晶体生长

本发明公开了一种基于六方相h‑MoO

本申请涉及有机物化学气相沉积的领域，尤其是涉及一种模块化设计的MOCVD用石墨盘，包括石墨盘本体，所述石墨盘本体包括基座、多个片槽基底，以及安装在所述基座上的多个石墨盘模块；多个所述石墨盘模块与所述基座均为可拆卸连接，且多个所述石墨盘模块对应多个所述片槽基底开设有多个让位孔；其中，多个所述让位孔均沿多个所述石墨盘模块的厚度方向设置，且多个所述让位孔均贯穿多个所述石墨盘模块。本申请具有降低外延工艺成本的效果。

本发明属于半导体材料加工技术领域，尤其是一种均匀加热碳化硅原料的石墨坩埚，现提出以下方案，包括坩埚和坩埚盖，所述坩埚外设置有加热筒，所述加热筒的顶端可拆卸连接有筒盖，所述加热筒的内壁底部设置有与坩埚底端连接的转动组件，所述加热筒和筒盖之间构成有球形结构的腔室；所述加热筒的内壁固定有水平方向上环形阵列分布的加热件一，所述筒盖的内壁固定有水平方向上环形阵列分布的加热件二；所述坩埚的底端中间位置设置有向上延伸的延伸部。本发明使加热筒内热气从延伸部进入并流通，以从通过延伸部而同时从坩埚内的中间位置对碳化硅粉料进行加热处理，从而提高对坩埚内碳化硅粉料外围和中间位置的均匀加热。

本发明属于新材料与太阳能技术领域，提出了一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法，与传统的酸性金属催化腐蚀不同在于，该方法无需使用金属离子，可以在单晶硅的表面制备大面积的微纳米倒金字塔阵列结构，这种倒金字塔结构能够有效的吸收光线，进而改善光伏器件的光反射特性，提高太阳能电池的光电转化效率。本方法制备的微纳米结构倒金字塔阵列具有体积小等优点，且制备工艺简单，成本低廉，安全无污染，可大规模用于太阳能电池的制备。

本发明公开了一种碳化硅废料液相法回收用坩埚、回收装置及回收方法，涉及碳化硅晶体制备领域。该碳化硅废料液相法回收用坩埚包括石墨坩埚及石墨内衬，石墨内衬设置于石墨坩埚的内部，石墨内衬围成顶部开口的生长腔室，生长腔室用于容置硅料，石墨内衬的外表面与石墨坩埚的内表面围成废料夹腔，废料夹腔用于容置合金废料，石墨内衬上贯穿设置有多个漏孔，废料夹腔通过多个漏孔与生长腔室连通。本发明提供的碳化硅废料液相法回收用坩埚能够利用液相法对合金废料中的晶体原料残留进行回收，并能够保证碳化硅晶体稳定生长，提升产能。

本发明涉及一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置，装置包括生长坩埚、用于放置所述生长坩埚的绝热托架、置于所述生长坩埚底部的SiC导热棒以及用于监测碲锌镉单晶籽晶温度的热电偶，籽晶溶接方法包括如下步骤：S1、预处理碲锌镉单晶籽晶和第一碲锌镉多晶(“假籽晶”)，由下向上依次放置第一碲锌镉多晶、碲锌镉单晶籽晶、富碲溶剂区材料以及第三碲锌镉多晶，并抽真空、升温加热、保温；S2、向下移动加热器加热溶解碲锌镉单晶籽晶的部分组分；S3、向上移动加热器，使得碲锌镉晶体开始连续生长。与现有技术相比，本发明降低了对于碲锌镉单晶籽晶的尺寸要求，在溶接生长时增强了结晶潜热的释放，提高了碲锌镉晶体质量。

