划片功率设定方法、系统、可读存储介质及计算机

技术领域

本发明涉及激光加工技术领域，特别涉及一种划片功率设定方法、系统、可读存储介质及计算机。

背景技术

随着半导体行业的飞速发展和人们生活水平的提高，发光二极管作为一种固态半导体二极管发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域中。

LED芯片作为发光二极管中不可或缺的部分，目前针对LED芯片的切割是采用激光划片机，利用固定波长的激光对蓝宝石进行切割作业，为提高芯片的亮度，会在研磨后切割前在蓝宝石背面镀上金属层，中文叫布拉格反射镜，英文名称为distributed Braggreflection，简称DBR，以此来提高亮度，然后激光划片机透过DBR镀层，在蓝宝石衬底内部形成炸点，进而将晶圆的正面和背面炸开，完成切割。

现有的激光划片机的每种晶圆的切割功率参数设定是固定的，激光器发射波长为固定的1064nm，正常情况下，DBR层在1064nm波长的反射率介于10％-15％，反射率在此区间可以保证设定的功率足以将晶圆划开，并且不会有外观和电性良率问题，当来料DBR层反射率出现异常的时候，划片机无法监控其反射率，当反射率大于15％时，所设定的激光器的功率将不足以把晶圆划开，而划片不可逆，晶圆未划开将直接导致产品报废，损失严重。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种划片功率设定方法、系统、可读存储介质及计算机，以至少解决上述相关技术中的不足。

