一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法

技术领域

本发明涉及真空电子技术领域。更具体地，涉及一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法。

背景技术

当前制备微型化原子气室，一般采用微机电系统(MEMS)标准工艺：采用光刻、湿法或干法刻蚀形成硅片空腔结构，充入碱金属原子后，通过阳极键合实现玻璃-硅空腔-玻璃的封装。MEMS工艺制备碱金属原子气室，其实用化的一大技术挑战，是在工作寿命期内原子气室内部碱金属蒸气的足量维持。由于体积整体缩小的原因，MEMS微气室的碱金属充填量相对传统原子气室也相应大幅减少，并且这些碱金属还会随着器件工作不断消耗。一旦逐渐消耗的碱金属不足以维持气室内部的饱和蒸气压，就会显著影响原子气室的工作性能，或者可能导致器件失效。研究表明，微加工原子气室碱金属逐渐减少的原因有两个：一是原子直接向气室内壁层的扩散逃逸；二是碱金属与气室内壁材料发生化学反应产生消耗，具体地，制备原子气室的阳极键合技术，要求必须使用富含钠离子的硼硅玻璃和硅片作为器壁材料，而碱金属除了向玻璃内部扩散消失以外，也很容易和硼硅玻璃中的氧化钠发生置换反应，导致数量减少。

在原子气室内壁涂覆保护层，将碱金属与原子气室材料实现物理隔离，是防止气室内碱金属消耗的有效手段。理论上，氧化物能够很好实现致密薄膜，并且很多氧化物的Gibbs自由能都大于碱金属氧化物，不易与碱金属发生反应，足以用作保护层材料。

现有文献公开的方法，通过MEMS技术在原子气室内壁制作保护层，有效地将气室内壁相对碱金属原子阻力提升100倍，有望大幅提升碱金属原子气室的寿命。然而这些文献保护层制备方法，存在两个重要缺陷，阻碍了原子气室质量及寿命的进一步提升。其一是：使用原子层、分子层沉积方法，需要匹配合适的材料前驱体，很大程度上限制了可使用保护层材料的种类；其二是该方法没有、并且也不适合对保护层进行图形化，会使得在上层玻璃和硅基底键合界面之间也有保护层存在，这个中间保护层严重影响阳极键合的效果，排除了很多潜在保护层材料(该材料存在于阳极键合界面会导致键合失败)的尝试。其导致的结果就是：现有文献方法保护层仅能采用氧化铝材料，并且由此得到的原子气室，由于氧化铝中间层的存在，在键合强度和气密性方面存在疑问，依然会影响器件的长期应用。

因此无论从科学研究，还是实用化的角度出发，都迫切需要一种实用可靠的微型原子气室制备工艺，以实现原子气室的高强度键合和高质量气密性能。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的一个目的在于提供一种具有内壁保护层的微型原子气室的制备方法。该方法可用于多种保护层材料，保护层能够图形化，制得的微型原子气室的内壁保护层仅存在于气室内表面，既能有效阻隔碱金属和气室内壁接触，同时又不影响气室的键合界面。

本发明的另一个目的在于提供一种具有内壁保护层的微型原子气室。

为达到上述第一个目的，本发明提供一种具有内壁保护层的微型原子气室结构的制备方法，包括如下步骤：

1)提供具有通孔结构的硅基体；

2)将所述硅基体的下表面与第一玻璃层进行阳极键合，使所述通孔结构和所述第一玻璃层构成承载腔；

3)在所述硅基体的上表面以及所述通孔结构的侧壁上边缘沉积牺牲层；然后在所述牺牲层的表面以及所述承载腔的内表面沉积保护层；其中，所述侧壁上边缘的高度不超过所述保护层的厚度；

