进气装置、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法

技术领域

本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种进气装置、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。

背景技术

薄膜沉积设备沉积薄膜时，晶圆放置在反应室内的基座上进行沉积，反应气体从反应室的第一方向的一侧通入，未完全耗尽的反应气体从反应室的第一方向的另一侧排出。反应气体在晶圆上形成气体滞留层，晶圆上气体滞留层厚度越小，沉积形成的膜层厚度越小。由于气体滞留层厚度不均匀，沉积形成的膜层厚度也不均匀。

现有的薄膜沉积设备，沿反应室的第二方向通入补偿气体，第二方向与第一方向垂直。采用通入补偿气体的方案，虽然可在一定程度上改善膜层厚度不均匀性的问题，但是通入补偿气体使总的反应气体增加，导致维持反应气体工艺参数的难度大增。同时，采用通入补偿气体的方案，也只能补偿晶圆边缘区的膜层厚度，不能保证整面膜层厚度均匀。

发明内容

本申请的目的在于提供一种进气装置、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法，至少改善沉积膜层厚度不均为问题。

为了达到上述目的，本申请提供了一种进气装置，所述进气装置与供气装置连接，所述进气装置包括：

进气组件，用于将所述供气装置提供的反应气体通入反应室；

调速组件，设置在所述进气组件和所述供气装置之间或所述进气组件的排气端，用于增大通入所述反应室的反应气体的速度。

可选的，所述调速组件包括整流罩，所述整流罩包括进气口和排气口，所述整流罩的进气口的流通面积大于所述整流罩的排气口的流通面积。

可选的，所述整流罩设置在所述进气组件的排气端且与所述进气组件一体连接。

可选的，所述进气组件的排气端设置有多个排气口，多个所述整流罩与所述进气组件的多个排气口一一对应设置，所述整流罩的进气口与所述进气组件的排气口连接。

可选的，所述调速组件包括风桨，所述风桨设置在所述供气装置和所述进气组件之间。

可选的，所述调速组件包括控压阀，所述控压阀设置在所述供气装置和所述进气组件之间。

可选的，所述调速组件包括压力传感器，所述压力传感器设置在所述控压阀和所述供气装置之间的管道内或所述控压阀与所述进气组件之间的管道内。

可选的，所述调速组件至少包括整流罩、风桨和控压阀中的两个；

所述整流罩包括进气口和排气口，所述整流罩的进气口的流通面积大于所述整流罩的排气口的流通面积，所述整流罩设置在所述进气组件的排气端且与所述进气组件的排气口连接；

所述风桨设置和所述控压阀均设置在所述供气装置和所述进气组件之间。

可选的，所述调速组件至少包括风桨和控压阀，所述供气装置、所述控压阀、所述风桨和所述进气组件依次连接。

可选的，所述进气装置还包括气体流量控制器，所述气体流量控制器设置在所述供气装置和所述调速组件之间。

本申请还提供一种薄膜沉积设备，包括所述进气装置；

反应室，与所述进气装置连接。

本申请还提供一种薄膜沉积方法，包括：

提供薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括依次连接的供气装置、进气装置和反应室，将晶圆放置在所述反应室的基座上，通过所述进气装置向所述反应室通入反应气体并通过所述基座驱动所述晶圆自转；

