在图14所示的像素21中，电容器61与电容器62串联连接，通过这些电容器用作驱动晶体管的晶体管51的栅极与源极和漏极中的另一个电连接。

作为发光器件64可以举出发光二极管(LED：LightEmittingDiode)、有机发光二极管(OLED：Organic Light Emitting Diode)、将量子点用于发光层的发光二极管(QLED：Quantum-dot Light Emitting Diode)、半导体激光器等自发光性的发光器件。此外，也可以使用快门方式或光干涉方式的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械系统)元件以及采用微囊方式、电泳方式、电润湿方式或电子粉流体(注册商标)方式等的元件等。

在此，将晶体管51的栅极、晶体管52的源极和漏极中的一个、以及电容器61的一个电极连接的布线作为节点ND1。根据节点ND1的电位控制流过发光器件64的电流，可以控制发光器件64的发光亮度。将晶体管53的源极和漏极中的一个、晶体管54的源极和漏极中的一个、电容器61的另一个电极以及电容器62的另一个电极连接的布线作为节点ND2。

晶体管51被用作控制流过发光器件64的电流量的驱动晶体管。晶体管52以及晶体管53被用作选择像素的选择晶体管。晶体管54被用作将驱动像素21的特定电位(参考电位)“Vref”写入到像素的开关。

晶体管52的栅极与布线141电连接。晶体管54的栅极与布线141电连接。晶体管53的栅极与布线142电连接。晶体管52的源极和漏极中的另一个与布线151电连接。晶体管53的源极和漏极中的另一个与布线151电连接。

电容器62的一个电极与布线128电连接。布线128优选具有供应特定电位的功能。通过电容器62的一个电极与布线128电连接，可以使电容器62的一个电极的电位固定，而可以稳定地进行升压工作。另外，发光器件64的另一个电极与布线129电连接。布线128、布线129可以被用作被供应电源电位的布线(电源线)。例如，布线128可以被用作供应比布线129高的电位的高电位电源线。此外，布线129可以被用作供应比布线128低的电位的低电位电源线。

布线141和布线142具有用来控制晶体管52、晶体管53以及晶体管54的工作的扫描线的功能。供应到扫描线的扫描信号为用来控制用作像素21中的开关的选择晶体管(晶体管52、晶体管53以及晶体管54)的导通状态或非导通状态(开启或关闭)的信号。布线151具有供应第一数据以及第二数据的数据线的功能。布线127具有供应驱动像素21的特定电位(参考电位)“Vref”的功能。

节点ND1为存储节点，通过使晶体管52处于导通状态，可以将供应到布线151的数据写入到节点ND1。通过使晶体管52处于非导通状态，可以保持写入到节点ND1的数据。

节点ND2为存储节点，通过使晶体管53处于导通状态，可以将供应到布线151的数据写入到节点ND2。通过使晶体管54处于导通状态，可以将布线127被供应的数据写入到节点ND2。此外，通过使晶体管53以及晶体管54处于非导通状态，可以保持写入到节点ND2的数据。

优选的是，将关态电流极低的晶体管用于晶体管51、晶体管52、晶体管53和晶体管54中的任一个以上。尤其是，通过将关态电流极低的晶体管用于晶体管52、晶体管53和晶体管54，可以在长时间保持节点ND1以及节点ND2的电位。该晶体管例如可以适当地使用将金属氧化物用于沟道形成区域的晶体管(以下，OS晶体管)。

另外，更优选的是，将OS晶体管用于晶体管51、晶体管52、晶体管53以及晶体管54的全部。此外，也可以将OS晶体管用于晶体管51、晶体管52、晶体管53以及晶体管54以外的晶体管。此外，在泄漏电流量为可允许范围内进行工作的情况下，也可以使用沟道形成区域中包含硅的晶体管(以下，Si晶体管)。此外，也可以组合使用OS晶体管及Si晶体管。注意，作为上述Si晶体管，可以举出含有非晶硅的晶体管、含有结晶硅(微晶硅、低温多晶硅、单晶硅)的晶体管等。注意，图14所示的晶体管都是n沟道型晶体管，也可以使用p沟道型晶体管。

<像素的工作例子1>

参照图15所示的时序图说明图14所示的像素21的升压工作的一个例子。在此表示作为第一数据及第二数据使用同样的图像数据，通过对第一数据附加第二数据，生成比与图像数据对应的电压高的电压的工作的一个例子。

在以下说明中，以“High”表示高电位，以“Low”表示低电位。此外，图像数据为“Vdata”，特定电位为“Vref”。作为“Vref”，例如可以使用0V、GND电位或特定的基准电位。此外，布线128的电位为“Vano”。“Vano”例如优选设定为在发光器件64的亮度最高的情况下晶体管51在饱和区域中工作的电位。此外，布线129的电位为“Vcath”。“Vcath”优选设定为在节点ND1的电位最低的情况下发光器件64不发光的电位。

首先，说明作为第一数据将图像数据“Vdata”写入到节点ND1的工作。注意，这里在电位的分布、耦合或损耗中不考虑因电路的结构以及工作时机等的详细变化。

在时间T1，使布线141的电位为“High”、布线142的电位为“Low”、布线151的电位为“Vdata”且布线127的电位为“Vref”，由此晶体管52及晶体管54成为导通状态，节点ND1被写入布线151的电位“Vdata”，节点ND2被写入布线127的电位“Vref”。

此时，在将施加到电容器61两端的电位差作为V1的情况下，电位差V1可以由算式(1)表示。

V1＝Vdata-Vref (1)

同样地，在将施加到电容器62两端的电位差作为V2的情况下，电位差V2可以由算式(2)表示。

V2＝Vano-Vref (2)

在时间T2，使布线141的电位变为“Low”且布线142的电位为“Low”，由此晶体管52及晶体管54成为非导通状态。

此时，节点ND1的电位V

V

V

此时，施加到电容器61两端的电位差V1可以由算式(5)表示。施加到电容器62两端的电位差V2可以由算式(6)表示。

V1＝(Vdata-a)-(Vref-b) (5)

V2＝Vano-(Vref-b) (6)

此外，a为常数且表示晶体管52为非导通状态时的馈通及电荷注入等的影响导致的电位变动量。b为常数且表示晶体管54为非导通状态时的馈通及电荷注入等的影响导致的电位变动量。

接着，说明作为第二数据将图像数据“Vdata”写入到节点ND2而使节点ND1的电位升压的工作。

在时间T3，使布线141的电位为“Low”且使布线142的电位变为“High”，由此晶体管53成为导通状态，节点ND2被写入布线151的电位“Vdata”。

此时，施加到电容器61两端的电位差V1保持算式(5)表示的值，由此节点ND1的电位V

V

V

在时间T4，使布线141的电位为“Low”且使布线142的电位为“Low”，由此晶体管53成为非导通状态，而晶体管51的栅极及源极之间的电压Vgs成为电容器61及电容器62保持的电压，在发光器件64中流过对应Vgs的电流。

此时，节点ND1的电位V

V

V

此外，c为常数且表示晶体管53为非导通状态时的馈通及电荷注入等的影响导致的电位变动量。

在此，在算式(9)中，在Vref为“0V”，且常数a、常数b及常数c为0的情况下，V

图15的工作可以在一个水平期间内连续地进行。

本发明的一个方式的显示装置即使使用通用驱动器IC也可以生成高电压。例如，可以将用来驱动发光器件等的从驱动器IC供应的电压减少至1/2左右，由此可以使显示装置低功耗化。此外，例如，通过写入两次相同图像数据可以增大流过发光器件的电流，由此可以提高显示器的亮度。

通过组合这样的第一数据和第二数据，可以进行上转换、HDR显示、显示装置固有的显示不均匀的校正、像素所包括的晶体管的阈值电压的校正等。或者，可以组合这些来进行。

在上转换工作中，例如，对相邻的四个像素(两行两列)分别供应不同的校正数据，而分别供应相同的图像数据。被供应的图像数据在各像素中被校正(转换)为不同图像数据，而可以在各像素中进行显示。例如，通过对具有8K4K的像素数的显示装置的特定四个像素输入适用于4K2K用数据的特定一个像素的数据并对该四个像素的每一个输入彼此不同的校正数据，可以进行提高分辨率的显示。

本发明的一个方式的显示装置可以重叠地显示不同的图像，这是广义上的图像数据的校正。例如，可以显示重叠了由图像数据“Vdata”构成的第一图像与由校正数据“Vw”构成的第二图像的合成图像。这样图像数据和校正数据的组合不仅可以合成地显示不同的图像，而且还可以提高显示图像整体的亮度等。例如，可以适用于文字插入及AR显示等。

