晶体生长

本发明提供大热场环境下大尺寸单晶硅棒成晶及品质改善工艺方法，包括以下步骤，S1：稳温：在稳温过程中采用高埚转，以保证稳温过程中熔体内温度均匀性；S2：扩肩：在扩肩过程中采用缓变埚转工艺，同时采用缓降温工艺和高拉速，以保证单晶头部质量，保证扩肩成活率。本发明的有益效果是在稳温过程中坩埚的转速采用高埚转，保证稳温过程中熔体内温度均匀性，提高稳温成活率；在扩肩过程中，采用缓变埚转工艺，并结合缓降温工艺和高拉速，提高扩肩成活率，缩短扩肩长度，减少扩肩时间。

本发明涉及一种大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法，包括融料，稳温，引晶，放肩，转肩，等径和收尾，拉晶过程保持氩气流量为90‑120SLPM，保持炉压25Mpa，其中稳温，引晶，放肩阶段保持氩气流量为100‑120SLPM；转肩阶段保持氩气流量为100‑110SLPM；等径阶段保持氩气流量为90‑100SLPM。本发明的有益效果是：采用大氩气流量和大炉压能够满足大尺寸单晶硅棒的生长需求，单晶硅棒散热较快，能够实现高拉速，并且炉内温度比较稳定，有利于单晶生长，成晶率更高；通过增大生产过程中氩气流量和炉压保证炉内压力气流更加恒定；并且为了尽量避免造成能源浪费，采用阶段式流量方法，满足大尺寸单晶硅棒的生产需求，还能尽可能节约能源。

本发明涉及一种多向测温大尺寸单晶硅稳温熔接方法，单晶炉炉体上设有至少两个测温仪，测温仪均匀排布在单晶炉炉体上；当测量的各个角度热场温度的平均值达到熔接温度后进行熔接；拉制直径为240‑310mm的单晶硅棒，籽晶熔接直径上限值为16‑17mm，直径下限值为13‑14mm，最小直径值为10‑11mm。本发明的有益效果是：采用多角度测温方式测定热场温度，减少了温度假象的现象，获得的实时温度更精确，避免了单侧测温温度变化体现慢的情况，能够快速完成稳温阶段，为后续熔接成晶等阶段做好温度基础；另外通过改变熔接直径上限值下限值和最小值实现大尺寸单晶硅棒制备起始的熔接效率，解决了由于硅棒尺寸变大导致的CCD相机无法精确测量籽晶直径的问题。

本发明涉及一种适用于大尺寸单晶硅的感光快速收尾方法，通过在单晶炉盖上设置感光仪形成一种适用于大尺寸单晶硅感光快速收尾的单晶炉盖，用于单晶炉上，能够监控单晶炉内液面光圈亮度，判断液面温度，根据实时温度调整拉速进行收尾，通过对单晶炉内液面亮度的监控，获得液面温度变化的信息，与拉速配合实现快速收尾的目的，使得收尾过程更为灵活，既保证有效的减少位错，又不会造成原料的浪费；另外还能通过实时数据变化实现收尾自动化，与人工经验判断比较效率更高，也更适合批量化、规模化。

本发明提供一种大尺寸单晶取段收尾结构，包括上段部和与上段部一体连接的下段部，上段部高度大于下段部高度，上段部最大直径与晶体等径段直径相同；下段部最大直径大于上段部最小直径且小于上段部最大直径；下段部中最大高度位于两侧最小高度之间，且从最小高度到最大高度之间为可变曲面。本发明提出的取段收尾结构为一种新型的收尾结构，尤其适用于大尺寸单晶晶体的收尾，解决了现有技术中收尾控制生产效率低的技术问题，适普性高且可控。本发明还提供一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，可以在1‑1.5h内对于直径为240‑310mm单晶进行取段收尾，获得收尾但不收尖式的收尾结构，不仅缩短工时且还消除位错产生，保证单晶品质，提高生产效率，降低生产成本。

本发明提供一种大尺寸单晶的收尾工艺，在等径生长结束后，依次包括S1：稳定热场温度，阶梯式提高单晶拉速并保持埚转速度不变，使单晶直径缩小至比等径直径低；S2：迅速提高加热器功率以提升热场温度，并将埚转速度降低，同时对所述S1中的单晶拉速进行阶梯式降速，所述单晶拉速降低一定速度后保持不变直至收尾结束。采用本发明收尾工艺能够在2h内完成对大尺寸单晶的收尾收尖，解决了现有收尾工艺中收尾生长效率低的问题，且并未出现断苞、结晶或位错等现象，保证产权质量，提高单晶产能。本发明还公开了一种大尺寸单晶的制备工艺。

