晶体生长

本发明实施例提供一种半导体工艺腔室及半导体加工设备，该半导体工艺腔室包括腔体、设置在该腔体中的晶圆承载装置和设置在晶圆承载装置底部的保温结构，该保温结构包括保温主体，设置在腔体内，用以对腔体内部进行保温，且在保温主体中设置有气体通道，该气体通道包括多个出气口，多个出气口沿保温主体的周向间隔分布在保温主体的外周壁上；旋转驱动机构，用于驱动保温主体围绕其轴线旋转；以及，进气管路，其出气端与气体通道的进气口相连通，进气管路的进气端延伸至腔体的外部，用于与指定气源连接。本发明实施例提供的半导体工艺腔室及半导体加工设备的技术方案，可以提高在腔体周向上的气体分布均匀性，从而可以提高工艺均匀性。

本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，所述多个外延片容置槽沿所述第一圆形端面径向呈多层圆环排列，所述圆环的圆心与所述第一圆形端面的圆心重合，所述弧面凹槽均匀间隔布置于所述多个外延片容置槽之间的第一圆形端面上，所述弧面凹槽的内表面呈球冠状。本公开通过石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，弧面凹槽均匀间隔布置于外延片容置槽之间的第一圆形端面上提高石墨基座边缘位置外延层的均匀性，提高外延片一致性。

本发明涉及芯片加工技术领域，具体公开了一种芯片制备用的层叠式硅晶棒制造设备,包括铸造炉筒座、压铸机构、封盖与震动加热套，所述铸造炉筒座的中间设有中间筒，且在中间筒的上端固定连通有锥面结构的导液斗，所述导液斗的上端固定连通有腔体结构的缓冲室，所述缓冲室的顶部设有电缸安装座，所述压铸机构固定安装在电缸安装座的上端；本发明中，通过压铸机构对中间筒内硅熔液进行压铸，增强了硅晶棒内的整体强度，可以满足高强度设备中对半导体材料的强度需求；本发明中，采用震动加热套与压铸机构配合制备，生产出的硅晶棒内各层次之间的结合度较致密，改善横截面的抗剪切能力，同时还提高了整个硅晶棒的制备效率。

本发明提出一种无掩模原位横向外延α相氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延一层氧化镓缓冲层；(2)在极短的时间内，在氧化镓缓冲层上生长一层氧化铟量子点，即可得到图形化的氧化镓外延衬底；(3)在图形化的氧化镓外延衬底上继续外延α相氧化镓薄膜，直至氧化铟量子点的上部被氧化镓铺满。本发明采用横向外延技术，使氧化铟量子点的上部被氧化镓铺满，使窗口区的位错在横向生长区被截断而消失，部分位错向横向生长区弯曲90°而不能达到薄膜表面从而使得位错大大减少，这种原位的无掩模的横向外延技术极大优化了传统横向外延的工艺步骤，减少刻蚀损伤。

本发明的复合体，含β－锂霞石的结晶相和钽酸锂的结晶相。在0～50℃的温度范围，每1℃计算出的热膨胀系数在0±1ppm/K以内。钽酸锂的结晶相中含有钙。β－锂霞石的结晶相与钽酸锂的结晶相的体积比为90:10～99.5:0.5。

本发明揭示其中监测颈部生长期间的提拉速率的用于制造单晶硅锭的方法。可计算所述提拉速率的移动平均值且比较所述移动平均值与目标移动平均值以确定是否未消除位错及所述颈部是否不适用于制造悬挂在所述颈部上的锭主体。

提供用于制备无表面活性剂的超小尖晶石三元金属氧化物纳米颗粒的方法。一种方法包括以特定的摩尔比将第一和第二金属盐溶解在去离子水中以形成包含两种不同金属离子的溶液，应用共沉淀方法并向所述溶液中添加碱性溶液以形成胶体悬浮液，其中胶体悬浮液的胶体是金属氢氧化物，调节碱性溶液的量和添加速率以形成金属氢氧化物沉淀的特定结构；洗涤并干燥所述金属氢氧化物以形成结构化的金属氢氧化物粉末，和将煅烧方法应用于结构化的金属氢氧化物粉末，以形成无表面活性剂的尖晶石型(ABO)三元金属氧化物，其中A和B分别各自包含金属元素。

