晶体生长

本发明涉及单晶生长炉技术领域，且公开了一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，包括上炉体、下炉体、籽晶轴驱动装置和支撑板，所述上炉体固定安装在下炉体的顶部，所述籽晶轴驱动装置固定安装在上炉体的顶部。通过液压缸将液压杆缩短至最短长度，第二固定座脱离地面，万向轮与地面接触，从而可轻松移动支撑板和隔热板，可非常方便地往坩埚中添加硅原料，且工作人员可从下炉体底部的通孔处进入，对该生长炉进行清理，更加方便快捷，通过弹簧和伸缩杆的设置，可将坩埚震动现象大大消减，从而提高坩埚的稳定性，减少硅在坩埚中的晃动，通过多个通气孔，可将氮气从不同的位置同时进入到下炉体的内腔中，可达到快速冷却的效果。

本发明公开了一种钙钛矿单晶薄片及促进其生长的方法和应用，该方法利用聚四氟乙烯作为钙钛矿单晶薄片的结晶器皿，相对于现有的玻璃器皿，聚四氟乙烯对于钙钛矿前驱体溶液而言为疏水性器皿。对于钙钛矿薄膜的结晶过程，表面张力控制逆温度结晶来生长钙钛矿单晶薄膜，由于物质的化学势与其压强成正相关的关系，高的压强将导致较高的化学势能，因此疏水性容器中，溶液表面的化学势低于溶液内部的化学势。钙钛矿前驱液的表面张力越大，对于钙钛矿晶体而言，晶粒成长过程中，则晶粒生长越快，给予向上的力越大，晶片更容易向上生长，而且晶片的横向生长效果也越好。

本发明公开了用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置，包括：在进行直径2英寸至8英寸的碳化硅单晶体生长时，在坩埚上安装针对单晶体生长形态起到决定性作用的内部支撑管，为了能够对单晶体生长部分实现自由温度梯度调控，在此还设计安装了外部温度控制的高密度密封碳环，通过内部支撑管腔体的温度梯度变化结晶形态和品质也会有所不同；可以说用于结晶生长工艺中的温度梯度制作成本低廉且具有明显的效果，可以由此根据碳化硅单晶体生长的热应力和温度分布控制避免可能出现的晶体多型现象。另一方面，通过本方案还可使晶体生长部位保持要求的工艺温度标准，进而提升晶体生长的合格率。

本发明涉及导模法生长1英寸柱状氧化镓单晶的方法，通过在铱金坩埚中放入高度为35mm、直径为25mm的柱状模具将生长界面控制在模具表面，避免了坩埚杂质及熔体对流的影响；并通过导模法柱状模具的边缘控制作用，生长获得了异于传统片状氧化镓单晶的1英寸柱状氧化镓单晶，结合坩埚直径调整及提拉速度优化，攻克了不完全放肩及放肩多晶等技术难点，获得了最佳坩埚与模具尺寸比及生长拉速范围，突破性的得到了1英寸高质量柱状单晶。可实现不同晶面的衬底加工需求，与传统硅基半导体产业完全融合，为后期器件的研发及产业化提供基础。

本发明公开了一种大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法，针对于动态气氛的大流量特性，采用了电控碟阀，实现压力控制的快速性。此外，针对传统的PID控制模式，在上位机控制系统中，将模糊控制算法应用到控压仪表的PID参数调节中，根据压力的测量值和目标值自动修正控压仪表的PID三个控制参数，不仅可省去依赖于工艺人员的常规PID调节过程，而且还能保证生长过程中全程压力范围内任意数值的压力控制的精准性，本发明特别适用于大腔室大气流环境下的晶体生长过程中快速精准的压力控制。

本发明涉及光伏电池制造技术领域，且公开了一种光伏电池制造用扩散炉，包括炉体，所述炉体的内部设有石英管，所述石英管的内壁设有内封件，所述炉体的外壁转动连接有炉门，所述炉体的侧壁套设有外罩，所述外罩与炉体连接的一端固定连接有箍环，所述内封件和炉门之间设置有挤压件，所述炉门的外壁上安装有单向气阀。本发明通过内封件对石英管管口起到密封的作用，防止石英管内的气体向外泄露，并且配合内封件内的真空腔的作用，降低了空气对流导致的热量散失，从而减少石英管管口处与其内腔的温度差，提高了石英管内硅片方阻的均匀性，并且在高温下内弧板的变形提高了对石英管内壁的挤压力，从而缩小连接缝隙，进一步提高了密封性。