4)腐蚀去除所述牺牲层及所述牺牲层表面的保护层；

5)在包含保护层的承载腔内填充碱金属；

6)在第二玻璃层的表面制作图形化的保护层，使所述图形化的保护层与承载腔内的下表面相对应；

7)将所述硅基体的上表面与所述第二玻璃层进行阳极键合，使保护层和图形化的保护层完全覆盖原子气室内壁表面。

优选地，所述一次阳极键合是在真空环境中，键合电压为200V-1200V，键合温度为200℃-500℃，键合压力为1000N-1500N的条件下进行的。

优选地，所述二次阳极键合是在真空环境中，键合电压为200V-800V，键合温度为200℃-300℃，键合压力为1500N-2000N的条件下进行的。

优选地，所述第一玻璃层和第二玻璃层的材质为硼硅玻璃；优选为康宁Pyrex7740玻璃或肖特BF33玻璃。

优选地，所述第一玻璃层或第二玻璃层的厚度在200μm-500μm范围内。

优选地，所述硅基体为双面抛光的P型掺杂硅片。

优选地，所述硅基体的厚度在1mm-5mm范围内。

优选地，所述保护层和所述图形化的保护层的材料相同，选自氧化硼、氧化铝、氧化钛、氧化镁、氧化锆、氧化钙、氮化硅中的一种。

优选地，所述保护层和所述图形化的保护层的相同，厚度在10nm-20nm范围内。

优选地，所述碱金属的填充量在1μg-50μg范围内。

为达到上述第二个目的，本发明提供一种具有内壁保护层的微型原子气室，其结构包括：从上到下依次设置的第二玻璃层、具有通孔结构的硅基体和第二玻璃层；所述通孔结构、第一玻璃层和第二玻璃层构成微型原子气室；所述微型原子气室内表面被保护层完全覆盖，碱金属被保护层隔离在微型原子气室的内部。

本发明的有益效果如下：

1、本发明的提供的制备方法具有普适性，适用于多种保护层材料，而且该制备方法完全兼容MEMS及微电子工艺，能可靠地实现原子气室的批量化制作，工艺流程简单易实施，可操作性强。

2、本发明提供的微型原子气室的内壁保护层可避免碱金属和原子气室内壁直接接触，防止碱金属原子因为扩散进入内壁或与内壁材料发生化学反应导致的数量减少，从而能够提高原子气室的寿命。

3、本发明提供的微型原子气室的保护层能够图形化，仅存在于气室的内表面，不影响原子气室键合工艺界面，利于实现高强度、高气密性原子气室。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出本发明提供具有内壁保护层的微型原子气室结构图。

图2a至图2h示出本发明提供具有内壁保护层的微型原子气室的制备流程图。

图3示出本发明实施例1制备的氧化铝保护层表面的显微照片。

图4示出本发明实施例1制备的微型原子气室阵列。

图5示出本发明实施例1制备的单个微型原子气室。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合附图对本发明做进一步的说明。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

针对现有技术中制作微型原子气室保护层能够匹配的材料有限，保护层存在原子气室键合面，影响键合质量导致键合强度低、气密性差等问题，本发明的主要目的在于提供一种具有内壁保护层的微型原子气室的制备方法，所述微型原子气室如图1所示，其制备方法具体包括如下步骤：

1)提供具有通孔结构12的硅基体11；

2)将所述硅基体的下表面与第一玻璃层13进行阳极键合，使所述通孔结构12和所述第一玻璃层13构成承载腔；

3)在所述硅基体的上表面以及所述通孔结构12的侧壁上边缘沉积牺牲层14；然后在所述牺牲层14的表面以及所述承载腔的内表面沉积保护层15；其中，所述侧壁上边缘的高度不超过所述保护层的厚度；

4)腐蚀去除牺牲层14及牺牲层表面的保护层；

5)在包含保护层的承载腔内填充碱金属17；

6)在第二玻璃层18的表面制作图形化的保护层19，使所述图形化的保护层与承载腔的下表面相对应；

7)将所述硅基体的上表面与所述第二玻璃层18进行阳极键合，使保护层15和图形化的保护层19完全覆盖原子气室内壁表面。

本发明中，保护层15和保护层19连成一体，完全覆盖了所述微型原子气室内壁，且保护层不存在于所述第二玻璃层18和硅基体11的接触面、以及第一玻璃层13和硅基体11的接触面。也就是说，硅片和玻璃的键合面不存在多余材料，由此，本发明制得的微型原子气室的键合强度和气密性更加优异。

