晶体生长

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆的背面刻蚀液及刻蚀方法。其中方法包括将晶圆经上料区上料；将晶圆从上料区置于第一刻蚀槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面进行刻蚀；将晶圆置于第一溢流槽内进行第一次清洗；将晶圆置于第二刻蚀槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面再次进行刻蚀；将晶圆置于第二溢流槽内进行第二次清洗；将晶圆置于氢氟酸槽，晶圆浸入氢氟酸液中去除表面的自然氧化膜；将晶圆置于第三溢流槽内进行第三次清洗；将晶圆经下料区下料，完成晶圆的刻蚀。采用本发明刻蚀液及方法得到的晶圆，表面平坦度好，一致性好，质量较佳。

本发明适用于光电技术领域，提供了一种稀土掺杂单晶钙钛矿及其制备方法和光电探测器，上述稀土掺杂单晶钙钛矿为稀土离子掺杂的CHNHPbX单晶钙钛矿；其中，X为卤素。上述光电探测器包括上述稀土掺杂单晶钙钛矿以及沉积在上述稀土掺杂单晶钙钛矿上的银电极。本发明通过将一些稀土离子掺杂到单晶钙钛矿材料中，使得单晶钙钛矿不仅显示出自身良好的稳定性、长的载流子扩散长度和高的载流子迁移率，而且在红外波段出现了稀土离子的红外发光，其制备的光电探测器件可对980nm、1540nm等红外光进行准确探测，其响应度和灵敏度均很好，而且该器件的结构简单，具有很高的环境稳定性，有很大的市场应用前景。

本申请公开了一种自调控生长取向的柔性自支撑单晶FeO薄膜材料的制备、薄膜材料及单晶结构。其制备方法为：选择晶面取向为(001)的STO基片；在STO基片上制备单晶SAO层；在SAO层上制备调控薄层；在调控薄层上制备单晶磁性FeO薄膜，形成STO/SAO/调控薄层/FeO单晶结构；将STO/SAO/调控薄层/FeO单晶结构浸泡于水中溶解SAO层制得一面覆有调控薄层的柔性自支撑单晶FeO薄膜材料。本申请根据需求自调控获得具有不同生长取向的柔性自支撑单晶FeO薄膜材料，有利于在其上生长具有不同晶格参数的外延异质结，大大扩展了单晶FeO薄膜材料在可穿戴电子产品领域的应用。

本发明涉及无机材料技术领域，特别是涉及一种用于塑料增强的增白碳酸钙晶须及其制备方法。本发明首先制备了碳酸钙晶须，然后利用钛酸四丁酯在醋酸条件下水解形成二氧化钛，使碳酸钙晶须的表面包覆一层二氧化钛，少量的醋酸会使形成的二氧化钛与碳酸钙晶须表面牢固结合。本发明得到的碳酸钙晶须色白，用于塑料的增强可以获得兼具强度和增白的目的，克服了直接添加颗粒状二氧化钛难以遮盖纤维状材料的缺陷。进一步的，碳酸钙晶须具有丰富的界面，通过在界面形成为二氧化钛，使二氧化钛的界面遮盖增白作用得到最大的发挥；特别是在白色家电等塑料的增强中具有巨大的应用空间。

本发明涉及一种锆氟碘酸铯二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为CsZrF(IO)，分子量为475.03，属于正交晶系，其空间群为Ima2，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为本发明的锆氟碘酸铯晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的4.5倍，在波长1064nm的激光下测得其激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性材料银镓硫的68倍。此外，该晶体材料在紫外‑可见光‑红外光区(0.3～8μm)有很宽的透过范围，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。

本发明提供了一种多晶硅材料及其制备方法。该技术方案基于金属离子掺杂原理对多晶硅的组成成分进行复配，引入微量的CoCl、AgCrO、BaClO等成分，并采用TiC、GaAs对晶体结构加以保护，同时优化了配方比例。在此基础上，给出了该多晶硅材料的制备方法，该方法以改良西门子法为基础，在制备SiHCl的过程中加入四氯化锗、Bi(NO)、BaClO，得到掺杂型三氯氢硅；而后进行冷凝除杂，并进一步掺杂CoCl、AgCrO、三硅酸镁；在还原工艺中将TiC、GaAs与三氯氢硅一同汽化后送入还原炉，随着晶体的生长，金属离子嵌合在晶格中，进而得到本发明多晶硅材料。该多晶硅材料的光电转换效率可达28％左右，同时使用寿命明显延长，具有突出的技术优势。