获取所述供气装置的进气组件的基础进气速度，所述基础进气速度与所述供气装置提供的反应气体的流量正相关，所述基础进气速度与所述进气组件的流通面积负相关；

获取所述晶圆的自转转速，根据所述晶圆的自转转速和所述晶圆的半径计算所述晶圆的外缘线速度；

比较所述基础进气速度和所述外缘线速度，在所述基础进气速度小于所述外缘线速度时，增大所述反应气体进气速度。

可选的，所述反应气体进气速度大于或等于所述外缘线速度。

可选的，所述进气装置包括风桨，所述风桨设置在所述进气组件和所述供气装置之间，所述增大所述反应气体进气速度的方法包括：

控制所述风桨开启；或

所述进气装置包括控压阀，所述控压阀设置在所述进气组件和所述供气装置之间，所述增大所述反应气体进气速度的方法包括：

减小所述控压阀处反应气体的流通面积。

可选的，所述进气装置包括所述风桨和所述控压阀，所述风桨和所述控压阀均设置在所述进气组件和所述供气装置之间，所述增大所述反应气体进气速度的方法包括：

减小所述控压阀处反应气体的流通面积，在所述控压阀失效或减小所述控压阀处反应气体的流通面积到极限位置时，控制所述风桨开启。

可选的，所述增大所述反应气体进气速度的方法包括：

在所述进气组件的进气端或排气端安装整流罩，所述整流罩包括进气口和排气口，所述整流罩的进气口的流通面积大于所述整流罩的排气口的流通面积。

可选的，所述增大所述反应气体进气速度的方法包括：

减小所述反应室的排气口处压力。

可选的，所述增大所述反应气体进气速度的方法包括：

增大所述进气装置内反应气体的温度。

可选的，所述进气组件的基础进气速度根据所述供气装置的供气流量计算。

本申请公开的进气装置、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法具有以下有益效果：

本申请中，薄膜沉积设备包括进气装置，进气装置与供气装置连接，进气装置包括进气组件和调速组件，进气组件用于将供气装置提供的反应气体通入反应室，调速组件设置在进气组件和供气装置之间或进气组件的排气端，用于增大通入反应室的反应气体的速度。通过增大通入反应室的反应气体的速度，可消除晶圆上自身速度和反应气体进气速度矢量和为0的点，使晶圆上反应气体滞留层均匀分布，进而改善了沉积形成的膜层厚度均匀性。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是薄膜沉积工艺示意图。

图2是图1中晶圆直径方向相对速度绝对值分布。

图3是图1中晶圆半径方向相对速度分布图。

图4是本申请实施例中整流罩与反应室连接示意图。

图5是图4中晶圆直径方向相对速度绝对值分布。

图6是图4中晶圆半径方向相对速度分布图。

图7是本申请实施例中风桨与反应室连接示意图。

图8是本申请实施例中控压阀与反应室连接示意图。

图9是本申请实施例中进气装置的结构示意图。

图10是本申请实施例中薄膜沉积方法的流程示意图。

附图标记说明：

100、进气装置；110、进气组件；120、调速组件；121、整流罩；1211、整流罩的进气口；1212、整流罩的排气口；122、风桨；123、控压阀；124、压力传感器；130、气体流量控制器；

200、供气装置；301、反应室的排气口；400、晶圆。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。

下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

参见图1所示，薄膜沉积设备沉积薄膜时，晶圆400放置在反应室内的基座上进行沉积。供气装置按照预设的流量提供反应气体，进气装置100将反应气体通入反应室内，未完全耗尽的反应气体从反应室的排气口301排出。反应气体在晶圆400上形成气体滞留层，晶圆400上气体滞留层厚度越小，沉积形成的膜层厚度越小。由于气体滞留层厚度不均匀，沉积形成的膜层厚度也不均匀。薄膜沉积设备沉积薄膜时，通过基座驱动晶圆400在反应室内自转，可提高沉积形成的膜层厚度均匀性。

参见图1和图2所示，在晶圆400顺时针旋转时，反应气体进气速度矢量和晶圆400左侧半径上的点速度矢量方向相反。供气装置按照预设的流量提供反应气体，在供气管道的管径不变的条件下，反应气体进气速度和气体流量正相关。为了提高沉积形成的膜层厚度均匀性，晶圆400需在预设的自转速度范围内旋转。

申请人发现，在预设的流量及预设的晶圆400自转速度条件下，晶圆400左侧半径上存在参考点A，其自身速度和反应气体进气速度矢量和为0。需要说明的是，由于供气装置提供反应气体流量的限制，反应气体进气速度小于晶圆400外缘线速度。在晶圆400左侧半径以外的其它点，其速度矢量可分解为沿着反应气体进气速度方向和垂直于反应气体进气速度方向的两个速度矢量，其中垂直于反应气体进气速度方向上的速度矢量不会因为叠加而消失，所以参考点A以外不会出现速度矢量和为0的点，此效应影响最显著的位置即是晶圆400左侧半径附近区域。

