一种石英晶片加工工艺

技术领域

本发明涉及石英晶片加工技术领域，尤其涉及一种石英晶片加工工艺。

背景技术

石英是主要造岩矿物之一，其物理性质和化学性质均十分稳定，具有广泛的用途，石英晶片是由石英熔炼并切割磨制而成，是具有高稳定度光学系数的必不可少的光学材料。

目前石英晶片的加工流程通常是制胚-切割-打磨，其中，制胚过程需要对制成的晶砣进行冷却散热，常用的散热方式是自然散热和风力散热，自然散热可在封闭环境中进行，可避免晶砣受到外界环境中的粉尘污染，但其耗时长，而风力散热由于放置晶砣的容器需要保证与外界的连通性，易使晶砣表面受到粉尘污染，具有改进空间。

发明内容

本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。

鉴于上述目前石英晶片加工过程中冷却步骤采用的自然冷却和风冷冷却的方式分别具有冷却时间长和易对晶砣造成污染的问题，提出了本发明。

因此，本发明目的是提供一种石英晶片加工工艺，其用于解决目前石英晶片加工过程中冷却步骤采用的自然冷却和风冷冷却的方式分别具有冷却时间长和易对晶砣造成污染等问题。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种石英晶片加工工艺，包括以下加工步骤：

S1，制胚，搅拌混合石英胚料，消除材料色差，将混合的胚料用模具压制，将压制后的石英胚料通过固化炉加热固化成型，制成晶砣，通过冷却装置冷却晶砣；

S2，切割，使用线切割机对晶砣进行切割，制成石英晶片胚体；

S3，打磨，通过高精度平面双面研磨机对石英晶片胚体进行打磨抛光，制成石英晶片；

S4，筛选，筛选合格石英晶片，次品回收破碎再加工；

其中，所述冷却装置包括主体、散热组件和封闭机构；

所述主体包括内壳体、外壳体、支撑板、储液罐、出风管和风机，所述外壳体固定连接在内壳体外侧，所述内壳体与外壳体之间形成腔室，所述支撑板在外壳体底部边缘竖直固定连接有多组并且多组所述支撑板绕外壳体均匀分布，所述储液罐固定连接在多组所述支撑板底部并且其内部灌装有冷却液，所述出风管与内壳体、外壳体固定连接并且自中心贯穿外壳体和支撑板，所述出风管顶端位于内壳体和外壳体上方，所述风机固定连接在出风管内，所述内壳体底部内壁具有多组晶砣槽，多组所述晶砣槽绕出风管均匀分布，所述出风管外壁顶部具有螺纹槽；

所述散热组件用于将储液罐内的冷却液循环泵入内壳体与外壳体之间的空腔内；

所述封闭机构设置在外壳体顶部，其用于封闭内壳体。

作为本发明所述一种石英晶片加工工艺的一种优选方案，其中：所述散热组件包括进水管、出水管和泵机，所述进水管和出水管两端均分别与空腔以及储液罐连通，所述泵机与储液罐底部内壁固定连接并且其出水口与进水管连通。

作为本发明所述一种石英晶片加工工艺的一种优选方案，其中：所述进水管和出水管均为不锈钢材质，所述进水管和出水管均呈螺旋状。

作为本发明所述一种石英晶片加工工艺的一种优选方案，其中：所述封闭机构包括盖板和螺纹筒，所述盖板中心开有契合出风管的开孔，所述盖板套设在出风管上并且盖在外壳体顶部，所述螺纹筒与出风管螺纹连接并且底部紧抵盖板，所述泄压气嘴顶部还固定连接有泄压气嘴，所述泄压气嘴位置与内壳体正对并且贯穿盖板。

作为本发明所述一种石英晶片加工工艺的一种优选方案，其中：所述螺纹筒底部具有凸缘，该凸缘紧抵盖板。

作为本发明所述一种石英晶片加工工艺的一种优选方案，其中：所述螺纹筒外侧还固定连接有转盘，所述转盘和螺纹筒轴线重合设置。

作为本发明所述一种石英晶片加工工艺的一种优选方案，其中：所述转盘外侧还包覆有橡胶垫，该橡胶垫表面具有防滑纹。

作为本发明所述一种石英晶片加工工艺的一种优选方案，其中：所述内壳体、外壳体、支撑板和储液罐均为不锈钢材质，所述外壳体、支撑板和储液罐表面还涂覆有防锈涂层。

本发明的有益效果：本石英晶片加工工艺中的冷却装置通过设置散热组件利用循环冷却液对封闭容器内壳体中的晶砣进行水冷散热，同时利用风机对内壳体散热的同时对散热组件进行散热，充分保障散热效果的同时降低了晶砣被外界环境中的粉尘污染的概率，同时通过盖板上设置泄压气嘴，可避免晶砣冷却导致装置内部压力过大，造成盖板无法打开的问题，结构合理。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：