本发明提供一种即使在刚玉结构中也能够在工业上有利地形成减少了由于小面生长引起的位移等的缺陷的外延膜的成膜方法。在具有刚玉结构的晶体基板的晶体生长面上，直接或经由其他层形成外延膜时，使用在晶体生长面上形成有至少包括凹部或凸部的凹凸部的晶体基板，通过将含有金属的原料溶液雾化，使液滴飘浮，将得到的雾化液滴用载气运送到所述晶体基板附近，接着，在设为供给限速的条件下，使所述雾化液滴产生热反应来形成外延膜。

本发明涉及一种硅棒领域，尤其涉及一种可将圆柱形状硅棒拼接的硅棒拼接装置。技术问题：提供一种可将圆柱形状硅棒拼接的硅棒拼接装置。技术方案如下：一种可将圆柱形状硅棒拼接的硅棒拼接装置，包括有底架、上料单元、缠绕单元、注剂单元和控制屏；底架与上料单元相连接；底架与缠绕单元相连接；底架与注剂单元相连接；底架与控制屏相连接；上料单元与缠绕单元相连接。本发明实现了对自动对长方体形以及圆柱形硅棒进行拼接。

本发明公开了一种新型单晶炉外置加料机，包括料仓，所述料仓外侧设有上真空腔，所述上真空腔上端安装有上真空腔盖，所述料仓下端通过料槽与高频振动器连接，所述料槽外侧安装有下真空腔，所述高频振动器下侧通过称重传感器与滑座连接，所述滑座下端与调整基座连接，所述料槽左端外侧与波纹管焊接。本发明可以边生产边加料，省时省力，生产效率高，使用便捷高效。

本发明公开了一种利用盐泥制备硫酸钙晶须的方法：(1)水化处理：取盐泥，研磨成粉末，加入适量水，搅拌，静置分层，取上层的悬浊液，再次静置分层，下层为澄清溶液，取出，蒸干，得水化处理过的盐泥；(2)水热合成法制备：取上述水化处理过的盐泥，加入适量水，再加入适量氯化钙和盐酸，在110～140℃、搅拌条件下反应0.5～4小时；反应液抽滤得滤饼，烘干，即得硫酸钙晶须。本发明的方法，以废弃盐泥为原料，在温度和压力相对缓和的条件下进行硫酸钙晶须的制备，不仅可以解决环境的污染问题，还可以变废为宝，为企业乃至社会创造出一定程度的经济和社会价值，有利于氯碱行业的发展。

本申请公开一种用于反应腔中加热管的散热装置及反应腔室，所公开的散热装置(100)中，散热本体(110)用于与加热管(200)的基座(210)可拆卸连接，且导热相连，散热本体(110)内设有流体通道，流体流入部(120)和流体流出部(130)均与流体通道连通，调节阀(140)设置于流体流入部(120)上，温度测量器(160)设置于散热本体(110)与基座(210)的固定连接处，用于测量基座(210)的温度，且温度测量器(160)与温控器(150)的输入端电连接，调节阀(140)与温控器(150)的输出端电连接。上述方案能够解决因灯座温度过高而导致石英管与灯座之间的石膏密封较容易失效的问题。

本发明公开了一种生长大尺寸片状SiC单晶的装置及方法，包括：坩埚；坩埚内放置有SiC原料，坩埚上设有至少一组进气通道和回流通道，进气通道内设有导模板，在进气通道与回流通道的连接处设有籽晶，籽晶通过在籽晶杆连接在籽晶夹持器；坩埚受热后，SiC原料受热分解产生Si蒸气，Si蒸气与坩埚的侧壁和导模板的侧壁上的C发生反应，反应生成的产物在籽晶上生成SiC单晶；多余的Si蒸气在抽风机的作用下通过回流通道重新进入坩埚中。本发明采用PVT法和导模法相结合的方式，结合层流理论，来对SiC单晶的生长进行控制。本发明能够有效节约材料，降低生产成本，提高单晶尺寸和质量，具有良好的应用价值。

