显示面板、显示面板的制作方法及电子设备

技术领域

本申请涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种显示面板、显示面板的制作方法及电子设备。

背景技术

随着显示技术的发展，发光器件的功耗越来越受到重视，发光器件的功耗受限于其自身材料的效率，然而材料开发进度较慢，开发周期较长。

现有技术中发光器件的出光效率主要受光提取效果的影响，然而，现有技术通过光提取效果较差。

发明内容

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括。

阵列基板；

位于所述阵列基板一侧的像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口；

位于所述像素开口内的发光层；

位于所述发光层远离所述阵列基板一侧的封装层；所述封装层包括与所述像素开口对应且向所述像素开口一侧凹陷的凹陷区域；所述凹陷区域在所述阵列基板上的正投影覆盖所述像素开口在所述阵列基板上的正投影；

位于所述凹陷区域内的选择性反射层；所述选择性反射层在所述阵列基板上的正投影与所述发光层在所述阵列基板上的正投影至少部分重合。

在一种可能的实施方式中，所述发光层在所述阵列基板上的正投影位于所述选择性反射层在所述阵列基板上的正投影内。

在一种可能的实施方式中，所述封装层还包括位于所述像素界定层远离所述阵列基板一侧的阻挡层，所述阻挡层贴合所述像素开口设置，所述阻挡层位于所述像素开口底壁处的厚度与位于所述像素界定层上的厚度相同，所述选择性反射层位于所述阻挡层远离所述阵列基板的一侧；所述阻挡层于所述像素开口处形成所述凹陷区域；

优选地，所述选择性反射层远离所述阵列基板的一侧在所述阵列基板上的正投影覆盖所述凹陷区域远离所述阵列基板的一侧在所述阵列基板上的正投影；

优选地，所述凹陷区域的底面与所述阵列基板的距离大于所述像素界定层底面与所述阵列基板的距离，且小于所述像素界定层顶面与所述阵列基板的距离。

在一种可能的实施方式中，所述显示面板还包括:

位于所述阵列基板一侧的第一电极层，所述第一电极层包括多个间隔设置的第一电极，所述像素界定层位于所述第一电极层远离所述阵列基板的一侧，所述像素开口暴露出所述第一电极；

覆盖所述发光层及所述像素界定层远离所述阵列基板一侧的第二电极层，所述第二电极层在所述像素开口内的高度低于所述像素界定层的高度；

所述封装层设置在所述第二电极层远离所述阵列基板的一侧。

在一种可能的实施方式中，所述阻挡层为第一无机层，所述封装层还包括位于所述第一无机层远离所述阵列基板一侧且覆盖所述选择性反射层的有机层以及位于所述有机层远离所述阵列基板一侧的第二无机层。

在一种可能的实施方式中，所述显示面板还包括位于所述选择性反射层远离所述阵列基板一侧的1/4相位延迟层以及位于所述1/4相位延迟层远离所述阵列基板一侧的线偏光层；

所述选择性反射层用于反射右旋偏振光和左旋偏振光中的一者，透过另一者。

在一种可能的实施方式中，所述选择性反射层包括多个间隔设置的反射部，多个所述反射部与所述像素开口对应设置，所述反射部在所述阵列基板上的正投影与所述像素开口在所述基板上的正投影重合。

在一种可能的实施方式中，所述选择性反射层包括胆甾相液晶；

优选地，所述像素界定层包括黑色材料；

优选地，所述显示面板还包括平坦化层，所述平坦化层设置在所述第一电极层靠近所述阵列基板的一侧，所述平坦化层包括黑胶材料。

在一种可能的实施方式中，本申请还提供了一种显示面板的制作方法，所述方法包括：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口；

在所述像素开口内形成发光层；

在所述发光层及所述像素界定层远离所述阵列基板的一侧形成封装层；所述封装层包括与所述像素开口对应且向所述像素开口一侧凹陷的凹陷区域；所述凹陷区域在所述阵列基板上的正投影覆盖所述像素开口在所述阵列基板上的正投影；

在所述凹陷区域内形成选择性反射层；所述选择性反射层在所述阵列基板上的正投影与所述发光层在所述阵列基板上的正投影至少部分重合。

在一种可能的实施方式中，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括本申请中所述的显示面板。

相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：

本申请提供的一种显示面板、显示面板的制作方法及电子设备，通过在与像素开口对应的凹陷区域内设置与发光层相隔更近的选择性反射层，可以提高发光层发出的光的透射率，从而可以提高该显示面板的出光效率，进而可以降低显示面板的功耗。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实施例提供的现有技术中显示面板的截面示意图；

