一种闪存性能的检测方法、装置、设备及介质

技术领域

本申请涉及闪存技术领域，尤其是一种闪存性能的检测方法、装置、设备及介质。

背景技术

闪存是一种非易失性存储器，它可以将数据存储在晶体管中，一旦存储在晶体管中，即使电源关闭，数据仍然会保留。闪存的应用比较广泛，通常用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器、SSD和嵌入式系统等领域。NAND FLASH闪存是一种类型的闪存，它使用NAND逻辑门实现数据存储和擦除，NAND FLASH闪存通常用于需要高容量存储的设备，例如USB闪存驱动器和SSD。

闪存在使用过程中可能会受到多种因素的影响，例如磨损、温度、电压等，这些因素可能会导致闪存性能的变化。此外，闪存的生产过程中也可能会存在一些问题，例如芯片质量、生产工艺等，这些问题可能会影响闪存的性能。因此，为了保证闪存的性能和可靠性，需要对闪存进行性能检测，性能检测可以帮助了解闪存的相关指标，从而确保闪存的正常工作和数据的安全性。

相关技术中，在对闪存进行性能检测时，往往关注的只是其数据处理时效性方面的情况，对于数据准确性方面分析较少；且并没有考虑到闪存实际工作环境、场景的复杂性，检测结果的参考价值较低，难以得到有效、通用的信息。

综上，相关技术中存在的问题亟需得到解决。

发明内容

本申请的目的在于至少一定程度上解决相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种闪存性能的检测方法。

本申请实施例的另一个目的在于提供闪存性能的检测装置。

为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：

第一方面，本申请实施例提供了一种闪存性能的检测方法，包括以下步骤：

获取针对待测闪存产品设置的场景信息；所述场景信息用于限定进行检测时所使用的测试场景；

根据所述场景信息，在多个所述测试场景下对所述待测闪存产品进行测试，得到每个所述测试场景下对应的第一错误比特数；

根据对应的测试场景，将所述第一错误比特数和预先设置的错误比特门限值进行比较；

根据比较结果，确定所述待测闪存产品在各个所述测试场景下对应的性能检测结果。

另外，根据本申请上述实施例的闪存性能的检测方法，还可以具有以下附加的技术特征：

进一步地，在本申请的一个实施例中，所述测试场景包括高温写低温读场景、低温写高温读场景、高温写高温读场景、低温写低温读场景、数据保持场景、读干扰场景和回流焊场景。

进一步地，在本申请的一个实施例中，所述高温写低温读场景、所述低温写高温读场景、所述高温写高温读场景、所述低温写低温读场景中，高温环境对应的温度范围为70至90摄氏度，低温环境对应的温度范围为-30至-10摄氏度。

进一步地，在本申请的一个实施例中，所述根据比较结果，确定所述待测闪存产品在各个所述测试场景下对应的性能检测结果，包括：

若所述第一错误比特数大于或者等于所述错误比特门限值，则确定所述待测闪存产品在测试场景下对应的性能检测结果为存在性能问题；

或者，若所述第一错误比特数小于所述错误比特门限值，则确定所述待测闪存产品在测试场景下对应的性能检测结果为不存在性能问题。

进一步地，在本申请的一个实施例中，所述错误比特门限值通过以下步骤设置：

获取通过实验测定的目标纠错裕度参数以及所述待测闪存产品对应的纠错能力参数；

根据所述纠错能力参数和所述目标纠错裕度参数的差值，计算得到错误比特门限值。

进一步地，在本申请的一个实施例中，所述目标纠错裕度参数通过以下步骤得到：

获取批量的样本闪存产品以及所述样本闪存产品对应的性能标签，所述性能标签用于表征所述样本闪存产品为良品或者所述样本闪存产品为不良品；

在给定的测试场景下，对各个所述样本闪存产品进行测试，得到每个所述样本闪存产品对应的第二错误比特数；

初始化纠错裕度参数，根据所述纠错裕度参数，确定各个所述样本闪存产品对应的性能预测结果；所述性能预测结果用于表征预测的所述样本闪存产品为良品或者所述样本闪存产品为不良品；

