半导体结构及其形成方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

碳化硅二极管和MOSFET等功率器件都愈来愈成熟，对可靠性的要求也愈来愈高，需要器件在极端条件下运作。高湿度高温反向偏压测试(H3TRB：High Humidity HighTemperature Reverse Bias Test)要求器件在高温、高热和高电场的条件下能够长时间运作，并保持参数变化百分比小于一定数值，用于评估器件在极端环境下的变化，尤其是使用在车载上等涉及到安全问题的应用上。

然而，目前的碳化硅器件在高湿度高温反向偏压测试下存在阳极腐蚀和电迁移的问题。因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案，避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题。

发明内容

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题。

本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层中形成有阱区，所述第二区域的外延层表面形成有场氧化物层，所述阱区表面形成有栅极结构；在所述栅极结构表面和侧壁形成层间介质层；在所述第一区域的外延层表面形成覆盖所述层间介质层和所述外延层的金属层。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述场氧化物层表面进行快速热退火。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述场氧化物层表面形成钝化层，所述钝化层延伸至部分金属层表面。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述钝化层表面和侧壁以及所述场氧化物层侧壁形成聚酰亚胺层。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：刻蚀所述场氧化物层形成若干暴露所述外延层表面的开口；在所述场氧化物层表面和侧壁以及所述开口中形成聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层延伸至部分所述金属层表面。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在靠近所述金属层的部分场氧化物层表面形成钝化层，所述钝化层延伸至部分金属层表面。

在本申请的一些实施例中，所述栅极结构两侧的阱区中还形成有第一离子注入区，所述第一离子注入区两侧的外延层中还形成有第二离子注入区，部分第二离子注入区位于所述场氧化物层下方。

在本申请的一些实施例中，所述场氧化物层下方的外延层中还形成有至少一个第三离子注入区，所述第三离子注入区表面的场氧化物层表面形成有所述金属层，所述第三离子注入区表面的场氧化物层表面的金属层贯穿所述第三离子注入区表面的场氧化物层电连接所述第三离子注入区。

本申请的另一个方面还提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层中形成有阱区，所述第二区域的外延层表面形成有场氧化物层，所述阱区表面形成有栅极结构；层间介质层，位于所述栅极结构表面和侧壁；金属层，覆盖所述第一区域的外延层和所述层间介质层。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：钝化层，位于所述场氧化物层表面，所述钝化层延伸至部分金属层表面。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：聚酰亚胺层，位于所述钝化层表面和侧壁以及所述场氧化物层侧壁。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：位于所述场氧化物层中暴露所述外延层表面的若干开口；位于所述场氧化物层表面和侧壁以及所述开口中的聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层延伸至部分所述金属层表面。

在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：钝化层,位于靠近所述金属层的部分场氧化物层表面，所述钝化层延伸至部分金属层表面。

在本申请的一些实施例中，所述栅极结构两侧的阱区中还形成有第一离子注入区，所述第一离子注入区两侧的外延层中还形成有第二离子注入区，部分第二离子注入区位于所述场氧化物层下方。

在本申请的一些实施例中，所述场氧化物层下方的外延层中还形成有至少一个第三离子注入区，所述第三离子注入区表面的场氧化物层表面形成有所述金属层，所述第三离子注入区表面的场氧化物层表面的金属层贯穿所述第三离子注入区表面的场氧化物层电连接所述第三离子注入区。

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以避免碳化硅器件在高湿度高温反向偏压测试中的阳极腐蚀和电迁移问题。

附图说明

以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本申请的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的发明意图。应当理解，附图未按比例绘制。

其中：

图1为一种半导体结构的示意图；

图2至图7为本申请第一实施例所述的半导体结构的形成方法中各步骤的结构示意图；

图8为本申请第二实施例所述的半导体结构的示意图；

图9为本申请第三实施例所述的半导体结构的示意图；

图10为本申请第四实施例所述的半导体结构的示意图；

图11为本申请第五实施例所述的半导体结构的示意图。

具体实施方式

以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本申请不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。

