信息存储

存储阵列包括存储单元的多条字线，该存储单元的多条字线可以被选择性地充电到擦除电压或禁止电压。与存储阵列相关联的控制逻辑可以分阶段执行擦除验证。在第一次擦除验证上，控制逻辑可以将擦除块或子块的字线设置为第一擦除电压。在第二次擦除验证上，控制逻辑可以触发第二擦除脉冲并且将通过的字线设置为禁止电压，并且将失败字线设置为高于第一电压的第二擦除电压。禁止已经通过的字线可以减少字线之间的阈值电压差。

本发明提供一种存储器接口电路、存储器存储装置及设定状态检测方法。所述存储器接口电路用于连接多个易失性存储器模块与存储器控制器。所述多个易失性存储器模块包括第一易失性存储器模块与第二易失性存储器模块。存储器接口电路包括第一接口电路与第二接口电路。第一接口电路用以从第一易失性存储器模块接收第一信号并经由存储器接口电路的内部路径将第二信号传送至第二接口电路。第二接口电路用以根据第二信号将第三信号传送至第二易失性存储器模块，以通过第三信号评估存储器接口电路的设定状态。

本发明提供一种存储器控制器、存储器的读取控制的方法及相关存储系统。该存储器控制器包含一数据锁存电路、一遮罩产生电路、一电耦接至该遮罩产生电路的时钟控制逻辑以及一电耦接至该数据锁存电路和该时钟控制逻辑的解复用器。该数据锁存电路依据来自该存储器的一数据选通信号来锁存来自该存储器的一数据信号中的一系列数据。该遮罩产生电路依据该数据选通信号来产生一遮罩信号。该时钟控制逻辑依据该遮罩信号产生一接收时钟信号。该解复用器藉助该接收时钟信号决定该系列数据中的有效数据。本发明能解决在相关技术中产生额外的数据延迟的问题；相较于相关技术，本发明的存储器控制器所产生的遮罩信号的时序能具有较大的容忍度。

一种用于快速读取的存储器装置及其控制方法，该存储器装置包括一存储器阵列、一字线控制器以及一源极线控制器。该存储器阵列由多个存储单元排列而成，其中同一行中的多个存储单元的源极彼此相耦接，相邻两行的多个存储单元的源极分别连接至一第一源极线及一第二源极线，以及一标的存储单元的源极连接至该第一源极线。当该标的存储单元需要被读取时，该字线控制器提供一第一电压予对应于该标的存储单元的该字线以及对应于该标的存储单元的下一行的该字线，该源极线控制器提供一第二电压予该第一源极线，并且提供一第三电压予该第二源极线；其中该第二电压为0V，该第三电压大于该第二电压。

本发明公开一种环境控制设备，包含：设备本体、处理装置、多个加热装置及多个致冷装置。设备本体包含多个容置室。各容置室中设置有加热装置或致冷装置。各加热装置具有高温接触结构。各致冷装置具有低温接触结构。当承载有多个芯片的芯片测试装置设置于容置室中，芯片测试装置被供电，且容置室中的加热装置或致冷装置运作时，芯片测试装置将对其所承载的多个芯片进行测试。

本发明实施例提供了一种NAND Flash单元数据的读取方法，其特征在于，包括：检测NAND Flash存储单元的当前温度；根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值；根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量；根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。本发明能够根据温度调节存储单元的源极电压，对随温度变化的阈值电压所造成的读取误差进行补偿，提高NAND Flash读取操作的准确性。

本发明公开一种环境控制设备，包含：设备本体、处理装置、多个温度调节装置。设备本体包含多个容置室。各容置室中设置有温度调节装置。各温度调节装置具有加热器及致冷器。当承载有多个芯片的芯片测试装置设置于容置室中，芯片测试装置被供电，且温度调节装置的加热器或致冷器被控制作动时，芯片测试装置将对其所承载的多个芯片进行测试。