本发明公开了一种用于单晶炉的坩埚组件和单晶炉，包括第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，第一坩埚内限定出盛放空间，第二坩埚设在盛放空间内且与第一坩埚共同限定出第一腔室，第三坩埚设在第二坩埚内且与第二坩埚共同限定出第二腔室，第三坩埚内限定出第三腔室。其中，第二坩埚上形成有第一连通孔以连通第一腔室和第二腔室，第三坩埚上形成有第二连通孔以连通第二腔室和第三腔室，第一连通孔的孔径为d，第二连通孔的孔径为d，d、d满足：d＜d，第一腔室适于构造成下料区，第三腔室适于构造成晶体生长区。根据本发明的用于单晶炉的坩埚组件，有利于提升熔汤的均匀性，避免出现杂质击中，且保证熔汤流动顺畅，实现生产稳定。

本发明公开了一种晶体生产工艺，包括以下步骤：S1、将初始原料装入坩埚组件内；S2、对坩埚组件进行加热以使初始原料熔化，并在设定时间后，坩埚组件以设定转速段内的转速转动；S3、在熔料完成后，将下料组件下降至坩埚组件内液面上方，且与液面上下相距h，下料组件包括原料下料管，原料下料管将再加入原料加至坩埚组件的原料下料区；S4、在原料下料区下料，在晶体生长区进行拉晶，在步骤S1中，将初始原料分别装入第一腔室、第二腔室和第三腔室内，第一腔室内的初始原料的颗粒直径大于第二腔室内的初始原料的颗粒直径和第三腔室内的初始原料的颗粒直径。根据本发明的晶体生产工艺，可以使得坩埚组件内熔汤更加均匀，有利于提升晶体品质。

本发明涉及一种移动式区域熔炼制备单晶金属氘化物的方法，属于材料科学与核技术领域。目的是为了解决单晶金属氘化物难以制备、无法大规模制备、单晶纯度低等问题。本发明无需复杂昂贵的设备，生产操作简单，利用现有生产装置简单改造即可完成对单晶金属氘化物的制备，而且安全系数高，制备条件容易控制；制备过程在氘气氛保护下进行，不会产生高温环境下氘气逃逸现象，保证了冷却结晶过程中得到高纯单晶金属氘化物。

提供一种碳化硅外延生长装置以及碳化硅外延晶片的制造方法，其能够在碳化硅基板之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，得到稳定的良好的器件特性。将搭载了碳化硅基板(1)以及碳化钽部件(4)的晶片保持器(2)搭载于基座(6)内的旋转台(5)，通过基座(6)周围的感应加热线圈(7)进行加热，通过向基座(6)内供给生长气体、掺杂气体以及载气，从而在碳化硅基板(1)之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，能够得到稳定的良好的器件特性，并且能够提高碳化硅外延晶片工序的成品率。

本发明涉及用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法。所述碳化硅晶锭的制备方法包括准备步骤，将包含碳化硅颗粒的粉末装入反应容器中，并将籽晶放置在所述反应容器的一个表面，及生长步骤，使所述粉末升华以从所述籽晶生长碳化硅晶锭，所述粉末的流动指数为5到35。本发明的用于生长锭的粉末、使用其的晶锭的制备方法等可以提供抑制异质多型体的混入，以提供缺陷很少或基本上没有缺陷的优质碳化硅晶锭、及由其制成的晶片等。

本发明公开了一种水合异氰尿酸锶化合物、其非线性光学晶体及其制备方法和用途，该化合物的化学式以Sr(HCNO)·2.5HO表示。其晶体结构属于正交晶系，空间群是Pnc2，单胞参数是α＝β＝γ＝90°。该晶体在紫外、可见及近红外波段具有较大的透过率。该晶体表现出极大的倍频效应，粉末倍频测试结果显示该类化合物的倍频效应约为10倍的KHPO，且能够实现相位匹配，并具有机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该晶体可用于制备非线性光学器件用于光电子科学及相关工业领域。

本发明提供了一种气相外延室，包括：壳体；生长室，生长室设置在壳体内，以用于盛放衬底；反应装置，反应装置设置在壳体内，反应装置用于容纳反应物，以使反应物在反应装置内混合反应，生成用于使衬底上生成延生层的气体；匀气装置，匀气装置与反应装置连通，匀气装置与生长室连通，反应装置内生成的气体进入匀气装置，匀气装置将气体吹向衬底的不同部位，以使衬底生长出外延层。本发明的气相外延室解决了现有技术中的氢化物气相外延室生产的外延片质量较低的问题，节约了衬底外延的成本。