本发明提供了一种碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统。生长方法包括：将碳化硅籽晶置于坩埚的底部；将原料块覆盖在碳化籽晶上；其中原料块包括硅元素和碳元素；将助熔剂装到原料块和坩埚内壁之间的区域；对坩埚进行加热，以使助熔剂熔化；向上提拉原料块，使熔化后的助熔剂流入碳化硅籽晶和原料块之间，且使原料块的底面与助熔剂接触；经第一预设时长后，向上提拉原料块，使其与熔化的助熔剂分离；将坩埚的温度降低至指定温度，得到基于碳化硅籽晶生长的碳化硅单晶。本发明不存在或可大大减小籽晶掉落的可能性，生长前SiC籽晶被上方的原料块覆盖，阻碍了助熔剂熔体挥发物在籽晶表面上的沉积，防止了生长初期产生的大量缺陷。

本公开涉及一种单晶硅棒拉晶方法、装置、存储介质及电子设备，属于单晶硅制备领域，该方法包括：在单晶硅棒拉晶引晶缩颈完成后，若引晶时长达到任意一个或多个计算周期，计算所述单晶硅棒在所述一个或多个计算周期内的平均拉速；根据所述单晶硅棒在所述一个或多个计算周期内的平均拉速，控制埚转转速和/或氩气流量和/或输出功率。通过设置不同时长的计算周期，并在拉晶过程中达到计算周期时，计算单晶硅棒在该计算周期内的平均拉速，根据对应的计算周期以及该周期内的平均拉速，对埚转转速、氩气流量或者输出功率进行差异化调整，以控制炉台内温度一致，使得引晶拉速实现靶向控制，令引晶后期的单晶硅棒拉速一致，保证进入放肩一致性。

本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成的缓冲层(3)；以及设于缓冲层(3)上的由碳化硅构成的块状晶体生长层(4)，缓冲层(3)和块状晶体生长层(4)具有延续至被缓冲层(3)封闭的微管(5)的多个螺旋位错(6)，在块状晶体生长层(4)中共用微管(5)的多个螺旋位错(6)彼此的间隔为150

本申请提供了一种气相外延生长设备，包括：外壳；托盘，设置在外壳内，用于放置衬底；第一内衬，设置在外壳内，围绕托盘设置，第一内衬朝向托盘的面围成生长区，第一内衬包括第一部和不易附着多晶/附着多晶后不易开裂的第二部，第一部与第二部可拆卸连接，第二部对应生长区中容易沉积多晶的沉积区设置；气体运输系统，设置在外壳外，通过多个进气管将气体输送至生长区；主加热系统，设置在外壳外，对应生长区设置，用于对生长区加热，能够在一定程度上缓解生长外延受环境影响导致不合格的问题。

一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用。本发明属于二维薄膜材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法获得的氮化硼薄膜尺寸仅能达到微米级以及生长取向不一致的技术问题。本发明采用CVD工艺，将液态生长衬底置于生长区，将固态源置于源区，在还原气氛下进行薄膜的生长，通过控制生长时间调控单晶氮化硼薄膜的层数，得到高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜。本发明的制备方法通过简单改变工艺参数即可实现氮化硼薄膜层数控制，且生长的晶圆级薄膜层数均一，不同区域内的层数保持一致，粗糙度低，可控性较好，通过对生长时间的精确控制实现了单晶氮化硼薄膜的层数可控制备。

采用低温离子热法制备了锑化锡(分子式：SnSb)粉末。该制备方法可以在200℃的条件下反应10h合成锑化锡，传统合成方法需要在240℃以上的温度下反应两周以上，可以达到降低能耗同时节省时间。测试结果表明，合成的锑化锡成分均匀，为单相多晶粉末。