本发明公开一种内存测试方法，是在对内存进行预烧测试、高温测试、低温测试及常温测试的过程中，将相对应的测试结果数据及测试参数写入该内存中。本发明还公开一种内存测试方法，是在对内存进行预烧测试、高温测试、低温测试及常温测试后，将相对应的测试结果数据及测试参数写入该内存中。通过本发明的内存测试方法完成测试的内存，内存内部将储存有测试结果数据及测试参数，而相关人员将可通过读取多个数据轻易地追踪该内存的测试历程。

本发明公开一种芯片测试方法，其适用于一芯片测试系统，芯片测试方法包含芯片安装步骤：通过芯片安装设备，将多个芯片安装至芯片测试装置的多个电连接座上；移入步骤：将承载有多个芯片的芯片测试装置，移载至其中一个环境控制设备的其中一个容置室；温度调节步骤：控制容置室所对应的温度调节装置运作，以使多个芯片处于预定温度的环境中；测试步骤：供电给设置于容置室中的芯片测试装置，以使各个测试模块对其所连接的多个电连接座上的芯片进行一预定测试程序。

本发明提供一种存储器装置及其列干扰更新方法。存储器装置包括存储器阵列与控制器。存储器阵列具有多个正常区域以及相邻于多个正常区域的冗余区域。冗余区域包括彼此交错排列的多个第一字线与多个第二字线。控制器用以列干扰更新多个正常区域而不列干扰更新冗余区域。

本发明公开一种芯片测试装置，其能被载运而于多个工作站之间传递。芯片测试装置包含电路板、控制机组及多个连接端子。电路板设置有多个电连接座，各电连接座用以承载芯片。控制机组包含多个测试模块，其设置于电路板的一侧。多个连接端子设置于电路板。当连接端子与外部供电装置连接时，各测试模块与多个电连接座相连接，而各测试模块能对其所连接的电连接座上所承载的芯片进行测试。多个芯片设置于多个电连接座后，将可随芯片测试装置一同设置于高温环境或低温环境进行测试，而芯片无须反复地拆装。

本发明公开一种芯片测试系统包含：中央控制装置、芯片测试装置、芯片安装设备、多个环境控制设备、分类设备及移载设备。中央控制装置能控制芯片安装设备将多个芯片安装于芯片测试装置。各环境控制设备包含多个彼此独立的容置室，且各容置室中设置有温度调节装置。中央控制装置能控制移载设备，将芯片测试装置，置放于环境控制设备的其中一个容置室中。当芯片测试装置承载有芯片，而被设置于容置室中时，中央控制装置能控制相对应的温度调节装置作动，而使多个芯片处于预定温度下，被芯片测试装置进行预定测试程序。

一种SRAM存储结构、存储器及控制方法，所述SRAM存储结构包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端为所述存储结构的第一存储节点，所述第二反相器的输入端为所述存储结构的第二存储节点；控制单元，用于在所述第一存储节点写入高电位时控制所述第一存储节点与所述第二反相器隔离，在所述第二存储节点写入高电位时控制所述第二存储节点与所述第一反相器隔离，避免了存储节点在写入高电位时，被对应的反相器制约，从而提高了器件的写噪声容限。

公开了一种三维(3D)存储器系统，包括：存储块，所述存储块分成多个存储子块，每个存储子块包括多个存储单元，以及所述存储块包括多个字线；以及控制器，配置为通过两轮编程方式对所述存储块中的存储单元进行编程，其中，所述编程包括：对所述多个字线中的第一字线上包括的在所述多个存储子块中的存储单元进行第一轮编程；对所述多个字线中与所述第一字线相邻的第二字线上包括的在所述多个存储子块的一部分存储子块中的存储单元进行第一轮编程，其中，所述一部分存储子块至少包括第一存储子块；对所述第一字线上包括的在所述第一存储子块中的存储单元进行第二轮编程。