本发明提供了一种晶棒制备的方法和设备，其通过在环形棒状的多晶半导体材料棒的圆心处的贯穿孔内部设置内部加热装置，同时将所述多晶半导体材料棒外部设置于外部加热线圈内部，提高了材料棒的受热均匀度，在所述单晶籽晶体和所述多晶半导体材料棒的第一端面之间产生熔融区；移动所述外部加热线圈和所述内部加热装置，所述熔融区随着所述外部加热线圈和所述内部加热装置移动，自所述半导体材料棒的所述第一端面向所述多晶半导体材料棒的与所述第一端面相对的第二端面移动，以完成结晶提高熔融区的均匀性。有助于实现大横截面积的材料棒的更均匀的熔化，同时通过调整所述内部加热装置的温度、位置、形状或长度，可进一步扩大了可制备晶体材料的选择范围，利于调整结晶速率，增加了控制待加工晶体的材料的结晶速率的手段。

本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X轴KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，能够提升X轴的生长速度，使获得的KTP晶体具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率。

本发明涉及一种基于硅废料分级的再生多晶硅铸锭工艺，将不同批次和不同来源的多晶硅废料进行粉碎并放入容器中混合搅拌；分别从容器内随机抽取若干份硅废料并装入容器内压紧，测量两端间的电阻，计算硅废料的电阻率及其平均值；当判断混合已均匀时，根据硅废料的电阻率平均值落在预先划分的区间，将硅废料进行分级，将同一等级的硅废料按照对应的铸锭工艺进行再生多晶硅铸锭。本发明创新的采用了电阻测量法来进行硅料的分类，针对粉碎混合均匀的硅废料，则可选用针对性的工艺进行铸锭，实现了晶硅铸锭的精细化控制，提高了硅锭的质量。

本发明提供一种带底孔的整体编织坩埚预制体，所述坩埚预制体一根或多根碳纤维绳编织而成的环形中空网状体，所述坩埚预制体的上端开口的直径大于下端开口的直径。本申请的坩埚采用一根碳纤维绳或多根碳纤维绳编织而成，不需要针刺预制体，节省工时；采用直的碳纤维绳编织，不需要制作胚体，其形状的可塑性强，不受胚体的限制，可以灵活设计，批量生产缩短交货周期，材料加工浪费少。

本发明提供一种整体螺旋编织坩埚预制体，所述坩埚预制体由一根或多根碳纤维绳螺旋编织而成的网状体，所述坩埚为上端开口下端网状镂空编织。本申请的坩埚采用一根碳纤维绳或多根碳纤维绳编织而成，不需要针刺预制体，节省工时；采用直的碳纤维绳编织，不需要制作胚体，其形状的可塑性强，不受胚体的限制，可以灵活设计，批量生产缩短交货周期，材料加工浪费少。

本发明提供一种碳纤维碗形预制体，所述碳纤维碗形预制体为一中空碗形体，所述碳纤维碗形预制体上端口的直径大于下端口的直径。本申请只需要更换局部易损件，不需要报废整个坩埚，既达到安全生产，又有节省材料降低费用的效果。

本发明公开了一种Mn掺杂CsPbBr块状晶体的制备方法，包括以下步骤：(1)将CsBr粉末加入到HBr溶液中，加热并搅拌使其完全溶解，制得CsBr前驱体溶液；(2)将PbBr粉末和MnBr·4HO粉末加入到HBr溶液中，加热并搅拌使其完全溶解，制得MnBr和PbBr混合前驱体溶液；(3)将步骤(1)所得的CsBr前驱体溶液加入到步骤(2)所得的MnBr和PbBr混合前驱体溶液中，得到混合溶液；(4)将步骤(3)所得的混合溶液冷却至室温，最终得到析出的晶体。本发明通过液相法从浓氢溴酸中生长了出稳定性比较好、比较薄的Mn掺杂的CsPbBr块状晶体。