低温离子热合成非线性光学材料锶硼氧氯纳米棒。锶硼氧氯(分子式：Sr

本公开提供一种二维原子晶体及其生长方法，方法包括：在第一衬底上生长固态源薄膜；将第二衬底与第一衬底叠放后置于加热炉中，其中，固态源薄膜位于第一衬底和第二衬底之间；在保护气体气氛下，将加热炉加热至反应温度，保持反应温度时间T后，降至室温，以在第二衬底上生长得到二维原子晶体。本公开的二维原子晶体生长方法工艺简便，直接在介质衬底上生长得到的六方氮化硼二维原子晶体晶格取向单一，结晶质量极高。生长过程清洁环保，对生产设备的要求低，成本低廉，便于工业化推广。

本发明公开了一种完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法，包括：（1）拉多晶时手动升温5kw，降低埚转至7转；（2）投升温2kw/h，保持1h退出；（3）换热器在原有基础上提升20mm；（4）手动设定目标拉速55mm/h；（5）当完结段拉多晶长度达到长度要求，剩料量＜40kg时按正常停炉工艺处理评审；（6）完结段尾部吊多晶炉台自动停炉；（7）停炉8h后方可冲大气，拆炉取晶体前，晶体上升至软限位，热屏升至上限位；（8）尾部吊多晶取棒时，先用强光手电筒检查晶棒尾部多晶是否存在晶裂；（9）取段时确认晶棒是否倾斜。本发明减少坩埚底部的留埚量，提高单晶硅棒品质，避免多晶掉落造成异常事故。

本发明公开了一种三元前驱体的连续制备方法，采用母釜和多个生长系统；每个生长系统均包括生长釜、中间釜和提浓机；使用母釜制备目标粒度的籽晶；第一生长系统中的生长釜接收母釜籽晶；接收完成后，控制籽晶在第一生长系统中生长到合格粒度；第一生长系统中的生长釜接收母釜的籽晶完成后，下一个生长系统中的生长釜接收母釜的籽晶；最后一个生长系统中的生长釜接收母釜的籽晶后，第一生长系统达到重新接收母釜籽晶的条件，如此循环进行。本发明的方法采用一个母釜和多个生长系统，可以使母釜不停槽，连续给生长系统提供籽晶，避免母釜因频繁停开槽导致不合格品产生，产品一致性好，缩短周期，提高产能，适用于大规模生产三元前驱体。

本发明公开了一种多钙钾石膏晶须，其长度为40‑500μm，宽度为2‑30μm，长径比为9‑20。本发明还提供了在乙二醇‑水体系中利用脱硫石膏制备该多钙钾石膏晶须的方法，包括：原料预处理：对脱硫石膏进行研磨、过筛和烘干预处理；母液配制：将氯化钾与乙二醇‑水溶液混合，调节pH至1‑5，得母液；母液中氯化钾浓度1.2～2.0mol/L，乙二醇体积分数5～20vol％；投料转晶：将预处理后的脱硫石膏加至母液中，使脱硫石膏与母液混合形成悬浊液，常压水热条件下进行转晶反应；转晶反应的温度为80～95℃，时间为4.0～10.0h；产品收集：将转晶反应后的悬浊液固液分离，母液回用，固相经洗涤、烘干后得到多钙钾石膏晶须。

本发明涉及线圈、单晶的制造装置用磁铁、单晶的制造装置和单晶的制造方法。提出一种单晶的制造装置用磁铁中使用的线圈，其能够抑制晶体的提拉速度的变动，并能够抑制从所制造的单晶得到的晶片的外周部的氧浓度的降低。本发明的线圈（1）是在通过切克劳斯基法对收容在坩埚中的单晶的原料的熔液施加水平磁场并提拉单晶的单晶的制造装置用磁铁中使用的线圈。在此，其特征在于，在上部具有凹部（1a）并且为环状。

本发明属于半导体材料薄膜技术领域，公开了一种晶圆级外延薄膜及其制备方法。该掺杂异质外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底放入原子层沉积设备的真空反应腔中，加热至预设温度，然后采用M源对衬底进行功能化处理；向真空反应腔中依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源；然后脉冲掺杂原子的前驱体源、M源：依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到A