本发明提供一种适用于大尺寸单晶增加投料量的热场结构，包括导流筒，还包括支撑件、支撑件连接杆和导流筒连接件，其中，支撑件连接杆与导流筒连接件连接，导流筒连接件与导流筒连接，支撑件连接杆可伸缩，便于导引导流筒上下移动；支撑件与支撑件连接杆连接，支撑件与上保温筒接触配合，以便于支撑件对支撑件连接杆的上下移动的行程进行限定。本发明的有益效果是结构简单，制作方便，且便于维修，适用于大尺寸单晶炉台导流筒结构及投料方法，作用是增加炉台最大投料量，减少复投次数节省复投时间，提升有效工时利用率，提升产量。

本发明涉及单晶硅技术领域，具体为一种单晶硅生产用石墨加热装置及其加热方法，该装置包括底座、门体、箱体、放置板和石墨烯加热膜，底座底部的拐角位置处皆固定有万向轮，底座的顶部固定有箱体，所述箱体一侧的表面安装有按钮开关，箱体的一侧铰接有门体，箱体内部的两侧皆设置有多个L型放置架，所述L型放置架远离防滑垫的一侧皆设置有固定螺栓，所述防滑垫上方L型放置架的内部皆设置有放置板，且放置板的内部皆开设有等间距的矩形沉槽。本发明不仅实现了石墨加热装置对不同规格单晶硅加工用坩埚进行夹持固定的功能，实现了石墨加热装置对箱体内部环境的密封功能，而且实现了石墨加热装置度单晶硅加热时均匀加热的功能。

本发明提供一种适用于大尺寸单晶的排气系统，包括单晶炉底板和排气管道，排气管道与单晶炉底板连接，还包括排气口和排气口封堵装置，其中，排气口与单晶炉底板连接，且排气口与排气管道连通，便于氧化物排出；排气口封堵装置与排气口转动连接，排气口封堵装置对排气口打开或关闭，控制排气系统排气口打开的数量。本发明的有益效果是结构简单，维修方便，具有排气口封堵装置和管道封堵装置，能够对排气口和管道进行封堵，使得排气口能够分批次打开和关闭，排气管道内具有自净化装置，在保证炉台正常运行过程中，将炉内不断沉积下来的氧化物清扫掉，使炉台正常运行，且分批次打开排气口，降低功耗，降低用电成本，保证单晶质量。

本发明提供了一种多晶硅生长炉，其通过设置冷却结构对该生长炉进行冷却，从而降低了爆炸风险。其包括炉体本体，所述炉体本体的两端分别设有活动连接的左法兰盖和右法兰盖，其特征在于：所述炉体本体包括两端部密封连接的内筒体和外筒体，所述内筒体与所述外筒体之间设有螺旋形第一导流板，所述外筒体的上端和下端分别设有冷却液的进水口和出水口，所述左法兰盖和所述右法兰盖分别通过悬吊机构与所述炉体本体转动连接，所述右法兰盖的中心处及沿中心外周均匀分布有仪表放置孔，沿所述右法兰盖上还设有供反应介质进入的送料孔；所述左法兰盖的内部设有冷却结构。

本发明提出了一种多晶氧化镓纳米片薄膜的制备方法，包括：将加压氧气注入镓基室温液态金属；氧气气泡在镓基室温液态金属上升过程中，氧气气泡的内侧形成氧化镓纳米层；氧气气泡在去离子水中破裂，形成二维氧化镓纳米片的悬浮液；将二维氧化镓纳米片的悬浮液滴在衬底表面形成氧化镓纳米片薄膜；高温退火氧化镓纳米片薄膜得到多晶氧化镓纳米片薄膜。本发明工艺方法简单，不需要昂贵的薄膜沉积设备，成本低廉，具有重大的应用潜力。

本发明实施例公开了一种检测熔体泄漏的方法、系统及存储介质；该方法可以包括：在生产单晶硅硅棒的过程中，对拉晶炉内用于检测熔体泄漏的检测目标的状态参数进行检测；当检测到的状态参数发生变化时，判断所述状态参数的变化特征；相应于所述变化特征满足设定的判定准则，确定所述拉晶炉中的石英坩埚内的熔体发生泄漏现象。

