麦克风、显示面板

本公开涉及但不限于麦克风技术领域，具体涉及一种麦克风、显示面板。

麦克风是将声学信号转换为电信号的设备。麦克风可以通过附接到移动电话、家用电器、视频显示设备、虚拟现实设备、增强现实设备或人工智能扬声器而用作用于识别语音的传感器。

当前麦克风采用非谐振式，例如，当前麦克风的谐振频率约为25kHz，而麦克风响应特定声学信号发生的频率为10HZ至20kHZ，因此当前麦克风的振幅小，使麦克风灵敏度不高，拾音距离受限。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

一方面，本公开提供了一种麦克风，包括第一基板、设置在所述第一基板一侧的空腔以及设置在所述第一基板上且位于所述空腔中的多个谐振单元，所述谐振单元被配置为响应特定声学信号，产生频率响应，多个谐振单元的频率响应至少包括谐振频率响应段，且多个谐振单元的谐振频率响应段至少部分不同。

在示例性实施方式中，还包括设置在所述第一基板上且位于所述空腔中的IC芯片，所述IC芯片与至少一个谐振单元连接，所述IC芯片包括滤波器、增益调节器以及求和加法器中的至少一种，所述滤波器被配置为消除所述谐振单元的谐振频率响应段以外的其他频率响应段；所述调节器被配置为平坦化所述谐振单元的谐振频率响应段；所述求和加法器配置为将至少一个谐振单元的谐振频率响应段转换成输出频率。

在示例性实施方式中，所述IC芯片包括依次串联的滤波器以及增益调节器，所述IC芯片的数目为多个，多个IC芯片中的滤波器与多个谐振单元一一对应连接。

在示例性实施方式中，还包括求和加法器，所述求和加法器均与多个IC芯片中的增益调节器连接。

在示例性实施方式中，所述IC芯片包括依次串联的滤波器、增益调节器以及求和加法器，至少一个所述IC芯片的滤波器与多个谐振单元连接，且多个谐振单元共用至少一个所述IC芯片。

在示例性实施方式中，所述谐振单元包括声道孔以及谐振膜，所述谐振膜和所述声道孔均设置在所述第一基板上且位于所述空腔中，所述谐振膜在所述第一基板所在平面的正投影与所述声道孔在所述第一基板所在平面的正投影至少部分交叠。

在示例性实施方式中，所述谐振膜包括互相连接的固定部分以及感测部分，所述固定部分与所述第一基板固定，所述感测部分在所述第一基板所在平面的正投影与所述声道孔在所述第一基板所在平面的正投影至少部分交叠。

在示例性实施方式中，所述谐振膜包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极、所述第二电极之间的压电薄膜。

在示例性实施方式中，多个谐振单元中谐振膜的厚度不同；和/或，多个谐振单元中谐振膜在所述第一基板所在平面正投影的面积不同；和/或，多个谐振单元中声道孔在所述第一基板所在平面正投影的面积不同。

在示例性实施方式中，所述谐振膜与所述第一基板之间设置有子腔体，所述声道孔位于所述子腔体中。

在示例性实施方式中，还包括位于所述第一基板一侧的第二基板以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的侧壁，所述第一基板、所述第二基板以及所述侧壁围城所述空腔。

在示例性实施方式中，所述侧壁包括层叠设置的第一部分、第二部分以及设置在所述第一部分与所述第二部分之间的连接部分。

在示例性实施方式中，所述第一部分包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层位于所述第一部分靠近所述第一基板一侧，所述第二导电层位于所述第一部分远离所述第一基板一侧；所述第二部分包括层叠设置的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层位于所述第二部分靠近所述第二基板一侧，所述第四导电层位于所述第二部分远离所述第二基板一侧。

在示例性实施方式中，所述第一基板靠近所述空腔一侧的表面设置有第一阻挡层，至少部分所述第一阻挡层位于所述空腔中，所述第一阻挡层与所述第一部分一体成型。

在示例性实施方式中，所述第二基板靠近所述空腔一侧的表面设置有第二阻挡层，至少部分所述第二阻挡层位于所述空腔中，所述第二阻挡层与所述第二部分一体成型。

另一方面，本公开还提供了一种显示面板，包括显示区域、非显示区域以及位于所述非显示区域中前述的麦克风。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其它方面。