根据所述性能预测结果和所述性能标签的差异，对所述纠错裕度参数进行更新，并返回所述根据所述纠错裕度参数，确定各个所述样本闪存产品对应的性能预测结果的步骤，直至所述性能预测结果和所述性能标签之间的差异情况满足预定要求，得到目标纠错裕度参数。

进一步地，在本申请的一个实施例中，所述根据所述性能预测结果和所述性能标签的差异，对所述纠错裕度参数进行更新，包括：

若多个所述样本闪存产品对应的性能标签为良品且性能预测结果为不良品，则提高所述纠错裕度参数；

或者，若多个所述样本闪存产品对应的性能标签为不良品且性能预测结果为良品，则降低所述纠错裕度参数。

第二方面，本申请实施例提供了一种闪存性能的检测装置，包括：

获取单元，用于获取针对待测闪存产品设置的场景信息；所述场景信息用于限定进行检测时所使用的测试场景；

测试单元，用于根据所述场景信息，在多个所述测试场景下对所述待测闪存产品进行测试，得到每个所述测试场景下对应的第一错误比特数；

比较单元，用于根据对应的测试场景，将所述第一错误比特数和预先设置的错误比特门限值进行比较；

处理单元，用于根据比较结果，确定所述待测闪存产品在各个所述测试场景下对应的性能检测结果。

第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：

至少一个处理器；

至少一个存储器，用于存储至少一个程序；

当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行时，使得所述至少一个处理器实现第一方面所述的闪存性能的检测方法。

第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，所述处理器可执行的程序在由处理器执行时用于实现第一方面所述的闪存性能的检测方法。

本申请的优点和有益效果将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到：

本申请实施例中提供一种闪存性能的检测方法、装置、设备及介质，获取针对待测闪存产品设置的场景信息；所述场景信息用于限定进行检测时所使用的测试场景；根据所述场景信息，在多个所述测试场景下对所述待测闪存产品进行测试，得到每个所述测试场景下对应的第一错误比特数；根据对应的测试场景，将所述第一错误比特数和预先设置的错误比特门限值进行比较；根据比较结果，确定所述待测闪存产品在各个所述测试场景下对应的性能检测结果。本申请的技术方案能够有效实现对闪存产品在各类应用场景下保持数据准确率的性能检测，有利于方便用户选用合适的闪存产品，助力闪存产品的研发和迭代，适用于各类应用场景，方法的通用性较好。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或者现有技术中的技术方案，下面对本申请实施例或者现有技术中的相关技术方案附图作以下介绍，应当理解的是，下面介绍中的附图仅仅为了方便清晰表述本申请的技术方案中的部分实施例，对于本领域的技术人员来说，在无需付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取到其他附图。

图1为本申请实施例中提供的一种闪存性能的检测方法的流程示意图；

图2为本申请实施例中提供的一种错误比特门限值和良率的关系示意图；

图3为本申请实施例中提供的一种闪存性能的检测装置的结构示意图；

图4为本申请实施例中提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。对于以下实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，不是旨在限制本申请。

闪存是一种非易失性存储器，它可以将数据存储在晶体管中，一旦存储在晶体管中，即使电源关闭，数据仍然会保留。闪存的应用比较广泛，通常用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器、SSD和嵌入式系统等领域。NAND FLASH闪存是一种类型的闪存，它使用NAND逻辑门实现数据存储和擦除，NAND FLASH闪存通常用于需要高容量存储的设备，例如USB闪存驱动器和SSD。

闪存在使用过程中可能会受到多种因素的影响，例如磨损、温度、电压等，这些因素可能会导致闪存性能的变化。此外，闪存的生产过程中也可能会存在一些问题，例如芯片质量、生产工艺等，这些问题可能会影响闪存的性能。因此，为了保证闪存的性能和可靠性，需要对闪存进行性能检测，性能检测可以帮助了解闪存的相关指标，从而确保闪存的正常工作和数据的安全性。

相关技术中，在对闪存进行性能检测时，往往关注的只是其数据处理时效性方面的情况，对于数据准确性方面分析较少；且并没有考虑到闪存实际工作环境、场景的复杂性，检测结果的参考价值较低，难以得到有效、通用的信息。