将晶圆400上距离晶圆400圆心O距离相同的点的自身速度和反应气体进气速度矢量和叠加，可形成图3所示半径方向相对速度分布图。参见图3所示，晶圆400上越靠近边缘区域，其自身速度和反应气体进气速度矢量和越大，气体滞留层厚度越小，沉积形成的膜层厚度越小。沉积工艺包括化学气相沉积和物理气相沉积，化学气相沉积包括外延生长，其中，外延生长工艺受气体滞留层厚度均匀性影响更显著。

参见图4和图9所示，本实施例中，进气装置100与供气装置200连接。进气装置100包括进气组件110和调速组件120。进气组件110用于将供气装置200提供的反应气体通入反应室。调速组件120设置在进气组件110和供气装置200之间或进气组件110的排气端，用于增大通入反应室的反应气体的速度(即反应气体进气速度)。

在调速组件120设置在进气组件110和供气装置200之间时，进气组件110通过调速组件120与供气装置200间接连接；在调速组件120设置在进气组件110的排气端时，进气组件110可与供气装置200直接或间接连接。

供气装置200包括制备反应气体的气体制备装置或储存反应气体的存储装置。反应室包括排气口，进气组件110和反应室的排气口301设置在反应室相对的两侧。

参见图5所示，通过调速组件120可增大反应气体的速度，使晶圆400上任意一点的自身速度和反应气体进气速度矢量和均不为0。将晶圆400上距离晶圆400圆心O距离相同的点的自身速度和反应气体进气速度矢量和叠加，可形成图6所示半径方向相对速度分布图。参见图6所示，从晶圆400圆心O到晶圆400的边缘区，不同位置自身速度和反应气体进气速度矢量和相等，即晶圆400上反应气体滞留层均匀分布。

在一些技术方案中，反应气体沿第一方向通入反应室，同时沿反应室的第二方向通入补偿气体，第二方向与第一方向垂直。采用通入补偿气体的方案，虽然可在一定程度上改善沉积膜层厚度不均匀性的问题，但是通入补偿气体使总的反应气体增加，导致维持反应气体工艺参数的难度大增。同时，采用通入补偿气体的方案，也只能补偿晶圆400边缘区的膜层厚度，不能保证整面膜层厚度均匀。

本实施例中，进气装置100与供气装置200连接，进气装置100包括进气组件110和调速组件120，进气组件110用于将供气装置200提供的反应气体通入反应室，调速组件120设置在进气组件110和供气装置200之间或进气组件110的排气端，用于增大通入反应室的反应气体的速度。通过增大通入反应室的反应气体的速度，可消除晶圆400上自身速度和反应气体进气速度矢量和为0的点，使晶圆400上反应气体滞留层均匀分布，进而改善了沉积形成的膜层厚度均匀性。

本实施例的技术方案与通入补偿气体的技术方案相比，没有改变反应气体总量，降低了维持反应气体工艺参数的难度。同时，通过增大通入反应室的反应气体的速度，使晶圆400上整面反应气体滞留层均匀分布，改善了整面膜层厚度均匀性。

参见图4和图9所示，调速组件120包括整流罩121，整流罩121包括进气口和排气口，整流罩的进气口1211的流通面积大于整流罩的排气口1212的流通面积。反应气体的流通面积减小，反应气体的速度增大。同时，由于供气装置200供气流量不变，通入反应室中反应气体的流量保持不变。优选的，整流罩121可为圆锥或四棱锥结构。

需要说明的是，整流罩121可为圆锥或四棱锥结构，但不限于此，整流罩121也可为其它任意结构的整流罩121，只要保证整流罩的进气口1211的流通面积大于整流罩的排气口1212的流通面积即可。