本发明公开了一种爪式坩埚安装装置，包括提拉件、勾爪部件和盖体。盖体用于可拆卸式安装在坩埚的上端开口位置，以使坩埚内形成密封腔体。盖体的边缘位置设有挂接部。勾爪部件具有勾爪，勾爪与挂接部挂接相连，以通过勾爪提升坩埚和盖体。提拉件与勾爪部件相连，以通过提拉件提升勾爪部件。相比于现有技术，本发明的爪式坩埚安装装置能够减弱坩埚上端、下端中心区域的温度突变，保证坩埚内长晶界面温度梯度平滑，为保证晶体生长界面处有稳定的生长驱动力提供条件。

本发明涉及一种水冷套，应用于单晶炉内，所述水冷套呈筒状结构，沿着所述水冷套的周向方向，所述水冷套的侧壁上设置有多个通孔，以提供使得惰性气体吹入的气体通道，并阻挡从单晶炉内的硅熔液挥发出的气体上升。本发明还涉及一种单晶炉。沿着所述水冷套的周向方向，所述水冷套的侧壁上设置有多个通孔，以提供使得惰性气体吹入的气体通道，所述水冷套位于坩埚的上方，通过惰性气体的吹扫，可以阻挡从单晶炉内的硅熔液挥发出的气体上升，进而避免该气体与坩埚上方的石墨部件发生反应，进一步的避免一氧化碳气体的产生，从而提升晶棒质量。

本发明涉及一种钡锡锗酸化合物和钡锡锗酸非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物和晶体化学式均为BaSnOGeO

本发明的实施例提供了一种等离子掺杂碳化硅长晶炉，涉及碳化硅长晶技术领域。等离子掺杂碳化硅长晶炉包括真空腔体、石墨坩埚、电离腔体和多个进气支路，其中，石墨坩埚设置在真空腔体内，石墨坩埚内装载有碳化硅粉末；电离腔体通过进气管连通到真空腔体；每个进气支路上按照气流流向设置有第一控制阀和质量流量控制器，其中，两个进气支路用于分别通入所需流量的含碳气体和含硅气体，电离腔体用于从含碳气体中电离出碳离子、从含硅气体中电离出硅离子，并输入真空腔体中、再扩散进入石墨坩埚中。这样，在等离子掺杂碳化硅长晶炉进行长晶的过程中精准控制碳与硅的浓度比，确保长晶品质的一致性，提高长晶的良率。

本发明涉及一种镨离子掺杂的蓝光及1.1‑1.6微米宽带近红外激光晶体材料及制备与应用，激光晶体包括基质材料与掺杂离子，掺杂离子具体为镱离子和镨离子，其中镱离子的掺杂浓度为1‑8mol％，镨离子的掺杂浓度为0.1‑1mol％；该激光晶体可通过温度梯度法制备得到。与现有技术相比，本发明通过三价镱离子共掺来有效敏化三价镨离子，解决Pr

本发明属于单晶制备技术领域，具体涉及一种晶体批量生长设备及批量生长卤化物闪烁晶体的方法。隔热炉壁、隔热炉底、隔热炉盖围合形成炉腔；底部加热器平铺设置在炉腔底部；导热垫层平铺设置在底部加热器的上侧，用于在底部加热器的热量向上传递时形成缓冲；安放架填充在炉腔内，采用隔热材料制成，内部开设通孔以容纳晶体生长容器；顶部加热器平铺放置在安放架上，用于在炉腔顶部供热；底部温度传感器监测安放架底部的温度；顶部温度传感器监测安放架顶部的温度。装置能适配不同尺寸的晶体，结构简单，维护保养方便，尤其是能够大批量地生长大尺寸规格的组分和性状均一的高品质的新型低熔点卤化物闪烁晶体。