本发明公开了一种α半水硫酸钙晶须的制备方法，属于材料工程技术领域。该制备方法包括以下步骤：将二水硫酸钙晶须进行蒸压，二水硫酸钙晶须在具有水的蒸压容器中位于水面上方。通过直接对二水硫酸钙晶须进行蒸压以制备α半水硫酸钙晶须，能够较目前从溶液逐步长成晶须的方法提高α半水硫酸钙晶须的制备效率，降低成本。

本发明公开了一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺，包括以下步骤：(1)通过常规缩颈工艺将细颈的尺寸控制在3‑5mm，长度150‑300mm；(2)将细颈放粗到Φ15±2mm，等径拉制一段长度，直到细颈部位到达600℃以下的热场区域，然后再放肩到单晶所需的直径。本发明的工艺用于在小梯度热场下，能够在拉制大尺寸无位错锗单晶时，减少细颈因受单晶重力因素导致塑性形变而产生位错，避免这些位错延伸到单晶。

本发明公开了一种5G单晶提拉设备，包括设备架、对称设于加热环上的升降部件、设于支撑架上的第一空槽、用于进出料的通口、设于空槽上的隔热部件、紧固部件；所述驱动部件包括可上下移动地设于所述设备架上的螺纹杆、可转动地设于设备架上用于驱动螺纹杆位移的螺母、用于驱动螺母转动的第一电机、设于所述螺纹杆上的第一支撑杆、设于第一支撑杆上的第二空槽、可上下运动地设于所述第二空槽上的转杆、设于转杆上的轴承板、用于推动轴承板往复移动的第一弹簧、用于驱动转杆转动的第二电机；本发明通过增加升降部件，让加热环可以同步移动，与隔热部件相结合，不需要增加加热的区域范围，实现减少能源浪费，精确加热。

本发明涉及半导体加工设备技术领域，且公开了一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置，包括活动盘，所述活动盘的底侧贯穿有连接筒，连接筒的内侧壁中贯穿有活动圈，活动圈的外侧壁中贯穿连接筒的侧壁活动连接有活动块，连接筒的外侧壁贯穿有活动筒，活动筒的顶端固定连接有连接块，连接块的顶端活动连接有活动球。通过将活动盘向下按压的过程中，连接筒的侧壁可直接贯穿至活动筒的内侧壁中，连接筒的侧壁在刚开始进入至活动筒的内部期间，活动球的侧壁可顺着连接筒的外侧壁向上滑动，连接筒的侧壁处会受到由下至上的挤压，可限制住溶液流动的速度，缩小通道，无杂质的溶液可顺利通过，可溶解掉溶液中的气泡。

本发明公开了一种纳米棒状三硫化二锑电磁波吸收材料、吸收体及制备方法与应用，纳米棒状SbS电磁波吸收材料，其为交错堆叠的单晶纳米棒，SbS纳米棒的结晶取向为[130]，为正交晶系辉锑矿，SbS在结晶过程中在[130]方向上取向成长形成纳米棒，所制备的该SbS纳米棒首次实现了SbS在电磁波吸收领域的应用，并具有吸收强度高，吸收频带宽，匹配厚度薄，抗腐蚀能力强等特点，同时本发明的制备方法简单易行、成本低，具有较好的工业化应用前景。