本发明提出一种划片功率设定方法，包括：

通过激光发射器沿预定方向照射于待处理晶圆的预设照射位置，并基于所述待处理晶圆所反射的反射信息确定所述待处理晶圆的反射率；

将所述反射率转换成电压信号，并判断所述电压信号是否符合预设电压阈值；

若所述电压信号不符合预设电压阈值，则获取所述待处理晶圆的初始功率，并基于所述电压信号计算出所述待处理晶圆的功率补偿值；

利用所述功率补偿值和所述初始功率设定所述待处理晶圆的划片功率。

进一步的，基于所述电压信号计算出所述待处理晶圆的功率补偿值的步骤之前，所述方法还包括：

通过激光发射器沿预定方向分别照射于多个标准晶圆的预设照射位置，并基于各所述标准晶圆所反射的反射信息确定各所述标准晶圆的反射率；

将各所述标准晶圆的反射率转换成电压信号，并基于各所述标准晶圆的电压信号计算出各所述标准晶圆的功率补偿值；

根据各所述标准晶圆的功率补偿值和各所述标准晶圆的电压信号构建映射关系，以得到补偿值映射表。

进一步的，基于所述电压信号计算出所述待处理晶圆的功率补偿值的步骤包括：

将所述电压信号输入至所述补偿值映射表，以得到所述电压信号与所述补偿值映射表中的电压差值；

基于所述电压差值与所述补偿值映射表确定所述电压信号所对应的功率补偿值。

进一步的，利用所述功率补偿值和所述初始功率设定所述待处理晶圆的划片功率的步骤之后，所述方法还包括：

利用所述功率补偿值对所述初始功率进行功率补偿，并判断功率补偿后的初始功率是否符合划片功率要求；

若所述功率补偿后的初始功率符合划片功率要求，则将所述功率补偿后的初始功率作为划片功率。

进一步的，基于所述待处理晶圆所反射的反射信息确定所述待处理晶圆的反射率的步骤之后，所述方法还包括：

判断所述反射率是否符合反射率阈值范围；

当所述反射率不符合反射率阈值时，发出报警信息，并将所述待处理晶圆标记为异常晶圆。

本发明还提出一种划片功率设定系统，包括：

反射率获取模块，用于通过激光发射器沿预定方向照射于待处理晶圆的预设照射位置，并基于所述待处理晶圆所反射的反射信息确定所述待处理晶圆的反射率；

数据转换模块，用于将所述反射率转换成电压信号，并判断所述电压信号是否符合预设电压阈值；

功率补偿值计算模块，用于若所述电压信号不符合预设电压阈值，则获取所述待处理晶圆的初始功率，并基于所述电压信号计算出所述待处理晶圆的功率补偿值；

划片功率确定模块，用于利用所述功率补偿值和所述初始功率设定所述待处理晶圆的划片功率。

进一步的，所述系统还包括：

标准反射率获取模块，用于通过激光发射器沿预定方向分别照射于多个标准晶圆的预设照射位置，并基于各所述标准晶圆所反射的反射信息确定各所述标准晶圆的反射率；

标准功率补偿值计算模块，用于将各所述标准晶圆的反射率转换成电压信号，并基于各所述标准晶圆的电压信号计算出各所述标准晶圆的功率补偿值；

补偿值映射表构建模块，用于根据各所述标准晶圆的功率补偿值和各所述标准晶圆的电压信号构建映射关系，以得到补偿值映射表。

进一步的，所述功率补偿值计算模块包括：

电压差值计算单元，用于将所述电压信号输入至所述补偿值映射表，以得到所述电压信号与所述补偿值映射表中的电压差值；

功率补偿值计算单元，用于基于所述电压差值与所述补偿值映射表确定所述电压信号所对应的功率补偿值。

进一步的，所述系统还包括：

功率判定模块，用于利用所述功率补偿值对所述初始功率进行功率补偿，并判断功率补偿后的初始功率是否符合划片功率要求；

划片功率验证模块，用于若所述功率补偿后的初始功率符合划片功率要求，则将所述功率补偿后的初始功率作为划片功率。

进一步的，所述系统还包括：

反射率判断模块，用于判断所述反射率是否符合反射率阈值范围；

报警模块，用于当所述反射率不符合反射率阈值时，发出报警信息，并将所述待处理晶圆标记为异常晶圆。

本发明还提出一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的划片功率设定方法。

本发明还提出一种计算机，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的划片功率设定方法。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过反射信息确定待处理晶圆的反射率，并利用反射率转换成对应的电压信号，根据电压信号来确定待处理晶圆对应的功率补偿值，及时在切割前通过反射率找到对应的功率补偿值，以避免切割时反射率异常导致激光划片划不开造成晶圆损坏的现象；通过优化划片功率的方式，提升激光划片的划片效果，避免晶圆划片出现报废现象。

附图说明

图1为本发明第一实施例中划片功率设定方法的流程图；

图2为本发明第一实施例中反射率测定原理示意图；

图3为图1中步骤S103的详细流程图；

图4为本发明第二实施例中划片功率设定方法的流程图；

图5为本发明第三实施例中划片功率设定系统的结构框图；

图6为本发明第四实施例中计算机的结构框图。

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

实施例一

请参阅图1，所示为本发明第一实施例中的划片功率设定方法，所述方法具体包括步骤S101至S105：

S101，通过激光发射器沿预定方向照射于待处理晶圆的预设照射位置，并基于所述待处理晶圆所反射的反射信息确定所述待处理晶圆的反射率；

在具体实施时，本实施例中的划片功率设定方法，应用于激光划片机，该激光划片机上安装有反射率测试仪，当激光划片机将待处理晶圆上料至广角时，反射率测试仪上的激光发射器会发射一束波长为1064nm的光束，并按照预定方向(在本实施例中，所述预定方向为垂直，在其他实施例中，该预定方向还可以为呈锐角度或钝角度)照射在该待处理晶圆背面的DBR镀层上，此时，待处理晶圆背面的DBR镀层会将该光束进行反射，并通过反射光纤传送出去，反射率测试仪会根据反射信息计算出该待处理晶圆的反射率。

请参阅2，所示为反射率测定原理示意图，具体如下：

在本实施例中，镜面反射率的测定分两种：相对和绝对。在相对反射率测定中，将参比样品放在光路内进行基线校正，然后，替换为被测样品来测定反射率。此种方式，可获得相对于参比样品(假定反射率为100％)的相对反射率，相对反射率测定可用于以参比样品对照的品质管理。

使用V-N法可测定绝对反射率。基线校正时，光通过由反射镜M1、M2和M3组成的V形路径进入检测器。样品测定时，光通过由反射镜M1、样品、M2和M3组成的N形路径进入检测器(样品放在M1和M2之间，M2的位置和M3的角度改变，以保证光束到检测器的光程不变)。基线校正和样品测定间的唯一区别是样品的反射面是光路的一部分，而其他的反射面和光程不变。使用此方法，通过比较基线校正和样品间的的检测器测量值的差值即可实现绝对反射率的测定。

S102，将所述反射率转换成电压信号，并判断所述电压信号是否符合预设电压阈值；

在具体实施时，利用反射率和电压的对应规则，将上述得到的反射率转换成电压信号，同时判断电压信号是否符合预设电压阈值(在本实施例中，该电压阈值为允许最高或最低的反射率所对应的电压信号，可以由系统自动生成，也可以由用户自行输入)，通过电压信号的判断规则来决定是否进行功率补偿。