本发明涉一种基于双坩埚法生长稀土倍半氧化物晶体的方法和装置，生长方法包括步骤如下：提供铼坩埚，用于盛放原料；在铼坩埚外套设钨坩埚，作为主发热体，与铼坩埚构成双坩埚；利用双坩埚作为生长装置，采用熔体法进行晶体生长，得到稀土倍半氧化物晶体。生长装置包括生长炉本体，生长炉本体设置有炉腔，炉腔内设置有铼坩埚，铼坩埚外套设有钨坩埚。本发明用双坩埚替换铼坩埚，既能防止原料与钨坩埚发生反应，又能降低铼坩埚的损耗，更重要的是可以减薄铼坩埚的壁厚，大大降低生产成本，同时生长出大尺寸、高质量(LnRe)O晶体。

本发明提供一种稀土掺杂(LuScY)O(a+b+c＝1)单晶光纤及其制备方法与应用。本发明光纤的化学组成为稀土掺杂(LuScY)O(a+b+c＝1)，所述稀土为Yb，Er，Nd，Ho，Tm和Pr元素。本发明采用激光加热基座(LHPG)法利用LuO、ScO和YO三种物质生成了无限互溶的(LuScY)O(a+b+c＝1)晶体，拓宽了倍半氧化物的种类；所得光纤直径均匀，尺寸较大，表面较为光滑，晶体通透，掺杂离子均匀分布，晶体质量高；并同时具有高热导率，高稳定性，抗氧化，低的声子能量及无序结构等优势；所得单晶光纤是一种全新的性能优良激光增益基质。

本发明涉及一种新型磁光晶体TASGG的生长方法。本发明涉及包括采用液相共沉淀法制备多晶原料以及原料处理；磁光晶体生长工艺理论，包括抽真空、设置系统、升温熔料、下籽晶、引晶、放肩、拉伸、停炉等。本发明采用中频感应晶体提拉炉，使用铱金坩埚进行生长。本发明结合了TGG晶体、TAG晶体和TSAG晶体的优点，生长出一种新型磁光晶体TASGG，生长出的晶体完整性好，磁光性能优良，工艺稳定，具有广阔的应用前景。

本申请提供了一种晶体的生长装置及生长方法，包括炉体、坩埚、冷却套及导流筒，冷却套设在炉体的内部并对晶体进行冷却，导流筒设置在冷却套的外围，导流筒包括上导流筒部和下导流筒部，上导流筒部呈筒体状且环绕冷却套设置，下导流筒部设在上导流筒部的下端且位于冷却套的下侧，下导流筒部为一个中空的上大下小圆台结构，圆台结构内周壁上形成一个凹槽，凹槽的顶部贯穿圆台结构，冷却套沿着坩埚的轴向移动。该生长装置中，冷却套沿着坩埚的轴向移动，影响到炉体内热场分布，可微调固液界面处温度梯度，从而可拉制一定宽度无缺陷生长区域的晶体，解决了现有技术中固液界面的温度梯度较难控制导致拉制出缺陷较多生长区域的晶体。

本发明实施例公开了一种用于减少拉晶炉的热量散失的保温盖及拉晶炉，所述保温盖呈圆环形的平板状并且包括：上盖板；下盖板，所述下盖板接合至所述上盖板使得所述上盖板与所述下盖板之间形成密闭空间；隔热材料，所述隔热材料填充在所述上盖板和所述下盖板之间形成的所述密闭空间中。

本发明公开了一种Ce掺杂钆铝镓石榴石结构闪烁晶体提高发光均匀性、降低余晖的方法及晶体材料和探测器，在晶体材料中掺入Sc离子，使Sc离子至少占据八面体格位，依靠Sc‑Ce离子的半径补偿效应和对晶胞参数的调整，增加激活离子Ce离子的有效分凝系数，从而提升晶体发光均匀性，优化能量分辨率；同时增加Gd离子进入八面体格位的势垒，减少Gd离子进入八面体格位的几率，减少晶体点缺陷密度，降低余晖强度。Ce掺杂钆铝镓石榴石结构闪烁晶体，通式为{GdScCeMe}[AlGa]O，0＜x≤0.1，0＜y≤0.02，0≤p≤0.02，0.4≤q≤0.7。本发明优化了晶体的发光均匀性、能量分辨率和余晖特性。