本发明涉及半导体制备技术领域，且公开了一种半导体制备用拉晶装置，包括底盘，所述底盘的下表面设置有调节式移动装置，所述底盘的内部插接有缓冲装置，所述底盘上表面的中部设置有炉体，所述炉体外侧面的中部设置有炉门，所述炉门的外侧面通过合页与炉体的外侧面铰接，所述炉门外侧面的右侧固定连接有开合把手。该半导体制备用拉晶装置，通过移动控制杆推动万向轮转动，使得万向轮带动拉晶装置进行移动，实现了对拉晶装置的移动，使得使用者可以根据使用需求对拉晶装置的位置进行移动，方便了使用者对拉晶装置的使用，提高了拉晶装置的实用性，减少了对拉晶装置移动所需要的时间，提高了工作效率。

本发明公开了一种碲掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用，该材料的分子式为TeBiGeO，其中，x的取值范围为0.005～0.02，x代表Te离子的掺杂浓度，Te离子取代Bi离子格位；所述晶体材料的晶系为立方晶系，空间群为I‑43d，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4。本发明的Te掺杂的锗酸铋晶体材料，不仅在近红外激光方面有潜在应该用价值，其倍频激光在激光钠导星、生物医学、信息存储、通讯领域、国防军工、大气遥感等方面有着重要应用。其制备方法可以生长长度很长且直径均匀的晶体，生长晶体快速，节约大量时间，生长晶体所用原料较少，降低实验成本。

本发明属于热电材料领域，为解决热电材料载流子浓度n的优化流程非常局限导致材料开发进程非常缓慢，效率低下的问题，本发明提出了一种热电材料优化载流子浓度的方法，采用单熔区一次或多次区域熔炼，或者多熔区一次区域熔炼，对所需研究的热电材料基体进行成分梯度铸锭制备。简单高效，节省了材料开发环节大量的人力、物力，降低开发成本，加速材料研究的工程化应用。

本发明涉及热电材料制备领域，为解决目前区熔法生产出取向一致性较高的碲化铋基区熔铸锭存在的问题，本发明提出了一种碲化铋区熔铸锭的模具及其使用方法，碲化铋区熔铸锭的模具由常规生长区、前端过渡区连接组成，常规生长区为圆管，圆管一端呈圆锥状为前端过渡区。本发明提高了生产的碲化铋基区熔铸锭的质量提高了生产的碲化铋基区熔铸锭的质量：热电性能均匀性增加；热电性能提高；材料利用率提高。

本发明涉及热电材料领域，为解决目前碲化铋基区熔铸锭的成分均匀性差，热电性能的分布也呈现相应梯度，必须去除头尾才能进入正常生产流程的问题，本发明提出了一种提高碲化铋基区熔铸锭热电性能均匀性的方法，碲化铋基区熔铸锭中含有掺杂元素，掺杂元素的分凝系数与基体材料的等效分凝系数的和为1.8~2.2。本发明方法简单易行，不引入额外生产成本，同时对基体铸锭的本征热电性能影响较小。

本发明提供一种高纯单相BiSiO多晶的制备方法，包括如下步骤：(1)将BiO和SiO研磨混合，得到混合粉体；其中，BiO和SiO的摩尔比为(6～6.2)；(2)将混合粉体在1285℃保温1～2h，得到试样；(3)将试样于740～883℃保温2～6h，得到高纯单相BiSiO多晶。本发明通过熔融冷却法成功制备单相BiSiO晶体，熔融冷却法不需要昂贵的生产设备，对实现高纯单相BiSiO多晶工业化量产具有重要意义。

本发明公开了一种用于单晶炉的液体吸取装置和液体吸取装置的控制方法，单晶炉具有晶体生长室和拉晶室，拉晶室通过连通口与晶体生长室连通，液体吸取装置包括储存容器、抽吸管和抽吸组件，储存容器适于设于拉晶室内，储存容器内限定出储存空间，且储存容器上形成有液体进口和通气口，液体进口和通气口分别与储存空间连通，抽吸管设在储存容器上且抽吸管内限定出抽吸通道，抽吸通道与液体进口连通，抽吸管适于通过连通口伸入晶体生长室内，抽吸组件与通气口连通以减小储存空间内的压力。根据本发明的用于单晶炉的液体吸取装置，可以及时移除坩埚内污染的液体，保证生产持续进行，且结构简单、使用可靠。