本发明涉及视频剪辑技术领域，公开了一种基于机器学习的风格化智能视频剪辑方法。其方法步骤为：通过机器学习对特定风格的影视作品或用户输入剪辑作品进行学习，获取视频风格的基本参数，对参数进行加权操作后生成一个特征数据集，此数据集即为视频的风格模型。用户将原素材输入到智能剪辑系统中，经过选取的风格模型处理，最终输出一段剪辑后的视频，即为经过风格化处理的剪辑作品。将用户原素材的特征数据集与特定风格的特征数据集进行对比，对超出特定风格阈值范围数据集参数进行修正，并将修正值输出为指导性的文字和视频示例，让用户获得影视素材拍摄方面的指导意见。

本发明实施例公开一种Nand存储器的CCI噪声预判均衡方法及相关设备，对于受到CCI干扰的数据页，根据受CCI干扰的存储单元的阈值电压变化量预估值、第一预设映射关系对存储单元的阈值电压进行修正，将阈值电压修正至Nand存储器的多个参考电压中的一个电压。可以有效减少存储单元之间的CCI干扰现象，把CCI干扰对Nand存储器读写的影响降到最低，提高Nand存储器的数据准确性。

本发明提供一种通用型硬盘仿真配重治具，包含一硬盘外型壳体、复数个配重块以及复数个固定件。硬盘外型壳体具有一容置空间。复数个配重块依据待测硬盘机的待测硬盘重量设置在容置空间。至少一固定件用以将配重块在容置空间中固定于硬盘外型壳体。其中，硬盘外型壳体、配重块与至少一固定件的一总模拟重量与待测硬盘重量相差在一重量允差范围内。

本发明公开了一种eMMC质量检测修复方法、装置及存储介质，其中该方法包括：读取eMMC芯片的协议版本信息及生产日期，非失真寄存器及只读信息，获取所述eMMC芯片的第一质量状态；读取所述eMMC芯片的数据存储区，判断是否全为默认值，提取分区特征，获取所述eMMC芯片的第二质量状态；对所述eMMC芯片进行读取擦除性能检测，获取所述eMMC芯片的第三质量状态；根据第一质量状态、第二质量状态及第三质量状态生成所述eMMC芯片的质量评估结果；根据所述质量评估结果，对所述非失真寄存器开启的功能进行关闭，通过擦除命令修复数据存储区，并对读写性能进行修复。简要描述技术效果。本发明通过多种方式检测，检测修复的覆盖面广，准确率高，贴近用户实际使用需求。

一种内部电压发生电路，包括：第一控制信号发生单元，适用于在第一外部电压被激活时产生被激活为第二外部电压的电平的第一控制信号；第二控制信号发生单元，适用于产生等于第二外部电压和内部电压中的较高者的第二控制信号；以及电压发生单元，适用于在基于第一控制信号和第二控制信号而阻挡电流流经发生节点(内部电压从该发生节点产生)的同时，通过基于第二外部电压和振荡信号而执行电荷泵操作来产生内部电压。

本发明公开了一种自制语种的点读操作方法，包括以下步骤：再开启录音模式，再使用点读笔点语种功能码，进行录音，录音完成后，结束录音模式；点录过音的语种功能码，再开启录音模式，再点点读书籍上一个物件图片，进行录音，录音完成后，结束录音模式；使用点读笔点配置后的语种功能码进入此语种的模式，再点点读书籍上录音过的物件图片，即可使用当前语种播放该物件图片所对应的录音内容。通过本发明的自制语种的点读操作方法，使用点读笔以及空白的语种功能码即可进行家乡语言的配置，通过配置后的语言，可以对已有的书籍进行额外配置语言。

本申请涉及具有垂直晶体管的存储器阵列及其形成。一种装置，例如存储器阵列，可以具有耦合到位于第一层级处的第一数字线(例如，局部数字线)的存储器单元。第二层级处的第二数字线(例如，分级数字线)可以耦合到主读出放大器。第一和第二层级之间的第三层级处的电荷共享装置可以耦合到第一数字线和连接器。第三层级处的垂直晶体管可以耦合在第一数字线和连接器之间。触点可以耦合在连接器和第二数字线之间。