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为相关技术麦克风的频率响应曲线图；

图2为本公开实施例麦克风的频率响应曲线图；

图3为本公开实施例麦克风的系统框架图一；

图4为本公开实施例麦克风中多个谐振单元的频率响应曲线图；

图5为本公开实施例麦克风的频率响应经过滤波器处理后的曲线图；

图6为本公开实施例麦克风的频率响应经过增益调节器处理后的曲线图；

图7为本公开实施例麦克风的频率响应经过求和加法器处理后的曲线图；

图8为本公开实施例麦克风的平面结构示意图一；

图9为本公开实施例麦克风的平面结构示意图二；

图10为本公开实施例麦克风的剖视图一；

图11为本公开实施例麦克风中谐振单元的剖视图；

图12为本公开实施例麦克风中谐振膜的剖视图；

图13为本公开实施例麦克风的剖视图二；

图14为本公开实施例麦克风的剖视图三；

图15为本公开实施例麦克风的剖视图四；

图16是本公开实施例显示面板的平面结构示意图；

图17是本公开实施例显示面板的剖视图；

图18为本公开实施例麦克风的系统框架图二。

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、 “竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且 95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

图1为相关技术麦克风的频率响应曲线图。图1示出了相关技术麦克风在1Pa声压下的频率响应曲线图。如图1所示，相关技术麦克风可以采用非谐振式麦克风，相关技术麦克风响应特定声学信号，产生频率响应，频率响应包括非谐振频率响应段21，不包括谐振频率响应段22，由于非谐振频率响应段21振幅小，使相关技术麦克风的灵敏度不高，拾音距离受限。其中，谐振频率响应段22为具有共振最强点对应频率的频率范围，谐振频率响应段22的振幅大。非谐振频率响应段21为具有平缓振动对应频率的频率范围，非谐振频率响应段21的振幅小。

图2为本公开实施例麦克风的频率响应曲线图。在示例性实施方式中，本公开实施例麦克风被配置为将声学信号转换为电信号。本公开实施例麦克风包括多个谐振单元，谐振单元被配置为响应特定声学信号，产生频率响应，多个谐振单元的频率响应至少包括谐振频率响应段22，且多个谐振单元的谐振频率响应段22至少部分不同，例如，麦克风可以包括五个谐振单元，五个谐振单元的频率响应均包括谐振频率响应段22，且五个谐振单元的谐振频率响应段22均不相同，如图2所示。其中，谐振频率响应段22为具有共振最强点对应频率的频率范围，谐振频率响应段22的振幅大，麦克风灵敏度高，拾音距离远。

本公开实施例麦克风产生的频率响应为谐振式频率响应，包括谐振频率响应段22，谐振频率响应段22具有共振最强点对应频率的频率范围，振幅大，麦克风灵敏度高，拾音距离远；本公开实施例麦克风通过多个谐振单元，产生不同的谐振频率响应段22，使麦克风的灵敏度为多个不同的谐振频率响应段22灵敏度的加权叠加，从而提高麦克风的灵敏度，增加麦克风的拾音距离，本公开实施例麦克风可以用于大型会议室、鸣笛抓拍等需要远距离拾音 的场景。

在示例性实施方式中，本公开实施例麦克风可以设置在移动电话、家用电器、视频显示设备、虚拟现实设备、增强现实设备或人工智能扬声器等，作为识别语音的传感器。

本公开实施例麦克风包括多个谐振单元310以及至少一个IC芯片320，多个谐振单元310与至少一个IC芯片320连接。IC芯片320包括滤波器31、增益调节器32以及求和加法器33中的至少一种。

图3为本公开实施例麦克风的系统框架图一。在示例性实施方式中，如图3所示，IC芯片320包括依次串联的滤波器31和增益调节器32，多个谐振单元310的输出端与多个IC芯片320的滤波器31的输入端一一对应连接，麦克风还包括求和加法器33，多个IC芯片320的增益调节器32分别与求和加法器33连接。