本发明公开了一种单晶硅制造用单晶炉及其安装固定方法，该单晶炉包括单晶炉本体、固定座和底座，单晶炉本体固定安装于底座顶端的中部，底座底端的中部设置有圆柱形凸起，固定座顶端的中部固定安装有安装座，安装座内端的顶部设置有圆槽，圆柱形凸起的底部滑动安装于圆槽内，圆槽内端的底部固定安装有缓冲垫；本发明的有益效果是：本发明一种单晶硅制造用单晶炉，通过在圆槽内设置缓冲垫可以在安装时起到缓冲作用，通过加固机构和固定环均可进一步的对单晶炉本体进行加固，稳固性较好，安装时首先将固定座安装在地面上，然后再进行单晶炉本体进行安装，简化了单晶炉本体的安装流程，安装过程中不易对单晶炉本体造成损坏。

本发明公开了一种蓝宝石棒的熔接方法，包括如下步骤：步骤1：将第一蓝宝石棒和第二蓝宝石棒的连接端部置于光学浮区炉中的熔融区内；步骤2：以1～30℃/min的升温速率对熔融区升温加热，最终将熔融区温度控制在2047～2050℃；步骤3：当第一蓝宝石棒和第二蓝宝石棒的连接端部充分熔融后，以0.1～1℃/min的降温速率对熔融区进行降温30～200min，完成熔接过程；步骤4：对熔融区进行降温冷却，直至温度低于50℃，并从光学浮区炉中取出熔接成一体的蓝宝石棒。本发明的优点在于，通过重复上述步骤进行蓝宝石棒的多次熔接，即可得到较长的蓝宝石棒，大大缩短了蓝宝石棒的生产时间，提高光学浮区炉的使用效率，进而降低了蓝宝石棒生产成本。

本发明公开了一种半导体级硅单晶炉的排气装置，针对现有的排气装置大多是单向的排气设置，容易造成单晶炉内温度的分布不均匀，从而出现制取单晶硅质量变差的问题，现提出以下方案，包括炉体，所述炉体的外壁上固定连接等距离分布的存气盒，两个所述存气盒的相邻一侧外壁上固定连接有同一个连接管，所述连接管的一侧外壁上固定连接有出气管，所述存气盒的一侧外壁上固定连接有连接块。本发明挡风槽将转动过程中阻挡的气体在一定空间内搅乱，然后在分流槽的作用下分散在安装板附近，结合抽气泵的作用，保证了从吸气孔吸入的气体是热量混合均匀的气体，不会造成炉体内部石英坩埚周围温度不均，保证了单晶硅制备的稳定进行。

本发明涉及磷化铟晶体制备技术领域，具体涉及一种磷化铟晶体合成和生长工艺及装置。本发明在熔体坩埚的外部设置的电磁约束感应器，约束熔体横向截面尺寸和形状，使熔体的侧面与坩埚的内壁脱离接触或部分脱离接触。在坩埚的上部设置的电磁加热感应器，加热磷化铟晶体，控制晶体中的温度梯度。由于熔体与石英坩埚壁间形成间隔，减少了熔体与坩埚的接触面积，有利于降低坩埚中杂质对磷化铟晶体的污染；同时由于增加了熔体与磷蒸汽的接触面积，使得磷原子可以更有效地向熔体内部扩散，有利于提高晶体合成和生长速度，而控制熔体横向截面尺寸及形状和晶体中的温度梯度，有利于提高晶体生长的稳定性。

一种易潮解KDP功能晶体局部凹凸表面的等材修平方法，属于工程光学领域，用以解决由于现有表面微机械处理方法的局限性而导致的不能实现KDP功能晶体局部凹凸表面的平整化处理的问题。该方法的技术要点在于基于KDP晶体材料的易潮解特性，不增加或减少晶体材料，通过控制晶体元件加工环境的湿度，使晶体处于高湿度环境下，在微探针与KDP晶体表面形成水半月板，利用水溶剂的介入作用，对晶体表面局部凹凸形貌进行等材修平以实现晶体元件表面局部凹凸形貌的平整化处理。本发明可用于提升光学元件的激光损伤阈值和使用寿命。