S103，若所述电压信号不符合预设电压阈值，则获取所述待处理晶圆的初始功率，并基于所述电压信号计算出所述待处理晶圆的功率补偿值；

具体的，在本实施例中，通过上述的激光发射器发射一束波长为1064nm的光束，并按照预定方向(在本实施例中，所述预定方向为垂直，在其他实施例中，该预定方向还可以为呈锐角度或钝角度)照射在多个标准晶圆背面的DBR镀层上，此时，标准晶圆背面的DBR镀层会将该光束进行反射，并通过反射光纤传送出去，反射率测试仪会根据反射信息计算出标准晶圆的反射率。需要说明的是，标准晶圆为已知各类参数的晶圆，其反射率和对应的电压信号均为已知参数。

将各所述标准晶圆的反射率转换成电压信号，并基于各所述标准晶圆的电压信号计算出各所述标准晶圆的功率补偿值，根据各所述标准晶圆的功率补偿值和各所述标准晶圆的电压信号构建映射关系，以得到补偿值映射表。

工程人员在建立补偿值映射表时，会对建立补偿值映射表时的标准晶圆进行反射率测试，此时会得出标准晶圆的反射率，假设该标准晶圆的反射率为15％，根据系统设定反射率和电压的对应规则，如下表，将所得出的反射率转换为电压信号，得出电压值为2.1V，在电压值写入补偿值映射表中，同时，对建立补偿值映射表时的标准晶圆进行工艺调整，调试出最合适该标准晶圆的激光功率，假设电压为2.1V时，最合适的功率为0.5W，将其对应补偿值映射表中加入0.5W，以下为补偿值映射表的部分示例；

表1

进一步的，请参阅图3，所述步骤S103具体包括步骤S1031～S1032：

S1031，将所述电压信号输入至所述补偿值映射表，以得到所述电压信号与所述补偿值映射表中的电压差值；

S1032，基于所述电压差值与所述补偿值映射表确定所述电压信号所对应的功率补偿值。

在具体实施时，将得到的电压信号输入至上述的补偿值映射表中，通过电压信号与补偿值映射表中所对应的电压进行比较差值，将电压差值与补偿值映射表中的电压信号确定对应的功率补偿值。例如：补偿值映射表建立完成后，在量产时，在广角拍轮廓之前会对当前待处理晶圆进行反射率测试，测量完成后进计算得出对应的电压值，假定该片反射率为16％，对应的电压值为2.2V，此时会将该待处理晶圆的电压值与补偿值映射表中的电压值作对比，即2.2-2.1＝0.1V，电压差值为0.1V，由上表1中可知，反射率每增加1％，即电压值每增加0.1V，对应激光的功率补偿为10mw。

S104，利用所述功率补偿值和所述初始功率设定所述待处理晶圆的划片功率。

在具体实施时，在得到功率补偿值后，在原初始功率的基础上增加10mw，即0.5+0.01＝0.51W，此时激光出光功率变为0.51W，该功率仅针对当前待处理晶圆，不对后续待处理晶圆造成影响。

综上，本发明上述实施例当中的划片功率设定方法，通过反射信息确定待处理晶圆的反射率，并利用反射率转换成对应的电压信号，根据电压信号来确定待处理晶圆对应的功率补偿值，及时在切割前通过反射率找到对应的功率补偿值，以避免切割时反射率异常导致激光划片划不开造成晶圆损坏的现象；通过优化划片功率的方式，提升激光划片的划片效果，避免晶圆划片出现报废现象。

实施例二

请参阅图4，所示为本发明第二实施例中的划片功率设定方法，所述方法具体包括步骤S201至S205：

S201，通过激光发射器沿预定方向照射于待处理晶圆的预设照射位置，并基于所述待处理晶圆所反射的反射信息确定所述待处理晶圆的反射率；

在具体实施时，本实施例中的划片功率设定方法，应用于激光划片机，该激光划片机上安装有反射率测试仪，当激光划片机将待处理晶圆上料至广角时，反射率测试仪上的激光发射器会发射一束波长为1064nm的光束，并按照预定方向(在本实施例中，所述预定方向为垂直，在其他实施例中，该预定方向还可以为呈锐角度或钝角度)照射在该待处理晶圆背面的DBR镀层上，此时，待处理晶圆背面的DBR镀层会将该光束进行反射，并通过反射光纤传送出去，反射率测试仪会根据反射信息计算出该待处理晶圆的反射率。

请参阅2，所示为反射率测定原理示意图，具体如下：

在本实施例中，镜面反射率的测定分两种：相对和绝对。在相对反射率测定中，将参比样品放在光路内进行基线校正，然后，替换为被测样品来测定反射率。此种方式，可获得相对于参比样品(假定反射率为100％)的相对反射率，相对反射率测定可用于以参比样品对照的品质管理。