本发明公开了一种电子转移型光致变色晶体材料及其制备方法和应用，以1‑(4‑氰基苄基)‑4,4‑联吡啶鎓盐为单端紫精配体，均苯三羧酸为强电子供体，制备得到电子转移型光致变色晶体材料[(CBbpy)Zn(TBC)(HO)]·NO。该晶体具有较大的二次倍频效应，同时还具有非常大非线性光学切换比，其切换比高达～25倍，是电子转移型开关材料的最高非线性光学可切换的比记录值(8倍)的三倍，因此本发明的电子转移型光致变色晶体材料可以作为非线性光学开关材料来应用。

本发明公开了一种金刚线多晶硅片制绒辅助剂，所述辅助剂的重量配比如下：聚乙烯醇：0.25‑0.5份，聚丙烯酸：0.75‑1.25份，三乙醇胺：1‑3份，柠檬酸：0.05‑2份，表面活性剂：0.1‑3份，其余含量为水。本技术方案提出的一种金刚线多晶硅片制绒辅助剂通过将辅助剂配比后直接加入到酸溶液中来处理金刚线多晶硅片的外观问题，并且提高了制绒效率，成本较低，工艺简单，有效的提高了制绒的工作效率。

本发明涉及一种非线性光学晶体及其制备方法和应用，所述非线性光学晶体为钐掺杂的铌酸镓镧晶体，化学式为(LaSm)NbGaO，其中0＜x≤0.5。

本发明涉及一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体。所述碳化硅籽晶包括正面和背面，所述背面覆有保护层，所述保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。保护层与籽晶的粘附力高，能有效地保护籽晶背面，抑制背向蒸发，提高碳化硅晶体质量。

本发明提供了一种液口距确定方法、装置及单晶炉，方法包括：获取目标图像；所述目标图像包括：导流筒的下沿口的第一子图像和在熔硅液面上的所述导流筒的下沿口倒影的第二子图像；在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点；确定所述边界点和所述边界点对应的倒影点之间的像素距离；根据所述像素距离及预设系数，确定所述导流筒的下沿口至所述熔硅液面的液口距。本申请中，只需通过获取目标图像，在目标图像中测量导流筒的下沿口的边界点与其对应的倒影点之间的像素距离，根据像素距离以及预设系数即可以得到导流筒的下沿口至熔硅液面的液口距，确定的液口距准确性高，且操作简单。

本申请公开了一种加料筒，包括料筒、提升部件、底衬、底碗和底盖，其中，所述底碗的高度从中部向四周逐渐降低，所述提升部件的底部穿过所述底碗后与所述底衬连接并托住所述底碗，所述底盖与所述底衬连接且对所述底衬形成密封，所述料筒在重力作用下自然落在所述底碗上形成密封的加料空间，且所述料筒的外部固定有卡接部，用于在卸料时将所述料筒卡在炉内不动而所述提升部件和所述底碗下降以形成用于卸料的空隙，所述底衬为碳碳底衬，所述底盖为石英底盖。上述加料筒能够增加其硬度且耐高温，不易产生形变，使用寿命更高，减少碎裂脱落的可能性，降低生产成本。

本发明公开了一种采用复合助熔剂生长钇铁石榴石晶体的方法。钇铁石榴石（YFeO，简称YIG）晶体是一种重要的磁光材料，制备步骤如下：准确称量，混合，研磨烧结得到多晶料，将多晶料粉碎，加入复合助熔剂，球磨得到混合物料，将混合物料装入坩埚内，将装有物料的坩埚放入生长炉内加热，加热到设定温度并保温，得到高温熔融晶体溶液，然后缓慢降温，直到坩埚内溶液全部冷却结晶，最后冷却至室温得到晶锭。采用机械剥离和化学腐蚀的方法除去助熔剂，最后得到晶体。本发明通过无铅的复合助熔剂大大减少了铅元素对环境污染和对铂金坩埚的腐蚀，有效降低了晶体的生长温度，可得到较大尺寸的体块单晶。