有鉴于此，本申请实施例中提供一种闪存性能的检测方法、装置、设备及介质，本申请实施例中的方法，能够有效实现对闪存产品在各类应用场景下保持数据准确率的性能检测，有利于方便用户选用合适的闪存产品，助力闪存产品的研发和迭代，适用于各类应用场景，方法的通用性较好。

下面，对本申请实施例中提供的一种闪存性能的检测方法进行介绍和说明。

请参照图1，图1是本申请实施例提供的一种闪存性能的检测方法的示意图，该闪存性能的检测方法包括但不限于：

步骤110、获取针对待测闪存产品设置的场景信息；所述场景信息用于限定进行检测时所使用的测试场景；

本步骤中，在进行闪存性能检测时，可以获取待测闪存产品，该产品可以是任一类型的闪存产品，例如可以是NAND FLASH闪存，也可以是其他类型的闪存，本申请对此不作限制。对于待测闪存产品，可以获取其对应的场景信息，此处，场景信息用于限定进行检测时所使用的测试场景，其可以由用户设定，即用户希望获取在什么测试场景下待测闪存产品对应的性能检测结果。

需要说明的是，此处场景信息的类型可以包括多种，本申请对此不作限制。例如测试场景包括高温写低温读场景、低温写高温读场景、高温写高温读场景、低温写低温读场景、数据保持场景、读干扰场景和回流焊场景。具体地，其中各个测试场景下的测试目标为：

高温写低温读场景：在高温环境下对闪存进行写操作，然后在低温环境下进行读操作，以测试闪存在温度变化下的可靠性和稳定性。低温写高温读场景：在低温环境下对闪存进行写操作，然后在高温环境下进行读操作，以测试闪存在温度变化下的可靠性和稳定性。高温写高温读场景：在高温环境下对闪存进行写操作，然后在高温环境下进行读操作，以测试闪存在高温环境下的性能和可靠性。低温写低温读场景：在低温环境下对闪存进行写操作，然后在低温环境下进行读操作，以测试闪存在低温环境下的性能和可靠性。数据保持场景：测试闪存在长时间不操作或不供电的情况下，数据是否能够长时间保持不变，以测试闪存的数据稳定性和可靠性。读干扰场景：对闪存颗粒的某个block中某些页面数据执行大量的读操作，以测试某些页面的读操作对其他页面数据稳定性的影响。回流焊场景：将闪存颗粒防止在回流焊设备中，模拟高温过炉过程(SMT流程)。以测试闪存在高温冲击下的数据安全性和稳定性。

需要说明的是，本申请实施例中，所述高温写低温读场景、所述低温写高温读场景、所述高温写高温读场景、所述低温写低温读场景中，高温环境对应的温度范围为70至90摄氏度，低温环境对应的温度范围为-30至-10摄氏度。

本申请实施例中，通过设置不同的测试场景，可以全面评估闪存产品的性能和可靠性，以确保其能够满足实际应用需求。

步骤120、根据所述场景信息，在多个所述测试场景下对所述待测闪存产品进行测试，得到每个所述测试场景下对应的第一错误比特数；

本步骤中，在对待测闪存产品进行测试时，可以准备相应的环境和测试软件，将待测闪存产品放置在测试环境中，按照场景信息的要求设置环境条件，如温度、湿度等。然后，在每个测试场景下运行测试程序，记录下测试结果，本申请实施例中，测试结果可以包括错误比特数，但不限于此，例如还可以包括错误类型、错误位置等信息。在一些实施例中，在每个测试场景下，可以重复进行多次测试，以确保测试结果的稳定性和可靠性。