下面结合实施例和附图对本发明技术方案进行详细说明。

图1为一种半导体结构的示意图。

参考图1所示，所述半导体结构包括：半导体衬底100，所述半导体衬底100表面形成有外延层110，所述半导体衬底100包括第一区域101和第二区域102，所述第一区域101的外延层110中包括阱区120；场氧化物层140，位于所述第二区域102的外延层110表面；栅极结构130，位于所述阱区120表面，所述栅极结构130两侧的阱区120中还形成有第一离子注入区121，所述第一离子注入区121两侧的外延层110中还形成有第二离子注入区122，部分第二离子注入区122延伸至所述场氧化物层140下方；层间介质层150，覆盖所述外延层110、所述栅极结构130和所述场氧化物层140；金属层160，覆盖所述第一区域101的层间介质层150且延伸至部分第二区域102的层间介质层150表面，部分所述金属层160贯穿所述层间介质层150电连接所述阱区120、所述第一离子注入区121和所述第二离子注入区122；钝化层170，位于所述第二区域102的层间介质层150表面且延伸至部分金属层160表面；聚酰亚胺层180，位于所述钝化层180表面和部分金属层160表面以及部分外延层110表面。

其中，形成所述层间介质层150的工艺中会使用到硼磷硅玻璃来在第一区域101形成较平缓的角度，使金属层160能更好的填进接触孔，但硼磷硅玻璃中的硼磷都会增加层间介质层150吸收的水份，导致所述层间介质层150中含有较多水分，这些水分后续容易扩散到金属层160中导致金属层160腐蚀(即阳极腐蚀)，并且带来阳极到阴极的电迁移，降低器件的可靠性和稳定性。

基于此，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，改善第二区域的结构来改善器件的吸水性、防水性及降低水汽累积所产生的器件变化，可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题，从而提高器件的可靠性和稳定性。

图2至图7为本申请实施例所述的半导体结构的形成方法中各步骤的结构示意图。下面结合附图对本申请实施例所述的半导体结构的形成方法进行详细说明。

参考图2所示，提供半导体衬底200，所述半导体衬底200表面形成有外延层210，所述半导体衬底200包括第一区域201和第二区域202，所述第一区域201的外延层210中形成有阱区220，所述第二区域202的外延层210表面形成有场氧化物层240，所述阱区220表面形成有栅极结构230。

在本申请的一些实施例中，所述半导体衬底200的材料包括碳化硅或硅等半导体材料。所述半导体衬底200可以具有N型掺杂。

在本申请的一些实施例中，所述第一区域201为核心器件区域(或称细胞区)，用于形成核心碳化硅功率器件，如MOSFET和二极管器件。所述第二区域202为边缘区域，位于所述第一区域201边缘并包围所述第一区域201。本申请出于简洁的目的仅示出了半导体结构的部分区域，仅展示了第一区域201和第二区域202相邻的部分。例如，所述半导体衬底200上可以包括若干个呈阵列分布的第一区域201，所述第二区域202位于所述若干第一区域201的外围并包围所述若干第一区域201。而本申请附图展示的是位于最外围的与第二区域202相邻的那些第一区域201和第二区域202的相邻部分区域。

在本申请的一些实施例中，所述外延层210的材料与所述半导体衬底200的材料相同，例如为碳化硅或硅等。

在本申请的一些实施例中，所述外延层210可以具有N型掺杂。

在本申请的一些实施例中，所述阱区220的掺杂类型与所述外延层210的掺杂类型相反，例如所述阱区220的掺杂类型可以为P型。

在本申请的一些实施例中，所述场氧化物层240的材料包括氧化硅。

在本申请的一些实施例中，所述栅极结构230可以包括栅极氧化层、栅极层以及位于栅极氧化层和栅极层侧壁的侧墙。

继续参考图2所示，在本申请的一些实施例中，所述栅极结构230两侧的阱区220中还形成有第一离子注入区221，所述第一离子注入区221两侧的外延层210中还形成有第二离子注入区222，部分第二离子注入区222位于所述场氧化物层240下方。

在本申请的一些实施例中，所述第一离子注入区221的掺杂类型为P型，所述第一离子注入区221的掺杂浓度高于所述阱区220的掺杂浓度。所述第二离子注入区222的掺杂类型为N型，所述第二离子注入区222的掺杂浓度高于所述外延层210的掺杂浓度。部分第二离子注入区222从第一区域201延伸至第二区域202中。