[显示装置400C]

图16所示的显示装置400C包括衬底301、发光元件430a、430b、430c、电容器240及晶体管310。

晶体管310是在衬底301中具有沟道形成区域的晶体管。作为衬底301，例如可以使用如单晶硅衬底等半导体衬底。晶体管310包括衬底301的一部分、导电层311、低电阻区域312、绝缘层313及绝缘层314。导电层311被用作栅电极。绝缘层313位于衬底301与导电层311之间，并被用作栅极绝缘层。低电阻区域312是衬底301中掺杂有杂质的区域，并被用作源极和漏极中的一个。绝缘层314覆盖导电层311的侧面，并被用作绝缘层。

此外，在相邻的两个晶体管310之间，以嵌入衬底301的方式设置有元件分离层315。

此外，以覆盖晶体管310的方式设置有绝缘层261，并绝缘层261上设置有电容器240。

电容器240包括导电层241、导电层245及位于它们之间的绝缘层243。导电层241用作电容器240中的一个电极，导电层245用作电容器240中的另一个电极，并且绝缘层243用作电容器240的介电质。

导电层241设置在绝缘层261上，并嵌入绝缘层254中。导电层241通过嵌入绝缘层261中的插头271与晶体管310的源极和漏极中的一个电连接。绝缘层243覆盖导电层241而设置。导电层245设置在隔着绝缘层243与导电层241重叠的区域中。

以覆盖电容器240的方式设置有绝缘层255，绝缘层255上设置有发光元件430a、发光元件430b、发光元件430c等。发光元件430a、发光元件430b、发光元件430c上设置有保护层416，衬底420隔着树脂层419贴合于保护层416的顶面。衬底420相当于图12A中的衬底292。

发光元件的像素电极通过嵌入绝缘层255中的插头256、嵌入绝缘层254中的导电层241及嵌入绝缘层261中的插头271电连接于晶体管310的源极和漏极中的一个。

[显示装置400D]

图17所示的显示装置400D的与显示装置400C主要不同之处是晶体管的结构。注意，有时省略与显示装置400C同样的部分的说明。

晶体管320是在形成沟道的半导体层中使用金属氧化物(也称为氧化物半导体)的晶体管。

晶体管320包括半导体层321、绝缘层323、导电层324、一对导电层325、绝缘层326及导电层327。

衬底331相当于图12A及图12B中的衬底291。作为衬底331可以使用绝缘衬底或半导体衬底。

在衬底331上设置有绝缘层332。绝缘层332用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从衬底331扩散到晶体管320且防止氧从半导体层321向绝缘层332一侧脱离。作为绝缘层332，例如可以使用与氧化硅膜相比氢或氧不容易扩散的膜诸如氧化铝膜、氧化铪膜、氮化硅膜等。

在绝缘层332上设置有导电层327，并以覆盖导电层327的方式设置有绝缘层326。导电层327用作晶体管320的第一栅电极，绝缘层326的一部分用作第一栅极绝缘层。绝缘层326中的至少接触半导体层321的部分优选使用氧化硅膜等氧化物绝缘膜。绝缘层326的顶面优选被平坦化。

半导体层321设置在绝缘层326上。半导体层321优选含有具有半导体特性的金属氧化物(也称为氧化物半导体)膜。关于可以用于半导体层321的材料将在后面详细描述。

一对导电层325接触于半导体层321上并用作源电极及漏电极。

另外，以覆盖一对导电层325的顶面及侧面以及半导体层321的侧面等的方式设置有绝缘层328，绝缘层328上设置有绝缘层264。绝缘层328被用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从绝缘层264等扩散到半导体层321以及氧从半导体层321脱离。作为绝缘层328，可以使用与上述绝缘层332同样的绝缘膜。

绝缘层328及绝缘层264中设置有到达半导体层321的开口。该开口内部嵌入有接触于绝缘层264、绝缘层328及导电层325的侧面以及半导体层321的顶面的绝缘层323、以及导电层324。导电层324被用作第二栅电极，绝缘层323被用作第二栅极绝缘层。

导电层324的顶面、绝缘层323的顶面及绝缘层264的顶面被进行平坦化处理以它们的高度都大致一致，并以覆盖它们的方式设置有绝缘层329及绝缘层265。

绝缘层264及绝缘层265被用作层间绝缘层。绝缘层329被用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从绝缘层265等扩散到晶体管320。绝缘层329可以使用与上述绝缘层328及绝缘层332同样的绝缘膜。

与一对导电层325中的一方电连接的插头274嵌入绝缘层265、绝缘层329及绝缘层264。在此，插头274优选具有覆盖绝缘层265、绝缘层329、绝缘层264及绝缘层328各自的开口的侧面及导电层325的顶面的一部分的导电层274a以及与导电层274a的顶面接触的导电层274b。此时，作为导电层274a，优选使用不容易扩散氢及氧的导电材料。

显示装置400D中的从绝缘层254到衬底420的结构是与显示装置400C同样的。

[显示装置400E]

图18所示的显示装置400E具有沟道分别形成在半导体衬底中的晶体管310A和晶体管310B的叠层结构。

显示装置400E具有将设置有晶体管310B、电容器240及各发光元件的衬底301B与设置有晶体管310A的衬底301A贴合的结构。

衬底301B中设置有穿过衬底301B的插头343。另外，插头343与设置在衬底301的背面(与衬底120一侧相反的一侧的表面)的导电层342电连接。另一方面，衬底301A在绝缘层261上设置有导电层341。

通过使导电层341与导电层342接合，衬底301A与衬底301B电连接。

作为导电层341及导电层342优选使用相同的导电性材料。例如，可以使用包含选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo和W中的元素的金属膜或以上述元素为成分的金属氮化物膜(氮化钛膜、氮化钼膜、氮化钨膜)等。尤其是，导电层341及导电层342优选使用铜。由此，可以使用Cu-Cu(铜-铜)直接键合技术(通过连接Cu(铜)焊盘来形成电导通的技术)。此外，也可以通过凸块将导电层341和导电层342接合。

[显示装置400F]

在图19所示的显示装置400F中，层叠有沟道形成于衬底301的晶体管310及形成沟道的半导体层含有金属氧化物的晶体管320。注意，有时省略与显示装置400C、显示装置400D同样的部分的说明。

以覆盖晶体管310的方式设置有绝缘层261，并且绝缘层261上设置有导电层251。此外，以覆盖导电层251的方式设置有绝缘层262，并且绝缘层262上设置有导电层252。导电层251及导电层252都被用作布线。此外，以覆盖导电层252的方式设置有绝缘层263及绝缘层332，并且绝缘层332上设置有晶体管320。此外，以覆盖晶体管320的方式设置有绝缘层265，并在绝缘层265上设置有电容器240。电容器240与晶体管320通过插头274电连接。

晶体管320可以用作构成像素电路的晶体管。此外，晶体管310可以用作构成像素电路的晶体管或构成用来驱动该像素电路的驱动电路(栅极线驱动电路、源极线驱动电路)的晶体管。此外，晶体管310及晶体管320可以用作构成运算电路或存储电路等各种电路的晶体管。

借助于这种结构，在发光元件正下不但可以形成像素电路还可以形成驱动电路等，因此与在显示区域的周围设置驱动电路的情况相比，可以使显示装置小型化。

本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。

(实施方式4)

在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置的一个例子。

本发明的一个方式的显示装置包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层。第一层包括沟道形成区域中包含硅的第一晶体管。另外，第二层包括沟道形成区域中包含金属氧化物的第二晶体管。另外，第三层包括多个发光元件。

EL层例如包括发射白色光的发光层，EL层横跨设置在以矩阵状排列的多个发光元件中。在多个发光元件中，优选的是，在相邻的发光元件之间确认不到串扰。

图20是显示装置200A的截面示意图。显示装置200A在衬底501与衬底502之间包括发光元件250R、发光元件250G、晶体管210、晶体管220、电容器240等。

晶体管210是沟道形成区域形成于衬底501的晶体管。作为衬底501，例如可以使用如单晶硅衬底等半导体衬底。晶体管210包括衬底501的一部分、导电层511、低电阻区域512、绝缘层513、绝缘层514等。导电层511用作栅电极。绝缘层513位于衬底501与导电层511之间，并用作栅极绝缘层。低电阻区域512是衬底501中掺杂有杂质的区域，并用作源极和漏极中的一个。绝缘层514覆盖导电层511的侧面，并用作绝缘层。