提供了磁性结存储器设备和用于将数据写入存储器设备的方法。磁性结存储器设备包括：第一存储器组，包括第一磁性结存储器单元；第一本地写入驱动器，与第一存储器组相邻，连接到全局数据线，第一本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第一磁性结存储器单元；第二存储器组，与第一存储器组相邻并且包括第二磁性结存储器单元；第二本地写入驱动器，与第二存储器组相邻，连接到全局数据线，第二本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第二磁性结存储器单元；以及全局写入驱动器，被配置为经由全局数据线分别向第一本地写入驱动器和第二本地写入驱动器提供第一写入数据和第二写入数据。

本申请案涉及字线电容平衡。一种存储器装置可包含一组存储器区块，其中一或多个存储器区块可位于所述组的边界处。每一边界存储器区块可具有与驱动器及存储器单元子阵列耦合的字线，且还可包含与所述驱动器耦合的负载平衡组件(例如电容性组件)。在一些实例中，所述负载平衡组件可与所述驱动器的输出线(例如字线)或所述驱动器的输入(例如提供源信号的线)耦合。所述负载平衡组件可使从所述驱动器输出的负载适应所述存储器单元子阵列，使得所述边界处的所述存储器区块的所述负载可类似于不在所述边界处的其它存储器区块的所述负载。

提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏置电路，将第二偏置电压输入到选定位线的第二偏置电路，连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间的第一选择开关器件和第一非选择开关器件，以及连接在相邻字线和所述第一偏置电路之间的第二选择开关器件和第二非选择开关器件；控制逻辑，顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件；以及读出放大器，将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定读取操作的数据。

实施例描述了一种用于从存储装置读取数据的方法，该方法包括：选择待读取的存储块；识别用于读取该块的读取重试表；确定所选择的存储块的读取重试表需要更新；并且使用来自该读取重试表的新读取阈值电压组读取存储块。响应于使用新电压组的成功读取操作，该方法还可包括：利用该新读取电压组来代替第一字段中的初始读取电压组；并且利用从读取重试邻居表中识别出的额外读取阈值电压组填充读取重试表中的多个后续字段，其中在读取电压空间中，额外读取电压组中的至少一个在距离上最接近初始读取电压组。

提供了半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法。所述半导体存储装置包括存储单元阵列、ECC引擎、至少一个电压发生器和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括耦接到字线和位线的多个存储单元以及感测存储在所述多个存储单元中的数据的多个读出放大器。所述ECC引擎从所述存储单元阵列的目标页面读取存储数据，对所述存储数据执行ECC解码，基于所述ECC解码，检测所述存储数据中的错误，并输出与所述错误相关联的错误信息。所述至少一个电压发生器分别向所述多个读出放大器提供驱动电压。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎，以及基于包括所述错误信息的错误模式信息，控制所述至少一个电压发生器增大所述多个读出放大器中的每个读出放大器的操作容限。

本申请案涉及用于存储器装置中的时钟信号对准的方法以及采用所述方法的存储器装置及系统。存储器模块或电子系统的存储器装置或其它组件可使经接收时钟信号偏移。例如，所述存储器装置可接收具有用于系统的标称操作速度或频率的时钟信号，且所述存储器装置可基于其它操作因素(例如其它信号的速度或频率、物理约束、从主机装置接收的指示等)调整所述时钟信号或使所述时钟信号偏移。时钟偏移值可基于例如命令/地址信令的传播。在一些实例中，存储器模块可包含可管理或协调所述模块上的各种存储器装置当中或之间的时钟偏移的寄存时钟驱动器RCD、集线器或本地控制器。时钟偏移值可经编程到模式寄存器或若干模式寄存器。