参考图3和图4所示，在所述栅极结构230表面和侧壁形成层间介质层250。具体地，参考图3所示，在所述外延层210上形成覆盖所述外延层210、所述栅极结构230和所述场氧化物层240的层间介质层250；参考图4所示，刻蚀去除部分层间介质层250，仅保留位于所述栅极结构230表面和侧壁的部分层间介质层250。

在本申请的一些实施例中，所述层间介质层250的材料包括硼硅酸盐玻璃(BPSG：Borophosphosilicate glass)。

在本申请的一些实施例中，所述栅极结构230表面的部分层间介质层250的厚度为1000至10000埃。在本申请的一些实施例中，所述栅极结构230侧壁的部分层间介质层250的厚度为1000至10000埃。实际中，可以根据器件电压的大小调节所述层间介质层250的厚度，防止其被电压击穿即可。

在本申请的技术方案中，相较于图1所示的半导体结构，本申请将大部分层间介质层250去除，仅保留栅极结构230表面和侧壁的少量必要的层间介质层250，能够减少层间介质层250含有的水分总量，同时减少层间介质层250和后续金属层的接触面积，进而减少层间介质层250向金属层中扩散的水分，进而可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀(金属层腐蚀)和电迁移问题，从而提高器件的可靠性和稳定性。

参考图5所示，在所述第一区域201的外延层210表面形成覆盖所述层间介质层250和所述外延层210的金属层260。在本申请的一些实施例中，所述金属层260还延伸至部分场氧化物层240表面。

在本申请的一些实施例中，形成所述金属层260后，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述场氧化物层240表面进行快速热退火(RTA：Rapid thermal anneal)。所述快速热退火工艺可以修复所述场氧化物层240表面的刻蚀损伤，同时蒸发前面工艺中残留的水分，进一步减少金属层260被水分腐蚀的可能性。

在本申请的一些实施例中，刻蚀所述层间介质层250的工艺步骤以及所述快速热退火的工艺步骤可以和形成金属层260的工艺集成在一个步骤，不需要额外的工艺。

参考图6所示，在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述场氧化物层240表面形成钝化层270，所述钝化层270延伸至部分金属层260表面。具体地，所述钝化层270可以一直延伸至所述栅极结构230上方的部分金属层260表面。

当水分扩散在金属层260(例如铝)上，并配上长时间的高温时，会容易使金属被浸蚀，生成副产物金属氢氧化物Al(OH)

在本申请的一些实施例中，所述钝化层270的材料包括氮化硅和氧化硅。

参考图7所示，在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述钝化层270表面和侧壁以及所述场氧化物层240侧壁形成聚酰亚胺层280。具体地，先刻蚀部分所述钝化层270和场氧化物层240以暴露出所述钝化层270和场氧化物层240的侧壁；再使用沉积工艺形成所述聚酰亚胺层280。所述聚酰亚胺层280的材料为聚酰亚胺。所述聚酰亚胺层280具有良好的抗高温，抗化学腐蚀和绝缘能力，能够防止第二区域受到外来的腐蚀。

本申请的技术方案，一方面直接减少层间介质层的体积，进而减少层间介质层的水分，另一方面使用快速热退火在修复场氧化物层表面损伤的同时蒸发减少水分，可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题(根据实验，可以将电迁移的电荷总量由8.94E5库伦减少到1.89E5库伦)，从而提高器件的可靠性和稳定性。

图8为本申请第二实施例所述的半导体结构的示意图。

需要说明的是，出于简洁的目的，在后续实施例中，仅详细说明后续实施例中与第一实施例不同的地方，与第一实施例相同或相似的地方不再赘述。本领域技术人员根据第一实施例的公开结合后续实施例中不同的部分应当能够推导出后续实施例的完整内容。

参考图8所示，在本申请的第二实施例中，与第一实施例不同之处在于，形成所述场氧化物层240后，还包括：刻蚀所述场氧化物层240形成若干暴露所述外延层210表面的开口；在所述场氧化物层240表面和侧壁以及所述开口中形成聚酰亚胺层280，所述聚酰亚胺层280延伸至部分所述金属层260表面。第二实施例和第一实施例的主要不同在于，不形成钝化层并且所述场氧化物层被刻蚀分隔为多个，所述聚酰亚胺层包裹场氧化物层的表面和侧壁。