步骤130、根据对应的测试场景，将所述第一错误比特数和预先设置的错误比特门限值进行比较；

步骤140、根据比较结果，确定所述待测闪存产品在各个所述测试场景下对应的性能检测结果。

本申请实施例中，对于得到的每个测试场景下的第一错误比特数，可以和预先设定的错误比特门限值进行比较，以确定闪存产品的性能是否符合要求。具体地，本申请实施例中，可以根据闪存产品的设计要求，预先设定每个测试场景下的错误比特门限值。对于每个测试场景下得到的第一错误比特数，与相应的错误比特门限值进行比较，如果第一错误比特数小于门限值，则该测试场景下的测试结果符合闪存产品的性能要求，不存在性能问题，在当前的测试场景下属于良品，可以继续进行后续测试场景，或者在测试场景下正常进行使用。如果第一错误比特数大于或者等于门限值，则说明当前的测试场景下属于不良品，存在性能问题，需要对测试结果进行分析和改进，例如可以分析错误类型、错误位置等信息，确定产生错误的原因，并进行相应的改进。

可以理解的是，本申请实施例中，通过性能测试结果，可以确定闪存产品在不同场景下的性能是否符合要求，可以方便设计人员基于不符合要求的场景对针对性进行改进和优化，从而提高产品的性能和可靠性，也可以方便使用者对待测闪存产品的适用场景进行区分，更好地使用待测闪存产品。

具体地，在一些实施例中，所述错误比特门限值通过以下步骤设置：

获取通过实验测定的目标纠错裕度参数以及所述待测闪存产品对应的纠错能力参数；

根据所述纠错能力参数和所述目标纠错裕度参数的差值，计算得到错误比特门限值。

本申请实施例中，在设置错误比特门限值时，可以通过目标纠错裕度参数和待测闪存产品对应的纠错能力参数来设置。具体地，即根据待测闪存产品的纠错模块提供的纠错能力，给出设定的错误比特门限值ecc threshold，其中，错误比特门限值cc threshold＝纠错能力-目标纠错裕度参数。可以理解的是，纠错能力是待测闪存产品管理模块中纠错单元决定的，目标纠错裕度参数可以是经验测定的，目标纠错裕度参数越大，错误比特门限值越低，良率低，但产品纠错可靠性高，数据安全性更强；目标纠错裕度参数越小，错误比特门限值越高，良率高，但产品纠错可靠性低，数据安全性较差。此处的良率指的是满足要求的数量占整个测试数量的比例，在给定错误比特门限值ecc threshold后，一个测试场景下，可以统计第一错误比特数在错误比特门限值ecc threshold以下的颗粒数量，这个数量占整个测试数量的比例就是良率，参照图2，对应图中虚线左侧面积占整个正态分布图面积的比例即为良率，可以看出，随着错误比特门限值ecc threshold设置越大，良率越高。

具体地，在一些实施例中，所述目标纠错裕度参数通过以下步骤得到：

获取批量的样本闪存产品以及所述样本闪存产品对应的性能标签，所述性能标签用于表征所述样本闪存产品为良品或者所述样本闪存产品为不良品；

在给定的测试场景下，对各个所述样本闪存产品进行测试，得到每个所述样本闪存产品对应的第二错误比特数；

初始化纠错裕度参数，根据所述纠错裕度参数，确定各个所述样本闪存产品对应的性能预测结果；所述性能预测结果用于表征预测的所述样本闪存产品为良品或者所述样本闪存产品为不良品；

根据所述性能预测结果和所述性能标签的差异，对所述纠错裕度参数进行更新，并返回所述根据所述纠错裕度参数，确定各个所述样本闪存产品对应的性能预测结果的步骤，直至所述性能预测结果和所述性能标签之间的差异情况满足预定要求，得到目标纠错裕度参数。

本申请实施例中，在确定目标纠错裕度参数时，可以获取批量的样本闪存产品以及样本闪存产品对应的性能标签，性能标签用于表征样本闪存产品为良品或者样本闪存产品为不良品。然后，在给定的测试场景下，对各个样本闪存产品进行测试，得到每个样本闪存产品对应的第二错误比特数，可以初始化纠错裕度参数，根据纠错裕度参数，确定各个样本闪存产品对应的性能预测结果，性能预测结果用于表征预测的样本闪存产品为良品或者样本闪存产品为不良品。可以理解的是，如果性能预测结果和性能标签比较接近，说明纠错裕度参数设置的比较合理，如果性能预测结果和性能标签偏差很大，则说明纠错裕度参数设置的不合理，可能是设置的太小，导致很多良品被预测为不良品；也可能是可能是设置的太大，导致很多良不品被预测为良品。