本发明公开了一种适用于晶体生长过程的行波磁场控制方法，该方法是在导电熔体的外围施加一个由正弦交变电源产生的行波磁场，该行波磁场的发生装置由多组线圈构成，线圈的结构参数及电流参数均可便利调节。所述行波磁场在导电熔体内产生的感应电流和磁场相互作用产生洛伦兹力，对某一种导电熔体而言，行波磁场参数的改变会影响到洛伦兹力的大小、方向和及其在熔体中的分布。本发明通过改变不同长晶阶段的行波磁场参数来控制熔体流动、温度分布、结晶界面形状、杂质分布等晶体生长参数，以提高晶体品质，例如在晶体生长过程中调制行波磁场参数使得结晶界面形状一直保持平直或微凸、杂质在轴向和径向分布均匀等。

本发明涉及一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法，属于氮化铝晶体原料制备技术领域。为解决现有氮化铝原料较为致密，不利于原料挥发和晶体生长的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法，将经过抗水解预处理的氮化铝粉体加入海藻酸钠溶液中，经搅拌、球磨后得到混合浆料；所得混合浆料倒入模具中，将氯化钙溶液均匀喷涂到浆料表面，然后将浆料冷冻干燥、保护气体气氛下烧结，经酸洗、水洗、烘干得到多孔氮化铝原料。本发明操作简单，成本低，可制备出孔隙率为42～50％的多孔原料，有利于氮化铝的挥发，对氮化铝原料利用率高，对氮化铝晶体生长有积极影响。

本申请提供一种铌酸锂薄膜超晶格的制备方法，包括：1)制备套刻标记；2)根据套刻标记，在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性叉指电极结构；3)在光刻好的叉指电极结构上镀金属电极；4)去除光刻胶，得到周期性叉指电极；5)在一侧叉指电极上接入电极正极，另一侧叉指电极接地，施加电场，使得叉指电极之间畴翻转，去除电极，得到第一周期性畴翻转结构；6)将套刻标记向右平移一个周期的距离，重复步骤2)～5)，得到第二周期性畴翻转结构；7)重复执行步骤6)，直至得到的所有畴翻转结构之间的间距相等，完成制备。采用前述的方案，采用多次套刻，多次电场极化，在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性的电极，制备出畴壁与z轴垂直的畴结构。

本发明实施例提供一种硅晶体的制备方法，包括：提供硅溶液，硅溶液中掺杂有第一掺杂离子以及第二掺杂离子，第一掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的一者，第二掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的另一者，且第一掺杂离子在硅溶液中的分凝系数大于第二掺杂离子在硅溶液中的分凝系数；对硅溶液进行凝固处理，以凝固部分硅溶液形成具有第一掺杂离子的第一类型硅晶体区，在形成第一类型硅晶体区之后，凝固剩余硅溶液形成具有第二掺杂离子的第二类型硅晶体区。本发明实施例有利于提高硅晶体的成品产出率，降低硅晶体的制备成本。

本发明涉及半导体材料生产技术领域，公开了一种异形PBN和石英组合坩埚，包括石英坩埚、PBN坩埚和石英帽，所述石英坩埚包括包覆腔和石英坩埚籽晶腔，所述PBN坩埚包括原料腔和PBN坩埚籽晶腔，所述PBN坩埚和石英帽均设置于石英坩埚的内腔中，所述石英帽设置在靠近石英坩埚的开口一端，且所述石英帽的开口朝向PBN坩埚；所述石英坩埚籽晶腔包括第一籽晶腔段和第二籽晶腔段，所述第二籽晶腔段与PBN坩埚籽晶腔的外壁紧密贴合，所述石英坩埚的第一籽晶腔段和包覆腔与PBN坩埚之间设置有间隔区。本发明能够使得半导体材料获得平坦的生长界面且有效改善晶体热应力集中现象，获得大尺寸、低位错密度高、均匀性好的晶体。

本发明公开了一种稀土金属单晶的制备方法。该方法包括：将稀土金属料棒安装在三电极电弧区域熔炼炉中，其中，稀土金属为Sc、Lu、Er、Y，Gd、Tb、Dy、Ho、Tm中的一种；抽真空至1Pa以下，充入氩气至5～80kPa；对料棒加热，待熔区出现后，以0.01～5mm/min的区熔速度，0～20r/min的旋转速度，对料棒进行第一次区熔；待第一次区熔完成后，停止加热，冷却；待料棒冷却后将料棒移动到初始位置，重复区熔一次或多次，得到稀土金属单晶。本发明可以制备得到尺寸范围Φ4～12mm的稀土金属单晶，且制备周期短，成材率高。