图18为本公开实施例麦克风的系统框架图二。在示例性实施方式中，如图18所示，IC芯片320可以包括多个滤波器31、多个增益调节器32以及至少一个求和加法器33，多个谐振单元310可以与至少一个IC芯片320连接，多个谐振单元310共用至少一个IC芯片320。例如，多个谐振单元310共用一个IC芯片320，IC芯片320包括多个滤波器31、多个增益调节器32以及求和加法器33，多个谐振单元310可以与一个IC芯片320中多个滤波器31一一对应连接，一个IC芯片320中的多个滤波器31与该IC芯片320中的多个增益调节器32一一对应连接，该IC芯片320中的多个增益调节器32与该IC芯片320中的一个求和加法器33连接，该IC芯片320中的多个增益调节器32共用一个求和加法器33。

图4为本公开实施例麦克风中多个谐振单元的频率响应曲线图；图5为本公开实施例麦克风的频率响应经过滤波器处理后的曲线图。在示例性实施方式中，外界的声学信号为宽频信号，作用于麦克风后，麦克风中的多个谐振单元310均会响应，产生频率响应。滤波器31被配置为消除谐振单元310的谐振频率响应段22以外的其他频率响应段。谐振单元310产生的频率响应，经过滤波器31处理后，仅保留谐振频率响应段22。例如，麦克风中多个谐 振单元310的频率响应均包括非谐振频率响应段21和谐振频率响应段22，如图4所示。多个谐振单元310的非谐振频率响应段21和谐振频率响应段22经过滤波器31处理后，滤波器31消除谐振单元310的非谐振频率响应段21，仅保留了谐振频率响应段22，如图5所示。

在示例性实施方式中，如图3所示，麦克风包括第一谐振单元310a、第二谐振单元310b和第三谐振单元310c，第一谐振单元310a、第二谐振单元310b和第三谐振单元310c均产生不同的谐振频率响应段。且第一谐振单元310a的谐振频率响应段小于第二谐振单元310b的谐振频率响应段，第二谐振单元310b的谐振频率响应段小于第三谐振单元310c的谐振频率响应段。滤波器31可以包括低通滤波器31a、带通滤波器31b和高通滤波器31c。IC芯片包括第一IC芯片320a、第二IC芯片320b和第三IC芯片320c，第一IC芯片320a包括低通滤波器31a，第二IC芯片320b包括带通滤波器31b，第三IC芯片320c包括高通滤波器31c。第一谐振单元310a的输出端与第一IC芯片320a的低通滤波器31a的输入端连接，第二谐振单元310b的输出端与第二IC芯片320b的带通滤波器31b的输入端连接，第三谐振单元310c的输出端与第三IC芯片320c的高通滤波器31c的输入端连接。低通滤波器31a被配置为消除第一谐振单元310a的谐振频率响应段22以外的其他频率响应段，仅保留第一谐振单元310a的谐振频率响应段22；带通滤波器31b被配置为消除第二谐振单元310b的谐振频率响应段22以外的其他频率响应段，仅保留第二谐振单元310b的谐振频率响应段22；高通滤波器31c被配置为消除第三谐振单元310c的谐振频率响应段22以外的其他频率响应段，仅保留第三谐振单元310c的谐振频率响应段22。

图6为本公开实施例麦克风的频率响应经过增益调节器处理后的曲线图。在示例性实施方式中，如图6所示，增益调节器32被配置为平坦化麦克风中谐振单元310的频率响应，例如，增益调节器32被配置为平坦化谐振单元310的谐振频率响应段22。增益调节器32的增益值为预置的固定值。

在示例性实施方式中，如图3所示，增益调节器32包括第一增益调节器32a、第二增益调节器32b和第三增益调节器32c。第一IC芯片320a还包括第一增益调节器32a，第二IC芯片320b还包括第二增益调节器32b，第三 IC芯片320c还包括第三增益调节器32c。第一IC芯片320a的低通滤波器31a的输出端与第一IC芯片320a的第一增益调节器32a的输入端连接，第二IC芯片320b的带通滤波器31b的输出端与第二IC芯片320b的第二增益调节器32b的输入端连接，第三IC芯片320c的高通滤波器31c的输出端与第三IC芯片320c的第三增益调节器32c的输入端连接。第一增益调节器32a被配置为平坦化经过低通滤波器31a处理后的谐振频率响应段22，第二增益调节器32b被配置为平坦化经过带通滤波器31a处理后的谐振频率响应段22，第三增益调节器32c被配置为平坦化经过高通滤波器31c处理后的谐振频率响应段22。