本发明公开了一种单晶炉自动加料的方法，具体为：（1）加料过程中视觉控制系统监控二次加料装置中料筒下部料块下料情况，具体为：单晶炉视觉控制系统对单晶炉中固液比识别，当固液比达到某一设定值时，单晶炉PLC控制系统启动上轴下降，自动下降二次加料装置；（2）单晶炉PLC控制系统控制二次加料装置至预定位置，启动上轴，分段下降上轴行程，并停留一定时间，二次加料装置内原料加至单晶炉内；（3）视觉控制系统监控发现二次加料装置底碗完全露出，料筒内料块已加完，执行料筒提出工步；（4）反复执行1、2、3步骤，确定已完成炉内预定加料重量，单晶炉PLC控制系统判定加料完成，进入下一步工序；该方法有效提高工作效率，降低人员的工作强度，提升单晶炉自动化程度。

本发明提供了一种顶部籽晶与内部籽晶结合制备GdBCO超导块材的熔融织构生长的方法，该方法在顶部籽晶熔融织构生长法的基础上，通过在先驱块内部设置钕钡铜氧籽晶的多籽晶方法制备高质量大尺寸的织构超导块。包括如下步骤：首先制备籽晶、传输层、固相先驱块、液相先驱块、支撑块，其中先驱块内部设有籽晶；然后装配坯体，装配完成后，采用熔融织构生长法，通过顶部籽晶和内部籽晶同时诱导生长GdBCO织构块材。本发明提供的这种制备方法进一步缩短了大尺寸织构GdBCO超导块材的制备时间，提高了大尺寸样品的机械强度、超导性能及其均匀性。

本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以Al

本发明公开了一种高温高压下合成氟碳钇矿单晶的方法，属于矿物单晶样品合成技术领域。所述合成方法的步骤包括：将YCl

本发明的实施例提供了一种等离子辅助晶体生长装置和方法，涉及长晶设备技术领域。等离子辅助晶体生长装置包括坩埚、等离子发生器、导电棒和电极环；坩埚内的底部用于装载碳化硅粉末，坩埚内的顶部为长晶区，碳化硅粉末与长晶区之间为升华区；等离子发生器设置在坩埚的外部，导电棒贯穿坩埚的侧壁，电极环设置在升华区内，导电棒的一端与等离子发生器连接，导电棒的另一端与电极环连接；电极环用于在等离子发生器的供能的情况下，将升华区内的碳化硅分子电离成碳化硅气相等离子，并升华至长晶区生长成碳化硅籽晶，可以使碳化硅籽晶维持良好的晶格排列，明显降低晶体的内应力，减少晶体缺陷，甚至可以形成超晶格晶体。

本发明公开了一种用于N型单晶硅制备中母合金补掺装置，包括重锤（1），其顶部通过开口销（2）与钨丝绳（3）相连，其下部通过反旋螺纹（1b）与石墨夹头（4）相连，石墨夹头（4）的下部与籽晶（5）相连；籽晶（5）的下端与掺杂剂储存包（6）相连，掺杂剂储存包（6）的内部设有储料腔（6a），且其包括相连的梯形段（61）和直壁段（62），掺杂剂储存包（6）的直壁段（62）上均布一圈通孔二（6b）。本发明的优点是可以准确快速地加入母合金，保证单晶硅棒的电阻率均匀性，实现电阻率的精准控制，提高单晶硅棒的品质，适用于N型或P型单晶硅的制备。

本发明涉及一种纳米超晶格材料的可控制备方法，首先将柔软度λ为0.57的聚乙二醇接枝的金纳米球分散到去离子水中配置成PEG@NPs溶液，然后向PEG@NPs溶液中加入无机盐(可溶性碳酸盐或可溶性硫酸盐)水溶液，混合均匀后静置得到纳米超晶格材料；当无机盐水溶液的浓度为0.60～0.70M时，所述纳米超晶格材料为三维有序的纳米晶超晶格材料；当无机盐水溶液的浓度为0.50～0.55M时，所述纳米超晶格材料为二维有序的纳米晶超晶格材料；柔软度λ定义为：λ＝R