本发明公开了一种快速合成多晶金刚石的生产工艺和生产设备，涉及金刚石生产的技术领域，包括合成块液压、合成块砸碎、电解、球磨、酸碱洗和清洗烘干等步骤，以及合成多晶金刚石的部分生产设备包括电解清洗设备和酸碱洗设备，将合成块装入液压机内，在压力为130MPa‑140MPa,温度为1500℃‑1800℃的条件下保持20分钟将合成块转化为多晶金刚石；利用电解法去除多晶金刚石颗粒的金属介媒；酸碱洗，首先将金刚石颗粒放入硝酸溶液中，从而去除多晶金刚石颗粒中的金属，然后将多晶金刚石颗粒放入氢氧化钠溶液中进行碱洗，本发明制备方法简单，制备过程简洁明了，适合大规模推广，同时在电解的过程中方便工作人员将多晶金刚石颗粒取出，提高工作效率。

本发明提供铌酸锂单晶薄膜及其制作方法，制作方法包括：在原料铌酸锂晶圆的光学级表面上制备介质层；穿过介质层朝向光学级表面注入离子，离子穿透光学级表面后形成离子层，在离子层和介质层之间形成单晶铌酸锂薄层；将载体晶圆与介质层键合；加热至第一预设温度，使单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离并存留在介质层上；加热至第二预设温度，第二预设温度大于第一预设温度。通过单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离，并牢固地位于介质层上，以可实现稳定的光波导。

本发明涉及一种具有纯面切变振动模态晶体切型及其在无损探伤领域中的应用，所述晶体材料为稀土磷酸盐晶体，确定出晶体的X、Y和Z轴方向，物理学坐标轴X、Y和Z轴分别平行于晶体学坐标轴a、b和c轴，具有纯面切变振动模态晶体切型为晶体绕着X轴旋转角度α或绕着Y轴旋转角度β或者绕着Z轴旋转角度γ进行切割获得的晶体。本发明的具有纯面切变振动模态晶体切型，采用稀土磷酸盐晶体，只有面切变振动模态，能够激发出纯的SH0波，并且加工方法简单，只需要确定X、Y、或Z轴所在方向，便可直接加工出最优晶体切型，不需要进行角度旋转，样品制备简便。

本发明公开了一种掺铥的2μm激光晶体及其制备方法。所述晶体为双钙钛矿结构，属于立方晶系，晶体的组成表达式为AMMX：xTm；其中，A为一价阳离子，M为一价阳离子，M为三价阳离子，X为卤素阴离子，并且0

本发明公开了一种掺钬的2μm激光晶体及其制备方法。所述晶体的结构为双钙钛矿结构，属于立方晶系，晶体的组成表达式为AMMX：xHo；其中，A为一价阳离子，M为一价阳离子，M为三价阳离子，X为卤素阴离子，并且0

本发明涉及一种处理从硅锭制成晶片的切割步骤中收回的冷却液的方法，所述切割步骤基于金刚石固定磨料工艺，所述冷却液在此被称为悬浮液，该悬浮液是包含锯屑颗粒和诸如表面活性剂、润滑剂、消泡剂的添加剂的水溶液，所述添加剂具有低于5体积％的浓度，所述方法包括用于至少部分地分离所述悬浮液中硅颗粒和液体部分的步骤，所述步骤包括：‑附聚步骤(100‑3)，其中将悬浮液在容器中储存一段长于10分钟的预定时长以使剩余的锯屑颗粒能够附聚而形成锯屑颗粒簇(100‑3‑2)，‑离心步骤(100‑4)，以产生包括锯屑颗粒簇的离心滤饼或高粘度悬浮液以及包括所述悬浮液的液体部分的离心液，其中所述离心液具有低于10g/L、优选地低于1g/L的锯屑颗粒浓度。