图7为本公开实施例麦克风的频率响应经过求和加法器处理后的曲线图。在示例性实施方式中，如图7所示，求和加法器33被配置为将至少一个谐振单元310的频率响应互相叠加，得到最终的输出频率23。例如，求和加法器33被配置为将多个谐振单元310不同的谐振频率响应段22互相叠加，得到最终的输出频率23。

在示例性实施方式中，如图3所示，麦克风还包括求和加法器33，第一增益调节器32a的输出端、第二增益调节器32b的输出端和第三增益调节器32c的输出端均与求和加法器33的输入端连接，第一增益调节器32a、第二增益调节器32b和第三增益调节器32c共用一个求和加法器33。求和加法器33被配置为将经过第一增益调节器32a处理后的谐振频率响应段22、第二增益调节器32b处理后的谐振频率响应段22和第三增益调节器32c处理后的谐振频率响应段22互相叠加，得到最终的输出频率23。

图8为本公开实施例麦克风的平面结构示意图一。在示例性实施方式中，本公开实施例麦克风包括多个谐振单元310以及至少一个IC芯片320，多个谐振单元310呈阵列排布，多个谐振单元310均与至少一个IC芯片320连接，多个谐振单元310共用至少一个IC芯片320，例如，多个谐振单元310均与一个IC芯片320连接，多个谐振单元310共用一个IC芯片320。IC芯片320可以包括多个滤波器31、多个增益调节器32以及至少一个求和加法器33，多个滤波器31、多个增益调节器32以及至少一个求和加法器33集成在一个IC芯片320中，如图8所示。本公开实施例麦克风通过将多个谐振单元310 共用至少一个IC芯片320，减少IC芯片320的数量，降低成本，并可以缩小多个谐振单元310之间的间距，使麦克风的结构紧凑，减小麦克风的尺寸。

在示例性实施方式中，多个谐振单元310可以包括种形状的阵列排布，例如，多个谐振单元310包括矩形阵列排布、三角形阵列排布、圆形阵列排布、菱形阵列排布、椭圆形阵列排布、多边形阵列排布等规则或不规则形状阵列排布。

在示例性实施方式中，谐振单元310在麦克风所在平面正投影的形状可以包括矩形、三角形、圆形、菱形、椭圆形、多边形等规则或不规则形状。例如，谐振单元310在麦克风所在平面正投影的形状为圆形。

图9为本公开实施例麦克风的平面结构示意图二。在示例性实施方式中，如图9所示，本公开实施例麦克风包括多个谐振单元310以及多个IC芯片320，多个谐振单元310呈阵列排布，多个谐振单元310与多个IC芯片320一一对应连接，即一个谐振单元310与一个IC芯片320连接。IC芯片320可以包括串联的滤波器31以及增益调节器32。谐振单元310的输出端与对应的IC芯片中滤波器31的输入端连接，IC芯片中滤波器31的输出端与该IC芯片中增益调节器32的输入端连接。

在示例性实施方式中，如图9所示，本公开实施例麦克风还包括至少一个求和加法器33，多个IC芯片320中的增益调节器32与至少一个求和加法器33连接，多个IC芯片320可以共用至少一个求和加法器33，例如，多个IC芯片320中的增益调节器32与一个求和加法器33连接，多个IC芯片320可以共用一个求和加法器33。

本公开实施例麦克风中谐振单元310的频率响应通过滤波器31、增益调节器32以及求和加法器33处理后得出的输出频率，抗噪能力强。

图10为本公开实施例麦克风的剖视图一。在示例性实施方式中，如图10所示，本公开实施例麦克风包括第一基板10、设置在第一基板10一侧的空腔11以及设置在第一基板10上且位于空腔11中的多个谐振单元310。空腔11被配置为容纳多个谐振单元310，并向多个谐振单元310提供谐振空间。谐振单元310被配置为响应来自外界的声学信号，产生频率响应，多个谐振 单元310的频率响应至少包括谐振频率响应段，且多个谐振单元的谐振频率响应段至少部分不同。谐振单元310包括声道孔12以及谐振膜13。谐振膜13被配置为响应来自外界的声学信号，产生频率响应。谐振膜13设置在第一基板10靠近空腔11一侧的表面，位于空腔11中。谐振膜13在第一基板10所在平面的正投影与声道孔12在第一基板所在平面的正投影至少部分交叠，例如，谐振膜13覆盖声道孔12。声道孔12被配置为向谐振膜13提供声学信号输入的通道，来自外界的声学信号通过声道孔12作用于谐振膜13，使谐振膜13产生频率响应。声道孔12设置在第一基板10上，位于空腔11中，声道孔12在第一基板10的厚度方向贯穿第一基板10。