一种异金属取代Dawson型多酸基晶体材料及其制备方法，属于无机化学的多酸技术领域。本发明制备的异金属取代Dawson型多酸基晶体材料的化学式为：KH[FeLa(HO)(α‑PWO)]·21HO。异金属取代Dawson型多酸基晶体材料的制备方法，首先配制醋酸与醋酸钠缓冲溶液，将FeCl溶解于上述缓冲溶液中，备用；然后配制浓度为1M的氢氧化钠溶液，备用；再将K[α‑HPWO]·24HO加入水体系中，在不断搅拌条件下，依次向其中加入配制好的FeCl溶液，KCO，1MNaOH溶液以及LaCl·6HO或La(NO)·6HO，最后装入反应釜中90‑105℃加热得到的产物经过过滤和蒸馏水洗涤，室温下干燥即得到棕黄色柱状晶体。本发明多酸晶体材料制备方法简单，易操作，重复性好。

本发明公开了一种低成本低钴单晶镍钴锰三元正极材料及其制备方法，将一定化学计量比的镍源、氧化钴、氧化锰、锂源及M掺杂剂加入研磨机内湿法研磨，研磨至不溶物粒度≤0.5μm的浆液，进行喷雾干燥，得到一种节能低成本低钴含锂三元前驱体A。将A高温富氧烧结，粉碎处理后得高分散单晶三元材料基体B；将B干法包覆X，低温空气气氛固相烧结、粉碎处理，即得一种低成本低钴单晶正极材料；本发明制造过程绿色环保、避免了前驱体制备及产品烧结过程污染物排放，操作工艺简单可控，成本低。且同时实现双掺杂与表面包覆，既稳定材料的结构，又有利于提高产品表面锂离子的迁移速度，降低产品表面残碱。该材料容量高，循环和高温性安全性良好。

本发明公开了一种晶体生产工艺，包括以下步骤：S10：化料：对坩埚组件进行加热以使初始原料熔化，并在设定时间后，坩埚组件以设定转速段内的转速转动；S11、引晶：将籽晶的一部分浸入坩埚组件内熔体的液面下方，并开启磁场装置；S12、缩颈；S13、放转肩；S14、等径加料：在晶体生长区进行晶棒的等径生长，原料下料管将再加入原料加至坩埚组件的原料下料区，且控制下料组件的加料量与晶体的成晶量相等。其中，坩埚组件包括第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，第一腔室适于构造成原料下料区，第三腔室适于构造成晶体生长区，磁场的中心面位于坩埚组件内熔体的固液界面的上方。根据本发明的晶体生产工艺，可以控制晶体的氧含量，提升晶体品质。

本发明公开了一种离子液体提纯金属络合物单晶的方法，其步骤为1)：在离子液体中，加入过量的一种金属氧化物或金属氢氧化物，并搅拌混合均匀；2)：对混合均匀的离子液体加热到56℃以上，至金属氧化物或氢氧化物不再溶解，形成金属络合物的饱和溶液；3)：将金属络合物饱和溶液进行冷却至56℃以下；4)：调整金属络合物饱和溶液PH值或者温度，然后采用超紫外光束，对冷却后的饱和溶液进行辐照至分层；5)：抽取分层后的饱和溶液中富含金属络合物的离子液体；6)：对富含金属络合物的离子液体进行晶核生成，然后进行单晶培养得到金属络合物单晶，该方法生产效率高，能耗低，得到的金属络合物单晶纯度高，易操作，费用低，全过程安全可控。

本发明涉及一种晶体硅棒的加工方法及其产品。本发明所涉及的加工方法是通过将晶体硅棒进行阶段式热处理来降低其硬度，降低其内部应力，最终可提高晶体硅棒在切割过程中的直通率，并显著提高良品率，可有效降低线痕率、崩边率及碎片率。