图2为本实施例提供的本申请中显示面板的截面示意图；

图3为本实施例提供的发光层的光经过二次反射后从选择性反射层透射出的光路示意图；

图4为本实施例提供的显示面板包括阻挡层的截面示意图；

图5为本实施例提供的阻挡层为第一无机层时显示面板的截面示意图；

图6为本实施例提供的显示面板还包括1/4相位延迟层和线偏光层的截面示意图；

图7为本实施例提供的发光层的光穿过选择性反射层、1/4相位延迟层和线偏光层的光路示意图；

图8为本实施例提供的外界的光穿过线偏光层、1/4相位延迟层和选择性反射层的光路示意图；

图9为本实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；

图10为本实施例提供的在阵列基板上形成第一电极层的截面示意图；

图11为本实施例提供的在阵列基板上形成像素界定层的截面示意图；

图12为本实施例提供的在像素开口内形成发光层的截面示意图；

图13为本实施例提供的在发光层和像素界定层上形成第二电极层的截面示意图。

附图标记：1、阵列基板；2、发光层；3、覆盖层；4、黑胶层；5、光学胶；6、偏光膜；7、像素界定层；71、像素开口；8、第一电极层；9、选择性反射层；10、第二电极层；101、凹陷区域；11、阻挡层；12、有机层；13、第二无机层；14、1/4相位延迟层；15、偏光层；16、封装层。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。

目前，发光器件的出光效率较低，为了使所述发光器件减少对环境光的反射率，使所述发光器件在高亮环境光下仍然可高对比度的显示，通常在所述发光器件的屏体和保护盖板之间增加圆偏光片。然而圆偏光片在过滤掉环境反射光的同时，也使所述发光器件出射的光损耗50%以上，从而降低了所述发光器件的发光效率。

请参见图1，相关技术中的显示面板包括阵列基板1、位于所述阵列基板1一侧的发光层2、位于所述发光层2远离所述阵列基板1一侧的覆盖层3、位于所述覆盖层3远离所述阵列基板1一侧的黑胶层4以及位于所述黑胶层4远离所述阵列基板1一侧的偏光膜6。在所述黑胶层4对应所述发光层2的位置设有镂空孔，在所述镂空孔内设置有滤光片5，所述发光层2发出的大部分光从滤光片5透过。但是也有部分光被黑胶层4和滤光片5吸收，还有部分光照射在偏光膜6后反射至所述黑胶层4，被所述黑胶层4吸收（如图1中的箭头所示）。如此，由于光提取效果较差，会引起屏体亮度衰减加快的问题。

有鉴于此，本实施例提供一种可以改善屏体大角度亮度衰减加快的方案，下面对本实施例提供的方案进行详细阐述。

请参见图2和图5，本实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板1、第一电极层8、像素界定层7、发光层2、第二电极层10、封装层16和选择性反射层9。

所述阵列基板1可以包括多个驱动单元，每个驱动单元可以包括一个或多个半导体开关器件。半导体开关器件可以由阵列基板1中的多个膜层配合形成，例如，半导体开关器件可以为由多个膜层配合形成的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）。

所述第一电极层8位于所述阵列基板1的一侧，所述第一电极层8包括多个间隔设置的第一电极，所述第一电极可以为阳极。

所述像素界定层7位于第一电极层8远离所述阵列基板1的一侧，所述像素界定层7包括暴露出所述第一电极的像素开口。所述像素界定层7界定出多个像素开口，所述像素开口暴露出至少部分所述第一电极，所述发光层2位于所述像素开口内。

所述第二电极层10位于所述发光层2及所述像素界定层7远离所述阵列基板1的一侧，所述第二电极层10在所述像素开口内的高度低于所述像素界定层7的高度。

所述封装层16位于所述第二电极层10远离所述阵列基板1的一侧，所述封装层16包括与所述像素开口对应且向所述像素开口一侧凹陷的凹陷区域，所述凹陷区域在所述阵列基板1上的正投影覆盖所述像素开口在所述阵列基板1的正投影，所述凹陷区域位于所述像素开口的正上方。