存储器装置及其操作方法。一种包括多个平面的存储器装置包括：模式设定组件，其将所述存储器装置的操作模式设定为验证通过模式以允许在多个平面中执行的验证操作强制通过；以及验证信号发生器，其用于输出验证通过信号，该验证通过信号用信号通知针对所述多个平面中的每一个，验证操作已通过。

本发明提供了一种半导体存储器件，具有如下结构：存储单元内的第一栅极晶体管的栅极和第二栅极晶体管的栅极沿存储单元的行方向设置，对于同一行内设置的存储单元，设置多条字线作为一组字线，在同一行内设置的存储单元当中，至少一个存储单元的第一栅极晶体管的栅极和第二栅极晶体管的栅极与一组字线中的一条连接，其他至少一个存储单元的第一栅极晶体管的栅极和第二栅极晶体管的栅极与一组字线中的其他一条连接。本发明的半导体存储器件，可减少器件不必要的工作电流，进而减小半导体存储器件的耗电量，降低了器件功耗。

本发明涉及基于磁性斯格明子的赛道存储器，其可包括存储轨道和设置在所述存储轨道上的读取部件。所述存储轨道由自旋霍尔效应层和形成在所述自旋霍尔效应层上的用于储存斯格明子的磁层形成，并且包括设置在其至少一端的移位写入端。所述移位写入端包括窄部、宽部、以及连接所述窄部和所述宽部的扩展部。所述窄部具有第一宽度，用于接收移位写入电流并且产生斯格明子。所述宽部延伸连接到所述存储轨道的主体部分以接收和移动所述斯格明子，并且具有比所述第一宽度更大的第二宽度。所述扩展部的与所述窄部连接的第一端具有所述第一宽度，与所述宽部连接的第二端具有所述第二宽度，并且从所述第一端的第一宽度逐渐扩展到所述第二端的第二宽度。

本发明公开了一种用于包括ReRAM单元的行和列的ReRAM存储器单元阵列的布局，每个ReRAM单元位于所述ReRAM单元的行和列中。每个ReRAM单元包括ReRAM器件。第一晶体管耦接在该ReRAM器件和与包含该ReRAM单元的列相关联的第一位线之间。该第一晶体管具有耦接到与包含该ReRAM单元的行相关联的第一字线的栅极。第二晶体管耦接在该ReRAM器件和与包含该ReRAM单元的列相关联的第二位线之间。该第二晶体管具有耦接到与包含该ReRAM单元的行相关联的第二字线的栅极。

本公开的实施方案提供了用于改善分裂栅闪存单元中的读取窗的系统和方法，例如，通过在单元读取操作期间用非零(正或负)电压偏压控制栅端子来改善或控制该单元的擦除状态读取性能或编程状态读取性能。操作分裂栅闪存单元的方法可以包括在该单元中执行编程操作、执行擦除操作和执行读取操作，其中每个读取操作包括向字线施加第一非零电压，向位线施加第二非零电压，以及向控制栅施加第三非零电压V。

本发明的目的是实现一种配置，该配置通过将要记录在记录介质上的标记的尺寸仅限制为不大于光束光斑尺寸的预定尺寸，使得利用多级记录的信息记录再现装置能够防止/减少串扰和交叉写入。该信息记录再现装置具有：记录脉冲生成单元，基于多值调制数据生成记录脉冲；以及数据记录单元，基于记录脉冲将标记记录在记录介质上。数据记录单元执行：记录处理，以使得要记录在记录介质上的所有标记的尺寸不大于光斑尺寸，光斑尺寸对应于光束光斑的二维光强度分布(功率分布)的最大值(Pmax)的一半(1/2)的级别；以及数据记录处理，使得根据多值调制数据的各个级别形成具有不同密度的记录标记的记录区域。