此外，在相邻的两个晶体管210之间，以嵌入衬底501的方式设置有元件分离层515。

晶体管210与晶体管220之间设置有布线层203。布线层203具有层叠有包括一个以上的布线的层的结构。各层包括导电层571，各层之间设置有层间绝缘层573。此外，不同层的导电层571通过设置在层间绝缘层573中的插头572彼此电连接。

布线层203上设置有晶体管220。晶体管220是在形成沟道的半导体层中使用金属氧化物(也称为氧化物半导体)的晶体管。

晶体管220包括半导体层521、绝缘层523、导电层524、一对导电层525、绝缘层226、导电层227等。

布线层203上设置有绝缘层279。绝缘层279用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从布线层203一侧扩散到晶体管220以及氧从半导体层521向布线层203一侧脱离。作为绝缘层279，例如可以使用与氧化硅膜相比氢或氧不容易扩散的膜诸如氧化铝膜、氧化铪膜、氮化硅膜等。

在绝缘层279上设置有导电层227，并以覆盖导电层227的方式设置有绝缘层226。导电层227被用作晶体管220的第一栅电极，绝缘层226的一部分被用作第一栅极绝缘层。绝缘层226中的至少接触半导体层521的部分优选使用氧化硅膜等氧化物绝缘膜。

半导体层521设置在绝缘层226上。半导体层521优选含有具有半导体特性的金属氧化物(也称为氧化物半导体)膜。

一对导电层525以与半导体层521接触的方式设置在半导体层521上，并被用作源电极及漏电极。

此外，以覆盖一对导电层525的顶面及侧面以及半导体层521的侧面等的方式设置有绝缘层232，绝缘层232上设置有绝缘层261。绝缘层232被用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从层间绝缘层等扩散到半导体层521以及氧从半导体层521脱离。作为绝缘层232，可以使用与上述绝缘层279同样的绝缘膜。

绝缘层232及绝缘层261中设置有到达半导体层521的开口。该开口的内部嵌入有：与绝缘层261、绝缘层232及导电层525的侧面以及半导体层521的顶面接触的绝缘层523；以及绝缘层523上的导电层524。导电层524被用作第二栅电极，绝缘层523被用作第二栅极绝缘层。

导电层524的顶面、绝缘层523的顶面及绝缘层261的顶面被进行平坦化处理以使它们的高度大致一致，并以覆盖它们的方式设置有绝缘层233。另外，绝缘层233与绝缘层279之间的叠层结构中设置有开口部，在该开口部中绝缘层233的一部分以与绝缘层279接触的方式设置。绝缘层261被用作层间绝缘层。另外，绝缘层233被用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从其上方扩散。作为绝缘层233，可以使用与上述绝缘层279等同样的绝缘膜。

绝缘层233上设置有电容器240。

电容器240包括导电层241、导电层245及位于它们之间的绝缘层243。导电层241用作电容器240中的一个电极，导电层245用作电容器240中的另一个电极，并且绝缘层243用作电容器240的介电质。

以覆盖电容器240的方式设置有绝缘层234。作为绝缘层234，可以使用与上述绝缘层279同样的绝缘膜。绝缘层279上隔着层间绝缘层及布线设置有绝缘层262，绝缘层262上设置有发光元件250R及发光元件250G。

发光元件250R包括导电层251、导电层252R、EL层253W及导电层267等。

导电层251对可见光具有反射性，导电层252R对可见光具有透过性。导电层267对可见光具有反射性及透过性。导电层252R被用作用来调整导电层251与导电层267之间的光学距离的光学调整层。光学调整层可以在不同颜色的发光元件间具有不同的厚度。发光元件250R所包括的导电层252R的厚度与发光元件250G所包括的导电层252G的厚度不同。

以覆盖导电层252R的端部及导电层252G的端部的方式设置有绝缘层269。

EL层253W及导电层267横跨设置在多个像素中。EL层253W包括发射白色光的发光层。

发光元件250R上隔着绝缘层235设置有着色层268R。另外，发光元件250G上设置有着色层268G。此外，图20示出着色层268B的一部分。

例如，着色层268R使红色光透过，着色层268G使绿色光透过，并且着色层268B使蓝色光透过。由此，可以提高来自各发光元件的光的色纯度，从而可以实现显示品质更高的显示装置。此外，通过在绝缘层235上形成各着色层，与在衬底502一侧形成着色层之后贴合衬底501与衬底502的情况相比更容易进行各发光元件与各着色层的位置对准，由此可以实现极高清晰度的显示装置。

着色层268R及着色层268G上设置有透镜阵列257。从发光元件250R发射的光被着色层268R着色，通过透镜阵列257发射到外部。如果不需要，则可以不设置透镜阵列257。

在显示装置200A中，衬底502位于观看一侧。衬底502与衬底501贴合。作为衬底502，可以使用玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、塑料衬底等具有透光性的衬底。

借助于这种结构，可以实现清晰度极高且显示品质高的显示装置。

本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。

(实施方式5)

在本实施方式中，对可用于本发明的一个方式的显示装置的发光元件(也称为发光器件)进行说明。

<发光器件的结构例子>

如图21A所示，发光器件在一对电极(下部电极772、上部电极788)间包括EL层786。EL层786可以由层4420、发光层4411、层4430等的多个层构成。层4420例如可以包括含有电子注入性高的物质的层(电子注入层)及含有电子传输性高的物质的层(电子传输层)等。发光层4411例如包含发光化合物。层4430例如可以包括含有空穴注入性高的物质的层(空穴注入层)及含有空穴传输性高的物质的层(空穴传输层)。

包括设置在一对电极间的层4420、发光层4411及层4430的结构可以被用作单一的发光单元，在本说明书中将图21A的结构称为单结构。

图21B示出图21A所示的发光器件所包括的EL层786的变形例子。具体而言，图21B所示的发光器件包括下部电极772上的层4430-1、层4430-1上的层4430-2、层4430-2上的发光层4411、发光层4411上的层4420-1、层4420-1上的层4420-2及层4420-2上的上部电极788。例如，在将下部电极772用作阳极且将上部电极788用作阴极时，层4430-1被用作空穴注入层，层4430-2被用作空穴传输层，层4420-1被用作电子传输层，层4420-2被用作电子注入层。或者，在将下部电极772用作阴极且将上部电极788用作阳极时，层4430-1被用作电子注入层，层4430-2被用作电子传输层，层4420-1被用作空穴传输层，层4420-2被用作空穴注入层。通过采用上述层结构，可以将载流子高效地注入到发光层4411，由此可以提高发光层4411内的载流子的再结合的效率。

此外，如图21C及图21D所示，层4420与层4430之间设置有多个发光层(发光层4411、4412、4413)的结构也是单结构的变形例子。

如图21E及图21F所示，多个发光单元(EL层786a、EL层786b)隔着中间层(电荷产生层)4440串联连接的结构在本说明书中被称为串联结构。在本说明书等中，图21E及图21F所示的结构被称为串联结构，但是不局限于此，例如，串联结构也可以被称为叠层结构。通过采用串联结构，可以实现能够以高亮度发光的发光器件。

另外，通过组合白色发光器件(单结构和串联结构中的一方或双方)、滤色片与本发明的一个方式的MML结构，可以实现具有高对比度的显示装置。

在对上述白色发光器件(单结构或串联结构)和SBS结构的发光器件进行比较的情况下，可以使SBS结构的发光器件的功耗比白色发光器件低。在想要降低功耗时，优选采用SBS结构的发光器件。另一方面，白色发光器件的制造工艺比SBS结构的发光器件简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。

尤其是，在从MML结构的发光器件中采用SBS结构时，设置在发光器件间的层(例如是在发光器件间共同使用的有机层，也称为公共层)被分割，由此可以进行没有侧泄漏或侧泄漏极少的显示。

在图21C中，也可以将发射相同颜色的光的发光层4411、发光层4412及发光层4413。

另外，也可以将互不相同的发光材料用于发光层4411、发光层4412及发光层4413。在发光层4411、发光层4412及发光层4413各自所发射的光处于补色关系时，可以得到白色发光。图21D示出设置被用作滤色片的着色层785的例子。通过白色光透过滤色片，可以得到所希望的颜色的光。

另外，在图21E中，也可以将相同发光材料用于发光层4411及发光层4412。或者，也可以将发射互不相同的颜色的光的发光材料用于发光层4411及发光层4412。在发光层4411所发射的光和发光层4412所发射的光处于补色关系时，可以得到白色发光。图21F示出还设置着色层785的例子。