当表面有高电场的时候，外延层210中的电荷会被电场加速而走进场氧化物层240，从而改变了外延层210中的电场分布，会使第二区域202的击穿电压下降及漏电流上升，在第二实施例中以聚酰亚胺层280和外延层210做接面，可以减少接面与聚酰亚胺层之间的反应，从而减少生成的总电荷。在第二区域202有注入的第二离子注入区会降低表面电场，配合聚酰亚胺层可进一步减少生成的总电荷。

SIC器件能在高温下使用，因此需要面对较大的温度变化，而车载更需要面对不同地方的极端温度及天气，在第二实施例中由于聚酰亚胺层与场氧化物层之间形成勾的形状，在高低温的变化下亦能保持紧密，不容易剥落。

图9为本申请第三实施例所述的半导体结构的示意图。

参考图9所示，在本申请的第三实施例中，与第二实施例不同之处在于，仅在靠近所述金属层260的部分场氧化物层240表面形成钝化层270，所述钝化层270延伸至部分金属层260表面。

钝化层270(如SIN)通常有较紧密的结构及高较的硬度，高低温的变化会形成高热应力并使绝缘层剥落，在第三实施例中缩短钝化层可以减少总体积，从而减少总热应力。

图10为本申请第四实施例所述的半导体结构的示意图。

参考图10所示，在本申请的第四实施例中，与第三实施例不同之处在于，所述金属层260与场氧化物层240被所述钝化层270隔离。

在第四实施例中，把金属层260及其它较易有水分扩散的绝缘层进一步分开，从而减少金属与水分产生的反应。

图11为本申请第五实施例所述的半导体结构的示意图。

参考图11所示，在本申请的第五实施例中，与第二实施例不同之处在于，所述场氧化物层240下方的外延层中还形成有至少一个第三离子注入区223，所述第三离子注入区223表面的场氧化物层表面形成有所述金属层260，所述第三离子注入区223表面的场氧化物层表面的金属层260贯穿所述第三离子注入区223表面的场氧化物层240电连接所述第三离子注入区223。

在第五实施例中，在高电压时，接近划片道的聚酰亚胺层280会同时处于高电压，当有水分存在，便会容易电离水分，生成离子，在第二区域202的最外围形成一组浮动电压的金属层260(即第三离子注入区223上方的金属层260)，可以有效阻挡外围的水分或离子进入第二区域202内部。

此外，第三离子注入区223上方的金属层260可以作为沟道截断环，可以把测试高压时候的电场阻隔，避免测试时候会影响到隔壁的其他芯片，亦能使每次测试的稳定性提高。

本申请提供一种半导体结构的形成方法，可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题，从而提高器件的可靠性和稳定性。

本申请的第一实施例还提供一种半导体结构，参考图7所示，包括：半导体衬底200，所述半导体衬底200表面形成有外延层210，所述半导体衬底200包括第一区域201和第二区域202，所述第一区域201的外延层210中形成有阱区220，所述第二区域202的外延层210表面形成有场氧化物层240，所述阱区220表面形成有栅极结构230；层间介质层250，位于所述栅极结构230表面和侧壁；金属层260，覆盖所述第一区域201的外延层210和所述层间介质层250。

在本申请的一些实施例中，所述半导体衬底200的材料包括碳化硅或硅等半导体材料。所述半导体衬底200可以具有N型掺杂。

在本申请的一些实施例中，所述第一区域201为核心器件区域(或称细胞区)，用于形成核心碳化硅功率器件，如MOSFET和二极管器件。所述第二区域202为边缘区域，位于所述第一区域201边缘并包围所述第一区域201。本申请出于简洁的目的仅示出了半导体结构的部分区域，仅展示了第一区域201和第二区域202相邻的部分。例如，所述半导体衬底200上可以包括若干个呈阵列分布的第一区域201，所述第二区域202位于所述若干第一区域201的外围并包围所述若干第一区域201。而本申请附图展示的是位于最外围的与第二区域202相邻的那些第一区域201和第二区域202的相邻部分区域。