半导体晶片中，在碳化硅晶片(10a)的表面具备由碳化硅构成的外延层(10b)。该半导体晶片中，通过进行外延层的表面的平坦度的评价的表面形状测定装置，在评价区内进行上述外延层的多个点的高度测定，并且进行基于该测定的高度的最小二乘法的运算从而决定表面基准面，在中心位置与评价区相同并且范围与评价区不同的曝光区内，以表面基准面为基准，将最高位置的高度设为α，将最低位置的高度设为β，将弯曲值设为|α|+|β|时，使得满足弯曲值为1μm以下的条件。

一种高质量BIBO晶体生长方法，采用氧化铋和硼酸为原料，采用异形坩埚为生长装置，所述坩埚采用铂金材质，坩埚呈倒圆锥形；籽晶杆采用铂金材质，籽晶浸没熔体中，位于熔体中部；所述坩埚置于炉膛中部，所述炉膛坩埚位置的温度变化范围在1℃以内。本发明采用倒圆锥形的异形坩埚，优选内侧面具有小锯齿，坩埚斜面与竖直方向的夹角为30~45℃，满足了BIBO晶体往下生长的需求，并且加强熔体的对流，提高了均匀性；有效降低外界温度波动对晶体生长的影响，保证晶体生长部位熔体的均匀性，充分搅拌熔体，以获得最佳晶体质量的BIBO晶体。

本发明公开了一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法。制备含有助熔剂的多晶料棒；在光学浮区炉中，以高于正常生长速度约50%的速度，快速进行预生长；快速预生长即将结束时，即料棒头部仅剩约0.5cm时，在温度和转速不变的情况下，停止熔区移动约1分钟；将得到的预生长多晶料棒作为熔体部分，将剩余的料棒头作为籽晶，开始反向移动熔区，熔区移动的速率降为0.5mm/min，即采用光学浮区炉实现了TSSG顶部籽晶法生长的效果，本专利称之为助熔剂倒提拉法；在所述的两个完全相反的生长过程中，始终保持固液界面平缓连接，全程不中断，直至生长过程结束。本方法制备的单晶具有工艺简单，周期短和稳定性好的特点，所生长的晶体缺陷浓度低、光学质量高。

本发明提供了一种水硼铍石晶体作为非线性光学材料在制备非线性光学器件中的应用，结果表明，本发明提供的水硼铍石晶体作为非线性光学材料，它的倍频系数约为KBeBOF晶体的1‑2倍。它的紫外吸收边小于170纳米。它的光学双折射率约为0.08到0.10。它的最短相位匹配倍频输出波长小于175纳米，可以实现177.3纳米和193.7纳米的深紫外相干光倍频输出和266纳米的紫外相干光倍频输出。可见，水硼铍石晶体(Be(BO)(OH，F)·(HO))具有良好的二阶非线性光学效应，可作为良好的深紫外非线性光学材料和深紫外双折射材料，并能够在各种非线性光学领域中得到广泛应用，尤其是在紫外和深紫外波段的非线性光学应用。

本发明公开了一种用于单晶炉的主加热器，包括发热区和电极脚板，电极脚板设置于发热区的底端，发热区为圆筒状结构，发热区的表面上沿轴线方向上下交替开设有加热槽，发热区由均等等分的四瓣发热片按圆周拼接而成，四瓣发热片之间通过连接块及碳碳螺栓配合连接，四瓣发热片拼接处采用石墨胶粘接固定；该主加热器结构简单，由四瓣发热片拼接而成，使用原材料尺寸小，易加工，加工成本低，安装拆卸方便，解决单晶热场变大后石墨件原材料匮乏和成本高问题。

本发明公开了一种用于大尺寸单晶金刚石拼接生长工艺，适用于微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)外延生长单晶金刚石，包括步骤：步骤一、加工单晶金刚石晶种片边缘呈榫接口状。步骤二、进行边缘接口的清理。步骤三、将完成拼接的多个晶种进行双面打磨，以降低高度差。步骤四、将边缘呈榫接口状的金刚石晶种拼接到一起。步骤五、将打磨后的金刚石采用MPCVD法对拼接打磨后的晶种进行生长。本发明通过可微米级的榫接缝隙技术，使单晶金刚石生长过程中的应力弛豫，提高生长效果。利用榫接、边缘处理、高度差处理等工艺实现大尺寸单晶金刚石的拼接生长，本发明获得的大尺寸单晶金刚石具有平整度高，拼接部位应力小等优点，可以获得高品质、大尺寸的单晶金刚石。