提供了用于沉浸式环境中的对象分组和操纵的方法、系统和介质。在一些实施例中，该方法包括：在沉浸式环境中显示多个视频对象；经由第一输入检测到第一视频对象已经被虚拟地定位在第二视频对象上方；响应于检测到第一视频对象已经被虚拟地定位在第二视频对象上方，生成包括第一视频对象和第二视频对象的组视频对象，其中，组视频对象包括用于与该组视频对象交互的手柄接口元素和表示第一视频对象和第二视频对象的可选指示符；在沉浸式环境中显示随手柄接口元素和可选指示符一起的组视频对象、以及一个或多个剩余的视频对象，其中，在沉浸式环境内组视频对象替换第一视频对象和第二视频对象；以及响应于检测到对可选指示符的选择，显示用于与组视频对象交互的用户界面。

本申请提供了一种优化的具有ECC功能的MRAM系统及其操作方法，在使用ECC的情况下避免频繁读取整个内部字，包括寄存器、纠错电路和控制电路，控制电路包括读写操作模块、数据写回MRAM操作模块以及地址管理模块，当外界访问一个短字时，把对应的长字整体读至寄存器中，在寄存器区上进行短字的读写操作，如果之后周期外部字地址也能匹配此内部长字地址时，可以继续在寄存器区上进行读写操作，直至新的周期的外部字地址无法匹配，再进行寄存器写回MRAM，并读入相应的内部字地址的数据至寄存器，从而有效地减小读写MRAM所需功耗，另外还可以在同一个周期内实现一个完整的读写操作。

本发明公开了一种具有ECC功能的MRAM系统，包括MRAM、ECC电路和寄存器组，寄存器组设置在MRAM和ECC电路之间，并与MRAM和ECC电路电连接，寄存器组，用于从MRAM读出数据，并将读出数据存入寄存器组中；ECC电路，用于与寄存器组同时从MRAM读出数据；在MRAM写回数据时，用于将写回数据与存入寄存器组中的数据进行比较，对数据错误进行检查和矫正。本发明能够在进行写操作的同时检测被写入比特的状态、MRAM可靠性高、降低写功耗并且对芯片速度、设计复杂性没有影响。

本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器阵列以及控制器电路。存储器阵列用以存储第一错误校正码及第一数据。控制器电路耦接至存储器阵列。控制器电路用以从存储器阵列读取第一数据，并且判断第一数据的错误比特是否为一或多个数据遮罩比特其中之一，以决定是否更新存储在存储器阵列中的第一错误校正码。控制器电路包括选择器元件。选择器元件耦接至存储器阵列。选择器元件从存储器阵列接收第一数据。第一数据没有经过错误校正程序。另外，一种数据存取方法亦被提出。

本发明提供一种半导体存储器装置，包括存储应用数据的数据存储器阵列、存储校验位数据的校验位存储器阵列、数据读写与校正部、校验位读写部以及伴随式产生与解码部。数据读写与校正部读取数据存储器阵列，并输出第一应用读取数据。校验位读写部读取校验位存储器阵列，并输出校验位读取数据。在应用数据的读取周期内，伴随式产生与解码部依据第一应用读取数据产生伴随式写入数据，并且将伴随式写入数据与校验位读取数据进行比较与解码以产生校验比较数据。在同一个读取周期内，数据读写与校正部根据校验比较数据对应用数据进行校正，并将校正后的应用数据写回数据存储器阵列以及输出对应的输出数据。

本发明提供一种存储器装置及其控制方法，其中存储器装置包括一存储器阵列以及一频率‑电压转换器。该存储器阵列由多个存储单元排列而成，其中同一列中的多个存储单元的栅极彼此相耦接并共同连接至一字线。该频率‑电压转换器耦接于该字线与该存储器装置外部的一时钟信号源之间，接收该时钟信号，并且依据该时钟信号的频率高低，对应地输出不同的电压至该字线。当时钟信号的频率较低时，可对应地降低字线的电压，用以减少存储单元电流以及读出放大器的检测速度，达成在串列时钟低频时的省电功效。