本发明涉及一种化合物三氟化五硼酸钡及三氟化五硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为BaBOF，分子量为360.373，采用固相反应法制备；该晶体的化学式为BaBOF，分子量为360.373，晶体属正交晶系，空间群2，晶胞参数为a=10.201(3)Å，b=8.794(3)(4)Å，c=8.253(5)Å,=4。通过该方法获得尺寸为厘米级的BaBOF非线性光学晶体，在制备Nd:YAG激光器所输出的1064 nm的基频光进行2倍频或3倍频或4倍频或5倍频或6倍频的谐波光输出或产生低于200nm的深紫外倍频光输出的用途或制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。该BaBOF非线性光学晶体具有较宽的透光波段，物化性能稳定，机械硬度大，不易碎裂和潮解，易于切割、抛光加工和保存等优点。

本公开实施例提供了一种单晶炉热场加热器及单晶炉，所述单晶炉热场加热器包括：边部主加热器及辅助加热器，所述边部主加热器和所述辅助加热器均为两端开口的筒状结构，所述边部主加热器和所述辅助加热器均包括相对的顶部开口端和底部开口端；所述辅助加热器套设于所述边部主加热器外，且所述辅助加热器的顶部开口端伸出所述边部主加热器的顶部开口端外。本公开实施例提供的单晶炉热场加热器及单晶炉，具有加热效果好、升温快、热场温度稳定等特点，有利于长晶过程中晶棒的无缺陷生长，提高晶棒的良率。

本发明公开了一种高温合金单晶叶片的铸造方法及陶瓷型壳，所述方法包括步骤：S1，制作带有型芯的蜡模，在所述型芯的斜下方向芯头贴上网状蜡模，并从所述蜡模的单晶部位用引晶蜡条斜着向上与所述网状蜡模连接；S2，通过沾浆淋砂、脱蜡和焙烧获得陶瓷型壳，其中，所述斜下方向芯头与所述陶瓷型壳之间形成网格状间隙、以及连通至单晶部位的引晶通道；S3，将陶瓷型壳进行高温预热；S4，进行高温合金的浇注和单晶定向凝固。本发明使得整个叶片保持为单晶，避免了因型壳变形形成芯头间隙而引起的披缝和杂晶缺陷。

本发明公开了一种石英管固定装置及其应用方法。本发明石英管固定装置包括第一石英管和与其开口端卡接密封的卡头，卡头包括冷却液空腔和设有调节阀的第一真空管道，冷却液空腔设有冷却液进口和冷却液出口，第一真空管道与所述第一石英管连通。本发明采用卡头卡接密封石英管，避免了对石英管进行密封焊接和切割，使石英管能重复使用；本发明石英管固定装置能用于真空加热去除高纯石墨表面的砷单质，防止高纯石墨因石英管的焊接和切割而被污染。

本发明提供了一种铸造单晶硅籽晶的铺设方法，相邻硅籽晶的<110>晶向成较小锐角斜向上指向或斜向上远离拼接缝，所述两类拼接缝有规律地间隔分布。两侧硅籽晶的<110>晶向斜向上指向的拼接缝在晶体生长过程中可以显著抑制位错的产生及扩展，提高硅锭整体的晶体质量。本发明还提供了应用上述单晶硅籽晶的铺设方法制备而成的晶体硅锭，以及晶体硅锭的切割开方方法，在去除籽晶拼接缝产生的位错的同时，提高硅锭可切片部分占比，降低硅片成本，也便于制备大尺寸硅片。本发明解决了铸造法生产单晶硅时籽晶拼接缝处位错增殖迅速的问题，制备的晶硅太阳电池效率高且分布集中，电池外观颜色一致，具有显著的市场应用价值。

本发明公开了一种提高单晶制绒药液寿命的装置，包括连接单晶制绒槽体的进液管，进液管上设有抽液泵，进液管另一端连接絮凝槽，絮凝槽内设有匀流板，絮凝槽顶部连接出液管，出液管另一端连通单晶制绒槽体，出液管上设有回液泵，回液泵靠近单晶制绒槽体侧设有安装在出液管内的滤芯，滤芯两侧分别设有阀门一和阀门二。本发明通过将制绒槽内定期排出的药液进行净化处理，确保药液内有害物质一直处于一个合理的范围内，实现制绒药液寿命的延长；处理后的废液排入工厂排废管道即可，不仅延长了药液寿命提高产出，同时药液净化后的回收利用一方面降低了废液排放量，同时也减少了化学品的消耗。

本发明公开了一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法，涉及单晶硅生长领域。该水冷热屏结构的一具体实施方式包括：内壳的内表面排列设置槽形结构；内壳的剖面和外壳的剖面均为倒置的等腰梯形结构；内壳套装在外壳内，内壳的上边缘和下边缘分别与外壳的上边缘和下边缘密封连接；内壳与外壳之间形成空腔，冷却水导流装置设置于空腔内。该实施方式能够有效地提高水冷热屏结构吸收热辐射的能力，从而提高水冷热屏结构的散热效果。