本发明公开了一种具有过渡层结构的半导体石墨基座盘及其制备方法，包括从下往上依次包括依次层叠的石墨基座盘基体、第一SiC界面层、Si过渡层、第二SiC界面层、热解炭过渡层以及梯度SiC涂层。本发明在反应室高温下沉积的硅过渡层可与石墨基座盘基体在反应界面处形成致密第一SiC界面层，从而构成化学键结合，提高涂层的结合强度，在反应室高温下沉积的硅过渡层可与石墨基座盘基体在反应界面处形成致密第一SiC界面层，从而构成化学键结合，提高涂层的结合强度，梯度SiC涂层的组分含量呈线性梯度分布，进一步缓解涂层与基体之间的热匹配差异；本发明可缓解涂层与基体之间的热应力，可有效避免涂层裂纹的产生，提高其使用寿命。

本发明公开了一种用于高纯度硅晶体制备的衡压反应装置，包括壳体，所述壳体内开设有反应室，所述反应室内滑动设置有滑板，所述滑板的下壁上对称开设有两个吸收槽，两个所述吸收槽内均固定设置有吸收盒，且两个所述吸收槽的侧壁上均开设有收纳槽，两个所述收纳槽内均滑动设置有密封板，两个所述密封板分别与两个吸收槽的开口对应设置。本发明能够在制取高纯度硅晶体的过程中，在气压达到最大值时，自动停止原料的输入，并快速对内部气体进行吸收，吸收完毕后再次自动开启原料的输入，不需要人工控制，保证反应的衡压进行，避免出现爆炸的危险，且在反应完成后，所有内壁上的硅晶体粉末都会被刮下，方便收集。

本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X面KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，晶体生长过程中不提拉籽晶，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，从而缩小KTP晶体在X轴、Y轴和Z轴三个方向上的生长速度差异，并最终获得具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率的KTP晶体。

本发明提供了一种废旧三元多晶材料重构三元单晶材料方法，涉及锂离子动力电池关键材料的回收与再生，属于固废资源化领域。所述重构方法包括：将废旧三元多晶材料与有机混合溶剂混合制成浆料，超声处理后去除部分溶剂，获得废旧三元多晶材料泥浆；将废旧三元多晶材料泥浆置于滚筒混料机中进行混料，将锰酸锂晶种浆料雾化并喷雾至所述滚筒混料机，获得待修复材料；将待修复材料在空气气氛下进行多段式焙烧获得三元单晶材料。通过该重构方法工艺简单、流程短、经济附加值高，可实现废旧三元材料的高值转化，且获得的单晶材料电学性能良好。

锭具有第一面、位于该第一面的相反一侧的第二面、以及以将第一面和第二面连接的状态沿第一方向配置的第三面。锭具有以在与第一方向垂直的第二方向上按顺序相邻的状态配置的第一类单晶区域、包括一个以上的类单晶区域的第一中间区域、以及第二类单晶区域。在第二方向上，第一类单晶区域的第一宽度以及第二类单晶区域的第二宽度各自比第一中间区域的第三宽度大。第一类单晶区域与第一中间区域的边界以及第二类单晶区域与第一中间区域的边界各自具有重位点阵晶界。

本发明的实施例涉及晶种附着方法，包括：步骤(1)，在锭生长的晶种的一面附着保护膜；步骤(2)，在上述晶种的另一面涂敷粘结组合物；步骤(3)，进行第一固化，即对上述晶种进行热处理；步骤(4)，去除上述保护膜；步骤(5)，进行第二固化，即对上述晶种进行热处理；以及步骤(6)，使上述晶种附着于晶种支架，从而可在碳化硅单晶锭生长时提高生长稳定性及质量。

本发明涉及一种铈离子掺杂钆镓铝石榴石闪烁晶体生长的装置及工艺，操作简单，通过所述工艺中各步骤的有效设计，使所得晶体长度一般为80‑200mm，完整性很好，无螺旋、晶体开裂等现象，且晶体内部无明显位错、偏析、夹杂物等缺陷，且沿晶体生长方向，在晶体毛坯上每隔20mm切割成所需晶块(或晶棒)样品，经过研磨、抛光后进行晶体的方向性和闪烁性能检测可知，所得晶体性能优异且一致性好，这对于该类晶体而言是技术上的重大创新。由于所得晶体，完整、性能优异且一致性好，故可将其应用于高能粒子探测、核物理、核医学成像、安检、工业探测任一领域的探测器件。