本申请实施例公开了一种用于制备掺杂YAG单晶光纤纤芯的方法，包括：制备掺杂YAG晶锭；对掺杂YAG晶锭进行切割、研磨、抛光中的至少一种处理，得到掺杂YAG晶棒；将掺杂YAG晶棒至少部分浸入酸溶液中，在预设条件下反应预设时间，得到掺杂YAG单晶光纤纤芯；在第一预设磁力搅拌速率下通过搅拌抛光液的方式对掺杂YAG单晶光纤纤芯进行柱面抛光。抛光液中包括抛光粉，第一预设磁力搅拌速率为300rpm‑500rpm，柱面抛光包括：利用夹具将掺杂YAG单晶光纤纤芯浸没于盛有抛光液的容器中，将容器置于磁力搅拌器上，使磁力搅拌器的搅拌磁子在容器内旋转并带动抛光液旋转，以进行柱面抛光。根据本申请实施例可以制得具有更高表面光洁度和更低表面粗糙度的掺杂YAG单晶光纤纤芯。

本发明涉及半导体材料制备技术领域，公开了一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉，包括单晶炉架和压力容器，压力容器安装在单晶炉架上，压力容器为两端敞开的中空结构，压力容器的一端可拆卸的密封安装有第一法兰，压力容器的另一端密封安装有第二法兰，第一法兰远离压力容器的一侧设置有第一压板，第二法兰远离压力容器的一侧设置有第二压板，第一压板与第二压板之间设置有紧固机构；压力容器的内壁上固定连接有U型隔板，U型隔板将压力容器的内部分隔为加热腔、埚降腔和动力腔。本发明解决目前的单晶炉各部分材料都是导热性能较差的保温材料制作，控温与实际温度存在滞后性，对控温精度要求特别高，造成成品率较低的问题。

本发明涉及一种碳热还原法合成大长径比碳化铪晶须的方法，采用碳热还原法，不借助催化剂，无金属杂质引入，得到的HfC晶须纯度较高、长径比大，文献报道的HfC晶须的长径比分布在5～180，而本发明制备的HfC晶须的长径比为50～500。与文献报道的HfC晶须相比，本发明制备的HfC晶须的最大长径比提高了178％。HfC晶须既可作为增强体材料制备多孔HfC晶须预制体，也可作为第二增强相应用于超高温陶瓷基或碳基复合材料，还可作为功能材料用于阴极场发射器，具有广泛的应用前景。碳热还原法具有工艺过程简单，参数易于控制，对设备要求低，成本低，可靠性和重复性好，易于实现规模化生产HfC晶须的优势。

本发明涉及单晶硅生产技术领域，且公开了一种大直径单晶硅生产设备，包括固定箱、上炉腔和转向轮，所述固定箱内腔左部固定安装有保温筒一，所述保温筒一的内壁固定安装有加热元件，所述上炉腔的顶部两侧均固定安装有转向轮，所述固定箱的内腔中部固定安装有石英坩埚，所述石英坩埚的底部固定连通有输送管。通过生长箱和石英坩埚的设置，使得固体多晶硅的融化与单晶硅的提取分为两个地点，进而减少多晶硅融化时产生的不稳定热场对单晶硅提取的影响，同时硅溶液在输送过程中，不在进行加热，以此增加熔体分布的范围与高度，提高熔体内的轴向温度梯度，降低熔体其他处温度对生长界面处的影响，提高单晶硅体的生长速度。

本发明涉及铸锭炉技术领域，且公开了一种高效控温单晶硅铸锭炉，包括底板，所述底板的顶部固定安装有支撑架，所述支撑架的内部固定安装有铸锭炉本体，所述铸锭炉本体的底部固定安装有限位框，所述限位框的底部开设有限位槽，所述限位槽的内部活动安装有密封框。该高效控温单晶硅铸锭炉，通过对铸锭炉本体安装了限位框，以及对限位框开设了限位槽，可对密封框进行限位，通过对密封框安装了底盖，可对铸锭炉本体进行密封，通过对限位框开设了固定槽，以及对卡簧安装了延伸至固定槽内部的固定头，可对密封框和底盖进行固定，通过对限位框安装了气动推杆，并且对气动推杆安装了挤压杆，气动推杆可通过伸展将固定头推出固定槽。