本发明公开了一种运用多物理场耦合辅助石膏制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于：常温下，石膏原材料采用电磁强化除杂纯化，在超声作用下用质量浓度1%~5%的稀硫酸调节pH至1~2后，添加转晶剂，在超声作用下混合均匀，然后施加多物理场，在多物理场的耦合作用下让不同的石膏晶体类型转化为α‑石膏晶体并刺激硫酸钙晶须的生长，最后静置8~12h待晶须析出后，取出干燥，即得硫酸钙晶须；本发明制得的硫酸钙晶须长径比高达100~150，晶须生长速度快，且晶须生长整齐、粒径均匀，长度、长径比可控，而且生产成本低、污染小、能耗低、产率高，本发明合制备工艺简单、不需要高温制备，制备成本大幅度降低。

本发明提供了一种稀土离子掺杂锗酸盐共晶材料，所述共晶材料的化学式为ReBiGeO/BiGeO，其中，稀土离子Re为Nd、Yb、Tm、Ho、Er、Pr、Dy、Sm中任一种，X的取值范围为0.003‑0.03，同时，本发明还提供了上述共晶材料的制备方法，是通过将BiO、GeO和掺杂的稀土氧化物粉末作为原材料，采用微下拉法的制备方法，经过一系列的技术参数设置，最终获得的共晶材料，本发明中能够最终获得两种晶粒共存的共晶材料，使得比现有的单晶材料发光带更宽，用于可调谐激光输出应用更宽泛。

本发明属于纳米材料制备技术领域和新能源领域，尤其涉及一种单晶NaNbO立方体及其制备方法和应用。所述单晶NaNbO的立方体为正交晶型，边长为100nm~10μm。采用的制备方法为取多层铌基MXene置于四甲基氢氧化铵溶液中加热搅拌，离心得到少层铌基MXenes溶液。取少层铌基MXenes溶液和氢氧化钠粉末搅拌并转移到反应釜中，加热，冷却，抽滤，干燥，便可得到产品。本发明采用简单的水热方法，所制备的单晶NaNbO立方体结构均一，晶化程度极高。本发明制备的NaNbO立方体作为锂离子电容器负极材料时，因较小尺寸和坚固的块状结构，具有快速的充放电过程及优异的循环性能。

本发明涉及硅芯制备系统及制备方法，属于多晶硅生产技术领域，尤其涉及硅芯制备系统及制备方法技术领域。本发明包括混合气供应单元、混合气提纯单元、混合气纯度检测单元、还原炉、硅芯制备单元以及控制系统。相对于现有技术，本发明通过设置混合气提纯单元和混合气纯度检测单元，使混合气进行提纯以及纯度检测，从而提高了多晶硅棒的纯度；同时本发明通过在还原炉设置红外摄像机和控制系统，使控制系统能通过红外摄像机实时获取硅棒表面温度、硅棒直径以及硅棒表面粗糙度，从而使还原炉能根据硅棒表面温度、硅棒直径以及硅棒表面粗糙度，调整还原炉内气相沉积反应的温度、通入的电流大小、混合气中含硅气体和氢气的混合比例以及混合气通气量。

本申请公开了一种无机化合物晶体、其制备方法及用途，该无机化合物晶体的化学式为Ga(IOF)F，属于正交晶系，空间群为Pca2。晶胞参数为α＝γ＝β＝90°，Z＝4。该无机化合物晶体采用水热法制备。该无机化合物晶体在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KHPO(KDP)的10倍,且均能实现相位匹配，作为非线性光学材料具有很好的潜在利用价值。

本发明提供了一种二氧化钛单晶同质外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)在基底表面生长二氧化钛纳米线单晶阵列；B)将步骤A)得到的基底置于反应器中，在反应器中通入钛源后再通入水进行原子层沉积；C)重复步骤B)数次，得到二氧化钛单晶外延薄膜。本申请利用原子层沉积技术在二氧化钛纳米线单晶阵列表面生长了高质量的同质外延薄膜。