注意，在图21C、图21D、图21E及图21F中，如图21B所示，层4420及层4430也可以具有由两层以上的层构成的叠层结构。

将按每个发光器件分别形成发光层(在此，蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))的结构称为SBS(Side By Side)结构。

发光器件的发光颜色根据构成EL层786的材料而可以为红色、绿色、蓝色、青色、品红色、黄色或白色等。此外，当发光器件具有微腔结构时，可以进一步提高色纯度。

白色发光器件优选具有发光层包含两种以上的发光物质的结构。为了得到白色发光，选择各发光处于补色关系的两种以上的发光物质即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的发光器件。此外，包括三个以上的发光层的发光器件也是同样的。

发光层优选包含每个发光呈现R(红)、G(绿)、B(蓝)、Y(黄)、O(橙)等的两种以上的发光物质。或者，优选包含每个发光包含R、G、B中的两种以上的光谱成分的两种以上的发光物质。

在此，说明发光器件的具体的结构例子。

发光器件至少包括发光层。另外，作为发光层以外的层，发光器件还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子阻挡材料、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。

发光器件可以使用低分子类化合物或高分子类化合物，还可以包含无机化合物。构成发光器件的层可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等的方法形成。

例如，发光器件可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一个以上。

空穴注入层是从阳极向空穴传输层注入空穴的层且包含空穴注入性高的材料的层。作为空穴注入性高的材料，可以使用芳香胺化合物、包含空穴传输性材料及受体材料(电子受体材料)的复合材料等。

空穴传输层是将从阳极由空穴注入层注入的空穴传输到发光层中的层。空穴传输层是包含空穴传输性材料的层。作为空穴传输性材料，优选采用空穴迁移率为10

电子传输层是将从阴极由电子注入层注入的电子传输到发光层中的层。电子传输层是包含电子传输性材料的层。作为电子传输性材料，优选采用电子迁移率为1×10

电子注入层是将电子从阴极注入到电子传输层的包含电子注入性高的材料的层。作为电子注入性高的材料，可以使用碱金属、碱土金属或者包含上述物质的化合物。作为电子注入性高的材料，也可以使用包含电子传输性材料及供体性材料(电子给体性材料)的复合材料。

作为电子注入层，例如可以使用锂、铯、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF

另外，作为上述电子注入层，也可以使用具有电子传输性的材料。例如，可以将具有非共用电子对且具有缺电子型杂芳环的化合物用于具有电子传输性的材料。具体而言，可以使用包含吡啶环、二嗪环(嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环)和三嗪环中的至少一个的化合物。

具有非共用电子对的有机化合物的最低空分子轨道(LUMO：Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)优选为-3.6eV以上且-2.3eV以下。另外，一般来说，CV(循环伏安法)、光电子能谱法(photoelectron spectroscopy)、吸收光谱法(optical absorptionspectroscopy)、逆光电子能谱法估计有机化合物的最高占有分子轨道(HOMO：HighestOccupied Molecular Orbital)能级及LUMO能级。

例如，可以将4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：BPhen)、2，9-二(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)、二喹喔啉并[2，3-a：2’，3’-c]吩嗪(简称：HATNA)、2，4，6-三[3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基]-1，3，5-三嗪(简称：TmPPPyTz)等用于具有非共用电子对的有机化合物。另外，与BPhen相比，NBPhen具有高玻璃化转变温度(Tg)和良好耐热性。

发光层是包含发光物质的层。发光层可以包含一种或多种发光物质。另外，作为发光物质，适当地使用呈现蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色、红色等的发光颜色的物质。此外，作为发光物质，也可以使用发射近红外光的物质。

作为发光物质，可以举出荧光材料、磷光材料、TADF材料、量子点材料等。

作为荧光材料，例如可以举出芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等。

作为磷光材料，例如可以举出具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架、咪唑骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吡啶骨架的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、铂配合物、稀土金属配合物等。

发光层除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种有机化合物(主体材料、辅助材料等)。作为一种或多种有机化合物，可以使用空穴传输材料和电子传输材料中的一方或双方。此外，作为一种或多种有机化合物，也可以使用双极性材料或TADF材料。

例如，发光层优选包含磷光材料、容易形成激基复合物的空穴传输材料及电子传输材料的组合。通过采用这样的结构，可以高效地得到利用从激基复合物到发光物质(磷光材料)的能量转移的ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激基复合物-三重态能量转移)的发光。通过以形成发射与发光材料的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的方式选择混合材料，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光。由于该结构而能够同时实现发光器件的高效率、低电压驱动及长寿命。

本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。

(实施方式6)

在本实施方式中，说明可用于上述实施方式中说明的OS晶体管的金属氧化物(称为氧化物半导体)。

金属氧化物优选至少包含铟或锌。尤其优选包含铟及锌。此外，除此之外，优选还包含铝、镓、钇或锡等。此外，也可以包含选自硼、硅、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨、镁及钴等中的一种或多种。

此外，金属氧化物可以通过溅射法、有机金属化学气相沉积(MOCVD：MetalOrganic Chemical Vapor Deposition)法等化学气相沉积(CVD：Chemical VaporDeposition)法或原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。

<结晶结构的分类>

作为氧化物半导体的结晶结构，可以举出非晶(包括completely amorphous)、CAAC(c-axis-aligned crystalline)、nc(nanocrystalline)、CAC(cloud-alignedcomposite)、单晶(single crystal)及多晶(poly crystal)等。

可以使用X射线衍射(XRD：X-Ray Diffraction)谱对膜或衬底的结晶结构进行评价。例如，可以使用GIXD(Grazing-Incidence XRD)测定测得的XRD谱进行评价。此外，将GIXD法也称为薄膜法或Seemann-Bohlin法。

例如，石英玻璃衬底的XRD谱的峰形状大致为左右对称。另一方面，具有结晶结构的IGZO膜的XRD谱的峰形状不是左右对称。XRD谱的峰的形状是左右不对称说明膜中或衬底中存在结晶。换言之，除非XRD谱峰形状左右对称，否则不能说膜或衬底处于非晶状态。

此外，可以使用通过纳米束电子衍射法(NBED：Nano Beam ElectronDiffraction)观察的衍射图案(也称为纳米束电子衍射图案)对膜或衬底的结晶结构进行评价。例如，在石英玻璃衬底的衍射图案中观察到光晕图案，可以确认石英玻璃处于非晶状态。此外，以室温形成的IGZO膜的衍射图案中观察到斑点状的图案而没有观察到光晕。因此可以推测，以室温形成的IGZO膜处于既不是晶态也不是非晶态的中间态，不能得出该IGZO膜是非晶态的结论。

<<氧化物半导体的结构>>

此外，在注目于氧化物半导体的结构的情况下，有时氧化物半导体的分类与上述分类不同。例如，氧化物半导体可以分类为单晶氧化物半导体和除此之外的非单晶氧化物半导体。作为非单晶氧化物半导体，例如可以举出上述CAAC-OS及nc-OS。此外，在非单晶氧化物半导体中包含多晶氧化物半导体、a-like OS(amorphous-like oxidesemiconductor)及非晶氧化物半导体等。

在此，对上述CAAC-OS、nc-OS及a-like OS的详细内容进行说明。

[CAAC-OS]

CAAC-OS是包括多个结晶区域的氧化物半导体，该多个结晶区域的c轴取向于特定的方向。此外，特定的方向是指CAAC-OS膜的厚度方向、CAAC-OS膜的被形成面的法线方向、或者CAAC-OS膜的表面的法线方向。此外，结晶区域是具有原子排列的周期性的区域。注意，在将原子排列看作晶格排列时结晶区域也是晶格排列一致的区域。再者，CAAC-OS具有在a-b面方向上多个结晶区域连接的区域，有时该区域具有畸变。此外，畸变是指在多个结晶区域连接的区域中，晶格排列一致的区域和其他晶格排列一致的区域之间的晶格排列的方向变化的部分。换言之，CAAC-OS是指c轴取向并在a-b面方向上没有明显的取向的氧化物半导体。

此外，上述多个结晶区域的每一个由一个或多个微小结晶(最大径小于10nm的结晶)构成。在结晶区域由一个微小结晶构成的情况下，该结晶区域的最大径小于10nm。此外，结晶区域由多个微小结晶构成的情况下，有时该结晶区域的尺寸为几十nm左右。