本发明提供一种单晶炉热场，包括保温筒和加热器，所述保温筒设置在所述筒状加热器外围，加热器的直径为710～740mm，保温筒的直径为750～800mm；加热器上沿距单晶炉的炉筒上沿63‑67mm；加热器的底部设置有两个主电极连接孔和两个副电极连接孔，主、副电极连接孔沿筒状加热器周向交替设置，且主电极连接孔之间的距离为490‑510mm，副电极连接孔之间的距离为420‑440mm。本发明还提供相应的热场控制方法和单晶炉。本发明所述单晶炉热场及其控制方法和单晶炉通过将现有的单晶炉热场进行改装，使每次生产装料更多，并且调整了热场位置和生产参数，提高安装贴合度，提升热量稳定性，减少拉晶过程中的功率波动，并降低由于石英坩埚与硅进行化学反应所产生的氧及杂质，提升产品品质。

本发明提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的生产方法，该籽晶层结构包括若干籽晶组，每一籽晶组包括若干沿第一方向依次排布的籽晶，所述籽晶具有顶面及沿周向首尾依次相接的四个拼接面，所述籽晶组中两个相邻籽晶间的接缝与另一相邻籽晶组中位置相对应的两个相邻籽晶间的接缝呈错位设置。采用上述籽晶层结构进行晶体硅锭的生产，相邻籽晶间的接缝可在铸锭过程中形成稳定的三叉晶界，减少位错增殖，降低缺陷密度。

本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理，可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷，从而得到铸造单晶硅用籽晶，而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。

本发明公开一种硒化锑晶体、其制备方法及应用。本发明通过磁控溅射法制备硒化锑非晶预制层，硒化时将硒源和预制层分别置于双温区快速退火炉的两端，调节载气流量、硒化气压和双温区快速退火炉两端的升温程序，使硒化气压远低于硒源温度下单质硒的饱和蒸汽压，提高硒化时的硒通量，得到一个沿（hk0）取向生长的大晶粒硒化锑晶体。采用本发明的方法制备的硒化锑晶体沿（hk0）取向生长且具有较大的晶粒，有效避免了晶界和悬挂键对载流子传输的影响，提高了在特定方向上载流子的传输速率，能够有效提高光电化学产氢效率，在光电化学领域具有广泛应用。

本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法，包括以下步骤：a)将钽酸锂晶体放于高温炉内，升温至1350℃，保温4h，完成晶体退火，降至常温；b)将碳酸锂原料粉末、粘结剂按1：0.8～1：1的比例混合制成极化浆液，涂抹于退火完钽酸锂晶体的极化两端，再把极化用黄金丝埋于极化浆液内，迅速烘干，制成极化晶帽；c)将退火完的钽酸锂晶体按50‑60℃/h的升温速率升温，并使用电阻测试仪记录钽酸锂晶体电阻变化，当温度超过600℃，电阻变化速率变小，达到2Ω/10℃时，暂停升温，PLC施加电流对钽酸锂晶体进行极化操作，当极化电流达到要求值时，停止加电流，保温4h，按50‑60℃/h的降温，当温度低于600℃时，关闭极化电流，继续降至常温。

本发明属于热电制冷器领域，为解决热电制冷器制冷温差降低的问题，本发明提出了一种提高热电固态制冷器制冷温差的方法：对原材料处理制备热电材料，然后进行晶片切割，得到热电晶片；对热电晶片实施镀层添加后，然后进行100‑500摄氏度，2‑8h的退火处理；晶粒切割后组装热电固态制冷器。本发明提高了金属镀层与碲化铋基体之间的结合力，并提升了同等规格的热电制冷器最大温差。

本技术涉及使用化学气相沉积技术生成的金刚石材料和结构(即，合成金刚石的生成)。化学气相沉积的金刚石包括多相材料，所述多相材料包括(a)单晶基质相和(b)多个金刚石晶粒，所述多个金刚石晶粒中的每一个在晶体学上不同于单晶基质相。