图11为本公开实施例麦克风中谐振单元的剖视图。在示例性实施方式中，如图11所示，谐振膜13包括互相连接的固定部分131以及感测部分132，固定部分131位于谐振膜13在第一方向X的两端，固定部分131可以沿着第一方向X延伸，固定部分131在第一基板10所在平面的正投影与声道孔12在第一基板10所在平面的正投影不交叠。固定部分131靠近第一基板10的一侧表面与第一基板10接触，固定部分131与第一基板10固定，谐振膜13通过固定部分131固定在第一基板10上。感测部分132在第一方向X上位于两个固定部分131之间，且感测部分132可以沿着第一方向X延伸，感测部分132在第一基板10所在平面的正投影与声道孔12在第一基板10所在平面的正投影至少部分交叠。感测部分132被配置为响应来自外界的声学信号，产生频率响应，感测部分132产生的频率响应至少包括谐振频率响应段，从而能够提高麦克风接收声学信号的灵敏度。

在示例性实施方式中，如图10所示，多个谐振单元310中的谐振膜13可以在空腔12中布置成共面而不交叠。多个谐振膜13可以在空腔12中共用第一基板10，即第一基板10上设置有多个谐振膜13，且多个谐振膜13在第一基板10所在平面上的正投影不交叠。

在示例性实施方式中，第一基板10可以采用玻璃材料或硅基材料。例如，第一基板10采用硅基材料，谐振膜13在第一基板10上进行转印，谐振膜13可以采用电容式谐振膜或压电式谐振膜。在一些实施例中，第一基板也可以采用其他材料，例如，第一基板可以采用金属或聚合物树脂等。

图12为本公开实施例麦克风中谐振膜的剖视图。在示例性实施方式中，如图12所示，谐振膜13包括第一电极133、第二电极134以及设置在第一电极133、第二电极134之间的压电薄膜135，压电薄膜135被配置为响应来自外界的声学信号，产生频率响应。第一电极133和第二电极134被配置为将压电薄膜135的频率响应转化为电信号。

在示例性实施方式中，本公开实施例麦克风中多个谐振单元310产生不同的谐振频率响应段。本公开实施例麦克风可以改变谐振单元310的尺寸，调节谐振单元310的谐振频率响应段，例如，通过改变谐振膜13的厚度，调节谐振单元310的谐振频率响应段；或者，通过改变谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积，调节谐振单元310的谐振频率响应段；或者，通过改变声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积，调节谐振单元310的谐振频率响应段。

图13为本公开实施例麦克风的剖视图二。在示例性实施方式中，如图13所示，本公开实施例麦克风包括第一谐振单元310a、第二谐振单元310b和第三谐振单元310c，第一谐振单元310a中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积、第二谐振单元310b中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积以及第三谐振单元310c中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积相同；第一谐振单元310a中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积、第二谐振单元310b中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积以及第三谐振单元310c中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积相同；第一谐振单元310a中谐振膜13的厚度小于第二谐振单元310b中谐振膜13的厚度，第二谐振单元310b中谐振膜13的厚度小于第三谐振单元310c中谐振膜13的厚度，使第一谐振单元310a的谐振频率响应段小于第二谐振单元310b的谐振频率响应段，第二谐振单元310b的谐振频率响应段小于第三谐振单元310c的谐振频率响应段。