因此，本申请实施例中，可以根据性能预测结果和性能标签的差异，对纠错裕度参数进行更新，具体可以是，若多个样本闪存产品对应的性能标签为良品且性能预测结果为不良品，则提高纠错裕度参数；若多个样本闪存产品对应的性能标签为不良品且性能预测结果为良品，则降低纠错裕度参数。此处，多个的数量可以是预定的5个，或者其他数值。更新后，可以返回根据所述纠错裕度参数，确定各个所述样本闪存产品对应的性能预测结果的步骤，如果没有出现上面的情况，即可以认为性能预测结果和性能标签之间的差异情况满足预定要求，得到目标纠错裕度参数。

可以理解的是，本申请实施例中提供的闪存性能的检测方法，可以更好地评估闪存的性能和可靠性：通过对闪存性能的检测和分析，可以了解闪存的性能和可靠性，找到闪存性能瓶颈，并进行优化，从而提高闪存的性能和效率；可以发现闪存中存在的问题，例如数据丢失、损坏等，从而及时解决问题，保障数据安全。

下面参照附图描述根据本申请实施例提出的闪存性能的检测装置。

参照图3，本申请实施例中提出的闪存性能的检测装置，包括：

获取单元201，用于获取针对待测闪存产品设置的场景信息；所述场景信息用于限定进行检测时所使用的测试场景；

测试单元202，用于根据所述场景信息，在多个所述测试场景下对所述待测闪存产品进行测试，得到每个所述测试场景下对应的第一错误比特数；

比较单元203，用于根据对应的测试场景，将所述第一错误比特数和预先设置的错误比特门限值进行比较；

处理单元204，用于根据比较结果，确定所述待测闪存产品在各个所述测试场景下对应的性能检测结果。

可以理解的是，上述方法实施例中的内容均适用于本装置实施例中，本装置实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。

参照图4，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：

至少一个处理器301；

至少一个存储器302，用于存储至少一个程序；

当至少一个程序被至少一个处理器301执行时，使得至少一个处理器301实现的闪存性能的检测方法。

同理，上述方法实施例中的内容均适用于本电子设备实施例中，本电子设备实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。

本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器301可执行的程序，处理器301可执行的程序在由处理器301执行时用于执行上述的闪存性能的检测方法。

同理，上述方法实施例中的内容均适用于本计算机可读存储介质实施例中，本计算机可读存储介质实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。

在一些可选择的实施例中，在方框图中提到的功能/操作可以不按照操作示图提到的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能/操作，连续示出的两个方框实际上可以被大体上同时地执行或方框有时能以相反顺序被执行。此外，在本申请的流程图中所呈现和描述的实施例以示例的方式被提供，目的在于提供对技术更全面的理解。所公开的方法不限于本文所呈现的操作和逻辑流程。可选择的实施例是可预期的，其中各种操作的顺序被改变以及其中被描述为较大操作的一部分的子操作被独立地执行。

此外，虽然在功能性模块的背景下描述了本申请，但应当理解的是，除非另有相反说明，功能和/或特征中的一个或多个可以被集成在单个物理装置和/或软件模块中，或者一个或多个功能和/或特征可以在单独的物理装置或软件模块中被实现。还可以理解的是，有关每个模块的实际实现的详细讨论对于理解本申请是不必要的。更确切地说，考虑到在本文中公开的装置中各种功能模块的属性、功能和内部关系的情况下，在工程师的常规技术内将会了解该模块的实际实现。因此，本领域技术人员运用普通技术就能够在无需过度试验的情况下实现在权利要求书中所阐明的本申请。还可以理解的是，所公开的特定概念仅仅是说明性的，并不意在限制本申请的范围，本申请的范围由所附权利要求书及其等同方案的全部范围来决定。

功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccess Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。

计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本申请的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

在本说明书的上述描述中，参考术语“一个实施方式/实施例”、“另一实施方式/实施例”或“某些实施方式/实施例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本申请的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。

以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明，但本申请并不限于实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的前提下可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。