本发明提出了一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法，属于半导体材料技术领域，包括如下步骤：以铋氧硒固体粉末为生长原材料，将所述生长原材料置于管式炉内的一端，基底置于管式炉内的另一端；先向管式炉内通入反向气流并对管式炉内进行加热，达到沉积温度后，在所述沉积温度下保温；保温结束后，再转为向管式炉内通入正向气流以使所述生长原材料在所述基底上沉积生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明提供了一种采用正反向气流可控制备大面积BiOSe二维半导体的方法，该方法简单易操作，成本低廉，所得薄膜面积大质量高，在二维半导体领域具有广阔的应用前景。

本发明公开了一种基于Fz法的楔形滑落晶棒夹持装置，包括熔炉口，所述熔炉口外圈套接固定圈，所述固定圈外侧壁三等分处螺栓连接夹持结构底端，所述夹持结构包括定位柄,所述定定位柄底端内侧螺栓连接固定圈，所述定位柄顶端固接斜块，所述斜块顶部开有槽腔，所述槽腔顶部螺栓连接限位梁，所述槽腔外侧腔口边缘螺栓连接调距结构。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用楔形滑落的原理，对晶棒进行物理制动，根据受力分析，使得晶棒滑出所受摩擦力与晶棒自身重力对夹持器所产生的正压力达到平衡状态，保证晶棒不会倾斜掉落；克服了人工干预制晶形状的缺点，制晶过程的稳定性，提高了效率，提高了产能。

本发明提供一种砷化镓单晶生长装置及生长方法，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系f(x，y，z)，所述石英管壁的内表面的空间位置符合函数关系f(x，y，z)，所述坩埚壁的外表面符合函数关系f(x，y，z)。本发明的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性，降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性，降低砷化镓单晶的位错密度；提高砷化镓单晶的质量，提高砷化镓单晶的直径，砷化镓单晶的生长直径达到150～202mm。

本发明公开了一种液态金衬底表面二硫化钨单晶生长方法。步骤是：三氧化钨粉末置于石英舟中，将金衬底置于蓝宝石衬底表面，再置于石英凹槽中，将石英管放入系统抽真空，对系统进行升温，达到生长温度后对硫粉进行加热，向系统内通入硫蒸汽，开始进行WS单晶的生长。以三氧化钨作为原料，利用硫蒸气在高温下对三氧化钨的硫化进行硫化钨的生长，生长过程中采用金箔作为衬底，将金衬底加热至1050℃，金衬底的熔点1040℃，在金熔点附近，金箔表面熔化呈液体状，在此状态下多晶金表面的晶界消失，衬底表面状态高度一致，WS在此衬底上进行生长时，不同成核点处的晶向能够保持一致，最终这些晶向一致的WS单晶合并生长获得大尺寸的单晶。

本发明涉及一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置及使用方法，装置包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸的气缸连接杆的端头；本发明能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。

本发明涉及一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，包括线圈主体和线圈冷却水管，线圈冷却水管嵌入线圈主体内，线圈主体为平板单匝结构，线圈主体的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ，在台阶Ⅰ底部与线圈主体内圆上边缘之间设置上斜面；在线圈主体下表面设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ；在台阶Ⅱ底部与线圈主体内圆下边缘之间设置上斜面；在线圈主体内圆下表面处，设置一圈圆弧凸起；在线圈主体内圆处开有四个贯通上下表面的十字狭缝，在线圈主体外圆沿狭缝Ⅰ方向的一侧设置连接电极的法兰，在法兰与狭缝Ⅰ间设置一条主缝，主缝宽度逐渐减小延伸至法兰处。本发明可以使熔区热场均匀、熔区温度梯度小、成晶率高。

本发明公开了一种太阳能P型多晶硅片的制作工艺，生产工序步骤包括：（1）原料准备；（2）P型硅锭的制备；（3）硅锭的切割开方；（4）硅片的切割和清洗；所用原料包括：纯度6N的原生硅料、循环硅料、掺杂剂镓；所述循环硅料包括循环硅板、循环硅块、循环硅片、循环硅粉。其中的循环硅料在使用前需经过去杂提纯处理，铸锭时在坩埚边缘用循环硅料填充，在坩埚中心用掺杂镓的原生硅料填充，原生硅料中镓的掺杂浓度从坩埚底部到坩埚顶部逐渐减小，顶部镓的浓度为零，然后将装填硅料的坩埚置于微波烧结炉中，在氩气保护下经过升温、保温、降温后出炉，即得到镓掺杂均匀的P型硅锭。本发明充分利用了循环硅料，制备的硅片品质稳定。