一种坩埚包括外部元件和内部元件。外部元件具有第一部分和第二部分，所述第一部分在所述坩埚的底端处是水平的，而所述第二部分以相对于竖直轴线的第一锐角从所述坩埚的所述底端径向向外上升至所述坩埚的顶端。内部元件包括圆锥体与圆柱体，所述圆柱体在所述圆锥体的基底。所述圆锥体以相对于竖直轴线的第二锐角从所述坩埚的所述顶端径向向外下降至所述坩埚的所述底端。所述内部元件包括：所述圆柱体的基底部分，其利用密封剂附接到所述外部元件的所述第一部分，以在所述外部元件的内部和所述内部元件的外部之间形成中空模具。

在一种单晶硅的氧浓度推断方法中，通过提拉装置提拉单晶硅，所述提拉装置具有相对于包含晶体提拉轴及水平磁场的施加方向的面为非面对称的结构的热区形状，在单晶硅的颈部工序及肩部形成工序中的至少任一个工序中，实施测量热区形状的非面对称结构的位置处的硅熔液的表面温度的工序(S3)以及根据所测量的硅熔液的表面温度及预先准备的硅熔液的表面温度与单晶硅中的氧浓度的关系来推断所提拉的单晶硅的直体部中的氧浓度的工序(S5)。

提供一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种磷化铟单晶衬底，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。

本发明公开了一种生长二维有机单晶膜的方法，包括以下步骤：在黏性液体基底上加入低沸点溶剂，于10～25℃放置1min，再加入高沸点溶剂，于10～25℃放置8～10小时，得到二维有机单晶膜，黏性液体基底为丙三醇，高沸点溶剂的沸点为110‑150℃。本发明的方法通过以黏性液体基底起到延缓溶剂挥发的作用，在低沸点溶剂上覆盖一层高沸点溶剂，利用低沸点溶剂先诱导出微晶颗粒，高沸点溶剂起到将小晶粒聚集并获得均匀平整的二维有机单晶，从而制备大面积二维有机单晶膜。本发明的二维有机单晶膜制成有机场效应晶体管后，该有机场效应晶体管的迁移率的平均数为2.06cm/(v.s)，有机场效应晶体管的最大迁移率为3.07cm/(v.s)。

本发明涉及一种晶体生长的热场设备及方法，属于晶体制备领域。解决晶体生长尺寸单一，效率低难量产的问题。包括冷却保护系统、抽真空系统、仪表控制系统、工艺供气系统、坩埚升降系统、热场保温系统、感应加热系统、红外检测系统、感应加热升降系统、电源高频加热系统、空调系统和供电系统，热场保温系统下侧安装坩埚升降系统，热场保温系统外侧安装感应加热系统，热场保温系统上侧安装红外检测系统，热场保温系统与冷却保护系统连接，抽真空系统与热场保温系统和工艺供气系统连接，热场保温系统和工艺供气系统与仪表控制系统连接，电源高频加热系统与仪表控制系统连接，感应加热升降系统与感应加热系统连接。能根据不同尺寸的长晶要求制备晶体。

一种优质大尺寸BiBO晶体熔盐法生长的装置和方法，采用特纯BiO和BO按比例配制并充分研磨混合，梯度高温预烧获得晶体生长多晶料，选择刚玉坩埚、合料炉、附带一对光滑搅拌杆的籽晶杆、铂坩埚和熔盐炉为生长装置。将晶体生长多晶料加热熔化，采用在晶体生长过程中籽晶杆上附带的一对光滑搅拌杆加强对生长熔体的搅拌的顶部籽晶熔体法晶体生长工艺，解决了因为低熔点、高粘稠度的BiBO晶体生长熔体易于自然成核，同时提高单晶在生长过程中的质量输送，有利于优质大尺寸的BiBO晶体在均匀的熔体表面或熔体中顺利生长。

本发明涉及一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法，属于单晶硅生产技术领域。直拉法单晶炉包括炉体，炉体内设置有坩埚和加热器，坩埚包括用于盛装熔体的石英坩埚和包裹在石英坩埚外的石墨坩埚，加热器设置在石墨坩埚的外侧，石墨坩埚的底部设有坩埚轴和测温装置，测温装置穿过所述坩埚轴中心并插入石墨坩埚的底部，测温装置的底部引出有与数据处理器连接的信号数据线。通过在石墨坩埚的底部设置测温装置，用于测量石英坩埚底部的温度，实时获得在拉晶过程中石英坩埚底部的温度变化，从而调整加热器的功率。