所述选择性反射层9位于所述凹陷区域内；所述选择性反射层9在所述阵列基板上的正投影与所述发光层2在所述阵列基板上的正投影至少部分重合。进一步地，所述选择性反射层9包括多个间隔设置的反射部，多个所述反射部与所述像素开口对应设置，所述反射部在所述阵列基板1上的正投影与所述像素开口在所述阵列基板1上的正投影重合。

所述选择性反射层9可以将所述发光层2发出的某些光选择性地反射至所述第二电极层10上，再通过所述第二电极层10二次反射后改变光线的旋向，最终使改变旋向的光透过所述选择性反射层9。

比如，所述选择性反射层9可以透过左旋圆偏光，并反射指定波长的右旋圆偏光，其中，所述指定波长与所述发光层2发出的光的波长对应，比如所述发光层2发出红光，则所述选择性反射层9可以反射红光波长的右旋圆偏光，即红光发光像素、绿光发光像素和蓝光发光像素分别对应各自的所述选择性反射层9。

如图3所示，所述发光层2发出的光被拆解为左旋圆偏光和右旋圆偏光（图3中顺时针旋转的箭头表示左旋圆偏光，逆时针旋转的箭头表示右旋圆偏光），其中，所述左旋圆偏光直接透过所述选择性反射层9，所述右旋圆偏光被所述选择性反射层9反射至所述第二电极层10，再由所述第二电极层10二次反射为左旋圆偏光，被反射的左旋圆偏光再透过所述选择性反射层9。如此，可以提高所述发光层2发出的光的透射率。

基于上述设计，本实施例通过在与所述像素开口对应的所述凹陷区域内设置与所述发光层2相隔更近的所述选择性反射层9，可以提高所述发光层2发出的光的透射率，从而提高该显示面板的出光效率，进而可以降低显示面板的功耗。

在一种可能的实施方式中，所述选择性反射层9包括胆甾相液晶。

胆甾相液晶 (Cholesteric Liquid Crystal, CLC)的内胆甾相液晶分子呈扁平状，排列成层，层内分子相互平行，分子长轴平行于层平面，不同层的分子长轴方向稍有变化，沿层的法线方向排列成螺旋状结构。该螺旋状结构呈左旋或右旋，按照螺旋状结构的旋向可以将胆甾相液晶分为左旋胆甾相液晶和右旋胆甾相液晶。当分子的排列旋转了360°而又回到原来的方向时，在分子排列完全相同的两层间的距离称为胆甾相液晶的螺距。

根据实际需要，可以在胆甾相液晶中添加手性剂等改变螺距。胆甾相液晶可以包含多种螺距不同的胆甾相液晶，还可以包括螺距单一的胆甾相液晶，具体根据实际情况而定。当有波长与胆甾相液晶的螺距相等的光入射到胆甾相液晶表面时，胆甾相液晶会呈现出选择性反射特性，即左旋胆甾相液晶透射右旋圆偏振光，反射左旋圆偏振光；右旋胆甾相液晶透射左旋圆偏振光，反射右旋圆偏振光。当入射光的波长与胆甾相液晶的螺距不一致时，则胆甾相液晶允许全部入射光透过。

根据所述胆甾相液晶的上述特性，可以在所述凹陷区域内通过打印或者涂布刻蚀等方式设置指定波段对左旋圆偏光或右旋圆偏光反射的胆甾相液晶，最终提高所述发光层2的出光效率。

在一种可能的实施方式中，所述发光层2在所述阵列基板1上的正投影位于所述选择性反射层9在所述阵列基板1上的正投影内。所述选择性反射层9位于所述发光层2的正上方（远离所述阵列基板1的方向），且所述选择性反射层9可以覆盖住所述发光层2。如此，所述发光层2可以有更多的光照射至所述选择性反射层9，从而可以将所述发光层2发出的更多的光经过二次反射后透射出去，进而可以进一步提高该显示面板的出光效率。

在一种可能的实施方式中，请参见图4，所述封装层16还包括位于所述像素界定层7远离所述阵列基板1一侧的阻挡层11，所述阻挡层11贴合所述像素开口设置，所述阻挡层11位于所述像素开口底壁处的厚度与位于所述像素界定层7上的厚度相同，所述选择性反射层9位于所述阻挡层11远离所述阵列基板1的一侧；所述凹陷区域的底面与所述阵列基板1的距离大于所述像素界定层7底面与所述阵列基板1的距离，且小于所述像素界定层7顶面与所述阵列基板1的距离，所述阻挡层11于所述像素开口处形成所述凹陷区域。