调速组件120包括整流罩121，整流罩的进气口1211的流通面积大于整流罩的排气口1212的流通面积，通过整流罩121增大通入反应室的反应气体的速度，结构简单，有利于控制进气装置100的制作成本。

在一些实施例中，整流罩121设置在进气组件110的排气端且与进气组件110一体连接。也就是说，进气组件110和整流罩121可集成在一起或设计成一个零部件。

需要说明的是，整流罩121可与进气组件110一体连接，但不限于此，整流罩121也可设计成可拆卸式结构，以方便维护或更换不同尺寸的整流罩121，具体可视情况而定。

整流罩121设置在进气组件110的排气端且与进气组件110一体连接，这样设计，可简化进气装置100的结构，有利于控制进气装置100的制作成本。

在一些实施例中，进气组件110的排气端设置有多个排气口，多个整流罩121与进气组件110的多个排气口一一对应设置，整流罩的进气口1211与进气组件110的排气口连接。

进气组件110的排气端设置有多个排气口，多个排气口向反应器进气，可提高进气均匀性。在进气组件110的每个排气口对应设置整流罩121，不仅可增大进气速度，还可以通过不同整流罩121的不同尺寸设计，调节反应气体气场分布，改善进气均匀性。

在一些实施例中，参见图7和图9所示，调速组件120包括风桨122，风桨122设置在供气装置200和进气组件110之间。风桨122旋转可对反应气体做功，从而增大反应气体的速度。同时，由于供气装置200供气流量不变，通入反应室中反应气体的流量保持不变。

在供气装置200和进气组件110之间设置风桨122，通过控制风桨122的转速可控制反应气体的速度，与通过整流罩121增大反应气体的速度相比，可在较大范围内增大反应气体的速度，且调节反应气体的速度容易实现，不会显著增加进气装置100的制作成本。

在一些实施例中，参见图8和图9所示，调速组件120包括控压阀123，控压阀123设置在供气装置200和进气组件110之间。通过调节控压阀123处反应气体的流通面积，可调节进气组件110前端气压，进而调节反应气体的速度。

在供气装置200和进气组件110之间设置控压阀123，通过调节进气组件110前端气压调节反应气体的速度，与通过整流罩121增大反应气体的速度相比，可在较大范围内增大反应气体的速度，且调节反应气体的速度容易实现，不会显著增加进气装置100的制作成本。

在一些实施例中，供气装置200和进气组件110之间设置控压阀123。同时，调速组件120包括压力传感器124，压力传感器124设置在控压阀123和供气装置200之间的管道内或控压阀123与进气组件110之间的管道内。

在进气组件110和供气装置200之间设置压力传感器124，压力传感器124可监测进气组件110前端气压，控压阀123可根据压力传感器124测出的气压调节进气组件110前端气压，从而可更准确地调节反应气体的速度。

容易理解的是，控压阀123可根据压力传感器124测出的气压调节进气组件110前端气压，但不限于此，控压阀123也可根据进气流量等工艺参数调节反应气体速度，具体可视情况而定。

在一些实施例中，参见图9所示，调速组件120至少包括整流罩121、风桨122和控压阀123中的两个。其中，整流罩121包括进气口和排气口，整流罩的进气口1211的流通面积大于整流罩的排气口1212的流通面积，整流罩121设置在进气组件110的排气端且与进气组件110的排气口连接；风桨122设置和控压阀123均设置在供气装置200和进气组件110之间。

通过整流罩121、风桨122和控压阀123其中任意一者均可增大反应气体速度，调速组件120至少包括整流罩121、风桨122和控压阀123中的两个，即调速组件120进行了冗余设计，这样设计，在整流罩121、风桨122和控压阀123其中一个调速结构失效或调速达不到设定值时，其它的调速结构可以替代失效的调速结构或补偿调速不达标，从而增强了进气装置100的可靠性。