本发明公开了一种掺镧铁酸铋(BLFO)单晶薄膜的制备方法。该方法是以五水合硝酸铋(Bi(NO)·5HO)、六水合硝酸镧(La(NO)·6HO)和九水合硝酸铁(Fe(NO)·9HO)作为主要原料，乙二醇甲醚(CHO)为络合剂，氨水(NH·HO)为沉淀剂，氢氧化钾(KOH)为水热矿化剂，先在常温下进行共沉淀反应，之后将络合物在加入矿化剂水溶液后在一定温度下进行水热处理，实现了高质量掺镧铁酸铋(BLFO)单晶薄膜的制备。本发明工艺流程较为简单，成本低，易于控制，能够进行大规模生产。得到的单晶薄膜表面平整连续，薄膜与基底形成了高质量的异质结界面，界面处平整，在铁电光伏、光电存储器、传感器等领域有极大的应用潜力。

本发明公开了一种用于制备tic晶须的生产装置，属于干燥装置技术领域，干燥罐的一端设置有上盖，干燥罐的内壁固定连接有加热板和限位块，限位块的一表面通过螺杆固定连接有支撑杆，支撑杆的一端固定连接有集水盒，集水盒的底部中心位置固定套接有密封轴承，密封轴承的中心位置固定套接有轴杆，轴杆的另一端面通过螺丝固定连接有旋转耙，该用于制备tic晶须的生产装置设置的便于装拆的喇叭形滤网具有振动的功能，不仅提高了固液分离效率，而且可以加快晶须的下料速度，并且设置的集水盒具有自动收集液体的功能，可以将液体快速的导出干燥罐，避免液体影响干燥罐内的温度，从而加快了晶须的干燥速度，进而提高了生产效率。

本发明公开一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，步骤如下：步骤1)将无水乙醇与酚醛树脂混合后，用磁力搅拌器搅拌至完全溶解，得到A溶液；步骤2)在A溶液中加入氧化物陶瓷粉末，经磁力搅拌器搅拌均匀，得到B溶液；步骤3)在B溶液中加入六水和硝酸镍和氯化物，经磁力搅拌器搅拌均匀，得到C溶液；步骤4)将C溶液倒入模具中，放入鼓风干燥箱中进行固化处理，得到块状前驱体；步骤5)将固化好的块状前驱体放入管式炉的刚玉管中进行热处理，并通入氩气进行气氛保护，即得到多孔碳化物晶须预制体。该制备方法，解决了粉体晶须分散困难和引入量有限的问题。

本发明公开了一种低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法。低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法，包括：获取高纯度的InSb锭条，并选取InSb锭条中导电类型为N型且载流子浓度低于掺杂后目标晶体要求浓度的部分作为原料；基于掺杂后目标晶体要求浓度，在一部分原料中掺入N型元素，以制备规格合金片；获取目标重量的原料，并根据公式1获取目标重量的规格合金片，MH＝CS×MS/CH×K；其中，MH表示规格合金片的重量，MS表示原料的重量，CH表示规格合金片的浓度，CS表示掺杂后目标晶体要求浓度，K表示修正系数；基于目标重量的原料和目标重量的规格合金片，制备目标晶体。采用本发明，可以去除原料本身存在的杂质，还可以保证掺入量的精确度。

本发明公开了一种获得单一钛氧终止的绝缘钛酸锶(001)表面的方法。该方法包括：将钛酸锶单晶用溶剂超声清洗后置于超高真空腔体中，将所述钛酸锶单晶加热后除气，再继续升温进行退火，退火完毕后降温，降温完毕后保持温度不变通入氧气，通完氧气后继续降温至室温，抽走氧气。该方法可控性好，成功率达百分之百，所获得的表面可以用于外延生长不同的薄膜材料。

本发明公开了一种含掺杂元素的单晶的制备方法及其制备装置，属于晶体生长领域。本发明将籽晶、掺杂剂、多晶以及液封剂加入第一坩埚中并按常规VGF法进行长晶，在停止长晶前，将位于第一坩埚上方的第二坩埚内的多晶熔化并流入第一坩埚内进行长晶，这样调整了第一坩埚中熔体的掺杂元素浓度，从而改善生长出的晶体中分凝系数<1的掺杂元素头尾分布不均匀的问题；当应用于制备掺硅GaAs单晶时，所得整根晶棒的掺杂浓度能控制在(0.4‑2)E+18/cm范围内。