图14为本公开实施例麦克风的剖视图三。在示例性实施方式中，如图14所示，本公开实施例麦克风包括第一谐振单元310a、第二谐振单元310b和第三谐振单元310c，第一谐振单元310a中谐振膜13的厚度、第二谐振单元310b中谐振膜13的厚度以及第三谐振单元310c中谐振膜13的厚度相同； 第一谐振单元310a中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积、第二谐振单元310b中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积以及第三谐振单元310c中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积相同；第一谐振单元310a中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积小于第二谐振单元310b中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积，第二谐振单元310b中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积小于第三谐振单元310c中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积，使第一谐振单元310a的谐振频率响应段大于第二谐振单元310b的谐振频率响应段，第二谐振单元310b的谐振频率响应段大于第三谐振单元310c的谐振频率响应段。

图15为本公开实施例麦克风的剖视图四。在示例性实施方式中，如图15所示，本公开实施例麦克风包括第一谐振单元310a、第二谐振单元310b和第三谐振单元310c，第一谐振单元310a中谐振膜13与第一基板10之间设置有第一子腔体，第一谐振单元310a中声道孔12位于第一子腔体中；第二谐振单元310b中谐振膜13与第一基板10之间设置有第二子腔体，第二谐振单元310b中声道孔12位于第二子腔体中；第三谐振单元310c中谐振膜13与第一基板10之间设置有第三子腔体，第三谐振单元310c中声道孔12位于第三子腔体中。第一谐振单元310a中谐振膜13的厚度、第二谐振单元310b中谐振膜13的厚度以及第三谐振单元310c中谐振膜13的厚度相同；第一谐振单元310a中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积、第二谐振单元310b中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积以及第三谐振单元310c中谐振膜13在第一基板10所在平面正投影的面积相同；第一谐振单元310a中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积小于第二谐振单元310b中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积，第二谐振单元310b中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积小于第三谐振单元310c中声道孔12在第一基板10所在平面正投影的面积，根据亥姆霍兹谐振腔原理，第一谐振单元310a的谐振频率响应段小于第二谐振单元310b的谐振频率响应段，第二谐振单元310b的谐振频率响应段小于第三谐振单元310c的谐振频率响应段。

在示例性实施方式中，如图10所示，本公开实施例麦克风中IC芯片320 设置在第一基板10上且位于空腔11中，IC芯片320与多个谐振单元310布置成共面而不交叠，IC芯片320与多个谐振单元310共用第一基板10，且IC芯片320在第一基板10所在平面上的正投影与多个谐振膜13在第一基板10所在平面上的正投影均不交叠。

在示例性实施方式中，如图10所示，本公开实施例麦克风还包括位于第一基板10一侧的第二基板14以及位于第一基板10与第二基板14之间的侧壁15。侧壁15可以沿着第二方向Z延伸，侧壁15在第二方向Z上的一端与第一基板10接触，侧壁15在第二方向Z上的另一端与第二基板14接触，侧壁15呈环状，第一基板10、第二基板14以及侧壁15组合围城空腔11。第一基板10、第二基板14以及侧壁15将多个谐振单元310封装在空腔11中。其中，第一方向X与第二方向Z不同，例如，第一方向X与第二方向Z垂直。

在示例性实施方式中，如图10所示，侧壁15包括在第二方向Z上层叠设置的第一部分151、第二部分152以及设置在第一部分151与第二部分152之间的连接部分153。第一部分151和第二部分152可以采用导电材质，阻挡麦克风来自侧部的电磁干扰。

在示例性实施方式中，如图10所示，第一部分151和第二部分152可以为单层结构或多层结构，例如，第一部分151和第二部分152可以为多层结构，第一部分151可以包括在第二方向Z上层叠设置的第一导电层和第二导电层，第一导电层位于第一部分151靠近第一基板10一侧，第二导电层位于第一部分151远离第一基板10一侧，第一导电层可以采用铜材质，第二导电层可以采用铝材质。第二部分152可以包括在第二方向Z上层叠设置的第三导电层和第四导电层，第三导电层位于第二部分152靠近第二基板14一侧，第四导电层位于第一部分151远离第二基板14一侧，第三导电层可以采用铜材质，第四导电层可以采用铝材质。

在示例性实施方式中，如图10所示，连接部分153将第一部分151和第二部分152连接。连接部分153在第二方向Z上的一端与第一部分151接触，连接部分153在第二方向Z上的另一端与第二部分152接触。连接部分153可以采用导电胶。