在一些实施例中，调速组件120至少包括风桨122和控压阀123，供气装置200、控压阀123、风桨122和进气组件110依次连接。也就是说，调速组件120包括风桨122和控压阀123时，控压阀123可设置在前端，风桨122可设置在后端。

调速组件120包括风桨122和控压阀123时，控压阀123设置在前端，风桨122设置在后端，这样设计，可避免控压阀123影响风桨122工作效率。

需要说明的是，调速组件120包括风桨122和控压阀123时，控压阀123可设置在前端，风桨122可设置在后端，但不限于此，控压阀123也可设置在后端，风桨122也可设置在前端，具体可视情况而定。

参见图9所示，进气装置100还包括气体流量控制器130，气体流量控制器130设置在供气装置200和调速组件120之间。

在供气装置200和调速组件120之间设置气体流量控制器130，通过气体流量控制器130可调节进气装置100的进气流量，保证在调速组件120增大反应气体速度时，通入反应室中反应气体的流量保持不变。此外，通过气体流量控制器130可调节进气装置100的进气流量，与通过供气装置200调节进气流量相比，控制方式更简单。

需要说明的是，进气装置100可包括气体流量控制器130，但不限于此，气体流量控制器130可以与供气装置200集成在一起，或者气体流量控制器130也可省去，通过供气装置200实现进气流量控制，具体可视情况而定。

本申请还提供一种薄膜沉积设备，薄膜沉积设备包括以上公开的进气装置100。薄膜沉积设备还包括供气装置200和反应室等必要零部件，进气装置100连接供气装置200和反应室，将供气装置200制备或存储的反应气体通入反应室。薄膜沉积设备可包括化学气相沉积设备和物理气相沉积设备，化学气相沉积设备包括外延生长设备。

本实施例中，薄膜沉积设备包括进气装置100，进气装置100包括进气组件110和调速组件120，进气组件110用于将供气装置200提供的反应气体通入反应室，调速组件120设置在进气组件110和供气装置200之间或进气组件110的排气端，用于增大通入反应室的反应气体的速度。通过增大通入反应室的反应气体的速度，可消除晶圆400上自身速度和反应气体进气速度矢量和为0的点，使晶圆400上反应气体滞留层均匀分布，进而改善了沉积形成的膜层厚度均匀性。

本申请还提供一种薄膜沉积方法，参见图1和图10所示，薄膜沉积方法包括：

S100：提供薄膜沉积设备，薄膜沉积设备包括依次连接的供气装置200、进气装置100和反应室，将晶圆400放置在反应室的基座上，通过进气装置100向反应室通入反应气体并通过基座驱动晶圆400自转。

进气装置100包括进气组件110，进气组件110和反应室的排气口301位于反应室相对的两侧。

S200：获取供气装置200的进气组件110的基础进气速度，基础进气速度与供气装置200提供的反应气体的流量正相关，基础进气速度与进气组件110的流通面积负相关。

需要说明的是，在进气组件110以及进气组件110与供气装置200连接管道的管径不变的条件下，基础进气速度由供气装置200提供的反应气体的流量决定。

S300：获取晶圆400的自转转速，根据晶圆400的自转转速和晶圆400的半径计算晶圆400的外缘线速度；

S400：比较基础进气速度和外缘线速度，在基础进气速度小于外缘线速度时，增大反应气体进气速度。

通过增大通入反应室的反应气体的速度，可使晶圆400上自身速度和反应气体进气速度矢量和为0的点外移或消除晶圆400上自身速度和反应气体进气速度矢量和为0的点，使晶圆400上反应气体滞留层均匀分布，进而改善了沉积形成的膜层厚度均匀性。