在本申请的一些实施例中，所述外延层210的材料与所述半导体衬底200的材料相同，例如为碳化硅或硅等。

在本申请的一些实施例中，所述外延层210可以具有N型掺杂。

在本申请的一些实施例中，所述阱区220的掺杂类型与所述外延层210的掺杂类型相反，例如所述阱区220的掺杂类型可以为P型。

在本申请的一些实施例中，所述场氧化物层240的材料包括氧化硅。

在本申请的一些实施例中，所述栅极结构230可以包括栅极氧化层、栅极层以及位于栅极氧化层和栅极层侧壁的侧墙。

继续参考图7所示，在本申请的一些实施例中，所述栅极结构230两侧的阱区220中还形成有第一离子注入区221，所述第一离子注入区221两侧的外延层210中还形成有第二离子注入区222，部分第二离子注入区222位于所述场氧化物层240下方。

在本申请的一些实施例中，所述第一离子注入区221的掺杂类型为P型，所述第一离子注入区221的掺杂浓度高于所述阱区220的掺杂浓度。所述第二离子注入区222的掺杂类型为N型，所述第二离子注入区222的掺杂浓度高于所述外延层210的掺杂浓度。部分第二离子注入区222从第一区域201延伸至第二区域202中。

在本申请的一些实施例中，所述层间介质层250的材料包括BPSG。

在本申请的一些实施例中，所述栅极结构230表面和侧壁的部分层间介质层250的厚度分别为4800至5200埃和5800至6200埃。

在本申请的技术方案中，相较于图1所示的半导体结构，本申请将大部分层间介质层250去除，仅保留栅极结构230表面和侧壁的少量必要的层间介质层250，能够减少层间介质层250含有的水分总量，同时减少层间介质层250和后续金属层的接触面积，进而减少层间介质层250向金属层中扩散的水分，进而可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀(金属层腐蚀)和电迁移问题，从而提高器件的可靠性和稳定性。

继续参考图7所示，在本申请的一些实施例中，所述金属层260还延伸至部分场氧化物层240表面。

参考图7所示，在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：钝化层270，位于所述场氧化物层240表面，所述钝化层270延伸至部分金属层260表面。具体地，所述钝化层270可以一直延伸至所述栅极结构230上方的部分金属层260表面。

当水分扩散在金属层260(例如铝)上，并配上长时间的高温时，会容易使金属被浸蚀，生成副产物金属氢氧化物Al(OH)

在本申请的一些实施例中，所述钝化层270的材料包括氮化硅和氧化硅。

参考图7所示，在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：聚酰亚胺层280，位于所述钝化层270表面和侧壁以及所述场氧化物层240侧壁。所述聚酰亚胺层280的材料为聚酰亚胺。所述聚酰亚胺层280具有良好的抗高温，抗化学腐蚀和绝缘能力，能够防止第二区域受到外来的腐蚀。

本申请的技术方案，减少层间介质层的体积，进而减少层间介质层的水分，可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题(根据实验，可以将电迁移的电荷总量由8.94E5库伦减少到1.89E5库伦)，从而提高器件的可靠性和稳定性。

图8为本申请第二实施例所述的半导体结构的示意图。

需要说明的是，出于简洁的目的，在后续实施例中，仅详细说明后续实施例中与第一实施例不同的地方，与第一实施例相同或相似的地方不再赘述。本领域技术人员根据第一实施例的公开结合后续实施例中不同的部分应当能够推导出后续实施例的完整内容。

参考图8所示，在本申请的第二实施例中，与第一实施例不同之处在于，还包括：位于所述场氧化物层240中暴露所述外延层210表面的若干开口；位于所述场氧化物层240表面和侧壁以及所述开口中的聚酰亚胺层280，所述聚酰亚胺层280延伸至部分所述金属层260表面。第二实施例和第一实施例的主要不同在于，不形成钝化层并且所述场氧化物层被刻蚀分隔为多个，所述聚酰亚胺层包裹场氧化物层的表面和侧壁。

当表面有高电场的时候，外延层210中的电荷会被电场加速而走进场氧化物层240，从而改变了外延层210中的电场分布，会使第二区域202的击穿电压下降及漏电流上升，在第二实施例中以聚酰亚胺层280和外延层210做接面，可以减少接面与聚酰亚胺层之间的反应，从而减少生成的总电荷。在第二区域202有注入的第二离子注入区会降低表面电场，配合聚酰亚胺层可进一步减少生成的总电荷。