此外，在In-M-Zn氧化物(元素M为选自铝、镓、钇、锡及钛等中的一种或多种)中，CAAC-OS有具有层叠有含有铟(In)及氧的层(以下，In层)、含有元素M、锌(Zn)及氧的层(以下，(M，Zn)层)的层状结晶结构(也称为层状结构)的趋势。此外，铟和元素M可以彼此置换。因此，有时(M，Zn)层包含铟。此外，有时In层包含元素M。注意，有时In层包含Zn。该层状结构例如在高分辨率TEM(Transmission Electron Microscope)图像中被观察作为晶格像。

例如，当对CAAC-OS膜使用XRD装置进行结构分析时，在使用θ/2θ扫描的Out-of-plane XRD测量中，在2θ＝31°或其附近检测出表示c轴取向的峰。注意，表示c轴取向的峰的位置(2θ值)有时根据构成CAAC-OS的金属元素的种类、组成等变动。

此外，例如，在CAAC-OS膜的电子衍射图案中观察到多个亮点(斑点)。此外，在以透过样品的入射电子束的斑点(也称为直接斑点)为对称中心时，某一个斑点和其他斑点被观察在点对称的位置。

在从上述特定的方向观察结晶区域的情况下，虽然该结晶区域中的晶格排列基本上是六方晶格，但是单位晶格并不局限于正六角形，有是非正六角形的情况。此外，在上述畸变中，有时具有五角形、七角形等晶格排列。此外，在CAAC-OS的畸变附近观察不到明确的晶界(grain boundary)。也就是说，晶格排列的畸变抑制晶界的形成。这可能是由于CAAC-OS因为a-b面方向上的氧原子的排列的低密度或者因金属原子被取代而使原子间的键合距离产生变化等而能够包容畸变。

此外，确认到明确的晶界的结晶结构被称为所谓的多晶(polycrystal)。晶界成为复合中心而载流子被俘获，因而有可能导致晶体管的通态电流的降低、场效应迁移率的降低等。因此，确认不到明确的晶界的CAAC-OS是对晶体管的半导体层提供具有优异的结晶结构的结晶性氧化物之一。注意，为了构成CAAC-OS，优选为包含Zn的结构。例如，与In氧化物相比，In-Zn氧化物及In-Ga-Zn氧化物能够进一步抑制晶界的发生，所以是优选的。

CAAC-OS是结晶性高且确认不到明确的晶界的氧化物半导体。因此，可以说在CAAC-OS中，不容易发生起因于晶界的电子迁移率的降低。此外，氧化物半导体的结晶性有时因杂质的混入或缺陷的生成等而降低，因此可以说CAAC-OS是杂质或者缺陷(氧空位等)少的氧化物半导体。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体的物理性质稳定。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体具有高耐热性及高可靠性。此外，CAAC-OS对制造工序中的高温度(所谓热积存；thermalbudget)也很稳定。由此，通过在OS晶体管中使用CAAC-OS，可以扩大制造工序的自由度。

[nc-OS]

在nc-OS中，微小的区域(例如1nm以上且10nm以下的区域，特别是1nm以上且3nm以下的区域)中的原子排列具有周期性。换言之，nc-OS具有微小的结晶。此外，例如，该微小的结晶的尺寸为1nm以上且10nm以下，尤其为1nm以上且3nm以下，将该微小的结晶称为纳米晶。此外，nc-OS在不同的纳米晶之间观察不到结晶取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc-OS在某些分析方法中与a-like OS及非晶氧化物半导体没有差别。例如，在对nc-OS膜使用XRD装置进行结构分析时，在使用θ/2θ扫描的Out-of-plane XRD测量中，不检测出表示结晶性的峰。此外，在对nc-OS膜进行使用其束径比纳米晶大(例如，50nm以上)的电子束的电子衍射(也称为选区电子衍射)时，观察到类似光晕图案的衍射图案。另一方面，在对nc-OS膜进行使用其束径近于或小于纳米晶的尺寸(例如1nm以上且30nm以下)的电子束的电子衍射(也称为纳米束电子衍射)的情况下，有时得到在以直接斑点为中心的环状区域内观察到多个斑点的电子衍射图案。

[a-like OS]

a-like OS是具有介于nc-OS与非晶氧化物半导体之间的结构的氧化物半导体。a-like OS包含空洞或低密度区域。也就是说，a-likeOS的结晶性比nc-OS及CAAC-OS的结晶性低。此外，a-like OS的膜中的氢浓度比nc-OS及CAAC-OS的膜中的氢浓度高。

<<氧化物半导体的构成>>

接着，说明上述CAC-OS的详细内容。此外，CAC-OS与材料构成有关。

[CAC-OS]

CAC-OS例如是指包含在金属氧化物中的元素不均匀地分布的构成，其中包含不均匀地分布的元素的材料的尺寸为0.5nm以上且10nm以下，优选为1nm以上且3nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也将在金属氧化物中一个或多个金属元素不均匀地分布且包含该金属元素的区域混合的状态称为马赛克状或补丁(patch)状，该区域的尺寸为0.5nm以上且10nm以下，优选为1nm以上且3nm以下或近似的尺寸。

再者，CAC-OS是指其材料分开为第一区域与第二区域而成为马赛克状且该第一区域分布于膜中的结构(下面也称为云状)。就是说，CAC-OS是指具有该第一区域和该第二区域混合的结构的复合金属氧化物。

在此，将相对于构成In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS的金属元素的In、Ga及Zn的原子数比的每一个记为[In]、[Ga]及[Zn]。例如，在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，第一区域是其[In]大于CAC-OS膜的组成中的[In]的区域。此外，第二区域是其[Ga]大于CAC-OS膜的组成中的[Ga]的区域。此外，例如，第一区域是其[In]大于第二区域中的[In]且其[Ga]小于第二区域中的[Ga]的区域。此外，第二区域是其[Ga]大于第一区域中的[Ga]且其[In]小于第一区域中的[In]的区域。

具体而言，上述第一区域是以铟氧化物或铟锌氧化物等为主要成分的区域。此外，上述第二区域是以镓氧化物或镓锌氧化物等为主要成分的区域。换言之，可以将上述第一区域称为以In为主要成分的区域。此外，可以将上述第二区域称为以Ga为主要成分的区域。

注意，有时观察不到上述第一区域和上述第二区域的明确的边界。

此外，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS是指如下构成：在包含In、Ga、Zn及O的材料构成中，部分主要成分为Ga的区域与部分主要成分为In的区域无规律地以马赛克状存在。因此，可推测，CAC-OS具有金属元素不均匀地分布的结构。

CAC-OS例如可以通过在对衬底不进行加热的条件下利用溅射法来形成。在利用溅射法形成CAC-OS的情况下，作为沉积气体，可以使用选自惰性气体(典型的是氩)、氧气体和氮气体中的任一种或多种。此外，沉积时的沉积气体的总流量中的氧气体的流量比越低越好，例如，优选使沉积时的沉积气体的总流量中的氧气体的流量比为0％以上且低于30％，更优选为0％以上且10％以下。

例如，在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根据通过能量分散型X射线分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析图像，可确认到具有以In为主要成分的区域(第一区域)及以Ga为主要成分的区域(第二区域)不均匀地分布而混合的结构。

在此，第一区域是具有比第二区域高的导电性的区域。就是说，当载流子流过第一区域时，呈现作为金属氧化物的导电性。因此，当第一区域以云状分布在金属氧化物中时，可以实现高场效应迁移率(μ)。

另一方面，第二区域是具有比第一区域高的绝缘性的区域。就是说，当第二区域分布在金属氧化物中时，可以抑制泄漏电流。

在将CAC-OS用于晶体管的情况下，通过起因于第一区域的导电性和起因于第二区域的绝缘性的互补作用，可以使CAC-OS具有开关功能(控制开启/关闭的功能)。换言之，在CAC-OS的材料的一部分中具有导电性的功能且在另一部分中具有绝缘性的功能，在材料的整体中具有半导体的功能。通过使导电性的功能和绝缘性的功能分离，可以最大限度地提高各功能。因此，通过将CAC-OS用于晶体管，可以实现大通态电流(I

此外，使用CAC-OS的晶体管具有高可靠性。因此，CAC-OS最适合于显示装置等各种半导体装置。

氧化物半导体具有各种结构及各种特性。本发明的一个方式的氧化物半导体也可以包括非晶氧化物半导体、多晶氧化物半导体、a-likeOS、CAC-OS、nc-OS、CAAC-OS中的两种以上。

<具有氧化物半导体的晶体管>

接着，说明将上述氧化物半导体用于晶体管的情况。

通过将上述氧化物半导体用于晶体管，可以实现场效应迁移率高的晶体管。此外，可以实现可靠性高的晶体管。

优选将载流子浓度低的氧化物半导体用于晶体管。例如，氧化物半导体中的载流子浓度为1×10

因为高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜具有较低的缺陷态密度，所以有可能具有较低的陷阱态密度。