本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二有机层粘接；采用加热的方式对粘接后的碳化硅籽晶进行固化。本发明实施例提供的碳化硅籽晶粘接方法，可以减少晶体生长过程中的六方空洞缺陷，提升晶体质量。

本发明公开了一种自动化控制单晶生长过程系统，其技术方案是：包括石英坩埚，所述石英坩埚内部设有清理机构，所述石英坩埚顶部设有传动机构；所述传动机构包括顶座，所述顶座顶部固定连接有电机，所述顶座内部开设有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔位于第二空腔一侧，一种自动化控制单晶生长过程系统有益效果是：通过设置清理机构，使得电机工作时，带动第一清理块和第二清理块同时转动并进行上下往复运动，且在气缸作用下，第二清理块始终与石英坩埚内壁紧密接触，以解决现有技术中单晶生长坩埚中容易有晶体杂质残留，长期不清理积累容易对石英坩埚内部温度控制造成不利影响，进而对单晶生长质量造成不利影响。

本发明公开了一种用于晶体生长的引晶方法，包括：第一引晶阶段，坩埚以第一转速旋转，晶体生长至第一长度；第二引晶阶段，所述坩埚的转速由所述第一转速递增至第二转速，当所述坩埚的转速达到所述第二转速时，所述晶体生长至第二长度；第三引晶阶段，所述坩埚以所述第二转速旋转，直至所述晶体生长至目标长度。根据本发明提供的用于晶体生长的引晶方法，通过将引晶工序分为三个阶段，并且在第二阶段随着晶体的生长坩埚的转速递增，以增强硅熔体的对流，保持硅熔体中心的温度不低于引晶开始的温度，从而提高籽晶内部的位错排出率，避免发生断棱多晶化。

本发明涉及蓝宝石晶体生长领域，公开了一种晶体生长方法，本发明使用氧化铝晶体回收料进行晶体生长，由于回收料实际已经进行过一次长晶，而长晶过程是排除杂质的过程，在长晶过程中已经起到一次提纯的作用，故再次进行长晶时，对蓝宝石的回收料进行筛选和检测等一系列工艺，得到纯度更高的氧化铝原料，这使得蓝宝石晶体晶格排列的更有规律，缺陷密度更低，晶体对光的吸收更少，透光率上升，最终影响UV LED产品的质量，提升UV LED产品的发光效率，产品的价值也越高。

本发明提供了一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料，化学式为ReBiSiO/BiSiO，其中，稀土离子Re为Nd、Yb、Tm、Ho、Er、Pr、Dy、Sm中任一种，X的取值范围为0.003‑0.05，同时，还提供了该共晶材料的制备方法，采用一定质量纯度为5N的BiO、SiO和ReO作为原料，经过充分研磨之后压制成块，再高温烧结，通过提拉法生长得到共晶。与现有技术相比，本发明的共晶材料能够在材料内部存在两种尺寸的晶粒，稀土离子的发光半高宽比在单晶材料中更宽，可用于可调谐激光输出。

本发明实施例提供一种压力控制装置及半导体加工设备，该装置包括压力采样部件和气体输送结构，压力采样部件中设置有气体通道，气体通道的两端分别与工艺腔室的排气口和排气装置连接，且气体通道包括变径通道段，变径通道段的内径沿气体流通方向逐渐变化；气体输送结构包括第一管路，第一管路与压力采样部件可移动的连接，用于使第一管路的出气端移动至变径通道段内在轴向上的不同位置处，并沿第一方向输出调压气体，用于调节工艺腔室的负压；其中，第一方向与变径通道段的气体输送方向相同。本发明实施例提供的压力控制装置及半导体加工设备的技术方案，不仅具有较高的响应速度，而且还可以有效防止厂务端气体倒灌发生，并可以延长管路寿命。