使用V-N法可测定绝对反射率。基线校正时，光通过由反射镜M1、M2和M3组成的V形路径进入检测器。样品测定时，光通过由反射镜M1、样品、M2和M3组成的N形路径进入检测器(样品放在M1和M2之间，M2的位置和M3的角度改变，以保证光束到检测器的光程不变)。基线校正和样品测定间的唯一区别是样品的反射面是光路的一部分，而其他的反射面和光程不变。使用此方法，通过比较基线校正和样品间的的检测器测量值的差值即可实现绝对反射率的测定。

S202，判断所述反射率是否符合反射率阈值范围；

S203，当所述反射率不符合反射率阈值时，发出报警信息，并将所述待处理晶圆标记为异常晶圆。

在具体实施时，当反射率小于10％或大于20％时，机台将会报警提示反射率超出设定范围，因为反射率过高或过低会对产品本身的性能产生影响，不符合产品的质量要求，故对于反射率过高或过低的片源不予切割，做报废处理。

S204，当所述反射率符合反射率阈值时，将所述反射率转换成电压信号，并判断所述电压信号是否符合预设电压阈值；

在具体实施时，利用反射率和电压的对应规则，将上述得到的反射率转换成电压信号，同时判断电压信号是否符合预设电压阈值(在本实施例中，该电压阈值为允许最高或最低的反射率所对应的电压信号，可以由系统自动生成，也可以由用户自行输入)，通过电压信号的判断规则来决定是否进行功率补偿。

S205，若所述电压信号不符合预设电压阈值，则获取所述待处理晶圆的初始功率，并基于所述电压信号计算出所述待处理晶圆的功率补偿值；

具体的，在本实施例中，通过上述的激光发射器发射一束波长为1064nm的光束，并按照预定方向(在本实施例中，所述预定方向为垂直，在其他实施例中，该预定方向还可以为呈锐角度或钝角度)照射在多个标准晶圆背面的DBR镀层上，此时，标准晶圆背面的DBR镀层会将该光束进行反射，并通过反射光纤传送出去，反射率测试仪会根据反射信息计算出标准晶圆的反射率。需要说明的是，标准晶圆为已知各类参数的晶圆，其反射率和对应的电压信号均为已知参数。

将各所述标准晶圆的反射率转换成电压信号，并基于各所述标准晶圆的电压信号计算出各所述标准晶圆的功率补偿值，根据各所述标准晶圆的功率补偿值和各所述标准晶圆的电压信号构建映射关系，以得到补偿值映射表。

工程人员在建立补偿值映射表时，会对建立补偿值映射表时的标准晶圆进行反射率测试，此时会得出标准晶圆的反射率，假设该标准晶圆的反射率为15％，根据系统设定反射率和电压的对应规则，如下表，将所得出的反射率转换为电压信号，得出电压值为2.1V，在电压值写入补偿值映射表中，同时，对建立补偿值映射表时的标准晶圆进行工艺调整，调试出最合适该标准晶圆的激光功率，假设电压为2.1V时，最合适的功率为0.5W，将其对应补偿值映射表中加入0.5W，以下为补偿值映射表的部分示例；

表1

进一步的，将得到的电压信号输入至上述的补偿值映射表中，通过电压信号与补偿值映射表中所对应的电压进行比较差值，将电压差值与补偿值映射表中的电压信号确定对应的功率补偿值。例如：补偿值映射表建立完成后，在量产时，在广角拍轮廓之前会对当前待处理晶圆进行反射率测试，测量完成后进计算得出对应的电压值，假定该片反射率为16％，对应的电压值为2.2V，此时会将该待处理晶圆的电压值与补偿值映射表中的电压值作对比，即2.2-2.1＝0.1V，电压差值为0.1V，由上表1中可知，反射率每增加1％，即电压值每增加0.1V，对应激光的功率补偿为10mw。

S206，利用所述功率补偿值对所述初始功率进行功率补偿，并判断功率补偿后的初始功率是否符合划片功率要求；

S207，若所述功率补偿后的初始功率符合划片功率要求，则将所述功率补偿后的初始功率作为划片功率；

在具体实施时，在得到功率补偿值后，在原初始功率的基础上增加10mw，即0.5+0.01＝0.51W，此时激光出光功率变为0.51W，该功率仅针对当前待处理晶圆，不对后续待处理晶圆造成影响。