SIC器件能在高温下使用，因此需要面对较大的温度变化，而车载更需要面对不同地方的极端温度及天气，在第二实施例中由于聚酰亚胺层与场氧化物层之间形成勾的形状，在高低温的变化下亦能保持紧密，不容易剥落。

图9为本申请第三实施例所述的半导体结构的示意图。

参考图9所示，在本申请的第三实施例中，与第二实施例不同之处在于，仅在靠近所述金属层260的部分场氧化物层240表面形成钝化层270，所述钝化层270延伸至部分金属层260表面。

钝化层270(如SIN)通常有较紧密的结构及高较的硬度，高低温的变化会形成高热应力并使绝缘层剥落，在第三实施例中缩短钝化层可以减少总体积，从而减少总热应力。

图10为本申请第四实施例所述的半导体结构的示意图。

参考图10所示，在本申请的第四实施例中，与第三实施例不同之处在于，所述金属层260与场氧化物层240被所述钝化层270隔离。

在第四实施例中，把金属层260及其它较易有水分扩散的绝缘层进一步分开，从而减少金属与水分产生的反应。

图11为本申请第五实施例所述的半导体结构的示意图。

参考图11所示，在本申请的第五实施例中，与第二实施例不同之处在于，所述场氧化物层240下方的外延层中还形成有至少一个第三离子注入区223，所述第三离子注入区223表面的场氧化物层表面形成有所述金属层260，所述第三离子注入区223表面的场氧化物层表面的金属层260贯穿所述第三离子注入区223表面的场氧化物层240电连接所述第三离子注入区223。

在第五实施例中，在高电压时，接近划片道的聚酰亚胺层280会同时处于高电压，当有水分存在，便会容易电离水分，生成离子，在第二区域202的最外围形成一组浮动电压的金属层260(即第三离子注入区223上方的金属层260)，可以有效阻挡外围的水分或离子进入第二区域202内部。

此外，第三离子注入区223上方的金属层260可以作为沟道截断环，可以把测试高压时候的电场阻隔，避免测试时候会影响到隔壁的其他芯片，亦能使每次测试的稳定性提高。

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题，从而提高器件的可靠性和稳定性。

综上所述，在阅读本申请内容之后，本领域技术人员可以明白，前述申请内容可以仅以示例的方式呈现，并且可以不是限制性的。尽管这里没有明确说明，本领域技术人员可以理解本申请意图囊括对实施例的各种合理改变，改进和修改。这些改变，改进和修改都在本申请的示例性实施例的精神和范围内。

应当理解，本实施例使用的术语“和/或”包括相关联的列出项目中的一个或多个的任意或全部组合。应当理解，当一个元件被称作“连接”或“耦接”至另一个元件时，其可以直接地连接或耦接至另一个元件，或者也可以存在中间元件。

类似地，应当理解，当诸如层、区域或衬底之类的元件被称作在另一个元件“上”时，其可以直接在另一个元件上，或者也可以存在中间元件。与之相反，术语“直接地”表示没有中间元件。还应当理解，术语“包含”、“包含着”、“包括”或者“包括着”，在本申请文件中使用时，指明存在所记载的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但并不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

还应当理解，尽管术语第一、第二、第三等可以在此用于描述各种元件，但是这些元件不应当被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在没有脱离本申请的教导的情况下，在一些实施例中的第一元件在其他实施例中可以被称为第二元件。相同的参考标号或相同的参考标记符在整个说明书中表示相同的元件。

此外，本申请说明书通过参考理想化的示例性截面图和/或平面图和/或立体图来描述示例性实施例。因此，由于例如制造技术和/或容差导致的与图示的形状的不同是可预见的。因此，不应当将示例性实施例解释为限于在此所示出的区域的形状，而是应当包括由例如制造所导致的形状中的偏差。例如，被示出为矩形的蚀刻区域通常会具有圆形的或弯曲的特征。因此，在图中示出的区域实质上是示意性的，其形状不是为了示出器件的区域的实际形状也不是为了限制示例性实施例的范围。