此外，被氧化物半导体的陷阱态俘获的电荷到消失需要较长的时间，有时像固定电荷那样动作。因此，有时在陷阱态密度高的氧化物半导体中形成沟道形成区域的晶体管的电特性不稳定。

因此，为了使晶体管的电特性稳定，降低氧化物半导体中的杂质浓度是有效的。为了降低氧化物半导体中的杂质浓度，优选还降低附近膜中的杂质浓度。作为杂质有氢、氮、碱金属、碱土金属、铁、镍、硅等。

<杂质>

在此，说明氧化物半导体中的各杂质的影响。

在氧化物半导体包含第14族元素之一的硅或碳时，在氧化物半导体中形成缺陷态。因此，将氧化物半导体中以及与氧化物半导体的界面附近的硅或者碳的浓度(通过二次离子质谱(SIMS：SecondaryIonMass Spectrometry)测得的浓度)设定为2×10

此外，当氧化物半导体包含碱金属或碱土金属时，有时形成缺陷态而形成载流子。因此，使用包含碱金属或碱土金属的氧化物半导体的晶体管容易具有常开启特性。因此，使通过SIMS测得的氧化物半导体中的碱金属或碱土金属的浓度为1×10

当氧化物半导体包含氮时，容易产生作为载流子的电子，使载流子浓度增高，而n型化。其结果是，在将包含氮的氧化物半导体用于半导体的晶体管容易具有常开启特性。或者，在氧化物半导体包含氮时，有时形成陷阱态。其结果，有时晶体管的电特性不稳定。因此，将利用SIMS测得的氧化物半导体中的氮浓度设定为低于5×10

包含在氧化物半导体中的氢与键合于金属原子的氧起反应生成水，因此有时形成氧空位。当氢进入该氧空位时，有时产生作为载流子的电子。此外，有时由于氢的一部分与键合于金属原子的氧键合，产生作为载流子的电子。因此，使用包含氢的氧化物半导体的晶体管容易具有常开启特性。由此，优选尽可能地减少氧化物半导体中的氢。具体而言，在氧化物半导体中，将利用SIMS测得的氢浓度设定为低于1×10

通过将杂质被充分降低的氧化物半导体用于晶体管的沟道形成区域，可以使晶体管具有稳定的电特性。

本实施方式的至少一部分可以与本说明书中记载的其他实施方式适当地组合而实施。

(实施方式7)

在本实施方式中，使用图22至图25说明本发明的一个方式的电子设备。

本实施方式的电子设备包括本发明的一个方式的显示装置。本发明的一个方式的显示装置容易实现高清晰化、高分辨率化、大型化。因此，可以将本发明的一个方式的显示装置用于各种各样的电子设备的显示部。

另外，本发明的一个方式的显示装置可以以低成本制造，由此可以降低电子设备的制造成本。

作为电子设备，例如除了电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等具有较大的屏幕的电子设备以外，还可以举出数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置等。

特别是，因为本发明的一个方式的显示装置可以提高清晰度，所以可以适当地用于包括较小的显示部的电子设备。作为这种电子设备，例如可以举出手表型、手镯型等的信息终端设备(可穿戴设备)、可戴在头上的可穿戴设备等诸如头戴显示器等VR用设备、眼镜型AR用设备等。另外，作为可穿戴设备还可以举出SR用设备以及MR用设备。

本发明的一个方式的显示装置优选具有极高的分辨率诸如HD(像素数为1280×720)、FHD(像素数为1920×1080)、WQHD(像素数为2560×1440)、WQXGA(像素数为2560×1600)、4K2K(像素数为3840×2160)、8K4K(像素数为7680×4320)等。尤其优选具有4K2K、8K4K或更高的分辨率。另外，本发明的一个方式的显示装置中的像素密度(清晰度)优选为300ppi以上，更优选为500ppi以上，进一步优选为1000ppi以上，更进一步优选为2000ppi以上，还进一步优选为3000ppi以上，还进一步优选为5000ppi以上，还进一步优选为7000ppi以上。通过使用上述的具有高分辨率或高清晰度的显示装置，在便携式或家用等的个人用途的电子设备中可以进一步提高真实感、纵深感等。

可以将本实施方式的电子设备沿着房屋或高楼的内壁或外壁、汽车的内部装饰或外部装饰的曲面组装。

本实施方式的电子设备也可以包括天线。通过由天线接收信号，可以在显示部上显示影像及信息等。另外，在电子设备包括天线及二次电池时，可以用天线进行非接触电力传送。

本实施方式的电子设备也可以包括传感器(该传感器具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)。

本实施方式的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；执行各种软件(程序)的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据的功能；等。

图22A所示的电子设备6500是可以被用作智能手机的便携式信息终端设备。

电子设备6500包括框体6501、显示部6502、电源按钮6503、按钮6504、扬声器6505、麦克风6506、照相机6507及光源6508等。显示部6502具有触摸面板功能。

显示部6502可以使用本发明的一个方式的显示装置。

图22B是包括框体6501的麦克风6506一侧的端部的截面示意图。

框体6501的显示面一侧设置有具有透光性的保护构件6510，被框体6501及保护构件6510包围的空间内设置有显示面板6511、光学构件6512、触摸传感器面板6513、印刷电路板6517、电池6518等。

显示面板6511、光学构件6512及触摸传感器面板6513使用粘合层(未图示)固定到保护构件6510。

在显示部6502的外侧的区域中，显示面板6511的一部分叠回，且该叠回部分连接有FPC6515。FPC6515安装有IC6516。FPC6515与设置于印刷电路板6517的端子连接。

显示面板6511可以使用本发明的一个方式的柔性显示器(具有柔性的显示装置)。由此，可以实现极轻量的电子设备。此外，由于显示面板6511极薄，所以可以在抑制电子设备的厚度的情况下安装大容量的电池6518。此外，通过折叠显示面板6511的一部分以在像素部的背面设置与FPC6515的连接部，可以实现窄边框的电子设备。

图23A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7101中组装有显示部7000。在此示出利用支架7103支撑框体7101的结构。

可以对显示部7000应用本发明的一个方式的显示装置。

可以通过利用框体7101所包括的操作开关及另外提供的遥控操作机7111进行图23A所示的电视装置7100的操作。此外，也可以在显示部7000中包括触摸传感器，也可以通过用指头等触摸显示部7000进行电视装置7100的操作。此外，也可以在遥控操作机7111中包括显示从该遥控操作机7111输出的信息的显示部。通过利用遥控操作机7111所包括的操作键或触摸面板，可以进行频道及音量的操作，并可以对显示在显示部7000上的影像进行操作。

此外，电视装置7100包括接收机及调制解调器等。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。

图23B示出笔记本型个人计算机的一个例子。笔记本型个人计算机7200包括框体7211、键盘7212、指向装置7213、外部连接端口7214等。在框体7211中组装有显示部7000。

可以对显示部7000应用本发明的一个方式的显示装置。

图23C和图23D示出数字标牌的一个例子。

图23C所示的数字标牌7300包括框体7301、显示部7000及扬声器7303等。此外，还可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器、麦克风等。

图23D示出设置于圆柱状柱子7401上的数字标牌7400。数字标牌7400包括沿着柱子7401的曲面设置的显示部7000。

在图23C和图23D中，可以对显示部7000应用包括本发明的一个方式的晶体管的显示装置。

显示部7000越大，一次能够提供的信息量越多。显示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高广告宣传效果。

通过将触摸面板用于显示部7000，不仅可以在显示部7000上显示静态图像或动态图像，使用者还能够直觉性地进行操作，所以是优选的。此外，在用于提供线路信息或交通信息等信息的用途时，可以通过直觉性的操作提高易用性。

如图23C和图23D所示，数字标牌7300或数字标牌7400优选可以通过无线通信与使用者所携带的智能手机等信息终端设备7311或信息终端设备7411联动。例如，显示在显示部7000上的广告信息可以显示在信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕上。此外，通过操作信息终端设备7311或信息终端设备7411，可以切换显示部7000的显示。

此外，可以在数字标牌7300或数字标牌7400上以信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕为操作单元(控制器)执行游戏。由此，不特定多个使用者可以同时参加游戏，享受游戏的乐趣。

图24A是安装有取景器8100的照相机8000的外观图。

照相机8000包括框体8001、显示部8002、操作按钮8003、快门按钮8004等。此外，照相机8000安装有可装卸的透镜8006。在照相机8000中，透镜8006和框体也可以被形成为一体。