需要说明的是，所述保护层15和保护层19的要求，其一，是容易形成均匀致密薄膜；其二，是保护层本身不与碱金属17发生反应，即所述保护层材料的Gibbs自由能数值要大于所述碱金属17氧化物的数值。所述碱金属17包括但不限于原子气室常用的金属铯和金属铷等，在一个优选例中，所述碱金属17氧化物为氧化铯，其Gibbs自由能数值为326.4kJ/mol，所述保护层15和保护层19材料，包括但不限于氧化硼(1181.1kJ/mol)、氧化铝(1576.5kJ/mol)、氧化钛(889.1kJ/mol)、氧化镁(559.4kJ/mol)、氧化锆(1094.0kJ/mol)、氧化钙(604.2kJ/mol)、氮化硅(642.6kJ/mol)等。

所述保护层15和保护层19厚度选择依据两个原则：必须保证一定的厚度下限，以形成连续薄膜；并且设置一定的厚度上限，保证玻璃层透光性。本发明中采用常规真空镀膜方法得到连续薄膜，其厚度下限接近10nm。薄膜透光性和材料性质以及膜层厚度相关，如在一个优选例中表明，表面附着厚度为22nm的氧化铝薄膜对硼硅玻璃透光率几乎没有影响，而厚度20nm的氧化钛附着层则将硼硅玻璃透光率由93％轻微降低至87％。综合考虑上述因素，在本发明的一个优选实施例中，所述保护层15和保护层19的厚度在10-20nm范围内。

所述碱金属17的填充量选择依据为该碱金属在原子气室工作温度下达到饱和蒸汽压所需数量的10万倍。在一个优选实施例中，对于容积2mm×2mm×1mm的原子气室，根据理想气体状态方程计算得到，工作在80℃碱金属铯所需量为1.77μg。综合考量本实施例中原子气室容积及碱金属种类，所述碱金属17填充量优选在1-50μg范围内。

所述第一玻璃层或第二玻璃层的厚度选择基于两点：一方面要求足够厚度，保证原子气室的机械支撑强度，以及在键合工艺中不易碎裂；一方面希望较薄厚度，以减少原子气室工作时由于温度耗散带来的功耗。综合考虑，其厚度优选在200-500μm范围内，另外，所述第一玻璃层和第二玻璃层的厚度可以相同也可以不同，优选为相同厚度。

进一步，本发明现结合图2a-2h详细说明上述步骤：

步骤1)中，所述通孔结构12是硅基体11通过光刻和刻蚀工艺获得的，如图2a所示。

其中，硅片的通孔腐蚀技术，是标准的半导体微加工技术，通过光刻和硅材料刻蚀工艺实现。硅材料刻蚀可以通过两种方式实现：氢氧化钾溶液湿法腐蚀工艺和深反应离子干法刻蚀工艺。在一个示例中，采用20％氢氧化钾溶液在85℃腐蚀硅基体，以氮化硅作为掩蔽层，为减小侧壁倾角的影响，采用双面腐蚀方法；在另一个示例中，分别采用六氟化硫和八氟环丁烷作为刻蚀和保护气体干法刻蚀硅基体，以商用AZ4620正性光刻胶作为掩蔽层。

所述硅基体优选自双面抛光的P型掺杂硅片，P型掺杂硅片中载流子的多为空穴而非电子，更利于和耗尽层间形成静电力；双面抛光的需求在于，硅基体上下表面需要分别与第一玻璃层和第二玻璃层键合，而抛光表面对于键合工艺非常必要。

所述硅基体的厚度决定了所述硅基体通孔结构的高度，通孔结构的高度数值基本决定了原子气室纵向长度；根据不同应用场景要求相应微型原子气室纵向长度范围，所述硅基体的厚度优选在1-5mm范围。

所述通孔结构的形状决定了微型原子气室的形状，而实际原子气室基本要求轴对称结构，对具体形状无特殊要求。结合常规硅片通孔微加工工艺实现方便性，所述硅基体通孔结构形状可以选自圆形、正方形、以及其他正多边形。根据不同应用场景要求相应原子气室容积，结合所述通孔结构的高度，所述通孔结构的直径、边长、对角长度优选在1-5mm范围内。