所述阻挡层11在所述像素开口的正上方也向所述发光层2凹陷，且所述阻挡层11与所述第二电极层10向所述发光层2凹陷的弧度相等，即阻挡层11与第二电极层10在像素开口的开口处形成的弧度相同，实现阻挡层11与第二电极层10的紧密贴合，因此所述阻挡层11和所述第二电极层10于所述像素开口处一起形成所述凹陷区域，所述选择性反射层9位于所述阻挡层11的凹陷区域内。所述阻挡层11具有阻挡水氧的作用，因此所述阻挡层11可以阻挡所述选择性反射层9中的水氧进入所述发光层2。

凹陷区域的开口面积大于发光层面积，凹陷区域的截面图形为梯形或者凹陷区域的底面为弧形面。

优选地，请再次参见图4，所述选择性反射层9远离所述阵列基板的一侧在所述阵列基板1上的正投影覆盖所述凹陷区域远离所述阵列基板1的一侧在所述阵列基板1上的正投影。所述选择性反射层9将所述凹陷区域填充满，且所述选择性反射层9远离所述阵列基板1的一侧与所述阻挡层11远离所述阵列基板1的一侧位于同一平面内。如此，相比相关技术中黑胶层4会遮挡发光层2发出的大视角光的方案，本实施例中选择性反射层9将所述凹陷区域填充满，不再设置黑胶层4，因此，本实施例不会遮挡发光层2大视角的光，从而可以使所述发光层2具有更好的出光视角。又由于所述选择性反射层9具有窄的反射光谱，其他波段的入射光会穿透所述选择性反射层9，因此外界光照射至所述选择性反射层9上时，外界光中只有与对应的发光层2颜色相同的光被反射，从而可以降低对外界光的反射。

在一种可能的实施方式中，请参见图5，所述阻挡层11为第一无机层，所述封装层16还包括位于所述第一无机层远离所述阵列基板一侧且覆盖所述选择性反射层9的有机层12以及位于所述有机层12远离所述阵列基板一侧的第二无机层13。

所述第一无机层可以为封装层16的第一层封装层，所述有机层12可以为封装层16的第二层封装层，所述第二无机层13可以为封装层16的第三层封装层。所述有机层12可以通过喷墨打印的方式设置，所述有机层12具有缓冲的作用。

将所述选择性反射层9设置在所述封装层16的第一封装层与所述第二封装层之间，可以使所述选择性反射层9离所述发光层2更近，从而通过所述选择性反射层9将所述发光层2更多的光线反射后投射出去，从而可以进一步提高该显示面板的出光率。另外，由于所述选择性反射层9直接做在封装层的第一封装层上，且该结构无需黑胶层4，即可实现减小反射的功能，无论是从所述发光层2直接出光还是反射光，都不会被黑胶层4遮挡，因此其视角亮度衰减问题得以改善。

在一种可能的实施方式中，请参见图6，所述显示面板还包括位于所述选择性反射层9远离所述阵列基板一侧的1/4相位延迟层14以及位于所述1/4相位延迟层14远离所述阵列基板一侧的线偏光层15；所述选择性反射层9用于反射右旋偏振光和左旋偏振光中的一者，透过另一者。

所述1/4相位延迟层14是具有一定厚度的双折射单晶波片，当光从法向入射透过波片时，寻常光和非常光之间的位相差等于π/2或其奇数倍。当线偏振光垂直入射 1/4相位延迟层14，并且线偏振光的偏振方向和π/4波片的光轴成 45°时，出射光为圆偏振光，构成法片的晶体类型决定出射的圆偏振光为右旋圆偏振光或左旋圆偏振光。

当自然光经过线偏光层15后，光线中与线偏光层15的透过轴相平行的光透过，与线偏光层15的透过轴相垂直的光被吸收，即自然光经过线偏光层15后转变成偏振方向与线偏光层15的透过轴相平行的线偏振光，线偏振光经过1/4相位延迟层14后转变为右旋圆偏光或左旋圆偏振光。

请参见图7，从所述发光层2发出的光为自然光，可拆解为左旋圆偏光和右旋圆偏光，其中，所述左旋圆偏光可以穿透选择性反射层9出射，指定波长的右旋偏振光被所述选择性反射层9反射，反射后打到所述第二电极层10后再次被反射，此时旋转方向发生变化，变为左旋圆偏光，左旋圆偏光可以依次通过所述选择性反射层9、1/4相位延迟层14和线偏光层15出射。如此，将本来被反射的右旋偏振光一起出射，从而增强了该显示面板的出光效率。