本发明公开了一种晶片腐蚀液及腐蚀方法，涉及半导体材料技术领域。本发明的一种晶片腐蚀液，包括以下体积百分比的组分：双氧水70％～77％、浓硫酸3.8％～5％、冰醋酸7.7％～10％、浓盐酸9.5％～11.5％，优选的，包括以下体积百分比的组分：双氧水77％，浓硫酸3.8％，冰醋酸7.7％，浓盐酸11.5％，本发明的晶片的腐蚀方法，包括浸泡清洗、一次腐蚀、二次腐蚀、三次腐蚀、四次腐蚀、脱水、烘干步骤。本发明公开了一种晶片腐蚀液及腐蚀方法，能够改善晶片腐蚀速度慢以及晶片腐蚀后不易清洗的问题，能够在一定程度上有效增加腐蚀液腐蚀后的成功率。

本发明公开了一种基于界面能驱动的金属晶须制备方法，选择具有高界面能的陶瓷与金属体系，将两相粉末按比例均匀混合，并将混合后的粉末球磨，然后，将球磨后的粉末冷压成薄片，并在接近其中金属组分熔点的温度下保温。薄片样品中的金属和陶瓷之间具有高的界面能，驱动金属晶须自发生长，从而得到金属晶须。本发明工艺简单，设备要求低，无需密闭环境，工艺参数范围宽，对保温气氛不敏感，另外本发明不引入催化剂与气相反应物，得到的晶须不含杂质元素，晶须质量高。

本发明涉及有机无机杂化钙钛矿晶体材料领域内的一种一维DMAPbI大单晶的生长方法，该方法包括如下步骤：1）将苄胺和PbI搅拌溶解于DMF中，形成澄清的黄色溶液；2）将氢碘酸溶液滴到溶液中，然后滴加亚磷酸水溶液来稳定氢碘酸，最终形成的溶液呈澄清黄色溶液；3）将获得的黄色溶液在55‑65℃加热使液体挥发，DMF分解得到二甲胺，得到DMAPbI饱和溶液；4）将得到的溶液室温下挥发溶剂，经10‑30天即生长出大的黄色单晶。本发明通过改进的溶液法生长出尺寸达到2 mm×4 mm×8 mm的一维DMAPbI大单晶，其可作为光电材料，可在光电转换领域获得良好的应用。

本发明涉及一种保温筒及单晶炉，包括若干拼接板和若干连接件；拼接板在宽度方向上具有相背的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁上设有拼接槽，第二侧壁上设有凸起部，拼接槽的内壁设有沿拼接板的长度方向延伸的第一固定孔，凸起部设有沿拼接板的长度方向延伸的第二固定孔；每个拼接板的凸起部插入相邻的另一个拼接板对应的拼接槽中从而使若干拼接板首尾拼接，每个连接件可拆卸地穿设于一个拼接板的第一固定孔和相邻另一个拼接板的第二固定孔以使相邻两个拼接板连接。本发明的保温筒可以根据需要随意调整直径大小，以适应单晶炉不同尺寸的热场部件，其结构简单，且调节方法便捷、高效，利用多边形构成近似圆形，降低了成本。

本发明公开了一种多片式衬底装舟模具、多片式衬底装载装置及方法，多片式衬底装舟模具，包括：基座，基座的上端面设有环形槽，环形槽沿基座中心轴线的周向方向延伸；具有多个衬底槽的内舟的一端适于伸入环形槽，且环形槽的径向外周壁适于遮挡每个衬底槽的一部分。采用本发明，可以利用环形槽的径向外周壁配合内舟的衬底槽固定衬底，从而可以实现多片衬底装舟，使得实现一次性生长多片薄膜，进而提高了工艺效率，并保障多片薄膜的生长一致性。

本发明提供一种驱动单元测量设备，该设备包括：坩埚支承件，该坩埚支承件用于支承坩埚；牵拉单元，该牵拉单元用于在坩埚的上部使籽晶升高或旋转；坩埚驱动单元，该坩埚驱动单元用于使坩埚支承件旋转或升高；平头螺母，该平头螺母可拆卸地联接于牵拉单元；坩埚轴检查夹具，该坩埚轴检查夹具可拆卸地联接于坩埚驱动单元；以及位移测量单元，该位移测量单元联接于平头螺母和坩埚轴检查夹具，并测量牵拉单元和坩埚驱动单元的高度和旋转位移中的至少一个。