照相机8000通过按下快门按钮8004或者触摸用作触摸面板的显示部8002，可以进行摄像。

框体8001包括具有电极的嵌入器，除了可以与取景器8100连接以外，还可以与闪光灯装置等连接。

取景器8100包括框体8101、显示部8102以及按钮8103等。

框体8101通过嵌合到照相机8000的嵌入器装到照相机8000。取景器8100可以将从照相机8000接收的影像等显示到显示部8102上。

按钮8103被用作电源按钮等。

本发明的一个方式的显示装置可以用于照相机8000的显示部8002及取景器8100的显示部8102。此外，也可以在照相机8000中内置有取景器。

图24B是头戴显示器8200的外观图。

头戴显示器8200包括安装部8201、透镜8202、主体8203、显示部8204以及电缆8205等。此外，在安装部8201中内置有电池8206。

通过电缆8205，将电力从电池8206供应到主体8203。主体8203包括无线接收器等，能够将所接收的影像信息等显示到显示部8204上。此外，主体8203具有照相机，由此可以作为输入方法利用使用者的眼球或眼睑的动作的信息。

此外，也可以对安装部8201的被使用者接触的位置设置多个电极，以检测出根据使用者的眼球的动作而流过电极的电流，由此实现识别使用者的视线的功能。此外，还可以具有根据流过该电极的电流监视使用者的脉搏的功能。安装部8201可以具有温度传感器、压力传感器、加速度传感器等各种传感器，也可以具有将使用者的生物信息显示在显示部8204上的功能或与使用者的头部的动作同步地使显示在显示部8204上的影像变化的功能等。

可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部8204。

图24C至图24E是头戴显示器8300的外观图。头戴显示器8300包括框体8301、显示部8302、带状固定工具8304以及一对透镜8305。

使用者可以通过透镜8305看到显示部8302上的显示。优选的是，弯曲配置显示部8302。因为使用者可以感受高真实感。此外，通过透镜8305分别看到显示在显示部8302的不同区域上的图像，从而可以进行利用视差的三维显示等。此外，本发明的一个方式不局限于设置有一个显示部8302的结构，也可以设置两个显示部8302以对使用者的一对眼睛分别配置一个显示部。

可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部8302。本发明的一个方式的显示装置还可以实现极高的清晰度。例如，如图24E所示，即使使用透镜8305对显示进行放大观看，像素也不容易被使用者看到。就是说，可以利用显示部8302使使用者看到现实感更高的影像。

图24F是护目镜型头戴显示器8400的外观图。头戴显示器8400包括一对框体8401、安装部8402及缓冲构件8403。一对框体8401内各自设置有显示部8404及透镜8405。通过使一对显示部8404显示互不相同的图像，可以进行利用视差的三维显示。

使用者可以通过透镜8405看到显示部8404上的显示。透镜8405具有焦点调整机构，该焦点调整机构可以根据使用者的视力调整透镜8405的位置。显示部8404优选为正方形或横向长的矩形。由此，可以提高真实感。

安装部8402优选具有塑性及弹性以可以根据使用者的脸尺寸调整并没有掉下来。另外，安装部8402的一部分优选具有被用作骨传导耳机的振动机构。由此，只要安装就可以享受影像及声音，而不需耳机、扬声器等音响设备。此外，也可以具有通过无线通信将声音数据输出到框体8401内的功能。

安装部8402及缓冲构件8403是与使用者的脸(额头、脸颊等)接触的部分。通过使缓冲构件8403与使用者的脸密接，可以防止漏光，从而可以进一步提高沉浸感。缓冲构件8403优选使用柔软的材料以在使用者装上头戴显示器8400时与使用者的脸密接。例如，可以使用橡胶、硅酮橡胶、聚氨酯、海绵等材料。另外，当作为缓冲构件8403使用用布或皮革(天然皮革或合成皮革)等覆盖海绵等的表面的构件时，在使用者的脸和缓冲构件8403之间不容易产生空隙，从而可以适当地防止漏光。另外，在使用这种材料时，不仅让使用者感觉亲肤，而且当在较冷的季节等装上的情况下不让使用者感到寒意，所以是优选的。在缓冲构件8403或安装部8402等接触于使用者的皮肤的构件采用可拆卸的结构时，容易进行清洗及交换，所以是优选的。

图25A至图25F所示的电子设备包括框体9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(该传感器具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风9008等。

图25A至图25F所示的电子设备具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像及文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；通过利用各种软件(程序)控制处理的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据并进行处理的功能；等。注意，电子设备可具有的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。电子设备可以包括多个显示部。此外，也可以在电子设备中设置照相机等而使其具有如下功能：拍摄静态图像或动态图像，且将所拍摄的图像储存在存储介质(外部存储介质或内置于照相机的存储介质)中的功能；将所拍摄的图像显示在显示部上的功能；等。

可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部9001。

下面，详细地说明图25A至图25F所示的电子设备。

图25A是示出便携式信息终端9101的立体图。可以将便携式信息终端9101例如用作智能手机。注意，在便携式信息终端9101中，也可以设置扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等。此外，作为便携式信息终端9101，可以将文字及图像信息显示在其多个面上。在图25A中示出显示三个图标9050的例子。此外，可以将以虚线的矩形示出的信息9051显示在显示部9001的其他面上。作为信息9051的一个例子，可以举出提示收到电子邮件、SNS或电话等的信息；电子邮件或SNS等的标题；电子邮件或SNS等的发送者姓名；日期；时间；电池余量；以及天线接收信号强度的显示等。或者，可以在显示有信息9051的位置上显示图标9050等。

图25B是示出便携式信息终端9102的立体图。便携式信息终端9102具有将信息显示在显示部9001的三个以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分别显示于不同的面上的例子。例如，在将便携式信息终端9102放在上衣口袋里的状态下，使用者能够确认显示在从便携式信息终端9102的上方看到的位置上的信息9053。使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端9102，由此能够判断是否接电话。

图25C是示出手表型便携式信息终端9200的立体图。可以将便携式信息终端9200例如用作智能手表(注册商标)。此外，显示部9001的显示面弯曲，可沿着其弯曲的显示面进行显示。此外，便携式信息终端9200例如通过与可进行无线通信的耳麦相互通信可以进行免提通话。此外，通过利用连接端子9006，便携式信息终端9200可以与其他信息终端进行数据传输及充电。充电也可以通过无线供电进行。

图25D至图25F是示出可以折叠的便携式信息终端9201的立体图。此外，图25D是将便携式信息终端9201展开的状态的立体图、图25F是折叠的状态的立体图、图25E是从图25D的状态和图25F的状态中的一个转换成另一个时中途的状态的立体图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，而在展开状态下因为具有无缝拼接较大的显示区域所以显示的浏览性强。便携式信息终端9201所包括的显示部9001被由铰链9055连结的三个框体9000支撑。显示部9001例如可以在曲率半径0.1mm以上且150mm以下的范围弯曲。

本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。

[实施例1]

在本实施例中，制造本发明的一个方式的显示面板。

〔显示面板的制造1〕

作为显示面板，制造面板S1。面板S1基于实施方式1、制造方法例子1所示的方法来制造。具体而言，首先准备一种衬底，其中单晶硅衬底上形成有包括晶体管及布线等的像素电路及像素电极。接着，在依次形成红色EL层、绿色EL层、蓝色EL层之后形成保护各EL层的侧面的绝缘层。接着，去除各EL层上的牺牲层及保护层。接着，在EL层上依次形成电子注入层、公共电极及保护层。

作为衬底使用单晶硅衬底，依次层叠单晶硅晶体管、布线层、氧化物半导体晶体管(OS晶体管)、发光元件来制造显示面板。OS晶体管在半导体层中使用In-Ga-Zn氧化物膜(IGZO)。

作为EL层，形成空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的叠层结构。作为牺牲层，使用以80℃的衬底温度通过ALD法形成的氧化铝膜及通过溅射法形成的钨膜。作为保护EL层的侧壁的绝缘层，使用通过ALD法形成的氧化铝膜和感光性树脂。作为电子注入层使用氟化锂膜和镱膜的叠层膜，作为公共电极使用银和镁的混合膜，作为公共电极上的保护层使用通过溅射法形成的ITO膜。

在面板S1中，显示部的尺寸为对角线0.99英寸的正方形，有效像素数为1920×1920，清晰度为2731ppi，像素间距在纵方向上为9.3μm且在横方向上为9.3μm，像素排列为R、G、B条纹排列，开口率为43％(设计值)，帧频为90Hz。