在一些实施例中，进气组件110的基础进气速度根据供气装置200的供气流量计算。

需要说明的是，进气组件110的基础进气速度根据供气装置200的供气流量计算，但不限于此，进气组件110的基础进气速度也可采用传感器测量，具体可视情况而定。

根据供气装置200的供气流量计算进气组件110的基础进气速度，省去检测气体速度的传感器，可有利于降低半导体器件的制作成本。

在一些实施例中，反应气体进气速度大于或等于外缘线速度。

在反应气体进气速度等于晶圆400的外缘线速度时，刚好消除晶圆400上自身速度和反应气体进气速度矢量和为0的点，在此条件下，既可改善沉积形成的膜层厚度均匀性，又可保证膜层沉积的效率。应当理解的是，为了消除误差，反应气体进气速度也可略大于晶圆400的外缘线速度。

在一些实施例中，进气装置100包括风桨122，风桨122设置在供气装置200和进气组件110之间，增大反应气体进气速度的方法包括：控制风桨122开启。或者进气装置100包括控压阀123，控压阀123设置在供气装置200和进气组件110之间，增大反应气体进气速度的方法包括：减小控压阀123处反应气体的流通面积。

控制风桨122开启，风桨122旋转可对反应气体做功，从而增大反应气体的速度。减小控压阀123处反应气体的流通面积，可增大进气组件110前端气压，进而增大反应气体的速度。通过增大通入反应室的反应气体的速度，可消除晶圆400上自身速度和反应气体进气速度矢量和为0的点，使晶圆400上反应气体滞留层均匀分布，进而改善了沉积形成的膜层厚度均匀性。

在一些实施例中，进气装置100包括风桨122和控压阀123，风桨122和控压阀123均设置在供气装置200和进气组件110之间，增大反应气体进气速度的方法包括：

减小控压阀123处反应气体的流通面积，在控压阀123失效或减小控压阀123处反应气体的流通面积到极限位置时，控制风桨122开启。

优先采用控压阀123增大反应气体进气速度，可以把边界条件的压力固定，控制反应气体进气速度更简单也更准确。

需要说明的是，可优先采用控压阀123增大反应气体进气速度，风桨122作为控压阀123的备份，在控压阀123失效或达到控制极限时，再开启风桨122，但不限于此，也可控制风桨122开启的同时减小控压阀123处反应气体的流通面积，具体可视情况而定。

在一些实施例中，增大反应气体进气速度的方法包括：

在进气组件110的进气端或排气端安装整流罩121，整流罩121包括进气口和排气口，整流罩的进气口1211的流通面积大于整流罩的排气口1212的流通面积。

通过减小反应气体的流通面积，可增大反应气体进气速度。通过增大通入反应室的反应气体的速度，可消除晶圆400上自身速度和反应气体进气速度矢量和为0的点，使晶圆400上反应气体滞留层均匀分布，进而改善了沉积形成的膜层厚度均匀性。

在一些实施例中，增大反应气体进气速度的方法包括：

减小反应室的排气口301处压力。

进气组件110和反应室的排气口301位于反应室相对的两侧，进气组件110处压力大于反应室的排气口301处压力，反应气体从进气组件110向反应室的排气口301流动。适当减小反应室的排气口301处压力，可增大进气组件110和反应室的排气口301之间压差，起到增大反应气体进气速度的作用。此外，在减小反应室的排气口301处压力的同时，还可以适当增大供气装置200的供气流量。

需要说明的是，供气装置200的供气流量增大值和反应室的排气口301处压力减小值形成对应关系，通过实用或仿真可计算出供气装置200的供气流量增大值和反应室的排气口301处压力减小值的对应关系，依据对应关系同步调节供气装置200的供气流量和反应室的排气口301处压力，可防止减小反应室的排气口301处压力引起沉积膜层厚度变化。

在一些实施例中，增大反应气体进气速度的方法包括：

增大进气装置100内反应气体的温度。

增大进气装置100内反应气体的温度，可增大进气装置100内反应气体的压力。进气组件110和反应室的排气口301位于反应室相对的两侧，进气组件110处压力大于反应室的排气口301处压力，反应气体从进气组件110向反应室的排气口301流动。增大进气装置100内反应气体的压力，可增大进气组件110和反应室的排气口301之间压差，起到增大反应气体进气速度的作用。

术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本申请的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本申请专利涵盖的范围之内。