本发明的一种表面增强的聚晶金刚石复合片及其制备方法属于超硬材料技术领域。所述的表面增强的聚晶金刚石复合片，包括CVD多晶金刚石膜、聚晶金刚石层和碳化钨‑钴硬质合金层，制备方法包括激光扫描雕刻预制图案、整体压实成型、高温高压烧结等步骤。本发明通过在PDC表面热压烧结一层CVD多晶金刚石膜，提高了PDC的耐磨性，在高温高压烧结过程中表面CVD多晶金刚石膜沿激光预制纹路开裂，流体状态的金刚石微粉、钴、碳化钨混合物填充入裂隙形成聚晶，并与CVD多晶金刚石膜形成牢固D‑D键连接。因此在高温高压烧结过程中和高负荷工作条件下金刚石膜片不易随机崩裂脱落，以免造成刀具损伤。

本发明提供一种单晶生长方法及单晶生长设备。单晶生长方法包括：提供单晶生长设备，包括坩埚、用于提拉坩埚的坩埚提拉装置、用于提拉单晶的单晶提拉装置、导流筒和用于提拉导流筒的导流筒提拉装置；设定理论液口距，根据坩埚和单晶尺寸确定理论埚跟比后开始单晶生长；在单晶生长过程中调整坩埚、导流筒和单晶中的一个或多个的位置并实时测量得到实际液口距，计算实际液口距和理论液口距的偏差值并依偏差值得到埚跟比变化值，依埚跟比变化值对理论埚跟比进行调整；依埚跟比变化值对单晶提拉装置的拉速进行调整，以使单晶生长过程中的晶体工艺拉速保持不变，其中，晶体工艺拉速为单晶相对于液面的提升速度。本发明有助于提高单晶生长品质。

本发明涉及一种红外非线性光学晶体KAgGaSe及其制备方法和用途。该晶体的化学式为KAgGaSe，分子量为2025.91，结晶于非中心对称的单斜晶系空间群，其晶胞参数为：=12.8805(5)Å,=11.6857(4)Å,=9.6600(4)Å,==90°,=115.9980(1)°,=2,单胞体积为1306.87(9)Å。本发明提供的KAgGaSe晶体具有倍频效应高、抗激光损伤阈值高、红外透过范围宽、空气中稳定等优点，是一种新的红外非线性光学晶体材料，可作为近红外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

本公开提供一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉，包括：加热器主体；绝缘保护罩，包括套设于加热器主体外侧面的筒状罩体及设置于加热器主体的底部开口端的底部遮挡板，底部遮挡板的中部设有通孔，通孔内设有绝缘轴承套，底部遮挡板通过绝缘轴承套固定于坩埚的坩埚轴上，以使底部遮挡板在坩埚轴带动下运动；导向组件，包括导轨和滑动件，导轨设置在加热器主体的侧面，导轨的导向方向与坩埚轴的轴向相同，滑动件连接至加热器主体，滑动件以可移动方式设置在导轨上，滑动件在加热器主体带动下沿导轨运动。本公开单晶炉热场加热器组件及单晶炉，具有加热效果好、升温快、热场温度稳定等特点，有利于长晶过程中晶棒的无缺陷生长，提高晶棒的良率。

本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，包括：将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；对所述第一温区进行加热，对所述第二温区进行加热，将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片，并且这种方法在175Pa～185Pa的压强下进行，制备方法安全简单。

本发明公开的一种含有孪晶的纳米氧化亚铜粉末的制备方法，通过以二氧化钼为牺牲模板，加入铜源并分散在溶剂中，在一定温度下加入沉淀剂和还原剂，最终制备出了含有孪晶的纳米氧化亚铜粉末。本发明以一种简单的液相牺牲模板法，可控的制备出具有分布均匀、尺寸均一且含有高密度孪晶的纳米氧化亚铜材料；与其它纳米氧化亚铜相比，其表现出更加优异的电化学无酶葡萄糖传感性能；本发明还提供了应用上述方法制备得到的一种含有孪晶的纳米氧化亚铜粉末。