本发明公开了一种轴向温度多梯度可控的热场，包括石英管、收容于石英管内部的坩埚、围绕石英管外围的上线圈、围绕石英管外围的中线圈、围绕石英管外围的下线圈；所述上线圈配有跟随上线圈移动的上红外高温计、中线圈配有跟随中线圈移动的中红外高温计、下线圈配有跟随下线圈移动的下红外高温计。红外高温计跟随每区线圈移动，可以根据测得的数据，调节各感应线圈功率大小，真正实现温度梯度可调。该技术方案可控性强，操作方便，避免了传统单扎感应线圈带来的温度梯度不可调的问题。本发明还提供了具有上述热场的长晶炉。

本发明公开一种硅棒拼接方法、设备和系统，以及计算机存储介质，涉及晶棒切片技术领域，以解决人工拼接硅棒所需的拼接时间较长，导致拼接效率低以及容易造成物料堆积的技术问题。硅棒拼接方法应用于第一硅棒和第二硅棒拼接，第一硅棒和第二硅棒的长度均小于硅棒切片工序要求的长度。硅棒拼接方法包括：获取第一硅棒的尺寸参数。当第一硅棒的尺寸参数满足预设拼接条件时，控制第一硅棒与第二硅棒进行拼接。其中，第二硅棒为已获知尺寸参数的待拼接硅棒。当第一硅棒的尺寸参数不满足预设拼接条件，确定硅棒缓存立体库对应的硅棒信息数据库中，存在满足预设拼接条件的物料信息的情况下，控制物料信息对应的目标硅棒与第二硅棒进行拼接。

本发明公开了一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法，包括：包括如下步骤：选取人造石英块状籽晶；在籽晶+x晶向开槽，将籽晶制成U型籽晶块；将优质石英原料破碎成块状，经过水洗、碱洗、水洗稀释、烘干，放入高压釜下部溶解区；将籽晶块腐蚀后，用挡板遮挡U型块状籽晶两侧和底面，U型槽开口向下悬挂在晶体生长架上，将晶体生长架放入高压釜内上部生长区；待U型槽内部填满，形成人造石英晶体完整外形后停止生长，去除籽晶原有U型部分，提取U型槽内新填充部分石英晶体，得到低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶。本发明能够解决低腐蚀隧道密度人造石英晶体生长的籽晶需求，满足晶振元件微型化、高频化QMEMS制造工艺应用。

一种电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜的方法，该方法包括以下步骤：束斑标定位置调整；束斑范围标定；工艺参数计算；工艺参数测试；制备区定位；石墨烯晶体薄膜制备。本发明在真空环境下，采用电子束扫描碳聚合物薄膜表面制备石墨烯晶体薄膜，可调工艺参数多，如工作电压、束流、聚焦电流、工作距离、扫描轨迹、扫描频率、扫描范围均可调节，因此可以组合的工作参数较多，更加能够适应不同规格、不同用途石墨烯晶体薄膜制备的需求；此外，在真空环境下制备石墨烯晶体薄膜，不易受到其它杂质气体的影响，石墨烯晶体薄膜的质量较好，并且与激光相比，电子与材料作用时能量转化效率高，且制备过程中不需要在材料表面涂覆光敏材料，简化工艺过程。

本发明适用于金刚石生产技术领域，提供了一种单晶金刚石生长设备；包括：机架；所述机架上固定安装有进气系统、冷却循环系统、电离室和沉积室；其中，所述电离室内部设置有自转动设置的电离筒；所述电离筒外侧设置有微波系统；所述电离筒内部设置有分气筒，所述电离室的输出端与沉积室的输入端连通；所述分气筒上阵列设置有出气孔，且所述分气筒外侧阵列设置有螺旋叶；所述分气筒底部设置有第二通道和第一通道，所述第二通道与分气筒内部连通，所述第一通道与电离筒内部连通，所述第一通道和调节腔与冷却循环系统循环连通。本发明很好地保证了生长金刚石的质量。

本发明公开了一种锰磷硒材料的制备方法及1.6μm全光纤脉冲激光器，其中方法包括：向容器中加入预定配比的配料组合以及运输剂；加热封装后的所述容器直至所述容器内的所述运输剂和配料组合发生化学气相传输，以获得锰磷硒晶体；剥离冷却后的所述锰磷硒晶体以获得锰磷硒材料。本发明实施例通过预定配比的配料组合以及运输剂制备锰磷硒材料，通过锰磷硒材料制备的可饱和吸收体能够实现1.6μm的脉冲激光稳定输出。