本申请公开了一种晶体生长方法、设备及晶体，涉及晶体生长技术领域，解决现有技术中提拉法生长晶体过程中温度梯度变化导致晶体内部出现包裹物、云层、气泡等宏观缺陷的问题。该晶体生长方法包括：在使用提拉法生长晶体的过程中，控制感应线圈相对坩埚向下移动，并控制所述感应线圈相对所述坩埚向下移动的过程中，按照不同的速度移动。本申请的方案能够平稳地调整坩埚与感应线圈的相对位置，以调整坩埚内熔体液面上方的温度变化，使得晶体生长界面的温度梯度与初始状态可以保持一致，为晶体生长提供持续稳定的温场环境，避免在晶体生长过程中产生缺陷，极大地提高了毛坯的良品率和材料利用率，从而降低了相关产品的成本。

本发明涉及一种批量制备大面积铅盐半导体单晶薄膜的装置及方法。包括：多段式真空管式炉、气源、真空泵、加热与控温装置；多段式真空管式炉，含反应源放置区，恒温加热区，控温沉积区。所述大面积铅盐半导体单晶薄膜在垂直放置的基底上生长，利用真空管式炉，加热与控温装置经化学气相沉积得到。通过对控温沉积区的温度梯度，以及反应源，沉积时间，气体流量和生长基底的调控，实现对铅盐半导体薄膜的薄膜厚度，薄膜面积，表面形貌，晶粒大小，单晶性控制。本发明能有效解决铅盐半导体单晶薄膜难以高效率、大面积制备的问题，推动低成本、室温工作的高分辨率焦平面红外探测器的实现。

本发明涉及一种化合物单斜相硒镓钡及单斜相硒镓钡非线性光学晶体，化学式均为BaGa

本发明涉及一种自封闭复合坩埚生长装置及其应用，包括热场与设于热场中的自封闭复合坩埚；其中自封闭复合坩埚包括槽状坩埚托盘、设于坩埚托盘底部且设有籽晶的坩埚底槽，以及倒置设于坩埚底槽上的放料坩埚；放料坩埚外壁与坩埚托盘内壁滑动接触，放料坩埚侧壁上沿周向还开设有液封凹槽，液封凹槽与坩埚托盘内壁共同形成液封槽，液封槽内设有液封介质；坩埚底槽与放料坩埚合围形成晶体生长腔。与现有技术相比，本发明通过自封闭复合坩埚之间的相对滑移可以满足负热膨胀特性晶体生长时体积增大的需求，通过液封凹槽的液封可以防止易挥发性晶体生长时的挥发，以及可避免晶体在生长时容易受到生长环境的污染，和杂质的不必要引入。

本发明公开了一种单晶普鲁士蓝及复合材料的铸造和回收再利用方法，其铸造：1）将普鲁士蓝粉末加入酸溶液中，超声直至完全溶解，得到溶液A；2）将溶液A加入到模具中静置反应，直至普鲁士蓝晶体重新固化；3）再依次离心洗涤以及干燥，制得具有模具形状单晶普鲁士蓝；4）将其他材料加入在溶液A中静置反应，直至普鲁士蓝晶体固化；再依次离心洗涤以及干燥，制得单晶普鲁士蓝复合材料；其回收再利用：1）采用上述单晶普鲁士蓝复合材料组装电池；其电化学性能优异，结构稳定，具有良好的应用前景。2）将使用后的电池中普鲁士蓝复合材料取出，放入酸性溶液中，溶解后可再次得到溶液A，对溶液A进行再次铸造，实现单晶普鲁士蓝回收再利用。