本发明提供了一种掺氮P型硅母合金及制备方法、掺氮多晶硅锭及制备方法，掺氮P型硅母合金的制备方法包括如下步骤：投料，将硅料及氮化硼投入铸锭炉内；多晶铸锭，在铸锭炉内依次通过抽真空、加热、熔化、长晶、退火、冷却步骤生产掺氮P型硅母合金晶锭。将所述氮化硼与所述硅料混合后，采用多晶铸锭方法，在获得所需要电阻率母合金的同时将氮元素引入母合金中，进而在生产多晶硅锭时，将氮元素引入其中，可增加其机械强度，有效降低切片等过程的碎片率，大幅降低成本。另外，该方法使用多晶铸锭炉生产掺氮P型硅母合金，可增加母合金产量，降低生产成本。

本发明公开了一种倒金字塔辅助制绒添加剂及其应用，其中倒金字塔辅助制绒添加剂的主要成分为银离子、柠檬酸钠、氟硅酸、乙二胺四乙酸，余量为水。本发明提供的一种倒金字塔制绒液，其含有酸性制绒液和上述倒金字塔辅助制绒添加剂。本发明提供的一种硅片制绒方法，其利用上述倒金字塔制绒液对硅片进行表面制绒得到倒金字塔绒面结构。在制绒液中添加本发明的倒金字塔辅助制绒添加剂，可加快反应，增加起绒点，有效消除金刚线切割线痕对倒金字塔制绒的影响，得到更加均匀、密集的倒金字塔绒面结构，进而降低反射率，提高电池效率，利于广泛推广应用。

本发明涉及的是磁控微晶各向异性功能材料制备方法，它包括将可磁化的预置籽晶的晶体原料装入柱型坩埚中，放入垂直加热炉中心通道的上端，在高温加热区上方设置强磁场；开启强磁场，将柱型坩埚旋转并下移，先到达高温区，使可磁化的预置籽晶的晶体原料熔融，形成熔体；柱型坩埚继续旋转下移，到达低温区底部，熔体开始冷却结晶；由于强磁场极化作用，形成单向异性功能材料；由于旋转离心力的作用，越靠近柱型坩埚外壁结晶体受到离心挤压力越大，结晶体密度也越大，可形成多层状的套筒形同心圆柱状结晶体。本发明采用外强磁场对微晶形成过程中的材料进行磁极化，使粒子、分子、原子及电子等磁矩强制定向排列，形成各向异性的功能材料。

本发明公开了一种制备多尺寸环形莫桑石的有效方法，通过使用碳化硅单晶衬底‑多尺寸环形石墨圆筒复合衬底，该复合衬底背面粘在石墨坩埚盖内层，环形石墨圆筒粘在衬底生长面上，在石墨坩埚内底部放入高纯的碳化硅原料，采用物理气相传输法进行晶体生长，得到环形莫桑石，可以更为便捷的加工为不同孔径的环形饰品。

本发明提供一种化合物单晶及其制备方法。所述化合物单晶的制备方法包括以下步骤：1)熔融化合物，获取过冷熔体，向所述过冷熔体中引入化合物目标晶型的晶种，或使所述过冷熔体自发成核，得化合物目标晶型的多晶样品；2)以0.1‑100℃/min的升温速率第一次升温，将所述化合物目标晶型的多晶样品升温至T，所述T比T低0.5‑8℃，然后以0.1‑20℃/min的升温速率第二次升温，直至获得1‑10颗化合物目标晶型的单晶晶核；3)降温培养，得单晶。上述制备方法，从过冷熔体中选择性培养出化合物目标晶型的大尺寸、高质量单晶，成功解析出多种业界多年来无法解析的单晶结构。

本发明公开了一种方硅芯铸锭炉装置，涉及硅片加工技术领域。在本申请中，硅芯生产装置，包括：机体设置在平面上，机体包括：前侧机架呈竖直设置在平面上；后侧机架位于前侧机架的一侧；左侧顶梁位于前侧机架的上方一侧；侧部下梁位于前侧机架的下方一侧；前侧机架、后侧机架、左侧顶梁、侧部下梁组合形成框架，框架设置有两组呈对称设置；横梁位于两组框架之间；腔体设置在机体的内部；升降装置设置在机体的一侧；导向装置设置在腔体的下方；坩埚设置在腔体的内部；工装夹具设置在外置装置上。本发明用于解决现有技术中硅芯铸锭完成后需要将下炉体进行横向移出然后在进行取料导致设备占地空间大、操作繁琐的问题。