本发明提供一种具有刚玉结构的外延膜，其具有优异的对于减少了由于小面生长引起的位移等缺陷的半导体装置等有用的晶体品质。一种结晶性氧化物膜，包括刚玉结构的横向生长区域，所述横向生长区域实质上不包含小面生长区域，晶体生长方向为c轴或大致c轴方向，并包括在c轴或大致c轴方向上延伸的位移线，晶体生长已在c轴或大致c轴方向上扩展的结晶性氧化物彼此相互接合。

通过FZ法制备半导体材料的单晶的方法，实施该方法的设备以及硅半导体晶片。该方法包括在进料棒和生长的单晶之间产生熔融区；在第一感应线圈的高频磁场中熔化进料棒的材料；使生长的单晶顶部的熔融区的材料结晶；使生长的单晶围绕旋转轴旋转，并根据预定的模式改变旋转方向和旋转速度；以及在熔融区上施加第二感应线圈的交变磁场，其中交变磁场相对于生长的单晶的旋转轴不是轴对称的。

在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×10cm以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。

本发明提供一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其中进行准备单晶硅基板的准备工序、粒子束照射工序及粒子束照射工序后的热处理工序，所述控制方法的特征在于，在进行准备工序之前，具有预先对试验用单晶硅基板照射粒子束后进行热处理并测定产生的缺陷密度的测定工序、以及取得所测定的缺陷密度与氮浓度的相关关系的相关关系取得工序，并基于已取得的相关关系，以使热处理工序后的单晶硅基板中的缺陷密度成为目标值的方式调节准备的单晶硅基板的氮浓度。由此提供一种在利用粒子束照射与热处理控制缺陷密度的器件的制造工序中，能够减小起因于单晶硅基板的缺陷密度的偏差，以高精度控制缺陷密度的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法。

本发明涉及机械设备技术领域，具体涉及一种单晶炉热屏导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体包括外热屏和内热屏，外热屏和内热屏之间设有保温层结构，在内热屏空腔体内设置有冷却装置，该冷却装置的侧壁由钼制成形成隔热屏，隔热屏内侧沿壁体设置有螺旋冷却管，冷却管内设置有铜制的筒体；该导流筒用冷却装置增大纵向温度分布并把冷却装置与保温热屏分开，增强保温性能的同时形成保护气通道，使生产单晶更加稳定，降低了加热器消耗，增加了晶体的生长速度、节约了生产成本。

本发明公开了一种稀土硼化物单晶制备设备及方法。其中，设备包括：底座、安装在底座上的炉体，以及安装在炉体内的夹持装置和电极加热组件，其中，所述底座上设置有抽气孔和充气孔；所述夹持装置，用于夹持和移动料棒，包括：安装在炉体顶部上的第一升降杆、安装在底座上且与第一升降杆相对设置的第二升降杆、以及装在相对的第一升降杆和第二升降杆的端部的夹头，所述第一升降杆与第二升降杆均沿纵向方向可移动；所述电极加热组件，用于对料棒进行加热，包括至少三个安装在炉壁上且沿横向方向可移动的电极，所述电极以料棒为中心均匀地布置在料棒外周。本发明可以制备出Φ4～12mm的高致密度、高质量稀土硼化物单晶。

本发明公开了一种三元单晶正极材料及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：将三元多晶微粉混合，升温，进行第一次烧结，降温，得到中间体；将中间体进行气流粉碎，得到单晶材料，水洗，离心，干燥，得到残碱含量低于1500ppm的物料；将包覆剂加入物料中，升温，进行第二次烧结，降温，即得三元单晶正极材料。本发明利用气流粉碎设备将多晶物料打开成单晶小颗粒，提高物料电化学性能，提高材料的能量密度。

本发明涉及金刚石加工制备领域，具体为一种一维金刚石纳米锥阵列材料的制备方法。基于微波等离子化学气相沉积方法，在(001)单晶硅或钛合金或钼衬底上生长(001)取向的高择优金刚石薄膜，采用热氧化方法在含氧气氛下600～650℃进行非晶或纳米晶刻蚀，刻蚀掉薄膜中纳米金刚石颗粒，而(001)微米晶保留下来，从而获得大面积的(001)金刚石纳米锥阵列。其中，纳米锥的长径比为4以上，尖端的曲率半径小于10nm。本发明方法具有制备工艺简单、成本低、效率高的特点。