本发明提供一种由气化灰渣处置废液制备枝状硫酸钙晶须的方法，此方法主要包括两步：第一步是制备二水硫酸钙，将气化灰渣处置废液与氯化钙混合，陈化后过滤得到二水硫酸钙湿滤饼，第二步是在水中加入无水硫酸钙晶须晶种，并加入乙酸锌和乙二醇双(2‑氨基乙基醚)四乙酸四钠作为靶向控制剂，在一定温度和压力的条件下制备得到枝状半水硫酸钙，过滤洗涤干燥后得到成品枝状半水硫酸钙。该方法操作简单，成本低廉，首次制备出枝状半水硫酸钙晶须，晶体完整，支撑力强，广泛应用于橡胶、涂料、造纸、摩擦材料等行业。

本发明公开了一种单晶短圆棒自动粘胶及拼棒工艺方法，包括选择一组段长≤200mm且相同参数的晶棒（1），在圆棒粘胶工序，配置粘胶六轴机器人（2）、粘胶打标工位（3）、涂胶机、拼棒机、晶向打表仪（4）及其专用电柜；在每台粘胶六轴机器人（2）的外侧设置1组人工/自动上料工位（5），粘胶六轴机器人（2）通过机械臂实现晶棒（1）的抓取和上下料，使晶棒（1）暂时放置在晶向打表仪（4）的转台工位（41）；接着进行寻找晶向、拼棒和粘胶，最后静置缓存，开方供料。本发明的优点是针对单晶硅棒截断后≤200mm的短圆棒自动粘胶和拼棒，降低劳动强度，提高短棒利用率和工作效率，保证拼接后产品的质量。

本申请公开了一种基于激光干涉技术制备单晶硅薄膜的方法，属于膜材料制备的领域，通过激光照射在衬底表面诱导生成透射率高、膜薄、表面粗糙度小、硅膜在200~860nm的光波段的透射率达到89.502%，在860~1200nm的光波段的透射率达到97.655%，平均透射率达到92.26%，生成了衍射峰为Si（400）晶面的晶化率高，特征峰为522cm

本发明公开了一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法，包括以下步骤：将S粉放入硫石英舟，V

本申请公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括依次层叠的衬底、AlN缓冲层、AlGaN插入层、AlInN插入层以及AlN外延层。上述外延结构中由于AlGaN的晶格常数大于AlN、AlInN的晶格常数大于AlGaN，AlN缓冲层和AlGaN插入层能够给上层施加压应力，有助于减少裂纹的产生。同时，AlInN与AlN的晶格失配与热失配能够进行有效弥补，AlN在晶格方面受AlInN的张应力，在降温过程中AlInN收缩速率慢于AlN，有利于防止外延结构在从凹型变凸型的过程中将AlN薄膜撕裂，有助于降低AlN外延薄膜的表面粗糙度并提升外延薄膜的晶体质量和平整度。

本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，特别涉及一种碳化硅晶体的制备方法及装置。本发明实施例提供了一种碳化硅晶体的制备方法，应用于碳化硅晶体制备装置，装置包括：生长坩埚，生长坩埚装盛有生长原料；籽晶杆，籽晶杆的一端固定有籽晶；第一加热单元和第二加热单元，第一加热单元和第二加热单元围绕在生长坩埚四周，第一加热单元位于第二加热单元上部；方法包括：通过籽晶杆控制籽晶与生长原料液面接触；利用第一加热单元使生长坩埚顶部达到第一预设温度；利用第二加热单元使生长坩埚底部达到第二预设温度；其中，第二预设温度大于第一预设温度。本发明实施例提供了一种碳化硅晶体的制备方法及装置，能够提供稳定精准的温场。

本发明属于单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉辅助拉晶装置及其使用方法，包括液压杆，所述液压杆的下方固定连接有顶盘，顶盘底部的四周固定连接有连接柱，所述连接柱的下方固定连接有支撑块，所述支撑块的内部安装有转向组件，所述转向组件的下方连接有外壳，所述外壳上半部分的内部安装有提升组件，所述提升组件的下方安装有钨丝籽晶绳，所述钨丝籽晶绳的末端连接有绳头，绳头的外侧固定安装有密封盘，外壳内壁的四周安装有压轮，外壳的左右两侧开设有移动槽，移动槽的内部贴合设置有活塞块。该装置能够在将硅锭升至最高时自动截断余料，而且能够对硅锭整体的放置方式进行调节，在横置时能够适应硅锭表面的起伏对硅锭稳定承托。