图1为本发明一种石英晶片加工工艺的冷却装置立体结构示意图。

图2为本发明图1中A区域结构放大图。

图3为本发明一种石英晶片加工工艺的冷却装置纵向剖视结构示意图。

图4为本发明一种石英晶片加工工艺的俯视结构示意图。

图5为本发明一种石英晶片加工工艺的横向剖视结构示意图。

附图说明：100、主体；101、内壳体；102、外壳体；103、支撑板；104、储液罐；105、出风管；106、风机；200、散热组件；201、进水管；202、出水管；203、泵机；300、封闭机构；301、盖板；302、螺纹筒；303、转盘；304、泄压气嘴。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合说明书附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。

再其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

实施例1

一种石英晶片加工工艺，其包括以下加工步骤：

S1，制胚，搅拌混合石英胚料，消除材料色差，将混合的胚料用模具压制，将压制后的石英胚料通过固化炉加热固化成型，制成晶砣，通过冷却装置冷却晶砣；

S2，切割，使用线切割机对晶砣进行切割，制成石英晶片胚体；

S3，打磨，通过高精度平面双面研磨机对石英晶片胚体进行打磨抛光，制成石英晶片；

S4，筛选，筛选合格石英晶片，次品回收破碎再加工；

其中，冷却装置包括主体100、散热组件200和封闭机构300；

主体100包括内壳体101、外壳体102、支撑板103、储液罐104、出风管105和风机106，外壳体102固定连接在内壳体101外侧，内壳体101与外壳体102之间形成腔室，支撑板103在外壳体102底部边缘竖直固定连接有多组并且多组支撑板103绕外壳体102均匀分布，储液罐104固定连接在多组支撑板103底部并且其内部灌装有冷却液，出风管105与内壳体101、外壳体102固定连接并且自中心贯穿外壳体102和支撑板103，出风管105顶端位于内壳体101和外壳体102上方，风机106固定连接在出风管105内，内壳体101底部内壁具有多组晶砣槽，多组晶砣槽绕出风管105均匀分布，出风管105外壁顶部具有螺纹槽；

其中，散热组件200用于将储液罐104内的冷却液循环泵入内壳体101与外壳体102之间的空腔内；

另外，封闭机构300设置在外壳体102顶部，其用于封闭内壳体101。

需要说明的是，内壳体101、外壳体102、支撑板103和储液罐104均为不锈钢材质，外壳体102、支撑板103和储液罐104表面还涂覆有防锈涂层。

实施例2

一种石英晶片加工工艺，其在实施例1的基础上，散热组件200包括进水管201、出水管202和泵机203，进水管201和出水管202两端均分别与空腔以及储液罐104连通，泵机203与储液罐104底部内壁固定连接并且其出水口与进水管201连通，其中，进水管201和出水管202均为不锈钢材质，进水管201和出水管202均呈螺旋状。

封闭机构300包括盖板301和螺纹筒302，盖板301中心开有契合出风管105的开孔，盖板301套设在出风管105上并且盖在外壳体102顶部，螺纹筒302与出风管105螺纹连接并且底部紧抵盖板301，泄压气嘴304顶部还固定连接有泄压气嘴304，泄压气嘴304位置与内壳体101正对并且贯穿盖板301。

需要说明的是，螺纹筒302底部具有凸缘，该凸缘紧抵盖板301，进一步保证抵紧效果，螺纹筒302外侧还固定连接有转盘303，转盘303和螺纹筒302轴线重合设置，方便呢转动螺纹筒302，转盘303外侧还包覆有橡胶垫，该橡胶垫表面具有防滑纹，提升使用手感并且放置转动时打滑。

工作原理：本发明中的冷却装置使用时，晶砣放置在内壳体101内的晶砣槽内，泵机203将冷却液循环泵入空腔，对内壳体101内部进行散热，风机106通过加速出风管105内外气体交换速度进而对内壳体101内部进行散热，同时风机106还对进水管201和出水管202进行散热，进一步提升装置整体散热效果，泄压气嘴304保证内壳体101内部能够与外界进行气体交换，避免内壳体101内部压力过大导致盖板301无法打开，打开盖板301时，外旋转盘303，取下螺纹筒302，可上提取出盖板301。

应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。