进一步的，在得到对应的划片功率后，对划片功率进行判断，当划片功率不符合划片功率要求时，意味着该划片功率可能存在异常，需要对划片功率进行重新计算，当划片功率符合划片功率要求时，意味着该划片功率符合要求，直接将该划片功率设定为该待处理晶圆的划片功率。

综上，本发明上述实施例当中的划片功率设定方法，通过加入反射率验证规则，避免反射率过高或过低对产品本身的性能影响；同时加入划片功率验证规则，避免划片功率的设定不准确影响晶圆的划片质量。

实施例三

本发明另一方面还提出一种划片功率设定系统，请查阅图5，所示为本发明第三实施例中的划片功率设定系统，包括：

反射率获取模块11，用于通过激光发射器沿预定方向照射于待处理晶圆的预设照射位置，并基于所述待处理晶圆所反射的反射信息确定所述待处理晶圆的反射率；

数据转换模块12，用于将所述反射率转换成电压信号，并判断所述电压信号是否符合预设电压阈值；

功率补偿值计算模块13，用于若所述电压信号不符合预设电压阈值，则获取所述待处理晶圆的初始功率，并基于所述电压信号计算出所述待处理晶圆的功率补偿值；

进一步的，所述功率补偿值计算模块13包括：

电压差值计算单元，用于将所述电压信号输入至所述补偿值映射表，以得到所述电压信号与所述补偿值映射表中的电压差值；

功率补偿值计算单元，用于基于所述电压差值与所述补偿值映射表确定所述电压信号所对应的功率补偿值。

划片功率确定模块14，用于利用所述功率补偿值和所述初始功率设定所述待处理晶圆的划片功率。

在一些可选实施例中，所述系统还包括：

标准反射率获取模块，用于通过激光发射器沿预定方向分别照射于多个标准晶圆的预设照射位置，并基于各所述标准晶圆所反射的反射信息确定各所述标准晶圆的反射率；

标准功率补偿值计算模块，用于将各所述标准晶圆的反射率转换成电压信号，并基于各所述标准晶圆的电压信号计算出各所述标准晶圆的功率补偿值；

补偿值映射表构建模块，用于根据各所述标准晶圆的功率补偿值和各所述标准晶圆的电压信号构建映射关系，以得到补偿值映射表。

在一些可选实施例中，所述系统还包括：

功率判定模块，用于利用所述功率补偿值对所述初始功率进行功率补偿，并判断功率补偿后的初始功率是否符合划片功率要求；

划片功率验证模块，用于若所述功率补偿后的初始功率符合划片功率要求，则将所述功率补偿后的初始功率作为划片功率。

在一些可选实施例中，所述系统还包括：

反射率判断模块，用于判断所述反射率是否符合反射率阈值范围；

报警模块，用于当所述反射率不符合反射率阈值时，发出报警信息，并将所述待处理晶圆标记为异常晶圆。

上述各模块、单元被执行时所实现的功能或操作步骤与上述方法实施例大体相同，在此不再赘述。

本发明实施例所提供的划片功率设定系统，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，系统实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。

实施例四

本发明还提出一种计算机，请参阅图6，所示为本发明第四实施例中的计算机，包括存储器10、处理器20以及存储在所述存储器10上并可在所述处理器20上运行的计算机程序30，所述处理器20执行所述计算机程序30时实现上述的划片功率设定方法。

其中，存储器10至少包括一种类型的可读存储介质，所述可读存储介质包括闪存、硬盘、多媒体卡、卡型存储器(例如，SD或DX存储器等)、磁性存储器、磁盘、光盘等。存储器10在一些实施例中可以是计算机的内部存储单元，例如该计算机的硬盘。存储器10在另一些实施例中也可以是外部存储装置，例如插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，存储器10还可以既包括计算机的内部存储单元也包括外部存储装置。存储器10不仅可以用于存储安装于计算机的应用软件及各类数据，还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。

其中，处理器20在一些实施例中可以是电子控制单元(Electronic ControlUnit，简称ECU，又称行车电脑)、中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、控制器、微控制器、微处理器或其他数据处理芯片，用于运行存储器10中存储的程序代码或处理数据，例如执行访问限制程序等。

需要指出的是，图6示出的结构并不构成对计算机的限定，在其它实施例当中，该计算机可以包括比图示更少或者更多的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

本发明实施例还提出一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述的划片功率设定方法。

本领域技术人员可以理解，在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读存储介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读存储介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。

计算机可读存储介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读存储介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的可读存储介质，因为可以例如通过对纸或其他可读存储介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或它们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。