步骤2)中，将具有通孔结构12的硅基体11和第一玻璃层13通过阳极键合，通孔结构12和第一玻璃层13形成承载腔结构，如图2b所示。

其中，阳极键合工艺是现代最主要的MEMS封装技术之一，能够实现高强度和高气密性封装的微型气室，其主要适用材料是硼硅玻璃和硅片，主要通过高压力、高温度和电场，使得玻璃中钠离子产生迁移运动，在玻璃和硅片界面处产生静电力和化学键完成。在一个示例中，阳极键合设备使用SUSS公司SB6键合机，所述第一玻璃层采用肖特BF33玻璃，真空环境下，键合电压范围200-1200V，键合温度范围200-500℃，键合压力范围1000-1500N。

步骤3)中，采用表面小倾角真空镀膜的方法，仅在硅基体11上表面和通孔结构12上边缘沉积一层牺牲层14，如图2c所示。同时采用表面大倾角真空镀膜的方法，在承载腔内表面和牺牲层14表面形成承载腔的保护层15和冗余保护层16，如图2d所示。

其中，制作所述牺牲层是为了通过牺牲层剥离技术将后续形成的保护层材料图形化，使保护层仅留存在通孔结构和第一玻璃层形成的承载腔表面。

为实现通孔结构上边缘沉积牺牲层目的，可以通过沿垂直法线方向旋转硅基体和第一玻璃层的结合体，同时在其表面非常小的倾角方向以平行束流入射镀膜，利用“视线”沉积原理实现。在一个示例中，平行束流采用电子束蒸发源产生，倾角角度依据硅通孔的尺寸控制在0-5度，牺牲层的厚度范围为20-50nm，牺牲层覆盖硅通孔部分的高度，一般不超过后续形成保护层厚度。

另外，为能够在承载腔内壁表面形成全覆盖的保护层，使用真空镀膜方法时，在旋转基片的同时保持平行镀膜束流以一个倾斜的角度入射，利用“视线”沉积原理实现。在一个示例中，保护层材料选用氧化铝，平行束流采用电子束蒸发源产生，倾角角度依据通孔结构的高度和横向尺寸调整，控制在30-60度可以得到均匀膜层，承载腔的保护层和冗余保护层的厚度范围为10-20nm。

步骤4)中，腐蚀去除牺牲层14，连带去除牺牲层14表面的冗余保护层16，只留下承载腔内的保护层15，如图2e所示。

其中，本步骤的目的是对已形成的保护层实施图形化，留下承载腔内保护层，以便隔绝后续填充的碱金属；同时获得一个清洁的硅基体上表面，后续能够和第二玻璃层高质量键合。

可以理解，所述牺牲层和硅基体、第一玻璃层、第二玻璃层和保护层等的材料都需要具有防腐性，避免腐蚀剥离过程伤害气室结构。在一个示例中，牺牲层的材料选自与微加工技术兼容的金属材料，包括但不限于铝、铜等。在另一具体示例中，牺牲层采用金属铝，厚度为40nm；保护层采用氧化铝，厚度为20nm；腐蚀液采用浓度20％HCl，该腐蚀液能有效溶解牺牲层，连带剥离冗余保护层，并且不伤及承载腔结构，以及内部的保护层。

步骤5)中，在包含保护层15的承载腔内充填碱金属17，如图2f所示。

其中，原子气室充填碱金属的方法包括：直接填充液态碱金属、化学反应方法填充液态碱金属；在一个示例中，利用移液器，直接转移金属铯液滴至气室承载腔。在另一个示例中，在承载腔中装填叠氮化铯颗粒，气室封装后整体加热至300℃，使叠氮化铯分解生成金属铯和氮气。

步骤6)中，通过光刻、真空镀膜和剥离工艺，在第二玻璃层18的表面制作图形化的保护层19，如图2g所示。

可以理解，所述图形化的保护层的长边长度要与承载腔内表面的长边长度保持一致。

另外，直接以光刻胶为牺牲层的剥离工艺，是现代微加工技术的一项标准工艺，无需特定腐蚀液，即可容易实现很多薄膜材料的图形化制作。在一个示例中，光刻胶使用商用Shipley1813光刻胶，厚度1.4μm，显影液和去胶剂分别使用配套的MF319和N型甲基吡咯烷酮(NMP)；上盖板保护层19使用氧化铝，厚度为20nm。光刻胶和保护层的高度差别，使得剥离工艺过程相对简单。