本发明提供一种基于磁性存储器的内存计算电路，包括：磁性存储器阵列和多路读取电路，其中，所述磁性存储器阵列每一行的多个存储单元共用一条字线，每一列的多个存储单元共用一条源线，每一列或者每一行的多个存储单元共用一对互补位线，每个存储单元包括：一个MOS管和两个MTJ，所述MOS管用于控制两个所述MTJ的读写，所述MOS管的漏极与两个所述MTJ连接，两个所述MTJ的存储状态相反且两个所述MTJ为一组，用于记录一位数据，两个所述MTJ分别连接对应的互补位线中的其中一条位线；所述读取电路，用于读取共用一对互补位线的一列或者一行的其中一个或者多个存储单元的状态，以实现按位逻辑操作。本发明能够直接在存储器阵列上实现内存计算。

本发明公开的一种能够自动断连的移动硬盘支撑架，包括固定板,所述固定板右端面固定设有支撑板，所述固定板右端面与所述支撑板下端面之间固定连接有支撑杆，所述支撑板内设有开口向上且向右的搁置板腔，所述搁置板腔内能左右滑动的设有搁置板，所述搁置板上端面放置设有移动硬盘，所述搁置板右端面固定设有移动夹板，所述搁置板内均匀分布的上下贯通设有通风口，本发明能够固定在终端设备上，方便移动硬盘的搁置，装置能够提供多种接口的切换，便于连接终端设备不同的接口，并且在终端设备停止运行时能够自动将硬盘的连接头断开，保护硬盘连接头，延长使用寿命，同时本装置对运行中的硬盘能够起到较好的散热效果。

本发明公开了一种数据保护硬盘盒装置，包括外壳，所述外壳内设有外壳空腔，所述外壳内设有封闭外壳空腔，所述外壳空腔内设有硬盘夹紧安装装置，所述硬盘夹紧安装装置包括硬盘安装仓，本发明内置安装夹紧装置，将硬盘塞入硬盘盒内的同时，会驱动内部夹紧固定装置，两侧的橡胶软垫会夹紧硬盘，从而将硬盘固定住，并且硬盘插口具有防盗措施，未输入正确密码时，硬盘插口与硬盘不连通，可以从物理层面杜绝数据盗窃和丢失，并且硬盘盒内设置有温度传感器，当环境温度不处于工作环境范围内时，硬盘停止工作，并发出警报，装置内还设有震动检测装置，当检测到震动过于激烈时，会发出警报，以提醒使用者会对硬盘造成损坏。

本发明涉及机械硬盘组件技术领域，且公开了一种可存储数据的机械硬盘及其使用方法，包括上盖和下板，上盖的下端面固定设置有连接杆和套筒，上盖的前后侧面均设置有侧板，侧板的下表面固定连接有多组连柱，连柱的外圈套接有柱筒，连柱的下端固定连接有挡块，柱筒的内部设置有第一弹簧和第二弹簧，柱筒的下端固定连接有吸盘，侧板上活动连接有多组滑柱，滑柱的左右侧均铰接有折叠板，位于滑柱之间的两组折叠板均相互铰接，滑柱两侧连接的折叠板上均固定连接有拉杆，拉杆通过拉块连接有降噪球，左右两侧的两组折叠板与上盖之间固定连接有第三弹簧，该用于计算机硬件开发技术的可存储数据的机械硬盘，具备能对机械硬盘进行减振，且能利用振动加大降噪效果的优点。

本发明涉及内存测试技术领域，公开了一种支持DRAM x16颗粒的测试方法及装置、DRAM存储器的测试设备，所述方法包括：关闭Bank XOR Enable，计算所述DRAM x16颗粒的内存容量，同时对DRAM x16颗粒建立地址映射；设置页属性，将Cache属性关闭，建立内存页表；访问所述DRAM x16颗粒Bank Group低位的地址空间，获取所述DRAM x16颗粒的内存错误信息。本发明能够实现对DRAM x16颗粒类型进行检测，并获取DRAM x16颗粒类型的错误信息，进而提高了DRAM存储器的使用性能。