本发明为了克服现有技术中硅舟在多晶硅沉积后不能循环使用的技术问题，提供一种CVD工艺用硅舟及其返修清洗方法，所述硅舟包括天板、法兰和沟棒，其特征在于，天板的端面上设有第一熔接槽，法兰靠近天板的端面上设有第二熔接槽，沟棒的一端设有与第一熔接槽相匹配的第一熔接头，沟棒的另一端设有与第二熔接槽相匹配的第二熔接头。所述硅舟中沟齿和沟棒的有效面积较小，在薄膜沉积到一定厚度时，降低剥离的薄膜颗粒对晶圆造成污染的几率，所述返修清洗方法可在有效去除表面沉积层同时，不会对硅舟基体表面带来较大的损伤和形貌变化，从而保证了硅舟可以在多晶硅薄膜沉积工艺循环使用。

本发明提供一种能够增加石墨坩埚的寿命的锭生长装置用坩埚，本发明的一实施例的锭生长装置用坩埚，其包括：石英坩埚，盛放硅熔液，具有呈曲面形态的底面部；石墨坩埚，容置所述石英坩埚，以底面为基准呈至少两个被分割的主体形态；以及内支撑件，支撑在所述石英坩埚的底面和所述石墨坩埚之间。

本发明的碳化硅单晶生长装置具备：生长容器，其由粘接有晶种基板的生长容器盖体和收纳晶种基板及碳化硅原料的生长容器主体构成；隔热容器，其包围生长容器；温度测量器，其通过设置于隔热容器的温度测量用孔，以测量生长容器内的温度；以及加热器，其加热碳化硅原料，通过升华法使碳化硅原料加热而升华，使碳化硅单晶在晶种基板上生长，其特征在于，生长容器盖体仅在生长容器盖体的晶种基板的粘接区域内形成有贯穿生长容器盖体的图案。由此，提供能够抑制贯穿螺型位错、基面位错及贯穿刃型位错的产生的碳化硅单晶生长装置及制造方法。

本发明实施例提供了一种单晶硅棒的制造方法，所述单晶硅棒的制造方法包括：将原生多晶硅料装入坩埚中；加热熔化所述坩埚内的原生多晶硅料，得到原始硅液；将所述原始硅液进行提纯，得到硅液；在所述硅液中执行引晶、放肩、等径操作，以得到单晶硅棒，其中，在所述等径操作过程中发生晶棒断线时，执行重新熔化所述晶棒断线处的固态硅以及续接拉晶的操作。本发明实施例中可以提高单晶硅棒的品质，降低所述单晶硅棒的断线率，提高所述单晶硅棒的整根率。在所述单晶硅棒用于生产多晶硅时，可以相应提高所述多晶硅的品质。

本发明一实施方式提供了一种制备单晶铜箔的方法，包括将多晶铜箔倾斜放置进行退火处理，制得所述单晶铜箔。本发明一实施方式的方法，快速、重复性高、成本低，可用于制备大尺寸的单晶铜箔。

本发明涉及一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法。该方法包括：1)使用MOCVD技术在三维叠层掩模衬底上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料薄膜；2)使用HVPE技术在所述连续薄膜上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料厚膜；3)通过冷却在三维叠层掩模衬底和III族氮化物材料厚膜之间产生应力，从而实现自分离。采用本发明方法，由于与衬底的弱连接性，可以在冷却过程中与衬底自分离，避免了使用激光剥离等昂贵技术，节省了工艺步骤和时间，显著提高了生产良率，提高了产品质量；采用的特制三维叠层掩模衬底能够配合MOCVD生长出高质量的薄膜，进而能够通过HVPE外延出高晶体质量的厚膜。