请参见图8，从外界入射的光也为自然光，可拆解为两个垂直方向的线偏振光，S偏振可透过所述线偏光层，经过所述1/4相位延迟层14后变为圆偏振光，该圆偏振光在所述第二电极层10和所述选择性反射层9之间发生两次反射，再出射，此时外界的反射光强度显著降低。而且所述选择性反射层9具有窄的反射光谱，其他波段的入射光会穿透所述选择性反射层9，并被所述1/4相位延迟层14和所述线偏光层15吸收，从而可以极大地降低外界光的反射率。

在一种可能的实施方式中，所述像素界定层7包括黑色材料。所述黑色材料对光具有吸收作用，通过将所述像素界定层7设置为包括黑色材料，可以减少所述像素界定层7与所述第一电极层8的交叠处的反射。

优选地，所述显示面板还包括平坦化层，所述平坦化层设置在所述第一电极层8靠近所述阵列基板1的一侧，所述平坦化层包括黑胶材料。如此，可以减少所述平坦化层与所述第一电极层8的交叠处的反射。

在一种可能的实施方式中，请参见图9，本申请还提供了一种显示面板的制作方法，所述方法包括：

S10：提供一阵列基板1。

所述阵列基板1包括背板及位于所述背板一侧的键合电极，所述背板中可以包括多条用以传递信号或电能的金属走线和/或多个驱动单元，所述金属走线和/或所述驱动单元与所述键合电极电连接，所述键合电极与发光器件电连接，所述金属走线和所述驱动单元可以用于驱动所述发光器件。

优选地，在步骤S11之前还包括：在所述阵列基板1的一侧形成第一电极层8，所述第一电极层8包括多个间隔设置的第一电极。

请参见图10，在所述阵列基板1的一侧设置第一电极层8，所述第一电极可以为阳极，所述阳极与所述阵列基板1中的键合电极电连接，以驱动所述发光层发光。

S11：在所述阵列基板1的一侧形成像素界定层7，所述像素界定层7包括暴露出至少部分所述第一电极的像素开口71。

请参见图11，在所述阵列基板1的一侧形成像素界定层7，所述像素界定层7界定出多个像素开口71，所述像素开口71暴露出至少部分所述第一电极，所述发光层2位于所述像素开口71内。

S12：在所述像素开口71内形成发光层2。

请参见图12，在所述像素开口71内形成发光层2。

S13：在所述发光层2及所述像素界定层7远离所述阵列基板1的一侧形成封装层16；所述封装层16包括与所述像素开口71对应且向所述像素开口71一侧凹陷的凹陷区域101；所述凹陷区域101在所述阵列基板上的正投影覆盖所述像素开口71在所述阵列基板上的正投影。

请参见图13，在步骤S13之前还包括，在所述发光层2及所述像素界定层7远离所述阵列基板1的一侧形成第二电极层10，所述第二电极层10可以包括阴极。封装层16设置在所述第二电极层10远离阵列基板1的一侧，所述凹陷区域101位于所述像素开口71的正上方。

S14：在所述凹陷区域101内形成选择性反射层9；所述选择性反射层9在所述阵列基板上的正投影与所述发光层2在所述阵列基板上的正投影至少部分重合。

在所述凹陷区域101内形成选择性反射层9，形成如图2所示的显示面板。所述选择性反射层9位于所述凹陷区域101内；所述选择性反射层9在所述阵列基板上的正投影与所述发光层2在所述阵列基板上的正投影至少部分重合，所述选择性反射层9可以将所述发光层2发出的某些光选择性地反射至所述第二电极层10上，再通过所述第二电极层10二次反射后改变光线的旋向，最终使改变旋向的光透过所述选择性反射层9，从而可以增加该显示面板的发光层2发出的光的透过率。

综上，本申请通过在与所述像素开口71对应的所述凹陷区域101内设置与所述发光层2相隔更近的所述选择性反射层9，可以提高所述发光层2发出的光的透射率，从而提高该显示面板的出光效率，进而可以降低显示面板的功耗。

在一种可能的实施方式中，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括本申请中所述的显示面板。该电子设备可以包括具有图像处理能力的设备，例如，服务器、个人电脑、笔记本电脑等。由于该电子设备包括本申请中的显示面板，因此该电子设备的出光率更高，可以改善屏体亮度衰减加快的现象。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。