本发明公开了一种助熔剂法生长微结构氮化镓的方法及其应用。所述助熔剂法生长微结构氮化镓的方法包括：在以助熔剂法液相外延生长氮化镓时，调节生长原料中金属钠与金属镓的质量比为1.5：1‑5：1，以生长形成锥形或锥台形的锥形或锥台形的氮化镓。本发明实施例提供的一种氮化镓器件的制备方法，能够避免量子斯塔克效应并提升LED的发光效率；以及，本发明实施例提供的一种氮化镓器件的制备方法，实现了氮化镓基LED器件的高效率、低成本制备。

本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及提升碳化硅粉料利用率的坩埚结构及碳化硅晶体制备方法，其中，提升碳化硅粉料利用率的坩埚结构,包括坩埚主体，坩埚主体的上方安装有坩埚盖，坩埚主体的内部从下往上依次安装有若干料环，最上层料环的上方封堵安装有上料环，上料环的上方安装有晶体内衬。本发明使用环绕坩埚周围的环性小坩埚叠放在一起，通过料环放置碳化硅粉料，坩埚中间空置区域设置温度梯度热场，在温度梯度的驱动下，气相组分将发生动力传质现象，在这个区间内，按照台阶生长的原理形成最终的碳化硅晶锭；通过设置孔隙率较大的石墨材质以及通气孔来控制气相组分的传输路径，设计过滤功能实现杂质的吸附和去除。

一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法，涉及半导体制备领域，所述方法包括：将分子式为AxBy的化合物半导体多晶、A元素的单质、籽晶依次紧密接触放置于坩埚中，并将坩埚水平放置在离心旋转设备上，加热坩埚至T

本发明涉及单晶硅的技术领域，特别是涉及一种单晶炉用降氧式加热装置，其结构简单，主加热器由若干个加热片拼接而成，主加热器故障时，能够快速定位到加热片，并且无需拆除大量器件即可完成对加热片的更换，降低了使用成本；包括主加热器；所述主加热器包括若干个加热片，这些加热片呈圆周阵列设置形成主加热器，每个加热片的两端均固定有电极板。

本发明公开一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置，包括反应腔室、多区域控温机构和特定点位，反应腔室内热场分为上、下两部分，分别用于过程气体预热和晶片加热，且均为多区分布热场，成膜装置顶部至少安装有两个测温元件，成膜工艺过程中监测晶片中心和边缘温度，反馈至控制系统，实现下炉体热场的温控输出。下炉体热场靠近基座发热体辅助加热晶片，上炉体热场靠近进气室，由进气室处热电偶反馈温度数据控制输出功率，晶片成膜至一定膜厚维持原先热场输出功率，避免由于薄膜干涉产生温度变化影响正常成膜过程。

本发明涉及一种籽晶提升装置及单晶炉，籽晶提升装置用于单晶炉，包括架体、缆索管及驱动组件；其中：架体设置于单晶炉的顶部；缆索管可活动地设置于架体，缆索管的外周壁用于缠绕籽晶绳；驱动组件设置于架体，驱动组件用于驱动缆索管绕缆索管的轴线转动的同时沿竖直方向滑动，以缠绕并提升籽晶绳。缆索管沿竖直方向滑动时，缆索管的重心始终与丝杠的轴线重合，从而能够在不增加配重结构的情况下避免设备整体的重心在水平方向上向一侧发生偏移，保证设备的稳定性，保证产品的质量，同时，还能够避免增加设备整体的体积及重量。