步骤7)中，将包含第二玻璃层18与硅基体11和第一玻璃层13的结合体对准，并使用阳极键合使之结合一体，得到具有内壁保护层的原子气室，如图2h所示。

本步骤要求的对准，实质是将图形化的保护层和通孔结构严格对应，由此图形化的保护层不会影响第二玻璃层和硅基体的阳极键合工艺；并且键合后，图形化的板保护层和承载腔内保护层一起在承载腔内部形成完整的原子气室内壁保护层。

此外，由于本步骤中承载腔中已经存在了不耐高温的碱金属17，并且原子气室工作要求需要封存一定气压的缓冲气体，因而键合工艺需要做出相应改变，总体原则是使用较低的键合温度、较低的键合电压和较高的键合压力。在一个示例中，阳极键合设备使用SUSS公司SB6键合机，上层玻璃18采用肖特BF33玻璃，键合电压范围200-800V，键合温度范围200-300℃，键合压力范围1500-2000N。此外，由于键合时硅基体已经被第一玻璃层遮盖，不能直接接触键合电极，需要从硅基体侧面引出电引线连接键合设备的电极板。

本发明的另一个目的是提供一种由上述方法获得的具有内壁保护层的微型原子气室结构，如图1所示，其结构中包括：从上到下依次设置的第二玻璃层18、具有通孔结构12的硅基体11和第一玻璃层13，其中，所述通孔结构12、第一玻璃层13和第二玻璃层18构成微型原子气室；所述微型原子气室内表面被保护层完全覆盖，碱金属17被保护层隔离在微型原子气室内部。

可以理解，所述微型原子气室内表面被保护层(包括保护层15和保护层19)完全覆盖，而且碱金属17置于在原子气室内部，不与第二玻璃层18、第一玻璃层13和硅基体11接触。

以下，结合具体实施例进行说明：

实施例1

一种具有内壁保护层的微型原子气室，其结构如图1所示，其结构包括从上到下依次设置的第二玻璃层18、硅基体11和第一玻璃层13，其中硅基体11包含通孔结构12，通孔结构12和第一玻璃13构成承载腔，承载腔进而和第二玻璃18构成原子气室；所述微型原子气室内表面被保护层(保护层15和保护层19)完全覆盖，碱金属被保护层隔离在微型原子气室内部。

其制作方法包括如下步骤：

1、选用直径4英寸、厚度1mm的P型掺杂双面抛光硅片作为硅基体11，以Shipley1813为光刻胶，以化学气相沉积的氮化硅为掩蔽层，以氢氧化钾溶液作为硅基腐蚀液，通过标准光刻、湿法腐蚀工艺，形成硅通孔12。氢氧化钾腐蚀溶液浓度20％，腐蚀温度85℃，双面同时腐蚀6小时完成1mm厚度通孔，在4英寸硅片得到密布正方形通孔结构12阵列，通孔边长2mm，通孔中心间距10mm，如图2a所示。

2、将具有通孔结构12的硅基体11和第一玻璃层13进行阳极键合。第一玻璃层13选用直径4英寸、厚度0.5mm的肖特BF33玻璃，阳极键合设备使用SUSS公司SB6键合机，10

3、沿表面法线方向，以30RPM速率，旋转由步骤二得到的硅基体11和第一玻璃层13的结合体，同时在平面夹角2度方向，用平行电子束蒸发方法，向结合体表面真空蒸镀金属铝。电子枪功率2kW，蒸镀10分钟，形成约40nm厚度金属铝牺牲层14。由于“视线”角度，牺牲层14仅存在于硅基体11上表面，以及通孔结构12的上边缘部位，如图2c所示。