在示例性实施方式中，第一基板10靠近空腔11一侧的表面设置有第一阻挡层，至少部分第一阻挡层位于空腔11中。第一阻挡层可以采用导电材质，阻挡麦克风来自第一基板10侧的电磁干扰。其中，第一阻挡层可以与侧壁15的第一部分151一体成型，采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。

在示例性实施方式中，第二基板14靠近空腔11一侧的表面设置有第二阻挡层，至少部分第二阻挡层位于空腔11中。第二阻挡层可以采用导电材质，阻挡麦克风来自第二基板14侧的电磁干扰。其中，第二阻挡层可以与侧壁15的第二部分152一体成型，采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。

图16是本公开实施例显示面板的平面结构示意图。在示例性实施方式中，如图16所示，本公开实施例提供一种显示面板，该显示面板包括前面任一所述的麦克风300。本公开实施例显示面板可以包括显示区域100和非显示区域200。显示区域100用于显示图像。显示区域100包括基底以及设置在基底上规则排布的多个子像素PX，子像素PX用于发射光线。例如，显示区域100包括规则排布的多个第一子像素PX、多个第二子像素PX和多个第三子像素PX，第一子像素PX可以是红色(R)子像素，第二子像素PX可以是绿色(G)子像素，第三子像素PX可以是蓝色(B)子像素。显示面板可以通过在显示区域100的多个子像素PX提供图像。非显示区域200不显示图像，非显示区域200可以完全地或部分地围绕显示区域100。前面任一所述的多个麦克风300位于非显示区域200中，形成麦克风阵列，例如，非显示区域200围绕显示区域100的四周设置，非显示区域200包括第一边部区域和第二边部区域，第一边部区域和第二边部区域分别位于显示区域100在第一方向X上的相对两侧。第一边部区域和第二边部区域中均设置有麦克风阵列，且麦克风阵列沿着第三方向Y延伸。其中，第三方向Y均与第一方向X、第二方向Z均不同，例如，第三方向Y均与第一方向X、第二方向Z垂直。

在示例性实施方式中，如图16所示，显示面板包括具有矩形形状的显示区域100。在一些实施例中，显示区域100也可以具有圆形形状、椭圆形形状或诸如三角形、五边形等的多边形形状。

在示例性实施方式中，显示面板可以为平板显示面板。在一些实施例中，显示面板也可以采用其他类型显示面板。例如，柔性显示面板、可折叠显示 面板、可卷曲显示面板等。

图17是本公开实施例显示面板的剖视图。图17示意了图16中A-A’方向的剖视图。在示例性实施方式中，如图17所示，本公开实施例显示面板的显示区域100包括基底1、设置在基底1上的发光结构层2、设置在发光结构层2远离基底1一侧的封装层3以及设置在基底1远离发光结构层2一侧的偏光片4，发光结构层2被配置为发出显示光线，使显示区域100显示图像。发光结构层2包括多个发光器件。发光器件可以采用OLED发光器件。封装层3将多个发光器件覆盖，用于保护发光器件，防止来自外部的湿气或氧损坏发光器件。

在示例性实施方式中，基底1可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。基底1为柔性的或可弯曲的基底时，基底1可以包括聚合物树脂，例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。基底1也可以具有多层结构，该多层结构包括均包含这种聚合物树脂的两个层和在两个层之间的包含无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)的阻挡层。

在示例性实施方式中，封装层3可以包括第一无机封装层和第二无机封装层以及设置在第一无机封装层、第二无机封装层之间的有机封装层。第一无机封装层和第二无机封装层可以均包括一种或更多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅中的一种。第一无机封装层和第二无机封装层可以通过化学气相沉积形成。有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯中的一种。

在示例性实施方式中，本公开实施例显示面板中麦克风300的具体结构在前面已经说明，本公开实施例在此不再赘述。其中，麦克风300的第一基板10与显示区域100基底1一体成型，麦克风300的第一基板10与显示区域100基底1采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成，即麦克风300与显示区域100可以共用基底1。

在一些实施例中，前述的麦克风还可以位于显示面板的显示区域，且麦 克风在显示区域基底上的正投影与子像素PX在显示区域基底上的正投影没有重叠区域，避免麦克风阻挡子像素PX发出的光线，影响显示效果。

本公开还提供了一种显示装置，包括前述示例性实施例的显示面板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。