本发明提供一种用于台式电脑的自动更换光盘装置，包括储存箱，所述储存箱底部的左侧固定安装有连接座，所述连接座的左侧固定安装有收集箱，所述储存箱的左侧固定安装有连接杆，所述储存箱内腔的顶部固定安装有电讯号接收器，所述储存箱内腔的左侧固定安装有挡杆，所述储存箱的顶部开设有投放口。该用于台式电脑的自动更换光盘装置，通过设置储存箱和托盘，装置在更换光盘时，电讯号接收器接收到电脑发来的讯号，从而控制电控柱伸缩以及传送带转动，使得新的光盘从固定杆上移动，经过挡杆和海绵垫的接触碰撞，从而平稳的从移出口移出至托盘上，整个过程，自动化控制，而且稳定性高，更换速度快。

本发明涉及非易失性存储设备，包括存储单元阵列和控制单元，所述存储单元阵列中的每个存储单元具有多个可编程级别；所述控制单元，其耦接至所述存储单元阵列，并且被配置为：动态地选择用于在验证周期中进行验证的多个存储单元，所述多个存储单元包括分别与至少两个不同的目标编程级别对应的至少两组存储单元，为所述多个存储单元提供与所述至少两个不同的目标编程级别对应的相同的验证电压，以及在所述验证周期中按照不同的目标编程级别依次对所述多个存储单元中的每一组存储单元进行验证。

本发明涉及一种存储器装置，其包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；耦合至所述存储单元阵列的控制器，其被配置为：对所述存储单元阵列中的至少一组存储单元施加相同的验证电压，其中，所述一组存储单元至少包括要被编程至第一目标编程级别的第一存储单元和要被编程至高于所述第一目标编程级别的第二目标编程级别的第二存储单元；在经过第一验证时间段之后，获得针对第一存储单元的第一验证结果；以及在经过第二验证时间段之后，获得针对第二存储单元的第二验证结果，其中，所述第二验证时间段包含所述第一验证时间段。

本发明涉及半导体存储测试技术领域，尤其涉及一种阻变随机存储器瞬态稳定性的测试方法。本测试方法包括：阻变随机存储器的激活过程；施加多次工作信号使阻变随机存储器达到稳定状态；设定测试温度；设定待测电导值G并施加激励信号使阻变随机存储器电导值达到G；测试阻变随机存储器的瞬态稳定性。本发明的测试方法，能够快速高效地表征阻变随机存储器的瞬态稳定性，有利于后续进一步抑制阻变随机存储器的短时间波动性，并改善神经形态系统的准确率的优化策略的设计。

本发明公开了一种记录是否有擦除时掉电的方法、装置、存储介质和终端，对需要进行擦除的区块进行擦除处理，对进行擦除处理后的区块进行过擦除修复，对进行过擦除修复后的区块内的掉电标志单元进行编程处理；通过在常规擦出流程结束后增加对掉电标志单元的检测，以此来记录这次擦除操作的完整性有效性，解决了用户无法定位掉电的区块时需要进行全芯片擦除的问题，使用户能够知晓掉电的发生；只需要检测掉电检测单元的特定内容来判断是否需要执行过擦除修复，系统无需遍历所有的位线上的单元，极大地节省了擦除流程时间。

本申请提供了一种表项管理方法及设备。该表项管理方法包括：获取待动态配置的第一接入控制表项；识别第一接入控制表项关联的第一应用；确定各块block已分配给其他应用；识别三态内容寻址存储器中多个存储有非冲突接入控制表项的block；将识别的多个block中低优先级的block存储的接入控制表项移动至识别的多个block中最高优先级的block，释放一个以上block；将最高优先级block分配给被移动至最高优先级block的接入控制表项关联的应用；将其中一个释放的block分配给第一应用；将第一接入控制表项存储在分配给第一应用的block。