4、继续保持30RPM速率，旋转由步骤3得到结构，同时在平面夹角45度方向，用平行电子束蒸发方法，向结构表面真空蒸镀氧化铝。电子枪功率3kW，蒸镀2分钟。氧化铝沉积在牺牲层14表面，形成厚度20nm的冗余保护层16；同时由于“视线”角度，氧化铝也进入由硅通孔12和第一玻璃层13形成的承载腔，沉积在内壁表面形成厚度20nm的保护层15，如图2d所示。

5、采用浓度20％HCl，腐蚀去除牺牲层14，牺牲层14被溶解后，依附于牺牲层14上的冗余保护层16随之被剥离，露出洁净的硅基体11上表面。浓度20％HCl腐蚀液，不会影响牺牲层14以外材料构成的所有其余结构，包括硅基体11、第一玻璃层13和承载腔内保护层15，如图2e所示。

6、在水氧值低于0.01ppm的手套箱中，使用微型移液器，将5μg液态的金属铯-碱金属17直接滴注在承载腔内，由于承载腔保护层15得存在，碱金属铯不和构成承载腔的硅基体11以及第一玻璃层13接触，如图2f所示。

7、使用标准的光刻、电子束真空镀膜和光刻胶剥离技术，以厚度1.4μm的Shipley1813光刻胶为牺牲层，MF319为显影液，NMP为去胶剂，在上层玻璃18表面制作图形化的上盖板保护层19。第二玻璃层18选用直径4英寸、厚度0.5mm的肖特BF33玻璃。保护层19同样为厚度20nm的氧化铝薄膜，图形化为密布在4英寸玻璃片上的正方形阵列，正方形边长2mm，中心间距10mm，图形的位置和大小，与硅基体11上的硅通孔构12阵列图形严格一一对应，如图2g所示。

8、将包含保护层19的第二玻璃层18与由硅基体11和第一玻璃层13构成的结合体对准，也即将保护层19和硅通孔12严格对应以后，使用阳极键合技术将二者结合一体。本步骤阳极键合设备使用SUSS公司SB6键合机，本底真空度10

图3示出了Hitachi S4800扫描电镜观测的实施例1制备氧化铝保护层表面照片，图中可以看出其膜层细腻均匀，BRUKER Dimension Icon原子力显微镜测量表明，其光洁度优于2nm。

由实施例1得到的4英寸基片上密布原子气室，其键合良品率接近100％，如图4所示。对切割完成的单个原子气室，外形尺寸10mm×10mm×2mm，气室尺寸2mm×2mm×1mm，如图5所示，测试其键合质量。Royce650剪切力测试仪表明，第二玻璃层、硅基体、第一玻璃层，两两之间的层键合力均大于21kg(仪器极限)，与未使用保护层的微型原子气室样品的键合力一致。PHOENIXL 300氦质谱检漏仪表明，该原子气室漏气率优于1.0×10

实施例2

一种具有内壁保护层的微型原子气室，其结构如图1所示，其结构包括从上到下依次设置的第二玻璃层18、硅基体11和第一玻璃层13，其中硅基体11包含通孔结构12，通孔结构12和第一玻璃层13构成承载腔，承载腔进而和上层玻璃18构成原子气室；所述微型原子气室内表面被保护层(保护层15和保护层19)完全覆盖，碱金属被保护层封裹在微型原子气室内部原。其制作方法包括重复实施例1，区别在于：

步骤1中，采用深反应离子刻蚀技术硅形成通孔结构12，刻蚀设备使用STS公司LPXASE

步骤3中，向结合体表面真空蒸镀金属铜。电子枪功率2.5kW，蒸镀10分钟，形成约40nm厚度金属铜牺牲层14。

步骤4中，向结构表面真空蒸镀氧化钛。电子枪功率3kW，蒸镀2分钟。氧化钛沉积在牺牲层14表面，形成厚度20nm的冗余保护层16。

步骤5中，采用铜腐蚀液(Cr

步骤6中，在大气环境中，向承载腔内填充10μg叠氮化铯颗粒。

步骤7中，保护层19使用厚度20nm的氧化钛薄膜。

步骤8中，完成阳极键合后，原子气室整体加热至300℃，使叠氮化铯分解成为金属铯和氮气。

按照实施例1的方法测试其键合质量及该微型原子气室的漏气率，结果与实施例1基本一致。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。