〔显示面板的制造2〕

接着，作为显示面板，制造面板S2。面板S2使用白色OLED和滤色片，驱动电路使用单晶硅晶体管，像素电路使用形成在单晶Si晶体管上的OS晶体管。面板S2的结构参照实施方式4。在面板S2中，显示部的尺寸为对角线0.66英寸的正方形，有效像素数为1440×1440，清晰度为3079ppi，像素间距在纵方向上为8.3μm且在横方向上为8.3μm，像素排列为R、G、B条纹排列，开口率为34％(设计值)，帧频为90Hz。

〔显示结果〕

图26A示出面板S1的显示照片，图26B示出面板S2的显示照片。

〔亮度测量〕

在对所制造的显示面板进行绿色显示(G)的情况下，对波长为458nm(蓝色)、531nm(绿色)以及623nm(红色)时的亮度的面内分布进行测量。另外，在此，作为比较例，对将单晶硅晶体管用于像素电路且将白色OLED和滤色片用于发光元件的两种显示面板(比较例1、比较例2)也进行同样的评价。

图27D示出面板S1的发光照片。另外，在图27A、图27B以及图27C中分别示出波长为458nm、531nm以及623nm时的实施例1的亮度的面内分布。另外，图28A示出实施例1的直线A-A’的亮度分布，图28B示出实施例1的直线B-B’的亮度分布。图28A及图28B的纵轴表示分光辐射亮度。注意，在实施例1中，波长为358nm以及波長623nm时的亮度为检测下限以下。

图29D示出面板S2的发光照片。另外，在图29A、图29B以及图29C中分别示出波长为458nm、531nm以及623nm时的实施例2的亮度的面内分布。另外，在图30A以及图30B中分别示出实施例2的各波长的直线A-A’以及直线B-B’的亮度分布。图30A以及图30B的纵轴表示分光辐射亮度。注意，在实施例2中，波长为358nm时的亮度为检测下限以下。

图31D示出比较例1的发光照片。另外，在图31A、图31B以及图31C中分别示出波长为458nm、531nm以及623nm时的比较例1的亮度的面内分布。另外，在图32A以及图32B中分别示出比较例1的各波长的直线A-A’以及直线B-B’的亮度分布。图32A以及图32B的纵轴表示分光辐射亮度。

图33D示出比较例2的发光照片。另外，在图33A、图33B以及图33C中分别示出波长为458nm、531nm以及623nm时的比较例2的亮度的面内分布。另外，在图34A以及图34B中分别示出比较例2的各波长的直线A-A’以及直线B-B’的亮度分布。图34A以及图34B的纵轴表示分光辐射亮度。

在面板S1中几乎没有观察到对应于绿色显示(G)的波长以外的发光，另一方面，在比较例1以及比较例2中观察到波长为458nm以及623nm时的可认为起因于串扰的发光。

由此可知，虽然面板S1具有2731ppi的极高清晰度，但是其中确认不到串扰。

另外，在面板S2中，在波长为458nm时几乎没有观察到发光，虽然在波长为623nm时观察到发光，但是与比较例1以及比较例2相比其亮度低。由此，可以认为由于在面板S2中像素电路使用OS晶体管，所以在关闭状态下的电流极低，而可以抑制从相邻的像素的泄漏。

[符号说明]

10：显示装置、11：显示部、21：像素、30：像素、51：晶体管、52：晶体管、53：晶体管、54：晶体管、61：电容器、62：电容器、100：显示装置、101：衬底、103：像素、110：发光元件、110B：发光元件、110G：发光元件、110R：发光元件、111：像素电极、111B：像素电极、111C：连接电极、111G：像素电极、111R：像素电极、112：EL层、112B：EL层、112Bf：EL膜、112G：EL层、112Gf：EL膜、112R：EL层、112Rf：EL膜、113：公共电极、114：公共层、121：保护层、127：布线、128：布线、129：布线、130：区域、131：绝缘层、131a：绝缘层、131af：绝缘膜、131ap：绝缘层、131b：绝缘层、131bf：绝缘膜、141：布线、142：布线、143a：抗蚀剂掩模、143b：抗蚀剂掩模、143c：抗蚀剂掩模、144：牺牲膜、144B：牺牲膜、144G：牺牲膜、144R：牺牲膜、145：牺牲层、145B：牺牲层、145G：牺牲层、145R：牺牲层、147：保护层、151：布线、200A：显示装置、201：晶体管、204：连接部、205：晶体管、209：晶体管、210：晶体管、211：绝缘层、213：绝缘层、214：绝缘层、215：绝缘层、218：绝缘层、220：晶体管、221：导电层、222a：导电层、222b：导电层、223：导电层、225：绝缘层、226：绝缘层、227：导电层、228：区域、231：半导体层、231i：沟道形成区域、231n：低电阻区域、232：绝缘层、233：绝缘层、234：绝缘层、235：绝缘层、240：电容器、241：导电层、242：连接层、243：绝缘层、245：导电层、250G：发光元件、250R：发光元件、251：导电层、252：导电层、252G：导电层、252R：导电层、253W：EL层、254：绝缘层、255：绝缘层、256：插头、261：绝缘层、262：绝缘层、263：绝缘层、264：绝缘层、265：绝缘层、267：导电层、268B：着色层、268G：着色层、268R：着色层、269：绝缘层、271：插头、274：插头、274a：导电层、274b：导电层、279：绝缘层、280：显示模块、281：显示部、282：电路部、283：像素电路部、283a：像素电路、284：像素部、284a：像素、285：端子部、286：布线部、290：FPC、291：衬底、292：衬底、301：衬底、301A：衬底、301B：衬底、310：晶体管、310A：晶体管、310B：晶体管、311：导电层、312：低电阻区域、313：绝缘层、314：绝缘层、315：元件分离层、320：晶体管、321：半导体层、323：绝缘层、324：导电层、325：导电层、326：绝缘层、327：导电层、328：绝缘层、329：绝缘层、331：衬底、332：绝缘层、341：导电层、342：导电层、343：插头、400A：显示装置、400C：显示装置、400D：显示装置、400E：显示装置、400F：显示装置、410：保护层、411a：像素电极、411b：像素电极、411c：像素电极、414：绝缘层、416：保护层、416a：EL层、416b：EL层、416c：EL层、417：遮光层、418a：导电层、418b：导电层、418c：导电层、419：树脂层、420：衬底、421：绝缘层、421b：绝缘层、430a：发光元件、430b：发光元件、430c：发光元件、442：粘合层、443：空间、451：衬底、452：衬底、462：显示部、464：电路、465：布线、466：导电层、472：FPC、473：IC、501：衬底、502：衬底、511：导电层、512：低电阻区域、513：绝缘层、514：绝缘层、515：元件分离层、521：半导体层、523：绝缘层、524：导电层、525：导电层、571：导电层、572：插头、772：下部电极、785：着色层、786：EL层、786a：EL层、786b：EL层、788：上部电极、4411：发光层、4412：发光层、4413：发光层、4420：层、4420-1：层、4420-2：层、4430：层、4430-1：层、4430-2：层、6500：电子设备、6501：框体、6502：显示部、6503：电源按钮、6504：按钮、6505：扬声器、6506：麦克风、6507：照相机、6508：光源、6510：保护构件、6511：显示面板、6512：光学构件、6513：触摸传感器面板、6515：FPC、6516：IC、6517：印刷电路板、6518：电池、7000：显示部、7100：电视装置、7101：框体、7103：支架、7111：遥控操作机、7200：笔记本式个人计算机、7211：框体、7212：键盘、7213：指向装置、7214：外部连接端口、7300：数字标牌、7301：框体、7303：扬声器、7311：信息终端设备、7400：数字标牌、7401：柱、7411：信息终端设备、8000：照相机、8001：框体、8002：显示部、8003：操作按钮、8004：快门按钮、8006：透镜、8100：取景器、8101：框体、8102：显示部、8103：按钮、8200：头戴显示器、8201：安装部、8202：透镜、8203：本体、8204：显示部、8205：电缆、8206：电池、8300：头戴显示器、8301：框体、8302：显示部、8304：固定工具、8305：透镜、8400：头戴显示器、8401：框体、8402：安装部、8403：缓冲构件、8404：显示部、8405：透镜、9000：框体、9001：显示部、9003：扬声器、9005：操作键、9006：连接端子、9007：传感器、9008：麦克风、9050：图标、9051：信息、9052：信息、9053：信息、9054：信息、9055：铰链、9101：便携式信息终端、9102：便携式信息终端、9200：便携式信息终端、9201：便携式信息终端。